Diodos semiconductores de potencia

Contenido
 Introducción
 Fundamentos de semiconductores
 Semiconductores Tipo N
 Semiconductores Tipo P
 Características del diodo
 Características de recuperación inversa
 Tipos de diodos de potencia
 Diodos conectados en serie
 Diodos conectados en paralelo
 Introducción
 Los diodos tienen una función importante en los circuitos de potencia para
realizar la conversión de energía eléctrica.

 Un diodo funciona como un interruptor.

 Las características de los diodos prácticos difieren de las ideales y tienen

algunas limitaciones.
 Son dispositivos unidireccionales. Permiten la circulación de corriente en un
solo sentido.
 El único procedimiento de control es invertir la tensión entre ánodo y
cátodo.

 Los diodos de potencia se parecen a los diodos de señal de unión PN.

 Tienen mayores capacidades de manejo de potencia, voltaje y corriente.

 La respuesta en frecuencia es baja (velocidad de conmutación)

 Fundamentos de semiconductores
 Se fundamentan en el Silicio
monocristalino de alta pureza.

 Su resistividad es baja para ser

aislador y alta para ser conductor.

 Semiconductor intrínseco y
extrínseco.

 Para regular su resistividad y sus

portadores de carga se deben
implantar impurezas. (Dopado 
agregar 1 átomo de impureza por
cada 1 millón de átomos de
silicio).
 Semiconductores Tipo N y Tipo P
 Cristal de Si dopado con átomos pentavalentes (P, As,
Sb).
 Electrones sueltos aumentan la conductividad de
material.
 Cuando el Si se dopa en forma leve con P, el proceso
toma el nombre de dopado n y el material resultante es
un semiconductor tipo N.
 Dopado intenso  semiconductor tipo N+

• Cristal de Si dopado con átomos trivalentes (B, Ga, In).

• Espacios vacantes denominados huecos.
• Los huecos aumentan mucho la conductividad del
material.
• Cuando el Si se dopa en forma leve con B, el proceso
toma el nombre de dopado p y el material resultante es
un semiconductor tipo P.
• Dopado intenso  semiconductor tipo P+
 Semiconductores Tipo N y Tipo P
 Existen electrones libres disponibles en un material tipo N y huecos
disponibles en un materia tipo P.

 En un material tipo P huecos portadores mayoritarios y electrones

portadores minoritarios.

 En un material tipo N electrones portadores mayoritarios y huecos

portadores minoritarios.

 Un campo eléctrico aplicado puede causar el paso de corriente.

 Características del Diodo
 Es un dispositivo de unión PN con dos terminales.

 Cuando el potencial del ánodo es positivo con respecto al cátodo, se

encuentra en conducción y presenta una caída de tensión pequeña
que depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la
unión.

 Cuando el potencial de cátodo es positivo con respecto del ánodo,

se encuentra en polarización inversa.

 En polarización inversa pasa una corriente pequeña llamada

Corriente inversa de saturación Is (mA – uA), que aumenta de
magnitud hasta llegar a la tensión de ruptura (voltaje de avalancha o
Zener)
 VD nVT 
I D = I S  e − 1
 
ID  Corriente a través del diodo
VD Tensión del diodo
IS  Corriente inversa de saturación
n  Factor de idealidad (Si=2)
 Características del Diodo
kT  VD nVT 
VT = I D = I S  e − 1
q  

VT  Constante denominada Voltaje térmico

q  Carga del electrón 1.6022 X 10-19 C
T  Temperatura absoluta (K=273+⁰C)
k  Constante de Boltzmann 1.3806 X 10-23 J/K
 A una temperatura específica, la corriente de
fuga es constante.

 La curva del diodo se divide en tres regiones:

 Región de polarización directa VD > 0
 Región de polarización inversa VD < 0
 Región de ruptura VD < -VBR
Características del Diodo
 Región de polarización directa.

La corriente ID en el diodo es pequeña, si la tensión VD es

menor a un valor específico VTD (voltaje de umbral, voltaje
de activación, voltaje de encendido).

El diodo conduce en forma completa si VD es mayor que VTD.

Si VD > 0.1 V, ID >> Is y la ecuación del diodo se puede
aproximar por: IseVD/nVT

 VD nVT 
I D = I S  e − 1
 
Características del Diodo
 Región de polarización inversa.
Si VD es negativo y |VD|>>VT, el término exponencial se
vuelve muy pequeño y la ecuación del diodo se puede
aproximar por –IS.

 Región de ruptura.
La tensión en sentido inverso es muy alta que puede ser
mayor a la tensión de ruptura VBR

 VD nVT 
I D = I S  e − 1
 
 Características de recuperación inversa
 Cuando en un diodo en modo de conducción directa su corriente se
reduce a 0, el diodo continua conduciendo (portadores minoritarios
quedan almacenados en la unión pn y en la masa del semiconductor).

