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REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA EDUCACION UNIVERSITARIA
UNIVERSIDAD POLITECNICA TERRITORIAL DEL ZULIA
DEPARTAMENTO DE INSTRUMENTACION Y CONTROL
SISTEMA DE CÓMPUTO

TEMA 2 Tecnologías TTL y CMOS

TRABAJO ASIGNADO EN LA UNIDAD CURRICULAR SISTEMA DE COMPUTO

Autor: Br. Osward Olivares

C.I: 13.841.890

Facilitador: Ing. José Alvarado

Cabimas, Mayo de 2021

TRABAJO ASIGNADO EN LA UNIDAD CURRICULAR SISTEMA DE COMPUTO
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ÍNDICE GENERAL
pp.

ÍNDICE GENERAL........................................................................................................ iii

INTRODUCCIÓN.......................................................................................................... 1
TEMA II TECNOLOGIA TTL.
TTL Definicion..........................................................................................................2
TTL Características..................................................................................................2
TTL Historia………………........................................................................................3
Tecnología............................................................................................................. ..3
Aplicaciones ……………........................................................................................ ..4
TEMA II TECNOLOGIA CMOS.
CMOS Definicion.................................................................................... .................4
CMOS Características............................................................................................ .4
CMOS Historia…………….......................................................................................5
Tecnología.............................................................................................................. ..6
Aplicaciones ……………................................................................................................ 6
CONCLUSIONES.................................................................................................... ..9
REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS................................................................... .....10

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INTRODUCCION
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Como consecuencia de las diferentes técnicas de fabricación de los circuitos

integrados, podemos encontrarnos con diversas familias lógicas, que se clasifican
en función de los transistores con los que están construidas.
Así, cuando se utilizan transistores bipolares se obtiene la familia denominada
TTL, y si se utilizan transistores unipolares, se obtiene la familia CMOS. Cada
una de estas familias tiene sus ventajas e inconvenientes, por eso, para el diseño
de equipos digitales se utilizará la más adecuada en cada caso.

Las características de todas las familias lógicas integradas son las siguientes:
• Alta velocidad de propagación.
• Mínimo consumo.
• Bajo coste.
• Máxima inmunidad al ruido y a las variaciones de temperatura.

A continuación estudiaremos ambos tipos de familias: TTL y CMOS.

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DESARROLLO

TTL DEFINICION:

TTL es la sigla en inglés de transistor-transistor logic, es decir, «lógica transistor a

transistor». Es una tecnología de construcción de circuitos electrónicos digitales.
En los componentes fabricados con tecnología TTLRS los elementos de entrada y
salida del dispositivo son transistores bipolares

Figura 1. Puerta NAND en tecnología TTL estándar (N).

CARACTERÍSTICAS

Su tensión de alimentación característica se halla comprendida entre los 4,75V y

los 5,25V (como se ve, un rango muy estrecho). Normalmente TTL trabaja con 5V.
Los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida entre
0,0V y 0,8V para el estado L (bajo) y los 2,2V y Vcc para el estado H (alto).
La velocidad de transmisión entre los estados lógicos es su mejor base, si bien esta
característica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por
el cual han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, entre otros y
últimamente los CMOS: HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco
más de los 400 MHz.
Las señales de salida TTL se degradan rápidamente si no se transmiten a través de
circuitos adicionales de transmisión (no pueden viajar más de 2 m por cable sin
graves pérdidas).

HISTORIA

Aunque la tecnología TTL tiene su origen en los estudios de Sylvania,

fue Signetics la compañía que la popularizó por su mayor velocidad e inmunidad al
ruido que su predecesora DTL, ofrecida por Fairchild Semiconductor y Texas
Instruments, principalmente. Texas Instruments inmediatamente pasó a fabricar
TTL,con su familia 74xx que se convertiría en un estándar de la industria.

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FAMILIAS

Los circuitos de tecnología TTL se prefijan normalmente con el número 74 (54 en

las series militares e industriales). A continuación un código de una o varias cifras
que representa la familia y posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.
Con respecto a las familias cabe distinguir:

TTL: serie estándar.

