UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS
Universidad del Perú, Decana de América
FACULTAD DE INGENIERÍA ELECTRICA Y
ELECTRÓNICA

PROFESOR: Ing. HORACIO ALFONSO JESUS CHACON CURSACK

ALUMNO: CÓDIGO:
MARTINEZ FLORES EDGAR BILL 13190057

E.A.P.: INGENIERÍA DE TELECOMUNICACIONES

CURSO: LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS II

TIPO DE INFORME: INFORME PREVIO Nº 1

TEMA: CONFIGURACIÓN EN CASCADA

AÑO: 2020
 INFORME PREVIO Nº 1
CONFIGURACIÓN EN CASCADA

Objetivos:
 Verificar el concepto de amplificación de un transistor BJT con
configuración de emisor común
 Conocer los parámetros más importantes del análisis en AC de un
transistor BJT con configuración de emisor común
Marco teórico:

El transistor bipolar, conocido también por BJT (siglas de su denominación

inglesa Bipolar Junction Transistor), es un dispositivo de tres terminales
denominados emisor, base y colector.

La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente

dependiente de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el
terminal de colector es controlada por la corriente en el terminal de base. La
mayoría de funciones electrónicas se realizan con circuitos que
emplean transistores, sean bipolares o de efecto de campo, los cuales son los
dispositivos básicos de la electrónica moderna.
Cuando un transistor BJT opera como amplificador de señales, existen 3
configuraciones básicas que son base común, emisor común y colector común,
las cuales se muestran a continuación:
Configuraciones amplificadoras básicas de un BJT
Cuestionario:
1.- explique cómo se obtiene la impedancia de entrada y salida de un
amplificador transistorizado configuración emisor común.
Para analizar el funcionamiento de un transistor como amplificador se utilizan
circuitos equivalentes o modelos del transistor que simulan de forma
aproximada su comportamiento real en condiciones específicas de operación
permitiéndonos hallas de forma más ordenada y simplificada cada uno de sus
parámetros.
Para hallar la impedancia de entrada y de salida de un amplificador
transistorizado con configuración de emisor común haremos uso del modelo
equivalente hibrido completo el cual se muestra a continuación:

La impedancia de entrada del transistor se define de la siguiente manera:

Ya que sabemos que por lo general los parámetros h o y hr toman valores muy
pequeños entonces podemos aproximar la impedancia de entrada de la
siguiente manera:
Zi =hi

Si ahora consideramos que hay existe una resistencia de base (R b) entonces la

impedancia de entrada Z'i del amplificador seria:

Z'i =R b‖hi

La impedancia de salida del transistor se define de la siguiente manera:

En este caso cuando el segundo factor en el denominador es suficientemente
menor que el primero la impedancia de salida de puede aproximar de la
siguiente manera:
1
Z o=
ho

Si ahora consideramos que existe una resistencia de colector (R C) entonces la

impedancia de salida Z'O del amplificador seria:

Z'O = Rc‖Z o

2.- Indique cuál es la ganancia de tensión Av de un amplificador emisor

común.
Partiendo del modelo equivalente hibrido completo del transistor, la ganancia
de tensión Av del transistor con carga se define de la siguiente manera:

En este caso cuando el factor (hi ho −h f hr ) R L es suficientemente pequeño

comparado con hi la ganancia se puede aproximar de la siguiente manera:
−hf R L
A v=
hi

Si consideramos que existe una resistencia de colector (R C) entonces la

ganancia de tensión Av del transistor con carga seria:
−hf ( R c‖ R L )
A v=
hi