Manual Electronica I (Respaldo)

UASLP – FI Laboratorio de Electrónica I Práctica 1
PRÁCTICA 1
COMPORTAMIENTO DEL DIODO Y EL PROCESO DE RECTIFICACIÓN
PARTE I
Objetivo: Estudiar el comportamiento del diodo, características en manuales, hojas
técnicas y pruebas de identificación.
1.1 Antecedentes teóricos

El diodo es un elemento electrónico no lineal formado por la unión de dos cristales
semiconductores tipo N y tipo P. El cristal tipo N está contaminado de tal manera que tenga
exceso de electrones y el tipo P un déficit de electrones. La terminal positiva se le llama
ánodo y a la terminal negativa cátodo, su símbolo eléctrico se muestra en la figura 1.1.
P
=
N
Figura 1.1 Símbolo eléctrico del diodo.
Esta unión tiene la propiedad de conducir la corriente eléctrica en un sólo sentido,

similar al comportamiento de una válvula “check”, la cual deja circular el fluido en una sola
dirección. Así, cuando el diodo está polarizado directamente, es decir, el potencial positivo
aplicado al ánodo, a través de él circulará la corriente y no lo hará cuando la polarización
sea inversa. Idealmente el diodo muestra un comportamiento como se observa en la gráfica
de la figura 1.2.
Figura 1.2 Curva típica del diodo.
1
La gráfica tiene varios puntos de importancia por nombrar:

Zona Directa. Comportamiento en polarización directa.
Tensión de Umbral. Típicamente 0.7 V para diodo de silicio y 0.3 V para germanio. Esta
tensión sucede cuando la corriente empieza a aumentar rápidamente.
Zona Inversa. Cuando un diodo se polariza inversamente.
Corriente de Fuga. Fluye una pequeña corriente para todas las tensiones antes de la tensión
de ruptura.
Tensión de Ruptura. En la ruptura la corriente aumenta rápidamente con pequeños
incrementos de tensión.
1.1.1 Hojas técnicas del diodo
Las hojas técnicas son un condensado de las características de operación del diodo, las
cuales nos sirven para hacer una selección de una manera adecuada, según la aplicación del
mismo. Por ejemplo, para el diodo 1N4001 las más comunes son:
Aplicación típica como rectificador.
VRRM, Voltaje inverso repetitivo de pico: 50 V.
VRWM, Voltaje inverso de pico de funcionamiento: 50 V.
VR, Tensión de bloqueo en CC: 600V.
IO, Corriente rectificada media con polarización directa: 1 A.
νF, Caída de tensión máxima instantánea en polarización directa: 0.8 V.
IR, Corriente inversa máxima: 0.5 – 10 µA.
A continuación se muestra una hoja técnica del manual de reemplazo.
2
Esta hoja de especificaciones fue tomada de la página de Internet http://www.NTE.com.
1.2 Descripción de la práctica
Métodos para identificar la polaridad de un diodo
1. Una prueba sencilla se realiza utilizando una fuente de voltaje de CD (pila, fuente, etc.),
de polaridad conocida y un foco adecuado. Al conectarse el diodo en serie con el foco aquel
tendrá una posición en la cual estará polarizado directamente permitiendo que el foco
encienda. Con lo que se podrá concluir que el ánodo del diodo es la punta a la cual se le
está aplicando la carga positiva eléctrica de nuestra fuente de voltaje.
2. Otro método es utilizar un probador de diodos como el mostrado en la figura 1.3, el cual
aparte de indicarnos la polaridad, determina de una sola prueba si el diodo está en buen o
mal estado.
T1
A
Puntas de prueba
Figura 1.3 Probador de diodos.
3. El método más común es utilizando el óhmetro, sabiendo que el diodo en polarización

directa registra un valor resistivo aproximadamente cero y en polaridad inversa muy
3
grande, por lo tanto se podrá identificar rápidamente las polaridades del diodo e inclusive
su buen o mal estado. Es importante conocer de antemano la polaridad de las puntas del
óhmetro a utilizar, ya que generalmente la punta negra es la terminal negativa de la batería
en la que aparece el potencial de medición.
1.3 Desarrollo
Determinar la polaridad de algunos diodos mediante los tres diferentes métodos tratados
con anterioridad.
1.4 Simulación
Usando el simulador electrónico “Circuit Maker”, obtener la curva característica,
haciendo mediciones de voltaje y corriente.
PARTE II
Objetivo: Analizar cómo el diodo ejecuta el proceso de rectificación en circuitos
electrónicos.
1.5 Antecedentes Teóricos

La rectificación es el proceso de transformar la corriente alterna en corriente directa,
operación para la cual el diodo desempeña su principal función.
Por la forma de onda obtenida los tipos de rectificación más importantes son los
siguientes:
Figura 1.4 Gráfica de media onda. Figura 1.5 Gráfica de onda completa.
Figura 1.6 Gráfica del trifásico de media Figura 1.7 Gráfica del trifásico de onda
onda. completa.
El voltaje máximo de onda ya rectificada, sólo puede ser medido mediante el

osciloscopio, al igual que el voltaje pico a pico en ondas de voltaje de corriente alterna, la
4
cual se muestra en la figura 1.8. Las fórmulas para obtener el voltaje RMS en ondas de
corriente alterna y los voltajes promedios de ondas pulsantes de corriente directa en función
de los voltajes pico a pico (VPP) y máximos respectivamente son los siguientes:
Voltaje máximo en función del voltaje de pico a pico
V pp
Vmax = (1-1)
2
Voltaje RMS en función del voltaje pico a pico
V pp
VRMS = (1-2)
2 2
Voltaje RMS en función del voltaje máximo
Vmax
VRMS = (1-3)
2
Figura 1.8 Forma de onda de voltaje de CA.
Voltaje promedio media onda.
Vmax
V prom = (1-4)
π
Voltaje promedio onda completa.
2Vmax
V prom = (1-5)
π
5
Existen varios tipos de rectificación que dependen del tipo de fuente de corriente
alterna que se utilice y la disposición que se haga de los diodos. Los más importantes son
los presentados en los siguientes circuitos:
D1
T1
VCA VCD RL1
Figura 1.9 Rectificador de media onda.
D1
T1
VCA
VCA D2
VCD RL2
Figura 1.10 Rectificador de onda completa (secundario con derivación).
T1
D4 D1
D3 D2
VCD RL3
Figura 1.11 Rectificador de onda completa (tipo puente).
6
D1
Alimentación
trifásica D2
220 VCA
D3
VCD RL4
Figura 1.12 Rectificador trifásico de media onda.
D1 D2 D3
Alimentación
trifásica
220 VCA RL5
D4 D5 D6
Figura 1.13 Rectificador trifásico de onda completa.
Analizando el circuito mostrado en la figura 1.9 y la forma de onda de la figura 1.4,

se tiene un rectificador monofásico de media onda. La forma en que se logra la rectificación
es la siguiente: En el primario del transformador tenemos 127 VCA, el cual se reduce a un
voltaje menor en el secundario del transformador en forma de CA, con la misma frecuencia
y en fase. Se puede analizar desde que el ciclo de CA empieza en cero grados. Cuando
sucede el primer ciclo (0° – 180°), el diodo se polariza directamente y entonces pasará la
corriente hasta la carga, sin embargo al suceder el semiciclo negativo (180° – 360°), el
diodo queda polarizado inversamente y no pasará corriente hacia la carga. Este proceso se
repite y por lo tanto se obtiene la forma de onda de la figura 1.4.
En resumen, en el proceso de rectificación, la función del diodo es permitir o no el

paso de la corriente dependiendo de la polarización que se encuentre en el momento del
semiciclo, por lo que el mismo principio es aplicado en los otros circuitos de rectificación,
de onda completa monofásicos y trifásicos.
7
Para cumplir con la finalidad de la rectificación, que es lograr una tensión de

corriente directa lo más estable posible, se conecta por lo general después del rectificador
un sistema de filtraje en base a capacitores e inductancias.
1.7 Desarrollo
Construya los circuitos 1.9, 1.10, 1.11 correspondientes a la sección de descripción de
la práctica, use el osciloscopio como único instrumento para la visualización de la onda
rectificada y la toma de valores, agregue el capacitor calculado para la simulación y llene la
tabla 1.1.
1.7.1 Material
D1 = D2 = D3 = D4: Diodo rectificador con tensión inversa de 50 volts, 1A.
RL1 = RL2 = RL3 = 1KΩ.
Transformador 127 V a 12 V monofásico.
Tabla 1.1
V CD Con el filtro
VCA VCA Forma de onda V CD V CD V CD V CD
Figura
MAX RMS RMS MEDI RMS MEDIO
O
1.9
1.10
1.11
1.8 Simulación
En cualquier programa de simulación de circuitos eléctricos que usted maneje
construya antes de realizar la práctica los circuitos de las figuras 1.9, 1.10 y 1.11 con los
elementos mencionados en esta sección. Después de realizar la práctica compare los
resultados con los obtenidos en la simulación, calcule un filtro que conste de un capacitor,
el cual le proporcione a la salida un rizado del 10% del valor pico de voltaje, anéxelo a la
salida de los circuitos e imprima sus resultados, anéxelos a su reporte.
Opcional:
Simule los circuitos de las figuras 1.12 y 1.13 con los elementos siguientes:
RL4 = RL5 = 10Ω.
D1=D2=D3=D4=D5=D6: Diodo rectificador con tensión inversa de 400 Volts.
8
1.9 Conclusiones
Mediante los circuitos conectados se observan las propiedades importantes de un diodo,
entre las cuales se pueden mencionar su curva característica y los parámetros más
importantes para su selección, esta última es muy importante ya que es indispensable para
su empleo en circuitos rectificadores, los cuales tienen la función de convertir corriente
alterna a corriente directa. Así como también la utilización de los filtros, los cuales pueden
ser de diferentes configuraciones.
1.10 Preguntas
1.10.1 ¿Por qué se dice que un diodo es un elemento no lineal?
1.10.2 ¿Qué es la barrera de potencial?
1.10.3 ¿Cuáles son las propiedades de los semiconductores?
1.10.4 ¿Cómo se puede diferenciar los diodos de germanio y de silicio?
1.10.5 Mencione qué elementos se usan para el dopado de los materiales p y n de los
diodos.
1.10.6 ¿Qué diodo elegiría de la serie 1N400X si tuviese que soportar una tensión inversa
repetitiva pico de 700 V?
1.10.7 ¿Cuál es el circuito duplicador de voltaje?
1.10.8 ¿Cuáles son las componentes armónicas de corriente en la carga que se presentan en
un rectificador de media onda?
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PRÁCTICA 2
DIODO ZENER
Objetivo: Que el alumno comprenda el comportamiento y aplicación del diodo Zener como
regulador de voltaje.

Un diodo Zener es un dispositivo cuya contaminación se realiza de un modo que hace
que la característica de voltaje de avalancha o ruptura sea inclinada, (o diodo de avalancha).
Si el voltaje inverso supera al voltaje de ruptura, el diodo Zener normalmente no será
destruido.
La curva característica típica del diodo Zener se muestra en la figura 2.1.
Figura 2.1 Curva Característica del Zener.
El símbolo de circuito para el diodo Zener es diferente al diodo rectificador y se

muestra en la figura 2.2:
Figura 2.2 Símbolo eléctrico del Zener.
La corriente máxima, Izmáx, que el diodo Zener puede soportar depende del diseño y
construcción del diodo. Se empleará el criterio de que la corriente Zener mínima en la que
la curva característica permanece en Vz (cerca de la rodilla de la curva) es 0.1 Izmáx. La
cantidad de potencia que el Zener puede soportar (Vz Izmáx) es factor límite en el diseño de
fuentes de alimentación.
Los diodos Zener o diodos de avalancha son diodos semiconductores de unión PN

cuyas propiedades están controladas en las zonas de polarización inversa que se muestra en
10
la figura 2.1 lo que los hacen muy útiles en numerosas aplicaciones, especialmente como
dispositivo de referencia de tensión.
La característica directa es similar a la de los diodos semiconductores normales. La
característica inversa, presenta una región en la cual la tensión permanece constante y con
una corriente inversa tendiendo a infinito negativo. La tensión Zener de cualquier diodo
está controlado por la cantidad del dopado aplicado en el proceso de fabricación, los
valores normales varían entre 2 y 200 V con capacidades de disipación de potencia de hasta
100 W. En la mayoría de las aplicaciones, los diodos Zener trabajan en la región de
polarización inversa.
2.1.2 Hoja de características del diodo Zener
Parámetros importantes para la elección del diodo
a) Tipo de dispositivo con el número genérico o el número del fabricante.

b) Tensión Zener nominal (tensión de ruptura por avalancha).
c) Tolerancia de tensión.
d) Máxima disipación de potencia (a 25º C).
e) Corriente de prueba IZT .
f) Impedancia dinámica a IZT.
g) Corriente de vértice.
h) Máxima temperatura en la unión.
i) Coeficiente de temperatura.
j) Curvas de degradación para altas temperaturas.

Con lo descrito anteriormente se puede concluir que mientras la disipación de energía
en el Zener no exceda algún valor máximo permitido determinado por el tamaño, forma y
capacidad de disipación de calor del Zener, el proceso de ruptura inversa no es catastrófico.
La ruptura inversa no destruye al Zener, desde un punto de vista de circuito, la
ruptura inversa es análoga a la conducción de corriente en la dirección de polarización
directa. La diferencia principal entre el estado de ruptura inversa del Zener y su estado de
polarización directa, es la rapidez con la que ocurre la transición o ruptura inversa.
Son posibles las soluciones matemáticas de los circuitos que contienen un Zener en
ruptura inversa, sólo si ya se conoce la región de operación del dispositivo. También se
pueden fácilmente analizar aquellos circuitos que contengan un Zener utilizando el método
gráfico.
11
2.3 Desarrollo
En la figura 2.3 un diodo Zener con VZX = 3 V está conectado a un circuito resistivo
que tiene tendencia de operar al Zener en su región de polarización inversa. Utilizando sólo
el diagrama del circuito, no resulta evidente si el Zener está en su región de operación de
polarización inversa o ruptura inversa.
R1
1 KΩ ix
X
R3 + +
V0 = 12 VCD R2 500 Ω VZ
1 KΩ -
- iz
X‘
Figura 2.3 Circuito de polarización del Zener.
El diodo Zener es el único elemento no lineal en el circuito, se desconecta en forma

temporal y se determina el equivalente de Thévenin del resto del circuito.
En este caso el voltaje del circuito abierto resistivo está formado por V0 y los tres
resistores éste está dado por:
R2
VTh = V0 (2-1)
R1 + R2
Sustituyendo
1kΩ ⎞
(12V )⎛⎜ ⎟ = 6V
⎝ 1kΩ + 1kΩ ⎠
La resistencia equivalente de Thévenin vista desde el Zener en las terminales X-X’
puede determinarse fijando V0 en corto circuito.
R1 R3 R3
1 kΩ 500 Ω
X X 500 Ω X
R3
12V 500 Ω RTh R1 R1 RTh R3 RTh
R2
1 kΩ 1 kΩ 500 Ω
1 kΩ
X' X' X'
Figura 2.4 Simplificación del circuito.
12
Evaluación del circuito mediante el equivalente de Thévenin.

