GUÍA DE PROBLEMAS – POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR BIPOLAR

Profesor: Alejandro Carlos González.

J.T.P.: Noelia Macchi.

Acerca de la actividad

La actividad que se propone presenta una serie de consignas articuladas de modo tal que resulten
útiles para mejorar la comprensión de algunos aspectos teóricos, agudizar la mirada para el
análisis de los circuitos, adquirir experiencia en el cálculo y elaborar criterios de diseño en
colaboración con los pares (otros y otras estudiantes del curso).

CIRCUITO BAJO ESTUDIO

En la figura 1 se dibuja el circuito de polarización que analizaremos.

Componentes:
R1= 75K (± 5%),
R2 = 100K (± 5%),
R3 = 1,5K (± 5%),
R4 = 2,2K (± 5%),
VCC = 9V y
T1: BC548B1

Figura 1. Polarización con

divisor resistivo.

Consigna 1 ___________________________________________________________________

Calcule los valores del punto de trabajo (ICQ, VCEQ y VBEQ) del circuito de la figura 1. Para realizar
el cálculo debe utilizar el valor típico de h FE que es el valor más probable. Deduzca las
expresiones de cálculo (se pide que lo haga por única vez en esta consigna).

Para reflexionar…
Si recalcula la corriente IC con el valor mínimo de hFE (hFEm = 200) podrá comprobar que su
valor es de 1,84mA. Si utiliza el máximo hFE (hFEM = 450) su valor será de 1,93mA. Las tres
primeras columnas de la tabla 2 reflejan los cálculos descriptos. En las columnas siguientes se
muestran las variaciones relativas de las corrientes calculadas respecto del valor obtenido con
el valor típico de hFE (hFET = 290) y las variaciones relativas de hFEm y hFEM respecto del hFET.

Cálculo de IC Valor de Valor de IC 𝐼𝐶 (∗) − 𝐼𝐶 ℎ𝐹𝐸𝑇 − ℎ𝐹𝐸

con hFE … hFE ∙ 100% ∙ 100%
𝐼𝐶 (∗) ℎ𝐹𝐸𝑇
(a) Mínimo 200 1,84mA -2,64% -31%
(b)Máximo 450 1,93mA +2,12% +55%
Referencia: 𝐼𝐶 (∗) = 1,89𝑚𝐴 (obtenido con el hFET)
Tabla 2.
Note que la corriente IC varía en un porcentaje mucho menor que hFE.

1
En el Anexo que figura al final de la práctica encontrará la tabla de características eléctricas del transistor
y una descripción de los parámetros utilizados en continua.

1
Consigna 2 ___________________________________________________________________
Trace la Recta de Carga Estática (RCE) en las características de salida iC = f(vCE) y explique el
método para dibujarla.

Consigna 3 ___________________________________________________________________
Calcule el factor de estabilidad FE utilizando el valor mínimo de hFE (hFEm = 200) ya que
representa el peor caso. ¿Por qué cree que es el peor caso?

Consigna 4 ___________________________________________________________________
Relacione los datos de la tabla 3 y escriba dos conclusiones, solo dos y no más, que ocupen dos
o tres renglones cada una.

Propuesta metodológica
Analice los valores de las corrientes por las resistencias R1 y R2, los valores de R1 y R2, piense
en el FE, analice los valores de las corrientes de colector IC y de base IB, ignore el hFE(calculado)
porque solo va a distraerlo y tenga en cuenta aquello que no le explicamos y que seguramente ni
imagina que es un problema.

Descripción de la tabla.
En la tabla 3 se muestran cuatro simulaciones de un circuito de polarización cuya topología es
idéntica a la que se dibuja en la figura 1. El circuito se alimenta con 9V y el transistor utilizado
es un BC548.

