DISEÑO DE AMPLIFICADORES EN LA

CONFIGURACIÓN EMISOR COMÚN

CLASE NO. 31, 32

FECHA: VIERNES 30 DE JULIO,VIERNAS 06 DE
AGOSTO 2021

Ing. Margarita Medina A.

 RESULTADOS DE APRENDIZAJE

• Diseña un amplificador de voltaje utilizando el Transistor

Bipolar de Juntura en la configuración Emisor Común.
• Explica la función que cumple cada elemento dentro del
circuito.
• Comprueba las características del amplificador diseñado
con ayuda de un programa de simulación.

Ing. Margarita Medina A.

Diseñar es el proceso mediante el cual encontramos el valor de
los componentes de un circuito en base de ciertos datos y de
las ecuaciones que definen su comportamiento.

Para el diseño de un Amplificador Emisor Común, necesitamos

los siguientes datos:

1. Vin,Vo, ó Av (dos de estos tres parámetros)

2. Rl. Resistencia sobre la cual tomaremos los valores de voltaje
y corriente de salida.
3. Rango de frecuencias de operación del amplificador.
4. Características del transistor a utilizar:
ßmin, ßmáx , Icmáx,Vcemáx, Pcemáx.
Ing. Margarita Medina A.
DISEÑE UN AMPLIFICADOR QUE CUMPLA CON LAS
SIGUIENTES CARACTERÍSTICAS:

1. Vin= 1.5 senwt, Av = - 6

2. Rl = 1.5 K
3. fmin = 1Kh fmax= 20Khz
4. Transistor 2N3904
ßmin = 100
ßmáx = 300
Icmáx = 200 mA
Vce máx = 40 V
Pce máx = 650 mW

Ing. Margarita Medina A.

Primero debemos definir el circuito que vamos a diseñar:

Ing. Margarita Medina A.

Luego es necesario graficar el diagrama de voltajes

Condiciones para que no exista

recorte en la señal de salida:

1.- Vinp- ≤IE*RE1

2.- VCE ≥6 V
3.-VCE ≥ Vop_+Vsat+Vinp+
4.- Vop+ ≤ IC*RC//RL

Vinp_= Vinp+
Vop+ = Vop+

Ing. Margarita Medina A.

Para empezar el diseño debemos utilizar las condiciones para que
no exista recorte tomadas del diagrama de voltajes y que relacionan
los voltajes de polarización y la señal de alterna que se necesita
tanto de entrada como de salida.

La primera condición en utilizar es:

Vop≤IC∗RC//RL

Vop
Ic ≥RC//RL
VRc Vop
≥
Rc RC//RL
Vop
VRc ≥ Rc∗
RC//RL
Ing. Margarita Medina A.
Existen tres condiciones que permiten relacionar Rl y Rc
a.- Rl =Rc
b.- Rc ≥Rl
c.- Rc ≤Rl

Trabajamos con la condición

a.- Rl =Rc = 1.5K

9𝑉
VRc ≥ 1.5K∗1.5𝐾//1.5𝐾
VRc ≥18 V
Ing. Margarita Medina A.
Para convertir una desigualdad en una igualdad multiplicamos por una constante.
Esta constante depende de la tolerancia de las resistencias así:

K=1.05 si la tolerancia es 5%
K=1.1 si la tolerancia es 10%
K=1.2 si la tolerancia es 20%
El valor utilizado depende del diseñador. En este caso utilizaremos un 20%

VRc=18 V*1.2
VRc=21.6 V

21.6 V
Ic =
1.5K

Ic=14.4 mA
Ing. Margarita Medina A.
b. RC ≥Rl
Rc= 15K

9 𝑉∗15 𝐾
VRc ≥ 15𝐾//1.5 𝐾
VRc ≥ 99.2 V

VRc = 99.2 V ∗ 1.2

𝐕𝐑𝐜 = 𝟏𝟏𝟗 𝐕

119 V
Ic =
15K
𝐈𝐜 = 𝟕. 𝟗𝟒 𝐦𝐀

Ing. Margarita Medina A.

b. RC ≤ Rl
Rc= 150Ω

9 V∗150Ω
VRc ≥ 150Ω//1.5 K
VRc ≥ 9.9 V

VRc = 9.9 V ∗ 1.2

VRc = 12V

12 V
Ic =
150Ω
𝐈𝐜 = 𝟖𝟎 𝐦𝐀

Ing. Margarita Medina A.