Para que el diodo Zener se polarice correctamente, el voltaje de Thévenin debe ser
mayor o igual al voltaje del Zener (VZ), en la figura 2.5 se muestra el circuito de Thévenin
el cual nos permite observar que el voltaje de Thévenin es mayor que el voltaje del Zener,
lo que esto nos indica que está en estado de conducción o de ruptura inversa.
Req =
(1000)(1000) = 500Ω
1000 + 1000
RTh = 1000Ω
Para el circuito de análisis, no es necesaria la simplificación completa del circuito, ya

que el voltaje de Thévenin es conocido mediante un simple divisor de voltaje, pero para
circuitos más complejos puede ser de mucha ayuda.
RTH = 1
+
+
VTH = 6 VX VZ
-
- iz
Figura 2.5 Circuito de Thévenin.
Circuito regulador con Zener en combinación con el rectificador de onda completa
Para observar el comportamiento como regulador de voltaje del Zener, conecte el

circuito de la figura 2.6, los cambios de carga realícelos mientras el circuito está
energizado.
La fuente de rectificación deberá entregar a ambas cargas como máximo 50mA.
Puente Rectificador
D4 D1
R1
+ V2 = Vp Sen ωt IL
120 VAC RMS V1
-
S1 S2 Carga
D3 D2 IZ 1
+
C1 Vc
Transformador -
DZ Carga
2
Capacitor Regulador Circuito de

Zener Carga
Figura 2.6 Circuito regulador con Zener.
13
Tabla 2.1
Sin el Regulador Zener
Práctica Simulación
VP VRIZO VP VRIZO
Carga 1 y 2 conectadas
Desconectando la carga 1
Tabla 2.2
Con el Regulador Zener
VP VRIZO VP VRIZO
Carga 1 y 2 conectadas
Desconectando la Carga 1
¾ ESTRATEGIA DE DISEÑO
El circuito está compuesto por un transformador, un puente rectificador, un capacitor y

un regulador Zener. El capacitor se cargará al valor pico Vmax = VP – 2Vf después de cada
intervalo de carga, donde el puente rectificador contribuye con una caída total de voltaje
2Vf. El papel del regulador Zener es acondicionar este voltaje de CD en bruto y convertirlo
en un voltaje CD puro, con un valor constante de 10 V al cambio de carga. Deberá
escogerse el valor de C1 de forma que el rizo sea un 10% en comparación con el valor
promedio de CD en VC.
1.- DIODO ZENER: El primer paso de diseño es seleccionar el voltaje VZ del Zener. Si el
Zener ha de llevar acabo su función de regulador, deberá conservarse en todo tiempo en la
región de ruptura inversa. Por tanto, el Zener deberá escogerse de forma que VZ = VL = 10
V. Esta selección de VZ ignora la pendiente de la característica V-I del Zener, en la región
de ruptura inversa, es decir, supone que rZ ≈ 0 en el modelo de segmentos lineales del
Zener, por lo que VL será igual a VZX, independientemente del valor de la corriente que
pase a través del Zener.
2.- RELACION DE VUELTAS DEL TRANSFORMADOR: En el proceso de diseño

será la elección de la relación de n vueltas para el transformador. Este parámetro
determinará el voltaje pico Vmax al cual se cargará el capacitor.
Aunque existe algo de libertad en la elección de n, deberá ser seleccionada de forma

que Vmax sea mayor que Vzx. Para un voltaje de línea de CA en el primario de 120 VRMS, se
puede obtener este valor definiendo la relación de vueltas del transformador en 10, lo que
da un voltaje secundario de 12 VRMS, es decir, un voltaje pico en el secundario VP = 12 √ 2
14
= 17 V. El voltaje pico del capacitor al final de cada intervalo de recarga se convierte

entonces en: Vmax = VP – 2Vf = 17 V – 2(0.6) ≈ 15.8V.
3.- CORRIENTE A TRAVES DEL ZENER Y EL VALOR DE R1: Si debe conservarse
el Zener en ruptura inversa, la corriente Iz del Zener deberá ser siempre diferente de cero,
bajo toda condición de carga. La elección de la Iz mínima depende de las características
específicas del Zener y es algo arbitraria. En muchos Zener es suficiente una corriente
inversa mínima aproximadamente de 1mA, para asegurarse que el diodo opera bien dentro
de su región de ruptura inversa.
En la selección de un valor para R1, se requiere primero una expresión para la
corriente I1, con la finalidad de seleccionar R1, el voltaje Vc(t) puede ser considerado como
una constante aproximada igual a Vmax. Esta aproximación desprecia en forma temporal el
rizo Vc, que adelante se verá reducido a un valor pequeño con una selección adecuada de
C1. Si Vc ≈ Vmax y si el Zener está en ruptura inversa, entonces I1 se puede expresar por:
V1 =
(Vmax − VZ ) (2-2)
R1
Dados lo valores anteriormente seleccionados de Vmax y de VZ, se deberá escoger el

resistor R1 de forma que I1 quede en un valor apropiado, aplicando la LCK al nodo A se
obtiene: I1 = IZ + IL.
Dado que IL puede ser de hasta 50 mA, en consecuencia, I1, debe ser fijado por lo
menos en 51mA, si es que la fuente de alimentación ha de cumplir con sus especificaciones
de diseño.
Con esta elección nos aseguramos de que en condiciones de plena carga (IL = 50
mA), fluirá un mínimo de 1 mA en el Zener como corriente de ruptura inversa. En caso de
que la carga utilice menos del máximo de 50 mA, el resto de I1 fluirá en el Zener como una
corriente adicional de ruptura inversa.
Con Vmax = 15.8 V, VZX = 10 V y una I1 mínima deseable de 51mA, da como
resultado tentativo máximo para R1: R1 ≤ (Vmax – VZX) / I1min = (15.8 V– 10 V) / 51 mA ≈
114 Ω.
La mayor parte de los resistores están disponibles solo en ciertos valores estándar
con una tolerancia de 5 %, deberá escogerse de 100 Ω ya que es el valor estándar más
adecuado para el circuito, que da una I1 de 58 mA. El valor real de una resistencia estándar
de 100 Ω de 5 % puede variar entre valores aproximados de 105Ω y 95Ω, por tanto I1
realmente podría variar en un rango de 55 mA a 61 mA. El siguiente resistor más alto es de
120 Ω, con límites de tolerancia de ± 5 % de 126 Ω y 114 Ω, lo que daría valores de I1
entre 46 mA y 51 mA, respectivamente, esta elección da un valor de resistor que pudiera
dar un valor de I1 deseado, en uno de sus extremos de su rango, fluiría un I1 insuficiente
sobre la mayor parte de su rango de tolerancia, lo que no sería buena elección para R1.
4.- CAPACITOR (C1): Su valor deberá ser lo suficientemente grande para hacer que el
voltaje de rizo Vc sea en verdad despreciable, en comparación con el valor promedio de CD
15
de Vc. Como mínimo, el rizo de Vc debe ser lo suficientemente pequeño para que el Zener
se conserve en ruptura inversa, incluso al final del intervalo de descarga del capacitor.
Se puede estimar el rizo del voltaje del capacitor suponiendo constante a I1 incluso
cuando Vc contenga este voltaje de rizo. Para una I1 constante, la descarga Vc esta dada por
la ecuación.
dVC i
= 1 (2-3)
dt C1
La duración del intervalo de descarga del capacitor será aproximadamente igual a

una mitad del periodo sinusoidal T; de ahí que la magnitud del Vrizo puede ser estimada
como:
⎛ dV ⎞⎛ T ⎞ ⎛ I ⎞⎛ T ⎞
VRizo ≈ ⎜ C ⎟⎜ ⎟ = ⎜⎜ 1 ⎟⎟⎜ ⎟ (2-4)
⎝ dt ⎠⎝ 2 ⎠ ⎝ C1 ⎠⎝ 2 ⎠
El Zener debe mantenerse en ruptura inversa, aun cuando el capacitor se haya

descargado a su voltaje mínimo, el rizo deberá ser lo suficientemente pequeño para que:
Vmax – VZ = VRizo = 15.8 V – 10 V = 5.8 V.
Por lo que se escogerá una capacitancia C1 de forma que:
⎛ I ⎞⎛ T ⎞ ⎛ 58mA ⎞⎛ 16.7ms ⎞
C1 〉〉 ⎜⎜ 1 ⎟⎜ ⎟ = ⎜
⎟⎝ 2 ⎠ ⎝ 5.8V ⎟⎠⎜⎝ 2 ⎟⎠ ≈ 83µF
⎝ VRizo ⎠
En esta ecuación, se ha utilizado el valor de I1 = 58 mA. Este valor de corriente

corresponde al que se obtuvo con R1 = 100Ω, más que al valor mínimo requerido de 51
mA. Para asegurarse que la desigualdad es adecuadamente cumplida y para compensar
para cualquier variación de tolerancia en R1, la selección de C1 debe proporcionar un
amplio margen de seguridad. Una regla práctica, normal, es escoger, un condensador el
cual proporcione un rizado del 10% del valor del voltaje en la carga. Un valor más grande
llevaría a un componente de voltaje de rizo todavía más pequeño que Vc, en este caso
C1=470 µF, dará un voltaje de rizo del capacitor aproximadamente de 1V.
5.- EVALUE DISEÑO Y REVÍSELO: Deberá examinarse la potencia disipada en el

resistor y en el Zener, bajo las peores condiciones (IL = 0 y R1 igual a su límite inferior de
tolerancia de 95 Ω), la corriente que fluya en el Zener será igual 61mA, llevando una
potencia disipada en el Zener de: PZ = VZ I Z = (61mA)(10V ) = 0.61W
La elección de un Zener de 1W dejará un margen de seguridad adecuado, siempre y

cuando se mantenga en la región de ruptura inversa, la potencia deberá ser calculada
utilizando R1 en el extremo bajo de su límite de tolerancia. Con Vmax y VL supuestamente
constante, el valor más pequeño de R1 dará la máxima disipación de energía del resistor.
Para evaluar R1 = 95Ω, la potencia disipada será:
16
PR =
(Vmax − VZ )2 = (5.8)
2
= 0.35W (Potencia nominal de ½ W).
R1 95
6. CIRCUITO DE CARGA: La carga estará determinada por la corriente IL y por el

voltaje de CD, así que la carga por ley de óhm quedará de la siguiente forma:
⎛V ⎞ ⎛ 10V ⎞
Carga total = Carga 1 + Carga 2 = 2⎜⎜ L ⎟⎟ = 2⎜ ⎟ = 400Ω
⎝ IL ⎠ ⎝ 50mA ⎠
De acuerdo a esto, se utilizarán dos resistencias de 220Ω para cada carga ya que
estos son sus valores estándar comerciales más cercanos al valor calculado.
Material
• Puente rectificador.
• Carga 1 = Carga 2 = 220Ω.
• C = 470µF.
• DZ = 1N4740.
• Transformador de 127 a 10 VCARMS.
• S1 = S2 = Dim Switch de 2 o más interruptores.
2.4 Simulación
Simule el circuito el circuito de la figura 2.6, complete las tablas 2.1 y 2.2 en lo
correspondiente a la simulación, compare con los resultados obtenidos en la práctica, utilice
los elementos mencionados en la sección de material.
2.5 Conclusiones
Conocer los símbolos característicos para el diodo Zener, así como la determinación
del punto de operación Q en el diodo Zener y su aplicación como regulador de voltaje.
Además el diseño de un puente rectificador regulado con un diodo Zener, y su
identificación en hoja de características.
2.6 Preguntas
2.6.1 ¿Cuál es la característica de un diodo Zener?
2.6.2 Del diodo Zener utilizado en la práctica ¿cuáles son los parámetros importantes de
su hoja de características?
2.6.3 Investigue el método gráfico para determinar si el diodo está en región de
polarización inversa.
2.6.4 ¿Cuál es la característica exponencial normal V-I, dada en polarización directa?
2.6.5 Existen otras clases de diodos especiales, anótelos y su aplicación.
17
PRÁCTICA3
DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
Objetivo: Conocer los elementos que combinan la óptica y la electrónica así como los
dispositivos electrónicos sensibles a la luz para identificar sus características principales.

La optoelectrónica es la tecnología que combina la óptica con la electrónica, este
campo incluye dispositivos basados en la acción de una unión PN. Algunos ejemplos de
dispositivos opto electrónicos son: los diodos emisores de luz (LED´s), los fotodiodos, los
optoacopladores.
3.1.1 LED
Los diodos emisores de luz convierten la corriente eléctrica en señales ópticas. Este
dispositivo cuyo símbolo de circuito aparece en la figura 3.1, proporciona la función
inversa del fotodiodo. El LED es la piedra angular de muchos dispositivos de exhibición
visual operados eléctricamente, incluyendo las luces de paneles indicadores y los dígitos
rojos o azules de los instrumentos de las mesas de prueba de los laboratorios. El LED es
también utilizado para excitar al fotodiodo en numerosas aplicaciones de señalización
óptica.
Figura 3.1 Símbolo del LED.
Se elaboran a partir de una unión PN de silicio o a partir de una unión PN de

arseniuro de Galio o de otros de los llamados semiconductores compuestos del grupo III-V
de la tabla de elementos, comparten la propiedad de que, al recombinarse los pares
electrón-hueco, generan fotones de una sola longitud de onda principal. Cuando tiene
polarización directa se inyectan electrones y huecos en los lados N y P de la unión
respectivamente, mediante esto el diodo emite luz. La potencia óptica de salida de un LED
está relacionada con su corriente de diodo en polarización directa mediante,
Popt = εID donde:
ε → Es la emisividad del LED, medida en mW/mA, depende de la geometría del
dispositivo, del tipo de semiconductor utilizado y otros factores.
Para un LED que opera en el rango de corrientes de miliAmperes, el valor de voltaje de

polarización directa del LED VD = Vf varía en el rango de 1 a 2 V, según el tipo de LED, la
corriente en el LED se expresa por:
18
⎛ ηVVD ⎞
I D = I S ⎜ e T − 1⎟ (3-1)
⎜ ⎟
⎝ ⎠
Eficiencia del LED
Popt εI D ε
η= = = (3-2)
Pelec Vf ID Vf
La conexión típica de un LED es a través de una fuente y una resistencia, las flechas
que salen simbolizan la luz radiada, como lo indica la figura 3.2. La resistencia que aparece
en la figura mencionada evita que la corriente exceda los límites del LED, como la
resistencia tiene una tensión VS a la izquierda y de VD a la derecha, la tensión es la
diferencia entre estas dos tensiones.
RS
+ +
VS VD
- -
Figura 3.2 Polarización del LED.
Por la ley de Ohm, la corriente en serie es:
VS − VD
IS = (3-3)
RS
3.1.2 Display de siete segmentos

La figura 3.3 muestra un display de siete segmentos, contiene 7 LED´s rectangulares (A
→G), cada LED recibe el nombre de segmento porque forma parte del símbolo que se está
mostrando.
A
F B
G
E C
Figura 3.3 Display de 7 segmentos.
19
El diplay de siete segmentos puede ser del tipo ánodo común por que todos los
ánodos están conectados entre sí, también puede ser del tipo cátodo común en el que todos
los cátodos están conectados entre sí.
3.1.3 El fotodiodo
Su unión puede ser expuesta a la luz externa, formando así una tercera terminal
óptica para la cual la luz es la variable de entrada. En un fotodiodo discreto, la unión es
accesible mediante una apertura transparente en el paquete exterior del dispositivo, y un
pequeño lente concentrador, como se muestra en la figura 3.4.
Figura 3.4 Operación del Fotodiodo.
Siempre está polarizado inversamente. En ausencia de luz incidente, la corriente a

través de la unión en polarización inversa es cero, si en la unión con polarización inversa
incide una luz con suficientes fotones de energía, se crearán pares hueco-electrón
adicionales, en la región de agotamiento, permitiendo que conduzca la unión.
El número de pares hueco-electrón excedentes generados en la unión será proporcional a la
intensidad de la luz incidente, lo que es una medida de los fotones que inciden en la unión
por unidad de tiempo.
El fotodiodo funciona esencialmente como un dispositivo de tres terminales, en el

cual la intensidad de luz LI es la variable del puerto de entrada y la corriente eléctrica IP es
la variable del puerto de salida.
El símbolo y las características V-I típicas del fotodiodo descrito son como se
muestran a continuación:
20
Figura 3.5 Curvas características del fotodiodo.
Se define el voltaje del puerto de salida como VP positivo cuando el fotodiodo tiene
polarización inversa. Para un VP positivo, existe una región sobre la cual la corriente del
fotodiodo es constante e igual a:
I p = β l Ll (3-4)
donde:
IP, es la corriente inversa del diodo.
LI, es la intensidad de luz incidente medida en mW/cm2, lúmenes (lm).
βI, es (intensidad β) foto conductancia del fotodiodo.
3.1.4 Optoacoplador
Un optoacoplador (optoaislador o aislador acoplado ópticamente), combina un LED
y un fotodiodo en un solo encapsulado. La figura 3.6 muestra un optoacoplador, tiene un
LED en el lado de entrada y un fotodiodo en el lado de salida. La tensión de la fuente a la
izquierda y la resistencia en serie establecen una corriente en el LED, la luz proveniente del
LED incide sobre el fotodiodo lo que genera una corriente inversa en el circuito de salida,
esta corriente produce una tensión en la resistencia de salida.
Si la entrada de tensión varía, la cantidad de luz también lo hará.
R1 R2
I1 I2
+ + + +
V1 Vent Vsal V2
- - - -
Figura 3.6 Circuito de polarización del optoacoplador.

La utilización del diodo emisor de luz (LED), fotodiodo, optoacoplador, etc., en la
actualidad es en la electrónica que puede implementarse como indicador de ejecución de
21
algún proceso, como sistema de precaución, o que a partir de determinada hora (tarde,
noche) se ejecute alguna acción como prender las luces, accionar un motor, entre otras.
Para saber el funcionamiento de algunos los dispositivos mencionados anteriormente, se

hará hincapié en algunas características y aplicaciones:
a) Voltaje característico del diodo emisor de luz (LED).

b) Conexión básica de un display de siete segmentos.
c) Gráfica de la transferencia de un opto acoplador.
3.3 Desarrollo
Materiales
D = 1N914
R = 270Ω
Display de 7 Segmentos
2 Fuentes Reguladas de 0 a 15 VCD.
2 Amperímetros
1 Voltímetro
1 LED
Optoacoplador 4N26
Revise el LED, observe que un lado de la base tiene un extremo plano, este es el
cátodo, en otros casos el cátodo es ligeramente mas corto que la del ánodo.
Arme el circuito de la figura 3.7, el LED está protegido con el diodo 1N914 contra
la aplicación accidental de voltaje inverso, ajustar a 10 mA y obtener voltajes al LED.
R
A
VS D V
Figura 3.7 Circuito de polarización del LED.
Construya el circuito de la figura 3.8.
22
Común
F A
G B
R
3
5V Display
E PD
D C
Común
LPD A B C D E F G RPD
6 1 13 10 8 7 2 11 9
Figura 3.8 Circuito de polarización del display.
Aterrice las conexiones 1, 10, 13 y aparecerá el número 7, luego desconéctelas.