TTL-L (low power): serie de bajo consumo.
TTL-S (schottky): serie rápida (usa diodos Schottky).
TTL-AS (advanced schottky): versión mejorada de la serie anterior.
TTL-LS (low power schottky): combinación de las tecnologías L y S (es la familia
más extendida).
TTL-ALS (advanced low power schottky): versión mejorada de la serie LSS.
TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky).
TTL-AF (advanced FAST): versión mejorada de la serie F.
TTL-HCT (high speed C-MOS): Serie HC dotada de niveles lógicos compatibles con
TTL.

TECNOLOGÍA

La tecnología TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la primera la que le
nombra:
Etapa de entrada por emisor: se utiliza un transistor multiemisor en lugar de la
matriz de diodos de DTL.
Separador de fase: es un transistor conectado en emisor común que produce en su
colector y emisor señales en contrafase.
Driver: está formada por varios transistores, separados en dos grupos. El primero
va conectado al emisor del separador de fase y drenan la corriente para producir el
nivel bajo a la salida. El segundo grupo va conectado al colector del divisor de fase
y produce el nivel alto.
Esta configuración general varía ligeramente entre dispositivos de cada familia,
principalmente la etapa de salida, que depende de si son búferes o no y si son
de colector abierto, tres estados (ThreeState), etc.
Se presentan mayores variaciones entre las distintas familias: 74N, 74L y 74H que
difieren principalmente en el valor de las resistencias de polarización, pero los 74LS
(y no 74S) carecen del transistor multiemisor característico de TTL. En su lugar
llevan una matriz de diodos Schottky (como DTL). Esto les permite aceptar un
margen más amplio de tensiones de entrada, hasta 15V en algunos dispositivos,
para facilitar su interfaz con CMOS.
También es bastante común, en circuitos conectados a buses, colocar un transistor
PNP a la entrada de cada línea para disminuir la corriente de entrada y así cargar
menos el bus. Existen dispositivos de interfaz que integran impedancias de
adaptación al bus para disminuir las reflexiones o aumentar la velocidad

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APLICACIONES

Además de los circuitos LSI y MSI descritos aquí, las tecnologías LS y S también
se han empleado en:

 Microprocesadores, como el 8X300, de Signetics, la familia 2900 de AMD y

otros.
 Memorias RAM.
 Memorias PROM.
 Programmable array logic, o PAL, consistente en una PROM que interconecta
las entradas y cierto número de puertas lógicas.

TEMA II TECNOLOGIA CMOS.

CMOS DEFINICION

El semiconductor complementario de óxido metálico o complementary metal-oxide-

semiconductor (CMOS) es una de las familias lógicas empleadas en la fabricación
de circuitos integrados. Su principal característica consiste en la utilización conjunta
de transistores de tipo pMOS y tipo nMOS configurados de forma tal que, en estado
de reposo, el consumo de energía es únicamente el debido a las corrientes
parásitas, colocado en la placa base.
En la actualidad, la mayoría de los circuitos integrados que se fabrican usan la
tecnología CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores
digitales de señales y muchos otros tipos de circuitos integrados digitales de
consumo considerablemente bajo.

Figura 2. Circuito inversor en tecnología CMOS

CMOS CARACTERÍSTICAS

Drenador (D) conectada a tierra (Vss), con valor 0; el valor 0 no se propaga al

surtidor (S) y por lo tanto a la salida de la puerta lógica. El transistor pMOS, por el
contrario, está en estado de conducción y es el que propaga valor 1 (Vdd) a la
salida.
Otra característica importante de los circuitos CMOS es que son “regenerativos”:
una señal degradada que acometa una puerta lógica CMOS se verá restaurada a
su valor lógico inicial 0 o 1, siempre que aún esté dentro de los márgenes de ruido
que el circuito pueda tolerar.1