Ahora debemos analizar los resultados para poder tomar una decisión:

VALOR DE RC VRC IC
15KΩ 119V 7.94 mA
1.5KΩ 21.6 V 14.4 mA
150Ω 12 V 80 mA

Ing. Margarita Medina A.

Observando los resultados, descarto la primera condición ya que VRC es
muy alto y el diseño se encarece por el valor de la fuente.
La tercera condición también la descarto, porque maneja una corriente muy
alta y el amplificador no generaría Ai.

Por lo tanto escojo la segunda condición:

Rc = 1.5 K
VRC = 21.6 V
Ic = 14.4 mA

Ing. Margarita Medina A.

Sabemos que en un transistor Ib es muy pequeña, por lo que podemos
decir:

Ie ≈ Ic = 14.4 mA
Para que Ie sea constante:
Ve
Ie =
Re Δ Vbe≪Ve
(Vb−Vbe) ± Δ Vbe Δ Vbe≈0.1 V/oC
Ie =
Re
Ve ≥1V por estabilidad
Ve ± Δ Vbe térmica
Ie =
Re

Ing. Margarita Medina A.

Con la segunda condición tomada del diagrama de voltajes para
que no exista recorte:

Ie * Re1 ≥ Vinp
Ve Vinp
≥
Re Re1
Re
Ve ≥ Vinp ∗
Re1
Ve ≥ Vinp Para cumplir con esta ecuación escojo Ve = 3V
3V
Re =
14.4 mA
𝐑𝐞 = 208Ω
Ing. Margarita Medina A.
Ponemos el capacitor del emisor en paralelo a Re2 con el objeto de
aumentar la ganancia y además para que la ganancia sea controlada por
Re1
RC//Rl
Av =
re + Re1
26 mV
re =
14.4 mA
𝐫𝐞 = 𝟏. 𝟖 𝛀

RC//Rl
Re1 = Av
– re
1.5k//1.5k
Re1 = 1.8𝛀–
6
𝐑𝐞𝟏 = 𝟏𝟐𝟑, 𝟐 𝛀
Ing. Margarita Medina A.
Ing. Margarita Medina A.
No existe una resistencia de este valor, por lo tanto debemos escoger
entre una mayor y una menor estándar: 𝟏𝟓𝟎𝛀 𝐲 𝟏𝟐𝟎𝛀.

Siempre en el emisor se escoge la mayor resistencia, para asegurar que el

voltaje en el emisor aumente y sea más estable con la temperatura, pero
en este caso y tomando en cuenta que AV depende de 𝐑𝐞𝟏 escogemos
la más cercana.

𝐑𝐞𝟏 = 𝟏𝟐𝟎𝛀

Ing. Margarita Medina A.

Re2 = 208 Ω − 120Ω
Re2 = 88Ω

Escogemos entre 82Ω y 91Ω

Por estabilidad térmica escojo la
mayor
𝐑𝐞𝟐 = 𝟗𝟏𝛀

Ing. Margarita Medina A.

Ahora ya podemos ver si el valor escogido para Ve es
correcto.

Re
Ve ≥ Vinp ∗
Re1
211Ω
3V ≥ 1.5 V ∗
120Ω

𝟑 𝐕 ≥ 𝟐. 𝟔𝟑 𝐕

Se cumple entonces no existirá recorte.

Ing. Margarita Medina A.

Para el cálculo de la corriente Ib y resistencias Rb1, Rb2

Ing. Margarita Medina A.

Para que el voltaje de la base no dependa de las características del
transistor, se debe lograr que la Ib sea muy pequeña respecto a I2 de
tal manera de poder aplicar un divisor de tensión en la base y este
voltaje solo dependa la Vcc.

Ic
Ibmax =
ßmin
Ic
Ibmin =
ßmax
I2 ˃˃Ib máx Si I2 es mayor que Ib máximo con mayor razón será
mayor que Ib min
14.4 mA
Ibmax =
100
𝐈𝐛𝐦𝐚𝐱 = 𝟎. 𝟏𝟒𝟒 𝐦𝐀
Ing. Margarita Medina A.
I2 ≫ 0.144 mA
I2 = 1.44 mA
Vb
Rb2 =
1.44mA

Ve + 0.7V
Rb2 =
1.44mA

3 V + 0.7V
Rb2 =
1.44mA
𝐑𝐛𝟐 = 𝟐. 𝟓𝟔 𝐊

Como no existe resistencia de este valor debemos escoger

entre 2.2K y 2.8 K Ing. Margarita Medina A.
En la base siempre
escogemos las menores para
lograr que las corrientes I1 e
I2 sean mucho mayores que
Ib y así lograr que el voltaje
en la base no dependa de las
características del transistor
sino de Vcc, lo que causaría
que el Vb sea fijo.

