TECNOLÓGICO NACIONAL DE MÉXICO

INTITUTO TECNOLÓGICO DE DURANGO

INGENIERÍA MECATRÓNICA

ELECTRÓNICA DE POTENCIA APLICADA 6”V”

MTI JUAN MANUEL HIDALGO MARTÍNEZ

JONATHAN ISRAEL HERNÁNDEZ CHÁIDEZ

“TIPOS DE TIRISTORES”

23/ABRIL/2021

18041125@ITDURANGO.EDU.MX

1
 INDICE
Tiristores controlados por fase……………………………..………….3

Tiristores bidireccionales controlados por fase …………..………….6

Tiristores de conmutación rápida…………………………..…………..7

Rectificadores controlados de silicio fotoactivados …………….……8

Tiristores de triodo bidireccional………………………………………..8

Tiristores de conducción en sentido …………………………………...9

Tiristores apagados por compuerta ……………………………………9

Tiristores controlados por FET………………………………………….11

Tiristores de apagado por MOS…………………………………………12

Tiristores de apagado (control) por emisor………………………….....12

Tiristores conmutados por compuerta integrada………………………13

Tiristores controlados por MOS…………………………………….…...14

Tiristores de inducción estática …………………………………………15

Conclusiones.......................................................................................16

Referencias Bibliográficas…...……………………………………………17

2
 TIPOS DE TIRISTORES

El tiristor es una familia de componentes electrónicos constituido por

elementos semiconductores que utiliza realimentación interna para producir una
conmutación. Es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores
de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos de
potencia. [ CITATION Ale05 \l 22538 ]

Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir,

dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como
aislantes o como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o
bidireccionales (Triac o DIAC). Se emplea generalmente para el control de potencia
eléctrica. [ CITATION Ale05 \l 22538 ]

Para los SCR el dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de
tipo P-N-P-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos
P-N-P y N-P-N, por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión
realimentada.[ CITATION Ale05 \l 22538 ]

Tiristores Controlados Por Fase (SCR)

Son tiristores de bajo costo, alta eficiencia y especificaciones de alto voltaje y corriente.

3
Los tiristores controlados por fase se utilizan en los convertidores de corriente alterna a
corriente continua, a frecuencia industrial (50 0 60 Hz) o sea, en rectificadores
controlados por el método de control por fase. Además, de la misma forma son usados
en casi todas las transmisiones de CC en alto voltaje (HVDC) y control de velocidad de
motores de CC. [ CITATION Nei13 \l 22538 ]

Estos tipos de tiristores tienen un tiempo de apagado “tq” del orden de los 50 a 100
μseg, así como de la misma forma tienen un voltaje en sus extremos en estado
activado que varía desde 1,15 V para 600 V, hasta 2,5 V para tiristores de 4000 V de
tensión de bloqueo directo e inverso. Por ejemplo un tiristor SCR de 1200 V, 5500 A, el
voltaje de caída suele ser de 1,25 V. [ CITATION Nei13 \l 22538 ]

4
Este tipo de tiristores a medida que pasa el tiempo se ha desarrollado con el fin de
tener una mejor eficacia en cuanto a sus aplicaciones. Estos tiristores modernos suelen
tener una compuerta amplificadora como se muestra en el siguiente esquema. [ CITATION
Nei13 \l 22538 ]

El encendido se realiza activando el tiristor auxiliar que a su vez amplifica la señal de

compuerta para el tiristor principal.