Obtenga en el display los números del 0 al 9.
Construya el circuito de la figura 3.9 y varíe la fuente VC como se indica en la tabla
3.1, trace la grafica de transferencia del optoacoplador (ID - IC).
ID IC
R 1 5 R
A A
+ +
VS D 4N26 15 V
- -
2 4
Figura 3.9 Circuito para la práctica del optoacoplador.
Tabla 3.1
VS (Volts) ID IC ID IC
1
2
3
4
5
23
3.4 Simulación
Simule los circuitos de la figura 3.8 y 3.9, repita los procedimientos de la práctica y
escriba sus conclusiones.
3.5 Conclusiones
Es importante conocer el funcionamiento de cada uno de los dispositivos
optoelectrónicos (LED, display 7 segmentos, optoacoplador), así como sus aplicaciones en
la electrónica actual, ya que son muy utilizados en el control automático tanto en
aplicaciones residenciales como industriales, señalización óptica y sistemas de conteo entre
otros.
3.6 Preguntas
3.6.1 ¿Cuál es la caída típica de voltaje en un LED?
3.6.2 ¿Qué aplicaciones tiene el LED?
3.6.3 ¿Qué aplicaciones tiene la pantalla o display de 7 segmentos?
3.6.4 ¿Qué aplicaciones tiene el optoacoplador?
3.6.5 Obtenga la hoja característica del optoacoplador 4N26
3.6.6 Mencione algunos optoacopladores.
3.6.7 Mencione aplicaciones que tiene el fotodiodo.
24
PRÁCTICA 4
EL TRANSISTOR BIPOLAR
Objetivo: Estudio del funcionamiento de los transistores bipolares, identificación y

obtención de sus curvas típicas, para el mejor entendimiento de estos elementos.
4.1.1 Características del transistor

Un transistor consiste en un solo cristal semiconductor, en general de germanio o
silicio, que contiene tres regiones contaminadas formando dos uniones en fila, como la
contaminación es alternativa, esto nos da como resultado dos tipos de transistor: NPN y
PNP.
Los transistores de material p - n generalmente son llamados transistores BJT o
bipolares. Según como fue lograda la unión de los cristales de este tipo de transistores, se
clasifican principalmente en: de unión crecida, de unión de aleación y de unión por fusión.
De unión crecida. Fue el primer método utilizado en el cual la contaminación se hacía al

tiempo de ir creciendo el cristal, sacándolo de su estado fundido a cada cambio de
impurezas.
De unión de aleación. Se hace a partir de cristales contaminados tipo P y tipo N, y

fundiéndose a éste un cristal contaminado del tipo opuesto a cada uno de sus lados.
De unión por fusión. Se obtiene a partir de la contaminación por fusión gaseosa de

impurezas tanto del tipo P como del tipo N para formar las dos uniones en el cristal
original.
Los transistores PNP al igual que los NPN, constan de una base (B), de un emisor
(E) y un colector (C). Los símbolos del transistor se muestran en las figuras 4.1 y 4.2.
Figura 4.1 Transistor Figura 4.2 Transistor

PNP. NPN.
25
4.1.2 Polarización del y Operación del Transistor

El término polarización comprende todo lo relacionado para la aplicación de
voltajes de cd, que ayudan a establecer un nivel fijo de corriente y voltaje.
Antes que la señal de corriente alterna pueda ser acoplada al transistor, se debe
establecer un punto de operación (Q), normalmente en el punto medio de la línea de carga
de cc. De esta forma, la señal de ca de entrada, puede producir fluctuaciones abajo y arriba
de este punto Q. Para que el circuito se mantenga lineal, el diodo emisor debe situarse con
polarización directa y el diodo colector debe estar polarizado inversamente. Dicho de otra
forma, las fluctuaciones de corriente y voltaje no deben excitar al transistor al grado de
saturación o de corte.
En esta práctica se estudiará la polarización del transistor para operación lineal, es

decir, la colocación del punto Q cerca del punto medio de la línea de carga de cc.
Posteriormente se estudiará lo que pasa cuando una señal pequeña de ca excita los circuitos.
4.1.2.1 Polarización de base

La figura 4.3a es un ejemplo de la polarización de base (también conocida como
polarización fija). Normalmente, la fuente de poder de la base es la misma que la aplicada
al colector; esto es VBB = VCC. En este caso, los resistores de base y colector se conectan al
lado positivo de la fuente del colector; el circuito se muestra en la figura 4-3b.
En cualquier caso, esta es la forma más inconveniente de polarizar un transistor para

operación lineal, porque el punto Q es inestable. Frecuentemente βCC puede tener una
variación de 9:1 con la corriente y la temperatura. Esto significa que es imposible tener un
punto Q estable, uno que pueda dar la suficiente confiabilidad en la producción en masa.
Por lo tanto, nunca debe utilizarse la polarización de base en circuitos lineales.
La principal aplicación de la polarización de base es en circuitos digitales, en los

que un transistor se utiliza como conmutador entre corte y saturación. En este caso, se usa
la saturación dura para superar las variaciones de βCC. + Vcc
RC
RB RC
+
RB +
VCC
+ - VCE
VBB -
-
(a) (b)
Figura 4.3 Polarización de base. a) Circuito completo, b) Circuito simplificado.
26
4.1.2.2 Polarización por retroalimentación del colector

La figura 4.4a muestra la polarización de retroalimentación de colector (también llamada
autopolarización). El resistor de base retorna al colector en lugar de a la fuente de
alimentación. Esto es lo que distingue la polarización de retroalimentación de colector de la
polarización de base.
+ VCC + VCC + VCC
RC RC RC
RB
+
+ +
VCE 0.7 V 0.7 V
- - -
(a) (b) (c)
Figura 4.4 Polarización por retroalimentación de colector. a) Circuito. (b) Base y colector
en corto circuito. (c) Circuito equivalente cuando tenemos RB = 0.
La retroalimentación trabaja en esta forma: suponiendo que la temperatura aumenta,

originando que βCC aumente con referencia a la figura 4.4a, se produce más corriente de
colector; tan pronto como la corriente de colector aumenta, el voltaje de colector-emisor
disminuye (hay una mayor caída en RC). Esto significa que hay menos voltaje en las
terminales de la resistencia de base, y esto da origen a que haya una disminución en la
corriente de base. La corriente más pequeña de base compensa el incremento original en la
corriente de colector.
La figura 4.4b muestra la polarización de retroalimentación de colector con un

resistor de base en cortocircuito. Nótese que el VCE no puede ser menos de 0.7 V, porque
ésta es la caída entre base y emisor. La corriente de colector es aproximadamente:
VCC − 0.7
IC = (4-1)
RC
Este es un poco menor que αCC VCC/RC el extremo superior de la línea de carga de
cc; por lo tanto, el transistor no puede saturarse.
La figura 4.4c muestra el circuito equivalente para un resistor de base en corto. Un

transistor con la base en corto con el colector actúa de la misma forma que un diodo, lo cual
resulta importante para los circuitos integrados.
Es común colocar el punto Q cerca de la mitad de la línea de carga de cc. Con la

polarización de retroalimentación de colector, esto requiere:
27
RB = β CC RC (4-2)
4.1.2.3 Polarización por divisor de voltaje

La figura 4-5a, muestra una polarización por divisor de voltaje (también llamada
polarización universal). Esta es la polarización más ampliamente usada en circuitos
lineales. El nombre “divisor de voltaje” proviene del divisor de voltaje formado por R1 y R2
El voltaje aplicado en R2 polariza directamente el diodo emisor.
La polarización por divisor de voltaje trabaja en esta forma: si se saca un

equivalente de Thevenin abriendo la terminal de base en la figura 4-5a, entonces se
visualizará un divisor de voltaje sin carga cuyo voltaje de Thevenin es:
R2
VTH = VCC (4-3)
R1 + R2
y la resistencia de Thevenin es:
R1 R2
RTH = (4-4)
R1 + R2
+ VCC + VCC
R1 RC
RC
VC VC
VB VB
VE RTH VE
VTH
R2 RE RE
(a) (b)
Figura 4.5 Polarización por divisor de voltaje. a) Circuito completo, b) Circuito

equivalente.
Sumando los voltajes alrededor de la malla de la base-emisor en la figura 4-5b, se obtiene:
− VTH + I B RTH + VBE + I E RE = 0 (4-5)
Debido a que IB = IE / (βCC + 1), la ecuación anterior se reduce a:
28
VTH − VBE
IE = (4-6)
RE + RTH
(β CC + 1)
Si el término RE es mucho mayor, por lo menos 10 veces, que RTH / (βcc + 1);
entonces se puede considerar que el circuito, especialmente IE, es estable ante variaciones
de βcc.
Haciendo una suma de voltajes alrededor de la malla colector-emisor se tiene:
− VCC + I C RC + VCE + I E RE = 0 (4-7)
La ecuación (4-7) se conoce como la ecuación de la recta de carga. Debido a que

IE= IC / αCC (4-7) se puede expresar de la siguiente manera:
− VCC + I C ⎛⎜ RC + ⎞
RE
⎝ α CC ⎟⎠ + VCE = 0 (4-8)
La figura 4.6 muestra la línea de carga en los ejes IC y VCE.
VCC
R
RC + E
αCC
Figura 4.6 Línea de Carga.
4.1.2.4 Polarización de emisor

La figura 4.7a muestra una polarización del emisor, que se utiliza en algunas
ocasiones cuando se dispone de una fuente de alimentación dividida (voltajes positivos y
negativos). La figura 4-7b es una forma simplificada de dibujar el circuito.
Un circuito con polarización de emisor se analiza en la forma siguiente: se hace una

suma de los voltajes alrededor de la malla base-emisor:
− VEE + I B RB + VBE + I E RE = 0 (4-9)
29
Debido a que IB= IE / (βCC + 1) y despejando IE, la ecuación anterior se reduce a:
VEE − VBE
IE = (4-10)
RB
RE +
β CC + 1
Haciendo una suma de voltajes en la malla colector-emisor tenemos:
− VCC + I C RC + VCE + I E RE − VEE = 0 (4-11)
Debido a que IE= IC / αCC, (4-11) se puede expresar de la siguiente manera:
⎛ R ⎞
I C ⎜⎜ RC + E ⎟⎟ + VCE = VCC + VEE (4-12)
⎝ α CC ⎠
+ VCC
RC
+ RC
VCC
-
R2 RE
- R2
VEE RE
+
- VEE
(a) (b)
Figura 4.7 Polarización de emisor. a) Circuito completo, b) Diagrama simplificado.
4.2.1 Identificación del transistor

En ocasiones es necesario obtener de un elemento transistor su tipo, ya sea NPN o
PNP y la posición de su base, emisor y su colector, para lo cual podemos utilizar el método
siguiente:
Considerando que un transistor equivale a dos diodos conectados de espalda, según

los casos tenemos:
30
Figura 4.8 Transistor PNP. Figura 4.9 Transistor NPN.
Utilizando el multímetro en función de óhmetro se hacen las pruebas de

resistencia indicadas en las siguientes tablas. Se debe tener bien identificadas las
polaridades del óhmetro.
Tabla 4.1 Tabla 4.2

PARA PNP IDEAL PARA NPN IDEAL
B+ C- R=∞ B+ C- R=0
B+ E- R=∞ B+ E- R=0
B- E+ R=0 B- E+ R=∞
B- C+ R=0 B- C+ R=∞
E+ C- R=∞ E+ C- R=∞
E- C+ R=∞ E- C+ R=∞
Observar que la base del elemento a probar será aquella punta que registre
resistencia aproximadamente cero respecto a las otras dos. En el caso que la carga aplicada
por el ohmetro en la base en el momento de la conducción sea negativa, se tratará entonces
de un transistor PNP, de lo contrario estaremos analizando un transistor NPN.
El emisor se distingue del colector porque generalmente en la unión NP (transistor

PNP) y la unión PN (transistor NPN) entre la base y el emisor se registra la avalancha a
bajo voltaje en condiciones de polaridad inversa. O bien, esta distinción puede hacerse de
acuerdo a la especificación de normas de fabricación del elemento. La figura 4.10 nos
muestra la identificación de las puntas de un transistor de acuerdo a su diseño y
características físicas.
Figura 4.10 Diseño e identificación de puntas del transistor.
31
4.2.2 Polarización del transistor

Un transistor sin polarización es similar a dos diodos contrapuestos. Cada diodo
tiene una barrera de potencial de aproximadamente 0.7 V (silicio), si se conectan fuentes de
voltaje externas para polarizar el transistor se obtiene un comportamiento como a
continuación se explica.
En la figuras 4.11 y 4.12 se muestra la polarización del transistor. Generalmente se

utiliza la polarización de base, sobre la cual se abocará la explicación. El borne negativo de
las fuentes se conecta al emisor, obsérvese que el circuito tiene dos mallas. La de la
izquierda es el circuito de base y la de la derecha el circuito de colector. Por lo general VBB
está comprendido entre 5 y 15 V en la mayor parte de las aplicaciones de baja potencia.
Usando diferentes valores de VBB o RB, se puede controlar la corriente de base. Esta
corriente de base controla la corriente de colector.
IC IC
RC
RC
RB IB + IB RB -
+ VCE VCC - VEC VCC
VBE - VEB + +
VBB -
VBB IE
IE
Figura 4.11 Circuito de Polarización del NPN. Figura 4.12 Circuito de Polarización
del PNP.
En el circuito del colector hay una fuente de tensión de valor VCC y una resistencia
limitadora de corriente RC. La tensión entre el colector y el emisor se simboliza con VCE.
La fuente de tensión VCC debe polarizar inversamente el diodo de colector, o de lo contrario
el transistor no funcionará adecuadamente. Esta condición, por lo general, se satisface si
VCE es mayor que 1V. Un intervalo típico de VCE es de 1 a 20V en circuitos de baja
potencia.
4.3 Desarrollo
• Realizar la identificación de varios transistores bipolares por el método de la utilización

del multímetro en función de óhmetro.
• Construya los circuitos de las figuras 4.11 y 4.12, varíe la fuente VBB para obtener las
corrientes de base mencionadas en las tablas 4-3 y 4-4. Una vez obtenida, varíe la
fuente VCC para obtener el voltaje en VCE. Mida la corriente IC.
Material para los circuitos de las figuras 4.11 y 4.12
RB = 470kΩ.
RC = 560Ω.
Q1 = BC548B.
Q2 = BC558C.
32
VCD VARIABLE (VCC) = fuente de poder regulada de 0 – 20 V.

VCD VARIABLE (VBB) = fuente de poder regulada de 0 – 15 V.
Los valores obtenidos por medio de los circuitos en base a las tablas siguientes son
útiles para obtener la familia de curvas de la polarización de cada uno de los transistores,
dichas tabulaciones son las siguientes:
Tabla 4-3 Polarización PNP

IB = 0 IB = 10 IB = 20 IB = 30 IB = 0 IB = 10 IB = 20 IB = 30
VEC
µA µA µA µA µA µA µA µA
IC IC IC IC IC IC IC IC
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
Tabla 4-4 Polarización NPN

IB = 0 IB = 10 IB = 20 IB = 30 IB = 0 IB = 10 IB = 20 IB = 30
VCE
µA µA µA µA µA µA µA µA
IC IC IC IC IC IC IC IC
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
RC será la causa que nos limitará en la operación los valores de voltaje. Esta RC
establece la línea de carga, y ésta depende del valor de aplicación de corriente directa.
Factor de Amplificación:
ic ∆I C
h fe = = (4-13)
ib ∆I B
33
• Grafique las curvas obtenidas de los dos tipos de polarización, añadiéndoles la curva de
carga y estableciendo por medio de estas gráficas el factor de amplificación.
• Calcule los valores de resistencias R1 y R2 del circuito de la figura 4.5a, para obtener un
punto de operación Q a la mitad de la recta de carga, tome los valores de VCC = 20 V,
RE = 2 kΩ y RC = 3 kΩ, arme el circuito, corrobore los resultados prácticos y teóricos,
escriba sus conclusiones.
4.4 Simulación
Simule los circuitos de polarización del transistor de las figura 4.11 y 4.12, así como
también el circuito calculado de la figura 4.5a, obtenga los resultados y anótelos en su
reporte. Llene las tablas 4-3 y 4-4 correspondiente a la simulación y grafique en algún
programa de cómputo (EXCEL, Mathlab, etc) las curvas del transistor.
4.5 Conclusiones
Los transistores son elementos de mucho uso en circuitos electrónicos. Su principal
aplicación es la amplificación, conmutación, compuertas lógicas, regulación, etc.
Además de los transistores de unión bipolar de usos generales, tenemos los transistores de
radiofrecuencia y los transistores de potencia.
Son muchos los tipos de transistores que podemos encontrar en el mercado debido a
la multitud de aplicaciones que tienen.
En los resultados de la práctica se puede observar en las curvas una ligera pendiente
en la zona activa del transistor, debido a esto, el transistor no puede ser considerado como
una fuente de corriente ideal, esto se debe a la resistencia interna del mismo, por lo cual
funciona como una fuente de corriente real.
4.6 Preguntas
4.6.1.- ¿Cuáles son los parámetros utilizados en el modelo resistivo para los transistores de
unión bipolar, cómo se simbolizan y cuál es su significado?
4.6.2.- ¿Qué características posee un transistor de radiofrecuencia?
4.6.3.- ¿Qué consideraciones se toman para la selección de un transistor de potencia?
4.6.4.- ¿Qué significa la Beta del transistor?
4.6.5.- ¿De qué parámetros depende la polarización de un transistor?
4.6.6.- ¿Cómo cambian las curvas características cuando hay aumento de temperatura?
34
UASLP – FI Laboratorio de Electrónica de Potencia I Práctica 5
PRÁCTICA 5
TRANSISTORES BIPOLARES TRABAJANDO EN LA REGIÓN ACTIVA
Objetivo: Conocer las configuraciones de base, colector y emisor común así como las
características de amplificación a pequeña señal en corriente alterna que ofrecen cada una
de ellas.
5.1.1 Amplificador colector común