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CMOS HISTORIA

La tecnología CMOS fue desarrollada por Wanlass y Sah,2 de Fairchild

Semiconductor, a principios de los años 1960. Sin embargo, su introducción
comercial se debe a RCA, con su famosa familia lógica CD4000.
Posteriormente, la introducción de un búfer y mejoras en el proceso de oxidación
local condujeron a la introducción de la serie 4000B, de gran éxito debido a su bajo
consumo (prácticamente cero, en condiciones estáticas) y gran margen de
alimentación (de 3 a 18 V).
RCA también fabricó LSI en esta tecnología, como su familia COSMAC de amplia
aceptación en determinados sectores, a pesar de ser un producto caro, debido a la
mayor dificultad de fabricación frente a dispositivos NMOS.
Pero su talón de Aquiles consistía en su reducida velocidad. Cuando se aumenta la
frecuencia de reloj, su consumo sube proporcionalmente, haciéndose mayor que el
de otras tecnologías. Esto se debe a dos factores:
La capacidad MOS, intrínseca a los transistores MOS.
La utilización de MOS de canal P, más lentos que los de canal N, por ser
la movilidad de los huecos menor que la de los electrones.
El otro factor negativo era la complejidad que conlleva el fabricar los dos tipos de
transistores, que obliga a utilizar un mayor número de máscaras.
Por estos motivos, a comienzos de los 80, algunos autores pronosticaban el final de
la tecnología CMOS, que sería sustituida por la novedosa I2L, entonces
prometedora.
Esta fue la situación durante una década, para, en los ochenta, cambia el escenario
rápidamente:
Por un lado, las mejoras en los materiales, técnicas de litografía y fabricación,
permitían reducir el tamaño de los transistores, con lo que la capacidad MOS
resultaba cada vez menor.
Por otro, la integración de dispositivos cada vez más complejos obligaba a la
introducción de un mayor número de máscaras para asegurar el aislamiento entre
transistores, de modo que no era más difícil la fabricación de CMOS que de NMOS.

En este momento empezó un eclosión de memorias CMOS, pitos de 256x4 bits de

la 5101 a 2kx8 de la 6116 y 8Kx8 en la 6264, superando, tanto en capacidad como
consumo reducido y velocidad a sus contrapartidas NMOS. También los
microprocesadores, NMOS hasta la fecha, comenzaron a aparecer en versiones
CMOS (80C85, 80C88, 65C02, etc.).
Y aparecieron nuevas familias lógicas, HC y HCT en competencia directa con
la TTL-LS, dominadora del sector digital hasta el momento.
Para entender la velocidad de estos nuevos CMOS, hay que considerar la
arquitectura de los circuitos NMOS:

Uso de cargas activas. Esto es, un transistor se polariza con otros transistores y no
con resistencias debido al menor tamaño de aquellos. Además, el transistor MOS
funciona fácilmente como fuente de corriente constante. Entonces un inversor se
hace conectando el transistor inversor a la carga activa. Cuando se satura el
transistor, drena toda la corriente de la carga y el nivel da salida baja. Cuando se

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corta, la carga activa inyecta corriente hasta que el nivel de salida sube. Y aquí está
el compromiso: es deseable una corriente pequeña porque reduce la necesidad de
superficie en el silicio (transistores más pequeños) y la disipación (menor
consumo). Pero las transiciones de nivel bajo a nivel alto se realizan porque la
carga activa carga la capacidad MOS del siguiente transistor, además de las
capacidades parásitas que existan, por lo que una corriente elevada es mejor, pues
se cargan las capacidades rápidamente.

TECNOLOGÍA

La tecnología CMOS mejora estos dos factores:

Elimina la carga activa. La estructura complementaria hace que solo se consuma
corriente en las transiciones, de modo que el transistor de canal P puede aportar la
corriente necesaria para cargar rápidamente las capacidades parásitas, con un
transistor de canal N más pequeño, de modo que la célula resulta más pequeña
que su contrapartida en NMOS.
En CMOS se suelen sustituir los registros dinámicos por estáticos, debido a que así
se puede bajar el reloj hasta cero y las reducidas dimensiones y bajo consumo de
la celda CMOS ya no hacen tan atractivos los registros dinámicos.
Por último, se suelen emplear transistores pequeños, poniendo una celda mayor
para la interfaz con las patillas, ya que las necesidades de corriente son mucho
mayores en las líneas de salida del chip.
La disminución del tamaño de los transistores y otras mejoras condujo a nuevas
familias CMOS: AC, ACT, ACQ, etc.