Con esto se logra una simplificación para el circuito generador de los pulsos de disparo,
unas características dinámicas altas con tasas de “dv/dt típicas de 1000V/μseg, y tasas
de “di/dt” de 500 A/μseg, obteniéndose con estos valores, una simplificación del
inductor limitante y circuito de protección contra la dv/dt. [ CITATION Nei13 \l 22538 ]

5
Tiristores bidireccionales controlados por fase (BCT, de bidirectional phase-
controlled thyristors)

El tiristor controlado por fase BCT o bidireccional está compuesto por dos SCR
conectados en combinación antiparalela e integrada en un solo paquete. Tiene dos
terminales de puerta separadas, una para cada tiristor. No hay terminales de ánodo
o cátodo, sino solo terminales principales. La puerta controla el flujo de corriente a
través del SCR individual. [ CITATION Anó03 \l 22538 ]

Es un dispositivo único que combina las ventajas de tener dos tiristores en un

encapsulado, permitiendo diseñar equipos más compactos, simplificando el sistema de
enfriamiento y aumentando la fiabilidad del sistema. Los BCT permiten a los
diseñadores cumplir con mayores demandas de tamaño, integración, fiabilidad y costo
del producto final.” [ CITATION Gat17 \l 22538 ]

“Son adecuados en aplicaciones tales como compensadores estáticos de volt-amperes

reactivos (VAR), interruptores estáticos, arrancad ores suaves y controles de motor”.
[ CITATION Gat17 \l 22538 ]

Encendido y apagado: “Un BCT tiene dos compuertas: una para encender e iniciar el
flujo de la corriente en sentido directo, y una para corriente en sentido inverso. Este
tiristor enciende con un pulso de corriente a una de sus compuertas. Se desactiva si la
corriente anódica baja del valor de la corriente de detención, por el comportamiento
natural del voltaje o la corriente. [ CITATION Gat17 \l 22538 ]

6
Tiristores de conmutación rápida (o SCR).

Se usan en aplicaciones de conmutación de alta velocidad, con conmutación

forzada. Tienen un tiempo corto de apagado, por lo general de 5 a 50 µS dependiendo
del intervalo del voltaje. [ CITATION Anó03 \l 22538 ]

Estos tiristores tienen alta tasa dv/dt, normalmente de 1000 V/µs, y tasa di/dt de 1000
A/µs. El apagado rápido y la alta di/dt son muy importantes para reducir el tamaño y el
peso de los componentes de conmutación o del circuito reactivo. El voltaje en estado
de encendido, de un tiristor de 1800 V-2,200 A suele ser de 1.7 V. [ CITATION Gat17 \l
22538 ]

Los tiristores inversores, con posibilidades muy limitadas de bloqueo en sentido

inverso, normalmente de 10 V, Y que tienen un tiempo de apagado muy corto, de 3 a 5
us, se llaman tiristores asimétricos (ASCRS). En la figura 2 se ven tiristores de
conmutación rápida, de varios tamaños. [ CITATION Gat17 \l 22538 ]

Tiristores de conmutación rápida

7
Rectificadores controlados de silicio fotoactivados (LASCR, light-activated
silicon-controlled rectifier)

Este dispositivo enciende por irradiación directa, con luz, de la oblea de silicio. Los
pares electrón-hueco que crea la radiación producen la corriente de disparo, bajo la
influencia del campo eléctrico. La estructura de la compuerta se diseña para
proporcionar la sensibilidad suficiente para hacer la activación con fuentes luminosas
normales (por ejemplo, diodo emisor de luz, LED), y para obtener grandes capacidades
de las tasas di/dt y dv/dt”. [ CITATION Anó03 \l 22538 ]

Los LASCR se usan en aplicaciones de alto voltaje y gran corriente, por ejemplo
HVDC, transmisión y compensación de potencia o VAR re activos. Un LASCR ofrece
un aislamiento eléctrico completo entre la fuente luminosa de activación y el dispositivo
de conmutación de un convertidor de potencia, que flota a un potencial hasta de
algunos pocos kilo volts. La especificación de voltaje de un LASCR podría llegar a 4 kV
a 1500 A, con potencia de la luz. [ CITATION Gat17 \l 22538 ]

Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC).

Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y se usa normalmente para control
por fase.

