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John P McKelvey Fisica Del Estado Solido y de Semiconductores Limusa Noriega Editores 1996 PDF
John P McKelvey Fisica Del Estado Solido y de Semiconductores Limusa Noriega Editores 1996 PDF
John P McKelvey Fisica Del Estado Solido y de Semiconductores Limusa Noriega Editores 1996 PDF
FISIC ,
DEL ESTADO SOLIDO Y DE
SEMICONDUCTORES
J. P. McKELVEY
~LIMUSA
NORIEGA EDITORES
MÉXICO • Eapel\a • Venezuela • Colombia
VERSIÓN AUTORIZADA EN ESPNIOL DE LA OBRA
PUBLICADA EN INGLéS CON EL TITULO:
SOLIO STATE ANO
SEMICONDUCTOR PHYSICS
O HARPER & Row PuBLISHERs, INc.
COLABORADOR EN LA TRADUCCIÓN:
HORTENSIA CORONA RODRÍGUEZ
INGENIERO DE LA UNIVERSIDAD DE CALIFORNIA,
8eRKELEY.
REVISIÓN:
FRANCISCO RESÉNDIZ RODRÍGUEZ
MAESTFÚA EN CIENCIAS EN INOENIERIA ELéCTRI•
CA DEL CeNTRO DE INVESTIGACióN Y EsTUDIOS
AVANZADOS, PROFESOR DE ELECTRÓNICA DE LA
EscueLA SuPERIOR DE INOENIERfA MECÁNICA
Y ELéCTRICA DEL INSTITUTO PouTéCNICO NA·
CIONAL, MéxiCO.
DERECHOS RESERVADOS:
NovENA RBMPRESIÓN
HECHO EN MéxiCO
ISBN 968·18·0431·7
Prólogo
Este libro se basa en el material que utilicé para impartir cursos especiales
de dos semestres a los estudiantes de las carreras de física, ingeniería
eléctrica, metalurgia y ciencias de materiales. Por lo común, el primer
semestre de estos cursos se dedica ala física general del estado sólido y el
segundo, a un estudio detallado de los materiales y dispositivos semiconduc-
tores, incluyéndose en él (además de una gran cantidad de material nuevo)
muchas aplicaciones de los principios desarrollados en la sección introducto-
ria del curso. Por consiguiente, la obra es fundamentalmente un libro de
texto para un curso de este tipo. Esperamos que su alcance sea lo
suficientemente amplio y la exposición de los aspectos fundamentales, lo
suficientemente detallada y clara para que también sirva como libro de
consulta general para los ingenieros y otros profesionales que trabajan en el
área de investigación y desarrollo de los materiales y dispositivos
semiconductores.
En vista de que este material puede interesar a los estudiantes y
profesionales de carreras muy diversas, se incluyeron los capítulos sobre
mecánica cuántica y mecánica estadística, por creer que serían muy útiles
para algunos. Sin embargo, cabe señalar que con estos capítulos no se
pretende suplir un curso completo de estos temas, ya que sólo se trata df.
breves ensayos introductorios que le proporcionan al lector los conocimien-
tos necesarios para seguir el desarrollo del tema y entender el significado
físico de los conceptos presentados. Desde luego, para apreciar debidamente
la importancia que tienen los fenómenos cuánticos y estadísticos en la física
del estado sólido, no queda otra, sino estudiarlos a fondo.
A lo largo de la obra, los temas se presentan desde el punto de vista de la
física; por otra parte, se incluyen muchos detalles técnicos sobre temas tales
como tecnología de materiales y crecimiento de cristales; fabricación de
dispositivos semiconductores; características y configuración de circuitos de
estos dispositivos, y para proporcionar un panorama más completo, se
indican las obras que conviene consultar, si se desea obtener datos más
concretos y detallados en relación con estos temas. Traté de presentar en
forma exhaustiva la teoría de la unión p-n y el análisis del dispositivo
semiconductor y dar una explicación completa y detallada de las técni<:as
analíticas que se utilizan en este campo tan importante, pero tan descuidado.
Prólogo 6
J.P. MCKELVEY
2.1 Introducción, 31
2.2 Física de la difracción de los rayos X: las
ecuaciones de V on Laue, 34
2.3 Factor de dispersión atómica, 37
2.4 Factor geométrico de la estructura, 40
2.5 La red recíproca, 43
2.6 La condición de Bragg en función de la red
recíproca, 47
4.1 Introducción, 79
4.2 Radiación del cuerpo negro, 79
4.3 Efecto fotoeléctrico, 81
4.4 Calor específico de los sólidos, 83
4.5 El átomo de Bohr, 84
4.6 La hipótesis de De Broglie y las propiedades
ondulatorias de la materia, 8 7
4.7 Mecánica ondulatoria, 87
4.8 Dependencia del tiempo de la función de onda, 91
4.9 La partícula libre y el principio de
incertidumbre, 94
4.10 Una partícula en un pozo de potencial
unidimensional e infinitamente profundo, 100
4.11 Una partícula en un pozo unidimensional
de profundidad finita, 103
4.12 El oscilador armónico unidimensional, 111
4.13 Oetogonalidad de las funciones propias y
la superposición de estados, 119
4.14 Valores esperados y números cuánticos, 123
4.15 El átomo de hidrógeno, 128
4.16 El espín electrónico, el principio de
exclusión de Pauli y el sistema
periódico, 141
•o •o •o •o• •o • • o• •o•
•o •o•o •o• o • o •
•o •o •o •o • •o • o o • o • o
•
•o • o •o •o • • • o •o••
•o •o •o •o• •o o o • •o
•o •o • • • • o• o o •
• o • o • oo • oo • •o • • •
o o o •o •
o •
• • • • • • • • • •
Cristalino Amorfo
Figura 1.1. Representación esquemática en dos dimensiones, que muestra la düerencia existente
entre el arreglo atómico de un sólido cristalino y otro amorfo.
13
14 H.edes cristalinos y tipos de cristales
Por otro lado, las substancias cristalinas se caracterizan por una periodicidad
perfecta (o casi perfecta) en su estructura atómica; esta regularidad de estructura
proporciona un cuadro conceptual muy simple de un cristal y facilita la tarea de
comprender y calcular sus propiedades físicas. Por esta razón, los sólidos cristalinos
se comprenden mejor físicamente que los sólidos y líquidos amorfos. En este libro,
el tema se restringirá principalmente a un estudio de las propiedades físicas de los
sólidos cristalinos perfectos o casi perfectos. En algunas ocasiones, la presencia de un
número relativamente pequeño de imperfecciones tales como átomos de impurezas,
vacíos en la red o dislocaciones, en un cristal periódico que sería perfecto a no ser
por esta circunstancia, puede producir cambios notables en el comportamiento físico
del material. Esta obra se ocupará también de ellos según la importancia que revistan
dichos efectos.
Por último, es necesario comprender que las muestras macroscópicas de sólidos
cristalinos tales como metales, cerámicas, sales iónicas, etc., no siempre se componen
de un solo cristal, sino que a menudo están formados por un conjunto o conglo-
merado de pequeñas unidades de cristal -cada una con diferente orientación de
cristal- separadas entre sí por "fronteras o límites de grano" que se pueden consi-
derar como regiones definidas de rupturas y dislocaciones reticulares muy grandes.
Principalmente se tratarán las propiedades de diferentes tipos de cristales individuales;
pero se intentará comprender la naturaleza de las fronteras o límites de granos y
sei'ialar las principales formas en que pueden influir en las propiedades físicas de las
muestras cristalinas macroscópicas.
Figura 1.2. Celdas unitarias y vectores base en una estructura reticular bidimensional.
Celdas unittuios y redes de Bravais 15
ficie ABCD que se traslada sobre las direcciones a y b mediante todas las combina-
ciones posibles de múltiplos de los vectores base a y b. En otras palabras, cada
punto de la red del cristal se puede describir por medio de un vector r tal que
Celda unitaria: una región del cristal defmida por tres vectores, a, b y e, que
al trasladarse por medio de cualquier múltiplo entero de dichos vectores
reproduce una región similar del cristal,
Vectores base: conjunto de vectores linealmente independientes a, b, e, que se
pueden usar para defmir una celda unitaria,
Celda unitaria primitiva: la celda unitaria más pequeiia (en volumen) que se
puede defmir para una red dada,
Vectores base primitivos: conjunto de vectores linea1mente independientes que
definen una celda unitaria primitiva.
De acuerdo con las anteriores defmiciones, en este caso también es evidente que
cada punto reticular de una red cristalina tridimensional se puede describir mediante
un vector de la forma
Conviene obserYar que la celda unitaria se puede defmir de varias maneras, po1
ejemplo, A'B'C 'D' y A"B''C "D" son otras posibilidades que describen la celda uni·
taria ilustrada en la figura 1.2. Estas tres celdas unitarias son de tipo primitivo para
esta red y, por ende, existe una ambigüedad correspondiente en la selección de un
conjunto de vectores base primitivos. Cualquiera de los vectores (a, b) o (a', b')
podría servir de igual manera. La celda de mayor tamaño EFGH de la misma figura
es un ejemplo de una celda unitaria que no es primitiva.
Se puede demostrar que existen 14 formas de acomodar los puntos en las
redes cristalinas, de tal modo que todos los puntos de dichas redes tengan exacta-
mente el mismo medio circundante. Estas estructuras reticulares conocidas como
redes de Bravais se ilustran en la figura 1.3. En el caso de una de estas redes, un
observador que ve el cristal desde uno de los puntos de la red, vería exactamente la
misma disposición o arreglo de los puntos circundantes de la red, sea cual fuere el
punto que haya seleccionado para observar. A primera vista podría parecer que
puede existir otra red de Bravais; por ejemplo, en las 14 redes de Bravais de la
figura 1.3 no se incluye un arreglo tetragonal centrado en la cara. la razón de ello
es que esta estructura tetragonal centrada en la cara equivale a una red tetragonal
centrada en el cuerpo, en la que el lado de la base de la celda unitaria es 1/.¡2
veces su valor correspondiente a la disposición centrada en la cara. La demostración
de este postulado, y la pregunta acerca de por qué las estructuras cúbicas centrada
en la cara y centrada en el cuerpo son distintas, se le dejan al lector como ejercicio.
Estas 14 redes se pueden agrupar en siete sistemas cristalinos, cada uno de los
cuales tiene en común ciertos elementos de simetría característicos. Los elementos
de simetría que se han escogido para especificar estos siete sistemas son los si-
guientes:
16 Redes cristoliliiiS y tipos de cristales
/ /
/ V
Cúbica simple Cúbica centrada en la base Cúbica centrada en
la cara
./ 7
./ [7
V V
Ortorrómbica Ortorrómbica Ortorrómbica Ortorrómbica
simple centrada en la base centrada en el cuerpo centrada en la cara
TABLA l.l
Los siete sistemas cristalinos
~------b--------~
Figura 1.4. Notación de los ángulos y las dimensiones dentro de la celda unitaria.
Conviene recordar que, por lo general, los puntos de la red de una estructura
reticular no representan a un solo átomo, sino más bien a un grupo de átomos o
molécula. En consecuencia, además de las propiedades de simetría de los puntos
reticulares propiamente dichos, se necesita tomar en cuenta las propiedades de sime-
tría de las moléculas o grupos de átomos en cada punto reticular alrededor de los
puntos de red propiamente dichos, a fin de enumerar totalmente todas las estruc-
turas cristalinas posibles. Cuando esto se hace, se descubre que hay 230 patrones
repetitivos básicamente diferentes en los que los elementos se pueden acomodar para
formar posibles estructuras cristalinas. Las limitaciones de este libro no permiten
estudiar y enumerar todas estas posibilidades en detalle. Si el lector desea obtener
datos más detallados sobre este tema, convendrá que consulte una de las obras que
tratan sobre cristalografía y que se citan al final de este capítulo.
De acuerdo con la figura 1.3, es evidente que existen tres redes cúbicas posi-
bles, es decir, la cúbica simple, la cúbica centrada en el cuerpo y la cúbica centrada
en la cara. La celda cúbica unitaria que se ilustra en la figura 1.3 como la red
cúbica simple, constituye también la celda unitaria primitiva, dado que contiene el
mínimo irreductible de un átomo por cada celda. Este resultado se obtiene obser-
vando que en la celda cúbica simple se tienen ocho átomos en los ocho vértices de
la celda, donde, cada átomo es compartido en la misma forma por ocho celdas
unitarias adyacentes a cada vértice. Por tanto, se puede decir que se tienen 8 átomos
en las esquinas y que 1/8 de cada uno de éstos pertenece a esta celda en particular,
dando un total de un átomo por celda unitaria. La celda cúbica correspondiente a la
estructura cúbica centrada en la cara, contiene 8 átomos en los vértices, compartidos
por 8 celdas y 6 átomos centrados en la cara, que son compartidos por dos celdas,
lo cual da un total de 8(1/8) + 6(1/2), o bien, 4 átomos dentro de la celda cúbica.
En la celda cúbica correspondiente a la estructura cúbica centrada en el cuerpo, se
tienen 8 átomos en los vértices compartidos por 8 celdas y un átomo central que
pertenece exclusivamente a dicha celda, dando un total de 8(1/8) + 1 ó 2 átomos
dentro de la celda cúbica. Para estructuras simples que contienen átomos de un solo
tipo, la celda unitaria primitiva contiene casi siempre un solo átomo y, por tanto, se
puede llegar a la conclusión de que la celda cúbica centrada en la cara y la centrada
en el cunpo no son primitivas. En efecto, este es el caso; las celdas primitivas para
las estructm:J<; cúhica crntrada en la cara y cúbica centrada en el cuerpo, se ilustran
Algunas estructuras cristalinas simples 19
Celda primitiva
cúbica centrada en la cara
1
Celda primitiva 1
cúbica centrada en el cuerpo 1
1
1 1 1
11 11
~--------4'
Figura 1.5. Celdas unitaria~ primitivas de redes cúbicas centrada en la cara y centrada en el
cuerpo.
en la figura l.S. Cada celda primitiva contiene un solo átomo. Como siempre, estas
celdas primitivas no son las únicas que se pueden definir, ya que existen muchas
opciones posibles de grupos de vectores base primitivos para cualquiera de las estruc-
turas.
La celda primitiva para la estructura cúbica centrada en la cara que se ilustra
en la figura 1.5 es, obviamente, un caso especial de una estructura trigonal en la
que a = {3 = 'Y = 60°. Para este valor particular de a, la estructura trigonal posee una
simetría cúbica y se reduce a la red cúbica centrada en la cara. Por supuesto, se
puede hacer caso omiso de la celda cúbica de la red cúbica centrada en la cara y
considerar que la estructura sea de tipo trigonal con a = 60°, empleando sólo la
celda primitiva de la figura l.S. Sin embargo, casi siempre conviene considerar la
mayor celda cúbica como la base del cristal, en lugar de utilizar la celda primitiva,
ya que esto permite representar la estructura reticular en un sistema de coordenadas
ortogonales (x, y, z) -el cual es mucho más simple que un sistema oblicuo- y porque
la red tiene todas las propiedades de simetría relacionadas con la estructura cúbica
simple. En el caso de la estructura cúbica centrada en el cuerpo, por similares
consideraciones, se aconseja usar, siempre que sP.a posible, la mayor celda cúbica
como la base del cristal. No obstante, para ciertos fines será absolutamente necesario
emplear la celda primitiva; pero estos casos especiales se señalarán cuando surjan.
Cuando se tienen esferas iguales dentro de un recipiente, el empaquetamiento
más cerrado o compacto que se puede lograr es tener una capa en la base en la que
cada esfera está rodeada por otras seis adyacentes, con capas exactamente iguales
encima de ella, utilizando los intersticios triangulares entre las esferas de la capa
inferior para acomodar las que se van agregando en la capa inmediatamente superior.
Es obvio que en un arreglo de empaquetamiento compacto cada esfera sólo tiene 12
vecinas adyacentes, seis que la rodean en la misma capa, 3 en la superior y. 3 en la
inferior. Cualquier estructura que tiene un empaquetamiento compacto en este sen-
tido, se caracteriza por la propiedad de que cada átomo tiene 12 vecinos adyacentes
y, por lo contrario, no hay otra estructura en la que cada átomo tenga más de 12
vecinos cercanos.
20 Redes cristalinos y tipos de cristales
Figura ] .6. Arre~( o de capas de empaquetamiento compacto en las redes cúbica centrada en la
eara con empaquct~miento compacto y la hexagonal con empaquetamiento com-
p;wto. [Tomado l"Oil autorización de L. V. Azaroff, Introduction to Solids, Mc-
C.raw-Hill (1960), pá¡>;ina 1)0.1
Algunas estructuras cristalinas simples 21
/ / /
L / /
~ V V
~ V V
V V V
V V V
(O) NoCI (b) CsCI
una simetría cúbica. La descripción anterior de la red del diamante se puede en-
tender mejor estudiando la figura 1.9 en donde se muestra cómo la red del diaman-
te se puede describir mediante una celda unitaria cúbica. El silicio, el germanio y el
estaño a- (gris) se cristalizan también en la estructura del diamante. La estructura de
la zincblenda está íntimamente relacionada con la del diamante. En el caso de la
zmcblenda, la estructura se puede representar como dos redes cúbicas centradas en
la cara que tienen una interpenetración, al igual que el diamante, excepto que una de
las redes cúbicas centradas en la cara se compone por completo de átomos de zinc y
la obra está constituida totalmente por átomos de S. Por supuesto, esta estructura
reticular también tiene simetría cúbica. Los compuestos semiconductores III-V,
InSb, GaAs, GaSb, InP, GaP, etc., se cristalizan con esta misma estructura.
Lo "compacto" del empaquetamiento de los átomos en cualquier estructura
dada se puede inferir del número de vecinos más cercanos que rodean a cada átomo.
Esta cifra, que con frecuencia se denomina número de coordinación del cristal,
puede variar de un máximo de 12 en las estructuras de empaquetamiento compacto
hasta el 4, en el caso del diamante y la zincblenda, cuyas estructuras son relativa-
mente "abiertas".
(1) Se toma como origen cualquier átomo del cristal y se levantan ejes de
coordenadas a partir de dicho átomo en las direcciones de los vectores
base.
(2) Se encuentran las intersecciones de un plano que pertenece al sistema,
expresándolos como múltiplos enteros de los vectores base a lo largo de
los ejes cristalinos.
(3) Se sacan los recíprocos de estos números y se reducen a la tríada más
pequeña de enteros h, k, l, que tienen la misma relación. De donde, la
cantidad (hk/) constituye lol> índices de Miller de dicho sistema de planos.
ciamiento interplanar. Por ejemplo, en una red ortogonal, los siguientes planos
(Jzkl), (hkl), (hKl), (hkl), (ftld), (fikl), etc., obtenidos al asignar varias combinaciones de
signos menos a los índices de Miller, son equivalentes en este sentido. (Se acostum-
bra escribir los signos menos encima y no antes de los índices de Miller.) De igual
modo, en una estructura reticular cúbica, todos los planos representados por permu-
taciones de los tres índices de Miller entre sí mismos, tales como (hkl), (khl), (lhk),
etcétera, al igual que los que se obtienen tomando varias combinaciones de signos me-
nos, son cristalográficamente equivalentes. C'uando se hace referencia a un grupo
completo de planos cristalográficamente equivall'ntes, de los cuales (hkl) ~s un miem-
bro, se acostumbra encerrar los índices de Miller entre llaves, o sea, { hkl}.
Si el plano es paralelo a uno o dos de Jos vectores a, b, e, una o dos de las
intersecciones se localizarán en el infinito; los índices de Miller correspondientes son,
por tanto. cero. Por ejemplo, si el plano que se ilustra en la figura 1.1 O se hace
girar alrededor de la línea AB hasta que queda paralelo a e, las intersecciones se
convierten en 2, 3, oo, y los índices de Miller son, en consecuencia (320). Si se hace
girar más todavía alrededor de una línea perpendicular al plano a y b pasando por
el punto A hasta que quede en paralelo a b, las intersecciones serán 2, oo, uo, y los
índices de Miller son (1 00). El lector debe conocer a fondo las familias de planos
{ 100} (planos de cara cúbica), { 11 O } y de {111} para las redes cúbicas.
Los índices de una dirección dentro de un cri~tal se pueden expresar como un
conjunto de enteros que tienen la misma relación que los componentes de un vector
en esa dirección, expresados como múltiplos de los vectores base a, b, c. Por tanto,
el índice de dirección de un vector ha+ kb +le es, en todo caso, [hkl]. Los parén-
tesis cuadrados que encierran las tres cifras señalan los tres índices de dirección. Por
supuesto, las direcciones con distintos índices direccionales pueden ser cristalográ-
ficamente diferentes en la misma forma que los planos cristalinos con distintos
índices de Miller; sobre todo las normales a los planos cristalográficamente equiva-
lentes también deben tener direcciones cristalográficamente equivalentes. El conjunto
completo de direcciones cristalográficamente equivalentes de las cuales [hkll es un
miembro, se expresa encerrando los índices de dirección en la siguiente forma: (hk[).
En cristales cúbicos, una dirección con índices direccionales [hkl] es normal a un
plano cuyos índices de Miller son (hkl); pero, por lo general, esto no se aplica a
otros sistemas. Esta es otra de las razones aceptables para relacionar las redes cúbicas
centradas en el cuerpo y la centrada en la cara con estructuras cúbicas más que con
celdas unitarias primitivas. El comprobar este resultado queda como ejercicio para el
lector.
La posición de los puntos de una celda unitaria se especifica en función de las
partes fraccionales de las magn1tudes de los vectores de base a lo largu de las
direcciOne~ de coordenadas correspondientes, tomando siempre como origen el átomo
Espaciamiento de los planos en las redes cristalinas 25
de un vértice. Por ejemplo, las coordenadas del punto central de una celda unitaria
son {1/2, 1/2, 1/2) y las coordenadas de los centros de las caras son (1/2, 1/2,
0), (0, 1/2, 1/2), (1/2, O, 1/2), (1/2, 1/2, 1), (1, 1/2, 1/2) y (1/2, 1, 1/2).
Figura I.l L Una representación de todas las líneas (23) dentro de una red bidimensional.
Si existe un eie e- normal al nlano del papel, este sistema de líneas se puede consi-
derar como los tra10s de planos (230) (que son normales a la página) en el plano
del papel. Observe que sólo se tiene una línea (o plano) del sistema que pasa pnr
cada punto reticular.
26 Redes cristalinos y tipos de cristales
los cuales se intercalan 5 planos adicionales entre cada par de planos originales de
trazo grueso. Ahora se ve que las intersecciones de los planos adyacentes a lo largo
de los ejes a y b difieren, respectivamente, en a/2 y b/3. Para un .conjunto de ín-
dices de Miller (hk) estas intersecciones diferirán en a/h y b/k.
Para demostrarlo, véase primero el área OA CB de la figura 1.11. Se tienen los
puntos reticulares hk que pertenecen a esta área, ya que consiste en hk celdas
unitarias que tienen cada una de ellas un solo punto reticular. La región ABCD, que
obviamente equivale en superficie a OACB (ambas se pueden tomar como superposi-
ciones de dos triángulos congruentes a OAB) por tanto, también tiene hk puntos
reticulares. Esta superficie también contiene sólo hk planos reticulares (6 en el ejem-
plo anterior), uno por cada uno de los puntos reticulares hk dentro del área. Se
observará que cada plano puede cortar sólo un punto reticular dentro de ABCD,
excepción hecha de los planos que cortan los puntos reticulares de las fronteras, que
pueden pasar por dos puntos reticulares, de los cuales un medio o un cuarto pueden
pertenecer a ABCD, dependiendo de que dichos puntos reticulares así intersecados
representen átomos laterales o de vértices. En consecuencia, en ABCD hay hk planos
del sistema que se intersecan con el eje b dentro de una distancia hb, siendo la
diferencia que hay entre las intersecciones b de los planos adyacentes, hb/hk = b/k.
De la misma manera, en el área ABEC que también es igual en superficie a OACB y
que contiene también hk puntos reticulares y hk planos, se observa que se tienen hk
que cortan el eje a en una distancia ka, en donde la diferencia existente entre las in-
tersecciones a de los planos adyacentes del sistema es afh. Para simplificar los conceptos
geométricos, este resultado se obtuvo para un cristal bidimensional (o para planos
paralelos al eje e de un cristal tridimensional). Sin embargo este mismo argumento se
puede ampliar en una forma muy directa para un conjunto de planos (hk{) de un
cristal tridimensional teniendo como resultado el hecho de que las distancias entre
las intersecciones entre los ejes y los planos adyacentes de un sistema con índices de
Miller (hkl) a lo largo de los ejes a-, b- y e- son, respectivamente, afh, b/k y cfl.
El desarrollo de la exposición para un cristal tridimensional queda de ejercicio para
que el lector lo resuelva.
El espaciamiento real d que hay entre los planos adyacentes se puede calcular
tomando cualquier punto reticular como origen, levantando ejes en las direcciones
b
k
a b e
d = OP = h cos rx = k cos fJ = l cos y, (1.5-1)
en donde a, {3, 'Y son los ángulos que hay entre la nonnal al plano y los ejes a-, b-
Y e-, respectivamente. No obstante, si n es el vector unitario nonnal al plano, se
tiene que n • a =a cosa, etc., y
hx ky lz
f(x,y,z) =-; + b +e = l. (1.5-3)
Para darle al lector una imagen inicial amplia de las propiedades y las caracterís-
ticas de varios tipos de materiah:s cristalinos, se hará un repaso breve de algunas de las
características más sobresalientes de varias clases de cristales. Por supuesto, se pueden
28 Redes cristalinas y tipos de cristales
clasificar en muchas formas, por ejemplo, según sus redes cristalinas, propiedades
eléctricas, propiedades mecánicas o características químicas. Sin embargo, para el
estudio que nos ocupa, es más conveniente adoptar un esquema de clasificación
basado en el tipo de interacción que hace que los átomos del cristal se mantengan
unidos. De acuerdo con este esquema de clasificación, los sólidos se subdividen en
cuatro categorías generales: iónicos, covalentes, metálicos y moleculares. Cada una de
estas clases se examinará en lo particular, aunque se reconoce que no son absoluta-
mente distintos y que algunos cristales pueden posser, al mismo tiempo, caracte-
rísticas relacionadas con más de una de estas clases generales.
Los iónicos son cristales en los que los electrones de valencia se transfieren de
un átomo a otro, dando como resultado que el cristal esté compuesto de iones
positivos y negativos. La fuente de energía cohesiva que mantiene unido al cristal es
la intersección electrostática de estos iones. La configuración electrónica de los iones
es esencialmente la de un gas inerte, en donde la distribución de carga de cada ion
es esféricamente simétrica. Los compuestos químicos que contienen átomos muy
electropositivos y electronegativos, por ejemplo, NaCl, KBr, LiF, tienden a formar
cristales iónicos en estado sólido. Casi siempre los cristales iónicos tienen energías de
enlace relativamente altas y, como resultado, se caracterizan por puntos de fusión y
ebullición más o menos elevado. También se caracterizan por ser malos conductores
eléctricos a temperaturas normales y casi siempre son transparentes a la luz visible
en tanto que muestran un solo pico de reflexión óptico característico en la región
lejana infrarroja del espectro. Los cristales son a menudo muy solubles en disolventes
ionizantes tales como el agua, y sus soluciones se disocian fácilmente en iones libres.
Casi siempre los cristales iónicos se cristalizan en estructuras de empaquetamiento
relativamente compacto como las del NaCl y el CsCI.
Los cristales covalentes son aquellos en los que varios átomos comparten equi-
tativamente los electrones de valencia en lugar de transferirlos de unos a otros, como
sucede en los cristales iónicos. De donde, no se tiene una carga neta asociada con
ningún átomo del cristal. A menudo los elementos de las columnas III, IV y V de la
tabla periódica forman combinaciones covalentes. Un ejemplo típico de cristal cava-
lente lo tenemos en el diamante, en el que cada átomo de carbono comparte sus
cuatro electrones de valencia con sus cuatro vecinos más cercanos formando enlaces
covalentes de pares de electrones. Los espins de los electrones de estos enlaces de
par de electrones son antiparalelos. Estos enlaces covalentes de pares de electrones
del diamante son idénticos a las uniones carbono-carbono que se encuentran tan
frecuentemente en los compuestos orgánicos. Tienen una naturaleza muy direccional,
es decir, los electrones tienden a concentrarse a lo largo de las líneas que unen a los
átomos adyacentes y estas líneas tienden a ubicarse tetrahédricamente alrededor de
cualquier átomo. Esta disposición tetrahédrica natural de los enlaces covalentes se
satisface en las estructuras del diamante y la zincblenda y se ha descubierto que los
cristales covalentes tienen a menudo estas estructuras. Por lo general, los cristales
covalentes son materiales duros, quebradizos y de energías de enlace bastante eleva-
das, con puntos de fusión y ebullición elevados. Son semiconductores típicos cuya
conductividad eléctrica es muy sensible a la presencia de pequeñas cantidades de
átomos de impurezas y aumenta al incrementarse la temperatura a niveles lo suficien-
temente elevados. Son transparentes a la radiación de longitudes de onda largas y
opacos a longitudes de onda más cortas, con una transición abrupta que se produce
a una longitud de onda característica y que casi siempre se localiza en la región
visible o infrarroja cercana.
Existe un rango continuo entre las propiedades covalente e iónica; un cristal
dado puede tener naturaleza tanto covalente como iónica y sus electrones de va-
lencia se transfieren en parte y se comparten parcialmente. En la tabla 1.2, los
cmtales de la primera columna se componen de átomos de la columna IV del
Dosificación general de los cristales 29
TABLA 1.2.
Cristales covalentes y iónicos
neas de los electrones dentro de sus órbitas. Este momento dipolar instantáneo
es la fuente de un campo dipolar electrostático que, a su vez, puede inducir un mo-
mento dipolar en otro átomo u otra molécula. La interacción existente entre el mo-
mento dipolar original y el inducido es de atracción y puede servir para unir un
cristal en ausencia de un enlace de tipo iónico y covalente. Las fuerzas de enlace
que se originan en interacciones dipolares fluctuantes de esta naturaleza se conocen
con el nombre de fuerzas de van der Waals. Casi siempre, estas fuerzas son muy
débiles y la energía de enlace que originan disminuye según l/r6 , en donde r es la
distancia entre los dipolos. Entonces, los cristales moleculares se caracterizan por
energías de enlace reducidas y, en consecuencia, por puntos de fusión y ebullición
bajos; por lo general son conductores eléctricos deficientes. Los cristales de com-
puestos orgánicos generalmente pertenecen a esta clase, como es el caso' de los gases
inertes He, Ne, A, etc., en estado sólido.
EJERCICIOS
3. Analice desde el punto de vista físico el porqué un cristal real no puede tener un eje
de un múltiplo de cinco de simetría rotativa.
4. (a) Dibuje los bosquejos que ilustren Jos planos (100), (110) y (111) para una celda
unitaria cúbica. •
(b) ¿Cuántos planos equivalentes {lOO'}, ( 110} y { 111} existen en un cristal cúbico?
Considere que los planos (hkl) y (hkl) son idénticos.
5. (a) ¿Cuántos planos equivalentes {123} existen en un cristal cúbico?
(b) ¿Cuántos planos equivalentes { 111} existen en un cristal ortorrómbico?
(e) ¿Cuántos planos equivalentes { 123} existen en un cristal ortorrómbico? En todos
estos casos se considerará que los planos (hkl) y (hkl) son idénticos.
6. Demuestre que en un cristal cúbico la dirección [hkl] es normal al plano (hkl).
7. Demuestre que las intersecciones entre los ejes y Jos planos adyacentes (hkl) a Jo largo
de los ejes, a-, b- y e- dentro de una estructura tridimensional son a/h, b/k y e/1, respectiva-
mente, utilizando una extensión de los métodos que se usaron en el caso bidimensional dt' la
sección 1.5.
8. Demuestre que para las fuerzas de van der Waals, la energía de interacción de los
átomos y las moléculas desciende en la forma lfr6, en donde r es la distancia que hay entre
los átomos o las moléculas interactuantes. Nota: principie teniendo en cuenta la energía potencial
de un dipolo eléctrico en un campo eléctrico externo.
9. De acuerdo con los resultados de la teoría electromagnética de Maxwell para ondas
planas, demuestre que en el caso de un conductor muy bueno (a~oo, K ~oo, a= conductividad,
K =constante dieléctrica) se debe esperar un alto grado de reflectividad superficial y una gran
absorción interna.
CAPITULO 2
Análisis cristalográfico
con rayos X
1.1 INTRODUCCION
fi!~Jra 2.1. (a) Diagrama esquemático de la difracción de rayos X obtenida con la técnica de
Laue.
31
32 Análisis cristalográfico con rayos X
Figura 2.1. (continúa) (b) Un patrón de difracción de Laue de un cristal de fluoruro de litio,
haz incidente de rayos X a lo largo de una dirección { 100} (fotografía por cor-
tesía de H. A. McKinstry, Materials Research Laboratory, Pennsylvania Sta te Uni-
versity).
471"
~~--~~----~~L-~~--~~~----~~----~671"
Planos
del cristal
AB = AC =d sen 8
Figura 2.2. Representación de Bragg de una difracción de rayos X, de acuerdo con reflexion.:s
en fase desde planos sucesivos de un sistema particular (hk/).
Introducción 33
diversos sistemas (hkl) del cristal, y en el que los máximos de difracción sólo se encuen-
tran para direcciones de incidencia y reflexión tales que las reflexiones de los planos
adyacentes de un sistema interfieran en forma constructiva, con diferencias de fase de
2rrn radianes, en donde n es un entero.
Según este experimento, la diferencia de trayectoria para reflexiones sucesivas
sería igual a un número entero de longitudes de onda de los rayos X. Sin embargo,
esta diferencia de trayectoria, de acuerdo con la figura 2.2, es 2d sen e, en donde d
es el espaciamiento entre planos átomicos adyacentes, tal y como lo dan las expre-
siones (1.5-2) o (1.5-5) y e es el ángulo de incidencia entre el plano atómico y el
haz incidente. Por tanto, los haces fuertemente difractados deben propagarse, fuera
del cristal, en direcciones para las que se satisface la ecuación de Bragg
' ' 1
.
'
\'
.
. )\ ;
¡
(b)
Figura 2.3. (a) Diagrama esquemático de la difracción de rayos X obtenida con la técnica del
polvo de Debye-Scherrer. (b) Un patrón de difracción de polvo, de Debye-Scherrer
a partir de una muestra de un óxido compleJO de escandia y circonio (fotografía
por cortesía de H. A. l\lcKimtry, Materials Research Laboratory, Pennsylvania State
University).
A.=~
l/ . (2.2-2)
e o
3 R B. 1 ei¡•hton, l'rinl"iples o( Modern Physics, McGraw-Hill Book Co., Inc. Nueva York
(1959), p 405 d 21.
Física de la difracción de los rayos X 35
PA - OB = r • n0 - r • n 1 = r • (n 0 - n 1 ). (2.2-3)
N=2sen0. (2.2-4)
/
/
/
/
/
/
Plano de
e_ _L_ di~ersión
Figura 2.5. Relación geométrica del haz incidente y el difractado, la normal de dispersión y el
"plano de dispersión".
La diferencia de fase rl>r entre la radiación dispersa en los dos puntos es, sen·
cillarnente 27T/A veces la diferencia de trayectoria, de donde,
(2.2-5)
Ahora bien, para que haya una difracción máxima en la dirección n cada áto-
mo del cristal debe contribuir a la dispersión en esa dirección, con una diferencia
de fase igual a un múltiplo entero de 27T radianes. Para que esto sea verdad, lo único
que se necesita es que la radiación de los átomos separados por los vectores reticu·
lares primitiJ;os a, b, y e se sumen en fase, ya que en este caso, la contribución de
otros átomos separados del origen por combinaciones enteras de estos vectores se
sumarán en fase obligatoriamente. Si las contribuciones de dispersión de átomos
circunvecinos tuviera una diferencia de fase distinta, siempre sería posible encontrar
un átomo del cristal que contribuyera con una radiación exacta de 1T radianes fuera
de fase con la contribución de un átomo dado; estas contribuciones se cancelarían
átomo por átomo, y no darían un haz difractado. Si se analiza un ejemplo en el
que átomos circunvecinos a lo largo de la dirección a contribuyen con componentes
de radiación en una dirección dada, que están fuera de fase en 1T radianes (o
7T/2, 7T/4, 7T/6, etc.,) se verá con claridad que esta afirmación es fácil de corroborar.
En consecuencia, lo único que se requiere es que se obtenga un múltiplo
entero de 27T (2.2-5), en donde r es igual a a, b o e, es decir, se requiere simultá·
neamente que
2n
-(a· N)= 2nh' = 2nnh
}.
2n
T (b • N) = 'J.nk' = 2nnk (2.2-6)
2n
-;-(e· N)= 2nl' = 2nnl.
l.
En estas expresiones, h', k', !' pueden ser cualquiera de tres enteros; en ge-
neral estos tres enteros pueden contener el factor común entero de mayor valor n
superior a la unidad, en cuyo caso se puede escribir h' = nh, k'= nk y !' = nl, en
Factor de dispersión atómica 37
donde h, k y 1 son ahora tres enteros en la misma relación que h', k' y 1 ' sólo que
no tienen un factor común mayor que la unidad. Si h', k', y 1 ', no tienen un factor
común mayor que la unidad, entonces se considera que n es la unidad. Si a,~. y 'Y
son los ángulos entre la normal de dispersión N y los ejes a-, b- y e- del cristal,
respectivamente, entonces, de acuerdo con (2.2-4), a • N= aN cosa= 2a sen() cosa,
etcétera, de donde (2.2-6) se puede expresar también como sigue
nA.= 2d sen 8,
en donde d es la distancia entre los- planos adyacentes del sistema (hkl) y en donde
el orden n de la difracción es el factor común más alto entre los órdenes de
interferencia h', k' y l '. Por lo general, para referirse a una reflexión de rayos X
observada, se citan los números (h' k' 1 ') que dan el orden de interferencia entre los
átomos circunvecinos a lo largo de los ejes cristalinos; en consecuencia, el máximo
de difracción de primer orden para los planos ( 111) se menciona como la reflexión
(111), el máximo de difracción de segundo orden para el mismo conjunto de planos
(n = 2, h' = 2h, k' = 2k, 1' = 21) es la reflexión (222), el tercer orden es la reflexión
(333), etc.
ip(r) dv = Z, (2.3-1)
Figura 2.6. Geometría de la situación de dispersión de rayos X que se analiza en la· sección 2.3.
Radiación dispersada en el ángulo ele Bragg por una densidad electrónica contenida
en el elemento de volumen dv en r, que se compara con la que se dispersaría des-
de un ciPctrón de punto en O.
Factor de dispersión atómica 39
Aei(ks-wt)+i<i>,p(r) dv .
dr = . = pfr)é2n•fA.)(r·N) dv (2.3-3)
J Ae•<ks wt) ' ·
2n 2n 4rr
T (r ·N)= T Nr cos 8' = T r sen() cos ()' = w cos ()', (2.3-5)
4rr
en donde 11 = "T sen 8. (2.3-6)
f(!l) = l oo
o
sen 11r
4rrr 2 p(r) - - dr.
Jll"
(2.3-8)
Hasta ahora, se ha supuesto que se trata de celdas unitarias con átomos exclu-
sivamente en los vértices (es decir, celdas unitarias primitivas). Si se desean predecir
las características de la radiación difractada desde cristales con celdas unitarias com-
plejas, que contienen más de un átomo, como sucede en las celdas cúbicas para las
estructuras cúbica centrada en el cuerpo y cúbica centrada en la cara, se debe
explicar la interacción de los haces que se difractan desde los diversos átomos,
dentro de la celda unitaria. Si para la reflexión (h' k'!') se representa la relación de
la amplitud de radiación que dispersa toda la celda unitaria en función a la que
dispersa un electrón de punto en el origen, por medio de F(h' k'!'), entonces
Cuando todos los átomos del cristal son idénticos, el resultado se puede expre-
sar en una forma especialmente simplificada, porque, en ese caso, todas las[¡ tienen
el mismo valor f Por tanto, la ecuación (2.4-5) se convierte en
F(h'k'l') = fS (2.4-6)
Por tanto, la amplitud total dispersada está dada por el producto del factor de
dispersión atómica y un factor S, que está regido por la disposición geométrica de
los átomos, dentro de la celda unitaria y que se conoce como el factor geométrico
estructural. Para los cristales en los que no todos los átomos son idénticos, esta
separación es imposible y, en tales casos, se utilizará la forma más general (2.4-5).
La intensidad del haz difractado es proporcional al cuadrado de la amplitud F
o, más exactamente, dado que F es compleja, al cuadrado del valor absoluto de F,
que es F* F, en donde F* es el conjugado complejo de F Si F(h' k' l '), como lo
expresa (2.4-5), se escribe como el número complejo a+ i{3, entonces, F* =a- i(3 y
(2.4-8)
en donde a:= Re(F) = L [f; cos 2n:(h'x; +k' y;+ l'z;)], (2.4-9)
i
Los haces
se refuerzan
Figura 2.7. Relaciones de fase para los ángulos de difracción (100) y (200), en una estructura
cúbica centrada en el cuerpo.
La red reciproca 43
a* = b X e
. (2.5-5)
a· b X e
b* = e X a
a· b X e
* = a-X- b-
e
a· b X e
b* X e*
a = a* . b* X e*, (2.5-6)
etcétera.
Como ejemplo, supóngase que se desea determinar la red recíproca de una
estructura cúbica centrada en la cara. Se debe principiar con la celda unitaria pri
44 Análisis cristalográfico con rayos X
a('lx + .,
a= 2 .)
(2.5-7)
e= 2.a('•, + •.'
.)
Es evidente que esos vectores tienen las direcciones cúbicas diagonales, al igual
que los vectores primitivos de la estructura cúbica centrada en el cuerpo, como se
puede ver en la figura 1.5(b). Además, se debe observar que el espaciamiento reticu-
lar de la red recíproca es proporcional a 1/a. O sea, que cualquier vector r* que
conecte dos puntos reticulares de la red recíproca, debe tener la forma
1
(x,y,z) = - [(l + m - n), (l- m+ n), ( -l +m+ n)], (2.5-10)
a
1= -2 1 = -1 1=0 l = 1 1=2
(-n-3,n-1,n+1) (-n-2,n,n) (- n - 1, n + 1, n - 1) (- n, n + 2, n - 2)
-2, O, O -1,1,-1
m= -1 --2, -2, o -1, -1, -1 - 2, 2, O O, 2, - 2
O, -2, -2 0,0, -2
(2 - n, n - 2, n + 2) (3- n, n- 1, n + 1) (4- n, n, n)
m=2 2, -2,2 2,0,2 2, 2, 2
46 Análisis cristalográfico con rayos X
h' 1'
r* · [ -(a/h) +(e//)]= (h'a* + k'b* + l'e*) · [ -(a/h) + (ejl)] =- h +-¡=O,
(2.5-11)
Figura 2.8. Geometría vectorial en la red directa para los cálculos de la sección 2.5.
r* -= n/d, (2.5-14)
n). = 2d sen e,
y se satisface la condición de Bragg. En relación con la figura 2.9, también es
evidente que el vector OB representa una normal a los planos de reflexión (hkl) y
que el vector AB lo es en la dirección del haz difractado. Esta última proposición se
entenderá con mayor claridad, si se traslada el vector AB paralelo consigo mismo,
hasta que su origen descanse en el punto O, en que se verá que AO, OB y AB están
en la relación familiar de la dirección del haz incidente, así como la dirección
normal de dispersión y del haz de difracción. De acuerdo con esta construcción
geométrica, es evidente que la condición de Bragg se satisfará para una longitud de
onda dada por cada intersección de la superficie de una esfera de tadio 1/A. trazada
alrededor de A, con un punto de la red recíproca. En cada caso, el ángulo apro-
piado de Bragg estará dado por el ángulo comprendido entre el vector AO y un
plano normal a OB. Cuando la condición de Bragg se satisface en esta forma, los
vectores AO y AB constituyen un triángulo isósceles con un vector OB de la red
recíproca. De acuerdo con esta disposición de los vectores, como se ilustra en la
8'
Figura 2.10. Diagrama vectorial de la figura 2.9, ampliado de acuerdo con un factor escalar de
27T y rotulado nuevamente (la notación va de acuerdo con la utilizada por C. Kittel
en /ntroduction to Solid Sta te Physics. J ohn Wiley & Sons, Nueva York (1956).
haz incidente k deben ser iguales, en todos Jos casos en que se satisface la condición
de Bragg, ésta debe implicar que
(k + G) 2 = (k + G) • (k + G) = k 2 , (2.6-1)
o bien, desarrollando el producto y simplificando,
2k · G + G2 =O, (2.6-2)
en donde G es 27T veces un vector desde el origen hasta un punto reticular de la red
recíproca, en donde k es un vector de magnitud 27T/A a lo largo de la dirección del
haz incidente de rayos X. La ecuación (2.6-2) es la forma vectorial de la ecuación
de Bragg. 4
EJERCICIOS
l. l·.n un cristal cúbico se oh~erva una reflexión de primer orden (1 00) a un ángulo
incidente de 18° utilizando una radiación X de longitud de onda de 1 5 A ¿Cuál es la di~tancia
~ntre lo~ planos (1 00) del cristal?
4 Esta construcción la originó Ewald (P.P. Ewald, Zeitschrift für Kristallographie 56, 129
(1921) y se denomina, a veces, construcción de Ewald.
La condición de Bragg 49
2. Para el átomo de hidrógeno en su estado energético más bajo, la función de onda está
dada por
e-2rJ•o
p(r) =--.
7TQ~
LECTURAS RECOMENDADAS
W. H. Bragg, An Introduction to Crystal Analysis, G. Bell & Sons, Londres (1928).
W. L. Bragg,The Crystalline State, Vol. 1, G. Bell & Sons,.,.Londres (1955).
R. B. Leighton, Principies o[ Modern Phys;cs, McGraw-Hill Book Company, Inc., Nueva York
(1959).
A. Taylor, X-Ray Metallography, John Wiley & Sons, Nueva York (1961).
CAPITULO 3
Dinámica de las
redes cristalinas
-u+~u-1
I
(l
Areo t:J.yt:J.z
\r------t----i-1---.
r-u- -u-:t:J.u--::___
- F=ce(x+t:J.x)t:J.yt:J.z
F =ce (x) !:J. y tJ. z .._-------+---+-...J
1 t:J.x-----1
X x+t:J.x
poSictOn de equilibrio del extremo izquierdo del elemento se desplaza una distan-
cia u a lo largo del eje x, y el extremo derecho del elemento se desplaza una distancia
u + &. Si el medio elástico es lineal, el esfuerzo aplicado y la deformación resul-
51
52 Dinámica de las redes cristaliiUls
, Au ou
s(x)= hm - = - , (3.1-1)
&x--+O Ax ox
mientras que el esfuerzo es la fuerza por unidad de área que actúa sobre el ele·
mento. Por tanto, de acuerdo con la ley de Hooke, si F(x) es la fuerza total que
actúa en el punto x,
os
e ox Ax Ay Az = ma. (3.1-5)
ou2 p o2 u
(3.1-6)
ox 2 =~ ot 2 •
Esta es la ecuación de onda para la amplitud de ondas elásticas en un medio
lineal homogéneo, en función de x y t, en donde la deformación elástica se limita a
la dirección x.