𝐑𝐛𝟐 = 𝟐. 𝟐 𝐊

Ing. Margarita Medina A.

De la malla de salida del amplificador podemos ver que:
Vcc=VRC+Vce+Ve

Del diagrama de voltajes:

VCE ≥ 6 V
Vce ≥Vinp+Vsat+Vop
Vce ≥1.5V+Vsat+9 V

El voltaje Vsat se escoge para poner al transistor en la región lineal y

el valor mínimo a tomar es 2V.
Vcelin≥Vce sat
Vcelin≥0,2 V

En este caso podemos escoger Vsat = 2 V Ing. Margarita Medina A.

Vce ≥ 12.5 V
Vce = 12.5V ∗ 1.2
𝐕𝐜𝐞 = 𝟏𝟓𝐕

Vcc = 21.6 V + 15 V + 3 V
𝐕𝐜𝐜 = 𝟑𝟗. 𝟔 𝐕 utilizo
𝐕𝐜𝐜 = 𝟒𝟎 𝐕
Vcc − Vb
Rb1 =
I2 + Ib

40V − 3.7𝑉
Rb1 =
1.44mA + 0.144mA

𝐑𝐛𝟏 = 𝟐𝟑 𝐊 Ing. Margarita Medina A.

Ing. Margarita Medina A.
Como no existe resistencia de este valor debemos escoger
entre 22 K y 27 K

En la base siempre escogemos las menores para lograr que las

corrientes I1 e I2 sean mucho mayores que Ib y así lograr que el
voltaje en la base no dependa de las características del transistor
sino de Vcc, lo que causaría que el Vb sea fijo.

Rb1= 22 K

Ing. Margarita Medina A.

 CÁLCULO DE CAPACITORES

Los capacitores deben actuar como “Un corto circuito” en corriente

alterna.

Ing. Margarita Medina A.

XCb ≪ Zin

Como la reactancia del C depende

de la frecuencia, la peor condición será cuando:
XCbmax ≪ Zin

1
≪ Zin
2 ∗ П ∗ 𝐟𝐦𝐢𝐧 ∗ Cb

Zin = Rth//Zint
Zint = hfe + 1 ∗ re + Re1 Zint = 12.3K
Zint = 100 + 1 ∗ 1.8Ω + 120Ω
Ing. Margarita Medina A.
Zin = (2.2K//22K) //Zint
Zin = 2K //12.3K
𝐙𝐢𝐧 = 𝟏. 𝟕𝟐𝐊

1
≪ 1.72K
2 ∗ П ∗ fmin ∗ Cb

1
Cb ≫
2 ∗ П ∗ 1Khz ∗ 1.72K

𝐂𝐛 ≫ 𝟎. 𝟗𝟐𝟓𝐧𝐅

Ing. Margarita Medina A.

 RC//Rl
Av =
re+Re1+Re2// Xce

𝐑𝐞𝟐 ≫ 𝐗𝐜𝐞 𝐗𝐜𝐞𝐦𝐚𝐱 ≪ 𝟗𝟏𝛀

𝐗𝐜𝐞 ≪ 𝟗𝟏𝛀 1
Ce ≫
2 ∗ П ∗ 1Khz ∗ 91Ω
RC//Rl
Av =
re + Re1 + Xce 𝐂𝐞 ≫ 1.75 uF

𝐗𝐜𝐞 ≪ 𝐫𝐞 + 𝐑𝐞𝟏
𝐗𝐜𝐞 ≪ 𝟏. 𝟖𝛀 + 𝟏𝟐𝟎𝛀

Siempre escogemos la condición menor

Ing. Margarita Medina A.
 Circuito Diseñado
Para el capacitor Cc RC

𝐗𝐜𝐜𝐦𝐚𝐱 ≪ 𝐑𝐥 RB1
1.5KΩ

1 22kΩ CC

Cc ≫ CB Q2 +

2 ∗ П ∗ 1Khz ∗ 1.5KΩ 2N3904

𝐂𝐜 ≫ 𝟏𝟎𝟔 nF
V1
40V
RE1
RL
RB2 120Ω 1.5kΩ
Vin Vo
2.2kΩ
1.5Vpk
1kHz
0° RE2 CE
91Ω
-

Ing. Margarita Medina A.