Como un TRIAC es un dispositivo bidireccional, no se puede decir que sus terminales

sean ánodo y cátodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, el
TRIAC se puede encender aplicando una señal positiva entre la compuerta G y la
terminal MTl. Si la terminal MT2 es negativa con respecto
a la terminal MT}, se enciende aplicando una señal
negativa entre la compuerta G y la terminal MTl. No es
necesario tener las dos polaridades de señal de
compuerta, y un TRIAC se puede encender con una señal
de compuerta que puede ser positiva o negativa. [ CITATION
Gat17 \l 22538 ]

8
Tiristores de conducción en sentido inverso (RCT, de reverse-conducting
thyristor).

En muchos circuitos de convertidor e inversor se conecta un diodo anti paralelo a

través de un SCR para permitir un flujo de corriente en sentido inverso, causada por
carga inductiva, y para mejorar los requisitos de apagado del circuito de conmutación.

El diodo fija el voltaje de bloqueo en sentido inverso del SCR en 1 o 2 V bajo

condiciones de estado estable. Sin embargo, bajo condiciones transitorias el voltaje
puede subir hasta 30 V debido a voltaje inducido en la inductancia parásita del circuito,
en el interior del dispositivo[ CITATION Gat17 \l 22538 ]

Tiristor en Conducción inversa

Tiristores apagados por compuerta (GTO).

El tiristor de apagado de puerta es un tipo de tiristor que tiene la capacidad de

apagarse aplicando un pulso de voltaje negativo a través de la misma puerta. De lo
contrario, las condiciones de encendido son las mismas que las de un tiristor
genérico, pero debido a su naturaleza de no bloqueo, debe mantener el 1% de su
pulso de encendido para mantenerlo en estado de conducción. La puerta del cátodo
GTO comienza la conducción con pulso positivo y se apaga con pulso negativo.
[ CITATION Anó03 \l 22538 ]

9
Como un SCR, un GTO se puede encender aplicando una señal positiva a la
compuerta. Sin embargo, el GTO puede abrirse con una señal negativa de compuerta.
Los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los SCR: [ CITATION Gat17 \l 22538 ]

1) eliminación de componentes de conmutación, en la conmutación forzada, que dan

como resultado una reducción de costo, peso y volumen.

2) reducción de ruido acústico y electromagnético, por la eliminación de reactores de

conmutación.

3) apagado más rápido que permite altas frecuencias de conmutación.

4) mejor eficiencia de convertidores

Símbolo GTO.
Encendido. El OTO tiene una estructura muy digital, sin compuerta regenerativa. En
consecuencia, se requiere un pulso grande inicial de disparo, para activarlo. 

Estado de encendido. Una vez que el GTO se activa, debe continuar la corriente en

sentido directo de la compuerta durante todo el periodo de conducción, para asegurar
que el dispositivo permanezca en conducción. En caso contrario, no puede permanecer
en conducción durante el periodo en estado de encendido. [ CITATION Anó03 \l 22538 ]

10
Apagado. El funcionamiento de un GTO en el apagado está influido por las
características del circuito de apagado de compuerta.

En consecuencia, estas últimas características deben coincidir con los requisitos de

apagado. El proceso de apagado implica extracción de la carga de la compuerta, el
periodo de avalancha en la compuerta y la disminución de la corriente anódica. La
cantidad de extracción de carga es un parámetro del dispositivo, y su valor no se afecta
en forma importante por las condiciones del circuito externo. [ CITATION Gat17 \l 22538 ]

Tiristores controlados por FET (FET-CTH, de FET-controlled thyristor).

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se

muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje
suficiente, típicamente 3v, se genera internamente una corriente de disparo para el
tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutación, un di/dt alto y un dv/dt alto. [ CITATION
Jim11 \l 22538 ]

Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede
desactivar mediante control de compuerta. Esto serviría en aplicaciones en las que un
disparo óptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento eléctrico entre la
señal de entrada o de control y el dispositivo de conmutación del convertidor de
potencia. [ CITATION Jim11 \l 22538 ]

Estructura FET-CTH

11
Tiristores de apagado por MOS (MTO, de MOS turn-off).

El MTO fue desarrollado por Silicon Power Company (SPCO). Es una combinación de
un GTO y un MOSFET, que juntos superan las limitaciones de capacidad de apagado
del GTO. [ CITATION Anó03 \l 22538 ]