Las soluciones a esta ecuación se pueden escribir en la forma
u(x,t) = Aei<wr-znxt.l.l = Aei<wr-kx>, (3.1-7)
en donde,
k= 2nfA. (3.1-8)
rot- kx =O
o bien,
(3.1-10)
Como se puede ver, el punto de fase avanza a una velocidad constante de fase
vP igual a w/k. De acuerdo con la ecuación (3.1-9), la velocidad de fase para estas
ondas se puede expresar como
de donde, es evidente que la ecuación de onda (3.1-6) se puede escribir como sigue
(3.1-12)
u1 + u2 = A[cos (rot- kx) + cos [(ro+ dro)t- (k+ dk)x]] = A[cos a+ cos p].
(3.2-2)
54 Dinámica de los redes cristalinas
2,.
k
Figura 3.2. Tren de ondas formado al superponer dos ondas sinusoidales cuyas frecuencias son
w y w +dw y con constantes de propagación de k y k +dk.
x dk - t dw = O,
o bien,
dw
x=-t=vt
dk g o
(3.2-7)
Por tanto, se ve que la envolvente o los grupos de ondas se desplazan con una
velocidad dw/dk; que se denomina velocidad de grupo, v.rr, asociada con las ondas.
Se puede demostrar que la velocidad con que la onda transmite energía a lo largo
de la dirección de propagación es idéntica a esa velocidad de grupo. 1 Como puede
verse, esto es lógico desde el punto de vista físico, por ejemplo, en el tren de ondas
de la figura 3.2, no puede fluir energía más allá de un nodo, ya que el medio en el
punto nodal está totalmente inmóvil. Por consiguiente, la energía se debe transmitir
a la velocidad a la que se mueven los nodos, es decir, a la velocidad de grupo. En el
caso de una onda estacionaria, la velocidad de grupo es cero y es evidente que no
puede haber un flujo neto de energía.
Para las ondas elásticas en un medio homogéneo, que se estudiaron en la
sección 3.1, la velocidad de fase y la de grupo son iguales, de acuerdo con la
ecuación (3.1-9). Esto es cierto debido a que w es una función lineal de k, de
donde, w/k y dw/dk son iguales. El mismo resultado se aplica también a las ondas
electromagnéticas en vacío, dado que también en este caso, la velocidad es una
constante independiente de la frecuencia y la longitud de onda. La velocidad de fase
y la velocidad de grupo sólo pueden diferir cuando la primera w/k es una función
de la frecuencia w, y por tanto, cuando la misma w no es una función lineal de k.
Por ejemplo, esta situación se presenta cuando hay una luz que pasa por un medio
en el que el índice de refracción (y, por ende, la velocidad de fase) es una función
de la frecuencia; el fenómeno se conoce como dispersión y dicho medio se deno-
mina medio dispersivo o de dispersión. Como ¡,~ verá en breve, también sucede en el
caso de ondas elásticas, en un medio compuesto de átomos discretos enlazados por
las fuerzas de la ley de Hooke, sobre todo cuando las longitudes de onda de que se
trata no son mucho mayores que las distancias interatómicas.
~ ~t ~t
Vibrando
Un-1 un
~ t
Un+ 1
t
Figura 3.3. Geúmetría de la red lineal monoatómica de la sección 3.3.
Se supone que las fuerzas entre los átomos circunvecinos son las de la ley de
Hooke, y que los átomos se comportan como si estuviesen unidos por medio de
resortes ideales, suponiéndose también que las únicas interacciones de fuerzas signifi-
cativas, son las que se ejercen directamente entre los átomos más cercanos. De
donde la influencia directa de los átomos n + 2, N+ 3, n + 4 ... sobre el átomo n
56 Dinámica de las redes cristalinos
(3.3-2)
(3.3-3)
en analogía con (3.1-7). Sin embargo, en la expresión (3.3-3) se debe representar el
coeficiente de k del exponente como la coordenada x ael nésimo átomo de la
cadena, es decir, na. De acuerdo con esto. se puede esperar que
un+l = Aei[wt-k(ll+l)aJ
y
Los signos de valor absoluto se requieren en (3.3-7), por la única razón de que
la frecuencia se debe considerar como una cantidad esencialmente positiva, sin im-
portar de que k sea positiva o negativa, es decir, sin importar que la onda se
propague hacia la derecha o la izquierda, a lo largo de la cadena.
En consecuencia, se observa que existen soluciones de la forma (3.3-3), a
condición de que w se relacione con k, mediante (3.3-7). Es obvio que, en este
caso, w no es una función lineal de k, de modo que aquí se trata un medio de
dispersión; una relación del tipo de (3.3-7) que presenta a w en función de k, se
conoce como relación de dispersión. En la figura 3.4 se muestra una gráfica de w
en función de k, como se da en (3.3-7). De acuerdo con esto (y (3.3-7)), se
observará que, si se restringen los valores de k, mucho menores que rrja, y, por
ende, a valores de "A que son mucho mayores que el doble de la distancia interató-
mica a, w es aproximadamente lineal, con k, ya que, en ese caso, sen-!- ka~-!- ka y
(3.3-8)
En este límite de longitud de onda larga, la velocidad de fase será esencial-
mente constante, ya que
(3.3-10)
w(k)
_,------------~------------r--k
-7T
o o 1T
o
vP = wfk = v0 lsentkal
!ka (3.3-11)
y
v9 = dwfdk = v0 leos tkal, (3.3-12)
Vp
Figura 3.6. Vcloddad de grupo como una función de la constante de propagación k para la
red lineal monoatórnica.
Movimiento ondulatorio en redes atómicas unidimensionales 59
~j i j ¡---¡-_,__
Figura 3.7. Desplazamientos atómicos en la red monoatómica lineal (a) para una longitud de
onda mucho mayor que el espaciamiento interatómico, (b) en el límite en donde
'A= 2a. Para mayor claridad, los desplazamientos se representan como transversales,
pero se debe tener presente que los desplazamientos reales estudiados en este texto
son longitudinales. [De acuerdo con Brillouin.]
Figura 3.8. Un solo grupo de desplazamientos atómicos representados por varias ondas sinusoi-
dales de diferentes longitudes de onda. [Tomado de Brillouin, Wave Propagation in
Periodic Structures, McGraw-Hill, Nueva York, (1946).]
con otra de k aún mayor. En otras palabras, pueden existir muchas representaciones
del mismo patrón de desplazamiento átomico en el que se incluya un valor distinto
de k y, en consecuencia, un valor diferente de 'A. Se puede demostrar que estas
representaciones disímbolas están asociadas con diferentes periodos de la gráfica de
w en función de k. Cada una de las representaciones posibles debe tener el mismo
valor de w por lo que, en una gráfica de w en función de k, en la que aparezcan
varios periodos de la curva, como sucede en la figura 3.9, puede haber muchos
valores de k que correspondan al mismo valor de w. En la región central, que se
extiende desde - rr/a hasta rr/a, se tiene sólo dos posibilidades, una onda que se
propaga hacia la derecha, con la constante de propagación k 1 y otra que se desplaza
hacia la izquierda, con una constan te de propagación k_ 1 = - k 1 • Las regiones mar-
cadas en esta figura con los números 2 y 2', que con tienen otras dos soluciones
posibles, k 2 y k_ 2 = - k 2 , se pueden superponer en la región central, desplazando
la región 2 hacia la izquierda una distancia 2rr/a y moviendo la región 2' una
distancia 2rr/a. El carácter de las soluciones posibles en la región 2 es el mismo que
60 Dinámica de las redes cristalinos
"'
Figura 3.9. Varios periodos de la relación de dispersión para una red lineal monoatómica. Se
observará que muchos valores de k se pueden asociar con cualquier frecuencia dada
dentro del rango permitido.
el de las soluciones posibles de la región 1' excepto por una diferencia en los valores
k de 2rr/a; lo mismo puede afirmarse de las regiones 2' y l. Del mismo modo, las
regiones 3 y 3', que contienen dos soluciones posibles para las que k = k 3 y k =
k_ 3 = - k 3 , se pueden superponer sobre la región central - rr/a <k< rr/a, despla-
zando la región 3 hacia la izquierda una distancia 4rr/a y la 3', a la derecha, una
distancia 4rr/a; la naturaleza física de las soluciones en esta región coincide, por
tanto, con la de la región central, excepción hecha de las diferencias de los valores k
de 4rr/a. Se pueden observar relaciones similares en zonas superiores. El hecho
físico importante es que cualquier arreglo posible de posiciones atómicas, que sea
compatible con una solución sinusoidal de cualquier longitud de onda, por más
pequeña que sea, se puede representar o reducirse a una solución sinusoidal para la
que - rr/a <k< rr/a. y que, por ende, pertenece a la zona central. Por consiguiente
en este caso, no es necesario considerar las vibraciones que no pertenezcan a la zona
central -rr/a <k< rr/a. Esta región central (1 y 1' de la figura 3.9) se denomina
primera zona de Brillouin; las regiones 2 y 2', y 3 y 3', etc., para las que el
carácter físico de las soluciones es el mismo que el de la primera zona, exceptuando
la traslación que se hace a lo largo del eje k, en una distancia igual a un múltiplo
entero de 2rr/a, se citan como la segunda, tercera, etc., zonas de Brillouin, respecti-
vamente. Más adelante, se representará la ocasión de utilizar el concepto de las zonas
de Brillouin, en relación con el comportamiento de la mecánica cuántica de los
electrones en las estructuras reticulares periódicas. 2
También se debe determinar cuántos modos nonnales posibles de vibración (en
otras palabras, cuántas soluciones independientes de la ecuación de onda que satis-
fagan un conjunto de condiciones de frontera) se pueden asociar con una cadena
lineal de átomos. Por ejemplo, supongamos que se tiene una cadena rígidamente fija
en ambos extremos. Si dicha cadena, que tiene una longitud L, fuera un medio
homogéneo y continuo, cualquier vibración de la forma
2 Debe hacerse notar que las velocidades de fase de ondas equivalentes en diferentes Zonas
de Brillouin son distintas; pero este hecho no tiene un efecto físico directo.
Movimiento ondulatorio en redes atómicas unidimensionales 61
Figura 3.10.
~
, n =4
tanto, se calificaría como modo normal de vibración del sistema. Esta situación se
ilustra en la figura 3.1 O. Sin embargo, si la cadena se compone de átomos discretos,
el valor máximo de k está dado por rrja, y corresponde a un valor mínimo de la
longitud de onda de 2a, como se puede ver en la figura 3. 7(b ). Cualquier valor
grande de k o cualquier valor pequeño de A. corresponde simplemente a una repeti·
ción de cierta configuración que se puede describir mediante un valor de k dentro
de la zona central. De acuerdo con (3.3-4), los valores posibles de k para un sistema
de ese tipo son, k= rr/L, 2rr/L, 3rr/L, • • • rrja. No obstante, si hay N átomos en una
cadena de longitud L, cada uno de los cuales está separado de su vecino por una
distancia a, entonces, a= L/(N- 1) y, por tanto los valores permitidos de k para
vibraciones normales de esta índole es k = rr/L, 2rr/L, 3rr/L • • • (N - 1)rr/L, dando
un total de N- 1 modos. Sin embargo, para k= (N- l)rr/L, (A.= 2a) se debe excluir
en este caso, dado que no se puede excitar a menos que se muevan los átomos del
extremo, lo cual está prohibido por las condiciones de frontera. El número de
modos reales de vibración, en estas condiciones de frontera, es, por tanto N- 2, o
sea, el número de átomos de la cadena menos dos. Por supuesto, si N es un número
muy grande, no importa si el número de modos normales se considera como N- 2
o, simplemente, como N.
Conviene hacer notar que las condiciones físicas de frontera que se imponen al
sistema son las que limitan los valores posibles de k a cierto número finito de
valores, tomados del continuo de valores posibles entre - rr/a y rrja que permiten las
soluciones de las ecuaciones diferenciales de movimiento del sistema. Como lo de-
muestra la exposición anterior, cuando los extremos de la cadena se mantienen
rígidamente fijos, se seleciona un conjunto de N- 2 valores posibles de k, corres-
pondientes a las soluciones que satisfacen esas condiciones de frontera, de entre este
grupo infinito de valores posibles. Sin embargo, en cualquier problema real se deben
seleccionar ciertas condiciones de frontera en las ondas elásticas y, en lo que res-
pecta al número de modos normales posibles, se encuentra que no importa mucho
cuál de los conjuntos de condiciones se escoja, siempre que sea físicamente acep-
table. En cada caso, se tendrán básicamente N modos normales posibles de vibración,
que satisfagan las condiciones de frontera que se hayan seleccionado, a condición de
que el número de átomos N sea mucho mayor que la unidad. Se encuentra que este
resultado se aplica también en sistemas bidimensionales y tridimensionales.
En muchos casos, será útil seleccionar como condición de frontera, el requisito
de que la amplitud de vibración del Nésimo átomo sea precisamente la misma que la
del primer átomo. Desde el punto de vista físico, esto correspondería a una cadena
lineal, que se dobla para obtener la forma de un anillo, en el que el Nésimo átomo
se une al primero para cerrar la cadena. Las condiciones de frontera de esta natu-
raleza se conocen con el nombre de frontera periódica; la aplicación de estas condi-
ciones a las soluciones (3.3-3) de las ecuaciones de movimiento, producirá el mismo
62 Dinámica de redes cristalinos
(3.4-1)
m M m M m M m M m M
• o • o • o •
~o-i-o~
---- 2 n-2 2n-l 2n 2n+l 2n+2 2n+3 ---
Puesto que Jos dos tipos de átomos tienen masas distintas, por lo normal, sus
respectivas amplitudes de vibración, también, serían diferentes. Además, en este
punto, no se puede f>aber que sus frecuencias son iguales -aunque, como se verá
Estructuras diatómicas unidimensionales 63
más adelante, esto es lo que sucede en este caso en particular. Por tanto, se suponen
soluciones de la fórmula
y
(3.4-2)
(3.4-3)
(3.4-4)
p(l + e-2ika>
U2n+ 1 = 2 p _ Mw~ U2n· (3.4-5)
(3.4-6)
(3.4-7)
2 _
c.o± -
P(m + M) [
mM 1±
J_ 1
4mM sen2 ka]
( m+ M)2 . (3.4-9)
w(k)
l /2~/M
1
1
1
-4--------------~--------------~k
l-..!:.
2o o 1 ;o
Figura 3.12. Relación de dispersión correspondiente a la red diatómica lineal, donde se mues-
tran las ramas Óptica y acústica.
(3.4-10)
w_(k)=ka J --
m+M
2p
(ka ~ ;r/2). (3.4-11)
y (3.4-12)
w_ = )l/3/M.
, U2n+ 1 B 2{3
(3.4-13)
!~~~=A= 2{3- Mw~
Figura 3.13. Desplazamientos físicos asociados con vibraciones de longitud de onda larga pro-
pios de (a) la rama acústica y (b) la rama Óptica.
De acuerdo con la mencionada figura 3.1 '2, existe una banda de frecuencias
2(3/M < w 2 < 2(3/m en la que no hay soluciones de la forma (3 4-2). Pues sucede que
las frecuencias de este rango simplemente. no pueden propagarse como vibraciones
armónicas continuas no amortiguadas de la red. Si se intenta excitar vibraciones de
una frecuencia que queda dentro de esta banda. las vihmciones ~on at<'lllltlllas o
66 Dinámica de redes cristalinas
(3.5-1)
Puesto que en la regwn 2(3/M < w 2 < 2(3/m, el primer factor en la parte supe-
rior de la ecuación de (3.5-1) es positivo y negativo el segundo, es evidente que
cos ka debe ser imaginario en esta región de frecuencias, por lo que ka debe ser un
número complejo. Si la raíz cuadrada se escribe en la segunda forma que se indica
arriba, cos ka se expresa como una cantidad imaginaria if>, en donde 6 es un número
real dentro del rango de frecuencias de interés.
El coseno de un número complejo se puede expresar como la suma de partes
reales o imaginarias mediante un simple cálculo, utilizando el teorema de Euler como
sigue:
Si esto se iguala a if>, como lo requiere (3.5-1), y se igualan las partes reales e
imaginarias de la ecuación resultante, se obtiene
(3.5-7)
(3.5-8)
está dada por
1
K=- senh - l ó, (3.5-9)
a
en donde o, a su vez, está dada por (3.5-1). Esta misma situación general predomina
para valores de w que exceden w+(O), según han sido dados por (3.4-1 0), y también
en el caso de la cadena monoatómica para valores de w que se sobrepasen de
y4[3/m; en cada caso se encuentra que la red cristalina no puede propagar frecuen-
cias en estos rangos y que la red misma debe amortiguar o atenuar cualquier pertur-
bación de esta índole.
Hasta ahora sólo se han visto ondas longitudinales en redes unidimensionales;
sin embargo, también se pueden excitar vibracwnes transversales en las que los des-
plazamientos atómicos son perpendiculares a la cadena y no a lo largo de ella. Las
características de estas ondas transversales son, en general, muy similares a las de las
ondas longitudinales; el fenómeno de dispersión, los modos de vibración acústico y
óptico para las estructuras diatómicas y las bandas de frecuencias prohibidas, se
producen más o menos en la misma forma que en las ondas longitudinales. Puesto
que las ondas transversales implican desplazamientos atómicos normales a los que
tienen lugar en las vibraciones longitudinales, las ondas transversales y longitudinales
se pueden excitar en forma simultánea (como primera aproximación) e independien-
temente entre sí. De igual manera, puesto que existen dos direcciones posibles de
desplazamiento ortogonal e independiente para las ondas transversales, se pueden
excitar de un modo simultáneo dos oscilaciones transversales independientes.
(3.6-1)
u 2n+ 1 = Bei(coor-[2n+ 1JkaJ
Puesto que desde el punto de vista físico la vibración óptica que se excita por
medio de la onda de luz es tal que k= O, el conjunto de ecuaciones anteriores se
reduce a
- (- eEo/m) iwor
U2n- Wo-
2
w+2(0)e
(3.6-4)
_ (eEo/M) iw 0 t,
U2n+ 1 -
w 02 -w+2 (O) e
Si un cristal iónico dado refleja varias veces la radiación de una fuente infra-
rroja de espectro continuo, la radiación residual resultante será una luz casi mono-
cromática de la frecuencia de resonancia de la red, ya que a otras frecuencias, la
reflexividad del cristal será más bien pequeña y, después de varias reducciones, este tipo
de luz se atenuará enormemente. Este efecto ha llevado a la terminología de rayos resi-
duales o bien, como se dice en alemán, Reststrahlen, refiriéndose a la radiación refle-
jada desde un cristal iónico al pico de reflexividad. El efecto característico de Reststrahl,
según se produzca o no, puede indicar si el cristal es iónico o bien covalente, ya que el
modo de vibraciones ópticas no se puede excitar así en un cristal covalente, eP el que
los átomos no llevan una carga neta. La intensidad del pico de Reststrahl en un cristal
mixto iónico-covalente, también proporciona una estimación cuantitativa de la fuerza
relativa del componente iónico del enlace del cristal.
Por supuesto, en relación con el pico de reflexividad, se tiene un mínimo en la
transmisión óptica del cristal. Aunque en el cálculo sencillo que se hizo se pasaron
por alto los términos de amortiguamiento en la ecuación del movimiento, y no se
incluyó ningún otro para explicar las pérdidas de energía del cristal, en realidad, sí
se registra una pérdida de energía. Esta pérdida se debe no sólo a la rerradiación del
haz reflejado, sino también a otras razones entre las cuales la más importante es la
de la inarmonía de las vibraciones reticulares que se origina a las amplitudes grandes,
producidas cerca de la resonancia, originando, a su vez, la excitación de otros modos
de vibración de la estructura reticular.
(3.7-1)
3 Esta sección sigue, en forma general, el planteamiento que le dio C. Kittel en IT'troduc-
tion to Solid State Physics, John Wiley & Sons, Nueva York (1956).
4 E. Madelung, Physik, Zeitschr, 11, 898 (1910).
S M. Born, Atomtheorie des Festen Zustandes, Teubner, Leipzig (1923).
6 M. Born y M. Goppert-Mayer, Handbuch der Physik, 24/2, 623 (1933).
70 Dinámica de redes cristalinas
(3.7-2)
U=NU;. (3.7-3)
Ahora bien, el número total de iones del cristal es 2N, pero, al determinar la
energía total de enlace, sólo debe tomarse una vez la energía aportada por cada par
de interacciones ij; si se escribiera (3.7-3) con un factor de 2 en el lado derecho, las
interacciones U¡¡ y U¡¡ de (3.7-1) se hubieran contado erróneamente como si fueran
entidades independientes. La energía U¡¡ dada por (3. 7-2), viene a ser la suma de la
energía necesaria para separar los iones i y j situados a una distancia inicial r¡¡, hasta
que estén infinitamente separados; la energía reticular total U es, entonces, la ener-
gía requerida para convertir un cristal cuyos átomos vecinos más cercanos se encuen-
tran inicialmente a una distancia r, en iones separados, cada uno de los cuales está
infinitamente lejos de los demás.
Si ahora las cantidades X¡¡ que no tienen dimensiones se definen en tal forma
que
(3.7-4)
en donde r es la distancia entre los átomos adyacentes del cristal, entonces, (3. 7-2)
se puede expresar como sigue:
(3.7-5)
y
(3.7-6)
Energía de enlace de estructuras cristalinas iónicas 71
A , 1 e2 1
U-(r)
1 n¿ - n+-
= -"" - ""'-
¿ ' (3.7-7)
r i X¡i r i xii
B ae 2
U-(r)=....!! _ _ (3.7-8)
' r" r '
con
y
a = L.' + 1/xii. (3.7-10)
j
U; (r)
7::7
:;."
:í'
'/'
/
U; (o)+--........::~_.,1 Energía de Coulomb- ae 2/r
(Energía de enlace) 1
1
1
Figura 3.14. Energía potencial de un ion de un cristal iónico en función de la distancia in-
teratómica r. El cristal está en equilibrio cuando dicha energía está en un mínimo,
o sea cuando existe una separación interatómica igual a la distancia reticular de
equilibrio a.
una posición de energía mínima para el sistema, como lo indica el diagrama, y este
punto representa la posición de equilibrio del cristal. El valor de r asociado con
este punto es, sencillamente, la distancia interatómica de equilibrio a del vecino más
cercano. En este punto, la fuerza coulómbica de atracción entre los iones mantiene
un difícil equilibrio debido a la repulsión de corto alcance, siendo igual a cero la
fuerza neta ejercida sobre un átomo, dada por - au;;ar.
La constante a de la ecuación (3.7-8) que se denomina constante de Madelung,
es un número que está determinado completamente por la estructura reticular del
cristal. La constante B depende del coeficiente de energía de repulsión A, así como
de la estructura reticular. Sin embargo, se puede determinar en términos de la
distancia de equilibrio a del vecino más cercano. Para hacer esto, se debe evaluar la
derivada de U;(r), a r =a que, de acuerdo con la exposición anterior, debe ser igual
a cero, ya que el punto mínimo de la curva de energía potencial se produce a r = a
Por tanto, se tiene que
nBn cxe 2
- n:tr
a
+ -a2 = O,
de donde,
(3.7-11)
Al substituir este valor de Bn en (3. 7-8), si se usa (3. 7-3) se encontrará que
para la energía total de enlace en equilibrio,
U0 = NU¡(a) = - -Ncxe
2
a - ( 1- ~ . 1) (3. 7-12)
(3.7-13)
x2 x3 x4
In (1 + x) = -x- -
2
+---
3 4
+ ··· (3.7-14)
la serie de (3.7-13) se puede obtener haciendo que x = l, de donde, para este caso,
dQ = dU + p dV = T dS, (3.7-16)
p = -(dU) y (3.7-17)
dV S
De igual manera,
dU dU dr
dV=drdV
y
_ dU d 2 r
- dr dV 2 +
(!!!:)
dV
2 d2 U
dr 2 • .
(3.7-20)
(3.7-21)
de donde,
dr 1
(3.7-22)
dV = 6Nr 2
(3.7-23)
d2U -1 dU 1 d2U
(3.7-24)
dV = 18N 2 r 5 dr
2 + 36N 2 r4 dr 2 '
Como ya se vio antes, dU/dr =O a r =a, por tanto, de acuerdo con (3.7-24),
se de be tener
(3.7-25)
(3.7-26)
Energía de enlace de estructuras cristalinas iónicas 15
2
B a.e ]
U(r) = NU¡(r) = N [ ; ---¡: , (3.7-27)
en donde,
(3.7-28)
Na.é(n- 1) 18Na
a3 =~· (3.7-29)
18a 4
n = l + - -2 • (3.7-30)
Ka.e
9 Los valores aquí citados fueron tomados de F. Seítz, Modern Theory of Solids, McGraw-
Hill, Nueva York (1940), tablas XXIV y XXVI, páginas 80-83.
10 P. Lowdin, Ark.Mat. Astron. Fysik 35A, Nos. 9, 30 (1947).
76 Dinámico de redes cristalinas
TABLA 3.1.
Energías de enlace teóricas y experimentales
de cristales iónicos
cálculos de este tipo, cuyos resultados concuerdan bastante con el experimento. Sin
embargo, el análisis detallado de este tema está fuera del alcance de esta obra.
A pesar de todo, la teoría más sencilla de Born-Madelung tiene un valor considerable,
debido a que verifica el simple modelo conceptual del enlace iónico con el que
principiamos y porque permite que se entienda con facilidad el papel que desem-
peñan las fuerzas de repulsión Coulomb y de corto alcance en la determinación de
la energía de enlace en las substancias iónicas.
EJERCICIOS
m M m M
LECTURAS RECOMENDADAS
M. Born y M. Goppert-Mayer, Handbuch der Physik, Vol. 24/2, J. Springer Verlag, Berlín
(1933), p. 623.
M. Born y K. Huang, Dynamical Theory of Crystal Lattices, Oxford University Press, Oxford
(1956).
L. Brillouin, Wave Propagation in Periodic Structures, Dover Publications, Nueva York (1953).
C. Kittel, Introduction to So/id State Physics, 2.a edición, John Wiley & Sons, Nueva York
(1956), capítulo 3.
F. Seitz, Modern Theory of Solids, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1940), capítulo 2.
R. A. Smith, Wave Mechanics of Crystalline Solids, Chapman & Hall, Ltd., Londres (1961),
capítulo 3.
J. M. Ziman, Electrons and Phonons, Oxford University Press, Nueva York (1960), capítulos 1 y 3.
CAPITULO 4
Mecánica cuántica.
Generalidades
4.1 INTRODUCCION
Durante los últimos años del siglo diecinueve y los primeros del presente, los
científicos se encontraron con un gran número de hechos observados en su experi-
mentos que no se podían explicar debidamente basándose en la mecánica y la
electrodinámica clásicas. Entre los fenómenos poco comprendidos se incluían algunas
de las propiedades térmicas y eléctricas fundamentales de los sólidos. Por ejemplo, el
hecho de que algunos sólidos son muy buenos aisladores, con resistividades específicas
mayores de 10 12 ohm-cm, y otros son conductores excelentes con resistividades del
orden de 10- 5 ohm-cm, no se podía explicar en absoluto desde el punto de vista de
la teoría clásic.-. Sin embargo, a partir de 1901 gracias a la explicación dada por
Max Planck sobre la distribución espectral de radiación proveniente de cuerpos ca-
lientes incandescentes, se pudo demostrar que casi todos estos resultados expe-
rimentales hasta entonces inexplicables, demostraron estar de acuerdo con las pre-
dicciones de una nueva mecánica la cual difiere en muchos aspectos importantes de
la mecánica newtoniana, aunque concuerda con ella en el límite en que las masas y
las energías de las partículas se hacen relativamente grandes. Esta nueva y ampliada
forma de la mecánica, que resultó especialmente útil en la descripción de aconteci-
mientos que se desarrollan a una escala atómica, se denominó mecánica cuántica.
Aunque es imposible presentar en esta obra una relación extensa sobre el tema, se
analizarán algunos de sus aspectos más importantes, a fin de proporcionar al lector
los conocimientos necesarios para resolver problemas dinámicos simples desde el pun-
to de vista de la mecánica cuántica, y para apreciar los resultados de los cálculos
concernientes a sistemas más complejos que se dan más adelante, al explicar el
comportamiento físico de cristales reales.
79
80 Mecánica cuántica. Generalidades
3000 °K
I(X)
o 1 2 3
x (micrones)
e= hv = nw, (4.2-1)
en donde,
n = hj2n. (4.2-2)
Así pues, se supone que los osciladores poseen sólo ciertos estados de energía permi-
sibles de una energía total O, líw, 2líw, 3líw, • • • nlíw, • • • , en donde las transicio-
nes entre estos estados permisibles se efectúan mediante la absorción o emisión de
fotones cuya energía es líw.
A ciertos científicos de esa época, la hipótesis cuántica les pareció muy ex-
traña, ya que estaban acostumbrados a las ideas de la mecánica clásica; pero la
coincidencia que se obtuvo a partir de entonces con los datos experimentales fue
excelente y el valor de h que usó Planck para lograr que su teoría concordara con
los datos experimentales (6.55 x I0- 27 erg-seg), es solamente uno por ciento menor
del valor que en la actualidad se acepta como correcto. Además, es muy importante
observar que los éxitos subsecuentes de la teoría cuántica para explicar fenómenos
muy diferentes, no dejaron ninguna duda respecto a su validez esencial. A la luz de
los conocimientos actuales, no es difícil aceptar el hecho de que la energía, al igual
que la materia, puede estar compuesta de partículas discretas e indivisibles.
Cuando se deja que la luz caiga sobre la superficie de un metal, éste puede
expulsar electrones hacia un vacío, en donde los puede recoger un ánodo, como se ilustra
en la figma 2.4(a). La máxima energía inicial de estos fotoelectrones emitidos se
puede medir insertando un rejilla entre el fotocátodo y el ánodo, y determinando el
potencial retardador que se debe aplicar entre la rejilla y el cátodo para reducir la
fotocorrriente a cero, como se indica en la figura 4.2{b). Se puede demostrar en
esta forma que, si la luz incidente tiene una frecuencia menor que la de una
frecuencia de umbral dada (¡Jo, no se produce ningún efecto fotoeléctrico en abso-
luto, sea cual fuere la intensidad de la luz. Para una radiación incidente de una
frecuencia mayor que w 0 , los fotoelectrones se· emiten en una can ti dad proporcional
Luz
Iluminación leve
Fotocátodo metálico
Potencial de rejilla
(o) ( b)
Figura 4.2. (a) Diagrama esquemático del aparato usado para estudiar los efectos fotoeléctricos
en los metaies, (b) una gráfica de la fotocorriente observada en función del poten-
cial retardador para varios niveles de intensidad de la luz incidente.
82 Mecánico cuántico. Generalidades
\
Frecuencia incidente
del fotón "'o' etf>0 111
Fotoelectrón emitido al vacío
Energía con un E.C. cero
f _ ___,
e <Po
_L~~~~~~~~
Electrones
Vacío Metal Vacío
Figura 4.3. Modelo conceptual simplificado de un metal, representado como un pozo de po·
tencial que contiene electrones libres y en el que se basa la teoría de Einstein
sobre los efectos fotoeléctricos.
es mayor que ecp 0 , puede excitar a un fotoelectrón hacia el vacío con un exceso de
energía cinética que puede ser de la magnitud hw - ecp 0 , siendo hw la energía del
fotón incidente. La máxima energía de los fotoelectrones emitidos es, entonces,
(4.3-1)
Todo esto concuerda con los hechos experimentales que se describieron previa-
mente. Además, la ecuación (4.3-1) predice que la pendiente de la curva que da Em
en función de w, será la constante de valor h. ¡Cuándo esta pendiente se evalúa
basándose en datos experimentales, se encuentra, en efecto, que es una constante y
da un valor de h que concuerda exactamente con el valor derivado por Planck de los
datos experimentales corrrspondientes a la radiación de cuerpo negro! El efecto
Calor específico de los sólidos 83
(4.4-4)
84 Mecánica cuántica. Generalidades
Figura 4.4. Datos experimentales típicos· para el calor específico de una substancia sólida, en
función de la temperatura, en comparación con el resultado clásico de Dulong-Petit.
en donde w 0 es la frecuencia clásica del oscilador. Como se verá más tarde, esto da
como resultado un promedio de energía de oscilador diferente del resultado clásico,
y capacidades calóricas que concuerdan con los datos experimentales a todas las
temperaturas. También en este caso, la teoría cuántica ha proporcionado una explica-
ción sencilla de un efecto que no podía analizarse de acuerdo con los métodos
clásicos, siendo también este campo muy distinto del de la aplicación original.
(4.5-1)
en donde Em es la energía asociada con el estado de la cantidad de movimiento
angular mh y En de energía correspondiente al estado de la cantidad de movimiento an-
gular nh.
Por supuesto, desde el punto de vista de la dinámica, la órbita del electrón
alrededor del núcleo podía ser circular o elíptica; pero para facilitar las cosas, se
supondrá que es circular. Los valores permisibles de la cantidad de movimiento
angular L están restringidos a enteros múltiplos de h, de tal manera que
(4.5-3)
n21i2
r =-- (4.5-4)
" Zme 2
y
(4.5-5)
_ 1 2 _ 2 2 _
Z l me4
¡;k- "lmv"- !mr"w" - - -2- 2 • (4.5-6)
2n li
2 Z2 mé
¡;P = -Ze ft"n = - -2-2-. (4.5-7)
n li
Por tanto, la energía total del sistema es
Como se puede ver, la energía del sistema está limitada a ciertos valores dis-
cretos o niveles de energía correspondientes a n = 1, 2, 3, •••. Si Z = l, el sistema
86 Mecánica cuántica. Generalidades
l Energía •
114'1
~
-
-
¡¡- 11
Serie
de Paschen
•3= 1
Serie
de Balmer
Serie
de Lyman
me 4
Figura 4.5. Niveles de energía del átomo de hidrógeno según lo pll'dlc ho por la teoría de
Bohr. Se indican las transiciones correspondientes a cierta~ lmcas espectrales pro-
minentes.
(4.5-9)
siendo M la masa nuclear. En el caso del átomo del hidrógeno, la masa reducida
difiere de la electrónica en aproximadamente 1 parte por 1850.
La hipótesis .te De Broglie 87
o bien,
(4.6-2)
4. 7 MECANICA ONDULATORIA
p ~
~V (4.7-2)
'
ha
e ~
; ot ·
1 C. W. ShNwin, lntrodur·tion to Quantum Mechanics, Holt, Rinehart and Winston, Nueva
'orl.. (1959). p;Í¡:ina 14. pJ¡•ina\ li2-63 Con'>Ílltcs<' también respecto a la ampliación de estos
P<"tul.ld<" a ~~~ll'llla~ de m..Í\ de una partícula
Mecánica ondulatoria 89
Puesto que las componentes cartesianas de operador son (3/3x, 3/3y, 3/3z),
es evidente que los operadores correspondientes a las componentes de la can-
tidad de movimiento Px• Py· Pz son (h/iX3/3x), {h/iX3/3y) y (h/iX3/3z), res-
pectivamente. Así también, puesto que p2 = p • p, el operador correspondien-
te p 2 debe ser - tJ2( V· V) o - fi2 V2 , de donde, V2 representa al operador
laplaceano 32 ¡ax2 + 3 2 /3y 2 + 32 /3z 2 , Al reemplazar las cantidades dinámicas
p 2 , V(x, y, z) y e en ( 4.7-1) con sus operadores correspondientes y al permi-
tirles que operen sobre la función de onda '11, se obtiene la ecuación on-
dulatoria
h2 2 ñ a'l'
- V 'Y
- 2 + V(x,y,z)'l' = - 7 -. (4.7-3)
m 1 at
Esta es la ecuación de Schrodinger para la función ondulatoria, que con
frecuencia se expresa en la forma
ha'Y
Jt"'Y = - - - (4.7-4)
¡ ot '
en donde Jlf representa el operador hamiltoniano
h2
Jt" =- 2m V
2 + V(x,y,z). (4.7-5)
i 'Y*'I'dv=1, (4.7-6)
<Px) = f oo
_ 00
li a
'l'*(x,t) · - -:--a 'l'(x,t) dx,
1 X
(4.7-8)
d(px)
-- = -
li f"" a'I:'* -a'I:' dx
- + -li f"" - '1' dx
2
'1' *8 (4.7-9)
dt i -ro at ox i - 00 oxot .
Ahora, el valor de a\f! jat está dado por la ecuación de onda (4. 7-3) y el valor
de a\f!* jat se puede expresar en forma similar escribiendo la ecuación de onda en
función de \f!* en lugar de hacerlo en función de \f!. Esto se logra escribiendo la
función compleja \f!(x, t) como la suma de partes reales e imaginarias
substituyendo esta forma de \f! en (4.7-3) e igualando las partes reales e imaginarias
de ambos lados de la expresión resultante, para obtener dos ecuaciones de la forma
(4.7-11)
li 2 2 au
--Vu+uV=ñ-.
2m ot
li 2
- - vzll'* + Vtl' * = ñ D'l'*
- --. (4.7-12)
2m ' it
Dependencia del tiempo de la función de onda 91
En la ecuación ( 4. 7-9), si se expresa a\lt j"ot por medio de ( 4. 7-3) y a\lt* jat
mediante (4.7-12), se obtiene
d(px) = - ~ foo [azq¡* o'l' -'V* o3'!1] dx + foo [ V'!l* o'V- '1'* ~ (V'I')] dx
dt 2m -oo ox 2 ax ox 3 -oo OX ax
= - ~ f<X) [~ (a'!l
o'V* - '1'* azq¡)] dx- Joo 'V* av '1' dx
2m -ac ox ox OX ox 2 -oo ' ox
= - ~ [o'V* o'V- 'V* az~]oo - Joo 'V* av 'V dx. (4.7-13)
2m ox ax OX o -oo -oo ax
(4.7-14)
que es, sencillamente, la ley del movimiento de Newton. Por tanto, es evidente que
en lo que respecta a los valores esperados, la mecánica ondulatoria concuerda con
las ecuaciones de la mecánica clásica.
en donde 1/1 depende sólo de las coordenadas espaciales y 41 depende sólo del tiempo.
Al derivar (4.8-1) y al substituirla nuevamente en (4.7-3), es evidente que
n
--rjJV
2
2
1/1+ Vr/Jl/1= ---:1/1-.
n dr/J
(4.8-2)
2m z dt
ie
d</Jfdt = - - </J(t) (4.8-4)
h
y
.1 2 lj¡ 2m (e-
+ ""j;2 V(x,y,z)) 1/1( x,y,z ) -O.
_ (4.8-5)
(4.8-6)
(4.8-8)
(4.8-9)
(4.8-11)
e = liw. (4.8-12)
(4.9-1)
en donde
k= J2mejh2. (4.9-2)
en donde A es una constante arbitraria. Estas soluciones satisfacen todos los requi-
sitos de las funciones de onda excepto, en un sentido estricto, la integrabilidad en el
intervalo - oo < x < oo. Sin embargo, será necesario aceptarlas aunque, como se verá
más adelante, se pueden originar ciertas dificultades para satisfacer los requisitos de
normalización. Las funciones de onda dependientes del tiempo del sistema, de acuer-
do con (4.8-7), serán
flk2
w = efñ = - . (4.9-5)
2m
(4.9-6)
La partícula libre y el principio de incertidumbre 95
No obstante, de acuerdo con (4.9-3), se puede ver que a¡J¡¡ax = ± ikl/l, por lo
que (4.9-6) se convierte en
oo h
(p}) = ±ñk f
-oo
1/1*1/1 dx = ±ñk = ± -:;.
A
(4.9-7)
iz2k2 (p2)
B=--=-- (4.9-8)
2m 2m'
(4.9-9)
Debido a la linealidad de la ecuación dependiente del tiempo de Schrodinger,
este tipo de funciones de onda superpuestas son soluciones perfectamente adecuadas
para la ecuación dependiente del tiempo (4. 7-3); en cambio, no satisfacen la ecua-
96 Mecánica cuántica. Generalidades
ción independiente del tiempo ( 4.8-3) debido a que no tienen la forma ( 4.8-7). La
amplitud de probabilidad asociada con esta clase de soluciones, no es independiente
del tiempo, como sucede con las soluciones de estado estacionario. El método de
superposición se puede aplicar en forma más amplia de manera que un número
infinito de soluciones de estado estacionario se combine en una función de onda de
la forma
Los valores de kn se pueden escoger muy cerca unos de otros, separados sólo por
intervalos dk, y los valores An pueden asumir la magnitud de cualquier función dada
de k en estos puntos, en cuyo caso, la superposición ( 4.9-1 O) se puede convertir, en
el límite, en una integral de la forma
'l'(x,t) = f~ 00
A(k)ei<kx-mt) dk. (4.9-11)
Como ejercicio, el lector puede verificar fácilmente el hecho de que ésta constituye
todavía una solución a la ecuación dependiente del tiempo de SchrOdinger (4.7-3).
La función A(k) de (4.9-11), puede ser cualquier función de k en tanto exista la
integral.
Supóngase ahora que, en algún instante de tiempo, por ejemplo, t = O, se trata
de formar una función de onda cuya densidad de probabilidad '11*'11 se localiza en
una región particular del eje x, por ejemplo, entre los puntos x = a/2 y x =- a/2,
como se ilustra en la figura 4.6. Esto se puede lograr construyendo una superpo-
sición de soluciones de la forma de estado estacionario (4.9-4), perteneciendo a
diferentes valores de k, de acuerdo con (4.9-11). Por ejemplo, se puede escoger
A( k) = e sen !(k - k 0 )a
(4.9-12)
t(k- k 0 )a '
'11*'11 (/=O)
Figura 4.6. La función de densidad de probabilidad de una partícula que, de alguna manera,
debe encontrarse forzosamente a lo largo de la región del eje x que se extiende
entre a/2 y +a/2.
La partícula libre y el principio de incertidumbre 91
Si se hace que
q =k- k 0 , (4.9-14)
'l'(x,O) =Ce'
.k
o.c
foo sen !qa .
- - - e'q" dq. (4.9-15)
-oo !qa
Ahora, de acuerdo con el teorema de la integral de Fourier2, una función arbitraria
f(x) se puede expresar como una integral de Fourier mediante
1 JO() . JO() . ,
f(x) =- e'q" dq f(x')e-•qx dx'. (4.9-16)
2n _ oo - oo
1
f(x) = -
Joo
sen fqa .
- - - e'q" dq = 1/a (- a/2 < x < a/2)
2n _ oo tqa (4.9-18)
Utilizando este resultado para expresar la integral en (4.9-15) con mayor sencillez, se
encuentra que 3
2nC .k
'l'(x,O) = -- e' 0" ( -a/2 < x < a/2)
a
(4.9-19)
=0 (x > a/2; x < -a/2).
2 Véase, por ejemplo, R. V. Churchill, Fourier Series and Boundary Value Problems,
McGraw-Hill Book Co. Inc., Nueva York (1941), capítulo V.
3 Aunque todas las funciones de superposición A(k)ei(kx-wt) satisfacen el requisito de
continuidad de las funciones de onda, la suma real, según lo expresa (4.9-19), no satisface este
requisito para x =±a. Esta violación de los requisitos formales no introduce, por tanto, ningún
error en los cálculos ya que, evidentemente, la función del pulso cuadrada (4 9-19) se puede
"redondear" muy cerca de x =±a para satisfacer la condición de continuidad sin introducir
ninguna alteración significativa en la forma de la función A(k).
98 Mecánica cuántica. Generalidades
o bien,
e= .J~/(2rr). (4.9-20)
Entonces,
1 'k
'P(x,O) = J~ e' ""' (- a/2 < x < a/2)
(4.9-21)
Ak = 8rrfa. (4.9-22)
A(k)
8n
ó.k · ó.x =-·a= 8n,
a
Puesto que, para una partícula libre, E= p 2 /2m, ÁE = p fjp/m = v fjp, (4.9-25) se pue-
de expresar como sigue
ó.e · ó.t - li. (4.9-26)
(4.10-2)
en donde
k= J2me/1i 2 • (4.10-3)
V(x) .. .
'
V=O-L....--~-x
X=O X=o
1 1
en donde A y B son constantes arbitrarias. Puesto que la partícula está limitada por
barreras de potencial infinitamente altas en x = O y x =a, se supondrá que
Puesto que k está relacionada con la energía por medio de (4.10-3), esta
condición se define como un conjunto discreto de valores propios de energía permi-
sibles
li2k! n2n21i2
e=--=--- (n = 1,2,3, ... ). (4.10-9)
• 2m 2ma 2
En la figura 4.9 se muestra un diagrama de los niveles de energía de este
sistema. En vista de los requisitos establecidos en ( 4.1 0-8), las funciones de onda del
sistema deben tener la forma
nnx
t/l.(x) = A. sen- (O< x <a),
a
=0 (x<O;x>a), (4.10-10)
J oo
-oo
t/l:t/1. dx = A!
f" sen
o
2 -nnx
a
dx = 1 (4.10-11)
lo cual da
A.= 1/j~. (4.10-12)
102 Mecánica cuántica. Generalidades
·¡
25<¡ +------- E5
16<¡ +------- .•
o -:l=======~·~~'_2_m_u_
2
Figura 4.9. Niveles de energía permisibles para una partícula que se encuentre dentro del pozo
de potencial ilustrado en la figura 4.8.
(4.10-13)
.¡,•.¡,
"-
(\
o o o _K
n~1
-x
V V
n~a
V V
(a)
(b)
Figura 4.10. Funciones de onda y amplitudes de probabilidad de dos determinados estados de
energía permisibles de una partícula que se encuentra dentro de un pozo infinita-
mente profundo.
es igual a l/; 2 , ya que ¡!; ('S real), se hace infinitamente pequeña. La amplitud de
probabilidad cuántica para lo~ estados de energía más bajos no concuerda con la
amplitud de probabilidad constante que se podría esperar desde el punto de vista
clásico y que en la figura se ilustra por medio de las líneas punteadas. Sin embargo,
para estados de energía más altos, además de la rápida oscilación de la amplitud
cuántica alrededor del valor clásico como un promedio, la coincidencia es aceptable
en el sentido de que el valor medio de la amplitud de probabilidad cuántica tomada
sobre cualquier intervalo de longitud apreciable es casi igual a la amplitud clásica.