Para verificar el circuito diseñado, lo primero que se debe hacer es,
escoger los capacitores con ayuda del simulador de tal manera que se
comporten como un cortocircuito a la menor frecuencia.

Empezamos con el Capacitor de la Base, para lo cual medimos el voltaje

antes y después del capacitor y se debe verificar en alterna que estas
señales sean las mismas. Se procede de igual manera con el capacitor del
colector.

Para el capacitor del Emisor, como éste influye en la ganancia de voltaje,

se observa el voltaje de entrada y de salida, si el capacitor es el
adecuado, las señales deben encontrarse desfasadas 180𝑜 , es decir que
los cruces por cero deben coincidir. Ing. Margarita Medina A.
Ing. Margarita Medina A.
 Capacitor de Base
XSC1

Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _

RC
1.5KΩ
RB1
22kΩ CC

CB Q2 +
2N3904
1µF V1
40V
RE1
RL
RB2 120Ω 1.5kΩ
Vin Vo
2.2kΩ
1.5Vpk
1kHz
0° RE2 CE
91Ω
-

Ing. Margarita Medina A.

 XSC1

Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _

RC
1.5KΩ
RB1
22kΩ CC

CB Q2 +
2N3904
100µF V1
40V
RE1
RL
RB2 120Ω 1.5kΩ
Vin Vo
2.2kΩ
1.5Vpk
1kHz
0° RE2 CE
91Ω
-

Ing. Margarita Medina A.

 Capacitor de Colector
XSC1

Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _

RC
1.5KΩ
RB1
22kΩ CC

CB 1µF +
Q2
2N3904
100µF V1
40V
RE1
RL
RB2 120Ω 1.5kΩ
Vin Vo
2.2kΩ
1.5Vpk
1kHz
0° RE2 CE
91Ω
-

Ing. Margarita Medina A.

 XSC1

Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _

RC
1.5KΩ
RB1
22kΩ CC

CB 100µF +
Q2
2N3904
100µF V1
40V
RE1
RL
RB2 120Ω 1.5kΩ
Vin Vo
2.2kΩ
1.5Vpk
1kHz
0° RE2 CE
91Ω
-

Ing. Margarita Medina A.

 Capacitor de Emisor

XSC1

Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _

RC
1.5KΩ
RB1
22kΩ CC

CB 100µF +
Q2
2N3904
100µF V1
40V
RE1
RL
RB2 120Ω 1.5kΩ
Vin Vo
2.2kΩ
1.5Vpk
1kHz
0° RE2 CE
91Ω 10µF
-

Ing. Margarita Medina A.

 XSC1

Ext Trig
+
_
A B
+ _ + _

RC
1.5KΩ
RB1
22kΩ CC

CB 100µF +
Q2
2N3904
100µF V1
40V
RE1
RL
RB2 120Ω 1.5kΩ
Vin Vo
2.2kΩ
1.5Vpk
1kHz
0° RE2 CE
91Ω 220µF
-

Ing. Margarita Medina A.

SIMULACIÓN VOLTAJE DE SALIDA/ENTRADA

Vop+ = 8.826V
Vop- = -9.015 V

Ing. Margarita Medina A.

En muchas ocasiones como en este, los picos son diferentes, esto es debido a la no
linealidad del transistor y para corregir este problema debemos variar Rb1, Rb2 y en
algunos casos Vcc. En este caso haremos a RB1 = 20K, RB2 = (2.3K)

Como se observa.Vop+ = 9.023V

Vop- = 9.028V

Si no se consigue la ganancia deseada, se

procede a cambiar RE1

Ing. Margarita Medina A.

Ing. Margarita Medina A.
CIRCUITO MODIFICADO

RC
1.5KΩ
RB1
20kΩ CC

CB 100µF +
Q2
2N3904
100µF V1
40V
RE1
RL
RB2 120Ω 1.5kΩ
Vin Vo
2.3kΩ
1.5Vpk
1kHz
0° RE2 CE
91Ω 220µF
-

Ing. Margarita Medina A.