UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA Ciclo Académico: 2021-1

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 09/06/2021

DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1h 40Min

CURSO: DISPOSITIVOS Y CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I COD. CURSO: EE 418R

TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. Ex. PARCIAL X EX. FINAL EX. SUST.

PARTE 2 (40 MINUTOS)

Problema 2
Se tiene un diodo de unión abrupta a temperatura ambiente, el material semiconductor está dopado
con indio 𝑁𝐷 = 1, 𝑋 × 1015 𝑐𝑚−3 y con arsénico 𝑁𝐴 = 2, 𝑌 × 1017 𝑐𝑚−3. XY son los dos
últimos dígitos decimales del código del estudiante.

a) Dibuje un diagrama de densidad de carga de la zona de carga espacial. (2 puntos)

b) Calcule el potencial de difusión. (𝑉𝑏𝑖 ) (2 puntos)
c) Determine la anchura de zona de carga espacial en el semiconductor tipo n (𝜔𝑛𝑜 ) (2 puntos).
d) Calcule el campo eléctrico de ruptura 𝐸𝐵𝑅 (V/cm) si se polariza inversamente al diodo con
un voltaje externo 𝑉𝐴𝐾 = −50𝑉. (2 puntos)

Datos:
Concentración intrínseca 𝑛𝑖 = 1,5 × 1010 𝑐𝑚−3
Constante de Boltzman 𝑘 = 1,381 × 10−23 J/°K
permitividad 𝜀(𝑆𝑖) = 10−12 𝐹/𝑐𝑚;
Carga del electrón 𝑞 = 1,6 × 10−19 𝐶𝑜𝑢𝑙𝑢𝑚𝑏