(x<-a;x>a) (4.11-1)
V(x)
o
- -x
-a~ -a-
(x) '~'o(x)
-Vo
en donde
(4.11-2)
d2r/Jo 2
-d
X
2 + k 0 r/1 0 (x) = O (-a<x<a) (4.11-3)
en donde
(4.11-4)
(x > a) (4.11-5)
=0
- A 0 sen k 0 a + B 0 cos k 0 a
(4.11-11)
sen k 0 a cos k 0 a -1 o
e
- 2ka -sen k 0 a cos k 0 a o -1
=0. (4.11-12)
k 0 cos k 0 a -k 0 sen k 0 a k o
k» cos k 0 a k 0 sen k 0 a o k
Para obtener esta expresión, la can ti dad e- ka se sacó por factorización de las
columnas tercera y cuarta del determinante de los coeficientes de (4.11-11). Puesto
que e-2ka no desaparece para ningún valor real de ka, el determinante debe hacerlo
·a fin de satisfacer ( 4.11-12). El determinante se puede expresar como menores para
dar la ecuación
(4.11-14)
(4.11-15)
o bien, ( 4.11-16)
1
1
1
1
1
1
1
1
t-- Curvas punteadas
1 y =-k0 ctn k0 o
1
1
1
1
1
Figura 4.12. Diagrama que ilustra la solución de las ecuaciones trascendentales de los valores
propios de energía asociados con el pozo de potencial mostrado en la figura 4.11.
Una de estas dos ecuaciones quedará satisfecha sólo para un conj,mto dado de
valores de k 0 , que se puede representar mediante k 01 , k 02 , k 03 , • • • kon, •••. Exis-
te un conjunto de valores propios de energía Erz que se relacionan con estos valores
de k 0 , de acuerdo con (4.11-4), por medio de
(4.11-17)
Los valores propios kon se pueden obtener gráficamente encontrando las inter-
secciones de las curvas y = - k 0 ctn k 0 a y y = k 0 tan k 0 a con el círculo y =
yp. 2 - k~, como se ilustra en la figura 4.12. Para cada punto de intersección se
satisface cualquiera de las dos ecuaciones (4.11-16). Por tanto, existe un grupo finito
específico de valores kon y un número finito de niveles discretos de energía asocia-
dos a estos valores, a través de (4.11-17). El radio del círculo y = yp. 2 - k~ de la
figura 4.11 es, sencillamente, p. que está directamente relacionado con la profun-
Partícula en un pozo unidimensional de profundidad finita 107
di dad del pozo de potencial por medio de (4.11-14). Para un pozo poco profundo,
J1~O, y únicamente habrá un solo nivel de energía en el rango - V0 <e< O. Para
pozos más profundos, aumenta el número de estados energéticos y para pozos muy pro-
fundos, este número es muy grande. Como se ilustra en la figura 4.12, en un pozo muy
profundo, los niveles que están en la parte más baja se caracterizan por valores de kon
que están espaciados equidistantemente, correspondiendo muy de cerca a los valores de
kn del pozo infinito de la sección 4.10. y dando origen a niveles de energía que, con res-
pecto a la base del pozo...,son semejantes a los del pozo infinito. En la figura 4.13 se
proporcionan los diagramas de niveles de energía para varios pozos fmitos.
Una vez se han determinado los valmes kon para los que ( 4.11-11) tiene
soluciones físicamente significativas, es necesario encontrar los coeficientes A 0 , B 0 ,
A_ y B+. Puesto que para los valores de kon que satisfacen (4.11-16) desaparece el
determinante del sistema homogéneo (4.11-11 ), las ecuaciones (4.11-11) ya no son
independientes linealmente y, por tanto, lo único que se puede obtener directamente
de (4.11-11) son las relaciones de los coeficientes. Sin embargo, las magnitudes reales
de los coeficientes se pueden encontrar imponiendo la condición de que
Una vez que se conocen los coeficientes, las funciones de onda se obtienen de
(4.11-5,6,7). El cálculo exacto de los coeficientes es un procedimiento laborioso y
no se presentará en detalle. No obstante, se analizarán algunas de las propiedades de
las funciones de onda que se obtienen de este modo.
Las funciones de onda para los estados energéticos ligados de este problema se
ilustran en la figura 4.14. Antes que nada, se observará que la función de onda
como un todo es una función par o bien, una función impar de x. En el ejemplo
de que se trata, el estado energético más bajo es par, el siguiente es impar, el que le
sigue es par, y así sucesivamente de un modo alternado. Esto se debe al hecho de
que el potencial V(x) es en sí mismo una función para de x; se puede demostrar de
108 Mecánica cuántica. Generalidades
un modo general que, cuando esto sucede, las funciones propias deben ser funciones
pares o impares de x. 7
Figura 4.14. Diagramas esquemáticos de las funciones de bnda de los estados energéticos más
bajos del pozo de potencial finito de la figura 4.11.
7 Véase, por ejemplo, E. Merzbacher, Quantum Mechanics, John Wiley and Sons, Nueva
York (1961), página 53.
Partícula en un pozo unidimensional de profundidad finita 109
•t Vlxl
·- n -+X
(O)
(b)
Figura 4.15. Representaciones hechas de acuerdo con la mecánica clásica (a) y cuántica (b), de
una partícula que interactúa con una barrera de potencial cuya altura es mayor
que la energía inicial de la partícula. La representación cuántica (b) ilustra el
efecto túnel.
por ejemplo, como las que se muestran en la figura 4.15, aun cuando poseen más
de la energía necesaria para sobrepasar la barrera clásicamente. El efecto túnel pro-
porciona las explicaciones generalmente aceptadas sobre la ruptura eléctrica que se
produce en aisladores, la ruptura inversa en rectificadores semiconductores y la desin-
tegración radiactiva de Jos isótopos a-emisores.
Hasta ahora, este estudio se ha basado exclusivamente en la suposición de que
la energía total e es negativa, dentro del rango - V0 <e< O. En el caso en que e
sea positiva, es fácil apreciar en la expresión (4.11-1) que las soluciones 1/1± fuera
del pozo tienen una naturaleza oscilatoria, como sucede con la solución 1/1 0 en su
interior. En este caso, se encuentra que la ecuación de Schrodinger y todas las
condiciones de frontera se pueden satisfacer para cualquier valor positivo de e. Por
tanto, existe un rango continuo de estados energéticos permisibles y funciones pro-
pias correspondientes que se extiende en forma ascendente desde e= O en la figu-
ra 4.13. Esos estados se denominan "estados del continuo".
Para ver cómo sucede esto, supóngase que las funciones propias de este rango
de energía son funciones pares o impares de x; como se vio antes, esto es válido si
V(x) es una función par. De dor.de, para funciones propias pares, es necesario que
(x >a) (4.11-19)
(x < -a)
Las condiciones de frontera (4.11-8) y (4.11-9) deben aplicarse todavía, de tal ma-
nera que los valores y las pendientes de 1/1 0 (x) y 1/J+(x) sean iguales en x =a. De
11 O Mecánica cuántica. Generalidades
y (4.11-21)
(O) (b)
Figura 4.16. (a) Representación e~quemática de la función de onda de una partícula cuya
energía tan grande que, en la representación clásica, sobrepasa los límites del pozo
de potencial ilustrado. (b) División de los niveles de energía permisibles para el
pozo de potencial finito, en un grupo de niveles discretos correspondientes a
una partícula clásicamente ligada y a un continuo de niveles correspondientes a
una partícula clásicamente no ligada. La función de onda representada en (a)
pertenece al último grupo de niveles.
El oscilador armónico unidimensioanl 111
(4.12-2)
(4.12-3)
en donde
(4.12-5)
(4.12-6)
d21/1 2m 2 2
dx2 + hl [e- tmw 0 x ]1/J(x) =O. (4.12-7)
(4.12-8)
P= 2ef(ñw 0 ) (4.12-9)
e= x.j~. (4.12-10)
Para valores grandes de 1~1, tales que ~2 ~ (3, (3 se puede despreciar y (4.12-12)
se escribe como
(4.12-13)
(4.12-14)
(4.12-15)
d2 H dH (4.12-16)
--2e-+<P-t)H<e>=O.
de de
El oscilador armónico unidimensional 113
H(') = L ak'k'
k~o
(4.12-17)
por lo que
(4.12-18)
• 00
Esta ecuación debe ser aplicable para todos los valores de ~. y, por tanto, el
coeficiente de cada potencia ~ debe desaparecer por separado. (Esto se podrá ver
con mayor claridad evaluando los coeficientes para la expansión de la función .f(~) =
O en la serie de potencia de McLaurin; todas resultan ser cero.) Este requisito
establece inmediatamente una relación de recursión entre los coeficientes ak+ 2 y ak,
en donde
p - l - 2k
ak+2 = -(k+ l)(k + 2) ak. (4.12-20)
P-l
al= - - - a o
<P- 3)
a 3 =- - - - a 1
2! 3!
etc., etc.
114 Mecánica cuántica. Generalidades
H(~) = ao[1- ((J- 1) e+ ((J- 1)((J- 5) ~4- ((J- 1)((J- 5)((J- 9) ~6 + ... ]
2! 4! 6!
+a¡[~_ {J- 3 e+ ({J- 3)({J- 7) ~S_ ({J- 3)({J- 7)({J- 11) e+ •••]
3! 5! 7! .
(4.12-22)
(J- 1- 2n =O
o bien,
p= 2n +1 (n = 0,1,2,3, ... ). (4.12-23)
(4.12-24)
Para valores grandes de t las contribuciones de Jos términos iniciales de esta serie
son despreciables en comparación con aquellos para los que k es grande. Por su-
puesto, esto es cierto también en la serie de (4.12-22) para H(~). En la serie
( 4.12-24), la razón del coeficiente bk+l al coeficiente bk es
La razón de los coeficientes ak+ 2 y a k para las soluciones en serie de ( 4.12-16) está
dada por la relación de recursión ( 4.12-20) y, para valores grandes de k, se puede
ver claramente que también es más o menos igual a 2/k. Entonces las soluciones en
serie de H(~). cuando no terminan en polinomios, se comportan como e~ 2 para
valores grandes de ~- Sin embargo, de acuerdo con (4.12-15), las funciones de onda
reales están dadas por
(4.12-26)
para valores grandes de ~- Puesto que estas funciones no siguen siendo finitas en ±oo,
no son aceptables como funciones de onda para el sistema físico. Las únicas solu-
ciones que son aceptables son aquellas que terminan como polinomios, o sea, las
soluciones para las que se obedece (4.12-23). Si una de las dos series encerradas
entre paréntesis angulares de (4.12-22) termina como polinomio, la solución para
H(~) toma la forma
En cualquier caso, para que la solución H(~) sea una función de onda físicamente
aceptable, la constante arbitraria que multiplica la solución en serie se debe escoger
en tal forma que sea cero, para que la expresión total de H(~) sea sencillamente un
polinomio. Si se expresa (3 en (4.12-13) en función de e por medio de (4.12-9), es
evidente que las únicas soluciones que dan las expresiones polinómicas para H(n son
las que corresponden a un grupo discreto de valores propios de energía
Una característica notable de este sistema es que su estado más bajo de ener-
gía, para el que n = O, está representado no por e0 = O, sino por e0 = -!-hwo. En
otras palabras, el estado más bajo de energía del oscilador armónico no se carac-
teriza por la ausencia de movimiento vibratorio, sino por una energía vibratoria
mínima de "punto cero" -thw 0 . En su teoría original de la radiación de cuerpo
negro, Planck supuso que los niveles energéticos de un oscilador armónico estaban
dados por En= nhw 0 más que por (4.12-27). No obstante, en ese caso en particular,
la energía de punto cero no establece ninguna diferencia en el resultado final. Se
observará que los pozos de potencial de las secciones anteriores presentaban también
este efecto de energía de punto cero. El diagrama de niveles de energía del oscilador
armónico se ilustra en la figura 4.17. El espaciamiento equidistante de los niveles es
una propiedad singular del pozo de potencial parabólico.
Las soluciones polinómicas que representan las funciones propias del sistema, se
pueden obtener de (4.12-22), considerando que (3 toma los valores 1, 3, 5, ••• 2n +
1, ••• de acuerdo con (4.12-23). Para cada uno de estos valores, cualquiera de las dos
series entre paréntesis rectangulares terminará en un polinomio y todos los coeficientes
más allá de cierto punto se convierten en cero. Por Jo común se escoge la constante arbi-
traria a0 o bien, a 1 , cualquiera que sea el caso, que multiplica el polinomio resultante en
tal fom1a que el coeficiente de la potencia más alta de ~ en el polinomio es 2n( =
116 Mecánica cuañtica. Generalidades
•t
15 fr
•8 2 "'o
13 ñ
7 2 "'o
11 ñ
6 2 "'o
5 ~ hw0
4 ~ fr..,o
3 ~ ,.,o
2 ~ ñ..,o
1
t fr..,o
o
H¡<e> = 2e
H2<e> = 4e 2
H3<e> = se 3- 12
(4.12-28)
Los matemáticos conocen bien estas expresiones que se denominan polinomios de Her-
mite; la ecuación (4.12-16) recibe el nombre de Hermite. Los polinomios de Hermite
se pueden definir como
(4.12-29)
Se puede demostrar que la defmición (4.12-29) conduce a los polinomios que satis-
facen la ecuación de Hermite (4.12-16). La demostración de esto se propone como
ejercicio para el lector.
Las funciones de onda reales l/ln(x) se obtienen de las soluciones polinómicas
de la ecuación de Hermite por medio de ( 4.12-15) y (4.12-1 0), siendo el resultado
(4.12-30)
El oscilador armónico unidimensional 117
(4.12-31)
(4.12-32)
2 d t_-2dx
- (4.12-34)
v(x)'
ya que pasa dos veces por la región durante un periodo completo de movimiento.
Dado que, de acuerdo con (4.12-4), v(t)=dx/dt=Aw 0 cos(w 0 t- 8), y, puesto que
w 0 t- 8 =sen - l (x/A)= cos- 1 (1- (x/A)2)lf2, v se puede expresar en función de x
por medio de
-~2
v(x) = Aw 0 J 1- A 2 • (4.12-35)
(4.12-36)
(4.12-37)
1 '1
1 1
1 1
''1
11
1 ¡1
1
1
,.
11 1
1
ti
1
\
''
n nn /
1
-- -- - - -
/
'- / : 1
' ' '
~
j lJ :\ e
o 6
( b)
Figura 4.18. (a) Funciones de onda de los estados de energía más bajos del oscilador armónico
cuántico unidimensional. (b) Amplitudes de probabilidad cuánticas (curvas conti-
nuas) y distribuciones de probabilidad clásicas (curvas punteadas) correspondientes
al o~cilador armónico unidimensional para dos valores de energía, if:wo y lf.l':wo.
[Tomado de L. Pauling y E. B. Wilson, lntroduction to Quantum Mechanics,
McGraw-Hill, Nueva York (1935).]
(4.13-2)
y la ecuación de onda 1/1~, que, de acuerdo con (4.7-12) y (4.8-6), debe ser
d 2 t/l* 2m
dx 2m - ¡r [em - V(x)]t/l!(x) =O. (4.13-3)
(4.13-4)
El integrando del término del lado izquierdo de esta ecuación se puede expre-
sar como la derivada de 1/l~(dl/ln/dx) -- 1/ln(dl/1~/dx) con respecto a x, de donde,
( 4.13-4) se convierte en
(4.13-5)
Para funciones de onda con un buen comportamiento físico, 1/1 y dl/1/dx tien-
den a cero conforme x ~ ± oo; por tanto, la cantidad de la izquierda desaparece en
los dos puntos extremos y
(4.13-6)
Si se supone que las funciones de onda 1/1~ y 1/ln pertenecen a dos niveles de
energía diferentes, de tal manera que En =1= Em, entonces, se puede satisfacer (4.13-6)
si y sólo si
(4.13-8)
Así pues, las funciones dr onda 1/lm, 1/ln exhiben la propiedad de ortogona-
ltdad. La prop1cdad de ortogonalidad no está restringida a las soluciones de la ecua-
ción de Schrodint'cr. sino que tamhién se relaciona con las soluciones características
Ortogonalidad de las funciones propias 121
f0
L mnx nnx
sen - - sen - - dx = O.
L L
(m -:F n) (4.13-9)
Aunque es más difícil hacer la misma demostración para el pozo finito y para el
oscilador armónico, es cierto que las funciones de onda (4.11-5, 6, 7) y (4.12-30)
que pertenecen también a estos sistemas son también ortogonales. 1 0
Supóngase ahora que se tiene un conjunto infinito de funciones propias 1/Jn(x)
que son soluciones a la ecuación de Schrodinger para un potencial dado V(x). Ya se
dijo que estas funciones propias deben ser ortogonales y normalizadas de acuerdo
con (4.8-10), de manera que obedecen a (4.13-1). Se pueden combinar estas fun-
ciones propias en una superposición lineal, de modo que la suma represente una
función arbitraria de x, sujeta a ciertas restricciones matemáticas que no son muy
severas. Para entender cómo se hace esto, supóngase que una función arbitraria f(x)
se puede representar como la combinación lineal de las funciones propias de tal
manera que
<Xl
f(x) = L ant/Jn(x).
n=O
(4.13-10)
(4.13-11)
En la suma, todas las integrales son cero por virtud de (4.13-1 ), excepto
aquella para la que n = m, que da un valor de am. El resultado final es
(4.13-12)
(4.13-13)
en donde la variable ficticia de integración x' se substituyó con x para evitar confu-
siones.
Para las funciones propias senoidales de la sección 4.1 O, sucede que, esta ex-
pansión es simplemente una expansión de serie de Fourier. Se pueden efectuar
10 /bid., página 219. Véase también R. V. Churchill, Fourier Series and Boundary Value
Problems, McGraw-Hill, Nueva York (1941), páginas 46-52.
122 Mecánica cuántica. Generalidades
00 00
que se reduce a (4.13-10) para t =O, es efectivamente una solución para la ecuación
de Schri:idinger dependiente del tiempo, (4.7-3). Esto se puede verificar de un modo
directo con gran facilidad considerando el hecho de que las funciones propias inde-
pendientes del tiempo 1/Jn obedecen siempre, de acuerdo con (4.8-8), a la relación
.tf 1/Jn =En 1/Jn. Esto permite ver que, aunque se puede construir una superposición
de funciones de onda, que obedezcan a la ecuación de Schri:idinger dependiente del
tiempo, para representar cualquier función o amplitud de probabilidad en un instante
dado (t = O en el ejemplo anterior), en general, la superposición de las funciones de
onda no stgue representando esa misma función o amplitud de probabilidad en
tiempos posteriores, debido a las diferentes dependencias del tiempo de las compo-
nentes individuales de dicha superposición. Así pues, una superposición de funciones
de onda no representa por lo general un estado estacionario del sistema. Este tema
ya se tocó en la sección 4.8.
Si una superposición de funciones propias, tales como (4.13-14), va a utilizarse
como cualquier tipo de función de onda para un sistema físico, es necesario norma-
lizarla para que satisfaga ( 4. 7-6). Por tanto, para funciones de onda de la forma
(4.13-14), se debe tener
(4.13-U)
En vista de los establecido por {4.13-1 ), todos los términos de la doble suma
son cero, excepto aquellos para los que m = n, en donde el valor de la integral es
igual a la unidad. En consecuencia, se encuentra que el requisito de normalización
quedará satisfecho a condición de que los coeficientes se escojan de tal modo que
(4.13-16)
Valores esperados y números cuánticos 123
(4.14-1)
De acuerdo con esto, es evidente que si f es siempre lo mismo que (ft, como
sucede en la distribución "pico" de la figura 4.19(a), entonces, a= O, mientras que
si f y <ft no son siempre iguales, entonces a es la desviación de raíz cuadrada media
de los valores de f en relación con el promedio. La expresión (4.14-1) puede escri-
birse en diferente forma, haciendo notar que
P(f) p (f}
fo <t>
( = <t>l
(al (b}
Figura 4.19. (a) Distribución estadística de muchas determinaciones relativas a una cantidad
que es una constante del movimiento (b) Distribución análoga Lurrespondiente a
una cantidad que no es una constante del movimiento.
le donde,
(e) = f oo
-oo
Ji
1 ut
o'P)
'P* ( --:--;-- dx, = foo
_ 00
'P*.Jf'P dx = ($). (4.14-4)
(4.14-5)
(4.14-7)
(e) = L L e"e-i(en-em)t/A
m n
f"'
-oo
a!anl/l!l/ln dx, (4.14-8)
Valores esperados y números cuánticos 125
(4.14-9)
todas las integrales de (4.14-8) desaparecen excepto aquellas para las que m= n. Sin
embargo, este es el mismo valor que se obtuvo tomando el valor esperado del
operador hamiltoniano Yf sobre la función de onda independiente del tiempo
(e)= (Jt") = f~oo .¡,:Jt"t/1. dx = f~oo .¡,:(e.t/1.) dx =e. f~oo t/l:t/1. dx =e•.
(4.14-12)
(4.14-14)
(4.14-15)
de tal manera que
(4.14-16)
(4.14-17)
(4.14-18)
en donde
Sin embargo, .rt'l/lm = em 1/lm y Hl/ln =en 1/ln; al aplicar estas fórmulas dos
veces a cada una de las cuatro integrales de ( 4.14-20) se obtiene
(4.14-21)
Las dos primeras integrales de (4.14-21) son la unidad y las otras dos son
cero, debido a la ortogonalidad de las funciones propias 1/Jn. La ecuación se reduce.
en este caso, a
(4.14-22)
Valores esperados y números cuánticos 127
(4.14-23)
P(•)
Figura 4.20. Distribución estadística de energías para sistemas cuyas funciones de onda son
superposiciones de las mésima y nésima funciones propias
(4.14-24)
(4.14-25)
(4.14-26)
por lo cual,
(4.14-27)
y
A.tfl/ln = A(enl/ln) = enAI/1. = enA.nl/ln = ff Al/In· (4.14-30)
z = r cosO,
Figura 4.21. Sistema de coordenadas esféricas utilizadas en el estudio del átomo de hidrógeno.
(4.15-2)
con
(4.15-3)
en donde R(r) es una función de r solamente, independiente de 8 y 1/>; 8(8) es una fun-
ción sólo de 8, y cl>(if>) es una función exclusiva de 1/>. Al substituir esta forma para la
solución, en (4.15-2), observando que 3¡J¡f3r = 0cl> dR/dr, 31/1/38 = Rcl> d0/d8 y 31/1/31/>
=R@Jd~/dl/>, multiplicando la ecuación resultante por r2 sen 2 8/(R~), y transpo-
niendo, se tiene que
(4.15-6)
que es una ecuación diferencial cuya solución se puede escribir como sigue
(4.15-7)
Puesto que la función de onda completa ¡J¡ debe tener un solo valor, es
necesario que cl>m(l/>) tenga un solo valor también. En otras palabras, es necesario
que
(4.15-8)
o bien,
e±2,.mi =l. (4.15-9)
2 2 2
1-
- d (r2 dR)
- +2m- 0r ( e)
- e+- = - - -1- - sde( n ( )
dE>)
- +--m =fJ,
R dr dr li 2 r E> sen O d() d() sen 2 ()
(4.15-10)
Una vez más, puesto que la primera expresión es una función exclusiva de r y
la segunda lo es sólo de fJ, las dos deben ser iguales, independientemente, a una
constante {3. La segunda igualdad de (4.15-10) se puede escribir en la forma
en donde
1 d 1(cos 2 ( ) - 1)'
P,(cos ()) = 211! d(cos 6)1 (4.15-14)
Las funciones P1 (cos fJ) son las llamadas polinomios de Legendre, las primeras
de las cuales son
P 0 (cos O)= 1
14 Por ejemplo, véase R. B. Leighton, Principies o[ Modern Physics, McGraw-Hill Book Co.,
Inc., Nueva York (1959), página 168.
132 Mecánica cuántica. Generalidades
Las funciones Y 1m (e ,e/>) se conocen como armónicas esféricas. Para una fuerza
central en donde el potencial es una función exclusiva de r, la parte angular de la
función de onda está dada siempre por ( 4.15-17), sea cual fuere la forma particular
que tome V(r).
La porción radial de la ecuación ( 4.15-1 O), tomando ~ = l(l + 1) como lo re-
quiere ( 4.15-12), se convierte ahora en
_ _
Rnl(r)-
[(2 nli2 2)3
moe (
. n- 1 -
(2n[n +
1)' ]1/2 e
·
/] !)3
-p¡z 1 zt+ 1
p Ln+l (p), (4.15-19)
en donde
11 = 1,2,3, .... (4.15-20)
y en donde
(4.15-21)
en donde Lr(P) son los polinomios de Laguerre que, a su vez, se definen como
d'
L,(p) = eP - ,(p'e-P). (4.15-23)
(1p
El átomo de hidrógeno 133
Las energías en para las que existen funciones de onda aceptables están rela-
cionadas con los valores de n en (4.15-19) por medio de 15
(4.15-24)
s ~ r, (4.15-25)
o, en (4.15-19)
21 + 1 ~ n +l. (4.15-26)
Si se resta l +1 en ambos lados de esta desigualdad, (4.15-26) se reduce a
l~n-1. (4.15-27)
(4.15-28)
n = 1,2,3,4, ···
m =0,±1,±2,±3, ···±l.
Por lo común los estados para los que l = O, 1, 2, 3 se mencionan como es-
tados s, p, d y f, respectivamente. Así pues, para indicar un estado para el que n = 2
y l =O, se dice estado 2s, en tanto que uno con n = 3 y l = 2 se representa como
estado 3d.
15 Los detalles matemáticos de este desarrollo están dados por R. B. Leighton, op. cit.,
páginas. 171-17 5.
134 Mecánica cuántica. Generalidades
(4.15-30)
a menos que n = n', l = l' y m= m' simultáneamente. Las funciones de onda depen-
dientes del tiempo se o_btienen a partir de las funciofles independientes del tiempo y
multiplicándolas por e- 1 ent/fl.
TABLA 4.1.
Funciones de onda del átomo de hidrógeno
(16 estados)
m=±1
m=±2
m=±3
.p43±1 = N43tp 3e- 'h•(5 cos 2 8- 1) sen 8 e± 1"'
.P43±2 = N432p 3e-'h.Psen 2 8 cos 8 e± 21 "'
.P43±3 =N433p 3e-'hPsen 3 8 e± 3'"'
}·;,
N = _ [ cmoe 2 ) 3 (n -1- 1)!(/- m)!(2/ + 1)]'/.z
nlm nli' 4rr(2n[n + /]!) 3(/ + m)!
El átomo de hidrógeno 135
De acuerdo con (4.15-24), es evidente que la energía depende sólo del número
cuántico principal n de este sistema particular. Existen muchos estados cuánticos
independientes [correspondientes a los diversos valores permisibles para l y m, de
acuerdo con (4.15-29)], que tienen el mismo número cuántico principal n y que, por
tanto, pertenecen al mismo nivel de energía. Este fenómeno se conoce como degene-
ración y un nivel energético que contiene más de un estado cuántico independiente
se conoce con el nombre de nivel degenerado. Gracias a ( 4.15-29), se puede ver
mediante un simple recuento de los estados, que la degeneración o multiplicidad
asociada con el nivel de energía En, cuyo número cuántico principal es n, es sim-
plemente n 2 •
Las expresiones algebraicas para algunas de las funciones de onda del átomo de
hidrógeno se ilustran en la tabla 4.1 y, en la figura 4.22 se muestran algunas repre-
sentaciones de la densidad de probabilidad de algunos de estos estados. Se observará
que los estados s- (l = O) son siempre esféricamente simétricos, en tanto que los
estados p-, d- y f, etc., tienen dependencias angulares que pueden ser muy com-
plejas. El estado 2p- para el que m = O, tiene dos lóbulos que señalan hacia las
direcciones ± z, en tanto que los estados 2p- para los que m = ± 1 tienen la forma
de "ondas" y son simétricos alrededor del eje z. Por tanto, todos los estados 2p-
136 Mecánica cuántica. Generalidades
tienen amplitudes de probabilidad que son simétricas alrededor del eje z. Se podría
preguntar cuál es la razón de esta aparente preferencia por el eje z. Después de
todo, el potencial V(r) es esféricamente simétrico, lo cual permite en primer lugar
escoger cualquier eje polar del sistema de coordenadas esféricas, y se seleccionó éste
de un modo puramente arbitrario. Entonces, ¿por qué parece que este aspecto es en
apariencia preferible o, más concisamente, se prefiere en realidad este eje en un
sentido físico?
En la sección 4.13 se hizo notar que las superposiciones lineales de las fun-
ciones ondulatorias en estado estacionario que pertenecen a diferentes niveles de
energía, no representan amplitudes de probabilidad que son independientes del tiem-
po. Puesto que las diversas funciones propias de estado estacionario independientes
que pertenecen al mismo grado energético degenerado tienen el mismo factor de
dependencia del tiempo e-iEntffi, sin embargo, se sigue que los estados de esta
naturaleza pueden superponerse y la amplitud de probabilidad de la superposición
sigue siendo independiente del tiempo. En la sección 4.10 se vio un ejemplo de este
tipo [en relación con la ecuación (4.10-13)]. Por ejemplo, de acuerdo con la ta-
bla 4.1 y (4.15-29) es evidente que existen tres estados independientes 2p para el
átomo de hidrógeno. No obstante, no existe ninguna diferencia si se considera que
El átomo de hidrógeno 137
estos estados son los mismos que se indican en la tabla 4.1 ó si se les toma como
tres superposiciones linealmente independientes de dichos estados. Mediante la super-
posición adecuada de los tres estados dados en la tabla 4.1, se podrían producir tres
funciones de onda independientes en superposición, que correspondan a las ampli-
tudes de probabilidad con lóbulos que señalen a lo largo de los ejes x-, y- y z-, en
lugar del lóbulo polar y la configuración en "dona" de las funciones de la tabla. Si
se hace una superposición lineal adecuada y subsecuente de estas tres funciones de
onda, se puede hacer que estos tres lóbulos señalen en cualquiera de tres direcciones
ortogonales dadas. Esto demuestra que las funciones de onda de la tabla 4.1, en las
que un eje polar arbitrariamente escogido parece tener un grado único o preferencial,
forman sólo una representación de las funciones de onda del sistema y que, a través
de la superposición correcta de estados cuánticos degenerados, se podría formar una
representación en la que el eje polar estuviese en alguna otra dirección. Además, por
supuesto, si así se deseara, se podría superponer el estado 2s a lo largo de los tres
estados 2p. No obstante, no se podría sumar en un estado 3s o 3p y seguir conser-
vando una amplitud de probabilidad independiente del tiempo.
o3/2R/Z
o 3/2 2
1
k
R 10
~
1 1
o 10 15
Figura 4.23. Gráficas de la función de onda radial Rn¡(r) correspondiente a 11lgunos estados del
átomo de hidrógeno. [Tomado de R. B. Leighton, Principies of Modern Physics,
McGraw-Hill, Nueva York (1959).]
25
Zr
o;
Figura 4.24. Gráficas de la distribución de probabilidad radial r2R~ 1 (r) para algunos estado~ d
átomo de hidrógeno. [Tomado de R. B. Leighton, l'rinciples of Modern Physic
McGraw-Hill, Nueva York (1959).]
miento angular orbital. Como se verá en breve, esto se aplica también al plante:
miento de la mecánica cuántica. La cantidad de movimiento angular clásica L de ur
partícula se define por medio de
L = r X p, (4.15-3:
L
y
=zp" -xpz =~[z~-x!_]
i OX oz (4.15-3~
L
z
=xpy -yp" =~[x!_-y!_]
i iJy ox .
El átomo de hidrógeno 139
L
x
li[ a - ctn () cos "~',¡,. -a<Pa]
= -¡ - sen "~',~,. -ao
L =
'
~¡ [cos ,¡,."~' ao0 - ctn Osen,¡,.~]
"~' a<P (4.15-35)
li a
L.= i a<P ·
El operador que representa el cuadrado del total de la cantidad de movimiento
angular se puede obtener a partir de (4.15-3 5) como
2
L = Lx
2
+ L,2 +L.=
2
-li
2[ 1 a(
sen OoO sen()
a) o2
ao + sen12 Oa<jJ 2 ] • (4.15-36)
(4.15-37)
(4.15-38)
(4.15-39)
li a li a<I>m
Lzt/Jnlm = ¡ oc/J R",(r)E>,m(O)<I>m(cP) = ¡ R",(r)E>,m(O) oc/J • (4.15-41)
(4.15-42)
(4.15-43)
L,="Íi
f¡
1=0 /= 1 /=2
L=O L="Íiff L="Íi {6
L,=O, ± "Íi L,=O,±"Íi ±2"Íi
Figura 4.25. Posibles orientaciones para el vector de cantidad de movimiento angular bajo las
restricciones impuestas por (4.15-40) y (4.15-43) para l =O, 1 y 2.
El espín electrónico 141
orbital) tendrá una interacción con el campo aplicado, de modo que el átomo
experimentará una fuerza que trata de alinear al vector del momento magnético (y,
por ende, el vector de su cantidad de movimiento angular orbital) con el campo
aplicado. Por consiguiente, los estados cuyo valor de m permite una alineación par-
.:ial o completa, deben tener una energía más baja que los que corresponden a
orientaciones casi antiparalelas. Los estados cuánticos que tienen dife¡entes valores de
m, los cuales se degeneran en ausencia de un campo magnético, al aplicarles dicho
~po se dividirán en m niveles separados aunque muy proximos uno del otro. Este
fenómeno se conoce con el nombre de efecto de Zeeman.
Estos resultados sirven para explicar adecuadamente las propiedades eléctricas,
magnéticas y espectroscópicas observadas en el átomo del hidrógeno. En principio,
los átomos de estructura más compleja se pueden manejar con los mismos métodos;
por otra parte, puesto que estos átomos representan sistemas de tres o más cuerpos,
no se pueden obtener soluciones analíticas de forma cerrada, debido a lo cual es
necesario recurrir a la teoría de perturbaciones. Un método de esta índole se basa
en la técnica de dividir el operador hamiltoniano del sistema en una parte principal
.:uya solución se conoce o se puede obtener analíticamente, y una parte más pe-
queña que contiene todos los términos que pueden originar dificultades analíticas. O,
por lo menos la mayoría de ellos. Entonces, se supone que la solución tiene la
forma de una combinación lineal de funciones propias de la primera parte del ha-
miltoniano y las constantes relacionadas con la combinación lineal se determinan de
tal modo que la función de onda sea una función propia aproximada del hamil-
toniano completo. Aunque estos métodos son muy útiles para resolver una gran
,·ariedad de problemas prácticos, no se analizarán aquí con más detalle. 16
16 Para obtener un estudio completo de este tema véase, por ejemplo, C. W. Sherwin, op.
cit., capítulos 7-10 o bien, E. Merzbacher, op. cit., capítulos 16-20.
142 Mecánica cuántica. Generalidades
TABLA 4.2.
Configuraciones electrónicas y el sistema periódico
1s H ls
He 1s 2 )
2s Li 1s 2 )2s
Be 1s 2 )2s 2
B 1s 2 )2s 2 2p
e 1s,)2s,2p>
N 1s 2 )2s 2 2p 3
o 1s,)2s,2p4
F 1s2 )2s 2 2p 5
Ne 1s2 )2s 2 2p 6)
3s Na 1s 2 )2s 2 2p 6)3s
Mg 1s 2 )2s 2 2p 6)3s 2
3p Al 1s2)2s 2 2p 6)3s 23p
Si 1s2)2s22p6)Js2Jp2
p 1s2)2s22p6)Js2Jp3
S 1s2)2s22p6)Js2Jp4
Cl 1s2)2s22p 6)3s2 3ps
A 1s2)2s22p6)Js2Jp6)
Li, debe tener, de acuerdo con el principio de Pauli, la configuración de estado basal
ls 2 )2s, con lo cual se indica que el tercer electrón pasa al siguiente estado energé-
tico más bajo, o sea, 2s. El cuarto elemento, Be, tiene dos electrones 2s más; pero
puesto que sólo existen dos estados 2s, el principio de Pauli requiere que el quinto
elemento, B, tenga un electrón en el nivel 2p, que es el más bajo en energía,
excepción hecha de ls y 2s; así pues, B tiene la configuración de estado basal
ls 2 )2s 2 2p. Existen seis estados 2p posibles que corresponden a los números cuán-
ticos n = 2, l = 1, m = O ± 1 y m 9 = ± 1/2. Los cinco elementos siguientes, C, N, O, F y
Ne tienen un electrón 2p adicional para llenar el nivel 2p. La capa 2p llena es esférica-
mente simétrica y muy estable, como sucede en la capa ls llena, y los elementos Ne y
He, que tienen estas configuraciones, son gases inertes. Los elementos subsecuentes lle-
nan, entonces, las capas 3s y 3p, como se indica en la tabla, y terminan con otro gas
inerte, A, que tiene una capa 3p llena con 6 electrones. Los elementos que tienen arre-
glos similares de los electrones externos o de valencia en los grupos n = 2 y n = 3,
poseen propiedades químicas similares.
Cuando se llena el nivel 3p, los dos elementos siguientes agregan electrones en
los estados 4s y no en los niveles 3d, como podría esperarse. Esto se debe simple-
mente, a que el estado 4s tiene una energía más baja que el estado 3d. Luego viene
una serie de 8 ''elementos de transición" que tienen una capa interna 3d incompleta.
Cuando este nivel 3d se llena por fin, se sigue llenando la capa 4p concluyendo con
otro gas inerte, Kr. El resto de la tabla se puede elaborar siguiendo, por lo general
los mismos lineamientos. En todos los casos, la estructura de la capa externa de
elementos químicamente relacionados, tales como Li, Na, K, Rb, y Cs es idéntica.
Por tanto, es evidente que la teoría cuántica explica satisfactoriamente no sólo la
estructura de los niveles energéticos observados espectroscópicamente, en el caso de
los átomos complejos, sino que también explica la disposición de los átomos en el
sistema periódico y la regularidad con que se distribuyen en dicha tabla las propie-
dades químicas de los elementos.
EJERCICIOS
l. Demuestre que el valor esperado de la energía es igual a la constante de separación é,
para un sistema que tiene funciones de onda dependientes del tiempo, de la forma (4.8-8).
Demuestre que el valor esperado del operador hamlltoniano, tomado sobre la función de onda
independiente del tiempo es igual a é para este tipo de sistema.
2. Demuestre que si z 1 y z 2 son dos números complejos cualesquiera, entonces (z 1 z 2 )* =
zjz~; demuestre que el conjugado complejo de una cantidad compleja expresado en forma polar
feifJ (f. 8 real) es {*e-ifJ.
3. Para la partícula libre de la sección 4.9, la velocidad de fase, de acuerdo con (4.9-5) es
w/k =f'k/2m =p/2m. Sin embargo, desde el punto de vista clásico, la velocidad de una partícula
libre es p/m. Explique por qué discrepan en un factor de 2.
4. Verifique directamente que la función de onda (4.9-11) correspondiente a una partícula
libre, satisface la ecuación de Schrodinger (4.7-3) cuando V= O.
5. Verifique la ecuación (4.9-18) expresando la función (4.9-17) como un integral de
Fourier con la ayuda de (4.9-16).
6. Encuentre (x)n, {px)n, {pi>n para el nésimo estado propio del pozo de potencial infinita-
mente profundo de la sección 4.10, y demue~tre explícitamente que En= {p~)n/2m, para las
partícula libre.
7. ¿Cuál es la razón de las amplitudes que tienen las funciones propias del continuo del
pozo de potencial finito de la sección 4.11, en la región (-a <x <a), a la amplitud que hay en
las regiones (x <-a, x >a)?
8. De acuerdo con la definición (4.12-29), demuestre 4ue dHn(~/d~ = 2nHn-i (~). Nota:
observe que dn(xf(x))/dxn =X dnffdxn + ndn-i {/dxn-i.
9. A partir de (4.12-29), corrobore que Hn+i(~=2~n(~)- 2nHn_¡(~).
10. De acuerdo con los re~ultados de los problemas 8 y 9, demuestre que las funciones
Hn(~) satisfacen la ecuación de Hermite (4.12-16).
El espín electrónico 145
11. Encuentre el valor esperado de la energía potencial <v>n para el nésimo estado propio
de un oscilador armónico cuántico unidimensional: Nota: use las propiedades de ortogonalidad
de las funciones de onda.
12. Determine el valor esperado de la energía cinética <K>n correspondiente al nésimo
estado propio de un oscilador armónico cuántico unidimensional y utilice el resultado del pro-
blema 11 para demostrar que (V)n +<K>n = hvo<n +-!), lo cual concuerda con lo que se puede
mtuir.
13. Mediante la evaluación de la desviación estándar, demuestre que la cantidad de movi-
::~iento de una partícula libre es una constante del movimiento.
14. En relación con los estados propios del átomo de hidrógeno, demuestre que la probabi-
.Jdad de encontrar al electrón dentro de una capa esférica de espesor dr y radio r es r2R~ 1 (r).
Suponga que los armónicos esféricos Y¡m(O, cp) están normalizados.
15. Demuestre directamente que la fórmula de la desviación estándar indica a= O para los
vperadores L2 y Lz para el átomo de hidrógeno.
16. Obtenga las expresiones (4.15-36) para L2, a partir de las expresiones (4.15·35) para
Lx,Ly y Lz.
17. Utilice los métodos de la sección 4.15 y demuestre que si (€") se puede evaluar como
·JI'") usando las ecuaciones de onda independientes del tiempo, entonces, (en+t) se puede
:epresentar como (Jt'•+t) usando estas mismas funciones. Indique en forma inductiva la manera
<!n que esto significa que {f(e)) se puede obtener a partir de (/(Jt')) empleando las funciones de
·Jnda independientes del tiempo, en donde /(€) es una función de € que se puede representar
.:omo una serie de potencias convergente.
LECTURAS RECOMENDADAS
D. Bohm, Quantum Mechanics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J. (1951).
E. Ikenberry, Quantum Mechanics for Mathematicians and Physicists, Oxford University Press,
Nueva York (1962).
R. B. Leighton, Principies of Modern Physics, McGraw-Hill Book Co., lnc., Nueva York (1959).
E. Merzbacher, Quantum Mechanics, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York (1961).
L. Pauling y E. B. Wilson, Introduction to Quantum Mechanics, McGraw-Hill Book Co., lnc.,
Nueva York (1935).
J. L. Powell y B. Craseman, Quantum Mechanics, Addison-Wesley Publishing Company, Inc., Rea-
ding, Mass. (1961).
C. W. Sherwm, lntroduction to Quantum Mechanics, Holt, Rinehart and Winston, Inc., Nueva
York (1959).
J. C. Slater, Quantum Theory of Matter, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1951).
CAPITULO 5
Mecánica estadística.
Generalidades
5.1 INTRODUCCION
147
148 Mecánico estadística. Generalidades
frx(e)N(a) de
<!X> =
f
"---:o----
N(e) de
una función de las coordenadas y las cantidades de movimiento, como la suma de las
energías cinética y potencial,
¡¡ =
1 "L. p¡,
-2 + V(q¡), (5.2-3)
m¡
y el valor promedio de ex evaluado como una integral sobre las coordenadas del
espacio de fase como
JI a.(p¡.q¡}f(p¡,q¡) dp dq
(a.)= . (5.2-4)
JJJ(p¡,q¡} dp dq
(5.2-5)
en donde
(5.2-6)
De acuerdo con los resultados dados en las secciones 4.10 y 4.11, se puede
llegar a la conclusión de que 1/1 =O, fuera del recipiente. De acuerdo con (4.9-3), se
puede esperar que una solución válida para (5.2-5) sería una onda plana de la forma
(5.2-7)
Se puede verificar con facilidad que, en efecto, esta solución satisface lo esta-
blecido en (5.2-5). En realidad, la ecuación (5.2-7) se puede obtener como una
solución de (5.2-5) mediante la técnica de separación de variables que se usó con el
lSO Mecánict1 estadística. Generalidades
(5.2-8)
y, en este caso, se puede considerar que estas cantidades se comportan como las
componentes de un vector k que se conoce como vector de propagación. Si se
estudia el carácter físico de la función de onda dependiente del tiempo que se
relaciona con (5.2-7) por medio de (4.8-7),
'P(x,y,z,t) = Aei(k·r-wr)
(5.2-9)
(w = efh),
debe ser evidente que la dirección de k es la misma que aquella en la que avanza el
frente de la onda. La explicación física real de esto quedará asignada como tarea
para el lector. Utilizando los métodos desarrollados en el último capítulo, se puede
demostrar que el valor esperado de la cantidad de movimiento vectorial p está dado
por
tf¡(x,y,O) = tf¡(x,y,z 0 ),
lo cual requiere que en (5.2-7) se tome
(5.2-14)
De acuerdo con (5.2-10), los valores permisibles de (kx, ky, kz) se pueden expresar
como los valores permisibles de (px,Py,Pz) en la forma
Py = hny/Yo (5.2-15)
(5.2-16)
(5.2-17)
p dp =m de, (5.2-20)
por lo cual,
g(e) de
8 fin:v
= "h 3
J-
m3 ' 2 e de, (5.2-22)
Cantidad de
movimiento p,
energía •
Cantidad de
movimiento p + dp,
energía • + d•
P,
N1 + N2 = N = const. (5.3-1)
Nz (j) ® ®---0---®
Compartimiento Núm. 2 Partículas
Q(O,N2 ) = 1
Q(I,N2 )=N
N formas de escoger a
Q( 2 N)=N(N-I)
N-1 formas de escoger (3
' 2 21 (pero las dos distril:iuciones
que aparecen a la izquierda
son la misma)
N formas de escoger a
N-1 formas de escoger p
N-2 formas de escoger 'Y
(pero las 3! distril:iuciones
ilustradas son la misma)
Figura 5.2. Jo'ormas posibles de distribuir N partículas identificables entre dos recipientes.
La distribución Maxwell-Boltzmann 1SS
tercero, en tanto que hay 3! formas de permutar entre sí los objetos enumerados
a, (3, y 'Y como si se les hubiera seleccionado en primero, segundo y tercer lugares,
por lo que Q(3, N 2 ) = N(N- 2)/3! . Por supuesto, se puede confirmar con este
procedimiento, entonces, recordando (5.3-I), se puede establecer que
N(N-1)(N-2)···(N-N 1 +1) N! N!
Q(N¡,Nz) = N1! = N 1 !(N- N 1)! N 1 !N 2 !
(5.3-2)
Supóngase ahora que el segundo recipiente se divide en dos subcompartimien-
tos que contienen v 1 y v2 objetos en donde, por supuesto,
(5.3-3)
como se ilustra en la figura 5.3. El número de formas independientes que logra la
distribución (v 1 , v 2 ) entre los subcompartimientos de la segunda caja es, de acuerdo
con (5.3-3),
(5.3-4)
Sin embargo, ahora se podría considerar que el sistema tiene tres recipientes
distintos y que el número total de maneras de acomodar los objetos, requerido para
que haya N 1 en el primer recipiente, v 1 en el segundo y v2 en el tercero [que se
denominará Q(N 1 ,v 1 ,v 2 )], será sencillamente el producto de Q(N1 ,N2 ) y Q(v 1 ,v 2 ),
ya que para cada arreglo (N1 , N 2 ), habrá Q(v 1 , v 2 ) maneras de acomodar las par-
IN·
Compartimiento : 1
m
~
2
Figura 5.3. Subdivisión del segundo recipiente en dos subcompartimientos; de hecho, se puede
considerar que el sistema así obtenido se ha dividido en tres recipientes diferentes.
tículas entre los subcompartimientos y existen Q(N 1 ,N2 ) maneras básicas de llegar a
una distribución (N1 , N 2 ) para los dos recipientes originales. De donde, se encontrará
que
(5.3-5)
(5.3-7)
Degeneración g; =4 6 2
.: r-·-'-- 1
. --- 1
--1-- le.
