REPASO DE DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRONICOS

APELLIDO Y NOMBRES:

1.-Encontrar el punto de operación del diodo de silicio de la figura Vin= 12 v R1 =10 k , R2=
5k, R3= 100k, R4= 50 k (2P)

R1 R3

Vin - R2 R4

SOLUCION

LA RESISTIVIDAD DEL Si INTRINSECO

1 1
ρ= =
σ q∗ni∗( μn+ μp)

1 1 1000
−19 16
= =
−3 0. 48
=2083. 33 Ω−m
= 1 . 6∗10 ∗2 .5∗10 (0 .10+0. 020 ) 0. 48∗10

a) Velocidad de arrastre de electrones

2 −1 −1
Van= q/e*n*E= 0.10m (v.s) *350v.m Van= 35m/s
Velocidad de arrastre de huecos
2 −1 −1
Vap=0.020m (v.s) *350v.m Van= 7m/s
b) La resistividad del silicio
=2083.33-m
c) La corriente total de arrastre
Ia=A.Ja= A.1.E= 0 . 03∗10
−4
m2∗0 . 48 Ω−1 m∗350 V . m−1 =5 . 04∗10−7 A
Donde:
La conductividad: 1= 1.6*10
−19
¿ 2. 5∗1016∗0 . 12=0 . 48∗10−3 Ω−1 m

2.- En el caso de que el gradiente de potencial de Silicio sea 350 Vm -1, un= 0.10 m2(V.S)-1
 up= up= 0.020 m2(V.S)-1

Determinar:

a) La velocidad de arrastre de electrones y huecos (1P)

b) La resistividad del silicio intrínseco, si ni= 2.5*10 16 m-3 (1P)
c) La corriente total de arrastre si A= 0.03*10 -4 m2 (1P)

LA RESISTIVIDAD DEL Si INTRINSECO

1 1
ρ= =
σ q∗ni∗( μn+ μp)

1 1 1000
−19 16
= =
−3 0. 48
=2083. 33 Ω−m
= 1 . 6∗10 ∗2 .5∗10 (0 .10+0. 020 ) 0. 48∗10

a) Velocidad de arrastre de electrones

2 −1 −1
Van= q/e*n*E= 0.10m (v.s) *350v.m Van= 35m/s
Velocidad de arrastre de huecos
2 −1 −1
Vap=0.020m (v.s) *350v.m Van= 7m/s
b) La resistividad del silicio
=2083.33-m
c) La corriente total de arrastre
Ia=A.Ja= A.1.E= 0 . 03∗10
−4
m2∗0 . 48 Ω−1 m∗350 V . m−1 =5 . 04∗10−7 A
Donde:
La conductividad: 1= 1.6*10
−19
¿ 2. 5∗1016∗0 . 12=0 . 48∗10−3 Ω−1 m

3.- En la siguiente grafica hallar Datos: Idss= 3 mA, Vpo= -2.4 v, u= 1000

a) La polarización (análisis en DC) (2.5p)

Vo
b) La ganancia Av = Vi (2.5)

10v

15k

Vi G D Vo

1M 420
SOLUCION:

a) Análisis en DC POLARIZACION

10v

15k

G D

1M 420

VG+VGS+VS=0

0 + VGS+0.42*ID=0

Vgs= -0.42*ID

Usando la ecuación cuadrática del FET

Vgs 2
Iss∗(1− )
ID= Vp

−0 . 42 ID 2
3∗(1− )
ID= −2. 4
2
ID=3*(1-0.175*ID)

ID= 3∗(1+0 .030625 ID 2 −0 . 35∗ID )=3+0. 09186 ID 2 −1. 05∗ID

2
0.09186*ID −2. 05∗ID+3=0

Dividiendo todo sobre 0.09186 se tiene

2
ID −22. 316 ID+32 .658=0 a=1 b=-22.316 c=32.658

ID=

−b+−√ b2 −4 ac −(−22. 316 )+−√(−22. 316)2 −4(1 )(32 . 658) 22 .3165+−√ 498 .0195−130 .632
= =
2a 2∗1 2
22. 3165+−19 . 1
ID= 2 ID1= 1.6 ID2=20.7