APLICACIONES

Inicialmente, se fabricaron circuitos CMOS con la misma disposición de las puertas

en los circuitos integrados que en las familias TTL. Así, se generó la familia 74 C,
compatible con la familia TTL, cuyas características son muy parecidas a las de la
familia 4 000. Debido a las mejoras en la fabricación, se desarrollaron las series
74HC (alta velocidad) y la 74HCT (alta velocidad compatible con los niveles TTL).
Estas series poseen características muy parecidas a las LS de la familia TTL, pero
con consumos inferiores.
Las series más utilizadas son las 74HCxx, donde HC significa High speed CMOS.
El tiempo de propagación de estas series ofrece valores del orden de 8 ns y se
alimentan con tensiones de entre 2 y 6 V.

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Otra serie es la 54, que presenta las mismas características que la serie 74, con la diferencia de que la temperatura de
trabajo está comprendida entre 255 ºC y 125 ºC. Esta serie se utiliza en aplicaciones espaciales.
Las puertas más utilizadas son las de la serie 74, que son más comerciales. En concreto, las más empleadas son las que
tienen como referencia 74Lxx, donde la L significa Low-power, y cuyas características son:

Potencia disipada por puertas: 1 mW. • Tiempo de propagación: 33 ns. A su vez, la S (74 Sxx) signifi ca Schottky, y sus
características son:
• Potencia disipada por puertas: 19 mW. • Tiempo de propagación: 3 ns. Finalmente, LS (74 LSxx) signifi ca Low-power
Schottky, y sus características son: • Potencia disipada por puertas: 2 mW. • Tiempo de propagación: 10 ns.

VIH VIL VOH VOL Tiempo de propagación Disipación de

Tecnologías Tensión Temp
mín. máx mín. máx. medio potencia
Entre 4,5 y
TTL 5,5 V
0 y 70 ºC. 2,0 V. 0,8 V. 2,4 V. 0,4 V. 10 ns. 10 mW por función.
Varían inversamente con la
Entre 3 y 18 tensión de alimentación, siendo
CMOS V.
-40 y 85 ºC. 3,5 V; 1,5 V 4,95 V; 0,05 V.
de 60 ns para 5 V y de 30 ns
10 nW.
para 10 V.
CUADRO 1. CUADRO COMPARATIVO DE LAS TECNOLOGÍAS TTL Y CMOS

Compatibilidad de corriente Compatibilidad de tensión

Si queremos conectar la salida de un circuito con la entrada de otro
circuito, se tiene que verificar que:
Para conectar la salida de un circuito con la entrada de otro, el circuito de
la salida debe suministrar suficiente corriente en su salida, tanta como
necesite la entrada del otro circuito. Por tanto se tiene que cumplir que:

Dado que la primera condición se cumple casi siempre, lo que tenemos

es que verificar que se cumple la última (de nivel alto).
CUADRO 2. CUADRO DE COMPATIBILIDAD ENTRE LAS FAMILIAS LÓGICAS TTL Y CMOS

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CUADRO VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LAS TECNOLOGÍAS TTL Y CMOS