•• 1 • r--1- •1
~··· • _L
Nivel 1 2 n
Población N¡ 4 7 2
Figura 5.4. La subdivisión de los niveles energéticos en diferentes estados cuánticos de acuerdo
con ~u dcgenerac.:ión. Dichos estados desempeñan el mismo papel que los recipientes
del desarrollo e~tadístico, y cada uno tiene el mismo peso estadístico.
La distribución Maxwell-Boltzmann 157
así sucesivamente hasta N¡ factores. Cada uno de estos arreglos constituye una forma
estadísticamente, independiente de distribuir partículas entre los estados cuánticos
del sistema, ya que estos estados cuánticos son de igual probabilidad, y no así los
niveles energéticos. Si el primer nivel de energía e 1 , fuera el único nivel degenerado,
se tendrían i( 1 maneras independientes de establecer una distribución específica de
partículas entre los niveles energéticos, como se indica en (5.3-7), ya que existen
muchas maneras de permutar las partículas entre los distintos estados degenerados
pertenecientes al primer nivel, y por cada uno de éstos queda todavía el mismo
número de maneras de asignar las partículas a los otros niveles del sistema, de tal
modo que se obtenga la distribución (N1 , N 2 , • • • Nn). Si además el segundo nivel
estuviera degenerado, se tendrían 112 posibilidades por cada una que existió antes,
siendo ahora el número total de formas independientes en que se logra una distribu-
ción dada de las partículas entre los niveles, ¡{ 1 112
veces la que se establece en
( 5 .3-7). Es obvio que cuando se incluye la degeneración de todos los niveles, el
11
resultado (5.3-7) se deberá multiplicar por 1{ 1 21:3 • • • tf:n, lo cual da
º( N¡,N2, ... Nn ) = - n - -
N! nn g¡N,
(5.3-8)
TIN¡!i=l
i= 1
n
L1 N¡ = N = const.
i=
(5.3-9)
y
n
L e¡N¡ = U = const. (5.3-10)
i= 1
sea cual fuere el valor que el multiplicador arbitrario indeterminado a pueda tener.
~o obstante, (5.3-11) se puede expresar como
158 Mecánica estadística. Generalidades
a¡ o</J (5.3-13)
-+IX-=Ü {i = 1,2, ·· · n),
OX¡ OX¡
(5.3-14)
(5.3-17)
n n
In Q(N 1 ,N 2 , ···N.)= In N!+ L N¡ In g¡- L In N;!.
i= 1 i= 1
(5.3-19)
Se supondrá que este sistema es tan grande que para cada nivel t:¡! se puede
aproximar, utilizando la aproximación de Stirling según la cual, para x ~ 1,
lnx!:::;;-xlnx-x. (5.3-20)
In Q = In N! + L N¡ In g¡ - L N; In N¡ + L N;, (5.3-21)
i i i
La distribución Moxwell-Boltz1111lnn 159
o(ln Q) o</J
- - +1X-+{J-=-
oi/J a [ LN 1 lng 1 - ¿N1 lnN1 + LN1
]
iJNi oNi oNi oNi 1 1 1
(5.3-24)
(5.3-26)
p = -1/kT, (5.3-27)
por lo cual
e"= N (5.3-30)
L g¡e e1tkT•
j
y
Ng .e-•¡tkT
N = g .e"e-•JtkT = (5.3-31)
1 J L g¡e
J
•1¡kr
•
Si los niveles energéticos del sistema están muy próximos unos de otros, como
sucede con los niveles del gas de partículas libres que se vio en la sección anterior,
la cantidad g¡ de (5.3-28) se puede considerar como g(e)de y la cantidad N¡ de la
ecuación se considerará como N(e)de, de acuerdo con lo expuesto en relación con la
ecuación (5.2-1). El número de partículas dentro de un rango energético de alrede-
dor de e dentro de este límite, estará dado, de acuerdo con (5.3-28), por
Para un gas ideal de partículas libres, el factor de densidad de estados g(e) está
dado por (5.2-22). Obsérvese que la forma de (5.3-32) es la misma que la de
(5.2-1), siendo !(e)= e"e-efkT. Una vez más, como se vio en relación con (3.3-31),
se puede evaluar la constante a teniendo en cuenta la condición de que el número
total de partículas dentro del sistema será una constante N, por lo cual
y
N
-f
e"-~----
g(e)e-•fkT de'
(5.3-34)
en donde las integrales se toman sobre todas las energías disponibles para las par-
tículas del sistema.
Se debe observar que la cantidad Q de (5.3-8) está íntimamente relacionada
con la entropía termodinámica del sistema. En equilibrio, el estado del sistema es tal
que Q. el número de formas estadísticamente independientes de distribuir las par-
La estadístiCil de Maxwell-Boltzmann para un gas ideal 161
f(•l
7j
ulas entre los estados cuánticos, es un maxtmo como lo es la entropía del sis-
na Por ahora no se entrará en detalles; pero se puede demostrar 1 que la relación
stente entre estas dos cantidades es
S-= k In Q, (5.3-35)
donde S es la entropía.
"'- N (5.4-1)
e - 8j2 ¡¡; V m 3!2 f"" Jf.e-c!kT de
h3 o
x = efkT, (5.4-2)
1 J. E. Mayer y M. Goppert-Maycr, Statistical Mechanics, John Wiley & Sons, Nueva York
!.'1), capítulo 4.
162 Mecánica estadística. Generalidades
(5.4-3)
La integral se puede expresar ahora como una función r-, 2 ya que f(n) se
define como
(5.4-4)
siendo entonces la integral de (5.4-3) igual a f(3/2), que, a su vez, es igual a ..J1i72.
Si se inserta este valor en (5.4-3), se tiene que
N ( h2 )3/2 (5.4-5)
e"= 2V 2mnkT '
(5.4-6)
2rrN
N(e) de =f(e)g(e) de= r;,.e-•tkT de (5.4-7)
( rrk T)312 \/ .
La energía interna total y el calor específico del gas se puede obtener fácil-
mente a partir de estos resultados. Puesto que la energía de las partículas en el
rango de alrededor de e es eN( e) de, la energía interna total del gas es
(5.4-9)
U =tNkT, (5.4-10)
por lo cual, la energía interna promedio por partícula, U/N, es 3/2kT que es un
resultado importante y muy conocido. La capacidad calorífica del gas a volumen
constante es la razón de aumento de la energía interna con respecto a la tempera-
tura, por lo cual, de acuerdo con (5.4-10),
e (au)
Var =
V
=1Nk
,
(5.4-11)
(5.4-12)
de donde
TABLA 5.1.
Integrales Maxwell-Boltzmann*
=-
4
kT
m
= ~; e~Tr2
= ~e~Tr =--
32
= e~Tr =--
64
e= v8kT/Trm.
número se denominará N(vx, Vy, Vz)dvx dvy dvz. Ahora se procederá con más cui-
dado, principiando con (5.4-6) que, de acuerdo con (5.4-12), se puede escribir como
!( V
N (
V V)=- - - -
h2 )3/2 e-m(v 2 x+v 2 ~+v 2 ,)/2kT
(5.4-15)
'"' '' z 2V 2nmkT
(5.4-16)
en donde g(vx, vy, ~·.)dvx dvy dvz es el número de estados cuánticos dentro del ele-
mento de espacio de velocidad dvxdvvdvz. De acuerdo con (5.2-17) el número de
La estadística de Maxwell-Boltzmann para un gas ideal 165
estados dentro de un elemento de volumen dpx dpy dpz del espacio de cantidad de
movimiento es (2V/h3) (dpxdPydPz), por lo cual,
(5.4-17)
N(v V V)
m
dv dv dv =N ( - -
)3/2 e-mlu'"+u'y+u'.)/lkT dv dv dv
x• Y' z x y z 21tkT x Y z·
(5.4-18)
(5.4-19)
(o) ( b)
= J8kT/nm, (5.4-20)
r----
las partículas de 1 Unidad de área
velocidades Vx dentro l
de este volumen chocarán-,-_
contra la pared durante 1
el período dt 1
1
1
1
1
L____ _
-v.dt Pared de recipiente
-x
Figura S. 7. Colisión elástica de una partícula contra la pared de un recipiente rígido, siendo Vx
la componente x de la velocidad de dicha partícula.
o bien,
(5.4-21)
dpx-
--
2m NJrn
--
foo V 2 e -mv2xf2kT dV--NkT
--. (5.4-22)
dt V 2nkT 0 x x V
PV = NkT, (5.4-23)
PV = nRT, (5.4-24)
PV = nNAkT, (5.4-25)
por lo cual, comparando (5.4-24) con (5.4-25), es obvio que la constante de Boltz-
mann k debe estar dada por
(5.4-26)
PV = -N/{3, (5.4-27)
168 Mecánictl estadístictl. Generalidades
y, para que esos resultados concuerden con la ley de los gases (5.4-24) establecidos
experimentalmente, habría sido obligatorio escoger
N
-N/P = nRT =NA RT,
o bien,
(5.4-28)
.S ESTADISTICA DE FERMI-DIRAC
Figura 5.8. Una posible distribución de partículas entre los estados cuánticos del iésimo nivel
de energía de un sistema en el que se aplica el principio de exclusión de Pauli.
Estadística de Fermi-Dirac 169
g.l
g1(g 1 - l)(g 1 - 2) ... (g 1 - N 1 + 1) = ( . -·~·)' (5.5-1)
g, 1.
(5.5-2)
N 1!(g1 - N 1)!
(5.5-3)
en donde cp y 1/1 están dados por (5.3-22) y (5.3-23). Al substituir (5.5-5), (5.3-22)
y (5.3-23) en esta ecuación, se obtiene
(5.5-8)
1
f(e.) = N ·fg · = 11 • (5.5-9)
1 1 1 1 + e " "1
p= -1/kT, (5.5-10)
N·= gi (5.5-12)
J 1 + e<•J tt)fkT '
o bien, si se supone que los niveles se juntan formando un continuo, de modo que
g¡(e¡)-+ g(e)de, entonces,
g(e)de
N(e)de = g(e)f(e) de = 1 + e<• •tlikT. (5.5-13)
N = const. = f g(e)de
1 + e<• •tlfkT =
f g(e)f(e)de. (5.5-14)
Estadístico de Fermi-Dirac 171
La integral se toma sobre todas las energías disponibles para las partículas del
sistema. Para un gas de Fermi de partículas independientes, g(e) está dada por
(5.2-22) y e¡ se determina mediante
41tmA
g(e)de = """"'h2 de, (5.5-16)
41tmA roo de
N= -¡¡r- Jo i + e<•-•¡)/kT• (5.5-17)
que se puede evaluar en forma cerrada, haciendo que uno resuelva para e¡ y se
obtiene
e1(T) = kT ln(e•t<O)/kT- 1), (5.5-18)
en donde
Nh 2
e¡(0)=-- (5.5-19)
41tmA
es el valor que ej(1) toma conforme T tiende a cero, como está dado por (5.5-18).
Los detalles del cálculo de este resultado son muy instructivos y quedan asignados
como ejercicio para el lector. La variación de la energía de Fermi del gas bidimen-
sional de partículas independientes se ilustra en la figura 5.9. Se notará en este caso,
que la energía de Fermi es una función monotónica decreciente de la temperatura.
La energía de Fermi para el gas de Fermi tridimensional, con la función de densidad
de estados (5.2-22), presentará el mismo comportamiento general, excepto que en
este caso, la variación de la energía de Fermi con respecto a la temperatura es lineal
cuando los valores de ésta se mantienen razonablemente bajos, en tanto que para el
ejemplo bidimensional, la variación es mucho más compleja a temperaturas bajas.
Para muchos sistemas, incluyendo estos dos, la variación del nivel de Fermi con
respecto a la temperatura es p~queña sobre el rango de temperaturas físicamente
posibles; en la figura 5.9, la temperatura a la que e¡= O sería del orden de
75000°K para un gas de electrones con la densidad de electrones libres correspon-
diente a la del cobre metálico. Por esta razón, en muchas aplicaciones la depen-
dencia de temperatura de la energía de Ferrni se puede desechar o aproximar me-
diante una función lineal u otra apropiada de la temperatura.
La función de distribución de Fermi propiamente dicha,
1
/(e) = 1 + e<•-•,>tkT ' (5.5-20)
172 Mecánica estadística. Generalidades
., (T)
se muestra en la figura 5.10 para varios valores de temperatura. Puesto que sólo
una partícula puede ocupar un estado cuántico dado, el valor de f(e) para una dis-
tribución de Fermi a una energía partícular es justamente igual a la probabilidad
de que un estado cuántico de dicha energía esté ocupado. En el cero absoluto,
como se puede ver fácilmente en la figura 5.10 y por la ecuación (5.5-20), la
función de distribución de Fermi se convierte sencillamente en una función de escalón
f(e) =1 (e< e1 )
(5.5-21)
=O (e> e1 ).
N(.)
h2
e¡(O) = - -
(3N)2/3 . (5.5-25)
8m 1rV
Los detalles de estos cálculos se omiten, pero se proponen como ejercicio para el
lector.
Para energías mucho mayores que er, e<e-e¡)fkT es mucho mayor que la unidad
y para tales energías, la función de dÍstribución de Fermi-Dirac (5.5-20) se puede
escribir aproximadamente como
(5.5-27)
e- e1 ~ kT, (5.5-28)
es decir, si e¡ es muchas unidades kT menor que cualquier energía que pueda tener
una partícula perteneciente al sistema, entonces (5.5-27) constituirá una buena apro-
ximación de (5.5-20) para todas las partículas del sistema. Sin embargo, la función
de distribución aproximada (5.5-27) es, sencillamente, la función de distribución de
Maxwell-Boltzmann de (5.4-6) con a= e¡/kT. Entonces, si se conserva la condición
(5.5-28) para todas las partículas del sistema, la distribución Fermi-Dirac y la de
Maxwell-Boltzmann son casi iguales.
Estadística de Fermi-Dirac 175
Para el gas bidimensional de Fermi, donde la energía de Fermi está dada por
(5.5-18), si T es tan grande que kT'> e¡(O), el exponente e¡(O)/kT será pequeño, de
tal manera que el exponencial se puede aproximar mediante 1 + [e¡(O)/kT], dando
e (T) = kT In e¡(O)
1 kT
= (O)[ kT 1 B¡(O)]
81 e1(0) n kT
kT kT]
= -e¡(O) [ e¡(O) In e¡(O) . (5.5-29)
De acuerdo con esto, se advierte que conforme T aumenta, e¡(T)-+- oo. Pues-
to que la energía más baja que puede tener cualquier partícula del sistema es cero,
es evidente que la condición (5.5-28) se satisfará para temperaturas lo suficiente-
mente altas y la función de distribución será aproximadamente la misma que la de
la distribución de Maxwell-Boltzmann a temperaturas muy elevadas. Se puede demos-
trar que el mismo resultado se aplica al caso tridimensional. Estos resultados también
pueden esperarse si se emplea un enfoque físico, ya que a altas temperaturas, las
partículas se distribuyen sobre un rango muy amplio de estados energéticos, y el
número de partículas en cada rango de energías disponibles es tan pequeño que
siempre hay mucho más estados cuánticos disponibles que partículas que puedan
ocuparlos. En estas circunstancias, la probabilidad de que dos o más partículas ocu-
pen el mismo estado cuántico siempre se hace sumamente pequeña de modo que no
importa mucho si la función de distribución obedece al principio de Pauli (distri-
bución Fermi-Dirac) o no lo obedece (distribución Maxwell-Boltzmann). 3 Puesto que
la cantidad e¡(O), que deber ser obligatoriamente mucho menor que kT para que las
dos distribuciones coincidan, es proporcional a la densidad de partículas N/A por
(5.5-19), la reducción de la distribución de Fermi a una reducción de Maxwell-Boltz-
mann se desarrollará a temperaturas más bajas en gases menos densos. Por las mis-
mas razones, de acuerdo con ( 5.5-19), se producirá a temperaturas más bajas en
gases en las que la masa de las partículas m sea grande. Debido a ello, las substan-
cias gaseosas ordinarias a temperaturas normales obedecen a la estadística de Maxwell-
Boltzmann mejor que a la estadística Fermi-Dirac (o Bose-Einstein). Sin embargo,
para un gas denso de partículas muy ligeras, tales como los electrones libres de un
metal, la energía de Fermi al cero absoluto es bastante grande y la condición
(5.5-28) se puede satisfacer para todas las partículas del sistema sólo a temperaturas
tan altas que sean físicamente inalcanzables. Por tanto, cuando se trata de un gas
denso de electrones libres, debe utilizarse la estadística de Fermi-Dirac. No obstante,
en los semiconductores, la forma peculiar de la función de densidad de estados es
tal que la distribución de Maxwell-Boltzmann casi siempre es una aproximación acep-
table de la distribución de Fermi-Dirac o prácticamente igual a ella. Esta situación
se examinará más detalladamente en un capítulo posterior.
3 Se podría alegar que aun en este límite la distribución de Fermi-Dirac debe diferir de la
de Maxwell-Boltzmann en virtud de que no se pueden identificar las partículas. Sin embargo, se
puede demostrar, como se verá en la siguiente sección, que la función de distribución de par-
tículas no distinguibles, que no obedecen el principio de exclusión de Pauli (la distribución
Bose-Einstein), se aproxima a la función de distribución Maxwcii-Boltzmann en este límite. Una
forma más exacta de explicar la situación sería afirmar que, en el límite de altas temperaturas,
la distribución Fermi-Dirac se acerca a la distribución Bose-Einstein que, a su vez, se acerca a la
distribución Maxwell-Boltzmann.
176 Mecánica estadística. Generalidades
•• • •• •• •• • ••• •
iésimo nivel de energía: degene.r.ación 9; =9
poblac10n N;= 14
Figura 5.13. Una posible distribución de partículas entre los estados cuánticos del iésimo nivel
< ncr?,ético
de un sistema en el que no se aplica el principio de exclusión de Pauli.
La distribución de Rose-Einstein 177
simplemente el producto de los factores de la forma (5.6-l) sobre todos los niveles
del sistema por lo que
(5.6-2)
Ahora se puede maxlinizar esta cantidad con r~specto a las variables N¡, N 2 : • • •
Nn, utilizando el método de los multiplicadores de Lagrange y de acuerdo con las res-
tricciones (5.3-22) y (5.3-23). Los cálculos no se incluirán aquí; pero se sugiere que
los ejecute el lector como ejercicio. El resultado es
1
(5.6-3)
{3 = -1/kT, (5.6-4)
(5.6-5)
(5.6-6)
(N; + g¡ - 1)! ~ N;
(g¡-1)! =g¡, (5.6-7)
(5.6-8)
178 Mecánica estadística. Generalidades
1
f(e) = e/kT · (5.6-9)
e - 1
EJERCICIOS
l. Demuestre que el frente de onda asociado con la onda plana 'Ir= ei(k•r-wt) avanza en
la dirección k.
2. Demuestre, para la partícula libre en tres dimensiones cuya función de onda está dada
por (5.2-7), que el valor esperado de la cantidad de movimiento vectorial p es igual a hlc, y que
p (y, por ende, k) es una constante del movimiento.
3. Calcule la densidad del factor de estados g(e)de para un sistema bidimensional de partí-
culas libres, en el que no hay otras interacciones que colisiones instantáneas y que está conte-
nido en un recipiente rígido de superficie A y de dimensiones x 0 y y 0 . Comience con la ecuación
de SchrOdinger.
4. Suponga que se lanzan simultáneamente cuatro monedas, ¿cuáles son las probabilidades
asociadas con las distribuciones (0 águila, 4 sol), (1 águila, 3 sol) ... (4 águila, O sol)?
5. Encuentre las dimensiones y la superficie del rectángulo de área máxima con lados
paralelos a los ejes de las coordenadas, que se puede inscribir dentro de una elipse cuyo eje
mayor es 2a y cuyo eje menor es 2b. Los ejes de la elipse pueden considerarse paralelos con los
ejes de las coordenadas. Emplee el método de los multiplicadores de Lagrange.
6. Encuentre la velocidad de raíz cuadrada media y la velocidad más probable de una
partícula en un gas ideal de Boltzmann.
7. Demuestre que el flujo de partículas en un gas ideal de Boltzmann, cuyas componentes
x de velocidad son positivas, por unidad de área sobrt> un plano normal al eje x es -!Nc7V.
Nota: el flujo o densidad de corriente se define como el número de partículas por unidad de
volumen por su componente de velocidad a lo largo de la normal al plano sobre el que se
observa el flujo.
8. Demuestre que la energía de Fermi de un gas de Fermi bidimensional de partículas
libres cuya función de densidad de estados está dada por el resultado del ejercicio 3, es ej{T) =
kTin(eEj{O)fkT- 1), en donde et{O) =Nh2f(4rrmA)
9. Calcule la energía de Fermi, en electrón-volts, para los electrones libres en el cobre al
cero absoluto, suponiendo que hay un electrón libre por átomo de cobre. Indique la temperatura
a la que kT será igual a ef.O).
10. Demuestre que la energía interna por unidad de volumen de un gas de Fermi de
partículas libres al cero absoluto es ~!!.. ej(O).
5 V
11. Demuestre por el método de los multiplicadores lagrangeanos, que si Q(N ¡, N 2 , • • • Nn)
está dada por la ecuación (5 .6-2), la función de distribución correspondiente a los valores más pro-
bables dé N •· N2, • • • Nn, está dada por (5.6-3).
La distribución de Rose-Einstein 179
12. Use la función de densidad de estados calculada en el ejercicio 3 para demostrar que
d parámetro a de un gas de Bose-Einstein bidimensional de partículas libres está dado por
IX= )n(l _ e-h2N/(2nAmkT)).
Analice las propiedades de la función de distribución resultante para T--'>- oo y para T-+ O.
LECTURAS RECOMENDADAS
181
182 Vibraciones reticulares y propiedades térmicas de los cristales
(6.1-4)
En este caso se prefirió usar coordenadas esféricas (r, e, cf>) para el espacio de
las coordenadas y (p, eP, cf>p) para el espacio de la cantidad de movimiento, para
fines de integración la cual, por supuesto, debe hacerse sobre todo el espacio de
fase. Puesto que el integrando no tiene dependencia en relación de e, p, ep, o 'cf>p la
integración sobre estas variables se puede desarrollar de un modo muy sencillo,
dando un factor de 41T tanto al numerador como al denominador, y dejando
(6.1-6)
(6.1-9)
Este resultado se conoce como la ley de Dulong y Petit, y los alumnos que
han estudiado química elemental están familiarizados con ella ya que es la base de
una forma rudimentaria de estimar el peso atómico de un elemento desconocido. La
Teoría de Einstein sobre el calor específico 183
Cvm
~i"!'O:....__~I0'-0---2-'0-0---30-'--0---4.L.OO--- T ("K)
Figura 6.1. Capacidad térmica de una substancia sólida típica graficada como una función de la
temperatura.
ley de Dulong y Petit concuerda totalmente con los resultados experimentales obte-
nidos con la mayoría de las substancias a la temperatura ambiente y por encima de
ella; pero conduce a errores notables a temperaturas bajas. En el rango de tempera-
turas bajas, el calor específico de todas las substancias tiende a cero siendo propor-
cional a P conforme T se acerca a cero, como se ilustra en la figura 6.1.
(n = 0,1,2, · · · ), (6.2-1)
como está dado por ( 4.12-27). Se puede considerar que los osciladores tienen una
distribución de energía del tipo Maxwell-Boltzmann, ya que forman un conjunto de
sistemas que son distinguibles o identificables en virtud de su ubicación en puntos
separados y distintos de la red, y puesto que cualquier número de osciladores puede
estar en cualquier estado cuántico del sistema. Por tanto, aunque los átomos son
osciladores cuantizados, la distribución clásica de Maxwell-Boltzmann sigue siendo la
más apropiada para describir su comportamiento estadístico. Por otro lado, los verda-
deros cuantos de energía vibratoria que absorben o emiten los osciladores, no son
entidades distinguibles y, por tanto, la estadística de Bese-Einstein se debe utilizar
1 Por supuesto, Einstein utilizó el resultado de Planck En = nl'k.u más bien que el resultado
de la mecánica ondulatoria que se da en (6.2-l) para los niveles de energía de un oscilador
armónico. Si se usa el resultado original de Planck, la expresión final de la energía interna y el
calor específico que se obtienen difieren de los resultados aquí derivados, ~ólo en la <lll~encia de
una contribución energética de punto cero independiente de la tl'mpcratura a la energía interna
184 Vibraciones reticulares y propiedades térmicas de los cristales
(6.2-2)
¿ e<n+t)x
n
en donde
x = -liw0 /kT. (6.2-3)
(6.2-4)
La energía interna se obtiene multiplicando la energía promedio por oscilador,
por el número de osciladores, como antes, de donde,
3Niiw 0 3Niiw 0
U= 3N(e) = --2- + eftwa/kT- 1 (6.2-5)
e = (-aaTu_)
V V
= 3 N k (-liw_o) 2 ---;:--e~=Wo,...lk_T--::
kT (eftwo/kT- 1)2. (6.2-6)
Este resultado se puede expresar en una forma algo más s~ncilla definiendo
una "temperatura de Einstein" 8¡.; tal que
(6.2-8)
Teoría de Einstein sobre el calor específico 185
(6.2-9)
.:¡ue se acerca a cero conforme T tiende a cero, aunque no concuerda con el com-
portamiento T3 observado a temperaturas bajas. El primer término de (6.2-5) repre-
senta la parte de energía interna del sistema que corresponde a la energía de punto
~ero de los osciladores. Puesto que es independiente de la temperatura, no hace
\·ariar el valor del calor e~pecífico.
Físicamente, la razón de que el calor específico se haga tan pequeño a tempe-
raturas bajas se puede entender suponiendo que el cristal se coloca de tal modo
que hace contacto con un baño térmico externo compuesto de un gas monoató-
mico ideal a una temperatura dada y se deja que absorba energía de los átomos del gas
ideal. La energía promedio de los átomos del gas es 3/2kT y si la temperatura del
sistema es lo suficientemente alta, de tal modo que kT sea por lo menos del orden
de la energía líw 0 requerida para excitar uno de los átomos vibrantes del cristal a
un estado energético más alto, tales excitaciones ocurrirán frecuentemente, al chocar
~on el cristal los átomos del gas del baño térmico. Entonces, estas colisiones serán
inelásticas en el sentido mecánico y la energía que inicialmente pertenecía a los
átomos del gas se transferirá con facilidad a la red cristalina como energía de
\"ibración. Por otro lado, a temperaturas lo suficientemente bajas, kT será mucho
más pequeña que la energía de excitación líw 0 , y sólo un átomo ocasional de gas
que tenga una energía mucho mayor que la promedio podrá producir una excitación
de esta índole y, por tanto, transferir calor a la red cristalina. Luego, el cristal tiene
relativamente poca capacidad para absorber calor de su ambiente y un cambio unita-
rio de temperatura en el ambiente sólo ocasiona la transferencia al cristal de una
cantidad de calor muy pequeña, en comparación con la que se puede transferir en con-
niciones similares a temperaturas más altas. Conforme la temperatura se acerca al cero
absoluto, la fracción de átomos del baño térmico que poseen la mínima energía de ex-
citación hw 0 tiende a cero, y en consecuencia, también lo hace el calor específico.
La temperatura de Einstein SE = líw 0 /k se puede calcular fácilmente si se
conoce w 0 . Esta frecuencia natural de vibración se puede calcular a partir de la
masa atómica y las constantes elásticas observadas del cristai.2 Para muchos elemen-
tos metálicos, el valor calculado de esta manera es del orden de 100-200°K y, por
ende, la transición del comportamiento a bajas temperaturas al de altas temperaturas
debe ocurrir en este rango de temperaturas. Experimentalmente, se ha encontrado
que la teoría de Einstein satisface las observaciones en todas las temperaturas, excep-
to las bajas, en donde el comportamiento de T3 observado no se puede obtener. Por
lo general, los valores calculados de SE y los que se obtienen aplicando la expresión
teórica (6.2-8) a datos observados, también concuerdan con bastante exactitud. Evi-
dentemente, la teoría de Einstein proporcionó una explicación mucho mejor de los
datos experimentales que la teoría clásica, a pesar de que la coincidencia con la
experiencia no es perfecta. La teoría de Debye, de 1912, permitió eliminar la discre-
pancia entre la teoría y Jos resultados experimentales a baja temperatura y mejoró la
aceptación general de Jos datos experimentales. En la teoría de Debye, se toman en
cuenta las interacciones entre los átomos que dan como resultado que exista un
rango de valores posibles de frecuencia vibratoria en lugar de un solo valor Wo,
como se describió en el capítulo 3.
dU = (e(w))g(w) dw (6.3-1)
dk
dU = (e(w(k)))g(k) dk = (e(w))g(k)- dw. (6.3-2)
dw
Para calcular g(k), sea un cristal rectangular cuyas dimensiones son (Lx, Ly, Lz)
y supóngase que el origen se encuentra en un vértice del cristal, y que los bordes
del cristal coinciden con los ejes + x, +y y + z. Las ecuaciones de movimiento de
(6.3-3)
Si a la expresión (6.3-3) se aplican las condiciones periódicas de frontera de la
forma
u(L",y,z,t) = u(O,y,z,t)
u(x,y,L.,t) = u(x,y,O,t)
en donde nx, ny, nz son enteros positivos o negativos. Los valores permisibles
(kx, ky, kz), a los cuales corresponde un solo modo normal de vibración que satis-
facen las condiciones periódicas de frontera, se pueden graficar como puntos en un
espacio k ortogonal, como el que se ilustra en la figura 6.2. Los modos normales
permisibles forman una red ortorrómbica simple en este espacio, siendo las dimen-
siones de la célula unitaria (2rr/Lx, 2rr/Ly, 2rr/Lz).
la figura 6.2. En este caso, se puede calcular g(k) dk, evaluando el volumen del
espacio k entre la superficie esférica de radio k
(6.3-6)
Sin embargo, existen en realidad tres modos normales independientes para cada
punto permisible en el espacio k, uno correspondiente a una vibración longitudinal
(que ya se vio antes) y los otros dos que corresponden a dos vibraciones transver-
sales mutuamente ortogonales que, hasta ahora, no se han considerado en este aná-
lisis. Para tomar en cuenta esas posibilidades, el lado derecho de la ecuación anterior
debe multiplicarse por un factor de 3, lo cual da finalmente
3k 2 V
g(k) dk = - - 2 dk. (6.3-7)
2n
En este punto, se desearía utilizar alguna relación como la (3.3-7) que expresa
la variación de k como una función de w para una red monoatómica, encontrando
dk/dw y substituyendo los resultados junto con (6.3-7) y (6.2-4) en (6.3-2), e
integrando finalmente sobre w. Born y von Karman, 4 fueron los primeros en deli-
near este procedimiento. Desafortunadamente, la forma matemática de la ecuación es
tal que la expresión resultante es demasiado compleja y no se puede integrar en
forma cerrada o manejarse numéricamente de un modo conveniente. Para contrarres-
tar esta dificultad, Debye aproximó la función sinusoidal (3.3-7) escribiéndola como
una función lineal:
w(k) = v0 k (6.3-8)
en donde v0 es una velocidad de fase (constante) la cual, en principio, es igual a la
velocidad del sonido de onda larga en el cristal. En realidad esto es, lo que indica (3.3-7)
con respecto a longitudes de onda lo suficientemente grandes para satisfacer la con-
dición ka~ 1T, pero Debye utilizó la función para describir el comportamiento de
todas las vibraciones que se pueden propagar dentro del cristal.
La integración sobre w indicada en (6.3-2) se realiza entre los límites cero y
una frecuencia máxima Wm que se escoge de tal forma que el número total de
modos normales de frecuencia menores que Wm deben ser justamente 3N, ya que se
sabe que éste es el número real de modos normales que existen para un cristal de N
átomos. 5 Existe un número de onda km correspondiente a Wm y todos los modos
nonnales para los que k< km tienen frecuencias w < Wm, de acuerdo con (3.3-7) o
(6.3-8). Por tanto, debe haber solamente 3N modos nonnales de oscilación dentro de
una esfera de radio km en el espacio k. Puesto que el volumen del espacio k
ocupado por un solo modo normal es 81r 3 /3 V, se puede escribir
4 8n 3
-nk 3 = 3N · -
3 "' 3V
o bien
(6.3-9)
"'
(6.3-11)
x = hwfkT, (6.3-12)
liv (6Nn
= liwm /kT = ~
2 113
kT -V-
)
x (6.3-13)
m
(6.3-14)
8
9
U=-Nk0+9NkT 0
"
(T) 3 fa¡T x 3 dx
-x-·
e-1
(6.3-15)
0
3Nit
v
~------------------
~~0~-----0~5--------~----~15-------2~0 ~8
Figura 6.4. La capacidad térmica de un sólido monoatómico aislador, de acuerdo con la teoría
de Debye, graficada en función de la variable de temperatura reducida T/e.
Teoría de Debye sobre el color específico 191
(au)
oT
=e = 12n Nk(!.)
V Vs e
4 3
(T ~E>). (6.3-17)
Esto se conoce como la "Ley 'J'3 de Debye" y sus predicciones sobre los
calores específicos en la región de temperaturas bajas concuerdan aceptablemente con
los datos experimentales obtenidos con muchas substancias.
El valor de la temperatura de Debye se puede calcular a partir de (6.3-14), u
obtenerse experimentalmente seleccionando el valor de e con el que se obtenga la
mayor concordancia entre los datos experimentales y la expresión teórica (6.3-16).
Los valores calculados y los determinados de un modo experimental están casi siem-
pre de acuerdo en el caso de substancias que obedecen las suposiciones hechas de
acuerdo con la teoría de Debye. Para los elementos metálicos más comunes, la
temperatura de Debye se registra generalmente en el rango de 150-450° K. Seitz 6
presenta una tabla de temperaturas de Debye y un análisis detallado de la concor-
dancia entre los valores de la temperatura de Debye, calculados y determinados de
un modo experimental.
En un cristal, en el que los átomos no son todos idénticos, por ejemplo, el
NaCl, se pueden excitar vibraciones elásticas pertenecientes a modos ópticos o acús-
ticos, y los resultados calculados mediante este procedimiento ya no se pueden
aplicar directamente en los cristales de este tipo. Sin embargo, los modos acústicos y
los ópticos se pueden utilizar por separado. Los modos acústicos se pueden manejar
mediante el procedimiento anterior, mientras que la variación de w con k para los
modos ópticos es, como lo ilustra por ejemplo la figura 3.11, tan pequeña, que gene-
ralmente se obtiene una aproximación bastante buena al considerar los modos óp-
ticos como vibracione3 de una sola frecuencia dada por (3.4-10). Los modos ópti-
cos se pueden tratar mediante el método de Einstein, desarrollado en la sección
anterior y los valores aportados por los modos óptico y acústico se combinan para
dar la capacidad calorífica total del cristal. Blanckman, 7 • 8 estudió con cierto detalle
éstas y otras modificaciones de la teoría primitiva de Debye, y llegó a la conclusión
de que en ciertos casos específicos, el procedimiento de Debye puede llevar a errores
notables y que en tales circunstancias, es mejor usar el procedimiento más exacto de
Born-von Karman.
Se suele pensar que una substancia metálica posee un gran número de elec-
trones libres que pueden servir para producir en el metal un flujo de corriente al
aplicarle un campo eléctrico, lo cual explica la gran conductividad eléctrica de los
metales. Tomando esto como base, se podría esperar que los electrones libres adqui-
rirían una energía cinética adicional cuando el cristal está cerca de una fuente
térmica externa y que debido a ello habría un aumento notable en el calor especí-
fico. En realidad, y contrario a lo esperado, este aumento es tan pequeño que se
puede pasar por alto a temperaturas mayores de aproximadamente 5° K. Por debajo
de esta temperatura, en los cristales metálicos se puede distinguir una variación lineal
del calor específico con respecto a la temperatura, que se debe efectivamente a los
electrones libres. La explicación de este comportamiento peculiar del calor específico
electrónico se dará en el análisis detallado que hace en el capítulo siguiente.
6 F. Seitz, Modern Theory o{ Solids, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1940),
páginas 110-111.
7 M. B1ackman, Z. Physik 86, 421 (1933).
8 M. Blackman, Proc. Roy. Soc. 148, 384 (1935); 159, 416 (1937).
192 Vibraciones reticulares y propiedades térmicas de los cristales
6.4 EL FONON
~e = ~n · ñw = ± ñw (6.4-1)
en donde w es la frecuencia del oscilador. El signo más de ( 6.4-1) se relaciona con
la absorción y el signo menos con la emisión.
Un cuanto de energía acústica de esta índole se denomina comúnmente fonón,
para guardar cierta analogía con el término fotón usado para un cuanto de energía
electromagnética. Un fonón se parece al fotón en que se debe considerar como algo
que tiene características tanto de onda como de partícula; de hecho, es muy posible
tratar la interacción entre dos fonones o entre un fonón y un electrón, como una
"colisión" de dispersión entre dos partículas. En efecto, el resultado de Debye para
el calor específico se puede obtener considerando las vibraciones reticulares del cris-
tal como un gas de fonones. Puesto que los fonones son partículas no distinguibles,
se debe utilizar la función de distribución Bose-Einstein para describir la distribución
de partículas entre los estados energéticos del sistema y, dado que el número de
fonones del sistema no es constante con respecto a la temperatura, la forma que
toma la función de distribución es (5.6-9), en donde a= O.
El número de fonones en el rango de frecuencias dw, alrededor de w (corres-
pondiente a un rango de energía dE alrededor de E= hw) es, entonces,
dk 3k 2 V dk
g(w) dw = g(k) -d dw = -.-
2 -d dw. (6.4-3)
w 2n w
3V w 2 dw
N(w) dw = -----z-3 hwfkT • (6.4-4)
2n v0 e - 1
9 Para una derivación de esta regla de selección véase R. B. Leighton, Principies of Modem
Physics, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1959), páginas 211-222.
Expansión térmica de los sólidos 193
dU = e(w)N(w) dw = hwN(w) dw
3/iV w 3 dw
= 21t2V~ eAw/kT _ 1· (6.4-5)
Al integrar sobre todas las frecuencias permisibles desde cero hasta la frecuen-
cia máxima de Debye Wm, se obtiene directamente el resultado (6.3-11). Por supues-
to, el término de energía de punto cero no se obtiene cuando la energía interna se
calcula en esta forma, ya que la energía de punto cero no está relacionada de
ningún modo con la distribución de los fonones. Sin embargo, este término no
modifica el calor específico y los dos métodos conducen al mismo valor (6.3-16) del
calor específico; dicho resultado es de interés físico y accesible a la medición. En
consecuencia, el sistema se puede tratar como un conjunto de osciladores armónicos
distinguibles que obedecen a la estadística de Maxwell-Boltzmann o bien, como un
gas de fonones o cuantos de energía vibratoria, que no son distinguibles, y que
obedecen a la estadística de Base-Einstein.
t•
~O~l¡---:~----t-----=:==~~~==~--- X
Energfa potencial del átomo
Figura 6.5. Representación de la energía potencial de un solo atomo del cristal en tunción del
espaciamiento interatómico, ilustrando el papel de la componente inarmónica en la
expansión térmica.
vez más de la forma parabólica conforme aumenta 1a distancia que lo separa del
punto mínimo. Si el átomo tiene una energía e0 , como debe ser, de acuerdo con el
cuadro clásico, deberá vibrar entre los límites de amplitud extrema A y C, siendo las
vibraciones de naturaleza más bien inarmónica. No obstante, la distancia DC entre la
posición de equilibrio y la posición de máxima extensión es ahora mayor que la
distancia AD entre la postción de equilibrio y la posición de máxima compresión.
La distancia interatómica promedio <x> es, por tanto, mayor que la constante de red
a temperatura cero y se observa una expansión térmica. Se puede demostrar que esta
observación clásica del efecto lleva a la conclusión de que la expansión térmica
<x>- a es directamente proporcional a la temperatura o que el coeficiente de expan-
sión térmica d(<x>- a)/dT es independiente de la temperatura. Esto concuerda bas-
tante bien con lo observado en la mayoría de las substancias, en el rango de
temperatura ambiente o un poco por encima de ella.
No obstante, a temperaturas bajas, el coeficiente de expansión térmica obser-
vado en la mayoría de los materiales se hace mucho más pequeño que el valor
clásico y, en efecto, tiende a cero conforme la temperatura absoluta se acerca a
cero. También aquí la representación clásica se hace inaplicable y los átomos del
cristal deben considerarse como osciladores cuánticos y no como clásicos. Para calcu-
lar la expansión térmica, primero se debe resolver la ecuación de Schrodinger utili-
zando un potencial inarmónico (por lo general basta con modificar el potencial
armónico (4.12-6) mediante la adición de un término cúbico en x) para obtener los
niveles energéticos En y las funciones de onda correspondientes a este potencial
modificado y, a continuación, se debe encontrar el valor esperado <x>n para cada
estado energético permisible según (4.8-11). Entonces, la distancia interatómica, pro-
mediada sobre una distribución de Maxwell-Boltzmann, debe escribirse (en analogía
con (6.2-1)) como
L (x).e-•nlkT
(6.5-1)
(x) = • Le tn/kT
•
Conductividad térmica reticular de los sólidos 195
en donde la suma se toma sobre todos los niveles de un oscilador inarmónico. Los
detalles de este procedimiento son muy complejos y no se presentarán aquí. El
coeficiente de expansión térmica calculado mediante este método se acerca a cero y
concuerda aceptablemente con los experimentos sobre un amplio rango de tempe-
raturas.
1 AQ AT
J =--=-K- (6.6-1)
qx A At Ax'
V·J
q
=oTq" aQ
ax- = - -ot. (6.6-2)
K o2 T oT
~ ox 2 =a¡· (6.6-3)
miento exponencial en lugar de armónico con respecto al tiempo, como se verá más
adelante en un capítulo posterior.
En un sistema compuesto de osciladores armónicos ideales, los diversos modos
normales de oscilación del sistema son completamente independientes los unos de
otros, no existiendo en absoluto ningún acoplamiento entre los diferentes modos
normales de vibración. Si se excita un modo normal dado de dicho sistema, éste
vibrará en forma estable en ese mismo modo normal durante un periodo indefinido.
En un sistema de este tipo, la energía de vibración se propaga directamente por
radiación acústica en lugar de hacerlo por un proceso mucho más lento que se
asocia con la conducción térmica. Así pues, la energía fluye a través del sistema con
la velocidad del sonido, y no existe un mecanismo mediante el cual se pueda hacer
aleatoria esta energía y mediante el cual se crea una resistencia térmica, de modo
que la conductividad térmica del espécimen es esencialmente infinita. Estas observa-
ciones son aplicables a los osciladores cuánticos al igual que a los osciladores clá-
sicos. Este estado de cosas se puede describir en función de los fonones mediante la
proposición de que los fonones correspondientes a diferentes vibraciones armónicas
de modo normal no interactúan entre sí en absoluto -o que su sección transversal
de interacciones mutuas es cero.
Si se introduce una pequeña inarmonía en dicho sistema, se produce un aco-
plamiento entre los diversos modos normales. En este caso, si en un principio se
excita un solo modo normal, la energía que inicialmente pertenece a este modo se
transferirá gradualmente a otros modos normales que pueda tener el sistema y, así.
quedará aleatorizada. En el lenguaje de los fonones, se puede decir que los fonones
que representan las diferentes vibraciones de modo normal del sistema, interactúan
(o chocan) unos con otros. En otras palabras, un grupo de fonones correspondientes
a un solo modo normal del sistema armónico interactúan (o dispersarán unos a
otros) de tal forma que, después de cierto tiempo, las cantidades de movimiento de
cada fonón y sus direcciones de propagación cambiarán de una manera esencialmente
aleatoria. La distribución de los fonones se convierte así, en una distribución que
representa una selección más o menos aleatoria de los modos normales del sistema.
dentro de las restricciones impuestas por la conservación de energía y la cantidad de
movimiento en las interacciones individuales.
De acuerdo con esto, es evidente que la conductividad térmica sería infinita.
de no ser por la inarmonía de las vibraciones de red. La fuerza de la componente
de inarmonía del potencial interatómico es, por tanto, un factor primordial en la
determinación de la conductividad térmica. Puesto que la magnitud de la inarmonía
aumenta de acuerdo con la amplitud de vibración, es de esperarse que la conducti-
vidad térmica disminuya conforme se incrementa esta amplitud, llegando a una re-
ducción de la conductividad térmica de la red al aumentar la temperatura. Este
efecto se observa de un modo muy general en los experimentos efectuados a tempe-
raturas lo suficientemente elevadas. Una medición inversa de la fuerza de la interac-
ción inarmónica entre los átomos de cristal, está dada por la distancia promedio que
un fonón puede recorrer entre las colisiones aleatorizadoras o fenómenos de disper-
sión en que intervienen otros fonones. Esta distancia se conoce como la trayectoria
libre media para las interacciones fonón-fonón y la conductividad térmica de los
sólidos se puede entender con mayor facilidad sobre una base cualitativa en términos
de la trayectoria libre media. En secciones posteriores se tendrá la ocasión de anali-
zar la trayectoria libre media de un modo más preciso y en una forma cuantitativa.
La conductividad térmica de los sólidos se comprenderá con mayor claridad
considerando al cristal como un recipiente que encierra un "gas" de fonones. Pri-
mero se desarrollará una fórmula para la conductividad térmica de un gas monoató-
mico ideal y luego se examinará cómo se puede aplicar a la red de un sólido
cristalino En primer lugar, se debe definir el número de partículas de un gas ideal
Conductividad térmica reticular de los sólidos 197
4n sen 9 d(J
dn = fv · n(v) dv · 41t • dS cos 9 = fvn(v) sen(} cos (} dv d(J dS. (6.6-4)
El factor asociado con sen (J anterior representa la relación del ángulo sólido
subtendido por d(J alrededor de O y e1 ángulo sólido 41T subtendido por todo el
espacio; es evidente que ese factor debe aparecer también en la expresión. Si se
integra sobre v utilizando la distribución Maxwell-Boltzmann (5.4-14) (y recordando
que la distribución de velocidad es independiente de fJ), se obtiene
FJgUra 6.6. Geometría de partículas que fluyen a través de un plano, usadas en el cálculo de la
sección 6.6.
198 Vibraciones reticulores y propiedades térmicas de los cristales
(6.6-6)
Por supuesto, para esta partícula se tendrá otra que va en dirección opuesta y
que transporta e energía desde el origen hasta el punto inicial de la primera par-
tícula. El transporte neto de energía es & = (1 cose) (3ef3x ), y, puesto que el valor
promedio de 1 es simplemente la trayectoria libre media entre las colisiones aleato-
rias, que se denominará X, el transporte neto de energía por partícula, promediada
sobre la distribución de las longitudes de trayectoria 1, es
oe
e = (A. cos 8) ox. (6.6-7)
!l.e · n(O) dO 1 oe
!l.F = = - ncA.- cos 2 Osen O dO (6.6-8)
dS 2 ox .
