1.
-CARACTERÍSTICAS DE LA MEMORIA RAM:
Chips soldados a placas denominadas módulos
Cada chip contiene un capacitador más un transistor por cada
bit de almacenamiento
Con el capacitador cargado eléctricamente, se entiende que el valor del
mismo es 1
Todos estos capacitadores se almacenan en celdas de
silicio, alineadas en filas y columnas, siendo cada
intersección una dirección de memoria
El acceso a la información de las celdas se realiza a
una de ellas o a un grupo, ya sea por filas o por filas
y columnas
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- Parámetros Memoria RAM -
Aspectos relativos a los módulos de memoria
a) CONTROLADOR DE MEMORIA
Gestiona las peticiones de datos realizadas por el procesador y
otros dispositivos a la memoria, realizando la lectura/escritura de
datos (actualmente en el procesador)
b) BUS DE MEMORIA
Su velocidad dependerá de la establecida en el sistema
(microprocesador-placa). Dispone de:
• Bus de direcciones:
Localiza los datos en memoria
• Bus de datos:
Encargada de enviar datos (ancho de banda)
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c) CICLO DE ACCESO A LA MEMORIA
Indica el modo de acceso a una determinada posición de memoria,
desde que ésta es solicitada al controlador de memoria
Hay dos señales de control del ciclo:
• RAS (Row Address Strobe)
Selecciona la fila donde se encuentra la celda de memoria
• CAS (Column Address Strobe)
Selecciona la columna donde se encuentra la celda de memoria
Ambas definen los tiempos de acceso a una y otra, para localizar la
celda donde se almacenan los datos (ns)
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d) REFRESCO DE MEMORIA
Cada bit se representa mediante la carga almacenada en un
condensador, que está acompañado de un transistor
El condensador almacena su estado durante un breve periodo de
tiempo
El refresco de los condensadores permite que éstos almacenen su
valor, hasta que sea modificado por el sistema
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2.-PARÁMETROS DE LA MEMORIA RAM:
Características a consultar en los módulos de memoria:
• Formato del encapsulado (nº de pins)
• Capacidad; expresada en Megabytes (MB-GB)
• Velocidad de reloj
• Velocidad de acceso
• Ancho de banda
• Latencia CAS
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a) VELOCIDAD DE MÓDULO:
Indica las MT/s (MHz equivalentes) a la que la memoria accede al
bus del sistema
Los diferentes tipos de memoria RAM aprovechan la frecuencia del
sistema de diferentes formas, accediendo un número de veces
determinadas por ciclo de frecuencia de la placa base
Acceso
Acceso
Acceso
Acceso
Ejemplo (placa de 166 MHz reales)
• DIMM:……. 1 acceso por ciclo (166Mhz reales = 166 MT/s)
• DDR:……… 2 accesos por ciclo (166MHz reales = 333 MT/s)
• DDR2:……. 4 accesos por ciclo (166Mhz reales = 667 MT/s)
• DDR3:……. 8 accesos por ciclo (166Mhz reales = 1333 MT/s)
• DDR4:……. 8 accesos por ciclo (166Mhz reales= 1333 MT/s)
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b) VELOCIDADES DE ACCESO:
Define el tiempo mínimo en el que la memoria realiza el acceso a una
celda de memoria, en nanosegundos (1 ns – 0,000000001 segs)
Se representa por 4 números (x – x – x – x) que miden el número
de ciclos de reloj correspondientes a:
• Latencia CAS (CL): Ciclos entre el envío del comando de lectura
y la llegada de información (tiempo de
acceso a la columna)
• Precarga RAS (tRP): Ciclos entre 2 instrucciones RAS
(acceso a filas)
• Demora RAS a CAS (tRCD): Ciclos correspondientes al tiempo de
acceso entre una fila a una columna
• Tiempo activo de RAS (tRAS): Ciclos correspondientes al tiempo de
acceso a una columna
Los módulos disponen de un dispositivo (SPD-Detección de Presencia
en Serie) que permite a la BIOS averiguar los valores de ajuste del
fabricante
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c) ANCHO DE BANDA:
Cantidad máxima de memoria que puede mover por segundo
Se expresa en MB/s, equivalente al producto de:
MT/s (o MHz equivalentes) x nº Bytes
Ejemplo:
• Módulo DDR2 a 800 MT/s, 64 bits (8 Bytes)
• 800 X 8 = 6400 MB/s
Cuando se accede simultáneamente a dos módulos de memoria
(Dual Channel) se aumenta el rendimiento y el ancho de banda
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3.-MULTI-CHANNEL:
Tecnología que aumenta la velocidad de transferencia de datos
entre módulos RAM y el controlador de memoria
Permite el acceso simultáneo a módulos de memoria ubicados en
canales diferentes (1 canal está formado por 2 slots de memoria)
El Northbrigde añade un nuevo controlador de memoria por canal
Los módulos instalados en cada canal han de ser idénticos
Ejemplo:
• Canal A, 1er y 2º banco
• Canal B, 3er y 4º banco
Ciclo de frecuencia
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Modos multi-channel
• DUAL-CHANNEL: Utiliza ancho de bus de 64 bits por canal
Utiliza módulos DDR; DDR2, DDR3 o DDR4
• TRIPLE-CHANNEL: Utiliza
módulos DDR3 o DDR4
• QUAD-CHANNEL: Utiliza
módulos DDR3, DDR4
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4.-NOMENCLATURA DE LOS MÓDULOS RAM:
Suelen aparecer en una pegatina ubicada en la propia memoria o
en su caja:
• Tamaño; expresada en Megabytes (MB) o GigaBytes (GB)
• Velocidad/Tasa de transferencia; nombre del módulo
• PC3-8500 indica tasa de transferencia (8500 MB\s)
• DDR3-1066 indica velocidad (1066 MHz)
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Los módulos también se clasifican:
a) En función a su tensión:
• DDR3 – 1,5 V.
• DDR3L – 1,35 V. (menor consumo)
• DDR3U – 1,25 V.
b) Por la detección de errores:
• ECC – Error Correcting Code, disponen de un chip adicional
que se usa para detección de errores
• NO-ECC – No dispone de código de corrección de errores
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