La figura 5-1 muestra el circuito llamado amplificador de colector común (CC).
Como RC es cero el colector está a tierra de ca, siendo ésta la razón por la que el circuito
también se conoce como amplificador de colector a tierra. Cuando un voltaje Vent de cc
excita la base, aparece un voltaje Vsal de cc en la resistencia de emisor.
+ VCC
+
Vent VCE
-
Vsal
RE
Figura 5.1 Amplificador de colector común.
Un amplificador de CC es como un amplificador CE (Emisor Común) altamente

saturado o minimizado con la resistencia de colector en cortocircuito y la salida tomada en
el emisor en vez del colector. Como el emisor está autoelevado al voltaje de la base, el
voltaje de cc de salida es:
Vsal = Vent − VBE (5-1)
El circuito se denomina también emisor seguidor porque el voltaje de cc de emisor

sigue el voltaje de cc de base.
5.1.2 Amplificador en base común

La figura 5-2a muestra un amplificador de base común (CB). Puesto que la base está
conectada a tierra, este circuito también se denomina amplificador de base a tierra. El punto
35
Q es fijado por la polarización del emisor, que inmediatamente se reconoce cuando se

dibuja el circuito equivalente de cc como se muestran en la figura 5-2b. Por lo tanto, la
corriente de cc en el emisor está dada por:
VEE − VBE
IE = (5-2)
RE
+ VCC
+ VCC
RC
RC
Vsal
Vent
RE
RE
- VEE
- VEE
(a) (b)
Figura 5.2 Amplificador de CB. (a) Doble alimentación. (b)Circuito equivalente de cc de
polarización de emisor.
La figura 5.3a muestra un amplificador CB polarizado con divisor de voltaje. Puede

reconocerse la polarización de emisor de voltaje dibujando el circuito equivalente de cc,
como se muestra en la figura 5.3b.
En uno y otro, la base está a tierra de ca. La señal de entrada excita al emisor, y la
señal de salida es tomada del colector.
Vent Vsal + VCC
RE RC
R1 RC
R1
+ VCC
R2 R2 RE
(a) (b)
Figura 5.3 Amplificador de CB, (a) Una sola alimentación. (b) Circuito equivalente de cc
polarizado por divisor de voltaje.
36
5.1.3 Amplificador en emisor común

Después que un transistor se haya polarizado con un punto Q cerca de la mitad de la
línea de carga de cc, se puede acoplar una pequeña señal de ca en la base. Esto produce
alternancias o fluctuaciones de igual forma y frecuencia en la corriente del colector. Por
ejemplo, si la entrada es una onda senoidal con una frecuencia de 1 kHz, la salida será una
onda senoidal amplificada con una frecuencia de 1 kHz. El amplificador se llama lineal (o
de alta fidelidad) si no cambia la forma de la señal. Si la amplitud de la señal es pequeña, el
transistor sólo usará una pequeña parte de la línea de carga y la operación será lineal.
Por otra parte, si la señal de entrada es demasiado grande, las fluctuaciones en la

línea de carga excitarán al transistor a saturación y corte. Esto cortará los picos de una onda
senoidal y el amplificador ya no será lineal.
Inversión de fase
La corriente de colector alterna es aproximadamente igual a la corriente de emisor
alterna. Cuando aquella circula por la resistencia de colector para señal, produce una
tensión alterna en el colector. Durante el semiciclo positivo de la tensión de entrada, la
corriente total del colector es creciente, lo cual quiere decir que se registra una mayor caída
de tensión en la resistencia de colector. A su vez, esta circunstancia significa que hay una
menor tensión total en el nudo del colector. Dicho de otra forma, la tensión alterna
amplificada en el colector se invierte, como se ve en la figura 5.4, lo que equivale a que
este desfasada 180º respecto a la señal de entrada.
+ VCC
RC
Vsal
Vent
Figura 5.4 Circuito de Amplificador en Emisor Común.
5.1.3.2 Capacitores de paso y de acoplamiento

Los capacitores se aproximan a corto circuitos para señales de ca y circuitos abiertos para
señales de cd. Por tanto, los capacitores de paso se utilizan para eliminar de manera efectiva
(poner en corto) a los resistores durante la operación en ca. Los capacitores de
acoplamiento se utilizan para bloquear la corriente directa y permitir el paso de la señal de
ca.
37
Capacitores de paso
Los capacitores se pueden utilizar para poner en corto el resistor de emisor,

incrementando así la ganancia del amplificador. Para lograr esto, se selecciona un capacitor
cuya impedancia en frecuencias de operación sea mucho menor que la resistencia del
emisor. Como la impedancia aumenta al disminuir la frecuencia, la impedancia del
capacitor debe ser mucho menor que el valor de la resistencia equivalente a través de la
capacitancia en la frecuencia de operación más baja del amplificador.
Capacitores de acoplamiento
Cada par de secciones de un amplificador de varias etapas se puede acoplar por

medio de un capacitor. El capacitor de acoplamiento es necesario para prevenir
interacciones de cd entre secciones adyacentes.
5.2 Descripción de la Práctica

Debido a que la configuración de amplificación de emisor común es la más usada
por su amplia ganancia de tensión, ésta se utilizará para la realización de la práctica.
El circuito de la figura 5.5 muestra un circuito de amplificación conectado en

emisor común, el cual contiene capacitores de paso y acoplamiento. Para el cálculo de éstos
se empleará la regla de 10:1 que sugiere que la reactancia del capacitor debe ser menor o
igual al 10% de la suma del valor de las resistencias que se van a acoplar.
R1 RC Capacitor de
acoplamiento
Capacitor de
acoplamiento
15 V
RA
RL
R2
Generador de RE Capacitor
de paso
ondas
Figura 5.5 Amplificador en configuración de emisor común.
Modelo simplificado del circuito para corriente alterna

Primero se debe resolver el circuito equivalente de corriente directa inactivando la
fuente de corriente alterna y haciendo los capacitores circuito abierto. El circuito resultante
es una polarización por divisor de voltaje.
El voltaje de Thévenin definido entre la base del transistor y la referencia se

encuentra como:
38
2.2kΩ
VTH = (15V ) = 2.705V
2.2kΩ + 10kΩ
αie
C3
C1 ib
RG(ref)
r’e ie
RA RC RL
VG R1llR2
RE C2
Figura 5.6 Circuito simplificado para señal de CA.
La resistencia de Thévenin se encuentra como:
RTH =
(2.2 x10 )(10 x10 ) = 1803.28Ω
3 3
2.2 x103 + 10 x103
La corriente del emisor se calcula como:
VTH − VEE
IE = (5-3)
RE + ⎛⎜ TH ⎞
R
(β + 1) ⎟
⎝ CC ⎠
Sustituyendo valores en la ecuación:

2.705 − 0.7
IE = = 1.81mA
⎛ 1803.28 ⎞
1100 + ⎜ ⎟
⎝ 201 ⎠
La resistencia r’e se calcula como:
25 x103 25
re´ = = = 13.8Ω
IE 1.81
La impedancia de entrada es:
( )
Z ent = (R1 R2 ) (re´ + R A )(β CC + 1) = 10 x103 2.2 x103 (100 + 13.8)(200 + 1) = 1668.687Ω
Cálculo de los capacitores de acoplamiento:
39
1 1
C1 = = (5-4)
ω (0.1)X C1 2πf (0.1)(Z ent + RG (refl ) )
El cálculo se realizará a la frecuencia más baja del circuito, en este caso será de 20
Hz debido a que es un modelo de amplificación de audiofrecuencia, sustituyendo valores en
(5-4) se tiene:
1
C1 = = 44.74 µF
2π (20 Hz )(0.1)(1668.687 + 109.85)
Tomando las mismas consideraciones anteriores se calcula el capacitor C3
1 1
C3 = = = 5.98µF
2πf (0.1)(RL + RC ) 2π (20 )(0.1)(13300)
C2 es un capacitor de paso el cual sólo cortocircuitará la resistencia del emisor y su

valor se calcula como sigue:
1 1
C2 = = = 79.577 µF
2πf (0.1)(RE ) 2π (20 )(0.1)(1000)
Dado que los capacitores C1, C2 y C3 no son valores comerciales se tomarán los
valores de 47 µF 100 µF y 10 µF respectivamente.
La ganancia de amplificación sin carga del circuito se calcula como sigue:
⎛ 200 ⎞
⎜ ⎟(3300)
αRC ⎝ 201 ⎠
Avsc = − ´ = = −28.85 (5-5)
re + R A 113.8
El modelo de corriente alterna del circuito se muestra en la figura 5.7.
RG(ref) = 109.85 Ω 3.3 KΩ
+ +
VG 1668.687 Ω Vent AVsc Vent Vsal 10 KΩ
- -
Figura 5.7 Modelo de corriente alterna del amplificador.
40
La RG(refl) es la resistencia de la fuente y el transformador reflejada en el secundario,

la cual fue obtenida con un divisor de voltaje en la malla de generación en el circuito de la
práctica.
El voltaje teórico de salida se calcula de la siguiente manera:
Vsal =
10
(− 28.8)⎛⎜ 1668.687 ⎞⎟(10mV ) = −203.17mV
10 + 3.3 ⎝ 1668.687 + 109.85 ⎠
5.3 Desarrollo
Construya el circuito de la figura 5.5 mida los valores de estrada y salida, utilice una
señal sinusoidal de amplitud de 10 mV RMS como entrada y calcule la ganancia de tensión
(A) del circuito, observe el desfasamiento de entrada y salida. Llene la tabla 5-1.
Con los valores obtenidos de la tabla realice las graficas de amplificación (A) -
frecuencia y desfasamiento - frecuencia.
Tabla 5-1
Desfasamiento Desfasamiento
Frecuencia Vent Vsal A Vent Vsal A
(grados) (grados)
20 Hz
200 Hz
2 kHz
4 kHz
8 kHz
10 kHz
14 kHz
16 kHz
18 kHz
20 kHz
41
Material
R1 = 10 kΩ.
R2 = 2.2 kΩ.
RA = 100 Ω.
RE = 1 kΩ.
RC = 3.3 kΩ.
RL = 10 kΩ.
Q = BC548B.
Transformador 120 a 10 con derivación central.
Generador de ondas.
Osciloscopio.
5.4 Simulación
Simule el circuito de la figura 5.5 realice el mismo procedimiento para la práctica y llene la
tabla 5.1 referente a la simulación, imprima las ondas de entrada y salida del circuito; si le
es posible empálmelas para que se observe el desfasamiento y entréguelas en su reporte.
También realice las gráficas de amplificación (A) - frecuencia y desfasamiento –
frecuencia. Compare resultados con los obtenidos en la práctica.
5.5 Conclusiones
Los transistores son elementos semiconductores, los cuales son usados en la electrónica
para la amplificación de señales de audio, entre otras. Los amplificadores operacionales son
los dispositivos de amplificación comúnmente utilizados, estos se verán posteriormente en
las prácticas 9 y 10. Están construidos por varios arreglos de las configuraciones vistas en
ésta práctica, por lo cual es necesario la comprensión y estudio de los circuitos de
amplificación.
5.6 Preguntas
5.6.1 ¿Cuáles son los errores más comunes en la construcción de un circuito amplificador
con transistor?
5.6.2 ¿Qué consecuencias trae el diseñar mal un capacitor de paso y de acoplamiento?
5.6.3 ¿En qué criterio se basa la regla de 10:1 para el diseño de los capacitores de paso y
acoplamiento?
5.6.4 Nombre algunas aplicaciones de los amplificadores vistos en ésta práctica.
5.6.5 ¿Cómo se reduce la distorsión en la configuración de amplificador emisor común?
5.6.6 Existen más configuraciones del transistor bipolar como amplificador, anote sus
características y dibuje su circuito.
42
PRÁCTICA 6
TRANSISTORES BIPOLARES EN CORTE Y SATURACIÓN
OBJETIVO: El estudio del transistor bipolar y sus aplicaciones en la Electrónica
6.1.1 Transistor como interruptor

Una de las formas de utilización del transistor es como un interruptor, para esta
función debe operarse en el punto de saturación o de corte y no en alguna otra parte de la
trayectoria de la línea de carga. Cuando un transistor se satura, actúa como un interruptor
cerrado entre colector y emisor. Cuando un transistor está en corte, actúa como un
interruptor abierto.
La figura 6-1a muestra el circuito de conmutación a transistor. Sumando los voltajes

alrededor de la malla colector-emisor, se obtiene:
− VCC + I C RC + VCE = 0 (6-1)
Sumando los voltajes alrededor de la malla base -emisor, se obtiene:
I B RB + VBE − VBB = 0 (6-2)
RC
RB +
+ VCC
+ -
VBB VBE
-
-
Figura 6.1 Circuito de conmutación del transistor.
La ecuación (6-1) se conoce como la ecuación de la recta de carga. Si graficamos

(6-1) en los ejes de corriente de colector y voltaje de colector a emisor, se obtiene la recta
de carga que se muestra en la figura 6.2.
43
VCC
RC
VCE
VCC
Figura 6.2 Recta de Carga
Operación en la Región de Corte

Si VBB < 0.7 V, la corriente de base IB es cero; y dado que IC = βCC IB la corriente del
colector también es cero. Sustituyendo en (6-2) se encuentra la condición de operación del
transistor en la región de corte:
VCE = VCC (6-3)
Que es equivalente a un interruptor abierto entre el colector y el emisor.
Operación en la Región de Saturación

La corriente del colector de saturación se encuentra cuando VCE = 0 en (6-2):
VCC (6-4)
I C ( sat ) =
RC
La corriente de base de saturación se encuentra como:
I C ( sat )
I B ( sat ) = (6-5)
β CC
Si la corriente de base es mayor o igual a IB(sat), el punto de operación Q está en la

parte superior de la línea de carga. En este caso, el transistor actúa como un interruptor
cerrado.
Para saturar al transistor es necesario que la corriente de base sea mayor o igual a
IB(sat) lo cual de acuerdo a la ecuación (6-1) se puede lograr incrementando el valor de VBB,
o bien disminuyendo el valor de la resistencia RB Normalmente el valor de VBB se puede
44
considerar fijo, por lo que seleccionando un valor adecuado de RB se puede llevar al

transistor al punto de saturación con las condiciones de operación existentes.
Transistor como Compuerta Lógica.

La caída de voltaje que provocan las compuertas lógicas con diodos requieren que
las repuestas sean amplificadas al utilizar una serie de compuertas, los transistores pueden
ser utilizados como compuertas, como lo veremos a continuación en los circuitos mostrados
correspondiendo éstos a la familia de lógica resistencia – transistor.

Excitador de LED
La figura 6.3 representa el circuito del excitador de LED porque el transistor
controla el LED. Cuando el voltaje es bajo, el transistor está en corte y el LED está
apagado. Cuando el voltaje de entrada es alto, el transistor se satura y el LED está
encendido.
+ 15 V
R2
R1
Q
Figura 6.3 Circuito excitador del LED.
Compuertas Lógicas en base a Transistores

Las compuertas lógicas se pueden representar con los siguientes circuitos:
Figura Compuerta Ecuación Lógica
+ 5 VCD
R
V´ NOT V =V′
V
Q
Figura 6.4
45
+ 5 VCD
R
V1
Q
V2 R
Q AND V = V1 ∗ V2
VL
Figura 6.5
+ 5 VCD
V1 R
Q
V2
R OR V = V1 + V2
Q
VL
R
Figura 6.6
+ 5 VCD
R
VL
R
V1 Q
′
NOR V = (V1 + V2 )
V2 R
Q
Figura 6.7
R
VL
R
′
V = (V1 ∗ V2 )
V1 Q
NAND
R
V2 Q
Figura 6.8
6.3 Desarrollo
• Construya el circuito del Excitador del LED (figura 6.3) con los elementos
mencionados en la sección de material.
• Construir los circuitos de las figuras 6.4 al 6.8 y completar las tablas de verdad:
46
• Establezca las conclusiones sobre el comportamiento de estos circuitos de acuerdo a

las tablas de verdad obtenidas.
Material Excitador de LED

R1 = 3.3kΩ
R2 = 1kΩ
Q = 2N2222
Diodo Led
Material Compuertas Lógicas en base a transistores.