Circuito R1 R2 R3 R4 hFE(calculado) IR1 (uA) IR2(uA) IB(uA) IC(mA) IE(mA)

A 3,9K 5,1K 1,5K 2,2K 222,22 1006 997 9 2 2.01
B 39K 51K 1,5K 2,2K 220,18 104,94 96,22 8,72 1,92 1,93
C 75k 100k 1,5K 2,2K 219,34 56,27 47,79 8,48 1,86 1,87
D 390K 510K 1,5K 2,2K 212,73 13,65 7,21 6,44 1,37 1,38
Tabla 3. Simulación de circuitos de polarización para distintos valores de R1 y R2 que
conservan la proporcionalidad del divisor

La fila C se completó con información obtenida de la simulación del circuito analizado en la

consigna 1. La información de la fila B corresponde a la simulación de un circuito en el que los
valores de las resistencias R1 y R2 valen la mitad del valor que tenían en el circuito C y se
mantienen todos los demás componentes. En la fila A esos mismos valores se han dividido por
20 respecto de C y en la fila D se multiplican por 5. Y siempre se mantienen los otros
componentes.

En las columnas IR1 y IR2 se han volcado los valores de las corrientes que circulan por las
resistencias R1 y R2. La columna hFE(calculado) se completó con valores que resultan de hacer el
cociente entre los valores de corriente de colector IC y de base IB obtenidos por simulación.

Consigna 5 ___________________________________________________________________
Elija el valor del resistor R2 luego de leer la solución propuesta a este primer desafío de diseño.

Diseñe los valores de las resistencias R1, R2, RC y RE que satisfagan las
siguientes especificaciones:
ICQ = 1mA (± 10%), VCEQ = 3V (± 10%) y FE = 10 (± 10%).
Se dispone de una línea de alimentación VCC = 12V y un stock de
transistores BC548B que pretendemos agotar.
Otra condición que se propone para el diseño es que las resistencias RC
y RE sean iguales.

2
Diseño propuesto

Este diseño es el único para el que se propone una solución y debe quedar claro que no es la única manera
de resolverlo. Las ecuaciones que se usan en el diseño no se deducen porque se supone que se han trabajado
lo suficiente como para que estemos familiarizados con ellas.

Para comenzar un diseño resulta conveniente leer cuidadosamente las especificaciones porque siempre
existen otras escritas entre líneas.

Se especifica el punto Q por lo que parece conveniente comenzar por la malla de salida. La ley de Kirchhoff
aplicada a esa malla nos devuelve la expresión siguiente:
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 − 𝑉𝐶𝐸 = 0𝑉

En esa expresión son conocidos los valores de VCC, ICQ y VCEQ. Respecto del punto Q vale aclarar que
abarcan un intervalo de valores:
0,9𝑚𝐴 ≤ 𝐼𝐶 ≤ 1,1𝑚𝐴

2,7𝑉 ≤ 𝑉𝐶𝐸 ≤ 3,3𝑉

De ese rango se propone adoptar los valores centrales: 1mA y 3V. No es la única opción posible.

De la expresión de la sumatoria de tensiones de la malla de salida se obtiene:

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 12𝑉 − 3𝑉

𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = = = 9𝐾
𝐼𝐶 1𝑚𝐴

Una de las condiciones de diseño, impuesta con una intención didáctica, es que ambas resistencias sean
iguales por lo que resulta:
9𝐾
𝑅𝐶 = 𝑅𝐸 = = 4,5𝐾
2

Una vez que tenemos un valor podemos elegir el normalizado más próximo. Los resistores tienen valores
de resistencia normalizados que se muestran en la tabla que sigue.

1 1,1 1,2 1,3 1,5 1,6 1,8 2 2,2 2,4

2,7 3 3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2
6,8 7,5 8,2 9,1
Los valores resaltados están disponibles con tolerancias del 5% y 10% en tanto que los restantes solo
aparecen al 10%.
Tabla 4. Valores normalizados para resistores al 10% y al 5%.