Al integrar sobre el ángulo polar e entre los límites de O y 1r se puede ver
fácilmente que el flujo total de energía debe ser -tncX (3e/3x). No obstante, de
acuerdo con la definición de la conductividad térmica, K (6.6-l), esto debe ser igual
también a K (3Tj3x). De acuerdo con esto,
oT 1 oe 1 oe oT
K - =-nCA.- =-nCA.- - , (6.6-9)
ax 3 ax 3 ar ax
• +Ó• •
Figura 6.7. Trayectoria de una partícula en un sistema que contiene un gradiente de tempe-
ratura en la dirección x.
Conductividad térmica reticular de los sólidos 199
por lo cual,
1 ae 1
K = -3 ncA. -ar = -3 euA.c• (6.6-10)
EJERCICIOS
3. Calcule la temperatura de Debye 8 para (a) diamante, (b) germanio, (e) cobre y
(d) plomo, y compare sus resultados con Jos valores publicados derivados de los datos experi-
mentales de la capacidad térmica.
4. Utilice la relación de Planck para expresar la energía de un fonón en relación con su
frecuencia y la relación de De Broglie para expresar la cantidad de movimiento en función del
número de onda; encuentre una expresión para la "masa" equivalente de un fonón de energía
térmica promedio a 300° K, y compare este valor con la masa electrónica. Puede suponer que k
es tan pequeña que se puede hacer caso omiso de Jos efectos de dispersión.
S. Demuestre que el valor promedio <x>n de la amplitud de un oscilador armónico cuán-
tico, en el nésimo estado de energía, es cero.
6. Utilice las leyes de la termodinámica para demostrar que la difer~::ncia entre el calor
específico de una substancia a presión constante y a volumen constante está dada por
9oc 2 VT
Cp-Cu = - - -
K~oo
xtanhx=l
en donde x =e0 /2kT. Demuestre también que la capacidad térmica a esta temperatura está dada
por
c. (max) = Nk (x~ - 1)
fef(e)g(e) de
(e) =
Jt(e)g(e) de
Compare críticamente los aspectos físicos de este método y el que se utilizó para obtener el
mismo resultado en la sección 6.1.
REFERENCIAS GENERALES
P. G. Klemt'ns, Thermal Conductivity and Lattice Vibrational Modes, en Salid State Physics,
Advances in Research and Applications, Vol. 7, Academic Press, Nueva York (1959), pp.
l-98.
Conductividad térmica reticular de los sólidos 201
1. de Lannay, The Theory of Specific Heats and Lattice Vibrations, en Salid State Physics,
Advances in Research and Applications, Vol. 2, Academic Press, Nueva York (1956), pp.
219-303.
LB. Leighton, Principies of Modern Physics, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1959),
capítulo 6.
1l. B. Peierls, Quantum Theory o[ Solids, Clarendon Press, Oxford (1955), capítulo 11.
f Seitz, Modern Theory of Solids, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1940), capítulo Ill.
CAPITULO 7
Teoría del electrón
libre de los metales
7.1 INTRODUCCION
203
204 Teoría del electrón libre de los metales
por qué algunas substancias son metales y tienen electrones libres en abundancia y
otros son aisladores con sólo unos cuantos electrones libres, si es que los tienen.
Para encontrar una explicación a estas cuestiones fundamentales, es necesario comen-
zar examinando el comportamiento mecánico cuántico de los electrones en los cam-
pos periódicos de potencial, examinando el mismo tema en un nivel mucho más
fundamental. El último planteamiento se pospondrá hasta el siguiente capítulo, en el
que se demostrará que las propiedades de los metales y los aisladores se pueden
comprender de acuerdo con la teoría cuántica, y que las bases en las que descansa
la teoría del electrón libre son, en su mayor parte, compatibles con los requisitos de
la mecánica cuántica.
o bien,
df
-
dt
= -v · vr-
J
F ·V f
p '
(7.2-2)
# = -v•Vf-F·VPJ+
- (~)
- (7.2-3)
dt at col
=---
f-fo (t >O) (7.2-5)
_ eE0 r:
V=---, (7.2-7)
2m
(7.2-8)
(7.2-9)
dn(t) n(t)
-dt- = - 1:- (7.2-10)
(7.2-11)
no
dn(t) =-e-'1
• dt. (7.2-12)
1:
208 Teoría del electrón libre de los metales
(7.2-15)
_ L"'xdn(x) f 0
,.,xe-x1Adx
X =
t"'
·--- ---- =
dn(x)
.
L'"
---
e-x/A dx -
A
.
(7.2-17)
Conductividad eléctrica de un gas de electrones libres 209
l = vt, (7.2-18)
ii.n embargo, la relación existente entre la trayectoria libre media A y el tiempo libre
"'"edio T se deben obtener sacando el promedio de la distribución de velocidades y
iependerá en detalle de la forma en que la trayectoria libre media y el tiempo de
~elajación dependan de la energía.
f = fo ( 1 -
eEo·r:vz) =Jo ( 1 -
---¡:;¡- eE 0 -r )
k T v cos (} , (7.3-4)
dado que Vz = v cos {), en donde 8 es el ángulo que hay entre el eje polar z y la
dirección v.
Por definición, la densidad de la corriente eléctrica lz es
(7.3-5)
y vz se puede expresar como
_f vzf(v)g(v)d 3 v
f
Vz = f(v)g(v)d 3 v '
(7.3-6)
(7.3-7)
(7.3-8)
Conductividad eléctrica de un gas de electrones libres 211
_
Vz =-
eEo o
3kT
f f'"'
'"'v 2 t(v) · v2j 0 (v) dv
=-
E
e o 2
3kT (v t), (7.3-9)
v%(v) dv
o
de donde,
(7.3-10)
(7.3-11)
en donde,
(7.3-12)
El resultado de este método más exacto concuerda con (7.2-7) que se obtuvo
de un modo muy aproximado, excepto por un factor de 2 y por el hecho de que la
cantidad 7, según la da (7.3-12) y (7.3-9) no es precisamente igual a r, excepto
cuando r, es independiente de v.
En este aspecto, es muy común defmir la movilidad de una partícula como la
magnitud de la velocidad promedio de arrastre por unidad de campo. De acuerdo
con (7.3-11), la movilidad ¡.¡. debe estar dada por
p.-
E0
-1 1-
Vz- - -
ei.
m
(7.3-13)
(7.3-14)
por lo cual,
212 Teoría del electrón libre de los metales
(7.3-16)
de donde,
u= nep. (7.3-17)
_ A.(v) A.c 8 A.
'r=--=---=-- (7.3-18)
(v2) 3kT/m 31t e'
(7.3-19)
eE0 -r
f = fo - kT fo(l - fo)v cos O. (7.3-20)
(7.3-21)
Para lograr esto, es muy conveniente expresar las integrales de (7 .3-21) como
integrales sobre la energía, y no la velocidad, por lo cual se obtiene
(7.3-22)
Se debe observar que para T~TF (es decir, kT~e1), la función de Fermi
f 0 (e) es muy pequeña para e, significativamente en exceso de e¡ y la función com-
plementaria 1 - fo es muy pequeña para valores de e que son mucho menores que
e1. Por tanto, la función producto [ 0 (1 - [ 0 ) es muy pequeña excepto en la cercanía
de e = e1 , como se ilustra en la figura 7.l. Partiendo de (7 .3-19), es fácil demostrar
analíticamente que [ 0 (1 - [ 0 ) es un máximo en e= e¡, en cuyo punto [ 0 (1 - [ 0 ) = t
y que la región sobre la que [ 0 (1 - [ 0 ) no es pequeña en comparación con su valor
máximo, tiene una anchura del orden de kT. Por tanto, la integral del numerador de
(7.3-22) no aumentará de manera significativa, excepto en donde e tiene valores no
mayores de unas cuantas unidades kT de e1. Si e3 12 T(e) es una función que no
cambia mucho en este rango de energías, se puede considerar que [ 0 (1 - [ 0 ) es
esencialmente una función o de Dirac de e - e1 , y se puede escribir, 5
.,
Figura 7.1. Las funciones /o(€), 1 -!o y lo (1 - / 0 ) para un sistema de Fermi, graficadas en
función de la energía. El factor de escala vertical de la curva fo (1 -/o) no es el
mismo que el de las otras curvas.
Joo
o
j 0 (1 -Jo) de =kT
Joo e"du
( + ") 2
-•1 tkT 1 e
= 1+e
kT
•¡tkT ~ kT (7.3-24)
_ 2eE0 f 00
0
e3 ' 2 -r(e)b(e - e1 ) de
(7.3-26)
Vz = - _3_m_ !:.....:....._f'"":-~-el_/_2d_e_ __
e-r(e1 )
con J.L=--. (7.3-27)
m
Parece que estos resultados son los mismos que se encontraron para el caso
Maxwell-Boltzmann (7.3-11), etc., excepto que el tiempo libre medio promedio r se
representa mediante el valor r(v) en la "velocidad de Fermi" v1 , en donde
tmv} = e1 . (7.3-28)
En este caso, las estadísticas sólo establecen una diferencia en los detalles de
los promedios y no afectan la conductividad por órdenes de magnitud. Esto se
comprende desde el punto de vista físico, ya que, en cualquiera de los casos, el
campo sólo tiene el efecto de superponer una velocidad de arrastre del orden de
eE0 r/m en todos los electrones de la distribución, como se ilustra en la figura 7.2,
sin tener en cuenta los detalles de su distribución de energía. En todo caso, la
introducción de la estadística Fermi-Dirac, aunque modifica algunos de los detalles,
conserva las características esenciales de la representación del electrón libre de Dru-
de-Lorentz-Boltzmann de la conducción eléctrica, que es básicamente correcta. Sin
embargo, como se verá a su debido tiempo, las capacidades térmicas predichas por
las estadísticas de Maxwell y Fermi-Dirac para electrones libres en metales, son
(7.4-1)
(7.4-4)
216 Teoría del electrón libre de los metales
1 =-env
f vzf(v,z)g(v) d 3 v
=-en~---------- (7.4-5)
z z ff(v,z)g(v) d v ' 3
_
Qz=n(ev,)=n
J evzf(v,z)g(v) dv
- (7.4-6)
J f(v,z)g(v) dv
en f v!r [
kT/0 (1 - / 0) eE0 +
(
T
iJ(e1 fT)
---aT +T
e) iJT] 3
iJz d v
1 =~~--------~~~--------~--~--
% f 0 (v) d3 v f (7.4-7)
1, =--
en [ ( eE0 + 1 ,-
iJ(e-
1 /T) iJT) _ 1 iJT - ]
- - t +-- (et) (7.4-9)
m iJT iJz T iJz
y
en donde las cantidades sobre las que se ha escrito una barra son los promedios
definidos por
(7.4-11)
Conductividad térmica y efectos termoeléctricos 217
_ m f
v2 tX(v)J0 (1 -Jo)· V2 dv 2 f'-----=------
e312 tX(e)J0 (l -Jo) de
(X = --
3kT f •o .
JI v2 dv
=-
3kT f e ¡,0 de
112
(7.4-12)
(7.4-13)
ii = 1X(e1). (7.4-14)
de donde,
o bien,
Eo = T !..__ [(et)- e1
oT eiT
i] oT
oz . (7.4-17)
De acuerdo con esto, parece que aun en ausencia de una corriente, debe existir
un campo eléctrico cuando se tiene un gradiente de temperatura. De hecho, lo hay
y la ecuación anterior es la descripción fundamental del efecto termoeléctrico. Feno-
menológicamente se puede definir el coeficiente de Thomson como el coeficiente de
proporcionalidad que relaciona el campo eléctrico con el gradiente de temperatura
que lo origina, como sigue,
Eo = - ::/ -
q¡-ar
(7.4-18)
oz
218 Teoría del electrón libre de los metales
fí = _ T !..._ [(st)- e1
iJT e'CT
'f]. (7.4-19)
(7.4-20)
De acuerdo con esto, es evidente que la teoría del electrón libre de Fermi y la
representación del electrón libre de Boltzmann difieren sólo en algunos detalles de
los promedios y que ambos métodos llevan a una conductividad térmica del mismo
orden de magnitud, al igual que ambos predicen más o menos la misma conducti-
vidad eléctrica.
De acuerdo con las investigaciones experimentales de Wiedemann y Franz, la
relación atf(Tae), en donde ae es la conductividad eléctrica, es aproximadamente la
misma para casi todos los conductores metálicos, independientemente de la tempera-
tura. Puesto que a, = ne 2 r/m, la relación Wiedemann-Franz, se puede expresar como
-- _ _2
L = ..!!.!_ = _1_ 'f(s 2 t) - (et)
(7.4-23)
Tue e2T2 t2
6 M. W. Zemansky, Heat and Thermodinamics, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York
(1951) página 301.
Procesos de dispersión 219
Esto parece indicar que si r(e) es la misma función de energía para todas las
substancias metálicas, la relación Wiedemann-Franz será la misma para todos los
materiales. Puesto que cada factor de e contribuye kT a los promedios, la relación
Wiedemann-Franz será independiente de la temperatura. En realidad, si r(e) varía
lentamente con respecto a e, la relación Wiedemann-Franz será casi la misma incluso
si r(e) no es la misma función de energía para todas las substancias. En particular,
si la trayectoria libre media X e~ independiente de la energía, entonces, de acuerdo
con (7 .3-18), utilizando la representación clásica del electrón libre de Boltzmann, de
Drude y Lorentz, la conductividad térmica está dada por
(7.4-24)
(7.4-25)
(7.4-26)
(7.4-27)
7 .S PROCESOS DE DISPERSION
En todas las expostcwnes anteriores, la idea central era que los electrones
libres sufren colisiones instantáneas que tienden a hacerles volver a la distribución de
equilibrio; sin embargo, hasta ahora se ha evitado conscientemente el responder a la
7 R. A. Smith, Wave Mechanics of Crystalline Solids, Chapman and Hall, Londres (1961)
página 328.
220 Teoría del electrón libre de los metales
pregunta "¿colisiones con qué? " La fmalidad de esta sección es analizar cualitativa-
mente la respuesta a tal pregunta. Como se verá en detalle en el siguiente capítulo,
los electrones libres que se mueven en forma independiente dentro del potencial de
una red cristalina perfectamente periódica no están sujetos en absoluto a interac-
ciones de dispersión con todos los átomos de la red. Es más, en las colisiones
elásticas que suceden entre los electrones se conservan la energía y cada componente
de la cantidad de movimiento; debido a ello, no se origina ningún cambio neto en la
corriente eléctrica ni en la térmica. Por tanto, los mecanismos de colisión que pro-
ducen la aleatorización de la distribución electrónica deben estar asociados con impu-
rezas, imperfecciones o faltas de periodicidad de un tipo u otro en el cristal.
Sea un cristal que no contiene átomos de impurezas o imperfecciones estruc-
turales en absoluto. Si no existiera el movimiento térmico de los átomos alrededor
de sus posiciones de equilibrio, el potencial eléctrico experimentado por un electrón
dentro del cristal sería perfectamente periódico y no habría mecanismos en absoluto
para hacer que los electrones volvieran al estado de equilibrio térmico por acción de
fuerzas eléctricas o magnéticas externas. Sin embargo, debido a las vibraciones tér-
micas de los átomos, en cualquier momento dado hay una leve aperiodicidad del
potencial dentro del cristal; ésta sirve para dispersar los electrones de conducción.
disipando cualquier velocidad de arrastre que puedan haber adquirido de los campos
aplicados externamente y devolviéndolos al estado de equilibrio térmico. Es evidente
que mientras más alta es la temperatura, tanto más fuertes son las vibraciones de red
y más alta la probabilidad de dispersión por unidad de tiempo. Por tanto, este
mecanismo de dispersión conduce a un tiempo libre medio [y, en consecuencia, de
acuerdo con (7.3-15), a una conductividad] que decrece al aumentar la temperatura.
Esto concuerda con las observaciones experimentales de metales puros.
Puesto que las vibraciones de red se pueden considerar como cuantos semejan-
tes a partículas de energía vibratoria (fonones), la interacción de dispersión entre los
electrones y los fonones se puede describir como un proceso de colisión casi mecá-
nico que incluye a los electrones libres y a los fonones, donde estos últimos se
comportan como partículas neutras cuya masa es mucho mayor que la del electrón. 8
Debido al hecho de que los fonones son neutros, la corriente no se conserva en
estas colisiones. Puesto que la "masa" del fonón es mucho mayor que la masa
electrónica, la fracción de energía que pierde el electrón en la interacción electrón-
fonón es pequeña, aunque por supuesto, el cambio de cantidad de movimiento del
electrón puede ser muy grande. Los electrones pueden interactuar con fonones de
modo acústico u óptico, aunque, dado que se requiere una energía térmica mucho
mayor para excitar a los fonones de modo óptico, la principal interacción a tempe-
raturas moderadas es con fonones acústicos. Las dos interacciones son similares en
sus aspectos cualitativos, aunque conducen a ciertas diferencias cuantitativas en los
coeficientes de transporte, sobre todo la dependencia del tiempo de relajación en
función de la temperatura (de ahí que la movilidad dependa de la temperatura).
A cualquier temperatura dada, el número de fonones disponibles es constante. Puesto
que los fonones se comportan como partículas masivas casi estacionarias, la probabi-
lidad de dispersión por unidad de distancia a lo largo de la trayectoria de un
electrón es una cantidad determinada de un modo puramente geométrico, la cual
sólo depende de la sección transversal geométrica efectiva relacionada con el fonón e
independiente de la velocidad del electrón. Por tanto, la trayectoria libre media es
independiente de la velocidad de partícula en estas circunstancias, como se hizo notar
en la sección 7 .2. El tiempo libre medio está dado por
A.
-r(v) =- (7.5-1)
V
f- fo f- fo f- fo
=------=--- (7.5-2)
en donde
1 1 1
-=-+-. (7.5-3)
T T¡ T2
9 Por ejemplo, esta es la razón por la que se requiere cobre de muy alto grado de pureza
para conductores eléctricos en sistemas comerciales de transmisión de potencia.
222 Teoría del electrón libre de los metales
1 1
-=¿-.
• 1 't¡
(7.5-4)
Puesto que, de acuerdo con (7.3-13), las movilidades son directamente propor-
cionales a los tiempos de relajación, las movilidades producidas por mecanismos
independientes de dispersión por separado pueden sumarse recíprocamente en la
misma forma para dar una movilidad combinada de la forma
1 1
-=¿-.
J1. i Jl.¡
(7.5-5)
Hasta ahora se han estudiado sólo casos en los que un campo eléctrico actúa
sobre las partículas de un sistema de electrones libres. Si además se tiene un campo
magnético, la fuerza ejercida sobre una partícula de carga q está dada por la fuerza
de Lorentz
1
F = q(E + - v X B) (7.6-1)
e
(7.6-2)
Io-
vH (Medido con un
potenciómetro en
condiciones de
circuito abierto)
q evxBo
F1 = - (v X B0 ) 1 - eE1 = - - - eE = O (7.6-3)
c e 1 '
por lo cual,
E = vxBo (7.6-4)
' e
10 = -nevx. (7.6-5)
-loBo
E , = - - = Rl 0 B0 (7.6-6)
nec
(7.6-8)
en donde y 0 es la anchura de la muestra. El coeficiente de Hall R se puede medir si
te conocen VH, 10 y Bo.
El coeficiente de Hall es inversamente proporcional a la densidad n de porta-
dores de carga de la muestra, y una medición de R constituye un modo sencillo de
224 Teoría del electrón libre de los metales
1= f oo
0
acb(e)
f 0 (e) & de. (7.7-1)
1 = a0 fj>(e1 ) + a 1 (of/>)
- + a2 (a24>)
- 2 + ... , (7.7-5)
oe t¡ oe •J
en donde
an = - - a¡; de.
1 J<Xl(e- e¡)"~ (7.7-6)
n! o oe
Ahora bien, si kT <{ e1, de acuerdo con (7 .3-19), a¡0 jae es despreciable para valores
negativos de e y los límites de la integral (7.7-6) se pueden extender a oo y - oo. Si
esto se hace, se encontrará que
a0 = - J <Xl
-a;¡
ofo [ J<Xl = 1
- de = fo
oe -oc
(7.7-7)
a1 =- J <Xl
-a;¡
ofo
(e- e1 ) - de= O
oe
(7.7-8)
(7.7-9)
1= fp
<X> of/>
f 0 (e)-
oe
1t2 (a2 4>) + ...
de= fj>(e1 ) +- (kT) 2 - 2
6 oe •¡
(7.7-10)
n f
= oo/ 0 (e)g(e) de =
o
i''<TJ g(e) de + -nz (kT) (a.!!...) .
o 6
2
oe .,
(7.7-13)
1''(0)
n =Jo g(e) de. (7.7-14)
n2 (kT)z
e1(T) = e1 (0)- - - - . (7.7-16)
12 e¡(T)
Para kT <{ e1 , el segundo término será una pequeña corrección que debe res-
tarse de la cantidad relativamente grande e¡(O) y la diferencia y e¡(1) y e¡(O) será
pequeña, en comparación con e¡(O). En estas circunstancias no se producirá un error
grande si e¡(1) en el término de corrección de (7.7-16) se substituye con e¡(O), lo
cual da, finalmente,
nz(kT\z] (7.7-17)
e¡(T) = e¡(O) [ 1 - 12 e¡(O)/ .
en donde
oo ocjJ ioo
i f 0 (e)- de = e g(e)f0 (e) de = U (7.7-20)
o oe o
228 Teoría del electrón libre de los metales
U = l •,<T>
o
e g(e) de
n2
+- [ 0 J
(kT) 2 -(e g(e)) .
6 oe .,
También en este caso, si se usa el hecho de que g( e)= ce 1 12 , esto se puede
escribir como,
U = lO
<¡(O)
e g(e) de+
fe¡(T)
e¡(O)
e g(e) de
¡¡;2
+- (kT) 2 ·- g(e1 )
6
3
2
(7.7-21)
(7.7-22)
g(e¡(O)) =
sJ2n m3f2[e¡(O)]If2 = 4nm
---¡;J -¡;r- -; (3n) l/J
,
que, puesto que según lo indica (5.5-25), la relación mjh 2 es igual a (3n/rr)21 3 j
(8et(O)), se puede escribir
3n 3n
g(e¡(O)) = 2e1 (0) = 2kTF. (7. 7-23)
(7. 7-24)
e
" ar
= au = n2
2
nk(I..).
TF
(7. 7-25)
Esta expresión difiere del resultado clásico i:nk multiplicado por un factor
(rr 2 /3)(T/Tp), que resulta 0.03 para T=300°K y Tp=30,000°K [un valor típico
para metales simples, calculado a partir de (5.5-25)]. Por tanto, la componente
Capacidad térmica de sistemas de electrones libres 229
EJERCICIOS
-m(v-vo) 2
f(v) = Ae 2kT
(donde Vu = ;;;- Eo)
ximada de la ecuación de Boltzmann en el caso en que la distribución de Maxwell-Boltzmann repre-
sente la función de distnbución de equilibrio y en donde v0 <{,(kT/m) 112 .
2. Suponiendo la estadística de Maxwell-Boltzrnann, evalúe fa partir de (7.3-12), suponga
que la dependencia de 'T sobre la energía está dada por 1 (E) =A e-s, en donde A y s son
constantes.
3. En un metal como el cobre (resistividad 1.7 X I0-6 ohms-cm), ¿Cuál es, aproximada-
mente, el máximo campo eléctrico para el que podría aplicarse el método del electrón libre de
Drude o Fermi estudiado en la sección 7 .3? ¿Cuál es la densidad de corriente para este valor
del campo?
4. A partir de (7.7-10) y (7.7-17), deduzca las fórmulas (7.4-26) y (7.4-27) para la con-
ductividad térmica y la relación de Wiedemann-Franz de un ga• de Fermi de electrones libres,
usando la aproximación kT 4;.efi0).
5. Si se adopta la representación del electrón libre de Fermi de una superficie metálica,
como se ilustra en el diagrama incluido, demuestre que existe una corriente de emisión termoió-
nica que puede fluir desde la barrera de potencial superficial, y que la densidad de la corriente
termoiónica está dada por
1 - 4TTem(kT)2 -<PotkT.
- h' e Jx.
a= 4ne 2Afy2TTmkT.
7. Describa físicamente el origen del efecto termoeléctrico. (Nota: considere una barra
larga, la mitad de la cual se mantiene a la temperatura T 1 y la otra a la temperatura T2 (>T 1 )
Y calcule los flujos electrónicos en ambas direcciones en la interfaz entre las dos regiones. Use la
estadística de Maxwell-Boltzmann.)
t</>(x)
T
r-
<Po
~~~~~~~~~~~~~•=O
Superficie
230 Teoría del electrón libre de los metales
LECTURAS RECOMENDADAS
F. J. Blatt, Theory o[ Mobility o[ Electrons in Solids, Salid State Physics, Advances in Research
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J. R. Drabble y H. J. Goldsmid, Thermal Conduction in Semiconductors, Pergamon Press, Oxford
(1961).
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F. Seitz, Modern Theory o[ Solids, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1940), capítulo 4.
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J. Tauc, Photo-and Thermoelectric E[[ects in Semiconductors, Pergmon Press, Oxford (1962).
CAPITULO 8
Teoría cuántica de los electrones
en recles periódicas
8.1 INTRODUCCION
231
232 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
Superficie -x
Figura 8.1. Representación esquemática del potencial dentro de una red cristalina perfectamente
periódica. La barrera de potencial de la superficie se muestra a la izquierda.
banda casi vacía. Por tanto, la representación de un solo electrón libre sirve para
justificar el modelo del electrón libre desde un punto de vista fundamental y tam-
bién para contestar a ciertas preguntas difíciles que la teoría del electrón libre por sí
sola, ni siquiera podría tratar de explicar. No obstante, debe recordarse que el
método del electrón único es una aproximación en la que se omiten completamente
los detalles de las interacciones electrón-electrón.
d21/1
- 2 + f(x)ljl(x) =O (8.2-1)
dx
1 F. Bloch, Z. Physik 52, 555(1928); los matemáticos han estado familiarizados con el
mismo resultado con el nombre de Teorema de Floquet. Por ejemplo, véase E. l. Whittaker y
(;.N. Watson, Modern Analysis. Cambrid~~e University Press (1948), página 412.
El teorémo de Bloch 233
en donde f(x) es una función dada que es periódica con un periodo a, de tal
manera que
(8.2-5)
. (8.2-7)
(8.2-8)
La solución de esta ecuación cuadrática en A sirve para determinar los dos valores
posibles de A para los que (8.2-6) es cierta. Si se les desigana como A¡ y ;\.2 ,
tf¡(x + a) = A. 2 t/J(x).
234 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
(8.2-10)
uk,(x) = e-ik,xif¡(x)
(8.2-11)
(8.2-12)
(8.2-13)
(8.2-14)
(8.2-15)
De igu?l manera,
1/J*(x + na)= e-iknal/l*(x) (8.2-16)
y
1/J*(x + na)if¡(x + na)= 1/J*(x)if¡(x). (8.2-17)
.JOr lo cual,
eikNa = 1
o bien,
2n:in
eika = (l)lfN =e--¡¡- (n = 0,1,2, ·· · N - 1), (8.2-19)
2nn
k=-
n Na
(n = 0,1,2, ... N). (8.2-20)
d 2 1/1 2m
dx 2 + ¡r- (e- V(x)(l/l(x) =O (8.3-1)
para un solo electrón dentro del potencial periódico V(x) según se ilustra en la fi.
¡V (x)
-Vo
o
u-J
U2
1 a+b~
(celda
unitaria)
u,(x)
--__..,X
Figura 8.2. Potencial periódico ideal de pozo cuadrado usado por Kronig y Penney para ilustrar
las características generales del comportamiento cuántico de los electrones en redes
periódicas.
gura 8.2. Puesto que, de acuerdo con la sección anterior, las funciones de onda deben
tener la forma de Bloch, se puede esperar que
(8.3-2)
d2u du ( 2m V(x))
dx2 + 2ik dx- k2 - cx2 + ¡¡2 u(x) =O (8.3-3)
en donde
(8.3-4)
Para el potencial de la figura 8.2, se encontrará que
en donde u 1 (x) representa el valor de u(x) dentro del intervalo (O<x<a) y u 2 (x)
representa el valor de u(x) dentro de (- b < x < 0), y en donde
(8.3-7)
Las ecuaciones rliferenciales (8.3-5) y (8.3-6) se resuelven fácilmente mediante
procedimientos normales y se obtiene
1 1 1 1
a.-k -(a.+ k) P-k -(P +k)
ei(cx-k)a e-i(cx+k)a e-i(/1-k)b ei<fJH)b =O.
(a._ k)ei(cx-k)a -(a.+ k)e-i(cx+k)a (p _ k)e-i<IJ-k)b -(P + k)ei(/l+k)b
(8.3-11)
a.2 + p2
- ·--:¡;¡¡-sen a.a sen Pb + cos a.a cos Pb = cos k( a + b). (8.3-12)
238 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
f3 = iy (8.3-13)
y2 - a2
- 2- - senh yb sen aa + cosh yb cos cxa = cos k( a + b), (8.3-14)
ay
en donde 'Y es una cantidad real positiva en el intervalo (O< e< V0 ), al igual que {3
lo es en el intervalo (V0 <e<""). En consecuencia, es más conveniente usar
(8.3-12) cuando (V0 <e<oo) y (8.3-14) cuando (O<e< V0 ).
Las funciones de onda (8.3-2), como todas las funciones de onda, deben tener
un comportamiento adecuado conforme x tiende a ± oo. Puesto que u(x) es una
función periódica cuyos valores son los mismos en cada célula unitaria, no se en-
cuentran dificultades en este aspecto a condición de que el factor eikx de (8.3-2) se
mantenga finito en estas condiciones. Sin embargo, eikx cumple con lo anterior
tanto en + oo como en - oo sólo si k es real, por lo que eikx es oscilatoria. Si k
fuere imaginaria, eikx divergiría al infintio ya sea en + oo o - oo, y la expresión
resultante para ¡J¡(x) no se comportaría debidamente como función de onda. Por
tanto, se deben aceptar sólo funciones de la forma (8.3-2) con, valores reales de red
k. Las expresiones anteriores (8.3-12) y (8.3-13) tienen en el lado izquierdo una
función de la forma K 1 senaa+K 2 cosaa que debe ser igual a cosk(a+b). Si para
un valor dado de energía la función del lado izquierdo de estas ecuaciones cuenta
con un valor dentro del rango comprendido entre + 1 y - 1 . el valor requerido
para cos k(a+ b) se obtiene con un valor real para el argumento k(a+ b ), Por otro
lado, si el valor de la función del lado izquierdo de (8.3-12) o (8.3-14) queda fuera
de dicho rango, esto significaría que cos k(a + b) tendría que ser mayor que + 1 o
menor que - 1, lo cual, a su vez, requiere que el argumento k( a + b) sea un número
complejo con una parte imaginaria diferente a cero. En estas circunstancias, las
soluciones (8.3-2) no se comportarían debidamente en infinito y no satisfarían el
requisito físico para las funciones de onda del sistema. Las energías asociadas con
estos valores de k estarían prohibidas para el electrón.
Los lados izquierdos de (8.3-12) y (8.3-14) se pueden escribir en la forma
K 3 sen(aa -6), en donde K 3 =(K~ +KD 1 12 y tan 6 = K¡fK2. En esta forma (8.3-12)
y (8.3-14) se pueden escribir como sigue
(8.3-15)
en donde
a2 + {32
tan éJ =- 2af3 tan flb CVo <e< oo)
y
[1 +
(a2 + /)2 ] 1/2
4a 2 y2 senh 2 yb cos(aa - <5) = cos k(a + b), (8.3-16)
rn clonde
a2 + y2
tan <5 = 2ay tanh yb (O< e< V0 ).
El modelo de Kronig-Penney de un cristal infinito unidimensional 239
(8.3-17)
los resultados son como se ilustra en la figura 8.3. En esta figura, el lado izquierdo
de (8.3·15) o (8.3-16) aparece graficado en función de la energía. Cuando la orde·
f(•)
+,.
k==-
o+b
Figura 8.3. Gráfica de las funciones del lado izquierdo de (8.3-15) y (8.3-16) en función de la
energía. Las regiones sombreadas señalan las bandas de energía prohibidas en donde
el valor de k es complejo, las regiones no sombreadas son las bandas de energía
permisibles correspondientes a valores reales de k.
c(k)
1
1
1
1
1
1 1
/-Partícula libre
1 (e= ·Pk 212m l
1
1 •o
\ 1
'i
l\ A
1\ 1 1
1 1
1
1 1
1 1
1 1
1 1
1 1
1- k(•ol lk(•ol
-3,. -2,. ~ o _!!_ k _k ..1!_
-*
o•b o•b o•b o•b o+b o+b o+b
Figura 8.4. La energía € graficada como una función de k de acuerdo con (8.3-15) y (8.3-16).
Si se usan (8.3-1 5), (8.3-16), (8.3-4) y (8.3-7), se puede grafic:.~r una curva que
presente a la energía e como una función de k. En la figura 8.4 se muestra el
resultado de una manera esquemática. Las bandas de energía prohibidas y la relación
de e en función de k dentro de las diferentes bandas permitidas, se han asignado de
acuerdo con el patrón que aparece en la figura 8.3. Puesto que cos- 1 k(a + b) n0 es
una función de un solo valor, esta asignación es necesariamente arbitraria. Para
energías grandes, es aparente que la función e(k) se acerca a la relación del electrón
libre e= h2 k 2 /2m (que se ilustra con la curva punteada de la figura 8.4) de un
modo muy semejante dentro de las bandas permitidas. Así también, para energías
grandes, se ha encontrado que las bandas permitidas se hacen muy anchas y las
regiones prohibidas muy angostas. No obstante, la curva e(k) siempre tiene una
pendiente cero en los bordes de las bandas permisibles, es decir, cuando k = ± mr/
(a+ b), siendo n un entero. Este resultado se puede corroborar mediante la deriva-
ción directa de (8.3-1 S) y ( 8.3-16); pero aquí no se verán los detalles de estos
cálculos. Esta característica de la curva e(k) es muy general y se puede demostrar
que se presenta incluso en el caso tridimensionaL independientemente de la forma
matemática precisa de la función de potencial.
(8.4-1)
En la figura 8.4 se ilustra esta relación por medio de la curva punteada. Para
valores grandes de e, la relación real e en función de k se acerca mucho a esta
relación. De acuerdo con (8.2-13) y los resultados de la sección anterior, es evidente
que k es una constante del movimiento, que lik tiene las dimensiones de una canti-
dad de movimiento y que al aumentar la energía del electrón (haciéndose, por ende.
la partícula mucho más "libre"), los valores de k se aproximan en general a los de
la cantidad de movimiento de la partícula libre dividido.; entre h. Se puede ver con
facilidad que estas conclusiones se deben aplicar sea cual fu~re la forma partícular
que adquiera el potencial periódico. Por tanto, se acostumbra referirse a lik corno la
cantidad de movimiento del cristal y, corno se verá en breve, sucede en muchos
casos que el comportamiento dinámico del electrón dentro de la red cristalina, con
respecto a la cantidad de movimiento del cristal, es muy similar al de una partícula
libre con respecto a la cantidad de movimiento real. Para que quede perfectamente
clara la diferencia entre la cantidad de movimiento real y la cantidad de rnovi.Jnjento
del cristal, se debe observar que debido a la presencia del potencial de red, la
cantidad de movimiento real instantáneo de un electrón no es en absoluto una
constante del movimiento y no se calcula directamente por métodos de la mecánica
cuántica, excepto corno un valor promedio, en tanto que para un estado de energía
dado, la cantidad de movimiento del cristal lik es un valor constante perfectamente
bien definido al igual que lo es la cantidad de movimiento real de una partícula
libre de cierta energía.
Ahora se verá el movimiento de un electrón dentro de un cristal bajo la
influencia de un campo eléctrico aplicado. Para comprender mejor el movimiento de
un electrón en esta situación, se deberá localizar la función de onda superponiendo
soluciones que tienen distintos valores de k, corno se hizo en la sección 4.9. Si se
hace esto, la velocidad de grupo asociada con el "paquete de ondas" del electrón, es
dw 1 de
Vg = dk = h dk' (8.4-2)
de eE de
de=-dk= -eEdx= -eEv dt= - - - d t (8.4-3)
dk g li dk '
de donde,
eE
dk= --dt (8.4-4)
li '
o bien,
dk dp
li - = - = -e E =F (8.4-5)
dt dt '
242 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
(8.4-6)
(8.4-7)
(8.4-8)
(8.4-9)
mucho mayor que esto casi siempre del orden de 1 eV. En eventos de dispersión
independientes o en intervalos entre eventos de dispersión sucesivos, un electrón estará
confinado casi siempH~ dentro de un corto segmento de la curva E en función de k,
que casi siempre se puede considerar como aproximadamente parabólico.
Esto hace ver que la representación del electrón libre en un metal está justi-
ficada en su mayor parte, y la única corrección importante es que la masa del
electrón libre debe substituirse en todos los casos por una masa efectiva apropiada
relacionada con la forma de la curva E en función de k, por medio de (8.4-8). En
consecuencia, se llega a la conclusión de que todos los resultados derivados en el
capítulo 7 basándose en la teoría del electrón libre, son correctos a condición de
que la masa del electrón se substituya con la masa efectiva apropiada. La masa
efectiva se puede deducir por comparación de los datos del calor específico electró-
nico que se han obtenido a través de la experiencia, con el resultado del electrón
libre dado por la ecuación (7. 7-25); también se puede L alcular desde el punto de
vista de la mecánica cuántica principiando con las funcione~ de onda atómicas auto-
consistentes para los átomos del cristal, que luego se combinan para dar un potencial
de cristal apropiado para la substancia en cuestión. Los valores calculados de este
modo concuerdan casi siempre con los que se determinan de un modo experimental.
Para la mayoría de los metales, la masa efectiva varía entre la mitad y el doble de
la masa del electrón libre, aunque para muchos metales de transición es mucho
mayor y para ciertos compuestos del tipo III-V puede ser mucho menor.
dk)
_,._
O+b
red en estas circunstancias. En una sección posterior se ampliarán los conceptos re-
lacionados con este tema.
En el cristal infinitamente grande de la sección 8.3, las energías permitidas
forman un continuo de valores dentro de las bandas permisibles. Sin embargo, si el
cristal tiene una extensión finita y contiene un total de N átomos, ya se vio, de
acuerdo con (8.2-20), que por el contrario, sólo se tendrán N estados propios permi-
sibles específicos de la cantidad de movimiento del cristal k dentro de cada banda
de energía permisible. De acuerdo con la figura 8.4, se puede ver que para una
energía dada e0 , los dos valores de cantidad de movimiento de cristal permisibles son
k(e 0 ) y - k(e 0 ). Desde el punto de vista físico, el primero representa un estado en
el que un electrón se mueve hacia la derecha con la cantidad de movimiento posi-
tivo del cristal k(e 0 ), en tanto que el segundo representa un estado en el que un
electrón se desplaza hacia la izquierda con una cantidad de movimiento del cristal
igual y opuesta. Evidentemente, la energía es la misma en ambos casos. El efecto del
espín de electrón, en este caso, al igual que en sistemas atómicos aislados, es dupli-
car el factor de degeneración asociado con todos los niveles de energía del sistema,
ya que se debe considerar que cada estado cuántico se ha dividido en dos alojando
uno de ellos a un electrón con "espín ascendente" y el otro, un electrón con ''espín
descendente". Entonces, cuando se incluye el efecto del espín electrónico, se debe
llegar a la conclusión de que dentro de cada banda de energía permisible del sistema
se tienen exactamente 2N estados cuánticos.
A una temperatura de cero absoluto, los electrones del sistema ocuparán estos
estados, uno por cada estado, como lo requiere el principio de exclusión de Pauli, a
partir del estado más bajo y en forma ascendente, hasta una energía dada que se
determina mediante el número de estados disponibles, su distribución de energía y el
número de electrones del cristal. Por supuesto, esta energía es la de Fermi del cristal
a la temperatura cero. En un cristal unidimensional, algunas de las bandas permisi-
bles estarán totalmente llenas, algunas completamente vacías y otras llenas sólo en
Representación de zona reducida; electrones y huecos 245
parte. 3 Si se aplica un campo eléctrico, es evidente que las bandas vacías no podrán
aportar ninguna corriente; sin embargo, también es cierto que no se puede obtener
una corriente de las bandas llenas. Esto se puede comprender observando que la
densidad de corriente que se produce en una banda dada será
(8.5-1)
(8.5-2)
en donde la suma se toma de todas las velocidades a,.ociadas con los electrones
individuales dentro del volumen V del material. Por tanto, si se usa (8.5-2), la
expresión (8.5-1) se puede escribir como
(8.5-3)
Sin embargo, esto debe dar cero cuando se suma sobre una banda completa,
ya que debido a la simetría de las curvas de la figura 8.4 o la figura 8.5, alrededor
del eje E( k) por cada estado de velocidad positiva h- 1 aEjak correspondiente a un
punto de pendiente positiva, existe un estado correspondiente a una velocidad nega-
tiva de igual magnitud (con pendiente negativa) en k'=- k. Se debe llegar a la con-
clusión de que sólo las bandas que están parcialmente llenas pueden aportar un
flujo de corriente. Esto se comprende desde un punto de vista físico observando que
en la banda parcialmente llena existen siempre electroneo que se pueden excitar
gradualmente a estados desocupados de mayor energía y cantidad de movimiento,
mientras que en una banda llena, debido al principio de exclusión de Pauli, esta
excitación gradual de campo no puede ocurrir jamás debido a que todos los estados
están ya ocupados.
Un solo electrón en reposo en una banda vacía. ocupará el estado de energía
más bajo en la base de dicha banda, en ausencia de una excitación térmica, como se
puede ver en la figura 8.6. Si ahora se aplica un campo eléctrico E 0 al cristal, el
electrón experimentará una fuerza - eE0 y se excitará gradualmente a través de
estados de energía siempre creciente y cantidad de movimiento (negativa), adqui-
riendo una cantidad de movimiento cada vez mayor en la dirección - x, de acuerdo
con (8.4-5). De acuerdo con las predicciones de la teoría expuesta en las seccio-
nes 8.2-8.4, este proceso seguirá excitando al electrón a través de energías sucesiva-
mente más altas, hasta que llegue a la parte superior de la banda en x = rrfa, en
donde a es el espaciamiento reti~.ular. Puesto que los puntos x = rrfa y x = - rrfa son
equivalentes, se puede considerar que el electrón "reaparece" en x = rrfa, disminuyen-
do su energía a lo largo de la porción derecha de la curva conforme k va de rr/a a
cero, llegando al punto inicial en el que todo el proceso se repite. En estas circuns-
tancias, el movimiento del electrón es oscilatorio (oscilación de Zener). Es importan-
te observar que no existe un mecanismo inherente a la teoría de las seccio-
nes 8.2-8.4 que sirva para limitar este movimiento; más bien, éste continuará de un
modo indefinido de acuerdo con la teoría aquí delineada. Si el potencial fuera
r(k)
----•w+-----~~~----_,~-k
o
Figura 8.6. Un electrón que se encuentra cerca de la base de una banda permisible, sujeto a
fuerzas que tienden a acelerarlo a lo largo de la dirección -x.
(8.5-4)
En este caso, la suma sobre i representa la adición sobre todos los estados de
velocidad ocupados por los electrones, la suma sobre ¡ representa la adición sobre
todos los estados de velocidad dentro de la banda y la suma sobre k representa la
adición sobre todos los estados de velocidad desocupados. Como se vio antes en
relación con (8.5-3), la suma sobre j, tomada sobre todos los estados de la banda, debe
desaparecer. La suma restante sobre los estados desocupados corresponde a una corrien-
te que podría producirse por un número correspondiente de portadores de carga po-
sztivos. Se puede (y es conveniente, como se verá más tarde) expresar la corriente de una
banda casi llena, como derivada del movimiento de un número comparativamente peque-
ño de estados electrónicos vacíos o huecos, que se comportan corno partículas positivas,
más que mediante un gran número de electrones. La velocidad asociada con un
hueco es la que tendría un electrón si ocupara un estado de energía vacío que
normalmente se encuentra en la parte superior de la banda de energía. Sin embargo,
puesto que la relación de e en función de k es cóncava hacia abajo, d 2 ejdk 2 es
negativa y da una masa electrónica efectiva negativa a partir de (8.4-8). Una par-
tícula con masa efectiva negativa experimenta una aceleración en una dirección
opuesta a la de la fuerza aplicada. Una partícula negativa con una masa efectiva
negativa entonces se acelerará en la misma dirección que el campo aplicado y presen-
tará el mismo comportamiento dinámico que una partícula positiva de masa positiva.
Por tanto, la situación de una banda casi llena se puede considerar como un caso en
que se abarca un número relativamente pequeño de partículas positivas de masa
positiva, que se designará como huecos, cuyas velocidades y cantidades de movi-
miento corresponden a los estados electrónicos desocupados dentro de la banda. En
un capítulo posterior se verá que en ciertos materiales, la naturaleza física y el
comportamiento dinámico de los huecos se comprenden con más facilidad relacionán-
dolos con los defectos en los enlaces electrónicos de valencia que unen a los átomos
más cercanos y proporcionan las fuerzas de cohesión que mantienen unido al cristal.
S En una banda parcialmente vacía, los electrones ocupan los estados de energía más bajos
disponibles en ausencia de una excitación térmica. Esto es aplicable también a la banda casi
llena, en donde el resultado es que los estado vados se localizan en la parte superior de la
banda. Por tanto, en una banda casi completamente llena, los estado~ vacíos '·gravitan" ascenden-
temente en un diagrama como el de la figura 8.5, en el que la ordenada representa la ener~ía de
un electrón.
248 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
(8.6-1)
6 R. A. Smith, Wave Mechanics o[ Crystalline Solids, John Wiley and Sons, Nueva York
(1961, página 458)
La aproximación del electrón libre 249
(8.6-3)
Puesto que f(x) es periódica, se puede expresar como una serie de Fourier de
la forma
00
siendo
c.= ~fa f(x)e2"inx/a dx, (8.6-5)
a o
(8.6-6)
00
(8.6-9)
En este límite uk(x) ~ b 0 y k~ k 0 , de tal modo que en el caso general, se
debe esperar que todos los valores de bn, excepto b 0 , se acerquen a cero conforme
-y tiende a cero. En consecuencia, se puede escribir una expresión aproximada para
la función de onda de la forma
(8.6-10)
que puede esperarse sea válida para valores pequeños de -y (es decir, para las condi-
ciones delineadas antes y de acuerdo con las cuales la aproximación del electrón
libre es válida). Es fácil ver que esta función de onda tiene la forma de Bloch, en
donde uk está dada por
(8.6-12)
en donde
k =k_ 2nn (8.6-13)
n
a
Puesto que el interés reside en la solución dentro del límite en donde 'Y-+ O,
como primera aproximación se puede hacer caso omiso del término -y 2 de ( 8.6-12);
entonces, multiplicando la ecuación completa por e-ikmx, integrando sobre la célula
unitaria desde x = O hasta x = a, se tiene que
or (8.6-15)
o bien,
(8.6-16)
(8.6-17)
(8.6-18)
La aproximación del electrón libre 251
(8.6-19)
Si f(x) está dada como una serie de Fourier por medio de (8.6-4), entonces, al
substituir n por - n,
00
f(x) = :¿ c_"e2ttinxta, (8.6-20)
n=- oo
00
f<x> = :¿ c:e2ninxta. (8.6-21)
n=-oo
(8.6-22)
(8.6-23)
(8.6-24)
2nn
k = ± kn = ±k :¡: - . (8.6-25)
a
252 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
k= mt (8.6-26)
a
que, puesto que n puede tomar valores positivos y negativos, se refiere a todos los
puntos de borde de la banda. Será necesario utilizar un planteamiento por separado
para valores de k en las cercanías de estos puntos.