R = 10KΩ
Q = 2N2222
Tabla 6.1 Tabla 6.2 Tabla 6.3

Compuerta NOT Compuerta AND Compuerta
V V’ V1 V2 VL V1 V2 VL
0 0 0 0 0
+5 0 +5 0 +5
+5 0 +5 0
+5 +5 +5 +5
Tabla 6.4 Tabla 6.5

Compuerta NOR Compuerta NAND
V1 V2 VL V1 V2 VL
0 0 0 0
0 +5 0 +5
+5 0 +5 0
+5 +5 +5 +5
6.4 Simulación
Simule los circuitos de las compuertas a base de transistores e imprima la tabla de
verdad con el respectivo circuito de cada tabla.
6.5 Conclusiones
Actualmente pueden ser usadas estas compuertas aunque no son muy comunes, pues
existen ya las compuertas en circuito integrado, éstos integrados están compuestos por uno
o varios de estos arreglos de transistores, y a su vez son la base de la electrónica digital
conocida.
47
6.6 Preguntas
6.6.1 Explique la saturación dura y la saturación suave en un transistor.
6.6.2 ¿Qué características operacionales primordiales tienen las compuertas lógicas en

base a circuitos integrados?
6.6.3 Mencione las familias en la elaboración de compuertas lógicas.
6.6.4 ¿Qué es una tabla de verdad?
6.6.5 Establezca las características de entrada y salida para la familia lógica resistencia -
transistor.
6.6.6 ¿Qué presentaciones y tipos de empaque utilizan más comúnmente los fabricantes
de compuertas lógicas de circuitos integrados?
48
PRÁCTICA7
EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO
Objetivo: Estudio de las características principales de los transistores de efecto de campo.
7.1.1 El Transistor de Efecto de Campo (FET)

Este tipo de dispositivo es unipolar porque su funcionamiento depende sólo de un
tipo de carga, ya sea en electrones libres o huecos. En otras palabras, el FET tiene
portadores mayoritarios pero no minoritarios.
Para la mayoría de las aplicaciones lineales, el dispositivo más usado es el transistor
bipolar. Pero hay algunas aplicaciones lineales en las cuales el FET es el más apropiado, ya
que tiene una alta impedancia de entrada y otras propiedades. Por otra parte, el FET es el
dispositivo preferido para aplicaciones en las que funciona como interruptor; debido a que
no hay portadores minoritarios, puede cortar más rápidamente, ya que no existe carga
almacenada que deba de eliminar de la unión.
Hay dos tipos de transistores unipolares: transistor de efecto de campo de unión
(JFET) y transistor de efecto de campo semiconductor óxido-metal (MOSFET).
Figura 7.1 Transistores JFETS.
El JFET actúa como un dispositivo controlado por tensión, ya que una tensión de
entrada controla una corriente de salida. En un JFET, la tensión compuerta-fuente VGS
determina cuánta corriente circula entre la fuente y el drenador. Cuando VGS es cero, la
corriente máxima de drenador circula a través del JFET. Por otra parte, si VGS es
suficientemente negativa, las capas de agotamiento entran en contacto y la corriente se
corta. Este voltaje se le conoce como VGS(apag), en las hojas técnicas lo nombran como
voltaje de estrangulamiento (pinch-off), por lo tanto, el FET puede ser utilizado como
interruptor o amplificador. Estos transistores tienen en cuanto al control de corriente gran
49
ventaja sobre los transistores bipolares, además que la impedancia de canal a la compuerta
es muy alta.
|En raras ocasiones son perfectas las analogías y a veces pueden causar confusiones;
sin embargo la analogía del agua de la figura 7.2 proporciona cierto sentido sobre el control
del JFET a través de la terminal de compuerta, la fuente de presión de agua es análoga al
voltaje aplicado desde el drenaje a la fuente que establecerá el flujo de agua (electrones) a
través de la llave (fuente). La “compuerta” mediante una señal aplicada (potencial),
controla el flujo de agua (carga) hacia el “drenaje”.
Figura 7.2 Analogía del JFET.
7.1.3 Polarización en la zona óhmica

El JFET puede estar polarizado en la zona óhmica o en la zona activa. Cuando se
polariza el JFET en la zona óhmica, es equivalente a una resistencia. Cuando se polariza en
su zona activa es equivalente a una fuente de corriente.
La figura 7.3a muestra el circuito de polarización de compuerta, mientras que en la
figura 7.3b se muestra el diagrama esquemático.
+ VDD
RD
RD
RG +
VDD
- -
VGG RG
+
- VGG
(a) (b)
Figura 7.3 a) Circuito de polarización de compuerta, b) Diagrama esquemático.
50
Una tensión negativa –VGG se aplica a la compuerta a través de una resistencia de

polarización RG, esto provoca una corriente de drenador que es menor que IDSS. Cuando la
corriente del drenador circula por RD produce una tensión de drenador de:
VD = VDD − I D RD (7-1)
La polarización de compuerta es la más inconveniente forma de polarizar un JFET
en la zona activa debido a que el punto Q es demasiado inestable. Aunque no es apropiada
para polarizar en la zona activa, la polarización de compuerta es idónea para la polarización
en la zona óhmica dado que no importa la estabilidad del punto Q. La figura 7.4a muestra
cómo polarizar un JFET en la zona óhmica. El límite superior de la recta de carga para
corriente continua tiene una corriente de saturación de drenador de:
VDD
I D (sat ) = (7-2)
RD
Para asegurar de que el JFET está polarizado en la zona óhmica, lo que se necesita
hacer es asegurar que VGS = 0 y que:
I D (sat ) I DSS (7-3)
Cuando un JFET está polarizado en su zona óhmica, se puede sustituir por una
resistencia de valor RDS, como se muestra en la figura 7.4b. Con este circuito equivalente se
puede calcular la tensión de drenador. Cuando RDS es mucho menor que RD, la tensión de
drenador se aproxima a cero.
+ VDD
RD
RDS
(a) (b)
Figura 7.4 a) Polarización en la zona óhmica, b) El JFET equivalente a una resistencia.
7.1.4 Polarización en la zona activa

Los amplificadores JFET necesitan tener un punto Q en la zona activa. Debido al
gran margen entre parámetros en el JFET, no se puede usar la polarización de compuerta.
Sin embargo, se necesitan utilizar métodos de polarización similares a los usados con
transistores bipolares
51
Autopolarización
La figura 7.5a muestra la autopolarización. Como la corriente de drenador circula a

través de la resistencia de la fuente RS, existirá una tensión entre la fuente y tierra, dada por:
VS = I D RS (7-4)
Como VG es cero, porque no hay corriente circulando por RG, entonces:
VGS = − I D RS (7-5)
Esto nos indica que la tensión compuerta-fuente es igual a la tensión negativa a

través de la resistencia de la fuente. Básicamente, el circuito crea su propia polarización
usando la tensión que aparece en RS para polarizar en inversa la compuerta.
La figura 7.5b muestra el efecto de diferentes resistencias de fuente. Hay un valor

medio RS para el cual la tensión compuerta-fuente es la mitad de la tensión de corte. Una
aproximación para esta resistencia media es:
RS ≈ RDS (7-6)
En (7-6) se indica que la resistencia de la fuente debería ser igual a la resistencia

óhmica del JFET. Cuando se cumple esta condición, VGS es aproximadamente la mitad de
la tensión de corte y la corriente del drenador es aproximadamente un cuarto de IDSS.
+ VDD
RD
1
Pendiente=
RS
RG RS
VGS(apag)
2
(a) (b)
Figura 7.5 Autopolarización.
52
La figura 7.6 muestra dos métodos para la elección del valor de la resistencia RS.
-VGS(apag)
RS =
IDSS
-VGSQ
RS =
IDQ
(a) (b)
Figura 7.6 Métodos para la elección del valor de la resistencia RS. a) Método grafico. b)
Método Práctico.
Polarización con un divisor de tensión
La figura 7.7 muestra el circuito de polarización con divisor de tensión.
+ VDD
R1 RD
R2 RS
Figura 7.7 Polarización con división de tensión.
Tomando un equivalente de Thévenin entre la compuerta y la referencia, tenemos

que el voltaje de Thevenin es:
R2
VTH = VC = VDD (7-7)
R1 + R2
El voltaje VS lo podemos calcular considerando que no fluye corriente por la

resistencia de Thevenin, por lo que se tiene:
VS = VTH − VGS (7-8)
53
La corriente ID se puede calcular por:
VTH − VGS
ID = (7-9)
RS
Y el voltaje VD es:
VD = VDD − I D RD (7-10)
Si VTH >> VGS, entonces la corriente ID es aproximadamente constante para cualquier JFET
y se puede encontrar como:
VTH
ID = (7-11)
RS
La característica del JFET, así como la recta de carga para esta condición se muestran en la
figura 7.8a.
ID ID
IDSS(max)
IDSS(min) VTH
Q2 RS
Q2 Q1 V Q1
ID = TH
RS
VGS VGS
(a) (b)
Figura 7.8 Recta de carga para diferentes condiciones de divisor de voltaje.
Cuando VGS es del orden de volts, no siempre se puede cumplir que VTH >> VGS, por
lo que tenemos que la corriente ID está definida por (7-9). La recta de carga para esta
condición se muestra en la figura 7.8b.
7.1.5 Polarización de fuente
La figura 7.9 muestra la polarización de fuente. La corriente de drenador está dada por:
VSS − VGS VSS

ID = ≈ (7-12)
RS RS
54
+ VDD
RD
RG RS
- VSS
Figura 7.9 Circuito de polarización por fuente.
De nuevo, la idea es reducir la influencia de las variaciones de VGS haciendo VSS

mucho mayor que VGS. Idealmente, la corriente de drenador es igual a la tensión de
alimentación de la fuente entre la resistencia de la fuente. En este caso, la corriente de
drenador es casi constante incluso si sustituimos el JFET o ante cambios de temperatura.
Polarización por fuente de corriente
Cuando la fuente de tensión del drenador no es lo suficientemente grande, puede

que no haya la suficiente tensión en la compuerta para despreciar las variaciones de VGS.
En este caso se prefiere usar la polarización por fuente de corriente, mostrada en la figura
7-10a. En este circuito, el transistor bipolar bombea una corriente fija al JFET. La corriente
del drenador está dada por:
VEE − VBE
ID = (7-13)
RE
La figura 7-10b ilustra hasta qué punto es efectiva la polarización por fuente de
corriente. Aunque VGS es diferente para cada punto Q, no tiene ya influencia en el valor de
la corriente de drenador.
+ VDD
RD
RG
RE
- VEE
(a) (b)
Figura 7.10 Polarización por fuente de corriente.
55
7.2.1 Característica del Drenaje de un JFET

El efecto de voltaje de drenaje a la fuente (VDS) sobre ID en un JFET de canal N se
puede determinar con experimentos mediante el circuito de análisis de esta práctica
mostrado en la figura 7.11. La batería VGG sirve como la alimentación de polarización de la
compuerta y VDD como la fuente de voltaje del drenaje. El voltímetro (V) mide el voltaje
Drenador – Fuente (VDS), el miliamperímetro mide la corriente del drenaje (ID) a medida
que VDD varia.
S2
A
2N4416
S1 +
V VDD
- -
VGG
+
Figura 7.11 Circuito experimental del JFET.
En la figura 7.12 se ilustra la variación ID con VDS para VGS = 0, la condición

cuando la compuerta está en realidad en corto circuito a la fuete. A medida que VDS se
incrementa desde 0 hasta VP, denominado voltaje de estrangulamiento, ID aumenta desde 0
hasta el valor máximo de la corriente de drenaje que se pueda alcanzar sin destruir el JFET,
el valor de IDSS. A medida que VDS se incrementa desde VP hasta el máximo de VDS, la
corriente del drenaje permanece casi constante en el valor de IDSS. El JFET opera de manera
normal en el intervalo desde VP hasta el máximo de VDS donde no hay cambio en la
corriente, ID.
Figura 7.12 Familia de curvas características del drenaje de un JFET.
56
Si VDS se incrementa más allá del punto máximo de VDS, existe un incremento
avalancha en ID, el cual destruye con rapidez el JFET, el máximo de VDS por lo tanto, es el
voltaje de drenaje a fuente máximo en el cuan el JFET puede operar en forma segura,
cuando VGS = 0
7.2.2 Característica de Transferencia

En la evaluación de las condiciones de operación de un JFET, la característica de
transferencia o de transconductancia, es otra curva útil. También es denominada curva de la
ley cuadrática, debido al término al cuadrado de (7-14).
2
⎛ VGS ⎞
I D = I DSS ⎜1 − ⎟ (7-14)
⎜ V ⎟
⎝ GS ( apagado ) ⎠
Los FET tienen una impedancia de entrada muy alta, puesto que el circuito de entrada, la
compuerta, no demanda corriente. Esta característica es deseable en multímetros digitales,
muchos de los cuales tienen un FET en la entrada.
7.3 Desarrollo
7.3.1 Compuerta en corto circuito con la fuente

1. Conecte el circuito de la figura 7.11 con S1 abierto. Remueva VGG y ponga en corto
circuito la compuerta tierra.
2. Establezca la salida de VDD en 0 V; cierre S1. Mida y registre los valores en la tabla 7-1
la corriente de drenaje, ID, para VDS = 0 V, VGS = 0.
3. Incremente la salida de VDD a VDS = 0.5. Mida y registre en la tabla 7-1 la corriente de
drenaje, ID, para VDS = 0.5 V, VGS = 0.
4. Continué con los valores de VDS de la tabla 7-1 y registre sus valores.
5. Abra S1. Remueva el corto circuito entre la compuerta y tierra.
7.3.2 Compuerta en polarización inversa

6. Desconecte VGG en el circuito de la figura 7.11. abra S1 y S2.
6 Establezca las salidas VDD y VGG en 0 V. Cierre S1 y S2. Encienda la fuente.
7 Ajuste VGG y haga que VGS mida -0.25 V, manténgalo a este nivel para los pasos 9 y
10.
8 Mida ID y registre su valor en la tabla 7.1 para VDS = 0 V.
9 Incremente VDD para cada valor de VDS listado en la tabla. Para cada valor de VDS
mida y registre ID en la tabla 7-1.
10 Reduzca VDD a 0 V. Incremente VGG a -0.5 V. manténgalo en este nivel para el paso
12.
11 Repita los pasos 9 y 10 para cada valor de VDS listado en la tabla 7-1.
12 Repita los pasos 11 y 12 para cada valor de VGS y VDS listados en la tabla 7-1 hasta que
se alcance la corriente de drenaje de corte.
57
Tabla 7-1
ID, mA
VGS, V
VDS,
0 -0.25 -0.5 -0.75 -1.0 -1.25 -1.5 -1.75 -2.0 -2.5
V
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
7.0
9.0
11.0
13.0
15.0
7.3.3 Característica de transferencia

1. S1 y S2 están abiertos. Fije VDD en 15 V, VGG = -2.5 V como valor inicial.
2. Cierre S1 y S2. Mantenga VDS constante en 15 V; mida y registre en al tabla 7-2 de ID
para cada valor de VGS, Abra S1.
Tabla 7.2
VGS,
V
ID,
mA
7.3.4 Graficación
1. Introduzca los valores registrados en la tabla 7-1 en algún programa computacional que
realice gráficas para obtener la familia de curvas características del drenaje, en donde
VDS es el eje horizontal, e ID es el vertical. Denote cada curva característica por su
valor VGS. Identifique VP.
2. Con el mismo procedimiento del punto 16 grafique la característica de transferencia
con los datos de la tabla 7-2, VGS es el eje horizontal, e ID el vertical.
58
7.3.5 Polarización del JFET

Calcule las resistencias para el circuito de la figura 7.5a y 7.7 para obtener un punto de
operación Q a la mitad de la recta de carga con un valor de VDD de 10 V para ambos
circuitos y un VSS de -5V para el de autopolarización, arme los circuitos y corrobore sus
resultados teóricos con los prácticos.
7.4 Simulación
Simule el circuito de la figura 7.11, aplique el mismo procedimiento de la sección de
desarrollo, y obtenga las curvas características del circuito simulado. Compare los valores
con los obtenidos en la práctica y anote sus conclusiones.
7.5 Conclusiones
Debido a la amplia aplicación de los transistores de efecto de campo en la electrónica
analógica y digital por su bajo consumo de potencia en el control, es importante el estudio
del comportamiento de estos elementos.
7.6 Preguntas
7.6.1 ¿Cuáles son los parámetros más importantes para la elección de un JFET?
7.6.2 ¿Cómo se obtiene la máxima corriente de drenaje segura en un JFET?
7.6.3 ¿Cuál es el voltaje máximo de drenaje en el que el JFET se puede operar con
seguridad?
7.6.4 A partir de las gráficas obtenidas. ¿Cuál es el valor de VP? y ¿Cuál es el valor de
IDSS?
7.6.5 ¿Cuáles son los parámetros más importantes para la elección de un MOSFET?
7.6.7 Nombre aplicaciones de los MOSFETS
59
PRÁCTICA 8
AMPLIFICACIÓN CON EL JFET
Objetivo: Conocer las configuraciones del JFET para ser usado como amplificador, así
como los pasos para el diseño de un circuito amplificador y sus características.