Tecnologías Ventajas Desventajas

TTL
Debido al carácter capacitivo de los transistores
MOSFET, y al hecho de que estos son
La familia lógica tiene una serie de ventajas que
empleados por duplicado en parejas nMOS-
la hacen superior a otras en la fabricación de
pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es
circuitos integrados digitales:
comparativamente menor que la de otras
El bajo consumo de potencia estática, gracias a
familias lógicas.
la alta impedancia de entrada de los
Son vulnerables a latch-up: Consiste en la
transistores de tipo MOSFET y a que, en estado
existencia de un tiristor parásito en la estructura
de reposo, un circuito CMOS solo
CMOS que entra en conducción cuando la
experimentará corrientes parásitas. Esto es
salida supera la alimentación. Esto se produce
debido a que en ninguno de los dos estados
con relativa facilidad debido a la componente
lógicos existe un camino directo entre la fuente
inductiva de la red de alimentación de los
de alimentación y el terminal de tierra, o lo que
circuitos integrados. El latch-up produce un
CMOS es lo mismo, uno de los dos transistores que
camino de baja resistencia a la corriente de
forman el inversor CMOS básico se encuentra
alimentación que acarrea la destrucción del
en la región de corte en estado estacionario.
dispositivo. Siguiendo las técnicas de diseño
Gracias a su carácter regenerativo, los circuitos
adecuadas este riesgo es prácticamente nulo.
CMOS son robustos frente a ruido o
Generalmente es suficiente con espaciar
degradación de señal debido a
contactos de sustrato y pozos de difusión con
la impedancia del metal de interconexión.
suficiente regularidad, para asegurarse de que
Los circuitos CMOS son sencillos de diseñar.
está sólidamente conectado a masa o
La tecnología de fabricación está muy
alimentación.
desarrollada, y es posible conseguir densidades
Según se va reduciendo el tamaño de los
de integración muy altas a un precio mucho
transistores, las corrientes parásitas empiezan a
menor que otras tecnologías.
ser comparables a las corrientes dinámicas
(debidas a la conmutación de los dispositivos).

CUADRO 3. VENTAJAS Y DESVENTAJAS DE LAS TECNOLOGÍAS TTL Y CMOS

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CONCLUSION

En conclusión los diseñadores de circuitos integrados solucionan los problemas que

se plantean en la integración, esencialmente, con el uso de transistores. Esto
determina las tecnologías de integración que, actualmente, existen y se deben a dos
tipos de transistores que toleran dicha integración: los bipolares y los CMOS y sus
variantes.

A) Tecnología TTL: Lógica de Transistor a Transistor. Esta tecnología, hace uso de

resistencias, diodos y transistores bipolares para obtener funciones lógicas estándar.

B) Tecnología CMOS: Lógica MOS Complementaria. Esta tecnología, hace uso

básicamente de transistores de efecto de campo NMOS Y PMOS.

En la familia lógica MOS Complementaria, CMOS (Complementary Metal-Oxide

Semiconductor), el término complementario se refiere a la utilización de dos tipos de
transistores en el circuito de salida, en una configuración similar a la tótem-pole de la
familia TTL. Se usan conjuntamente MOSFET (MOS Field-Effect transistor, transistor
de efecto campo MOS) de canal n (NMOS) y de canal p (PMOS ) en el mismo circuito,
para obtener varias ventajas sobre las familias P-MOS y N-MOS. La tecnología CMOS
es ahora la dominante debido a que es más rápida y consume aún menos potencia
que las otras familias MOS. Estas ventajas son opacadas un poco por la elevada
complejidad del proceso de fabricación del CI y una menor densidad de integración.
De este modo, los CMOS todavía no pueden competir con MOS en aplicaciones que
requieren lo último en LSI.

La lógica CMOS ha emprendido un crecimiento constante en el área de la MSI,

principalmente a expensas de la TTL, con la que compite directamente. El proceso de
fabricación de CMOS es más simple que el TTL y tiene una mayor densidad de
integración, lo que permite que se tengan más circuitos en un área determinada de
sustrato y reduce el costo por función. La gran ventaja de los CMOS es que utilizan

solamente una fracción de la potencia que se necesita para la serie TTL de baja
potencia (74L00), adaptándose de una forma ideal a aplicaciones que utilizan la
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potencia de una batería o con soporte en una batería. El inconveniente de la familia

CMOS es que es más lenta que la familia TTL, aunque la nueva serie CMOS de alta
velocidad "HCMOS" (SERIES HC y HCT), que vio la luz en 1983, puede competir con
las series bipolares avanzadas en cuanto a velocidad y disponibilidad de corriente, y
con un consumo menor, con las series 74 y 74LS.

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