Los dos valores que podemos elegir son: 4,3K o 4,7K. Elegimos el valor 4,3K porque creemos que nos
asegura que el valor de VCE esté por encima de los 3V por lo que elegimos:
𝑅𝐶 = 𝑅𝐸 = 4,7𝐾.

La pregunta que surge es por qué pretendemos estar por encima del valor de 3V y no hay una respuesta que
pueda resultar satisfactoria en este momento del curso.

Ya trabajamos con la malla de salida y no encontramos ninguna otra especificación entre líneas. Pero
obtuvimos el valor de dos resistencias de las cuatro que debemos diseñar.

Analicemos la malla de entrada, luego de aplicar Thevenin, para ver qué información podemos obtener
entre líneas. La ley de Kirchhoff aplicada a esa malla nos devuelve la expresión:

𝑉𝐵𝐵 − 𝐼𝐵 . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = 0𝑉
𝐼𝐶
Sabemos que 𝐼𝐵 =
ℎ𝐹𝐸
𝐼𝐶
⟹ 𝑉𝐵𝐵 − . 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = 0𝑉
ℎ𝐹𝐸

3
En esa expresión son conocidos los valores de IC (su intervalo para ser más precisos), hFE, VBE y RE. Son
desconocidos los valores de la tensión y resistencia de Thevenin: VBB y RB.
¿Adoptamos un valor para la tensión o la resistencia? Volvamos a leer las condiciones y especificaciones
del diseño.

Se especifica FE = 10 (± 10%). Recordemos la expresión de cálculo del FE.

𝑅𝐸
𝐹𝐸 =
𝑅𝐵
ℎ𝐹𝐸(𝑚𝑖𝑛)

En esa expresión son conocidos los valores de FE, RE y hFE(min). El FE abarca, al igual que el punto Q, un
intervalo de valores:
9 ≤ 𝐹𝐸 ≤ 11

De la expresión de cálculo del FE, y adoptando FE = 10, se obtiene:

𝑅𝐸. ℎ𝐹𝐸(𝑚𝑖𝑛) 4,3𝐾. 200

𝑅𝐵 = = = 86𝐾
𝐹𝐸 10

Ahora conocemos el valor de la resistencia de Thevenin RB por lo que podemos obtener el valor de VBB:
𝑅𝐵 86𝐾
𝑉𝐵𝐵 = 𝐼𝐶 . ( + 𝑅𝐸) + 𝑉𝐵𝐸 = 1𝑚𝐴. ( + 4,3𝐾) + 0,7𝑉 = 5,3𝑉
ℎ𝐹𝐸(𝑇𝑖𝑝) 290

La expresión de cálculo de la tensión de Thevenin es:

𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐵𝐵 = . 𝑅2
𝑅1 + 𝑅2
.
Si multiplicamos por R1 ambos lados de la expresión de VBB resulta:

𝑉𝐶𝐶
𝑅1. 𝑉𝐵𝐵 = . 𝑅2. 𝑅1
𝑅1 + 𝑅2

De la ecuación previa obtenemos la expresión de cálculo de R1.

𝑉𝐶𝐶 12𝑉
𝑅1. 𝑉𝐵𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 . 𝑅𝐵 ⟹ 𝑅1 = . 𝑅𝐵 = .86𝐾 = 194,7𝐾
𝑉𝐵𝐵 5,3𝑉

La tabla 4 muestra que pueden seleccionarse dos valores: 200K y 180K. Elegimos R1 = 200K.

Luego puede obtenerse el valor de R2 de la expresión de cálculo de RB = R1//R2:

1 1 −1 1 1 −1
𝑅2 = ( − ) =( − ) = 150,87𝐾
𝑅𝐵 𝑅1 86𝐾 200𝐾

Puede elegirse 150K o 160K. El lector debe elegir el valor de la resistencia de R2 tal como se
solicita en la consigna.

Pero queda por responder una pregunta más: ¿el circuito funciona de acuerdo con lo
especificado con esos valores de resistencia?