 Los portadores minoritarios requieren un tiempo para recombinarse

denominado tiempo de recuperación inversa.
 Características de recuperación inversa

ta  se debe al almacenamiento de cargas en la unión.

tb  se debe al almacenamiento de cargas en la masa del material
semiconductor.
La razón tb/ta se llama factor de suavidad (SF softness factor).
𝒕𝒕𝒓𝒓𝒓𝒓 = 𝒕𝒕𝒂𝒂 + 𝒕𝒕𝒃𝒃
 Características de recuperación inversa

Para fines prácticos se debe poner atención en el tiempo total de

recuperación y en el valor pico de la corriente en sentido inverso IRR
𝒅𝒅𝒅𝒅
𝒕𝒕𝒓𝒓𝒓𝒓 = 𝒕𝒕𝒂𝒂 + 𝒕𝒕𝒃𝒃 𝑰𝑰𝑹𝑹𝑹𝑹 = 𝒕𝒕𝒂𝒂
𝒅𝒅𝒅𝒅
 Características de recuperación inversa
Tiempo de recuperación inversa: "intervalo de tiempo que
transcurre entre el instante en que la corriente pasa por cero durante el
cambio de conducción directa a la condición de bloqueo inverso, y el
momento en que la corriente en sentido inverso ha bajado hasta el 25%
de su valor pico"

trr depende de:

- Temperatura
- Velocidad de la caída de corriente en sentido directo
- Corriente en sentido directo antes de la conmutación IF
 Características de recuperación inversa
Carga de recuperación inversa:
"es la cantidad de portadores de
carga que atraviesan el diodo en el
sentido inverso, debido al cambio de
conducción directa a una condición
de bloqueo inverso"

Es el área encerrada por la

trayectoria de la corriente de
recuperación inversa.

di
I RR= ta ⋅
dt IRR
 Características de recuperación inversa
Si tb es despreciable en relación La corriente de recuperación
a ta se obtiene: inversa, la carga en sentido
inverso y el SF, son parámetros
𝒕𝒕𝒓𝒓𝒓𝒓 ≈ 𝒕𝒕𝒂𝒂 que se incluyen en las hojas
técnicas.
𝟐𝟐𝑸𝑸𝑹𝑹𝑹𝑹
𝒕𝒕𝒓𝒓𝒓𝒓 ≅ Tiempo de recuperación
𝒅𝒅𝒅𝒅�
𝒅𝒅𝒅𝒅 directa. Limita la velocidad de
aumento de la corriente en
sentido directo y la velocidad de
𝒅𝒅𝒅𝒅 conmutación.
𝑰𝑰𝒓𝒓𝒓𝒓 ≅ 𝟐𝟐𝑸𝑸𝑹𝑹𝑹𝑹
𝒅𝒅𝒅𝒅
 Tipos de diodos de potencia
 En caso ideal un diodo no debería tener trr
 De acuerdo a las características de recuperación y de las técnicas de
manufactura se clasifican:
 Diodos normales de propósito general: tiempo de recuperación
grande 25 us, para aplicaciones de baja velocidad. Corrientes desde 1 A
hasta miles de amperios y voltaje desde 50 V hasta 5 kV

 Diodos de recuperación rápida: tiempo de recuperación corto

5 us, usados en convertidores DC-DC y DC-AC. Tensiones desde 50 V a
3 kV y corrientes de menos de 1 A hasta cientos de amperios.

 Diodos Schottky: (Consultar)

 Diodos conectados en serie
 Se los utiliza en aplicaciones que requieran aumentar el bloqueo
inverso, colocando 2 o mas diodos en serie.
 Diodos conectados en serie
Solución: Forzar una partición de voltajes iguales

𝑰𝑰𝒔𝒔 = 𝑰𝑰𝒔𝒔𝟏𝟏 + 𝑰𝑰𝑹𝑹𝑹𝑹 = 𝑰𝑰𝒔𝒔𝟐𝟐 + 𝑰𝑰𝑹𝑹𝑹𝑹 𝑽𝑽𝑫𝑫𝑫𝑫 𝑽𝑽𝑫𝑫𝟐𝟐

𝑽𝑽𝑫𝑫𝑫𝑫 𝑽𝑽𝑫𝑫𝟐𝟐 𝑰𝑰𝒔𝒔𝒔𝒔 + = 𝑰𝑰𝒔𝒔𝒔𝒔 +
𝑹𝑹𝟏𝟏 𝑹𝑹𝟐𝟐
𝑰𝑰𝑹𝑹𝑹𝑹 = 𝑰𝑰𝑹𝑹𝟐𝟐 =
𝑹𝑹𝟏𝟏 𝑹𝑹𝟐𝟐
Ejercicio:
Se conectan dos diodos en serie, como se observa en la figura para
compartir un voltaje total de cd en sentido inverso de VD=5kV. Las
corrientes de fuga inversas de los diodos son Is1=30 mA e Is2=35
mA. A) Determinar los voltajes de diodo, si las resistencias de
voltaje compartido son iguales R1=R2=100 kΩ. B) Determinar las
resistencias de voltaje compartido R1 y R2 para que los voltajes en
los diodos sean iguales VD1=VD2=VD/2
 Diodos conectados en paralelo
 Se los utiliza para aumentar la capacidad de conducción de
corriente en aplicaciones de alta potencia.
 La repartición de corriente entre los diodos debe estar de acuerdo
con sus respectivas caídas de voltaje directo.
 Al estar en paralelo los voltajes de bloqueo inverso serán iguales.