El inconveniente principal de los GTO es que requieren un circuito de encendido con

grandes pulsos de corriente, para la compuerta de baja impedancia. El circuito de la
compuerta debe proporcionar la corriente de apagado de compuerta, cuya amplitud
pico típica es 35% de la corriente que se va a controlar. [ CITATION Anó03 \l 22538 ]

Encendido. Como un GTO, el MTO enciende aplicando un pulso de corriente a la

compuerta de encendido. Este pulso enciende el transistor npn Q1, que entonces a su
vez enciende al transistor pnp Q2 y retiene al MTO. [ CITATION Gat17 \l 22538 ]

Apagado. Para apagar el MTO se aplica un pulso de voltaje en la compuerta del

MOSFET. Al encenderse el MOSFET, se ponen en corto el emisor y la base del
transistor npn Q1, deteniendo así el proceso de retención. En contraste, un GTO se
apaga extrayendo la corriente suficiente de la base del emisor del transistor npn con un
pulso negativo grande, para detener la acción de retención regenerativa [ CITATION
Gat17 \l 22538 ]

Tiristores de apagado (control) por emisor (ETO, de emitter turn-off).

ETO o tiristor de apagado del emisor es un tiristor de conmutación rápida hecho de N &
P-MOSFET y un SCR. El MOSFET está conectado en serie y entre la puerta y el
terminal del cátodo del SCR. El MOSFET otorga la capacidad de apagarse más rápido
al eliminar los portadores residuales del SCR.[ CITATION Anó03 \l 22538 ]
El ETO fue inventado en el Virginia Power Electronics Center, en colaboración con
SPCO .Un ETO tiene dos compuertas: una normal, para encenderlo, y una con un
MOSFST en serie, para apagarlo. Se han demostrado ETO de alta potencia, con
especificaciones de corriente hasta de 4 kA Y de voltaje hasta de 6 kV. [ CITATION Gat17 \l
22538 ]

12
Activación. Un ETO se enciende aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2.
Con un voltaje positivo en la compuerta 2 el cátodo QE de MOSFET se enciende y
apaga la compuerta QG del MOSFET. Una inyección de corriente a la compuerta del
GTO (a través de la compuerta.[ CITATION Nei13 \l 22538 ]

1) enciende al ETO, debido a la existencia del GTO. 

Apagado.  Cuando se aplica una señal de apagado, con voltaje negativo, al cátodo QE
del MOSFET, se apaga y toda la corriente se desvía del cátodo (emisor n del transistor
npn del GTO) hacia la base a través de la compuerta QG del MOSFET. Esto detiene el
proceso de retención regenerativo y el resultado es una apagado rápido. [ CITATION
Gat17 \l 22538 ]

Tiristores conmutados por compuerta integrada (IGCT, de integrated gate-

commutated thyristors).

En el IGCT se integran un tiristor conmutado por compuerta (GCT) y un activador de

compuerta en tarjeta de circuito impreso multicapa. El CGT es un GTO de conmutación
permanente, con un pulso de corriente de compuerta muy rápido y grande, tan grande
como la corriente total especificada, que toma toda la corriente del cátodo y la lleva a la
compuerta aproximadamente en 1 µs, para asegurar un apagado rápido. [ CITATION Anó03
\l 22538 ]

Encendido. Como un GTO, el IGCT se enciende aplicando la corriente de encendido a

su compuerta. Apagado. El IGCT se apaga con una tarjeta de circuito impreso
multicapa de compuerta que aplica un pulso de apagado de subida rápida; por ejemplo,
una corriente de compuerta de 4 kA/µs, sólo con un voltaje de 20 V de compuerta a
cátodo.[ CITATION Anó03 \l 22538 ]

13
Tiristores controlados por MOS (MCT, de MOS-controlled thyristor).

El tiristor controlado por mosfet es una mejora sobre un tiristor con un par de MOSFET
para encender y apagar actual. El MCT por sus siglas en inglés supera varias de las
limitaciones de los dispositivos existentes de poder y promete ser un cambio mejor para
el futuro. Si bien hay varios dispositivos en la familia MCT con distintas combinaciones
de canales y estructuras de la puerta. [ CITATION Anó19 \l 22538 ]