Supóngase ahora que k~ mrfa, de donde kn =k- (2rrnfa) ~- nrrfa. Por tanto,
k~~ k 2 y bn será muy grande de tal modo que en (8.6-17) la cantidad rbn ya no
será pequeña aunque r sea pequeña. En este caso se puede escribir la función de
onda aproximadamente como
(8.6-27)
1
k o2 - k2 y 2 c.* 1- 2 2 2 2
k2 _ k2 - (ko - k )(k 0 -k.)- y c. c.= O.
2 * (8.6-31)
1 c. O n
La aproximación del electrón libre 253
(8.6-32)
2
s(k) = 4ñm [ k 2 2nn) ±
+ ( k - --¡;-
2
J( ( k2 - k- 2nn)
--¡;-
2 2
) + (4miY.I)
-¡;r 2
] . (8.6-33)
(8.6-34)
en donde
Bn =~ (~) 2
2m a
(8.6-35)
nn
k=-+k', (8.6-36)
a
7 El hecho de que la velocidad de grupo del electrón, en efecto es cero en estos puntos
como es de esperarse para las ondas estacionarias que se asocian siempre con la reflexión de
Bragg, se puede demostrar a partir de (8.6-33); los detalles de esta corroboración se les asignan
como ejercicio al lector.
254 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
c(k)
-.,. .,.
o o
e( k)
2
1i
= 2m [(mt) 2+ k'2 + hl
-;;
mAe ~(n1t)2( 1i 2 )2]
\) + 4k'\-;; mAe1 (8.6-37)
en donde
Ae = 21V.I (8.6-38)
e(k) = e.
1 2
li k' (
+- Ae + - - 1+
2
4e)
A n ' (8.6-39)
2 2m Lle,
en donde En está dada por (8.6-35). Después de derivar dos veces y usar (8.4-8), es
evidente que
li 2 li 2 m
(8.6-40)
m* = d 2efdk 2 = d 2efdk' 2 = 1 + 4e. ·
Ae
Se puede demostrar de una manera similar que la masa efectiva para huecos
crrcanos a la parte superior de la banda inferior, es la misma que el valor de los
ele e trone~ dado por ( R.6-40).
La aproxifTIIlción del enlace firme 255
(8.7-1)
representa las funciones de onda electrónicas del átomo. Supóngase que la función
de onda de estado basal 1/1 0 no está degenerada y corresponde a una energía de
estado basal e0 • Si un gran número de átomos de este tipo se combinan en una red
periódica, de tal manera que el valor del potencial en las regiones que rodean a cada
átomo individual en donde la función de onda de estado basal es grande, no se ve
muy afectada por la presencia de los átomos vecinos, la función de onda del cristal
(por lo menos para estos estados de enlace más firme) se puede escribir como una
superposición lineal de funciones de onda atómicas de la forma
• • p • • •
• •
• •
• •
•
o • •
nos a lo largo de cualquier eje cristalino dado, debe ser la misma (aunque no
necesariamente es idéntica a lo largo de los tres ejes). Esto conduce a la selección
del factor de fase tPn = k • rn en donde k es un vector constante. Por último, si las
funciones 1/1 0 están normalizadas de tal modo que su integral tomada sobre todo el
espacio es la unidad y, si se desea conservar esta normalización, se debe tomar
a= l. En consecuencia, (8.7-2) se debe escribir en la forma 8
(8.7-4)
(8.7-5)
Potencial
1
r = rn
8 Se puede demostrar que la ecuac10n (8.7-3) tiene la forma de una función de Bloch
semejante a (8.2-14). Los detalles de esta comparación se asignan como ejercicio.
La aproximación del enlace firme 257
siendo
(8.7-6)
y
(8.7-7)
De acuerdo con (8.7·1), es evidente que Jff ot/Jo = e0 ¡J; 0 , por lo cual, utilizan-
do (8.7-3),
J'f ot/lk = L eik '•Jff ot/lo(r- rn) =BoL eik '"t/lo(r- rn) = Bot/Jk· (8.7-8)
n n
Se verá que, debido a la periodicidad del cristal y a causa de la suma sobre todos
los valores de m, cada término de la suma sobre n da el mismo valor. El valor de la
suma sobre 11, por tanto es el valor de cualquier término de la suma (por ejemplo,
para mayor claridad, aquel para el que n = O) multiplicado por el número de tér-
minos de la suma, que es N En consecuencia, (8.7-10) se puede escribir como sigue
en donde la suma se toma sobre todos los átomos del cristal. Sin embargo, puesto
que la función de onda t/1 0 desciende casi siempre de un modo muy rápido con
respecto a la distancia y, puesto que las magnitudes de las integrales de (8.7-ll)
están gobernadas esencialmente por la cantidad de superposición entre dos funciones
de onda centradas en átomos separados por distancias r m, las contribuciom.s de los
términos de la suma se reducen con gran rapidez conforme aumenta rm. Por tanto,
generalmente se tiene como buena aproximación al considerar sólo los ténninos del
vecino más cercano. De acuerdo con esto, se hará caso omiso de todos los térn;inos
258 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
que se relacionan con las contribuciones que van más allá de la del vecino más
cercano en (8.7-11). También se supondrá que las funciones de onda 1/Jo son es[é·
ricamente simétricas; en estas condiciones, todas las aportaciones del vecino más
cercano serán idénticas. En consecuencia, este método se reduce al caso en el que la
configuración electrónica de estado basal en el átomo aislado es la de un estado s
como es, por ejemplo, para los metales alcalinos, aunque la extensión a los estados p
es lo suficient~::mente directa y puede lograrse sin grandes problemas. 9
Para el caso m= O, la integral de (8.7-11) se convierte en
(8.7-13)
en donde la suma sólo considera los átomos más cercanos. En ei caso de un cristal
cúbico simple, las componentes del vector rm se pueden expresar como
9 Véa~e, por ejemplo, N 1· Mnlt y 11. Jones, Theory o[ Metals and Alloys, Dover Publica-
llon~. Nuev.1 York (1958), página 70.
La aproximación del enlace firme 259
para generar ocho puntos de los vértices. En estos sitios cada término de coseno
toma el valor - l. La diferencia de energía entre los puntos de energía máxima y
mínima es, de acuerdo con (8.7-16), 12 (3. Esta es la anchura de la banda de energía
correspondiente al estado s del átomo aislado. Si los átomos vecinos más cercanos están
muy separados, la superposición de las funciones de onda 1/; 0 (r) y 1/; 0 (r- rm), como
lo expresa el producto 1/; 0 (r)V; 0 (r- rm) en la integral (8.7-13), se hace muy pequeño
como sucede con el valor de {j según lo establece dicha ecuación. En el límite don-
de las distancias atómicas se hacen grandes (y es en este límite en donde son real-
mente adecuadas las aproximaciones en las que se basan los cálculos de enlace
firme), las bandas de energía permisible se hacen angostas acercándose a un solo
valor de energía discreta, correspondiendo al nivel energético del estado atómico s
conforme la separación se hace infinita. Esta variación de la anchura de banda con
el espaciamiento atómico se ilustra esquemáticamente en la figura 8.1 O
Niveles
Bandas atómicos
permitidas
Distancia
ES::>---------+- interatómica o
" • Espaciamiento o: 00
de equilibrio
Figura 8.10. Representación esquemática de la divhión de los niveles discretos de energía ató-
mica en bandas, conforme los átomos aislados se combinan en una red cristalina.
(8.7-17)
(8.7-18)
260 Teoría cUIÍntica de los electrones en redes periódica
(8.8-1)
(8.8-2)
dA~= oA. dkx + iJAa '!_~ + iJA, dkz =(V kA). dk. (8.8-3)
dt okx dt oky dt okz dt ~ dt
El vector dA/dt, entonces puede expresarse, como el producto escalar del ten-
sor10 Vk A y el vector dk/dt, de donde,
dA dk
- - = (VkA) • -- (8.8-4)
dt dt '
lO t·:n l'l ¡1péndice B ~r incluye una hreve de~cripción del análisis ten~orial que se requiere
p.1ra l'ntrnder lo~ conccptm expucstm en este hhro.
Dinámica del electrón, superficies de P-nergía y zonas de Brillouin 261
(8.8-5)
(8.8-6)
oe 2
(8.8-7)
li 2 okaokp'
(8.8-9)
Esto permite ver que todos los elementos que están fuera de la diagonal del
tensor de masa efectiva (8.8-7) son cero, y que cada uno de los elementos sobre la
diagonal es igual a h2 /2{3t:z2, por lo cual el tensor se reduce a h2 /2{3a 2 por el tensor
unitario [Da¡¡]. La masa efectiva es claramente isotrópica en estas circunstancias y
puede representarse como la cantidad escalar h2 /2{32, lo cual concuerda con las
conclusiones de la sección anterior.
A continuación se investigará la forma de las superficies de energía constante
en el espacio k, para la estructura cúbica simple que se vio en la aproximación de
enlace firme en la sección anterior. La e~uación de estas superficies sencillamente es
(8.7-16) en donde e(k) se considera como una constante paramétrica. En relación
con (8.7-16) se mencionó que el valor mínimo de e se obtenía en el punto kx =
ky = kz = O, en donde todos los términos de coseno alcanzan el valor de la unidad.
Para valores de e ligeramente mayores que este mínimo, los cosenos deben estar
cerca de la unidad y, por tanto, los argumentos kxa, kya y kza deben ser todos muy
pequeños. En este caso, (8.7-16) se reduce a la forma antes indicada como (8.8-9),
que se puede reacomodar ligeramente para dar
2 2 2 e(k) e0 - oc - 6/3
kx + k, +k. = f3a 2 - {3a 2 = consl. (8J~-10)
262 Teoría cutintica de los electrones en redes periódicas
(e) (• =• 1+4/3)
Figura 8.11. Configuraciones sucesiva; de la superficie de Fermi para un cristal cúbico simple
con funciones de onda e'féricamente simétrica' en la aproximación en donde sólo
se toman en cuenta las interacciones del vcl in o má~ cercano. Al aumentar la
población electrónica en la banda, elevando con ello, el nivel de Fermi desde la
base de la banda ha~ta la parte superior de la misma, la superficie de Fermi pasa
de la forma casi esférica que aparece en (a), atravesando las formas intermedias
compleja~ (b)-(e), hasta llegar a la configuración cubo menos esfera en la zona de
Brillouin ca'i llena ilustrada en (f).
(8.8-11)
264 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
en tanto que el seno del ángulo incidente e relacionado con un conjunto de planos
cristalinos paralelos al eje x, es
2n •
G,.. = -(¡,u" + viy. ) (8.8-14)
a
ky intersecciones:
a v
Diruímica del electrón, superficies de energía y zona de Brillouin 265
Figura 8.12. Contornos de energía constante dentro de la zona de Brillouin, para una red
cuadrada bidimensional, usando sólo funciones de onda esféricamente simétricas y
las interacciones del vecino más cercano. Se forma el mismo patrón mediante los
trazos de la superficies de Fermi de la figura 8.11 para la red tridimensional sobre
el plano kxky.
banda de energía más baja del cristal. Esta reg10n del espacio k se denomina la
primera zona de Brillouin (esta terminología ya se introdujo en relación con los
cálculos unidimensionales que se vieron en la sección 3.3). Si ahora se considera
J1 = ± 1, v = ± 1, se obtienen las cuatro líneas kx ±ky = 2rr/a y kx ± ky = - 2rrfa.
Estas cuatro líneas aparecen grafícadas en la figura 8.13(a). En estas fronteras, la
condición de Bragg (2.1-1) se satisface con el orden de reflexión n, que es igual a 2.
Esto se puede demostrar a través de los mismos métodos que se emplearon antes en
conexión con las fronteras de la primera zona de Brillouin. La región encerrada
entre la primera zona de Brillouin y estas cuatro líneas intersectoras contiene todos
los estados correspondientes a la segunda banda de energía (que se relacionaría con
el segundo nivel atómico de energía más baja si la aproximación del enlace firme
fuera válida). Esta se conoce como la segunda zona de Brillouin, que tiene la misma
área que la primera y, en efecto, las cuatro secciones independientes de esta zona se
pueden trasladar al interior de la primera moviendo las secciones paralelas a los ejes
en distancias que sean enteros múltiples de 2rr/a. Por tanto, las cuatro secciones
encajan como piezas de un rompecabezas para formar una región cuadrada que es
una réplica exacta de la primera zona, como lo ilustran las líneas punteadas de la
figura 8.13{a). La última representación de la segunda zona es, sencillamente, la
266 Teoria cuántica de los electrones en redes periódicas
Ir,
~] Cuarta zona
(e)
o
• Quinta zona
Figura 8.13. Construcción de las zonas de Brillouin para una red cuadrada bidimensional (a)
Primera y segunda zona~, (b) construcción de la tercera zona, (e) las primeras
cinco zonas.
(8.8-17)
es una función de onda del sistema que satisface las ecuaciones de Schrodinger y
todas las condiciones de frontera pertinentes, y si se define
. ('2-
k , -_k_ lx n_,;rr)
- -
. (2nyn)
ly - - -
. (211zí'C)
lz - - ' (8.8-18)
a a a
Dinámica del electrón, superficies de energía y zona de Brillouin 267
k'= k- G (8.8-20)
en donde G/2n es un vector que conecta dos puntos reticulares de la red recípro-
ca.11 La transformación (8.8-18) o (8.8-20) puede usarse siempre para llegar a una
representación de zona reducida en la que la zona transformada ocupa la misma
región del espacio k que la primera zona. La situación es muy similar a la que se
encontró en la sección 3.3 en el caso de las vibraciones mecánicas de una cadena
lineal de masas discretas puntuales y que se vio en relación con la figura 3.8.
Las zonas más altas se pueden construir mediante una ampliación del proce-
dimiento usado para llegar a la forma de la primera y segunda zonas. En (8.8-15), si
se toma 11 = O, v = ± 2 ó 11 = ± 2, v = O, se obtienen las cuatro líneas kx = ± 2n/a,
ky = ± 2n/a, como se indica en la figura 8.13(b). También en este caso es evidente
que la reflexión de Bragg se desarrolla a lo largo de estas líneas y la primera
reacción es asignar todos los espacios que quedan fuera de la segunda zona y dentro
del área encerrada por estas cuatro líneas, a la tercera zona de Brillouin. Sin em-
bargo, esto no es correcto, ya que esta área es mucho mayor que la de la primera y
segunda zonas, y cada zona de Brillouin debe encerrar la misma superficie dentro del
espacio k. En realidad, existen líneas de reflexión adicionales de Bragg que pasan
por esta superficie y forman fronteras que dividen este espacio en las zonas tercera,
cuarta, quinta y sexta. El criterio que se sigue para saber de qué zona se trata es el
siguiente: al desplazarse a lo largo de una línea radial general que no atraviesa
ninguna intersección de las líneas de reflexión de Bragg, principiando desde el ori-
gen, se debe pasar por la primera, la segunda, la tercera, la cuarta, • • • etc., zonas
sucesivamente, y cada línea de reflexión de Bragg que se cruce forma la frontera a
lo largo de la trayectoria radial entre una zona y la siguiente zona vecina más alta.
En consecuencia, al seguir adelante desde el origen por la línea OA, se penetra en la
tercera zona en C y se sale de ella en D, con la siguiente línea de reflexión de
Bragg que intersecta a OA, más allá de D, se penetra en la cuarta zona. No obs-
tante, si se desplaza a lo largo de la línea OB, se entra a la tercera zona en E y se
sale de ella en F, que se queda· sobre la línea kx = n/a que es ahora la tercera línea
de reflexión de Bragg desde el origen, a lo largo de la trayectoria OB. Más allá de
F, por la línea OB queda una parte de la cuarta zona. De donde, la tercera zona se
compone de los ocho triángulos que se ilustran en la figura 8.13(b). Nuevamente es
obvio que estos ocho triángulos se pueden ensamblar de tal modo que formen un
cuadrado dentro de la primera zona, si se someten a una traslación apropiada de
acuerdo con (8.8-18). Las fronteras de la cuarta zona se forman, en parte, por las
líneas para las que J.1 = ± 1, v = ± 2, y J.1 = ± 2, v = ± 1 (en donde se toman todas las
permutaciones posibles de los signos más y menos). Se obtiene una familia de ocho
líneas (tales como kx ± 2kx =- Srr/a), que conduce a las fronteras de las zonas
cuarta y quinta, como se indica en la figura 8.13(c), por los procedimientos antes
descritos. Evidentemente, este método de cálculo se puede extender ad infinitum
para encontrar tantas zonas como se desee. Al construir las fronteras de las zonas de
Brillouin, de este modo, generalmente conviene principiar con vectores G cuyas
magnitudes (según se obtienen a partir de [8.8-14] o su equivalente en otra estruc-
tura cristalina) son tan pequeñas como sea posible, y luego procediendo al siguiente
(a)
(d)
(e)
Figura 8.14. Configuración de la primera zona de Brillouin para (a) una red cúbica simple, (b)
una red cúbica centrada en el cuerpo, (e) una red cúbica centrada en la cara y
(d) una red hexagonal.
conjunto de vectores G más cortos, Juego a los siguientes más reducidos y así
sucesivamente. Puesto que la condición de reflexión de Bragg implica la formación
de ondas estacionarias a una incidencia normal, la velocidad de grupo y, por ende, el
gradiente de e normal a la frontera de cualquier zona de Brillouin, debe desaparecer,
es decir,
(-aro)
ak .l a la frontera
1
= n · Vkw =- n · Vke =O
li
(8.8-21)
Distribución
de Fermi-Dirac Banda "casi vacía"
Banda "vacía" ---~--
Electrones térmicamente Banda superior
6•
excitados
\-~------ ;_;= l Ban:~;~ ~:~~~:l=:_:nte llena l-
superpuesta
~~T ~~ ~j~&~~~
E d 1 •
sta os e ectronico~
~~ :wd~- Banda inferior;;
vacíos ~~y~~9~L );;:;: casi llena /;
W(///~%
w~lena/;/~
W'ff~
2LL/.'///h
?/íllenaW
0gUenaW
o
(o) Aislador (bl Semiconductor (el Metal (d)Metal
(Banda parcial- (Banda
mente llena) superpuesta)
Figura 8.15. Diagrama de las bandas de energía de (a) un aislador, (b) un semiconductor, (e)
un conductor metálico (banda parcialmente llena) y (d) un conductor metálico
(bandas superpuestas).
tendría una banda ls ccrrespondiente al nivel ls, una banda 2s, una banda 2p, una
banda 3s, una banda 3p, una banda 3d y así sucesivamente. De acuerdo con la
ecuación (8.2-20), el número de niveles de cada banda sería N y, puesto que la
degeneración de cada nivel es el mismo que el del nivel atómico correspondiente, el
aúmero de estados cuánticos electrónicos (incluyendo la degeneración de espín) de
cada banda sería el que se indica en la tabla 8.1.
TABLA 8.1.
Is 2N
2s 2N
2p 6N
3s 2N
3p 6N
3d ION
Por ejemplo, ahora se verá un metal alcalino como el sodio. El sodio tiene dos
electrones Is, dos electrones 2s, seis electrones 2p y un solo electrón 3s. En un
cristal de N átomos se tienen, entonces, 2N electrones ls, 2N electrones 2s, 6N
electrones 2p y N electrones 3s. Si se comparan estas cifras con las que se dan en la
tabla 8.1, se llega a la conclusión de que las bandas ls, 2s y 2p, están totalmente
llenas; pero que la banda 3s, que contiene 2N estados, sólo está llena a la mitad.
Por tanto, se puede esperar que el sodio -junto con todos los demás metales al-
calinos- sea un conductor metálico, como en efecto lo es. Por otro lado, si se
acepta estríctamente este método, debe esperarse que el magnesio, cuya estructura
atómica es Is 2 )2s 2 2p 6 )3s 2 , sea un aislador o semiconductor, ya que ahora la banda
3s está llena. El hecho de que el magnesio (y otros elementos alcalinotérreos)
sean metales, se debe al hecho de que la energía de las bandas 3s y 3p se super-
pone y algunos de los electrones "se derraman" de la banda 3s a la 3p, dejando
a la primera no del todo llena y haciendo que está última esté parcialmente ocu-
pada, como se ilustra en la figura 8 lS(d). En realidad, las funciones de onda 3s
y 3p de estas bandas se entremezclan intensamente, de modo que ni siquiera es del
todo correcto referirse a las bandas en esta forma. A decir verdad, el método
sencillo del enlace firme ya no es una buena aproximación que permita describir el
comportamiento de los electrones s y p en la capa exterior de valencia de la
mayoría de las substancias metálicas; esta mezcla de las bandas s y p para los
electrones de valencia es más bien la regla que la excepción. Por ejemplo, en el caso
del silicio, los estados 3s y 3p se combinan en dos bandas que no se superponen, en
donde cada una de ellas contiene 4N estados, de tal manera que los electrones de
valencia 4N ocupan por completo la banda inferior para fonnar la configuración de
banda de un semiconductor como la de la figura 8.15(b).
La superposición de bandas se produce a pesar de que existe un vacío de
energía en todos los puntos en la frontera de la zona de Brillouin que separa las dos
bandas. Usando la zona cuadrada de la figura 8.12 como ejemplo, se puede ver
claramente cómo se presenta esta situación. La superficie de Fermi en esta figura
toca primero la frontera de zona a lo largo de los ejes kx y ky a una energía
E= e 1 + 4(3; pero la zona de Brillouin y la banda de energía correspondiente no
~stán completamente llenas hasta que e -- <: 1 + 8(3. Puede suceder que el vacío de
energía entre esta banda y la siguiente, en la dirección de los ejes kx y k y, sea
272 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
menor que 4(3, que es la energía adicional requerida para llenar por completo la
banda inferior. Si esto sucede, los electrones se derramarán hacia la banda superior
en las direcciones kx y ky antes de que se llenen por completo los vértices de la
zona original, dando como resultado la situación de superposición de bandas que se
mencionó anteriormente. Esta situación se ilustra en la figura 8.16. Debe recalcarse
~(k)
Esquinas no llenas
Electrones que de la banda inferior
llenan parcialmente (conducción por huecos)
la sigUI en te
zona superior
Los electrones
"se derraman"
sobre la
siguiente banda
(conducción
por electrones)
Esquinas de la
zona no llena
(a) .,.
a
- - ~(k) Relación a lo largo de la trayectoria OA
- - - <(k) Relación a lo largo de la trayectoria OB
(b)
Figura 8.16. (a) Un caso en el que los estados de energía más bajos dentro de la banda más
alta (en los centros de los lados de la zona cuadrada, sobre los ejes kx y kY.)
tienen una energía más baja que los estados de energía más alta de la banda más
baja (en las esquinas de la zona). En estas circunstancias, los electrones comienzan
a ocupar la banda más alta antes que la más baja esté completamente llena. (b)
Representación esquemática de la relación de f en función de k en la dirección
OA (las curvas continuas) y OB (curvas punteadas) que ilu~tra de un modo ligera·
mente distinto la situación descrita en (a)
que cuando se presenta esta circunstancia, la supostcton simple del enlace firme de
las funciones atómicas de onda asociadas con un solo nivel ya no es válida y que las
bandas de energía se deben volver a calcular, suponiendo una mezcla de funciones
de onda relacionadas con ambas bandas. También debe hacerse notar que en esta
situación, tanto la conducción electrónica efectuada por los electrones que se derra-
man hacia la banda superior, como la conducción de huecos realizada por los es-
tados vacíos en la parte superior de la banda más baja, se producen de un modo
simultáneo. La superficie de Fermi entonces tiene dos ramas separadas, una para
electrones en la zona externa y otra para huecos en la zona original. Si la masa
efectiva del hueco es menor que la del electrón, esta situación conduce a un coefi-
ciente positivo de Hali.l 2 Así se puede comprender una de las discrepancias más
inquietantes de la teoría original del electrón libre de los metales.
dvP 1 1 dk
lh 3 = -4 3 k 2 sen(} dk d(} d</J = - 3 - • k 2 sen(} de d(} d<jJ. (8.10-2)
z n: 4n: de
en donde dSk representa el elemento de superficie de área k 2 sen OdO dcf> sobre la
superficie de energía constante dentro de la zona de Brillouin. Es evidente que si se
conoce la función e(k), la densidad de estados se puede calcular, en principio, a
partir de (8.10-3). Sin embargo, desafortunadamente la forma matemática de e(k) es
274 Teoría cuántica de los electrones en redes periódicas
tan compleja en casi todos los casos de interés práctico, que la integración se puede
efectuar sólo por métodos númericos. Para la red cúbica simple en la aproximación
del enlace firme, la función e(k) para una banda s está dada por (8.7-16) y la
densidad correspondiente de la función de estados, según lo establece (8.10-3), es
como se ilustra en la figura 8.1 7.
Figura 8.17. Curva de densidad de estados para una red cúbica simple de acuerdo con la
aproximación del enlace firme, como se calculó a partir de (8.10-3) y (8.7-16).
de 2
y dk = 2{Ja k. (8.10-4)
n
i i"
dk 2 "
g(e) = -4 13 k 2 -d
eoo
sen e dO de/> = k2 2 -d
ne
dk , (8.10-5)
(8.10-6)
g(e) 8~
= _v_"'-~' m*312Je--e (e - e1 ~ 12{1),
h3 1 (8.10-7)
banda, en donde las superficies de energía constante vuelven a tener una forma
esférica, se puede escribir
g(e) =
sJ2n m* 312 J---c-·
-¡:;r &1 + 12/3 - & (e1 + 12p - e ~ 12/3). (8.10-8)
g(•)
d-Banda
La esfera de Fermi
¡-toca la zona de la frontera
Figura 8.19. Representación de la curva de densidad de estados de la red cúbica simple basada
en la idea de la superficie esférica de Fermi que se expande dentro de la zona de
Brillouin, tal y como la empleó Jones.
13 W. Hume-Rothery, The Metallic State, Clarendon Press, Oxford (1931), página 328.
14 H. Jones, Proc. Roy. Soc. 144, 225 (1934); 147, 396 (1934). Véase también N. Mott y
H. Jones, op. cit. página 170.
15 Esta suposición es más apropiada en este caso que en el del cubo simple, cuyas super-
ficies de Fermi se ilustran en la figura 8.11, debido a que la zona de Brillouin circundante tiene
una forma más esférica. En cualquier caso, la forma exacta de la superficie de Fermi no es
particularmente importante para energías TTIIlyores que la que se requiere para que la superficie
de Fermi roce apenas la frontera de la zona.
Densidad de lo función de estados y cambios de fose 277
(8.10-10)
16 Véase F. Seitz, Modern Theory o[ Solids, McGraw-Hill Book Company, Inc., Nueva
York (1940), figura 13, página 433.
278 Teoría cuántica de los electrones en redes periódictJS
TABLA 8.2.
Relación electrón-átomo
EJERCICIOS
l. Demuestre que si en el modelo del potencial de la figura 8.2, usado en relación con el
cálculo de Kronig-Penney, se permite que V0 se haga infinitamente grande y b tienda a cero en
tal forma que el producto P =- {j2ab/2 se mantenga fijo, entonces la ecuación (8.3-12) se
convierte en
sen aa
P--
aa
+ cos aa =cuska.
Si se hace una gráfica de la función del lado izquierdo, se observará que se comporta de un
modo similar a (8.3-15) y (8.3-16) como se ilustra en la figura 8.3. La cantidad P se puede
considerar como la "potencia de dispersión de un solo pico de potencial".
2. Demuestre que en el caso que se vio en el ejercico 1 anterior, la cantidad de/dk
desaparece en los bordes de la banda (k = nTr/a ).
3. Demuestre que para la- aproximación unidimensional del electrón libre que se vio en la
sección 8.6, de/dk desaparece en los bordes de la banda.
4. Demuestre que para la aproximación de enlace firme en la red cúbica simple que se vio
en la sección 8. 7, n • V.e desaparece en todos los puntos sobre las fronteras cúbicas de la
primera zona de Brillouin.
5. Demuestre explícitamente que los poliedros que aparecen en la figura 8.14(b) y (e) son
las formas correctas correspondientes a la primera zona de Brillouin para las redes cúbica cen-
trada en el cuerpo y cúbica centrada en la cara, respectivamente.
6. Encuentre la relación e(k) para una banda s (funciones de onda esféricamente simétri-
cas) en la aproximación de enlace firme para un cristal cúbico centrado en el cuerpo. Tom,!l·ep
cuenta sólo las integrares de superposición del vecino más cercano. Grafique las formas de las
superficies de energía constante para varias energías dentro de la zona. Demuestre que estas
superficies son esféricas, como sucede en el caso de los electrones libres, para energías cercanas a
la base de la banda. Demuestre también que n • v'.e se desaparece;: en las fronteras de la zona.
7. Obtenga todos los resultados que se requieren en el eJercicio 6 anterior, para una banda
s en un cristal cúbico centrado en la cara de acuerdo con la aproximación del enlace firme,
teniendo .m cuenta sólo la superposición de las funciones de onda del vecino más cercano.
8. Haga un diagrama rsimilar al de la figura 8.13(c)] dentro del plano k, de las primeras
=
cinco zonas de Brillouin de una red bidimensional definida por los vectores de base a aix, b =
3aiy Nota: no se pueden usar las fórmulas (2.5-5) para definrr una red recíproca bidimensional,
debido a que el producto transversal no se puede definir en un espacio bidimensional. Proceda a
partir de las defmiciones fundamentales (2.5-1) y (2.5-2).
9. Demuestre explícitamente, a partir de los resultados de la sección 8.7, que la densidad
de estados cerca de la parte superior de la banda de energía, para el cristal cúbico simple, que
se vio en detalle en esa sección, está dada por la ecuación (8.10-8).
LO. Demuestre que la relación limitante de electrón de valencia por átomo para la tase (3
(cúbica centrada en el cuerpo) de una aleación binaria del tipo que se vio en la sección 8.10, es
1.489. Puede tomar en cuenta la suposición del cálculo de Iones.
11. Demuestre que la función de onda (8.7-3) que se usó en el cálculo de la aproximación
de enlace firme, se puede expresar como una función de Bloch de la forma (8.2-14).
Lecturas recomendadas 279
LECTURAS RECOMENDADAS
W. Hume-Rothery, The Metallic State, Clarendon Press, Oxford (1931).
H. Jones, The Theory of Brillouin Zones and Electronic States in Crystals, North Holland Pu-
blishing Co., Amsterdarn (1960).
N. F. Mott y H. Jones, Theory of Metals and Alloys, Dover Publications, Inc., Nueva York
(1958).
S. Raimes, The Wave Mechanics of Electrons in Metals, Interscience Publishers, Nueva York
(1961).
F. Seitz, Modern Theory of Solids, McGraw-Hill Book Co., lnc., Nueva York (1940).
R. A. Smith, Wave Mechanics of Crystalline Solids, John Wiley & Sons, Inc., Nueva York (1961).
E. Spenke, Electronic Semiconductors, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1958).
A. H. Wilson, Theory of Metals, 2.a Edición, Cambridge University Press, Nueva York (1953).
CAPITULO 9
Semieonductores electrónicos
unifortnes en equilibrio
9 .l SEMICONDUCTORES
281
282 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
Electrones de conducción
/ _ térmicamente excitados
Banda "de conducción"
vacía -
~e~~~-----------
Región prohibida
t:u (Banda de energía prohibida)
Figura 9.1. Bandas de conducción y valencia de un semiconductor (a) al cero absoluto, (b) a la
temperatura ambiente, mostrando electrones y huecos térmicamente excitados.
tu=7eV (Diamante)
1 z'ev '(Silicio!
(Germanio)
~~~--~6~N~es~t-ad~o-s-+ 2 P
>Niveles átómicos
ffiin:s:o-2~N~e-,st-ad-¡-o-s---¡. 2•
\~nD~=-------------~2~N~e~s~ta~d~o~s---t'•
-----+--:---::-:----:---::-::-:---------;;;;t- _ Espaciamiento
a(= Valor de equilibrio 00 interatómico
del diamante)
Figura 9.2. Las bandas que se originan de los estados atómicos ls, 2s y 2p del carbono
(diamante) como función de la distancia interatómica. [De acuerdo con W. Shock-
ley, Electrons and Holes in Semiconductors, D. van Nostrand Co., lnc., Nueva York
(1950).]
ténnica de la red, este "vacío de energía" tiene una dependencia débil en función
de la temperatura; de acuerdo con la figura 9.2, es evidente que el vacío en la
energía disminuye confonne se expande el cristal. También es obvio, de acuerdo con
este diagrama, que A. e. será una función de la presión, haciéndose mayor confonne
se reduce el espaciamiento interató!llico mediante la aplicación Je presión por me-
dios hidrostáticos o de otra naturaleza. Más a la izquierda del punto A de la
figura 8.10, en donde se superponen las bandas ls y 2s, se pierde el carácter s y p
de los estados electrónicos; por tanto, en la banda de valencia del semiconductor, las
funciones de onda del electrón son una mezcla de funciones de onda atómicas s y p.
Los electrones de la banda de valencia son los que fonnan los enlaces cova-
lentes de parejas de electrones tetraédricamente dispuestos entre los átomos, en la
figura 1.9. La excitación ténnica de un electrón de la banda de valencia a la de
conducción corresponde físicamente a la supresión de un electrón de la pareja del
enlace covalente por medio de la agitación ténnica de la red. Por tanto, el electrón
se convierte en un electrón libre fuera del enlace covalente de la red y queda
disponible para funcionar como portador de carga a fin de conducir una corriente a
través del cristal. Este proceso se describe esquemáticamente en la figura 9.3(a),
aunque se debe recordar que el patrón de enlaces usado es una versión bidimensional
de lo que en realidad es una red tridimensional de enlaces tetraédricos. la excitación
de un electrón deja un defecto localizado en la estructura del enlace covalente del
cristal, que se puede identificar como un estado de banda de valencia que podría ser
ocupado por un electrón; pero que en realidad está vacío. Este defecto constituye el
"hueco" de la sección 8.5. Tanto el electrón libre como el hueco son migratorios; el
electrón libre puede ''vagar" dentro del cristal en una fonna aleatoria, impelido por
la energía ténnica que pueda adquirir de la propia red. Del mismo modo, el hueco
puede desplazarse porque un electrón de un enlace covalente adya~ente al hueco
puede moverse con suma facilidad hacia el hueco, completando así la pareja de
enlace en el sitio original del hueco; pero transfiriendo la ubicación del hueco al
284 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
sitio de donde provino el electrón. Esta migración del hueco también puede produ-
cirse por una agitación térmica de la red. Los electrones libres y los huecos se
moverán también en respuesta a un campo eléctrico y pueden dar origen a una
corriente macroscópica que fluye por el cristal. En la figura 9.3(b) se ilustra esta
situación. En este caso, todos los electrones del-cristal, tanto en la banda de conduc-
ción como en la de valencia están sometidos a la fuerza - eE que actúa a la derecha
del diagrama. Los electrones libres se mueven hacia la derecha produciendo un flujo
de corriente convencional a la izquierda, debido a su carga negativa. Además un
electrón de un enlace covalente adyacente a un hueco se puede desplazar a la
derecha hacia el sitio vacío del electrón asociado con él, y el hueco se desplaza
hacia la izquierda al sitio de donde provino este electrón; este proceso se puede
repetir y el resultado neto es una transferencia neta de un electrón hacia la derecha
que va acompañada del movimiento del hueco hacia la izquierda, es decir, en la
11 11 11 11 11 11 11 11 11 "
=@=@=@=@=@= =@=@=@=@=@=
11 11 11 11 11 11 11 11 11 11
=@=@=@=@=@= =@=@=@=@=@=
11 ll ()¡¡---iT-e 11
11 11 e11 11 11
=@=@-@=@=@= =@j~'~@=@=@=
11 11 11 11 11 11 11 11 11 11
=@=@=@=@=@= =@=@=@=@=@=
11 11 11 11 11 11 11 11 11 11
=@=@=@=@=@= @=@=@=@=@=
11 11 11 11 _.11 11 11 11 11 11
Electrones de _.....-. -E
enlace covalente
(o) (b)
Figura 9.3. (a) Un electrón libre y un hueco producidos por la ionización térmica de un
electrón que originalmente se encontraba en un enlace covalente. (b) Movimiento
del electrón libre (a la derecha) y el hueco (a la izquierda) cuando se aplica un
campo eléctrico tal y como se indica.
·t 1
-fo(•l
g(•l
1
1
1---uc<•l
Probabilidad f0
1
de ocupación 1
1
de electrones _Producto
f0 (. l9c(• l
., .,
.... Producto
[1-f0 (•l]uv<•l ....
''
Probabilidad
1- t0 para huecos
''
'/' ,
9v<•l
1
f 0 =0 1
2
(o) m~ =m~ (b) m*p =m*,
Figura 9.5. Función de distribución, nivel de Fermi, función de densidad de estados y pobla-
ciones de electrones y huecos de un semiconductor intrínseco (a) en donde
mp =m~ y (b) en donde mp >m~. Ui "ampliación" de la distribución de Fermi se
ha exagerado aquí para ilustrar con mayor claridad; en realidad, a 300°K, la distri-
bución de Fermi sería más bien como la función "escalón" que se encuentra para
T=O.
11 11 11 11 11 11 11 11
~lectrón =~
hbre
=@ =@ =@ =
O..,l.l
=@=@=@=®=
11 11 11 Hueco---¡¡"' 1 11 11
=@=@~@=@= =@~@=@=@=
11 11 ' ~. 11 11 ' ,t 11 11
=@=®=(e/=@= =®=@~CGt=@=
1111 11 11 11 11 '~u 11
=@=@=@=@= =®=®=@=@=
11 11 11 11 11 11 11 11
Figura 9.6. (a) Electrón libre originado por la ionización de un átomo de impureza de arsénico
de substitución, (b) hueco libre producido por la ionización de un átomo de indio
de impureza de substitución.
.t ·t
lectrones
Electrones
.,_-+-_
Nivel de F Nivel de Fermi
-"---- intrínseco-
.,
Huecos
fo= o fo= O
siempre habrá algunos electrones que se originan debido a la excitación térmica. Los
cristales de esta índole se conocen con el nombre de semiconductores tipo p, dado
que los portadores de carga mayoritarios son positivos. Los átomos de substitución
del grupo III se clasifican casi siempre como átomos receptores, debido a que pue-
den recibir un electrón de la -estructura del enlace covalente liberando un hueco
móvil. Cuando en un cristal semiconductor existen impurezas de ambos tipos, la
conductividad es invariablemente mayor que la referente a un semiconductor puro o
intrínseco a la misma temperatura, debido a los portadores .1e carga lldicionales
originados por los átomos de impurezas y, en general, mientras más grande es 1~
concentración de impurezas, tanto mayor es la conductividad.
La representación estadística de los semiconductores tipo n y p se caracterizan
por la presencia del nivel de Fermi superior (para el tipo n) o inferior (para el tipo
p) a la posición asociada con el cristal puro o intrínseco. Por ejemplo, en un cristal
tipo n, no puede haber más electrones que huecos, a menos que el nivel de Fermi
se ajuste de un modo ascendente en relación con la posición intrínseca, y viceversa
para el tipo p, como se ilustra en la figura 9.7. Conforme varían la temperatura y la
concentración de impurezas, la posición del nivel de .Fermi cambia de un modo muy
complejo. Este tema se ampliará más adelante.
d n0 -- f ( ) ( )
10 e 9c e
d S-- sJ2.n mn*3/2 J~!.....!!de
----¡;:r- (9.3-1)
1 +e kT
-
nO = I~
00
dn O
J
8 2n.
= --
h3 m*3f2
n
e•¡lkT I00
~
--
Je-e e e-•tkT de · (9.3-3)
En realidad, los límites de integración deben ser desde Ee hasta la parte supe-
nor de la banda de conducción, sea donde fuere; sin embargo, puesto que !o(€)
desciende muy rápidamente al incrementarse e (-por lo menos para valores razonables
de temperatura), la mayoría de los electrones se concentran en los estados cercanos
J. la base de la banda de conducción. En tanto que la parte superior de la banda
tenga una energía muchas unidades kT mayor que Ee, no hay mucha diferencia en el
290 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
¡;-Be
X=-- (9.3-4)
e kT
(9.3-5)
(9.3-6)
en donde
(9.3-7)
(9.3-8)
(9.3-9)
1
/po(e) = 1-/o(e) = 1 - 1 + e<• .,J!kT - 1 + e<•' •JikT. (9.3-10)
(9.3-11)
(9.3-12)
8v- e
X=-- (9.3-13)
v kT
(9.3-14)
que se puede evaluar como una función r-, como antes, para dar
(9.3-15)
con
(9.3-16)
(9.3-17)
(9.3-18)
Para una substancia semiconductora dada, las masas efectivas y la banda prohi-
bida de energía ~e son fijas; de donde, el producto n 0 p 0 de un material dado debe
ser una función exclusiva de la temperatura. Esta es esencialmente una ley de acción
de las masas que rige las concentraciones relativas de huecos y electrones en un
material en particular. Si el semiconductor se encuentra en un estado intrínseco o
puro, las concentraciones de huecos y electrones deben ser iguales, como se vio
antes, debido a que sólo los huecos y los electrones que pueden estar presentes son
los que se generan en pares mediante la excitación térmica de los electrones de la
banda de valencia. En consecuencia, en este tipo de materiales,
Po = n0 = n¡(T) (9.3.19)
292 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
(9.3-20)
siendo
(9.3-21)
(intrínseca). (9.3-22)
Puesto que Uv y Uc están dadas por (9.3-16) y (9.3-7), se puede expresar este
resultado en la forma
(intrínseca), (9.3-23)
(9.4-1)
(9.4-2)
Wn=~li3
m:e
2
4
(9.4-3)
n K
(9.4-4)
órbitas de Bohr para el centro donador son más grandes que las órbitas del hidm.
geno por un factor K y también por un factor m 0 /m~. Para el germanio tipo 11.
K= 16 y m~~ m 0 /4, de tal manera que el radio de la primera órbita de Bohr es 64
veces el radio de la primera órbita de Bohr del hidrógeno. El valor del hidrógeno ea
0.528A, de tal suerte que el valor para el átomo donador en el germanio es alredo-
dor de 34 A. En efecto, esto es considerablemente mayor que la distancia interáto-
mica (que es más o menos 2.44A para el germanio), de donde, esta representaciÓII
del centro donador está justificado en este caso desde el punto de vista físico.
La energía de ionización del centro donador, de acuerdo con (9.4-4), es menor
que la del átomo de hidrógeno por un factor 1/K 2 y también por un factor
m~/m 0 • Para el caso del germanio, esto representa (1/256) • (1/4) = 1/1024. Enton-
ces, podría esperarse que la energía de ionización para el estado basal de un átomo do-
nador sea aproximadamente 1000 veces menor que la del estado basal del átomo
de hidrógeno (13.6 eV). En consecuencia, se llega a la cantidad 0.013 eV para la
energía de ionización de un átomo donador en el germanio. Este valor concuerda
aceptablemente con los valores determinados en la práctica y que se obtuvieron
por la medición de concentraciones de portadores en función de la temperatura
y por la absorción óptica en el infrarrojo, según lo indica la tabla 9.1. Los valo-
res más elevados de energía de ionización observados para el silicio, se explican
en parte por la constante dieléctrica menor (K = 12) de este material, y en parte por
las masas efectivas más grandes de los electrones del silicio. Las características de los
centros receptores se pueden comprender siguiendo el mismo razonamiento, utilizan-
do una representación que comprenda un ion receptor negativamente cargado y un
hueco de carga positiva dentro de un medio dieléctrico uniforme.
TABLA 9.1.
Energías de ionización de centros donadores
y receptores en Ge y Si
Impureza Ge Si
p 0.012 eV 0.045 eV
As 0.0127 0.05
Sb 0.010 0.039
B 0.0104 0.045
Al 0.0102 0.06
Ga 0.0108 0.07
In 0.0112 0.16
Por tanto, se puede considerar que los electrones cedidos por átomos dona-
dores se originan en estados donadores localizados dentro del vacío de energía prohi-
bida, a unas cuantas centésimas de electrón volt por d•bajo de la banda de conduc-
ción. De igual manera se puede considerar que los huecos cedidos por los átomos
receptores se crean cuando los electrones, que normalmente deberían ocupar los
estados cercanos a la parte superior de la banda de valencia, se desplazan a niveles
receptores que estaban vacíos en un principio, y cuya energía se localiza a unas
cuantas centésimas de electrón volt por encima de la banda de valencia. Este patrón
de niveles donadores y receptores se ilustra en la figura 9.8(a). La representación
correspondiente de la densidad de estados aparece en la figura 9.8(b).
Estadística de los semiconductores con impurezas 295
E t Banda de conducción
Electrones
_ / de conducción
•e ""'""'~-=--=-~:.__-=--- Ee
----~Niveles donado::s
Electrones de la banda de valencia
que ocupan los niveles receptores
... L f /Niveles
_ _ _ _¿ _ r~eptores •.,
•• ••
Banda de valencia
(a) (b)
Figura 9.8. (a) Diagrama de bandas de energía de un semiconductor con impurezas indicando
los niveles donador y receptor, (b) curva correspondiente a la densidad de estados.
Energía ., •z .3 .4 ., ."
Degeneración g, 9z g3 g4 9¡ glt
Figura 9.9. Niveles de energía y notación usada en los cál..,ulos de la sección 9.5.
296 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
El factor N¡! del denominador se incluye porque las distribuciones que son
idénticas a excepción de la permutación de los electrones entre ellas mismas no
deben contarse como distribuciones diferentes, ya que los electrones no son distin-
guibles unos de otros. El número total de formas de lograr una distribución en la
que se tengan N 1 , N 2 • • • N n electrones en los niveles 1, 2, • • • n, es el producto
de los factores de la forma (9.5-1) sobre los niveles del sistema. Esta es precisamente
la cantidad Q(N1 N 2 • • • Nn) del capítulo 5 [véase, por ejemplo, (5.5-3)]. Por tanto.
para este sistema se tiene
(9.5-21
N-
n - d
(9.5-4)
d - 1 + te(~d E¡)/kT
Pa = } + te<•! Ea)/kT •
(9.5-5)
Estadística de los semiconductores con impurezas 297
(9.5-6)
y
(9.5-7)
(9.5-8)
(9.5-9)
(9.5-10)
(9.5-11)
A menos que la temperatura sea muy baja, esto equivale al requisito Na ~tUv.
En casi todas las circunstancias el nivel de Fermi quedará dentro de la banda prohi-
bida, a muchas unidades kT lejos tanto de los niveles receptores, como de los
298 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
donadores, y las impurezas receptoras y donadoras que puedan estar presentes esta-
rán ionizadas casi por completo.