Los amplificadores con transistores de efecto de campo proporcionan una excelente
ganancia de voltaje aunada a la característica de una alta impedancia de entrada. Además se
trata de configuraciones de bajo consumo de potencia con un buen rango de frecuencia,
tamaño y peso mínimos.
Mientras que un dispositivo BJT controla una gran corriente de salida (colector) por
medio de una corriente de entrada (base) relativamente pequeña, el dispositivo FET
controla una pequeña corriente de salida (drenaje) mediante un pequeño voltaje de entrada
(voltaje de compuerta), pero en ambos casos se observa que la salida es la corriente
controlada.
8.1.1 Amplificador fuente común

La figura 8.1a muestra un amplificador fuente común. Los condensadores de
acoplamiento y de paso actúan como cortocircuitos para la señal. Debido a esto, la señal
está acoplada directamente a la compuerta. Como la fuente está acoplada a masa, toda la
tensión de entrada alterna aparece entre la compuerta y la fuente. Ésta produce una
corriente alterna de drenador. Como dicha corriente circula por la resistencia de drenador,
tenemos una señal de salida invertida y amplificada. La mencionada señal de salida se
acopla a la resistencia de carga.
+ VDD
R1 RD
+
RG
Vout
RL
-
+
Vin R2 RS
-
(a)
60
RG
+ + + +
Vin vgs R1 ll R2 RGS gm vgs vgs RD RL Vout
- - - -
(b)
Figura 8.1 a) Amplificador fuente común. b) Circuito equivalente para señal.
Tomando el equivalente de Thévenin a la entrada y a la salida para obtener el

modelo de corriente alterna del amplificador, se tiene que la impedancia de entrada queda:
Z ent = (R1 R2 ) RGS ≈ R1 R2 (8-1)
La amplificación de voltaje sin carga se encuentra como:
Vout − g mVGS RD
AvSC = = = − g m RD (8-2)
Vin VGS
La impedancia de salida es:
Z out = RD (8-3)
La figura 8.2 muestra el modelo de corriente alterna del amplificador fuente común.
RG Zout
+ + + +
Vin vgs Zin AvSCvgs Vout RL
- - - -
Figura 8.2 Modelo de corriente alterna para un amplificador fuente común.
RG es la resistencia vista desde el secundario del sistema de transformación.
8.1.2 Amplificador drenador común

La figura 8.3a muestra un circuito amplificador de drenador común, también llamado
seguidor de fuente. La señal de entrada llega a la compuerta y la señal de salida está
61
acoplada de la fuente. Como el seguidor de emisor, el seguidor de fuente tiene una ganancia
de tensión menor que 1. La principal ventaja del seguidor de fuente es su alta impedancia
de entrada.
+ VDD
gmvgs
R1 RGS
+ vgs - Vout
Vin +
Vin R1 ll R2 RD
R2 Vout
RS -
(a) (b)
Figura 8.3 a) Circuito de drenador común, b) Circuito equivalente para CA.

Z in ≈ R1 R2 (8-4)
Vout g m RS RS
AvGS = = = (8-5)
Vin 1 + g m RS RS + 1
gm
Z out = RS ⎛⎜ 1 ⎞⎟ (8-6)
⎝ gm ⎠
El modelo de corriente alterna del amplificador de drenador común es el mismo que el

mostrado en la figura 8.2 pero con los parámetros que le corresponde.
8.1.3 Amplificador de compuerta común

La figura 8.4a muestra un circuito amplificador de compuerta común, mientras que la 8.4b
muestra el circuito equivalente para corriente alterna.
62
+ VDD
Vin Vout + + +
Vin RS vgs 1_ gmvgs
Vout RD
RS - - gm -
+ VSS
(a) (b)
Figura 8.4 a) Circuito amplificador de compuerta común, b) Circuito equivalente para CA.

1
Z in = (8-7)
gm
Vout
AvSC = = g m RD (8-8)
Vin
Z out = RD (8-9)
El modelo de corriente alterna del amplificador de drenador común es el mismo que

el mostrado en la figura 8.2 pero con los parámetros que le corresponde.
8.2 Descripción de la Práctica

El circuito de amplificación para esta práctica será el de configuración fuente común.
63
R1 RD
C3
C1
30 V
200 mVRMS
Generador R2 RL
de ondas RS
C2
Figura 8.5 Circuito de Amplificación fuente común.
Se utiliza en este circuito un transformador para obtener el voltaje deseado a la

entrada del circuito.
Primero se debe resolver el circuito equivalente de corriente directa inactivando la

fuente de corriente alterna y haciendo los capacitores circuito abierto. El circuito resultante
es una polarización por divisor de voltaje. Primeramente se tiene que encontrar un
equivalente de Thévenin entre la compuerta y referencia, del circuito formado por la fuente
y las resistencias del divisor.
El voltaje de Thévenin se encuentra como:
⎛ 1 ⎞
⎟(30 ) = 15V
R2
VTH = VDD = ⎜
R1 + R2 ⎝1+1⎠
Dado que el circuito contiene solamente fuentes independientes, la resistencia de Thévenin

se puede encontrar como:
R1 R2 1000 x1000
RTH = = = 500Ω
R1 + R2 1000 + 1000
La ecuación de la característica del JFET es:
⎛ VGS ⎞
I D = I DSS ⎜1 − ⎟ (8-10)
⎜ V ⎟
⎝ GS ( apagado ) ⎠
Sustituyendo valores se obtiene:

2
⎛ V ⎞
−3
I D = 8 x10 ⎜1 − GS ⎟
⎝ −6⎠
Haciendo suma de voltajes en la malla compuerta-fuente, considerando el equivalente de

Thévenin, tenemos:
64
VTH − VGS 15 − VGS

ID = =
RS 10000
Resolviendo el sistema de ecuaciones, se obtiene el voltaje VGS en el punto de operación:
VGSQ = −3.126V
La transconductancia máxima se puede obtener como:
2 I DSS − 2(5 x10 −3 )

g m0 = − = = 1.667 x10 −3
VGS (apag ) −6
La transconductancia en el punto de operación se obtiene como:
⎛ VGS ⎞⎟ ⎛ − 3.127 ⎞
g m = g m 0 ⎜1 − = 1.667 x10 −3 ⎜1 − −6
⎟ = 798.07 x10 S
⎜ V ⎟ ⎝ −6 ⎠
⎝ GS ( apag ) ⎠
La solución para corriente alterna se obtiene haciendo cortocircuito los capacitores,

inactivando la fuente de corriente directa y aplicando el modelo de corriente alterna para el
amplificador, el cual se muestra en la figura 8.6.
Rl(ref) Zout
+
+ + +
Vin vgs Zin AvSCvgs RL Vout
- - - -
Figura 8.6 Circuito equivalente en CA.
Los parámetros para la configuración de fuente común se calculan como sigue:

La impedancia de entrada es:
Z in = R1 R2 = 1x10 6 1x10 6 = 500kΩ
La amplificación de voltaje sin carga se obtiene como:
( )( )
AvSC = − g m RD = − 798.07 x10 −6 3.3 x103 = −2.633S

Z out = RD = 3300Ω
65
El voltaje de salida se puede calcular como:
⎛ RL ⎞ ⎛ Z in ⎞
Vout = ⎜⎜ ⎟⎟( AvSC )⎜⎜ ⎟⎟(Vin ) (8-11)
⎝ RL + Z out ⎠ ⎝ Z in + RS ⎠
Sustituyendo los valores se obtiene:
⎛ ⎞
⎛
Vout = ⎜
10000
10000 + 3300
⎞
⎟(− 2.633)⎜⎜
500
500 x103
10 3
+ 109. 85
(
⎟⎟ 10 x10 −3 = −19.79mV )
⎝ ⎠ ⎝ x ⎠
Z sal = RD = 3300Ω
El cálculo de capacitores de paso y acoplamiento se realiza exactamente igual que en la

práctica 5.
1 1
C1 = =
(
2πf (0.1)(Z in + RG (refl ) ) 2π (20 Hz )(0.1) 500 x103 + 109.85 )
RG(refl) es la resistencia del sistema de alimentación comprendido por la fuente y el
transformador.
El capacitor de acoplamiento C3 se calcula de la siguiente forma:
1 1
C3 = = = 5.983µF
2πf (0.1)(RL + RD ) 2π (20 )(0.1)(13300)
C2 es un capacitor de paso el cual se calcula como sigue:
1 1
C2 = = = 7.957 µF
2πf (0.1)(RS ) 2π (20 )(0.1)(10000)
Dado que los capacitores C1, C2 y C3 no son valores comerciales se tomarán los valores de
0.47µF, 10µF y 10 µF respectivamente.
8.3 Desarrollo
Construya el circuito de la figura 8.5 mida los valores de entrada y salida, utilice una señal
sinusoidal de amplitud de 200mV como entrada y calcule la ganancia de tensión (A) del
circuito, observe el desfasamiento de entrada y salida llene la tabla 8.1
66
Material
Resistencias Capacitores Transistor Medición y

JFET Generación
Transformador 120 V
R2 = 1
R1 = 1 MΩ C1 = 0.47µF a 10 V con derivación
MΩ
central.
Q = 2N5457
RD = 3.3 RS = 10
C2 = C3 = Generador de ondas
kΩ kΩ
10µF
RL = 10 kΩ Osciloscopio
Tabla 8.1
Desfasamiento Desfasamiento
Frecuencia Vent Vsal A Vent Vsal A
(grados) (grados)
20 Hz
200 Hz
2 kHz
4 kHz
6 kHz
8 kHz
10 kHz
12 kHz
14 kHz
16 kHz
18 kHz
20 kHz
67
Al igual que en la práctica 5 construya las gráficas amplificación – frecuencia y

desfasamiento – frecuencia.
8.4 Simulación
Construya el circuito de la figura 8.5 realice el mismo procedimiento para la práctica y
llene la tabla 8.1 referente a la simulación, imprima las ondas de entrada y salida del
circuito, si le es posible empálmelas para que se observe el desfasamiento y entréguelas en
su reporte, compare resultados con los obtenidos en la práctica.
8.5 Conclusiones
Los transistores de efecto de campo, en este caso el JFET son elementos que se usan poco
para la amplificación de señales, como se mencionó en la practica 5 el OPAMP o
amplificador operacional desplazó a este tipo de elementos para esta aplicación, pero es
interesante el conocer el funcionamiento básico de los amplificadores a base de transistores
ya que mediante redes de estos circuitos sencillos se construyen los amplificadores
operacionales.
8.6 Preguntas
8.6.1 Defina Trasconductancia (gm).
8.6.2 Mencione las características y dibuje los circuitos de las otras configuraciones de
amplificación de los JFETs.
8.6.3 ¿Cuáles son las desventajas y ventajas de un amplificador fuente común en

comparación a uno de emisor común?
8.6.4 ¿Qué otras aplicaciones tienen los FETs?
8.6.5 ¿Qué otro tipo de transistores de efecto de campo existen?
8.6.6 ¿Qué diferencias existen entre un circuito amplificador con transistor bipolar y uno
conformado por transistor de efecto de campo?
68
PRÁCTICA 9
AMPLIFICADORES OPERACIONALES (PARTE I)
Objetivo: Identificar las características principales del amplificador operacional, así como
las configuraciones básicas como lo son inversor, no inversor, buffer y sumador.

El amplificador operacional es simplemente un amplificador de muy alta ganancia
5
(2X10 ). Están usualmente diseñados para amplificar señales que se extienden sobre un
amplio rango de frecuencia y es normalmente usado con redes de retroalimentación
externa.
Existen ciertas propiedades ideales de los amplificadores operacionales las que se

tratan de considerar en su diseño. Estas propiedades nunca se cumplen en la práctica, pero
la suposición de tal hecho ayuda a un rápido análisis preliminar de circuitos que tienen
estos amplificadores.
Las propiedades idealizadas de estos amplificadores son:
Característica Símbolo Ideal LM741C LF157A

Ganancia de tensión en lazo abierto AOL Infinito 100,000 200,000
Frecuencia de ganancia unidad funidad Infinito 1 MHz 20 MHz
Resistencia de entrada Rin Infinito 1 MΩ 10 TΩ
Resistencia de salida Rout Cero 2 MΩ 100 Ω
Corriente de polarización de entrada Iin(polarización) Ce ro 75 Ω 30 pA
Corriente de offset de entrada Iin(offset) Cero 80 nA 3 pA
Tension de offset de entrada Vin(offset) Cero 20 nA 1 mV
Relación de rechazo al modo común CMRR Infinito 90 dB 100 dB
Básicamente el amplificador operacional (AOP) trabaja de tres formas:
1.- Sin retroalimentación

Denominada también configuración en lazo abierto. La ganancia del AOP viene
determinada por el propio fabricante, por tanto, no se tiene ningún control sobre ella. Este
tipo de configuración es muy útil en circuitos comparadores. La figura 9.1a muestra un
AOP en lazo abierto.
2.- Con retroalimentación positiva

Este tipo de configuración se denomina en lazo cerrado y tiene el inconveniente de
desestabilizar el circuito. Una aplicación práctica de la retroalimentación positiva se da en
los circuitos osciladores. La figura 9.1b ilustra esta forma de trabajo.
69
Véase que la salida está aplicada a la entrada no inversora del AOP a través de una
resistencia de retroalimentación Rf.
3.- Con retroalimentación negativa (RN)

Es el modo de configuración más importante en circuitos con AOP. La figura 9.1c muestra
un AOP trabajando con retroalimentación negativa.
Véase que la salida está aplicada a la entrada inversora del AOP a través de una resistencia
de retroalimentación Rf. Las aplicaciones de los AOP con RN son numerosas:
• Amplificador no inversor.
• Amplificador inversor.
• Sumador.
• Amplificador diferencial.
• Diferenciador.
• Integrador.
• Filtros activos, etc.
Rf Rf
Vin Vin R1 Vin R1

Vout
Vout Vout
(a) (b) (c)

Figura 9.1 a) AOP sin retroalimentación. b) AOP con retroalimentación positiva.
c) AOP con retroalimentación negativa.
El amplificador a ser usado en esta práctica será el UA741 que tiene las siguientes
conexiones.
Figura 9.2 Circuito integrado LM741.
La ecuación (9-1) es conocida como “la Ecuación de Black” para sistemas retroalimentados
negativamente.
70
Vout Av0
Av f = = (9-1)
Vin 1 + BAv0
Avf: se denomina “ganancia en lazo cerrado”.

Avo: Es la ganancia en lazo abierto (dada por el fabricante en el caso de un AOP).
B: Es el factor de la retroalimentación negativa.
9.2.1 Configuración inversora

El primer circuito lineal (AOP operando como amplificador) que se analizará es el
amplificador inversor, denominado así por estar desfasada la señal de salida 180° con
relación a la entrada. La figura 9.3 muestra al circuito de esta configuración.
If Rf
R1 I1 IB1 +V
a
Vin Vd
b Vout
Zif -V Zof
Figura 9.3 Amplificador Inversor.
Aplicando la ley de Kirchhoff en el nodo a se tiene:
I1 + I f = I B1 (9-2)
Suponiendo el AOP ideal, es decir IB1 = 0 y aplicando la ley de Ohm a (9-2) se tiene:
Vin − Va Vout − Va
= =0 (9-3)
R1 R1
Por otro lado, en el nodo a se tiene tierra virtual, es decir Va = 0. Por lo tanto:
Vin Vout
= =0 (9-4)
R1 R f
Y finalmente,
71
Vout R
Av f = =− f (9-5)
Vin R1
El signo negativo indica el desfasamiento de 180° de la salida en relación a la entrada.