VG1= -0.42*1.6=-0.672v para ID =1.6

VG2= -0.42*20.7=-8.694v para ID=20.7

AMPIFICA SI

VD>(Vgs-Vpo)

-0.672V-(-.2.4) = 2.4-0.672=1.728V

VDS= 10-0.42*ID=10-0.42*1.6=9.328V

9.328V>1.728 SI AMPLIFICA

Si Amplifica continuamos

Calcular gm la transconductancia

2 2
Gm= Vpo * √ ID∗Idss Gm=  2.4 * √ 1.6∗(3)
Gm= 0.8333*2.19=1.825mA

b. ANALISIS EN AC Vo

Vi 1M Gm*Vi rds 15k

μ 1000
= =547 . 94
rds= gm 1 .825 k

grande 547 k se puede considerar 15k

548∗15
=15. 598 k
El paralelo 548+15

Vo=-1.82Vi*14.598

Vo
=−1. 825∗14 .598=−26 . 64
Vi
4.- Multietapa

12v

10K Q1 C1

Ib1 E1

Vi E2

Q2

C2

>=100 100k

Vo

1mA Fuente de corriente

-15v

Calcular:

a) Polarización (dc) (1p)

b) Av= Vo/Vi (1p)
c) Zin= (1P)
d) Zout= (1p)

SOLUCION

A) POLARIZACIÓN
ANALISIS EN DC: La fuente de tensión a tierra
 12v

10K Q1 C1 IC1

Ib1 E1

E2

Q2 Ib2

IC2 C2

>=100 100k

Vo

1mA Fuente de corriente

-15v

Ic1= Ic2= IE2

IE2=1 mA

Los transistores tienen el mismo 

Ib1 = Ib2 Ib2= 1/100 mA

Amplificadores en continua evaluar los parámetros hibridos

VT 25 mv
= =2 .5 k
Hie1 = hie2 = Ib 2 1/100

Resistencia dinámica de transistores

b) Análisis en AC
Condensadores en cortocircuito

12v

10K Q1 C1

Ib1 E1

Vi E2

Q2

Vo

100k

MODELO HIBRIDO C1
B1 hie1=2.5k
100ib1 C2
Ib1
10K E1
Hib2=0.025k α*ie2 100

Vi Ie2 E2

B2

C-C

B -C

hie1 2.5 k
= =0 .025 k Ω
Hib2 = β+1 101

Ecuaciones:

En la malla Input : ie2= (+1)*ib1…..(1)

Vi= (10k+2.5K)ib1 + 0.025*ie2…………….(2)

 Reemplazando (1) en ( 2)

Vi = 12.5ib1 + 0.025*101*ib1 = 12.5 ib1+2.525ib1 = 15.025ib1…….. (3)

Ahora se tiene

Vo=α*ie2*100k se sabe que α= 1, 0.99, 0.98

Vo=1*101*ib1*100…………….(4)

Vo 1∗101∗ib1∗100 101∗100
= = =672 .2
(4)/(3) Vi 15. 025 ib1 15 . 025

La ganancia: AV= 672.2

5.- Cual el voltaje de salida en el circuito del amplificador operacional (2p)

V1=10 R1=20k

R2= 720

V2 = 12v R2= 30 K

- Vo=

V3= 15v R3=36k +

Vo= 0.720/20*10 + 0.720/30*12 + 15*0.720/36*15= 0.36+0.288+0.3= 0.9 v

6.- Hallar el punto Q de operación IC= ( 2p)

5v Vce= (2p)

1.4M 3.6 K

1k

Malla Input : 5= Ib*1.4M+Vbe+ Ie*1k

Ie= Ib+Ic =Ib+*Ib= Ib(1+)

5= Ib*1.4M + 0.7+Ib*101*1K

5-0.7= Ib(1.4M +101*1k

4.3 4 .3 4 .3
= = =0 . 002865 mA=2 . 865uA
Ib= 1 . 4 M +101 k 1400 k +101 k 1501

IC= 100*Ib=100*0.002865= 0.2865 mA= 0.29mA

IE= 101*0.002865=0.289365 mA

Malla Ouput

5v= Rc*IC+Vce+ Ve

5= 3.6k*0.2865mA+Vce+ 0.28365*1k

5= 1.0314 + vce + 0.28365

Vce= 5-1.0314-0.28365= 3.68495 v= 3.7v