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Transistor de ADN de efecto de campo

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Un transistor de ADN de efecto de campo (o DNAFET, de DNA field-effect
transistor) es un transistor de efecto de campo (FET) que utiliza el efecto de
campo generado por las cargas parciales de las moléculas de ADN para actuar
como un biosensor. La estructura de los DNAFET es similar a la de
los MOSFET, con la excepción de la estructura de la puerta que, en los
DNAFET, es reemplazada por una capa de moléculas de cadenas sencillas de
ADN que actúan como receptores de superficie. Cuando las cadenas del ADN
complementario hibridan los receptores, cambia la distribución de la carga
cerca de la superficie, lo que modula el transporte en curso a través
del transductor semiconductor.
Se pueden usar chips de DNAFET para detectar polimorfismos de nucleótido
simple (que pueden causar varias enfermedades hereditarias) y
para secuenciación de ADN. Su principal ventaja en comparación con los
métodos de detección óptica de uso común actualmente, es que no requieren
el marcaje de moléculas. Además, trabajan continuamente y (casi) en tiempo
real. Los DNAFET son altamente selectivos, ya que sólo uniones específicas
modulan el transporte de carga.

Referencias[editar]
 Li et al., Nano Lett., 2004, vol. 4, no. 2, pp.
245-247.
 Souteyrand et al., J. Phys. Chem. B, 1997,
vol. 101, pp. 2980-2985.
 Fritz et al., PNAS, 2002, vol. 99, pp. 14142-
14146.

 Proyectos Wikimedia

  Datos: Q778314

 Identificadores

 Microsoft Academic: 67656411
Categoría: 
 Biotecnología
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