Un inconveniente del amplificador inversor es que impedancia de entrada (Zif) está
determinada únicamente por el valor de R1, o sea,
Z if ≈ R1 (9-6)
9.2.2 Configuración no inversora

En esta configuración la señal de salida no presenta desfase. La figura 9.4a muestra el
circuito de un amplificador no inversor o multiplicador de ganancia constante.
If Rf
Va ≈ 0
R1 I1 IB1 +V Rf
Vin
a
R1 Vout
Vd
Vout
Zif b
-V Zof
Vin
Figura 9.4 Amplificador no inversor.
Para determinar la ganancia de voltaje del circuito podemos usar la representación

equivalente que se muestra en la figura 9.4b el voltaje a través de R1 es Vin debido a que Va
≈ 0 V. Este debe ser igual al voltaje de salida a través de un divisor de voltaje de R1 y Rf
por lo que:
Vout R1 + R f R
= = 1+ f (9-7)
Vin R1 R1
9.2.3 Configuración seguidor

Haciendo en el amplificador no inversor R1 = ∞ (circuito abierto) y Rf = 0 (cortocircuito) se
tiene:
Vout
Av f = =1 (9-8)
Vin
72
La figura 9.5 muestra la configuración denominada seguidor de tensión o «BUFFER»
+V
Vout
Vin
-V
Figura 9.5 Configuración seguidor de tensión.
Este circuito presenta una impedancia de entrada muy alta al tiempo que una
impedancia de salida muy pequeña, ya que en este caso B = 1 (en los anteriores
amplificadores el valor de B era menor que la unidad).
El seguidor de tensión se utiliza en las siguientes aplicaciones:
a) Aislamiento de etapas.
b) Refuerzo de corriente.
c) Adaptación de impedancias, etc.
De los circuitos con AOP, el seguidor de tensión es el que presenta características

más próximas a las ideales en términos de impedancias de salida y entrada.
En algunos casos, el seguidor de tensión recibe la señal a través de una resistencia

en serie, con la terminal no inversora. Entonces con el fin de equilibrar la ganancia y las
corrientes se coloca otra resistencia del mismo valor en el circuito de retroalimentación.
Aplicación práctica de lo que se acaba de decir es el uso del «BUFFER» para

adaptar las impedancias al conectar un generador de señal con un amplificador de baja
impedancia de entrada.
Cuando las señales involucradas son de amplitud relativamente alta no es necesario

colocar la resistencia en el circuito de retroalimentación por no ser apreciable el error que
se produce.
9.2.4 Configuración sumadora

El circuito de la figura 9.6 es un amplificador sumador con tres entradas. Evidentemente el
número de entradas puede variar. En el caso particular de que exista sólo una entrada se
tendrá el amplificador inversor.
73
If Rf
R1 I1
V1
+V
R2 I2 IB1
V2
R3 Vd
I3
V3
Vout
-V
Re = Rf ll R1 ll R2 ll R3
Figura 9.6 Amplificador Sumador.
La resistencia de ecualización Re conectada a la terminal no inversora es usada para

minimizar la tensión OFFSET.
Aplicando la ley de Kirchhoff en el nodo a, se tiene:
V1 V2 V3 Vout
+ + + =0 (9-9)
R1 R2 R3 R f
Es decir
⎛V V V ⎞
Vout = − R f ⎜⎜ 1 + 2 + 3 ⎟⎟ (9-10)
⎝ R1 R2 R3 ⎠
Se pueden considerar algunos casos particulares:
a) Si R1 = R2 = R3 = Rf, sería:
Vout = −(V1 + V2 + V3 ) (9-11)
b) Si R1 + R2 + R3 = 3Rf se tendrá:
⎛ V + V2 + V3 ⎞
Vout = −⎜ 1 ⎟ (9-12)
⎝ 3 ⎠
O sea, el circuito proporciona la media aritmética (en valor absoluto) de las señales
aplicadas.
74
9.3 Desarrollo
Material
V = ± 15 Volts
Amplificador operacional = UA741
2 Generadores de ondas
Resistencias: Las marcadas en las tablas.
Fuente de ± 5 V regulable
9.3.1 Construya el circuito de la Figura 9.3 y complete la tabla 9-1.
Tabla 9-1
Vin Vout (Vout/Vin) (Vout/Vin) (Vout/Vin)
Frecuencia R1 (Ω) Rf(Ω)
(Volts) (Volts) medido teórico Simulación
1.5 - 470 1k
1.5 - 2.2 k 2.2 k
1.5 - 2.2 k 10 k
100 Hz
500 Hz
1.5 sen ωt 1 kHz 2.2 k 10 k
10 kHz
100 kHz
9.3.2 Construir el circuito 9.4a y llenar la tabla 9-2.
Tabla 9-2
(Vout/Vin (Vout/Vin)
Vin Vout (Vout/Vin
Frecuencia R1 (Ω) Rf (Ω) ) Simulació
(Volts) (Volts) ) teórico
medido n
1.5 - 2.2 k 1k
1.5 - 2.2 k 2.2 k
100 Hz
500 Hz
1.5 sen ωt 1 kHz 2.2 k 1k
10 kHz
100 kHz
1.5 - abierto 1k
1.5 - 2.2 k 0
1.5 - abierto 0
75
9.3.3 Construir el circuito 9.5. Complete la tabla 9-4.
Tabla 9-4
Vin Frecuencia Vout medido Vout teórico
2 Volts -
- 5 Volts -
100 Hz
500 Hz
1 kHz
10 kHz
100 kHz
- 5 sen ωt
300 kHz
500 kHz
700 kHZ
900 kHz
1.1 MHz
9.3.4 Construir el circuito 9.6, utilice R1 = R2 = R3 = Rf = 10 kΩ mida los valores, cambie

la resistencia Rf por 33 kΩ y vuelva a medir los valores. Complete la tabla 9-5.
Tabla 9-5
Vout
Vout Vout
V1 V2 V3 Frec. Simulació
medido teórico
n
-5 Volts 10 Volts 2
-
Volts
100 Hz
500 Hz
10 sen ωt -5
-2 Volts 1 kHz
Senoidal Volts
10 kHz
100 kHz
100 Hz
500 Hz
2V 5 sen ωt -5
1 kHz
Cuadrada Senoidal Volts
10 kHz
100 kHz
• Determinar la forma de onda de voltaje de salida y valor pico a pico de todos los
circuitos.
• Construya las gráficas amplificación (Vin/Vout) – frecuencia para todos los circuitos.
Nota: De todos estos circuitos establecer conclusiones sobre el funcionamiento de los

mismos.
76
9.4 Simulación
Simule los circuitos anteriores y llene las tablas en la sección correspondiente a la
simulación.
9.5 Conclusiones
El amplificador operacional tiene una variedad muy amplia de usos entre los que podemos
destacar, adicionales de los ya estudiados, las funciones de comparador, seleccionador,
generador de ondas, oscilador y generador de funciones.
9.6 Preguntas
9.6.1 ¿En qué año se dio a conocer el amplificador operacional?
9.6.2 ¿En esencia cuál es la función de un amplificador operacional?
9.6.3 Dé el circuito diferenciador básico con un amplificador operacional.
9.6.4 ¿Explique las etapas del amplificador operacional?
9.6.5 ¿Explique porqué se le conoce como amplificador diferencial?
9.6.7 ¿Cuál es la ganancia de lazo abierto y cuál es la de lazo cerrado?
77
PRÁCTICA 10
AMPLIFICADORES OPERACIONALES (PARTE II)
OBJETIVO: El conocer los circuitos de amplificador integrador y el diferenciador,

estructura, aplicación y funcionamiento de estos.
10.1.1 Amplificador diferenciador
La figura 10.1 muestra el circuito de un diferenciador elemental. Este circuito presenta una
salida proporcional a la variación de la señal de entrada
If Rf
C1
i IB1
Vin a
Vd Vout
Figura 10.1 Diferenciador Elemental.

dVin Vout
C1 + =0 (10-1)
dt Rf
De donde se obtiene:
dVin
Vout = − R f C1 (10-2)
dt
Se observa que la señal de salida está invertida en relación a la de entrada.
Si se aplica una señal triangular simétrica a la entrada de un diferenciador, a la

salida se tendrá una señal rectangular que es la derivada de la entrada.
Si se aplica una señal rectangular a la entrada del diferenciador, a la salida se tendrá

una serie de impulsos agudos («SPIKES»).
78
Por otro lado, si la entrada es del tipo senoidal, se pueden emplear fasores para el
análisis.
El circuito de la figura 10.1 tiene la configuración inversora. Haciendo las
transformaciones fasoriales a los elementos quedaría un circuito que contiene impedancias,
en lugar de resistencia y condensador. Si se hace un análisis similar al efectuado en la
sección de configuración inversora, se puede encontrar que:
Zf Rf
Av f = − =− (10-3)
Z1 1
j 2πfC1
Cuya magnitud vale:
Av f = 2πfC1 (10-4)
Es decir, que la amplificación de lazo cerrado está en función no sólo de la

magnitud de los elementos, sino también de la frecuencia de la función senoidal de entrada.
Lo anterior hace que el circuito sea muy sensible a variaciones de frecuencia. Por esto el
diferenciador elemental presenta varios inconvenientes:
• Inestabilidad de ganancia.
• Sensibilidad a los ruidos.
• Proceso de saturación muy rápido.
Para solucionar los problemas anteriores se coloca una resistencia en serie con el
condensador, dando un diferenciador práctico. El análisis de éste es similar al realizado
anteriormente, sólo considerando que Z1 está formada por la impedancia del condensador en
serie con una resistencia.
10.1.2 Amplificador Integrador
La figura 10.2 muestra el circuito de un integrador elemental. Es uno de los

circuitos más importantes con AOP. No presenta los problemas del diferenciador, y es más
utilizado en la práctica. Este circuito presenta una salida proporcional a la integral de la
señal de entrada.
C2
If
R1 i
Vin a
Vd Vout
Figura 10.2 Amplificador Integrador.
79

Vin dV
+ C2 out = 0 (10-4)
R1 dt
De donde se obtiene:
t
1
R1C2 ∫0
Vout = Vin dt (10-5)
Si hubiera una tensión inicial en el condensador, su valor deberá sumarse al

resultado de la ecuación (10-5), por lo que en ocasiones, se utiliza un interruptor en paralelo
con el condensador para descargarlo antes de utilizar el integrador. El interruptor se cierra
para la descarga y debe volver a abrirse al comenzar el proceso de integración. Si se
aplica una señal rectangular simétrica a la entrada de un integrador, a la salida se tendrá una
señal triangular que es la integral de la entrada. Por otro lado, si la entrada es del tipo
senoidal, se pueden emplear fasores para el análisis.
El circuito de la figura 10.2 tiene la configuración inversora. Haciendo las

transformaciones fasoriales a los elementos quedaría un circuito que contiene impedancias,
en lugar de resistencia y condensador. Si se hace un análisis similar al efectuado en la
sección de configuración inversora, se puede encontrar que:
1
Z j 2πfC2 1
Av f = − f = =− (10-6)
Z1 R1 j 2πfR1C2
Nótese que la ganancia es inversamente proporcional a la frecuencia, lo que hace

que el circuito no sea tan sensible como el diferenciador a los ruidos de alta frecuencia.
En (10-6) muestra que, a medida que baja la frecuencia, la ganancia aumenta

considerablemente, tendiendo a infinito al aproximarse aquella a cero. Análogamente a
como se hizo en el diferenciador, para estabilizar la ganancia en baja frecuencia se coloca
una resistencia en paralelo con el condensador, dando un integrador práctico. El análisis de
éste es similar al realizado anteriormente, sólo considerando que Zf está formada por la
impedancia del condensador en paralelo con una resistencia.

En esta práctica se desarrollarán los circuitos de derivador e integrador, observando
su respuesta en frecuencia, así como la integración y derivación de ondas cuadradas.
80
10.3 Desarrollo
Material
V = ± 15 Volts
Amplificador operacional = UA741
R1= Rf =10 kΩ
C1 =0.047 µF
C2 = 20 pF
Generador de ondas
10.3.1 Construir el circuito 10.1. Complete la tabla 10-1.
Tabla 10-1
Vin Frecuencia Vout Avf Vout Avf
20 Hz
200 Hz
500 Hz
1 kHz
1.5 kHz
0.25 sen ωt 3 kHz
5 kHz
10 kHz
13 kHz
15 kHz
20 kHz
Aplique una señal cuadrada de 10 volts pico a pico y 1 kHz, dibuje señal de salida,
calcule de manera teórica la derivada de la señal y compárela con la de la práctica.
10.3.2 Construir el circuito 10.2, llene la tabla 10-2
Tabla 10-2
Vin Frecuencia Vout Avf Vout Avf
20 Hz
200 Hz
500 Hz
1 kHz
1.5 kHz
0.25 sen ωt 3 kHz
5 kHz
10 kHz
13 kHz
15 kHz
20 kHz
81
Apique una señal cuadrada de 5 volts pico a pico y 1 kHz, dibuje la señal de salida
del circuito, calcule de manera teórica la integral de la misma y compárela con la de la
práctica.
¾ Realizar las graficas de amplificación – frecuencia para ambos circuitos.

¾ Anote las conclusiones de cada uno de los circuitos analizados en esta práctica.
10.4 Simulación
Simule los circuitos 10.1 y 10.2, llene las tablas en lo correspondiente a simulación
y realice las gráficas de frecuencia - amplificación.
10.5 Conclusiones
El circuito de amplificación diferenciador o derivador en uno de los dispositivos
menos usados por que proporciona variaciones en el voltaje de salida ocasionadas por el
ruido, por lo cual es muy sensible, el circuito integrador, su aplicación mas común es la de
computador lógico en la cual implementa y resuelve ecuaciones lineales y diferenciales de
cualquier orden, por eso es importante el estudio de estos circuitos de amplificación.
10.6 Preguntas
10.6.1 ¿Mencione otras configuraciones de los amplificadores operacionales?
10.6.2 ¿Cuál es la ganancia máxima del amplificador operacional UA741?
10.6.3 ¿Qué es lo que proporciona un circuito integrador a la salida?
10.6.4 ¿Qué es lo que proporciona un circuito diferenciador a la salida?
10.6.5 ¿Qué otro uso tiene el circuito integrador y el diferenciador?
82
PRÁCTICA 11
FUENTES DE ALIMENTACIÓN REGULADAS
Objetivo: El poder comprender la estructura y funcionamiento de las fuentes reguladas, así

como también la comprensión de la regulación para la carga y de la red.
11.1.1 Regulación
La calidad de una fuente de alimentación depende de la regulación en su carga, la
regulación de red y la resistencia de salida.
La regulación para la carga indica cuánto cambia la tensión en la carga cuando

cambia la corriente en la carga. La definición de la regulación para carga es:
⎛ V − VFL ⎞
RV = ⎜⎜ NL ⎟⎟ x100% (11-1)
⎝ VNL ⎠
donde VNL = tensión en la carga sin corriente por la carga

VFL = tensión en la carga con corriente de carga máxima.
Con esta definición, VNL se produce cuando la corriente por la carga es cero y VFL
cuando la corriente por la carga alcanza el máximo valor del diseño
Regulación de red. La tensión actual que proporciona la red eléctrica puede variar desde los
105 a los 127 Vrms, dependiendo del momento del día, la población y otros factores. Como la
tensión en el secundario del transformador de distribución es directamente proporcional a la
tensión de red, la tensión en la carga cambiará cuando lo haga la tensión de red.
Otra forma de especificar la calidad de la fuente de alimentación regulada es a través

de su regulación de línea o regulación de red, definida como:
VHL − VLL
Reg. de red = x100% (11-2)
VLL
donde VHL = tensión en la carga para una tensión de red máxima.

VLL = tensión en la carga para una tensión de red mínima.
83
120 V
60 Hz
+
C
RL
-
Figura 11.1 Fuente de alimentación con filtro de entrada con condensador.
11.1.2 Resistencia de salida

La resistencia de Thevenin o de salida de una fuente de alimentación regulada determina la
regulación de la carga. Si una fuente de alimentación regulada tiene una resistencia de salida
baja, su regulación en la carga también será baja. La resistencia de salida se puede calcular de
la siguiente manera:
VNL − VFL
RTH = (11-3)
I FL
11.1.3 Reguladores en derivación

Con los de tipo en derivación, los dispositivos de regulación están en paralelo con la
carga. Como se vió en la práctica 2 el diodo Zener es usado para la regulación, pero para
grandes corrientes de carga, la RV de un regulador Zener empeora (aumenta), debido a que el
cambio de corriente a través de la resistencia Zener puede cambiar significativamente la
tensión de salida. Una manera de mejorar la regulación para carga en este caso es añadiendo
un transistor al circuito como el de la figura 11.2. Con este regulador en derivación, la tensión
en la carga es igual a:
Vout = VZ + VBE (11-4)
Así es como el circuito mantiene la tensión de salida constante: si la tensión de salida

intenta aumentar, este aumento es transmitido a través del diodo Zener a la base del transistor.
Esta tensión alta en la base del transistor produce mayor corriente de colector a través de RS.
La tensión cae a lo largo de RS compensando los aumentos de tensión en la salida. Un cambio
significativo será solamente un pequeño aumento en la tensión en la carga.
Inversamente, si la tensión de salida intenta disminuir, la tensión que retroalimenta la

base disminuye la corriente del colector, con lo que cae menos la tensión a lo largo de RS. De
nuevo, un intento de cambio en la tensión de salida es compensado por un cambio opuesto en
84
la tensión de la resistencia en serie. Esta vez, un cambio significativo es sólo una ligera
disminución en la tensión de salida.
RS
Vin
VZ
+
Vout RL
-
Figura 11.2 Regulador en Derivación Mejorado.
Una forma de reducir el efecto de VBE sobre la tensión de salida es con un regulador en
derivación como el que se muestra en la figura 11.3. El diodo Zener mantiene la entrada
inversora del amplificador operacional a una tensión constante. El divisor de tensión formado
por R1 y R2 muestrea la tensión en la carga e induce una tensión de retroalimentación en la
entrada no inversora. La salida del amplificador operacional excita la base del transistor.
Debido a la retroalimentación negativa, la tensión de salida se mantiene casi constante a pesar
de los cambios de red y carga.
RS
Vin
R2
R3
+
Vout RL
-
R1
VZ
Figura 11.3 Regulador en derivación con retroalimentación negativa alta.
En la figura 11.3 la gran ganancia de tensión del amplificador operacional elimina el

efecto de VBE de la ecuación (11-4). Por ello, la tensión en la carga viene dada por:
R1 + R2
Vout = VZ (11-5)
R1
Una forma de comparar reguladores de diferente diseño es con el rendimiento, definido

como:
85
Pin
Rendimiento = x100% (11-6)
Pout
Donde Pout es la potencia en la carga (VoutIL) y Pin es la potencia de entrada (VinIin). La

diferencia entre Pin y Pout es Preg, la potencia usada en los componentes del regulador, esto es:
Preg = Pin − Pout (11-7)
11.1.4 Reguladores en serie