En un semiconductor en equilibrio debe haber un hueco térmico o un ion
donador positivamente cargado por cada electrón libre, y un electrón térmico o un
ion receptor negativamente cargado por cada hueco libre. Por tanto, todo el cristal
debe ser eléctricamente neutro. Esta condición de neutralidad eléctrica se puede
expresar igualando a cero la suma algebraica de todas las cargas negativas y positivas.
por lo cual (recordando que la concentración de los donadores ionizados es Na- na
y la de los receptores ionizados es Na - Pa),
(9.5-12)
Para todas las temperaturas, excepto las más bajas, y también para los valores
más elevados de concentración de impurezas, la aproximación de Boltzmann será
valida para las bandas de conducción y valencia, y también para los niveles dona-
dores y receptores, de donde, las concentraciones de donadores y receptores no
ionizados, Pa y na, se pueden omitir en (9.5-12), lo cual da
(9.5-13)
(9.5-14)
Si se hace que
(9.5-16)
(9.5-17)
Se debe escoger el signo positivo del radical de (9.5-17), ya que cuando Na=
Na =O, ee¡fkT debe ser una cantidad positiva. Esto se puede expresar de un modo
más satisfactorio haciendo notar que
(9.5-18)
Al utilizar esta relación y substiuir los valores dados por (9.5-15) para f3v y f3c.
(9.5-17) se puede expresar como sigue
(9.5-19)
Estadística de los semiconductores con impurezas 299
Como se puede ver de (9.3-23), los dos primeros términos del lado derecho de
esta ecuación representan el nivel de Fermi E¡¡ para un semiconductor intrínseco y,
ya que de acuerdo con (9.3-17) y (9.3-20), n¡=..JUcUve-i::.ef 2 kT, (9.5-19) se puede
escribir fmalmente como
e1 = e1 ¡ + kT se nh -l(Nd-2n¡Na) . (9.5-20)
~.---------------- ~---------------
., ----------
~----------------- ~"----------------
.. ---------
t'f - - - - - - - - - -
~-------------
(a) (tipo·nl (b) (tipo-p)
Figura 9.10. Posiciones relativas de los bordes de banda, nivel intrínseco de Fermi y nivel real
de Fermi en (a) semiconductores tipo n y (b) tipo p.
(9.5-21)
en donde el signo más se usa para el material tipo n (Nd >Na), y el signo menos
para el tipo p (Na> Nd). Se dice que un material semiconductor de esta naturaleza
es un semiconductor fuertemente extrínseco y el rango de aplicabilidad de (9.5-21)
se cita a menudo como el rango extrínseco.
Por supuesto, la densidad de portadores en las bandas de conducción y valen-
cia se puede encontrar substituyendo la expresión (9.5-17) en lugar del nivel de
Fermi en (9.3-6) y (9.3-15). Se pueden determinar estas cantidades también en la
condición de neutralidad eléctrica (9.5-13), con la ayuda de (9.3-20). Por ejemplo,
cuando se substituye Po= nl/n 0 en (9.5-13), se obtiene
(9.5-22)
300 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
(9.5-23)
(9.5-24)
De acuerdo con estas fórmulas, es evidente que cuando Nd- Na= O, no=-
Po =n¡. Este es el caso de la compensación total (o, si Nd =Na= O, de un semi·
conductor intrínseco). Si N d - Na >O, n 0 >Po como es de esperarse en un se·
miconductor de impurezas tipo n; si Nd -Na< O, Po > n 0 como se requiere en el
caso de un semiconductor tipo p. Para materiales fuertemente extrínsecos, estas
fórmulas se simplifican mucho. Por ejemplo, si Nd -Na;;» n¡, como sucede para una
muestra de un fuerte tipo n, entonces,
y (9.5-25)
n~
y no~ N ~N. (9.5-26)
a d
.t
., •• -r-----==.t
••
f 0 =O 1/2
(9.6-1)
Si se usa (9.3-6) y (9.5-4) para expresar n 0 y nd en esta ecuación, se obtiene
(9.6-2)
1- 1 1
1+ te.<•• .,¡¡kT- -:-1-+---=2-e--;:<•:-·-.:-,"Jtk..,.T' (9.6-3)
(9.6-4)
Si se hace que
y (9.6-5)
(9.6-4) se convierte en
(9.6-6)
302 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
(9.6-7)
Se debe escoger el signo más para que a= e"tfkT sea positiva y, por ende, e1
sea real. Ahora, por definición,
(9.6-8)
--
Al tomar el logaritmo de ambos lados de (9.6-7), usando (9.6-8) y volviendo a
la notación original con (9.6-5), se puede obtener finalmente
e = -1 (e
f 2 e
+ e ) + -kT In _Nd -
d 2 2Ue
kT senh _ 1 (J Ue
_
8Nd
e _li•<flkT )
'
(9.6-9)
9.7 CONDUCTIVIDAD
•• o -r
(o) tipo-n (b) tipo-p
(9.7-1)
y
(9.7-2)
(9.7-3)
(9.7-4)
(9.7-6)
304 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
y (9.7-7)
(9.7-8)
(9.7-9)
en donde b se define como la relación entre la movilidad de los electrones y los
huecos, es decir,
(9.7-11)
Puesto que la movilidad P.p tiene casi siempre una dependencia de la tempera·
tura que anula en su mayor parte la variación de temperatura '['3/ 2 del término que
precede al factor exponencial y, puesto que b no depende mayormente de la tem-
peratura, la variación anterior de a0 como una función de 1/T es esencialmente
exponencial. De donde, una gráfica semilogarítmica de a 0 en función de 1/T da una
línea recta con una pendiente fle/2k, y el valor de la banda prohibida !le puede
determinarse con mucha precisión valorando la pendiente de una gráfica experimen-
talmente medida de ln a 0 en función de 1/T en el rango intrínseco.
Para un semiconductor que no es necesariamente intrínseco, sino que tiene
densidades de huecos y electrones que corresponden a los valores de tquilibrio
n 0 ,p 0 , la conductividad está dada por (9.7-8). Usando (9.7-10) para ebninar P.n, y
luego substituyendo las expresiones (9.5-23) y (9.5-24) para n 0 y p 0 , la conducti-
vidad se puede escribir como
Temperatura en °K Temperatura en °K
33 3 20 4 14.3 10 18300 78 333 204 14 3 10
1000300 78 10
6
4
o
u
:e
•:::1
u
o
E ~
~
u
E
.e
'
-...
.§
eQ)
u
.e o
a.
,
11
'C
·;:::
"'E'
"'u
Q)
"'::J "C
'C
e "'
E
o o
u "C
~
~
0001~----~----~----~----~----~
o 00<! 0.04 006 0.08 0.10 002 0.04 0.06 008 01
(a) 11 Temperatura en °K (b) t 1 Temperatura en °K
....
u
1
>
;:;...
E
u
eQ)
"C
~"' 10 4 ~---------------------------+~~~~~~
·:;
o
:¡¡;;
61
58 Nd ~ 10 11 cm-z
I0 3 ~~~~~~A---~~~~~------~--__J
10 20 30 40 50 60 80 100 200 300
(e) Temperatura en °K
Figura 9.13. (a) Conductividad eléctrica, (b) concentración de portadores y (e) movilidad de
electrones para una serie de muestras de germanio tipo n que cubren una amplia
variación de contenido de impurezas donadoras. [De acuerdo con E. M. Conwell,
Proc. I.R.E., 40: 1327 (1952).]
306 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
(9.8-1)
campos. En el caso sencillo que se vio en la sección 7 .6, en donde se supuso que
los portadores de carga eran electrones, se obtuvo la expresión
1
R=-- (electrones) (9.8-2)
n0ec
1
R=- (huecos). (9.8-3)
Poec
sólo se tiene una variedad de electrones y huecos. Más tarde se indicará cómo estos
resultados se puede ampliar para admitir las dos dificultades adicionales que se aca-
ban de mencionar.
En primer lugar se considerará un solo tipo de portador (se escogió a los
huecos) y se incorporará el efecto de la distribución de velocidad. La forma más
evidente para proceder es a partir de la ecuación de Boltzmann con el término de la
fuerza de Lorentz (7.6-2). No obstante, es más sencillo y provechoso utilizar otro
método 3 que principia con la ecuación de movimiento para un hueco en presencia
de un campo eléctrico uniforme E y una inducción magnética uniforme 8 0 . Esta
ecuación se puede escribir como sigue
* dv
F = mP -d = eE + -ee v X B0 • (9.8-4)
t
(9.8-5)
(9.8-6)
en donde
roll = eB0 /m;c. (9.8-7)
Este conjunto de ecuaciones se puede resolver más fácilmente multiplicando
(9.8-6) por el número imaginario i y sumando el resultado a (9.8-5). Mediante este
procedimiento se obtiene una sola ecuación
dV e8
-+
dt
iro 0V = -
m*p
(9.8-8)
1 1 e8 .
V t> too = - - e•toor + C (9.8-10)
. 0mP*
1ro
3 Véase, por ejemplo, H. Brooks, Advances in Electronics and Electron Physics, Nueva
York: Academic Press, Inc. (1955), Vol. VII, página 127 ff.
El efecto de Hall y la magnetorresistencia 309
(9.8-13)
(9.8-14)
(9.8-15)
310 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
en donde
(9.8-16)
- - e -r:P -r:P
v, = lm(V) = ---;¡; [ ( 1 2 2) E-, - Wo ( 1 2 2 2 ) Ex ] . (9.8-17)
mP + w 0 -r:P + w 0 -r:P
Las componentes x y y de la densidad de corriente, en la forma acostumbrada
pueden expresarse como
y (9.8-18)
(9.8-19)
(9.8-20)
(9.8-21)
(9.8-22)
que concuerdan con (7.3-14) al igual que con (9.8-1) y (9.8-3). Es obvio que la
simple expresión del coeficiente de Hall obtenida anteriormente, es correcta aun
cuando exista una distribución de velocidades de Boltzmann, a condición de que T
sea independiente de la velocidad. También es evidente en (9.8-21), que en este caso
la conductividad eléctrica es independiente del campo magnético, es decir, no existe
una magnetorresistencia.
Sin embargo, generalmente T P depende de la velocidad y, entonces estos resul-
tados ya no son correctos. En tales circunstancias, es más conveniente establecer la
suposición de simplificación que consiste en que w 0 T P ~ l. Esta condición se satis-
Tará mejor para valores pequeños de inducción magnética y valores también pequeños
de T P que casi siempre se asocian con temperaturas más altas. La condición se
satisface normalmente en la mayoría de las substancias en las condiciones experi-
mentales comunes hasta el rango de la temperatura del nitrógeno líquido, aunque
también es muy posible violarla, si esto es lo que se desea. Por ejemplo, si B 0 =
10,000 oersteds, T ,, =- JO- 12 seg. (correspondiente a una movilidad del orden de
El efecto de Hall y la magnetorresistencia 311
2000) y m;= m 0 , entonces, WoTp::::: 0.2. En este caso, el requisito quedaría margi-
nalmente satisfecho; pero campos más altos y tiempos de relajación mayores darían
como resultado su violación. Si se supone que la condición es aplicable, se puede
hacer caso omiso de la cantidad w~T~ en (9.8-20) en comparación con la unidad.
De donde [expresando w 0 media..tlte (9.8-'i')j, ~::sta expresión se puede escribir como
sigue
(9.8-23)
(9.8-24)
(9.8-25)
(9.8-26)
1 t2 1 (v 2 )(v2 t 2 )
R=----P-=-- P (9.8-28)
Poec (ip) 2 p 0 ec (v 2 tp) 2 •
3n 1
R=-- (tipo-p)
8 p0 ec
3n 1 (9.8-29)
=---- (tipo-n ).
8 n0 ec
en los promedios relacionados con este rango de velocidad. A menos que la densidad
de impurezas sea alta o la temperatura muy baja, la fracción de portadores dentro
del rango de velocidades bajas es muy pequeña y el resultado (9.8-29) no se afectará
mucho.
Ahora se verá un cristal semiconductor que no es fuertemente extrínseco, pero
que contiene electrones libres y huecos en concentraciones importantes. En este
caso, los huecos y los electrones, se pueden considerar por separado, utilizando
exactamente los mismos métodos que se emplearon antes para derivar las ecuaciones
(9.8-16) y (9.8-7). Entonces, las componentes de velocidad de los huecos y los
electrones se expresan como ecuaciones que tienen la forma de (9.8-16) y (9.8-17),
siendo las componentes de velocidad vpx y Vpy de los huecos idénticas a estas
ecuaciones, en tanto que las componentes de velocidad de los electrones Vnx y Vny
están dadas por ecuaciones en las que e se substituye por medio de -e, m; por
m~, r P por r n (en donde el último símbolo se relaciona con el tiempo de relaja-
cwn para los electrones que están dentro de la banda de conducción) y eB 0 /m;c
por - eB 0 /m~c. Si también se supone que w 0 r <;¡; 1 tanto para huecos como para
electrones, de tal manera que el término w~r 2 pueda desecharse en los denomina-
dores de los promedios, las componentes de la corriente se pueden expresar como
sigue
(9.8-30)
en donde
eB
0 eB0
Won =-.-
m"C
y Wop = -.-.
m,c
(9.8-32)
Si se usa (9.7-7) para eliminar las masas efectivas, y se reacomodan los tér-
minos, las ecuaciones anteriores pueden aparecer enJa forma
(9.8-34)
t2 t2
p n
PoJ.L,Wop ::- - noJlnWon ::-
E = r, t". E (9.8-35)
y noJln + Pollp "
314 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
(9.8-37)
(9.8-37) da
(9.8-38)
3n 1 1 - b
R=---- (Intrínseco). (9.8-39)
8 n¡ec 1 + b
4 A pesar de que la fórmula (9.8-38) se usa con mucha frecuencia para analizar mediciones
de Hall en materiales no extrínsecos, estas condiciones no siempre quedan estrictamente satisfe-
chas, sobre todo debido a la presencia de una dispersión de fonones de modo óptico.
El efecto de Hall y la magnetorresistencia 315
(9.8-40)
(9.8-41)
(9.8-44)
Las cantidades llp y Jln son las verdaderas movilidades de arrastre o movili-
dades de conductividad; por otra parte, la movilidad de Hall es simplemente una
cantidad con las dimensiones de la movilidad que se obtiene a partir de cantidades
que son muy fáciles de medir en la práctica. Se debe conocer el factor (7)2 /r 2 para
convertir la movilidad de Hall en la de arrastre real. Sin embargo, puesto que este
factor rara vez se aleja mucho de la unidad, la movilidad de Hall da una indicación
316 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
OOin; -Po
(escala logarítmica)
efecto de Hall sobre una gran variedad de temperaturas. Además, para obtener las
concentraciones de portadores mediante el procedimiento anterior, es necesario co-
nocer la relación de movilidades b. Esto se puede obtener haciendo mediciones
independientes de la movilidad de Hall en muestras sumamente extrínsecas tipo n y
tipo p o bien, a partir de los resultados de las mediciones de arrastre de portadores
en exceso que se verá más tarde. Si n 0 y p 0 se obtienen del coeficiente de Hall, y
si se conoce la relación llnfllo = b, la movilidades Jln y Jlp se pueden determinar
basándose en los datos de conductividad, según la expresión (9.7-8).
Se puede hacer que los electrones y los huecos de los semiconductores exhiban
una resonancia en presencia de un campo magnético fuerte y constante (que se
supondrá sobre el eje z) y una pequeña radiofrecuencia osciladora transversal o
Resonancia de ciclotrón y superficies elipsoidales de energía 317
(9.9-1)
mientras que
Bx = B, =O, (9.9-2)
y las componentes de la fuerza de Lorentz dan, para las ecuaciones de movimiento,
(9.9-3)
(9.9-4)
(9.9-5)
d 2x dy eE0 1...,
-=c.o -+-e (9.9-6)
dt 2 0 dt m* ,
(9.9-7)
(9.9-8)
318 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
(9.9-9)
eE0 /m;
Xo = 2 2 (9.9-10)
Wo - w
iw 0 iw 0 eE 0 / m;
Yo = - Xo = ( 2 (9.9-11)
w w Wo - w 2)'
(9.9-12)
de donde,
(9.9-13)
(9.9-14)
más de dos resonancias (una para los electrones y otra para los huecos), como lo
predijo la teoría sencilla que se estudió anteriormente. 5 •6 Más aún, se observó que
algunas de las frecuencias resonantes del ciclotrón sufrían cambios notables cuando
se alteraba la orientación del cristal con respecto al campo magnético estático, en
tanto que otras eran prácticamente independientes de la orientación de la muestra.
Estos efectos se explicaron finalmente utilizando un modelo en el que las superficies
de energía constante de los electrones, dentro del espacio k, eran elipsoidales más
que esféricas, y en donde se consideró la presencia de tres bandas de valencia
independientes, dos de las cuales se degeneraban a k = O. Las superficies de energía
constante para huecos de estas bandas de valencia son más o menos esféricas, aun-
que, puesto que a2 e/ak 2 difiere para distintas bandas de valencia, existe más de una
masa efectiva posible para los huecos. Las diferentes características de este modelo se
han comprobado no sólo mediante la concordancia que tiene con los datos experimen-
tales que se han obtenido, sino también por medio de cálculos de mecánica cuántica
de la estructura de bandas de energía que se inician más o menos a partir de los
principios. 7 • 8 • 9
En primer lugar se estudiará la cuestión de las superficies elipsoidales de ener-
gía y se investigará la forma en que los resultados del experimento de resonancia de
ciclotrón se modifican cuando las superficies de energía tienen esta forma. Hasta
ahora se ha supuesto siempre que el punto de energía mínima en la zona reducida
de Brillouin ocurre a k= O, en el centro de la zona, como se ilustra en la figu-
ra 8.6. En este caso, un electrón que se encuentra cerca de la energía mínima
presenta el comportamiento dinámico de un electrón libre, conduciendo a una super-
ficie de energía constante que, dentro de esta región del espacio k, es más o menos
esférica, como se ilustra en la figura 8.ll(a).
Sin embargo, se encontró que el valor mínimo de energía dentro de la zona
reducida necesariamente no debía encontrarse en k= O, sino que podía localizarse en
cualquier otro punto dentro de la zona. En efecto, esta es la situación que se
observó en el caso de los electrones dentro de la banda de conducción del germanio
y el silicio. Puesto que la red de diamante, en realidad es dos redes cúbicas cen-
tradas en la cara que tienen una interpenetración y que están separadas a lo largo de
la diagonal del cubo por una distancia a ..j3/4 (en donde a es el lado del cubo), la
célula unitaria primitiva para esta red es la misma que la que se muestra en la
figura 1.5, excepto que existe un segundo átomo dentro de la célula. La red recí-
proca, por ende es la misma de la estructura cúbica centrada en la cara y, por
tanto, la zona de Brillouin tiene la misma forma que la zona cúbica centrada en el
cuerpo que aparece en la figura 8.14(c). En la figura 9.15(a) se ilustra una gráfica
de e en función de k en la dirección (1 00) en esta zona de Brillouin para los
electrones de la banda de conducción del silicio. El valor más pequeño de e se
alcanza a un valor de k que es aproximadamente 0.8(27T/a). Este es el valor mínimo
absoluto de e dentro de la zona de Brillouin. se pueden tener otras curvas de e en
función de k para otras direcciones, que presenten otros valores mínimos de e; pero
ninguno será tan bajo como el valor ee de la figura. Para energías mayores que ee,
se pueden construir superficies de energía constante alrededor del punto de energía
mínima. Es obvio que la curva de energía en función de la cantidad de movimiento
del cristal de la figura 9.15(a) es aproximadamente parabólica alrededor del punto
mínimo, correspondiendo al comportamiento del electrón libre con una masa efectiva
••
-;0=-t---------;,---+- *· -;o::;t-----------+-k{111)
(a) Silicio
*·· (b) Germanio
Zona
de frontera
Figwa 9.15. La relación de € en función de k para (a) la banda de conducción del silicio
graficada a lo largo de la dirección k, (b) la banda de conducción del germanio
graficada en la dirección (111) dentro del espacio k.
(9.9-15)
c{k)
Figura 9.16. La relación de E en función de k para la b.anda de conducción del silicio graficada
en la dirección k" (curva continua) y a lo largo de una línea normal al eje kx
que pasa por el punto kmín (curva punteada). Las diferentes curvaturas en el
punto mínimo reflejan la anisotropía de la masa efectiva.
Resonancia de ciclotrón y superficies elipsoidales de energía 321
Figura 9.17. Superficies elipsoidales de energía constante dentro del espacio k para (a) el silicio
y (b) el germanio. En el primero, los ejes principales de la elipsoide siguen las
direcciones {100} mientras que en el segundo, puesto que el mínimo de energía
se localiza en la frontera de zona, las superficies de energía constante forman
ocho medias elipsoides cuyos ejes principales quedan sobre las direcciones {111}.
TABLA 9.2.
Masas efectivas de electrones en el germanio
y el silicio
"relación de
masas"
m! mW/m!
Germanio 1.64 mo 0.0819 mo 20.0
Silicio 0.98 mo 0.19 mo 5.2
elementos del tensor que quedan fuera de la diagonal son cero. Los elementos de la
diagonal se calculan fácilmente y el resultado es
1
o o
mi
(~.) = o m1
o (9.9-19)
1
o o ---¡
mil
1
o o Fx Fxfm!
m1
(~.). F = o
1
o . F, F,/m! (9.9-20)
m!
1
o o Fz Fzfmii .
m•u
Si se insertan las componentes de la fuerza de Lorentz para Fx, Fy y Fz, y se
igualan a lar. componentes de dvfdt, como lo requiere (9.9-16), la ecuación rlel
324 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
(9.9-21)
Si se observa que Bx =bo sen8,Bz =Bo cosO, By= O,Ey =E0 eiwt,Ex =Ez= O.
estas ecuaciones se pueden expresar como
(9.9-22)
dv.fdt =- w 11 vY sen(}
en donde
eB 0
y W¡¡ = -.-.
m c
(9.9-23)
11
(9.9-24)
eE 0 iw 11 sen (}
Zo = - mi w(w 2 - wf cos 2 ( } - wJ.wll sen 2 8) ·
Estas amplitudes se hacen muy grandes cuando
(9.9-25)
las órbitas de la partícula son elípticas, de acuerdo con (9.9-24) y que quedan en
un plano perpendicular al campo B0 . Los resultados anteriores se derivaron para
partículas positivas con carga e; pero para el caso de los electrones sólo se necesita
substituir e con -e (en cuyo caso también se debe hacer la substitución de wll por
- w 11 y w 1 por - w 1). Evi den temen te, la frecuencia de resonancia no la alteran
estas substituciones; la única diferencia es que los electrones atraviesan sus órbitas en
el sentido opuesto del que se encontró para las partículas positivas.
En el caso del silicio, si el campo B0 se orienta en la dirección z, entonces
(} = O para las dos elipsoides cuyos ejes principales se encuentran a lo largo de la
dirección kz y (} = 90° para los otros cuatro elipsoides. Entonces, de acuerdo con
(9.9-29), habrá dos picos de resonancia superpuestos en w = w1 de los dos primeros
elipsoides y cuatro resonancias superpuestas a w = ..jw1w 11 de los otros cuatro. Su-
poniendo que el número de electrones pertenecientes a cada elipsoide es igual, lo
cual es cierto en la condición de equilibrio, la segunda resonancia que cubre cuatro
elipsoides debe tener el doble de la fuerza de absorción de la primera, que sólo
cuenta con dos. Si el campo B0 tiene otra orientación, se pueden encontrar hasta
tres tipos de resonancia correspondientes a los tres ángulos posibles entre B0 y los
ejes de la elipsoide. Esta teoría de la resonancia de ciclotrón con las superficies de
energía elipsoidales sirven para explicar todas las resonancias observadas experimental-
mente, que se ven muy afectadas por la orientación de la muestra, y permite deter-
minar m l y m~ basándose en frecuencias de resonancia de ciclotrón determinadas de
un modo experimental, y así se pudo proponer un modelo correcto para la orien-
tación de las elipsoides.
Los datos de resonancia de ciclotrón para huecos en las bandas de valencia del
silicio y el germanio no presentan las características típicas del efecto con superficies
de energía elipsoidales. Aunque en ambos materiales existen numerosos picos de
resonancia para los huecos, los cambios característicos de la frecuencia de resonancia
con la orientación de la muestra que se observan en las superficies elipsoidales de
energía, están ausentes o son mucho menos pronunciados. El modelo de la banda de
valencia que parece ajustarse mejor a estos (y otros) datos, es el de dos bandas
separadas que se degeneran en el máximo de energía en k = O; pero que tienen
diferentes masas efectivas. Existe también una tercera banda "de separación" con
una energía máxima (en k = O) un poco inferior a la parte superior de la banda de
valencia. En la figura 9.19 se ilustra esta situación. Están presentes simultáneamente
Figura 9.19. Las tres distintas ramas de las bandas de valencia del silicio y el gennanio.
326 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
TABLA 9.3.
Masas efectivas de huecos en el germanio
y el silicio
(9.10-1)
en donde Uv 1 y Uvh son factores de la forma (9.3-16) para huecos ligeros y pesa-
dos. Esto se puede escribir en la forma
- (2nm;.kT)3/2
Po- 2 h2 e
-c•,-•.>fkT
' (9.10-2)
(9.10-3)
(9.10-4)
El volumen del espacio p' de la capa esférica limitada por los radios p' y
p' + dp' para una sola elipsoide, ahora se puede calcular del mismo modo que se
hizo en la sección 5.2 para las superficies esféricas de energía; pero puesto que se
tiene más de una superficie elipsoidal de energía constante, el volumen total del
espacio p' correspondiente a las energías dentro del rango e a e+ de, se obtiene
multiplicando el volumen encontrado para una sola superficie por el número de
elipsoides equivalentes. Si este número es v, el volumen correspondiente dVp, dentro
del espacio rJ es
(9.10-6)
m~/2
dVp' = ( m.~.*2 m*)1/2 dVP, (9.10-7)
11
por lo cual, el volumen dVP del espacio p dentro del rango de energía e a e+ de.
se convierte en
dVP-- 4V¿.
'2nv(m*.l. 2 m*)
11 112 Je - ee de • (9.10-8)
8 ¡;;2 ( *2 *)1/2
( )de -_ ...; ...nv hm.~. m 11
g e
J--
e - ee de.
3 (9.10-9)
*3/2 _ (m*2m*)1/2
m ds (9.10-10)
- .l. 11 '
(9.10-11)
(9.10-12)
E= p· 1 (9.10-13)
e · 1 = e · ~ · E = E, (9.10-14)
se de be tener
(9.10-15)
(9.10-16)
(9.10-17)
(9.10-18)
y la suma se hace sobre todas las elipsoides. Si se usa (8.8-7) para expresar las
componentes tensoriales (9.1 0-17) se puede escribir como sigue
1
o o
m!
= a<oon = n<001>e2i o 1
a<OOl) o (9.10-20)
m!
o o m¡¡1
*
Las ecuaciones de las otras elipsoides se pueden escribir y los componentes de
tensor se obtienen de la misma manera. Para las dos elipsoides cuyos ejes principale1
se orientan a lo largo del eje kx,
1
o o
*m u 1
CJ(lOO) = CJ(TOO) = n(lOO)e2i o o (9.10-21)
m*J.
1
o o m*J.
en tanto que, para los dos elipsoides cuyos ejes principales siguen la dirección de:
eje ky,
1
o o
m!
= CJfOTO) = n(010)e2i o 1
CJ(OlO) o (9.10-22)
*m u 1
o o
m!
Dado que las seis elipsoides tienen mínimos de energía equivalente n(loo) =
n<1oo) = n<tot) = n<ofo) = n< 001 ) = n<oo1) = n 0 /6. Cuando se efectúa la suma in-
dicada en (9.3-14) y se aplica este hecho, se obtiene
1( 2 1)
3 m!+ m 0 o o
o 1( 2 1)
3 m!+ m 0 o
o o 1( 2 1)
3 m!+ m0
1 ( --¡
= n 0 e 2 i -3 2
m1.
+*
m
1
11
)t_ (9.10-23)
para la conductividad total. Puesto que CJ es un múltiplo escalar del tensor unitario
!_, la conductividad total es isotrópica (a -pesar de que la conductividad asociada con
Densidad de estados, conductividad y efecto de Hall 331
(9.10-24)
l. 1( 2 1) (9.10-25)
m: = 3 m! + m¡j ·
_ 1 cof(a 11,.)
a,.p = á(a) ' (9.10-26)
anayz - a:x:yarr
a""a•• - a;. (9.10-27)
en donde
(9.10-28)
lO Véase, por ejemplo, L. A. Pipes, Applied Mathematics for Engineers and Physicists. Nue-
va York. McGraw-Hill (1946), página 71.
332 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
1 e
o o eE. +-e (vxBy- v1 Bx) dv.fdt
mi
Si se hacen las multiplicaciones de matriz indicadas, se escriben las ecuaciones
de las componentes del movimiento y se observa que Bx =By =O, en tanto que
Bz = 8 0 se obtiene
dvx eEx
-=-+w 11 v7
dt mjj
dv, eE,
dt = mi- WJ.Vx
dv. eE.
(9.10-30)
dt= mi'
en donde wll y w 1 son como se indica en {9.9-23). _ _
Si la primera de estas ecuaciones se multiplica por yw1 y se suma a iywll por
la segunda, la ecuación resultante se puede expresar en la forma
. ~ iJW"; E,)
dZ
-d + !y ro 11 roJ.Z =e (JroJ.
-.-Ex+--.- (9.10-31)
t m 11 mJ..
en donde Z es la cantidad compleja
(9.10-33)
Densidad de estados, conductividad y efecto de Hall 333
mientras que
T
¡;~too> = ¡;~ oo> = -1= lm(Z)
-
Jwu
(9.10-34)
mientras que, sumando todas las elipsoides, las componentes del total de densidad de
corriente son
1X = "L.- p(i>ev<i>
o X y J~i) =¿ pg>ev~i)· (9.10-36)
i i
(9.10-37)
Como se dijo antes, las concentraciones p~> para las ~eis elipsoides son las
misma e iguales a p 0 /6. La expresió~ para vvoo) y ii~ 100 ) se dio antes en
(9.10-34). Para las elipsoides (010) y (010), se puede establecer fácilmente, usando
el tensor de masa apropiado en (9.10-29), que las ecuaciones de movimiento para las
componentes x y y de la velocidad son las mismas que las que se dan en (9.10-30),
excepto que ~e intercambian mjj y m! y wu y w1 . Entonces, la expresión para
¡¡~o1o) y ¡;~0 1 0) es (9.10-34) intercambiando estas cantidades. En el caso de las
elipsoides (001) y (OOI), es obvio, siguiendo el mismo razonamiento, que las ecua-
ciones de movimiento de las componentes x y y de la velocidad son las mismas que
las de (9.1 0-30), excepto que mjj y w 11 no aparecen en absoluto y que, en todo_§ los
casos, se substituyen por mi y w 1 . De donde, la expresión de ¡;}0° 1 ) y P}001 ) se
obtiene a partir de (9.10-34), substituyendo mjj y wu por mi y w1. Después de
hacer todas estas substituciones, efectuar la suma indicada en (9.10-37) y resolver
para Ey en función de Ex. se obtiene
_ eB 0 2
(' ) 2mt f m1 (9.10-38)
E,- 7 i •2 "'( 2 1 ) Ex.
m1. m 11 ---¡ +---¡
m1. m 11
(9.10-40)
siendo
(9.10-42)
1 T 2 3K(K + 2)
R = -p0-ec -(i-)2 ~(2:-K.:......._+-:-1)=2 • (9.10-43)
JlH T2 3K(K + 2)
¡; = (t)2 (2K + 1)2 (9.10-44)
1 1
-=¿-
-r i 'r¡
(9.11-1)
como se indicó en la secc10n 7.5. Esto pone en claro que el proceso de dispersión
que conduce al tiempo libre más corto T¡, es el dominante. Una vez que se conoce
el tiempo libre medio T, la movilidad se puede expresar fácilmente como e1' /m*.
Desafortunadamente el cálculo del tiempo libre asociado con cualquiera de los
procesos de dispersión que tienen cierta importancia en los semiconductores, es muy
prolongado y elaborado, y los detalles matemáticos que comprende están por encima
del nivel que se ha fijado para este estudio. Por tanto, será necesario limitar este
análisis a un planteamiento cualitativo más o menos aproximado de la dispersión de
red, aunque se tratará de dar un método más o menos completo de la dispersión de impu-
rezas siguiendo el lineamiento que desarrollaron Conwell y Weisskopf. 11
A temperaturas bajas, es muy limitada la energía térmica disponible para ex-
citar vibraciones de red de modo óptico, y el proceso de dispersión de la red, más
importante, es la dispersión de portadores de carga mediante vibraciones de la red de
modo acústico. Sólo se tendrá en cuenta la dispersión de portadores mediante vibra-
ciones de tipo longitudinal; la razón por la que se desecha el efecto de los modos
transversales quedará demostrado en el curso de este estudio.
El paso de una vibración longitudinal a través de un cristal da origen a regio-
nes alternas de compresión y expansión de dicha red cristalina. Cuando el cristal se
comprime, las posiciones de las bandas de energía se alteran de tal manera que la
anchura de la banda prohibida se reduce (véase la figura 9.2); en la condición de
expansión, la anchura de la banda prohibida se incrementa . .&te efecto produce una
variación local en la energía asociada con el borde de la banda de conducción, como
se indica en la figura 9.20(a), que, para simplificar el cálculo, se puede substituir
con la variación escalonada que aparece en la figura 9.20(b) sin introducir un error
importante. Existe una variación similar en energía del borde de la banda de valen-
cia. Por tanto, se puede calcular la probabilidad de reflexión para un electrón inci-
dente sobre un solo "escalón" de la figura 9.20(b).
Para hacer esto, el electrón incidente sobre un escalón de esta naturaleza, con
una altura liec se representa mediante una función de onda de partícula libre con
una cantidad de movimiento positiva de la forma
(9.11-2)
-----
<e
-x (a)
••
s.c
1
1
<c_jr---------,__________J~:-----~--------1
¡---
-T-
-x (b)
Ev-,L_________~---------¡________ _r--------,L . . , _
Figura 9.20. La variación sinusoidal de las energías de l¡¡ banda de conducción y la de valenca
en un cristal semiconductor, producida por fuerzas de compresión y t.xpansióc
asociadas con una vibración térmica longitudinal. (b) Una variación "de onch
cuadrada" que se aproxima a la ilustrada en (a) y que simplifica el cálculo de!
tiempo de relajación.
(9.11-3)
En la regwn que queda más allá de la barrera (x >O), la función de onda que
representa a un electrón transmitido sobre dicha barrera es
(9.11-4)
Todas éstas son funciones de onda de partícula libre que satisfacen la ecuación
de Schrodinger para un potencial constante. Puesto que la cantidad de movimiento liko
para la componente reflejada se supone idéntica a la cantidad de movimiento de la
partícula incidente, se supone que la interacción de colisión es perfectamente elás·
tica. Sin embargo, puesto que la onda de la red representada por la barrera de
energía, se desplaza con la velocidad del sonido, en realidad existe un efecto de
Doppler que hace que la cantidad de movimiento reflejada sea diferente de la inci-
dente. Dado que la velocidad del sonido es pequeña en comparación con la velo-
cidad térmica promedio de la partícula, el cambio de cantidad de movimiento es
sólo una fracción pequeña de la cantidad de movimiento de la partícula incidente y,
por ende, se puede omitir sin riesgo alguno en estos cálculos. De acuerdo con (4.9-8).
es obvio que si la energía de un electrón incidente es e0 y la de un electrón
"transmitido" es e 1 ,
y (9.11-5)
Transmitida= 'i3(xl-
lncidente =.¡,, (x) - - - 1 ¡ x-
Reflejad:< _=_.¡,2_(_x_l_
__- _ _ _ __, ___sj~ _
1
x=O
Figura 9.21. La "reflexión" de un electrón desde una barrera de potencial cuya altura es liec.
Mecanismos de dispersión y movilidad de los portadores de carga 337
de donde,
(9.11-6)
(9.11-7)
B k 0 - kt e 2k0
-=---
A k 0 + kt
y -=
A k0 + k 1 ·
(9.11-8)
(9.11-9)
(9.11-10)
( m*&
R ~ 2¡2k¡ .
)2 (9.11-11)
- «5V
- «5ec = .::.e • Vo ' (9.11-12)
(9.11-141
1 (oV) 2
Oe=---=ckT (9.11-15.
2 {JV0
de donde,
(oV) 2 2cf:JkT
(9.11-161
V~ =-y;-
Si se substituye este resultado en (9 .11-12) y se usa la expresión resultan te
para oe~ en (9.11-11), R se puede escribir como
(9.11-171
(9.11-181
(9.11-19)
12 Esta constante se relaciona principalmente con la fracción de todos los modos normales
posibles de vibración que contribuyen a una deformación de dilatación del tipo que se vio aquí.
Es evidentemente independiente de la temperatura, la masa efectiva y la constante del potencial
de deformación.
Mecanismos de dispersión y movilidad de los portadores de carga 339
(9.11-20}
Puesto que Zc y Zv son casi siempre más o menos idénticas, con frecuencia se
toma como regla práctica que la relación de las movilidades es la relación inversa de
las masas efectivas a la potencia f.
Desafortunadamente los resultados experimentales concuerdan sólo en parte con
las predicciones de (9.11-21). La variación de la movilidad con respecto a la tempe-
ratura en el rango de las temperaturas en donde predomina la dispersión de la red,
en particular, casi siempre es más fuerte que la variación T- 3 / 2 que se encontró con
este análisis. En la tabla 9.4 se indican los valores promedio de la movilidad medida
a 300°K (en donde la dispersión de red es la dominante en todas las muestras,
excepto las muy impuras) y la variación de la movilidad con relación a la tempera-
tura para huecos y electrones en el germanio y el silicio. En materiales con superfi-
cies de energía que son esencialmente esféricas, por ejemplo, Si y Ge tipo p, el
efecto de dispersión por vibraciones de la red de modo óptico es importante, sobre
todo a temperaturas más altas. 14
13 Véase, por ejemplo, W. Shockley, Electrons and Holes in Semiconductors. Nueva York:
D. van Nostrand Inc., (195 Nostrand Inc., (1950) página 539.
14 H. Ehrenerich y A. W. Overhauser, Phys. Rev. 104, 649 (1956).
340 Semiconductores electrónicos uniformes en equilibrio
TABLA 9.4.
Datos de la movilidad medida para el silicio y el germanio
( zé* 2 ) --dO.
2 1
a( O) dO. = (9.11-23)
2Km v0 4 (J
sen -
2
y que
o Ze 2
tan-=----. (9.11-24)
2 Kam*v~
Ahora, según (9.11-23), es evidente que casi todas las colisiones producen sólo
un pequeño ángulo de deflexión. No obstante, el tiempo de relajación es el lapso
que se requiere en promedio para que la velocidad directa de la partícula se reduzca
a cero y éste es, obviamente, mucho mayor que el tiempo promedio entre tales
eventos de dispersión. En efecto, de acuerdo con (9.11-25), se puede observar que el
número efectivo de colisiones que destruyen la velocidad es menor que el número
total real de dispersiones, por un factor (1,- cos 0). El número equivalentes de coli-
siones que destruyen la velocidad por unidad de tiempo, comprendiendo un ángulo
de deflexión O en un ángulo sólido dQ no es, por ende, Nv 0 a{O) dQ sino más bien,
Estado
final
Ion de impureza,
carga +Ze
Figura 9.23. Trayectoria de un electrón dispersado por un centro fijo de dispersión de carga
+Ze.
-1) = 2nNv0
-r(vo
f"
Bo
2
(
o-(0)(1- cosO) sen OdO= 2nNv 0 2 Ze* 2 )
Km Vo
2
f"
Bo
(1- cosO)esen e dO
4
sen -
2
(9.11-29)
Mecanismos de dispersión y movilidad de los portadore~ de carga 343
(9.11-30)
(9.11-31)
Esta integral no se puede evaluar con prec1s10n por medios analíticos; pero si
se observa que el término logarítnúco del denominador sólo varía muy lentamente
con respecto a v0 , en comparación con el factor de multiplicación vóe-m*vo 2 12 kT,
se puede obtener un valor aproximado suponiendo que el término logarítmico tiene
un valor constante que es igual al valor que alcanza cuando el factor de multiplica-
ción es máximo. Se puede asegurar que este valor máximo se obtiene para Vo =
.J7kT/m*. Haciendo que v0 sea igual a esta cantidad en el término logarítmico,
eliminándolo de la integral y evaluando las integrales restantes de acuerdo con la
tabla 5.1, se puede obtener
(9.11-32)
(9.11-33)
4000
¡.<¡ ------------
3000
2000
1000
10 20 IC 19 1018 10 17 10 16 10 1 ~ 10 14 10 13
Densidad de donadores Nd
(Germanio tipo n, 300°K)
Figura 9.24. Efecto de la concentración de impurezas en la movilidad de los electrones, a la
temperatura ambiente, en el germanio tipo n, de acuerdo con la teoría Conwell-
Weisskopf de la dispersión de impurezas. [Tomado de E. M. Conwell, Proc. I.R.E.,
40: 1327 (1952).]
EJERCICIOS
l. En papel semilogarítmico, haga las gráficas de la concentración de los portadores intrín-
secos n¡ en función de 1/T para (a) germanio, (b) silicio, (e) InSb (LlE=0.22 eV, m;!; =0.013
m 0 , mp = 0.18 mo), (d) GaAs (Á€= 1.5 eV, m~= 0.1 m 0 , mp = 0.4 m 0 ). Asegúrese de que las
gráficas indiquen con claridad la variación de n¡ en función de T sobre el rango comprendido
entre 10° y 500°K.
2. Estudie un semiconductor intrínseco bidimensional en el que, al igual que en los sis-
temas metálicos bidimensionales, las funciones de densidad de estados son
e> ec
en donde
~ =
32 ]1/2
tan- 1 [ 27 (r"''n)- 1
en .do~de Pot. p 02 son las .concentraciones, 1Jp 1 , 1Jp2 las movilidades y Tp 1, Tp 2 los tiempos de
relajac!On para las dos especies de huecos.
6. Para cada una de las superficies de energía constante del germanio, encuentre los ten-
sores individuales de conductividad a~'J relacionados con los ejes cúbicos como ejes de coorde-
nadas. En el germanio, las superficies de energía constante son cuatro elipsoides cuyos ejes
principales caen a lo largo de las cuatro direcciones (111). Demuestre que el resultado (9.10-23)
se obtiene sumando totalmente las elipsoides.
7. Demuestre que si el campo estático está en la dirección [100]. sólo se observará un pico
de resonl!-ncia de ciclotr~n a la frecuencia w = ~eJ!/c)[(mf¡ +?ml>!}mfiml2 1I¡2 en el germanio. ~Qué
resonancias Se observanan COn el campo estat!CO en fa dueCCIOn r111 l7
8. Con las leyes de la mecánica clásica, derive la fórmula de dispersión de Rutherford
(9.11-23) y la relación asociada (9.11-24).
9. Se ha determinado que un espécim de semiconductor tiene una resistividad de 12.5
ohm-cm. El espécimen tiene 1 cm de longitud, por 5 mm de ancho y 1 mm de grosor. Se hace
fluir una corriente de 1 mA a lo largo de la dimensión más larga de la muestra y se mide un
voltaje de Hall de 5 m V en la anchura de 5 mm de la muestra, cuando se usa un campo
magnético de 2000 gauss. ¿Cuál es la concentración de portadores y la movilidad de Hall de los
portadores en la muestra? Se puede suponer que la muestra es extrínseca, que las superficies de
.:nergías son esféricas y que la dispersión acústica de modo acústico es el proceso de dispersión
dominante.
10. Escriba los detalles relacionados con la maximización de la expresión (9.5-2) por el
método de los multiplicadores lagrangeanos, completando así la derivación en (9.5-3).
11. Demuestre que (9.3-6) y (9.3-15) se pueden transformar de tal modo que indiquen
12. Explique físicamente las características principales de las curvas experimentales ilustra-
das en la figura 9.13, y analice las relaciones entre las tres gráficas separadas.
LECTURAS RECOMENDADAS
10.1 INTRODUCCION
347
348 Exceso de portadores en semiconductores
~~x,
Opaco 1 Transparente Tiempo
~----------~.r¡------•X
1-- Luz ---l Obscuro
Obscuro (w>w 0 )
(o) (b)
Figura 10.1. (a) Espectro de absorción de un semiconductor típico cerca del borde de absor-
ción fundamental. (b) Respuesta fotoconductiva de un cristal semiconductor a una
luz con una longitud de onda lo suficientemente corta para excitar pares electrón-
hueco en exceso.
parte, la luz con una longitud de onda mayor, cuya energía de fotón es inferior a
~e, no puede crear pares electrón-hueco y raramente se absorbe. Por tanto, el
espectro de absorción de un semiconductor se caracteriza siempre por un cambio
muy rápido en el coeficiente de absorción, a una longitud de onda que corresponde
a la energía del fotón ~e, teniendo el cristal una mayor fuerza de absorción para
longitudes de onda más corta y siendo casi transparente para longitudes de onda más
largas, como se ilustra en la figura lO.l(a). La región de transición brusca de la
opacidad a la transparencia se denomina borde de absorción. En el germanio, el
borde de absorción se produce en el infrarrojo cercano a aproximadamente X =
1.75 Jl., correspondiendo a ~€ = 0.7 eV, y en el silicio, a alrededor de 1.13 Jl., corres-
pondiendo a ~e= 1.12 eV. La banda de energía prohibida ~e se puede determinar
con precisión en el espectro de absorción, midiendo la longitud de onda a la que se
produce el borde de absorción. En la figura 1O.l(b) se muestra la respuesta fotocon-
ductiva de un semiconductor a la luz con una longitud de onda lo suficientemente
corta para crear pares electrón-hueco.
Los portadores excedentes también se pueden crear en cristales semiconduc-
tores por medio de haces de partículas de alta energía (electrones, protones, par-
tículas a), rayos X, radiación 'Y y mediante contactos metal-semiconductor debida-
mente polarizados o uniones p-n. Volveremos sobre estos conceptos más adelante.
y (10.2-1)
(10.2-2)
y (10.2-3)
1 Hasta ahora se han usado los símbolos T n• T P y T para representar los tiempos de
relajación asociados con procesos de dispersión. Sin embargo, los mi;;mos símbolos se usan
universalmente en las obras impresas para representar también los tiempos de vida de recombina-
ción. Puesto que esta práctica ha quedado justificada por los numerosos años de uso y, dado
que no se desea adoptar una notación muy compleja, se usarán los mismos símbolos para los
dos grupos de cantidades. No obstante, de aquí en adelante se dará por sentado que T, Tn y T P
se refieren siempre a los tiempos de vida de recombinación, a menos que se especifique otra
cosa.