Cuando el MCT está en estado de bloqueo directo, que puede ser activado mediante la
aplicación de un pulso negativo a su puerta con respecto al ánodo. El impulso negativo
se convierte en el PMOSFET (On-FET), cuya fuga de corriente a través de la unión
base-emisor de Q1 (PNP) con lo que la enciende. [ CITATION Anó19 \l 22538 ]

La acción regenerativa en Q1 Q2 ÿ convierte la conducción en MCT on completo dentro

de un tiempo muy corto y la mantiene incluso después del pulso de entrada se elimina.
El MCT se enciende sin una fase plasmaspreading dando una alta capacidad de dI = dt
y la facilidad de protección contra la sobretensión. [ CITATION Anó19 \l 22538 ]

La resistencia en estado de MCT es ligeramente superior a la de un tiristor equivalente

debido a la degradación de la eficiencia de la inyección de N? emisor = p-base de la
unión. Además, la corriente de pico MCT es mucho más alto que el promedio o
calificación de la corriente eficaz. MCT se mantendrá en el estado ON hasta que la
corriente se invierte el dispositivo o un pulso a su vez-off se aplica a su puerta.
[ CITATION Anó19 \l 22538 ]

La aplicación de un impulso positivo a su puerta se apaga la realización de un MCT. El

impulso positivo se convierte en el NMOSFET (Off-FET), desviando así la base de Q2
(PNP) hacia el ánodo de la MCT y la ruptura del enganche de la acción SCR. Esto evita
que la realimentación en el SCR y apaga la MCT. [ CITATION Anó19 \l 22538 ]

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Característica del MCT

 Una baja caída de voltaje directo durante la conducción;

 Un tiempo de activado rápido, típicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado
rápido, típicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
 Bajas perdidas de conmutación;
 Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
 Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitación. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para
interrumpir corrientes altas, con sólo modestas reducciones en la especificación
de corriente del dispositivo. No se puede excitar fácilmente a partir de un
transformador de pulso, si se requiere de una polarización continua a fin de
evitar ambigüedad de estado.[ CITATION Anó19 \l 22538 ]

Tiristores de inducción estática (SITR, de static induction thyristor).

El SITH, llamado también diodo controlado-limado (FCD, de filed-controlled dio de) fue
introducido por Teszner en la década de 1960. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios.

En consecuencia, tiene baja resistencia o caída de voltaje en estado activo, y se puede

fabricar con mayores especificaciones de voltaje y corriente. Tiene grandes velocidades
de conmutación y mayores capacidades de las tasas dv/dt y di/dt. El tiempo de
conmutación es del orden de 1 a 6 µs. La especificación de voltaje puede llegar hasta a
2500 V, Y la de corriente se limita a 500 A. Este dispositivo tiene una sensibilidad
extremadamente alta al proceso, y pequeñas perturbaciones en su manufactura
producen grandes cambios en sus características.[ CITATION Gat17 \l 22538 ]

15
 CONCLUSIONES

En conclusión

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 REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS

Referencias

Alexander, C. (2005). Standard Handbook of Electrical Engineering. McGraw-Hill.

Anónimo. (2003). Electrónica Básica . Obtenido de

http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2020/06/tiristor-diac-y-triac-
simbolos.html#:~:text=El%20tiristor%20controlado%20por%20fase,c%C3%A1todo%2C%20sino
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Calderon, J. (30 de Noviembre de 2011). Dispositivo De Electrónica De Potencia. Obtenido de

http://jimmy-calderon.blogspot.com/2011/11/tiristores-controlados-por-fet-fet-
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https://es.scribd.com/doc/186765406/Tiristores-Controlados-Por-Fase-SCR#:~:text=Son
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Llivili, G. (30 de Mayo de 2017). https://es.scribd.com/document/349808598/Ensayo-Final-Tiristores.

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