Consigna 6 ___________________________________________________________________
Calcule los valores del punto Q y del FE para comprobar que se encuentran dentro de los
intervalos especificados con los valores diseñados:
• RC = RE = 4,3K,
• R1 = 200K y
• R2 = 150K o 160K (el valor que usted haya elegido)

4
 Para no olvidar
¿Qué estamos haciendo en la consigna actual? La verificación. Verificar implica realizar los
cálculos que determinan el correcto funcionamiento del amplificador. No puede obviarse jamás
y debemos recalcular en caso de que no se cumplan las especificaciones del diseño.

Consigna 7 ___________________________________________________________________

Diseñe los valores de las resistencias R1, R2, RC y RE, para una
condición diferente de RE y RC, que satisfagan las mismas
especificaciones:
ICQ = 1mA (± 10%), VCEQ = 3V (± 10%) y FE = 10 (± 10%).

Condición: RE = 1/3 RC

Se dispone de una línea de alimentación VCC = 12V y un stock de

transistores BC548B que pretendemos agotar.

Consigna 8 ___________________________________________________________________

Obtener los valores de las resistencias R1, R2, RC y RE, para una
condición diferente de RE y RC y un valor diferente de FE, que satisfagan
las especificaciones:
ICQ = 1mA (± 10%), VCEQ = 3V (± 10%) y FE = 5 (± 10%).

Condición: RE = 1/2 RC

Se dispone de una línea de alimentación VCC = 12V y un stock de

transistores BC548B que pretendemos agotar.

5
ANEXO

En la tabla 1 se muestra los valores característicos de un transistor BC548 (mínimos, típicos y

máximos) que resultan de interés para este momento del curso. La tabla fue editada por el autor
y por tanto se aclara que fueron recortados otros parámetros que utilizaremos en etapas próximas.
Se resaltaron 3 valores sobre los que vamos a referirnos brevemente.

Tabla 1. Características Eléctricas de un transistor npn BC548 para una temperatura de juntura
de 25°C)

El primer valor resaltado es el hFE típico. Su valor se lee en la celda que determinan la columna
“Typ” y la fila “DC Current Gain” (es una tabla de doble entrada). En esa fila se discriminan dos
grupos de ganancia de corriente (“Current gain group”) que a su vez contienen tres líneas que dan
información sobre los valores de los transistores A, B y C. Para cada grupo se da información de
las condiciones de testeo (“Test Condition”) en las que se midieron los valores especificados y
son comunes para los tres transistores (a, B y C).

El valor del valor del hFE típico es 290 y en las dos columnas contiguas aparecen los valores del
hFE mínimo (“Min” a la izquierda) y hFE máximo (“Max” a la derecha). El valor medido
corresponde a una corriente de colector IC = 2mA. No debe interpretarse que este es un valor de
diseño que sugiere el fabricante.

El segundo valor resaltado es la tensión colector-emisor de saturación VCEsat máxima. Su valor es

200mV medido para una corriente de colector IC = 10mA. Debajo aparece un valor de 600mV
que se mide para una corriente de colector IC = 100mA. Recuerde que trabajamos con corrientes
del orden de algunos mA y no trabajamos con 100mA donde predomina la resistencia de las zonas
neutras (recuerde el estudio del diodo). Por tal razón sugerimos adoptar un valor de V CEsat
entre 200mV y 300mV al momento de realizar un diseño.

El tercer valor corresponde a la tensión de saturación base-emisor VBEsat típica y debajo el valor
para una corriente de colector IC = 100mA. Note que para el primer valor se especifica 700mV y
para el segundo 900mV. Note que su valor es dependiente del nivel de corriente y, si vuelve al
párrafo anterior, notará que lo mismo ocurre con la tensión V CEsat. Cuando se trabaja con
transistores de potencia debe tenerse en cuenta que a mayor corriente se tienen mayores
tensiones de saturación. Pero el transistor BC548 se utiliza en potencia bajas por lo que esta
consideración queda para cuando entremos en el terreno de las potencias altas.