El regulador serie más sencillo es el seguidor Zener mostrado en la figura 11.4. Como
se vió anteriormente, el diodo Zener funciona en su zona de ruptura, produciendo una tensión
en la base igual a la tensión Zener. El transistor está conectado como un seguidor de emisor.
Por lo tanto, la tensión en la carga es igual a:
Vout = VZ + VBE (11-8)
Si la tensión de red o la corriente en la carga cambian, las tensiones Zener y base-

emisor cambiarán sólo ligeramente. Por este motivo, en la tensión de salida sólo se aprecian
pequeños cambios cuando aparecen grandes variaciones en la tensión de red o la corriente en
la carga.
Figura 11.4 Regulador serie mediante seguidor Zener.
Con los reguladores serie, la corriente en la carga es aproximadamente igual a la

corriente de entrada, ya que la corriente que atraviesa RS es en general lo suficientemente
pequeña como para poder despreciarse en cálculos preliminares. El transistor de los
reguladores serie se llama transistor de paso, ya que toda la corriente de carga lo atraviesa.
Un regulador serie tiene mayor rendimiento que un regulador en derivación dado que
se han sustituido las resistencias por un transistor de paso. Ahora la única pérdida significativa
de potencia se produce en el transistor. El mayor rendimiento es la razón principal de preferir
los reguladores serie para aplicaciones con grandes corrientes de carga.
La figura 11.5 muestra un regulador serie con dos transistores. Si Vout trata de aumentar
por un aumento en la tensión de la red o en la resistencia de carga, aumentará la tensión de
86
retroalimentación en la base de Q1. Esto provoca un aumento de la corriente de colector en Q1

que atraviesa R4 y una disminución en la tensión en la base de Q2. Esta disminución de tensión
en la base del seguidor de emisor casi compensa completamente el aumento de tensión de
salida.
Similarmente, la tensión de salida trata de disminuir debido a una disminución de la

tensión de la red o de la resistencia de carga, lo que disminuirá la tensión de retroalimentación
en la base de Q1. Esto provoca un aumento de la tensión en la base de Q2, lo que aumenta la
tensión de salida compensando casi completamente el intento de disminución de la tensión de
salida. El efecto global es un ligero descenso en la tensión de salida.
Figura 11.5 Regulador serie con dos transistores.
Ls tensión de salida del circuito de la figura 11.5 esta dada por:
R1 + R2
Vout = (VZ + VE ) (11-9)
R1
Con reguladores serie como el de la figura 11.5 se puede utilizar un Zener de baja
tensión (de 5 a 6 V) con un coeficiente de temperatura aproximadamente cero. La tensión de
salida tendrá casi el mismo coeficiente de temperatura.
En la figura 11.5, la tensión diferencial entrada/salida se define como la diferencia

entre la tensión de entrada y la de la salida:
entrada
Tensión diferencial = Vin − Vout
salida
Para corrientes de carga altas, la disipación de potencia en el transistor de paso es muy

grande para los reguladores serie. En este caso se utilizan grandes disipadores de calor.
Algunas veces es necesario el uso de un ventilador para eliminar el exceso de calor dentro del
encapsulado. La potencia disipada en el transistor está dada por:
87
PD ≅ (Vin − Vout ) (11-10)
La figura 11.6 muestra el uso de un amplificador operacional para mejorar la

regulación. Si la tensión de salida trata de aumentar, aumenta la retroalimentación de tensión
en la entrada inversora del amplificador. Esto disminuye su salida, la tensión de la base del
transistor de paso y el intento de aumento en la tensión de salida. Si la tensión de salida trata
de disminuir, disminuye la tensión de retroalimentación en el amplificador operacional y
aumenta la tensión en la base del transistor de paso, con lo que compensa casi completamente
este intento de disminución en la tensión de salida.
Figura 11.6 Regulador serie con retroalimentación negativa alta.
La ecuación de la tensión de salida es casi la misma que para el regulador de la figura

9-8, excepto que la alta ganancia en tensión del amplificador operacional elimina el efecto de
VBE. Por ello, la tensión en la carga está dada por:
R1 + R2
Vout = VZ (11-11)
R1
A diferencia del regulador en derivación, el regulador serie de la figura 11.6 no tiene

protección contra cortocircuitos. Si accidentalmente se unen las terminales de la carga, la
corriente que atraviesa crecerá aproximándose a infinito, destruyendo el transistor de paso y
puede también destruir uno o más diodos de la fuente de alimentación no regulada que
alimenta el regulador serie. Para prevenir esta situación, la alimentación regulada incluye
normalmente alguna forma de regulación de corriente.
La figura 11.7 muestra una forma de limitar la corriente de carga a valores seguros. R4
es una resistencia pequeña llamada resistencia para limitación de corriente.
88
Figura 11.7 Regulador serie con limitador de corriente.
Cuando se cortocircuita la carga, Q1 conduce fuertemente y provoca una caída de

tensión en la base de Q2 a aproximadamente 1.4 V (las dos tensiones VBE están conectadas a
tierra). La corriente que atraviesa el transistor de paso típicamente está limitada a 700 mA.
Puede ser ligeramente inferior o superior a este valor, dependiendo de las características de los
dos transistores.
La resistencia R5 se añade al circuito dado que la impedancia de salida del

amplificador operacional es muy baja (75 normalmente). Sin R5, el transistor para limitación
de corriente no tiene suficiente ganancia de tensión para producir una limitación de corriente.
El diseñador escogerá un valor para R5 lo suficientemente grande como para producir una
ganancia en tensión en el transistor limitador de corriente, pero no tan elevada como para
impedir que el amplificador operacional excite al transistor de paso. Valores típicos para R5
son desde cien a algo más de mil ohms.
La figura 11.8 representa el límite de corriente. Como una aproximación, la gráfica

marca en 0.6 V la tensión a la cual comienza la limitación de corriente y 0.7 V como la tensión
para cortocircuito en la carga. Cuando la corriente en la carga es pequeña, la tensión de salida
permanece constante hasta un valor de VBE aproximadamente igual a 0.6 V. Más allá de este
punto, Q1 conduce y se activa la limitación de corriente.
Aumentos adicionales de IL disminuirán la tensión en la carga y desaparecerá la

regulación. Cuando la carga está cortocircuitada, la corriente en la misma está limitada a un
valor ISL, corriente en la carga con las terminales cortocircuitadas (shorted-load terminals).
89
Figura 11.8 Grafica de la tensión en la carga frente a la corriente por carga con un limitador de
corriente simple.
11.1.5 Reguladores integrados de tres terminales

Existe una gran variedad de circuitos integrados lineales para regulación de tensión con
un número de terminales que van de 3 a 14. Todos son reguladores serie dado que tienen un
rendimiento mayor que los reguladores en derivación. Algunos reguladores integrados se
utilizan en aplicaciones especiales en las que resistencias externas establecen la limitación de
corriente, la tensión de salida, etc. Los reguladores integrados usados mayoritariamente son
los que únicamente tienen tres terminales: una para la tensión de entrada sin regular, otra para
la tensión de salida regulada y una tercera de toma tierra.
La mayoría de los reguladores integrados tienen uno de los siguientes tipos de salida:
positiva fija, negativa fija o ajustable. Los reguladores integrados con salida fija positiva o
negativa son ajustados de fábrica para obtener deferentes tensiones fijas en un rango que va de
los 5 a los 24 V. Los reguladores integrados con salida variable pueden cambiar los valores de
la tensión de salida desde menos de 2 V hasta más de 40 V.
Los reguladores integrados se clasifican también como estándar, de baja potencia y de
baja tensión diferencial. Los reguladores integrados estándar están diseñados para aplicaciones
sencillas y no críticas. Pueden soportar corrientes de más de 1 A, con disipadores de calor.
La figura 11.9 muestra el diagrama de bloques funcional para los distintos dispositivos
de la serie 78XX: Una tensión de referencia Vref incluida en él alimenta la entrada no
inversora del amplificador. La regulación de tensión es parecida a la estudiada anteriormente.
Un divisor de tensión compuesto por R’1 y R’2 muestrean la tensión de salida y devuelven una
tensión de retroalimentación a la entrada inversora de un amplificador de ganancia alta. La
tensión de salida viene dada por:
R1′ + R2′
Vout = Vref (11-12)
R!′
En (11-12) la tensión de referencia es equivalente a la tensión Zener de los reguladores

anteriores. Las primas incluidas en R’1 y R’2 indican que estas resistencias son internas al
90
circuito integrado. Estas resistencias están reguladas de fábrica para conseguir las distintas
tensiones de salida (de 5 a 24 V) de la serie 78XX. La tolerancia de la tensión de salida es de ±
4 por ciento.
Figura 11.9 Diagrama de bloques funcional de un regulador integrado de tres terminales
La serie LM78XX (donde XX = 05, 06, 08, 10, 12, 15, 18 ó 24) está compuesta por
reguladores de tensión típicos de tres terminales. El 7805 produce una salida de +5 V, el 7806
una de +6 V, el 7808 una de +8 V, etc., hasta el 7824, que produce una salida de +24 V.
Los LM78XX incluyen un transistor de paso que puede soportar corrientes de carga de
1 A, siempre que cuente con el disipador de calor adecuado. Incluyen también una protección
térmica y limitación de corriente. La protección térmica provoca la caída del funcionamiento
del chip cuando la temperatura interna se hace demasiada alta, del orden de los 175 °C. Ésta es
una precaución para evitar la excesiva disipación de potencia, la cual depende de la
temperatura ambiente, tipo del disipador de calor y otras variables. La existencia de la
protección térmica y la limitación de corriente hacen de la serie 78XX unos dispositivos casi
indestructibles.
La figura 9-15a muestra un LM7805 conectado como un regulador de tensión fijo. El
pin 1 es la entrada, el pin 2 la salida y el 3 la toma tierra. El LM7805 tiene una tensión de
salida de +5 V y una corriente por la carga máxima sobre 1 A. La regulación de carga típica es
de 10 mV para una corriente por la carga de entre 5 mA y 1,5 A: La regulación típica de red es
de 3 mV para una tensión de entrada de entre 7 a 25 V. Tiene un rechazo al rizo de 80 dB, lo
que significa que reducirá el rizado de la entrada en un factor de 10,000. Con una resistencia
de salida de aproximadamente 0.01 ., el LM7805 es una fuente de tensión muy estable para
todas las cargas en este rango de corriente.
Cuando un circuito integrado está conectado a unos cuantos centímetros del filtro
capacitivo de la fuente de alimentación no regulada, la inductancia de las terminales de
conexión puede producir oscilaciones dentro del integrado. Es por esta razón que los
fabricantes recomiendan el uso de un condensador de desacoplo C1 en el pin 1, como se
muestra en la figura 9-15b. Para mejorar la respuesta transitoria de la tensión de salida
regulada, se usa algunas veces un condensador de desacoplo C2. Valores típicos para
cualquier condensador de desacoplo van desde 0.1 a 1 µF. La hoja de características de la serie
LM78XX sugiere 0.22 µF para el condensador de entrada y 0.1 µF para el de salida.
91
Figura 11.10 a) Un 7815 para regular tensión, b) Un condensador en la entrada evita

oscilaciones y uno en la salida mejora la respuesta en frecuencia.
11.2 Desarrollo
11.2.1 Material para el circuito 11.1
Resistencias Puente de diodos Capacitor Autotransformador Medición

Osciloscopio y
RL=10 2W005M 4700µF 127VRMS –12VRMS
Amperímetro
11.2.2 Material circuito 11.3
Resistencias (Ω) Zener OPAMP Excitación Transistor

OPAMP (Q1 y Q2)
R1=1k R3=220 RL=20 Fuente de
R5=75 1N4740 UA741 BC234
R2=470 RS=5 R4=1 ±15 VCD
1. Construya el circuito de la figura 11.1 y registre en la tabla 11-1 lo que se le pide.

2. Posteriormente agregue el circuito de la figura 11.3 (regulador en derivación con
retroalimentación negativa) antes de la salida de carga del circuito del la figura .11.1
3. El paso siguiente es el desconectar el circuito de la figura 11.3 y remplazar por el de la

figura 11.6 (regulador serie con retroalimentación negativa alta).
4. Agregue al circuito 11.6 el transistor y la resistencia para formar el circuito de la figura
11.7 (Regulador serie con limitador de corriente), conmute la resistencia de carga con
un interruptor y observe el comportamiento de la corriente.
5. Finalmente desconecte el circuito de la figura 11.7 y reemplace por el regulador
integrado de tres terminales LM7815 y conéctelo a la salida del rectificador, registre
los resultados, consiga la hoja de parámetros del integrado mencionado y compare con
los resultados obtenidos, anote sus conclusiones.
92
Tabla 11.1
Práctica
Reg. Reg.
R de
Circuito VNL VFL VHL VLL IFL de de Rendimiento
salida
carga red
11.1
11.3
11.6
11.7
LM7815
11.3 Simulación
Simule todos los circuitos realizados en esta práctica y complete la tabla 11.2 en lo referente a
la simulación.
Tabla 11.2
Simulación
VNL VFL VHL VLL IFL Reg. Reg. R de Rendimiento
de de salida
carga red
11.1
11.6
11.6
11.7
LM7815
11.4 Conclusiones
La regulación de voltaje es una de las aplicaciones más comunes en la electrónica, esta se
utiliza en diversos tipos de equipos electrónicos como son los reguladores de las computadoras
y todo equipo que necesite un valor constante de voltaje a cambios de carga, se diseñan en
base a las configuraciones vistas en la práctica dependiendo de la eficiencia que requiera el
sistema en el cual se va a aplicar.
11.5 Preguntas
11.5.1 ¿Cuáles son las ventajas y las desventajas de los reguladores en derivación en
comparación con los en serie?
11.5.2 ¿Qué significa dropout en un regulador integrado de tres terminales?
11.5.3 Explique la clasificación de los reguladores integrados de tres terminales y en que
clasificación cae el integrado que se utilizó en esta práctica.
11.5.4 Nombre algunas otras aplicaciones de las fuentes reguladas.
11.5.6 ¿Qué diferencia existe entre una fuente regulada y una conmutada?
93

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UASLP – FI Laboratorio de Electrónica I Práctica 1

COMPORTAMIENTO DEL DIODO Y EL PROCESO DE RECTIFICACIÓN

1.1 Antecedentes teóricos

Figura 1.1 Símbolo eléctrico del diodo.

Esta unión tiene la propiedad de conducir la corriente eléctrica en un sólo sentido,

Figura 1.2 Curva típica del diodo.

La gráfica tiene varios puntos de importancia por nombrar:

1.1.1 Hojas técnicas del diodo

Esta hoja de especificaciones fue tomada de la página de Internet http://www.NTE.com.

1.2 Descripción de la práctica

Métodos para identificar la polaridad de un diodo

Figura 1.3 Probador de diodos.

3. El método más común es utilizando el óhmetro, sabiendo que el diodo en polarización

1.5 Antecedentes Teóricos

El voltaje máximo de onda ya rectificada, sólo puede ser medido mediante el

Voltaje máximo en función del voltaje de pico a pico

Voltaje RMS en función del voltaje pico a pico

Voltaje RMS en función del voltaje máximo

Figura 1.8 Forma de onda de voltaje de CA.

Voltaje promedio media onda.

Voltaje promedio onda completa.

1.6 Descripción de la práctica

VCA VCD RL1

Figura 1.9 Rectificador de media onda.

Figura 1.10 Rectificador de onda completa (secundario con derivación).

Figura 1.11 Rectificador de onda completa (tipo puente).

Figura 1.12 Rectificador trifásico de media onda.

220 VCA RL5

Figura 1.13 Rectificador trifásico de onda completa.

Analizando el circuito mostrado en la figura 1.9 y la forma de onda de la figura 1.4,

En resumen, en el proceso de rectificación, la función del diodo es permitir o no el

Para cumplir con la finalidad de la rectificación, que es lograr una tensión de

1.10.1 ¿Por qué se dice que un diodo es un elemento no lineal?

1.10.2 ¿Qué es la barrera de potencial?

1.10.3 ¿Cuáles son las propiedades de los semiconductores?

1.10.4 ¿Cómo se puede diferenciar los diodos de germanio y de silicio?

1.10.7 ¿Cuál es el circuito duplicador de voltaje?

2.1 Antecedentes teóricos

Figura 2.1 Curva Característica del Zener.

El símbolo de circuito para el diodo Zener es diferente al diodo rectificador y se

Figura 2.2 Símbolo eléctrico del Zener.

Los diodos Zener o diodos de avalancha son diodos semiconductores de unión PN

2.1.2 Hoja de características del diodo Zener

Parámetros importantes para la elección del diodo

a) Tipo de dispositivo con el número genérico o el número del fabricante.

2.2 Descripción de la práctica

Figura 2.3 Circuito de polarización del Zener.

El diodo Zener es el único elemento no lineal en el circuito, se desconecta en forma

X' X' X'

Figura 2.4 Simplificación del circuito.

Evaluación del circuito mediante el equivalente de Thévenin.

Para el circuito de análisis, no es necesaria la simplificación completa del circuito, ya

Figura 2.5 Circuito de Thévenin.

Circuito regulador con Zener en combinación con el rectificador de onda completa

Para observar el comportamiento como regulador de voltaje del Zener, conecte el

Capacitor Regulador Circuito de

El circuito está compuesto por un transformador, un puente rectificador, un capacitor y

2.- RELACION DE VUELTAS DEL TRANSFORMADOR: En el proceso de diseño

Aunque existe algo de libertad en la elección de n, deberá ser seleccionada de forma

= 17 V. El voltaje pico del capacitor al final de cada intervalo de recarga se convierte

Dados lo valores anteriormente seleccionados de Vmax y de VZ, se deberá escoger el

La duración del intervalo de descarga del capacitor será aproximadamente igual a

El Zener debe mantenerse en ruptura inversa, aun cuando el capacitor se haya

Por lo que se escogerá una capacitancia C1 de forma que: