1) Implementar el siguiente circuito y hallar el valor de la Resistencia RD para el siguiente circuito de Corte

Saturación del transistor Mosfet IRFZ44N, con los datos que se muestra en la figura de la recta de carga que
trabaja en la zona ohmica.

ADJUNTE FOTO DE LA SIMULACIÓN

Tabla del inciso 1)

Parámetros a medir (saturacion) Abreviación

Tensión de la fuente VDD VDD
Tensión Resistencia Drenador VRD VRD
Resistencia de drenador RD RD
Resistencia en paralelo a VGG (valor fijo) Rp
Tensión de la fuente VGG VGG
Tensión Gate Source VGS
Intensidad Drenador ID

2) Implementar el siguiente circuito y tal cual se muestra en la figura (EL TRANSISTOR MOSFET SE ENCUENTRA EN
SATURACION), (el conmutador esta en la posición 1), llenar la tabla correspondiente comparando los valores
teóricos de saturación con los de simulación. (no es necesario realizar ningún calculo), en los valores teóricos
colocar valores ideales de saturación, es decir: VDS= 0 V; VRD = VDD= 9 V; ID= 90 mA; VGS=VDD=9 V.
ADJUNTE FOTO DE LA SIMULACIÓN

Tabla del inciso 2)

Parámetros a medir (SATURACION) Abreviación

Tensión de la fuente VDD VDD
Tensión Resistencia Drenador VRD VRD
Resistencia de drenador RD RD
Tensión Gate Source VGS
Intensidad Drenador ID
Voltaje Drenador Surtidor VDS

3) Implementar el siguiente circuito y tal cual se muestra en la figura (EL TRANSISTOR MOSFET SE ENCUENTRA EN
CORTE), (el conmutador esta en la posición 2), llenar la tabla correspondiente comparando los valores teóricos
de saturación con los de simulación. (no es necesario realizar ningún calculo), en los valores teóricos colocar
valores ideales de corte es decir: VDS= VDD = 9 V; VRD = 0 V; ID= 0 mA; VGS= 0 V
ADJUNTE FOTO DE LA SIMULACIÓN

Tabla del inciso 3)

Parámetros a medir (CORTE) Abreviación

Tensión de la fuente VDD VDD
Tensión Resistencia Drenador VRD VRD
Resistencia de drenador RD RD
Tensión Gate Source VGS
Intensidad Drenador ID
Voltaje Drenador Surtidor VDS