350 Exceso de portadores en semiconductores
X x+dx
Figura 10.2. Flujo de portadores que entran y salen de un pequeño elemento de volumen del
cristal.
estas ecuaciones, las velocidades de generac10n gn y gP, al igual que las concentra-
ciones n y p, y los tiempos de vida r n y T P, deben considerarse generalmente como
funciones de las coordenadas de espacio y tiempo, dentro del cristal.
Ahora se verá una región del cristal cuyas dimensiones son dx, dy, dz, como
se indica en la figura 10.2. Supóngase que hay unas densidades de flujo de partícu-
las JP y Jn de huecos y electrones, respectivamente, que fluyen dentro y fuera de
esta región. La componente x de J P en x + dx se puede expresar en función de J P
en x, haciendo una expansión de Taylor de lpx(x + dx); en el límite en donde dx
se hace pequeña, sólo los dos primeros términos son importantes, de donde,
()Jpx
JPix + dx) = JPx(x) + ox dx. (10.2-4)
P op (10.2-6)
-V·J P +g p - -
t"
=Ot
-'
p
Comportamiento del transporte 351
mientras que con un cálculo similar para los electrones dentro del mismo elemento
de volumen, se obtendrá
n on
-V ' Jn + Un - - = -0 • (10.2-7)
'n t
(10.2-8)
(10.2-9)
y (10.2-10)
en donde "-n y Ap son las trayectorias libres medias del electrón y el hueco, y en y
cP son las velocidades térmicas medias de los electrones y los huecos, respectiva-
mente. En las circunstancias en que ( 10.2-10) es válida, las trayectorias libres medias
p.PkT
y D =--. (10.2-1!)
P e
Estas relaciones entre los coeficientes de difusión y las movilidades se conocen
como relaciones de Einstein. Aunque se derivaron antes basándose en suposiciones
muy restrictivas, se puede demostrar que se aplican a todos los sistemas que obede-
cen a la estadística de Boltzmann. En realidad, si se incluye una constante numérica
apropiada, se puede demostrar que se aplican también a los sistemas de Fermi.
Si las ecuaciones de la corriente ( 10.2-8) y ( 10.2-9) se substituyen en las
ecuaciones de continuidad (10.2-6) y (10.2-7), esta última se puede escribir como
p iJp
DpV2 p - p. pV • (pE) + gp - - = -iJt
't p
(10.2-l2J
y
n iJn
DnV 2 n + p.nV· (nE) + gn - -
..,
=ot
-. (10.2-13)
que es aplicable a cualquier vector A y cualquier función escalar 1/J. De igual manera,
conviene expresar las velocidades de generación como la suma de la velocidad de
generación térmica, más la velocidad a la que se generan los portadores en exceso de
la velocidad de generación térmica, de donde,
(10.2-16)
( -n - -n 0 ) iJn
D,V 2 n + p.,(E • Vn + nV • E) + g~ - = -. (10.2-17)
-r,. -r,.o iJt
Concentración
t=o
l>o
-
Etnt
-x
(a) (e)
Figura 10.3. Etapas sucesivas en la dispersión difusiva de una distribución de pru:es electrón-
hueco en exceso, que inicialmente tiene la forma de una función 8 en un semi-
conductor intrínseco.
V· E= V· E;nt· (10.2-20)
una aproximación física razonable que permita llegar a una solución que, aunque no
sea exacta, sea adecuada para la mayoría de los casos de importancia práctica. La
aproximación que se utilizará con este fin es la condición de neutralidad eléctrica o
la suposición de balance de carga. Se supondrá en (10.2-16) y (10.2-17) que la
densidad de electrones en exceso ón = n- n 0 se equilibra mediante una densidad de
huecos en exceso óp = p- Po. Es evidente que esto no es del todo cont:cto, porque
entonces, jamás se podría establecer un campo interno, y es este campo interno,
originado en la disparidad básica de las trayectorias libres medias de electrones y
huecos, el que tiende a conservar unidas las distribuciones de densidad de electrones
y huecos de difusión. N o obstante, esta pequeña diferencia entre la densidad de
electrones y huecos (en comparación con las densidades de excesos de portadores
propiamente dichas) es lo que se requiere normalmente para crear este campo in-
terno. La aproximación del equilibrio de carga es casi siempre apropiada en lo que
respecta a las densidades de portadores de las ecuaciones ( l 0.2-16) y (1 0.2-17). Sin
embargo, no es de esperarse que se use la suposición de neutralidad de carga en
(10.2-19). Al contrario, se puede calcular el campo Eint a partir de (10.2-16) y
(1 0.2-17) empleando la suposición de neutralidad de carga, ya que entonces se ten-
drán sólo dos incógnitas, óp y E¡n t' en estas ecuaciones. Este valor calculado de
Eint se puede utilizar en (10.2-19) para determinar la densidad de la fuente (y, por
tanto, la disparidad en las densidades de electrones y huecos) requerida para mante-
ner el campo. Si la densidad de la fuente calculada es sólo una fracción pequeña de
las densidades de electrones y huecos en exceso calculadas en (1 0.2-16) y (1 0.2-17), se
puede tener la seguridad de la consistencia de los cálculos y la validez de las suposiciones
en las que se basan; de otra manera, será necesario llegar a la conclusión de que los
resultados no concuerdan con las hipótesis originales y los cálculos están equivocados.
Más tarde se verá que el primer caso es el que se encuentra casi siempre en la
práctica real. 3
Por tanto, siguiendo esta línea de razonamiento, se supondrá inicialmente que
2
D"V (bp)
•
+ J.ln(E • V(i5p) + nV ·E) +.g'- (Po +bp - Po)
- =-
o(bp)
(10.2-23)
Tp !Po O(
3 W. van Roosbroeck fue el primero en adoptar esta línea de planteamiento para el caso
del semiconductor [Phys. Rev., 91, 282 (1953)]; pero mucho antes se utilizaron métodos simila-
res para resolver problemas relacionados con el transporte de electrones e iones en descarga~
gdseosas, que son muy similares.
Comportamiento del transporte 355
en donde
(10.2-24)
npnDp + PJ1pDn V2(bp) _ llnJ1p{no- Po) E. V(bp) + g' _(Po+ bp _Po)= iJ(bp).
nJln + PJlp nJ1n - Pllp 7: p 7: PO iJt
(10.2-25)
bp iJ(bp)
D*V 2 (bp)- 11*E • V(bp) + g' -- = -- (10.2-26)
r iJt
en donde
D* = ( n + p )D .D P = -,---(_n-'-0-=-+~P_o_+_2.,-b_p_)D_n-::-D~P:-=- (10.2-27)
nDn + pDP (no+ bp)Dn +(Po+ bp)Dp
(10.2-28)
bp Po + bp Po n 0 + bp n0
(10.2-29)
7:
Luego para el caso de nivel bajo, el tiempo de vida de los portadores en exceso T se
reduce simplemente al tiempo de vida de los portadores minoritarios. Los términos
tiempo de vida de portadores en exceso y tiempo de vida de portadores minoritarios
se usan con frecuencia indiferentemente, a pesar de que no siempre son iguales. En
especial, cuando las condiciones del caso de nivel bajo no se satisfacen o cuando el
cristal es casi intrínseco, el tiempo de vida de los portadores en exceso T difiere del
tiempo de vida de los portadores minoritarios. Este tiempo de vida de los portadores en
exceso es el que se mide casi siempre en los experimentos diseñados para detec-
tar la fotoconductividad de los portadores en exceso.
En las condiciones de nivel bajo, (1 0.2-27) y ( 10.2-28) muestran que en el caso
de un semiconductor tipo n fuertemente extrínseco, D* y p* se reducen a Dp y llp
y que, para un material tipo p fuertemente extrínseco, D* y p* se reducen a Dn Y
lln· Si se combinan estos resultados con los expresados en (10.2-30) y (10.2-31), se
puede escribir la siguiente expresión para las muestras extrínsecas tipo n
bp c(t5p)
D V 2(t5p)- p. E· V(bp)
P p
+ g ' -T Po
- = --
O(
(no~ p0 ,t5p) (10.2-32)
Comportamiento del transporte 3S7
(p 0 ~ n0 ,<5n). (10.2-33)
(10.2-35)
y p.~= o, (10.2-36)
(10.2-37)
1 kT b- 1
E = - - - -b-- V(bp) = Eap.+ E;n 1• (10.2-39)
q e n +p
El primer término anterior es el campo que se crea al aplicar una fuente de poten-
cial externo y el segundo representa el campo interno. Es evidente que el campo
interno, como se expresa en el segundo término, se desvanece cuando no existe un
gradiente de concentraCión de portadores y también, si las movilidades de huecos y
electrones son idénticas (b = 1). En el último caso, (10.2-27) y (10.2-28) dan D* =
D y p.*= [(n 0 - p 0 )/(n + p))p., en donde D y p. son el coeficiente de difusión de
huecos y electrones y la movilidad. Utilizando estos valores, se puede proceder a
resolver (10.2-26) usando para E el valor del campo aplicado y sin dar mayor interés
al campo interno.
Para materiales en los que las movilidades de los electrones y los huecos son
distintas, es evidente que el campo interno contribuirá al campo total E de
(10.2-26). Sin embargo, se verá que en la gran mayoría de los casos, se puede hacer caso
omiso de esta contribución. La razón es que, además de los efectos que se han
incorporado en los coeficientes de transporte modificados D* y p.*, el campo interno
ejerce ordinariamente sólo una pequeña influencia directa en la distribución espacial
de los portadores en exceso, en comparación con la de la difusión y los campos
aplicados. Esto se puede demostrar comparando las soluciones de (10.2-26) en donde
existe una difusión, pero no hay campo, y cuando se tiene un campo; pero esencial-
mente ninguna difusión. En el primer caso (suponiendo una geometría unidimen-
sional en la que 8p varía en la dirección x, en que la velocidad de generación
volumétrica en exceso g' es cero y que prevalecen las condiciones de estado esta-
cionario de tal modo que a(8p )jat = 0), la ecuación (1 0.2-26) se reduce a
(10.2-40)
(10.2-41)
Comportamiento del transporte 359
d(~p) ~p
(10.2-42)
dx = - p*E-r'
cuya solución es
(10.2-43)
De acuerdo con estas ecuaciones, es obvio que existe una longitud caracterís-
tica (D*r ) 1 / 2 asociada con el transporte puramente difusivo en el estado estaciona-
rio, y otra longitud característica p.*Er en este caso, en donde el efecto del campo
es predominante. Si el campo es cero, la segunda longitud será también cero. Queda
claro, de acuerdo con los resultados anteriores, que la distribución de portadores en
exceso resultante del transporte puramente difusivo, no se verá muy afectado por la
presencia de un campo eléctrico, a menos que dicho campo sea tan grande que
p*Er sea comparable en magnitud con la longitud característica de difusión
(D*r ) 1 / 2 . En otras palabras, si
ó (10.2-44)
para que el efecto del campo interno pueda omitirse en (10.2-26). En la práctica se
puede proceder inicialmente omitiendo el campo interno y calculando rrp a partir de
(10.2-26), utilizando el campo aplicado en el lugar de E. El gradiente de op se
calcula entonces basándose en la solución resultante y se comprueba con (10.245)
para asegurarse que la solución satisfaga esta condición en todos los puntos dentro
de la región de interés. Si se violara (10.245), la solución tendría que rechazarse y
sería necesario elaborar un nuevo cálculo en el que se incorporara el campo interno
desde el principio. En sistemas puramente difusivos, se verá que la solución tiene a
menudo la forma op = (const) e-xfL en donde L es aproximadamente (si no con
precisión) igual a (D*r ) 1 12 • En tales casos, el gradiente de op está dado por - opfL.
Se ve claramente en la forma de ( 10.245), que la condición que expresa esta
ecuación nunca se viola seriamente, sean cuales fueran los valores que puedan tener
n 0 , p 0 , op y b. Se pueden obtener valores mayores de V(~p) si hay un campo
aplicado presente; pero en estas circunstancias, aunque la condición ( 10.245) ya no
se satisfaga, se encontrará por lo general que el campo interno que se genera ahora
es pequeño, en comparación con el campo aplicado que se requiere para mantener
este estado. De donde, se puede llegar a la conclusión de que generalmente es buena
aproximación considerar que el campo E de la ecuación (10.2-26) es el campo
aplicado, sólo haciendo caso omiso del efecto explícito del campo interno. No obs-
tante, se debe notar que el efecto del campo interno está implícitamente compren-
dido en los coeficientes de transporte modificados D* y p*.
360 Exceso de portadores en semiconductores
(10.2-47)
La expresión del lado derecho de esta ecuación debe ser mucho menor que la
unidad para que sea válida la suposición del balance de carga ( 10.2-21 ). Esta condi-
ción se puede expresar de un modo algo diferente m•lltiplicando el numerador y el
denominador anteriores por n¡. Por tanto, la condición para la validez de la suposi-
ción del balance de carga se convierte en
lbp-bponl = L
~-=---
2 (b- l)ni V 2(8p) 1
D, nb + p
-- ~
op
(10.2-48)
en donde
(10.2-49)
¡:s un parámetro con las dimensiones de longitud, que se conoce como "longitud
intrísenca de Debye" asociada con el material. A 300°K, la longitud intrínseca de
Debye es aproximadamente 34¡.t para el silicio y 0.96¡.t para el germanio. Si, como
sucede con mucha frecuencia, la densidad de concentración en exceso tiene la forma
fJp = (const)e±xJL en donde L es una distancia característica de decaimiento que en
sistemas puramente difusivos tiene el valor (D*T) 1 12 , entonces, V2(f>p)fop = 1fL2 y
(10.243) se puede expresar como
corto. En los semiconductores compuestos de tipo III-V, como inSb y GaAs, los
tiempos de vida de los portadores, por lo general son muy cortos; para estos mate-
riales, la condición (10.2-50) se satisface con frecuencia, aunque no siempre. Las
substancias semiaisladoras en las que nb + p, al igual que L pueden ser muy peque-
ñas, la condición ( 10.2-50) se viola la mayor parte de las veces y es necesario aplicar
otros métodos para analizar los problemas de los portadores agregados. En conse-
cuencia, la situación es por lo general muy compleja, aunque Roosbroeck 5 desarrolló
una teoría muy general para el análisis de problemas de esta índole. Puesto que la
suposición del balance de carga es válida para la gran mayoria de los casos relaciona-
dos con los materiales semiconductores más conocidos, no se tomarán en cuenta
explícitamente las situaciones en que se viola.
d(Jp) Jp
----¡¡-= -"7. (10.3-l)
{10.3-3)
en donde
LP = JDPtP. {10.3-4)
en donde A y B son constantes arbitrarias. Puesto que existe una fuente plana de
portadores ubicada en x =O en el plano yz, se tendrá cierto tipo de singularidad en
la solución en este punto, y es mejor considerar la solución de 8p en la regiór.
x <O (que se denominará 8p_(x)), y la solución en la región x >O {que se llamará
8p+(x)) independientemente. Por tanto, de acuerdo con esto y con (10.3-5), éstas
deben tener la forma
(x >0) {10.3-6)
y
op_(x) = p_(x)- Po= A_ex/Lp + B_e-x/Lp (x < 0). (10.3-7)
-x
(10.3-12)
(10.3-15)
364 Exceso de portadores en semiconductores
(10.3-1~
De acuerdo con estas ecuaciones, la fracción del flujo total de las dos especies
de portadores que se debe a la difusión y a la presencia del campo interno se
puede calcular con suma facilidad. Se encontrará que
J~+ P+(b- 1)
Jp+ = b(n+ + P+)
Es muy interesante examinar estas expresiones en los tres casos específicos:
materiales extrínsecos tipo n, en donde n+ ~ P+, materiales extrínsecos tipo p, en
donde P+ ~ n+ y el material intrínseco, en donde n+ = P+· En estos tres casos, las
ecuaciones (10.2-18) se convierten en
intrínseco (n+ = P+)
1. b+l
' 2b
1 b-l
O; 1--.
b' 2b
(10.3-19)
1. b+l
b;
' 2
l-b
1- b; o·' 2
(10.3-20)
Por supuesto, dado que en esta muestra no se tiene un campo aplicado, la corriente
eléctrica total 1 = e(JP + - J n +) es cero.
A continuación se estudiará la extensión de la solución precedente para el caso
en que existe un campo constante aplicado E 0 en la dirección positiva n. La ecua-
ción diferencial (10.2-26) se puede escribir para el material extrínseco tipo n como
366 Exceso de portadores en semiconductores
d_2 (bp)
_2_ _ f.1pEo
___ d(bp)
_ _ _bp
__ _ 0 o
(10.3-21'
dx DP dx LP
en donde
(10.3-23,
(10.3-24)
Esta solución es la misma que (1 0.3-5) excepto que los argumentos de lO!i
factores exponenciales se multiphcan por los factores 'Yp+ Y - 'Yp-, que depender;
del campo eléctrico. De acuerdo con la definición dada antes, se ve claramente que.
sea cual fuere el valor que pueda tener E 0 , 'Yp+ debe ser siempre positivo, mientras
que 'Yp- debe ser siempre negativo; cuando 'Yp+ y 'Yp- se grafican en función del
campo, las dos cantidades se representan por medio de dos ramas de una hipérbola_
como se ilustra en la figura 10.5. Para 'YP = O, a un campo cero, ( 10.3-14) se reduce
f (Yp)
-3
a la ecuación de la sección anterior. Para valores positivos grandes de 'Yp (y, por
ende, para campos tales que E 0 ;p 2kTfeLp), se puede demostrar con la ayuda de la
expansión binómica y (10.24) que
LP
--= ---- (10.3-25)
(10.3-26)
Algunas soluciones particulares de la ecuación de continuidad 367
Ahora se puede repetir el desarrollo del caso del campo cero que se da en las
ecuaciones (10.3-6) (10.3-12), suponiendo, como antes, que hay dos expresiones
separadas para l>p+(x) en la región x >O y l>p_ (x) en la región x <O, con los
coeficientes A+, B+, A_ y B_, y demostrando en Ia misma forma que A+ y B_
deben tomarse como cero para asegurar el comportamiento apropiado en ± oo. El
resultado se puede escribir como sigue
(x > O) (10.3-28)
(x < O) (10.3-29)
p(x), n(x)
--- --------~
--------------
Figura 10.6. Concentraciones de electrones y huecos en un estado estacionario, dentro de un
cristal en el que existe, en x =O, una fuente plana de portadores en exceso y estando
presente un campo eléctrico constante en la dirección x.
368 Exceso de portadores en semiconductores
(10.3-30}
(10.3-31)
Una solución de esta ecuacwn, válida para todos los valores t > t' que satisfaga
todos los requisitos del problema es
_( )_
op x,t - _
t- t']
N _ __ exp [ - {(x- x')- JJ.pE 0 (t- t')} 2 - - - .
(10.3-32)
../4rrDp(t- t') 4Dp(t- t') <p
Algunas soluciones particulares de la ecuación de continuidad 369
8P (x,t) 8P(x,t)
t=O
t=O
-x -X
(al (b)
Figura 1O. 7. (a) Dispersión difusiva de portadores en exceso inyectados inicialmente como una
distribución o
en x =O, sin tener un campo eléctrico aplicado. (b) Dispersión
difusiva Y arrastre de la distribución en (a) aplicando un campo eléctrico cons-
tante en la dirección x. En ambos casos O <t 1 <t2 <t3 <t4 .
bp(x,t) = I r foo
-oo -oo
N(x',t')
.j4nDp(t- t')
[ {(x - x')- J1 E 0 (t- t')} 2
exp - P
4Dp(t- t')
-
t - t']
--
rP
, ,
dx dt .
(1 0.3-34)
Por supuesto, la integral se desarrolla sólo hasta t' = t, debido a que la genera-
ción futura no contribuye a la concentración observada al tiempo t. Naturalmente, la
solución anterior se aplica sólo a una muestra infmita en que la distribución de
concentración satisface la condición de frontera de que la concentración debe tender
a cero lejos de la fuente. Para muestras finitas, primero se deberá encontrar una
solución para una función ó de distribución de fuente inicial, por ejemplo, (10.3-32):
pero satisfaciendo además las condiciones de frontera apropiadas en las superficies de
la muestra. 7 Entonces se podría usar el mismo procedimiento de superposición para
obtener la solución de una distribución arbitraria de ~eneración con respecto a las
coordenadas del espacio y el tiempo para muestras de esta clase.
Este procedimiento se puede generalizar con cierta facilidad a sistemas tridi-
mensionales. La solución para una generación instantánea de N(r', t') dv' dt' dentro
del elemento de volumen dv' alrededor del punto r = r' al tiempo t = t', descri-
biendo la distribución de concentración subsecuente que se origina de este elemento
de generación inicial dentro de una muestra infmita, es
En este caso se puede verificar también que (10.3-35) es una solución para la
ecuación tridimensional de difusión correspondiente a {10.3-31) por medio de una subs-
titución directa. La superposición de soluciones de la forma (10.3-35) ahora se puede
hacer en la misma forma que antes, dando como resultado una integral sobre la distri-
bución de la fuente de generación de la forma
.
op(x,t) =
J'-oc
f N(r',t')
v[4nDP(t-t)]
[ {(r- r')- J1pE 0 (t- t')} 2 t- t'] 'd,
, t exp -
4Dp(t-t)
, - - - dv t .
rP
7 Por lo general, la solución para una distribución inicial de fuente de una función ó se
cita como la función de Creen apropiada para un sistema dado y un conjunto particular de
condiciones de frontera.
Movilidad de arrastre y el experimento de Haynes-Shockley 371
.-+--+-o Osciloscopio
~~~~~~~~~----,~~~,~~~~
1 1
x=O x=d
L...---'llfl'.~-----1+ 1111111-------1
Batería
de barrido
Figura 10.8. Diagrama esquemático del experimento de Haynes-Shockley.
--+---
+----- +
=n-type =
1 1
==;;;:¡;of---v
DiaQramas de
cornente·voltaje
tipo·n tipa-p
(e) ( f)
Figura 10.9. Rectificador semiconductor con contactos de puntas (a) tipo n. con polarización
inversa, (b) tipo n con polarización directa, (e) tipo p con polarización inversa, (d)
tipo p con polarización directa, (e) característica corriente-voltaje del rectificador tipo
p de contacto de puntas.
dores perteneciente a la distribución, del emisor al colector y luego más allá. Este
efecto conduce a la observación de un tiempo de arrastre finito en ausencia de UD
campo que, de acuerdo con (10.4-2) corresponderá a una movilidad infinita. Eviden-
temente, si lo que significa tiempo de arrastre t 0 es el lapso que transcurre entre la
inyección y la observación del valor máximo obtenido por op(d,t), según lo cla
( 10.3-32) (y que es lo que en realidad se mide en el trazo del osciloscopio), enton-
ces, la ecuación ( 10.4-2) no puede ser correcta tal y como está expresada.
En realidad, la ecuación (10.4-2) es más o menos correcta siempre que l2
dispersión por difusión de la distribución de portadores sea razonablemente pequeña
durante el tránsito del emisor al colector. Estas condiciones se pueden efectuar
experimentalmente mediante el uso de campos aplicados muy grandes que, no obs-
tante, producen efectos de calentamiento graves a menos que se recurra a técnicas
de pulsos muy laboriosas. Una alternativa es derivar una expresión correcta para el
tiempo de tránsito a partir de (10.4-2) que toma totalmente en cuenta la difusión
para llegar a una expresión modificada 11 de la forma
(10.4-31
en donde
13 Este enunciado se aplica al modelo simple de la superficie que se está viendo. Existen
cambios en la concentración de portadores en equilibrio cerca de la superficie asociados con una
capa de carga espacial superficial, originada por la presencia de estados superficiales, en la super-
ficie física real de la muestra como se verá más adelante. El punto de vista sencillo aquí
adoptado casi siempre es adecuado para un estudio fenomenológico de la recombinación superfi-
cial.
376 Exceso de portadores en semiconductores
F,-
8
-X
Concentración local de
portadores en la región
de la superficie: P,
Figura 10.10. Diagrama de flujo que ilustra el intercambio de flujos entre el interior y la
superficie.
(10.5-1)
De igual manera,
(10.5-2)
F 1 = F; = p 0 c/4. (10.5-5)
y
Po e
A0 = --¡-(1- B). (10.5-7)
F¡ = [p(xo)- ,(ap)
ax
]:¡·e
::XA xo
(10.5-8)
(10.5-9)
(10.5-10)
La diferencia entre F 1 y F:
es el flujo neto de portadores que, si no se tiene
un campo eléctrico, como se supondrá, es igual a la corriente neta de difusión
-Dp(o(fJp)/ox) evaluada en las superficies. Si se escribe la expresión para F 1 - F 1'.
usando (10.5-3) y (10.54) para representar los flujos y a (10.5-6) y (10.5-12) para
representar los valores de g8 y A, se puede obtener, después de numerosas operacio-
nes algebraicas complejas, pero directas,
iJ(bp))
-Dp ( ---a;- S= S. (bp). (10.5-14)
en donde
e 1- R 0
S=----. (10.5-15)
21 + R0
Los subíndices s indican que las cantidades implicadas se evalúan en la super-
ficie. Por lo general, la constante s se denomina la velocidad de recombinación
superficial; su relación con el coeficiente de reflexión más fundamental está dada por
(10.5-15). La condición superficial de frontera (10.5-14) se puede expresar en forma
vectorial más general como sigue
15 El coeficiente de reflexión Ro casi siempre está muy cerca de la unidad en el caso del
germanio y el silicio, incluso en muestras cuyas superficies están muy raspadas. Sin embargo, en
muchos casos el efecto de una velocidad de recombinación de lOS cm/seg correspondiente a
R 0 = 0.99, se podrá distinguir apenas de la condición en que s = c/L. y R =O.
380 Exceso de portadores en semiconductores
Iluminación
jjJ 1
~z/ í0T''
============~:::::JI \Con~uctor de
t:'
,, 1 1 1 '""''""
Iluminación
(10.6-1)
en donde g' es constante. Al escribir la ecuación de esta forma, se está suponiendo que se
trata de un material extrínseco tipo n y que f>p es pequeña en todas partes en compara-
ción con la densidad de portadores mayoritarios.
La solución de esta ecuación se puede expresar como la solución general de la
ecuación homogénea (10.3-3) más una solución particular de (10.6-l). Es evidente
que f>p =g'L~/Dp =g'rp es justamente una solución particular de (10.6-1) y que la
solución general de (10.6-1) se puede escribir como sigue
X X
bp(x) =A cosh- + B senh- + g'rP. (10.6-2)
LP LP
op(x) = g'tp
[
1-
x0 DP
2LP LP
scosh
Xp
x0
s cosh- +- senh-
2LP
.
L
l (10.6-5)
Sp(x)
Lp Lp
2
(a) (b)
Figura 10.12. (<t) Perfiles de concentración dentro de la muestra ilustrada en la f~gura 10.11
para s =O, s =oo y varios valores intermedios de s. (b) Respuesta de fotocon-
ductividad OC/C 0 en función del espesor x 0 graficada para varios valores de s.
oP = oN = y 0 z0 fxo/2
-xo/2
op(x) dx, (10.6-6)
l
fácilmente de tal modo que dé
sLPsenh 2L
Xo (10.6-7)
oP = oN = 2yozog'tp [ Xo- D p •
Xo P Xo
s cosh- + - senh-
2LP LP 2LP
Sin embargo,
u(x) = u 0 + bu(x) = u 0 + e¡J.Pbp(x)(b + 1), (10.6-9)
de donde,
de= Zo [u0 + e¡J.p(b + 1)<5p(x)] dx. (10.6-10)
Vo
Al integrar esta ecuación entre los límites x = ± x 0 /2 se obtiene
Z X Z fxo/2
e=~ U o + ~ e¡J.p(b + 1) bp(x) dx. (10.6-11)
Yo Yo -xo/2
be e¡J.p(b + l)(jP
-= (10.6-12)
u0 V
o(bp))
-DP ( - - = sbp(x 0 /2,t) y
a(op))
DP (- - = sbp( -x 0 /2,t), (10. 7-2)
OX xo/2 OX -xo/2
y
lim bp(x,t) =O. (10.7-4)
Al hacer la substitución
(10. 7-6)
- DP(:~)X xo/2
= su(x 0 /2,t); DP(~u)
uX -xo/2
=su( -x /2,t) 0 (10.7-7)
y
u(x,O) = p 1 = const (- X 0 /2 < X < X 0 /2). (10. 7-8)
16 Aunque para llegar a la forma (1 0.5-16) se supuso una condición de estado estacionario
en la condición de frontera, es evidente que esta condición de frontera se puede usar también en
situaciones dependientes del tiempo, a condición de que la concentración de portadores de carga
en la superficie no cambie mucho en el tiempo requerido para que se establezca el flujo de
equilibrio entre la superficie y el volumen. Siempre se supondrá que esta condición se satisface.
384 Exceso de portadores er¡ semiconductores
1 d2X 1 dT
- - - -2 = - - - -- = -a 2 = const. (10.7-10)
X(x) dx DPT(t) dt
Los dos lados de la ecuación anterior deben ser iguales a una constante, pcr
separado, ya que sólo en esta forma puede una sola ecuación de x y una sola
ecuación de t ser iguales para todos los valores posibles de x y t. La constante se
escribe como -a:2 , de manera que, para cualquier a: real, será negativa; esto es
necesario (como se comprobará en breve) para tener la seguridad de que (10.7-4) quede
satisfecha. Para la dependencia del tiempo de la ecuación anterior, es obvio que
(10.7-11)
de donde
{10.7-12)
(10.7-13)
por lo cual
(10.7-16)
n n
(10.7-17)
(10.7-18)
- - = rxnDp
ctn CXnXo - - (2D 1sx 0 )
- - = (J.nXo (10.7-19)
2 S 2 P
00
f (ax 0 1
,. a 1x0
-2-
Figura 10.13. Diagrama que ilustra la determinación de las raíces de (10.7-19) mediante la
solución gráfica de la ecuación trascendental.
17 Obsérvese que si u(x, t) es una función par de x, si se da una de las condiciones de frontera,
(10.7-7), se da la otra.
18 Si f(x) no fuera par, sería necesario admitir soluciones de la forma Bnexp(- ai,Dpt)
sen a,.x en la superposición, junto con la función coseno que se está usando.
386 Exceso de portadores en semiconductores
Si los dos lados de esta ecuación se multiplican por cos OtmX y se integran
sobre e! intervalo ( -x0 /2 < x < x 0 /2), el resultado es
xo/2 fxo/2
Lf An COS OCnX COS OCmX dx = j(x) COS OCmX dx. (10.7-21)
n -xo/2 -xo/2
(10. 7-22)
Esto deja ver que, puesto que se trata de un caso especial del problema de
Sturm-Liouville, las funciones {cos ocna} deben formar un conjunto ortogonal. 19 En
cualquier caso, no es difícil demostrar directamente que, a condición de que los
valores de Otn se escojan de tal manera que satisfagan ( 10.7 -19), las funciones
{cos ocna} son ortogonales. Los detalles de esta demostración quedan como ejercicio
para el lector.
Para el caso presente, se debe escoger f(x) = p 1 =constante y, con esta selec-
ción, la integral de (10.7-22) se puede evaluar fácilmente y se obtiene
OCnXo
4p 1 sen - 2- (10.7-23)
A
n
=-----
OCnXo +Sen OCnXo
de donde,
f(x) = p 1 = 4p 1 (10.7-24)
(10.7-25)
19 R. V. Churchill, Fourier Series and Boundary Value Problems. Nueva York: McGraw-
Hill (1941), páginas 46-5 2.
Fotoconductividad transitoria 387
ct 0 x 0 1 ct x
sen - 2- 2cos - 02-0 1
lim = lim = -, (10.7-26)
aoxo~O IXoXo +Sen IXoXo aoxo~O 1 + COS IXoXo 4
por lo cual,
(s = 0). (10.7-27)
(2n + 1)rrx
oo ( -1)" cos x0 [ (2 n + 1)2 rr zv Pt ]
bp(x,t) = 4p 1 e-' 1'P L
n=O (2n + 1)1!
exp - 2
Xo
• (10.7-28)
que es una serie ordinaria de Fourier. En este caso, cuando x = ± x 0 /2, op es cero
+
ya que cos (n + )11 = O. El perfil de concentración para este caso aparece graficado
en la figura 10.14(c). Para valores intermedios de s, los valores {a"} deben deter-
minarse numérica o gráficamente y cuando se grafican los resultados, deben producir
perftles de concentración como los que se presentan en la figura 10.14(b).
La fotoconductancia real se puede obtener a partir de op(x,t) por medio de
(10.6-12) y (10.6-6), de acuerdo con lo cual,
1=0 1 =O 1=0
,, t, t,
/z lz
13 13
/4 14
-~
o ~ xo o xo Xo o Xo
2 2 -2 2 -2 2
S=O S>O S=oo
Figura 10.14. Perfiles de concentración dentro de la muestra para diferentes valores de t, (a)
pata s =O, (b) para s>O, (e) paras= o..>. En todos los casos O< t 1 < tz <r3 <14·
388 Exceso de portadores en semiconductores
Esta expreswn es una suma de los términos, cada uno de los cuales tiene su
propia amplitud característica y cada uno de los cuales decae exponencialmente con
respecto al tiempo con una constante de tiempo distinta. Esto se puede escribir en
la forma
(lO. 7-31)
(10.7-321
In .!f.
Co
.. 1
20 El subíndice m se adopta aquí para evitar cualquier confusión posible con el tiempo de
vida del electrón, T n·
Fotoconductividad transitoria 389
(10.7-33)
(10.7-34)
Esta fórmula también se puede usar para obtener el tiempo de vida volumé-
trico real, si se conocen el tiempo de vida observado y la velocidad de recombina-
ción superficial.
Si se desconocen inicialmente tanto r P como s, se pueden determinar traba-
jando primero con una muestra gruesa cuya superficie se trata en tal forma que se
minimice la recombinación superficial; el decaimiento fotoconductivo transitorio aso-
ciado con este tipo de muestra se aproximará a rP. A continuación, la muestra
gruesa se puede cortar en otras más delgadas y las superficies de éstas se deben
tratar a fin de obtener las condiciones apropiadas para medir la velocidad de recom-
binación superficial. La constante de decaimiento r 0 se mide entonces, y s se saca
directamente de ( 10.7-34) empleando el valor de r P obtenido previamente. Otra
posibilidad es cortar dos muestras de diferentes espesores de un material con un
tiempo de vida uniforme. Las superficies de las dos muestras se tratan de tal modo
que se obtengan las condiciones en las que se desea hacer la medición de s, y se
determine el tiempo de vida observado relacionado con cada muestra. Después, la
ecuación (10.7-34) se puede escribir para cada muestra y las dos ecuaciones se
resuelven numéricamente para las dos cantidades desconocidas r P y s. Un tercer
método consiste en utilizar sólo una muestra y ajustar los valores de r P y s en
( 10.7-30) de tal manera que se reproduzca no sólo la constante de tiempo del modo
principal observado r 0 (que, después de todo se puede obtener en otras combina-
ciones diferentes de r P y s), sino también el patrón de decaimiento inicial del modo
más alto que se observó. Aunque el análisis matemático requerido es complejo, este
método tiene la ventaja de que emplea una sola muestra y con esto se minimizan las
dificultades que producen las heterogeneidades en el tiempo de vida volumétrico y
las velocidades de recombinación superficial.
390 Exceso de portadores en semiconductores
(10.8-1)
(10.8-21
(10.8-31
en donde e' (k0 ) es la energía asociada con un fonón cuyo número de onda es k 0 •
según se obtuvo de la relación de dispersión w(k) para las vibraciones de red, como
sigue,
-k
-k
(a) (b)
Figura 10.16. Recombinación electrón-hueco a través de (a} una transición directa y (b} una
transición indirecta.
::T T _l_ T
Ev + +
(o) ( b) (e) (d)
(10.8-5)
(10.8-6)
(10.8-7)
(10.8-8)
en donde
(10.8-10)
(10.8-11)
394 Exceso de portadores en semiconductores
(10.8-13)
Igual que antes, en el estado de equilibrio, Rcp debe ser igual a Rep y
razonar1do de un modo análogo a como se hizo al derivar (10.8-9), se puede demos-
trar que
(10.8-14)
en donde,
(10.8-15)
(10.8-16)
(10.8-17)
(10.8-18)
25 Shockley y Read demostraron que 8n ~8p siempre que cualquiera de las cuatro canti-
dades, no, Po, n¡ y p¡ sea grande en comparación con N.
Mecanismos de recombinación; la teoría de Shockley-Read 395
(10.8-19)
Si ahora se escriben = n 0 + 8p, p =Po + 8p, la ecuación anterior se puede exp1 ~ar
en la forma
1
t = tpo =e N . (10.8-21)
p t
1
t = tno =en N t (10.8-22)
Po+ no+ ~p
(10.8-23)
en donde (rpo, Tno) representa el tiempo de vida del exceso (huecos electrones) en
un material fuertemente extrínseco (tipo n o p) que tiene las características de
atrapamiento particulares que se están tomando en cuenta. El tiempo de vida para
materiales intermedios entre estos dos extremos está dado por (1 0.8-23). Para valores
pequeños de 8p (10.8-23) puede escribirse como
_
t-tpo (no + n¡) +tno (Po +PI) . (10.8-24)
Po+ no Po+ no
lu J
Tpo
Ev E¡ Et Ee
Ef-
Figura 10.18. La dependencia del tiempo de vida en función de la energía de Fermi, como lo
predice la teoría Shockley-Read.
(10.8-25)
en donde
(10.8-26)
(10.8-27)
In 8C
Co
Fase normal
Atrapamiento lento
_,
Figura 10.19. Respuec .otoconductiva transitoria de una muestra que contiene gran número
de "centros de atrapamiento lento".
28 Excepto, por supuesto, en lo que pueden influir en la posición del nivel de Fermi.
398 Exceso de portadores en semiconductores
EJERCICIOS
l. Principiando con la ecuación de Boltzmann y suponiendo que se aplica la aproximacié>:t
del tiempo de relajación, demuestre que en un sistema de estado estacionario que contien:
partículas libres en el que existe un gradiente de concentración en la dirección z, se establece w:
flujo de difusión - D(fm/6x). Demuestre que el coeficiente de difusión D es igual a 'llc/3 en donlk
'A es la trayectoria libre media y e es la velocidad térmica media. Puede suponerse que b.
trayectoria libre media A es independiente de la velocidad y que el sistema obedece a la estadir
tica de Maxwell-Boltzmann en equilibrio. Nota: suponga que la función de distribución /(r, v) ;.e
puede escribir en la forma n(r).f(v); esto es razonable si la desviación del estado de equilibrio 1!-'
es muy marcada.
2. Los resultados derivados de los cálculos del problema 1 se aplicaron en el texto a
sistemas de estado no estacionario al igual que a sistemas que conservan dicho estado. Explique
(cualitativamente) en qué circunstancias es permisible esta aplicación.
3. Demuestre que si f(x, t) satisface la ecuación diferencial
n a'J- [- g[
ax' T -a(
entonces, .f(~. t)(~ = x - IJEot, en donde E o =constante) debe ser la solución de
az¡ a¡ f a¡
D ax' - ¡LEo ax - ~ = a, .
4. Se crea una distribución de portadores en exceso de estado estacionario en una muestn
extrínseca tipo n, por medio de una fuente plana de generación en el origen. La difuSIÓ•
resultante y el arrastre de la distribución de los portadores se puede considerar de tipo unidr
mensional a lo largo de la dirección x; la extensión de la muestra en la dirección x es esencial-
mente infinita. Se tiene también un campo eléctrico constante E 0 en la dirección +x. u
densidad de portadores en exceso se mide determinando la corriente inversa de saturación en dOi
puntas de prueba en lugares diferentes, x =a y x = b(b >a). Se desea calcular la longitud de
difusión Lp a partir de la relación de estas dos densidades medidas de los portadores en exceso.
Demuestre que
J (
In Ko In Ko + eE
kT
d) 0
7. De acuerdo con los resultados del problema 6, demuestre que, a condición de que
D/L <;¡¡; /2 (D =coeficiente de difusión, L =(DT) 1 /2 =longitud de difusión) no se registra una
gran diferencia en la concentración de portadores dentro del volumen o en el flujo difusivo de
portadores hacia la superficie, ya sea que s se considere como C/2 o infinito. Demuestre que esta
condición se puede representar también en la forma L ~-p .
8. Demuestre explícitamente que el conjunto de funciones :cos a.a} con an según la
define (10.7-19), es ortogonal. Encuentre la constante de normalización ya derivada (10.7-22).
9. La constante de decaimiento fotoconductiva observada, relacionada con una muestra
muy gruesa de germanio tipo n(/)0 = 45 cm 2 /seg, f.4, = 1800 cm2 /V- seg) en 500 ¡Jseg. La muestra
se corta en capas de 0.1 cm de espesor, las superficies se atacan químicamente y luego se observa que
la constante de decaimiento fotoconductiva es 300 ¡Jseg. ¿Cuál es la velocidad de recombinación super-
ficial asociada con las superficies atacadas químicamente de las muestras delgadas?
10. De acuerdo con los resultados de la teoría de Schockley-Read para un material con
centros de atrapamiento para los que T no = T po demuestre que el máximo tiempo de vida
posible se produce cuando e¡ está en el punto intrínseco y que, en estas circunstancias, el
tiempo de vida está dado por
[
T=T•o 1 +cosh~
e-e,]
en donde €¡ es la posición del nivel de Fermi para la condición intrínseca.
11. Explique la variación del tiempo de vida e-n función del nivel de inyección Dp para un
material en el que TpO = T no y en donde €t = €v +~. de acuerdo con la teoría Shockley-Read
12. De acuerdo con los resultados y las técnicas desarrolladas en la sección 10.5, demues-
tre que la constante numérica a de las ecuaciones (10.5-8) y (10.5-9) debe tener el valor 3/2.
13. A veces se indica que, puesto que el flujo en equilibrio de partículas a través de un
plano, en una distribución de Boltzmann, es pC/4, la máxima velocidad de recombinación super-
ficial que puede obtenerse (asociada con una superficie de un coeficiente de reflexión igual a
cero) debe ser s =C/4. La expresión (10.5-15) contradice esta conclusión y predice que el
máximo valor que se puede obtener para s es c/2. Señale el error físico de este argumento Y
demuestre que el valor C/2 dado por (10.5-15) es el realmente esperado desde el punto de vista
físico.
14. Considete una barra de germanio extrínseco tipo n con una sección transversal cons-
tante, que se extiende a lo largo del eje x. Se hace fluir una corriente constante en la dirección
x positiva conectando una batería a los extremos de la muestra. Se crea una densidad uniforme
de pares electrón-hueco en exceso en t =O, dentro de la región 1 x <x <x 2 • Esta distribución
de portadores en exceso sufre un arrastre con una velocidad J.LpE 0 en la dirección positiva de x,
de acuerdo con los resultados de la sección 10.2. Utilice sólo argumentos físicos para explicar
por qué la dist•ihución de portadores en exceso se desplaza a la derecha a lo largo del eje + x, a
pesar de que los electrones en exceso dentro de la distribución deben estarse moviendo hacia la
izquierda dentro del campo aplicado. Haga un diagrama que demuestre (esquemáticamente) el
campo interno y la densidad de carga espacial que lo produce. Puede suponer que el tiempo de
vida volumétrico de portadores en exceso es infinito, que la velocidad de recombinación super-
ficial es cero y que la densidad de portadores en exceso es pequeña en comparación con la
densidad de portadores mayoritarios en equilibrio. Nota: principie observando que, debido a la
constancia de la densidad de corriente a lo largo de la muestra y la modulación de la conductividad
por los portadores en exceso, el campo eléctrico debe ser más pequeño dentro del pulso de portadores
en exceso que fuera de él.
LECTURAS RECOMENDADAS
A. Many y R. Bray, "Lifetime of Excess Carriers in Semiconductors," in Progress in Semicon-
ductors, Heywood and Co., Londres (1958), Vol 3, pp. 117-151.
Allen Nussbaum, Semiconductor Device Physics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N.J.
(1962).
W. Shockley, Electr0'1S and Hales in Semiconductors, D. Van Nostrand Company, Inc., Nueva
York (1950)
R. A. Smith, Semiconductors, Cambridge University Press, Londres (1961).
E. Spenke, Electronic Semiconductors, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1958).
CAPITUW 11
Tecnología de materiales y medición
de propiedades volumétricas
En los capítulos anteriores se dijo muy poco respecto a las técnicas químicas y
metalúrgicas relacionadas con la preparación de las substancias semiconductoras de
alto grado de pureza. De igual manera, aunque ya se examinaron con cierto detalle
las propiedades eléctricas de los semiconductores, casi no se han analizado las téc-
nicas experimentales que se utilizan para medir dichas propiedades. En este capítulo
se intentará remediar estas deficiencias aunque, puesto que el propósito principal es
comprender la física de los semic~mductores, será necesario limitarse a un estudio
cualitativo, o cuando mucho, semicuantitativo de los aspectos químicos y metalúrgicos
de la tecnología de materiales.
Se ha demostrado que gran número de substancias presentan las propiedades
características asociadas con los semiconductores, los elementos covalentes tales como
el germanio y el silicio son los más conocidos, los que se comprenden más a fondo
y los que se utilizan más profusamente en la tecnología de dispositivos. Porque entre
todas las substancias semiconductoras, éstas son las que se preparan con mayor
facilidad en forma de cristales únicos de ultra alta pureza, libres de dislocaciones,
vacantes de red y otras imperfecciones estructurales. Los otros semiconductores cava-
lentes pertenecientes al grupo IV de la tabla periódica, el diamante y el estaño a
(gris), son muy difíciles de obtener en forma de cristales únicos grandes de alta
pureza y, por tanto, no se han estudiado tan minuciosamente desde el punto de
vista fundamental, ni se han utilizado en absoluto en la tecnología de dispositivos
electrónicos.
Los compuestos intermetálicos que se forman entre los elementos del grupo Ili
y el grupo V de la tabla pt:riódica, tales como InSb, GaAs, AIP, etc., cristalizan con
la estructura de la zincblenda y forman una serie de materiales semiconductores
cuyas propiedades físicas son muy semejantes, en muchos aspectos a las de los
elementos covalentes del grupo IV. No obstante, estos semiconductores III-V tienen
una naturaleza ligeramente fónica, lo que explica la mayoría de las diferencias en las
propiedades de los compuestos Ili-V y las de los semiconductores covalentes del
grupo IV. La masa efectiva de los electrones de conducción en los compuestos lli-V
por lo general es muy pequeña en comparación con la masa gravitacional m0 , en
tanto que la masa efectiva de huecos no es muy diferente de la gravitacional del
electrón. Por esta razón, de acuerdo con (9.7-7) y (9.11-19), la movilidad de elec·
trones en muestras puras de estos compuestos será muy alta, como también lo será
la relación de movilidad b. En el InSb, en donde este fenómeno es más pronun
401
402 Tecnología de materiales y medición de propiedades volumétricas
Bobinas de
00000
,..-inducción de rf"'-.... 00000 00000
\ 00000
Figura 11.1. Diagrama esquemático del proceso de refinación por zonas para purificar materia-
les semiconductores.
rriente directa; cuando se usan botes de grafito, una parte del mismo bote puede
actuar como susceptor cuando pasa por una bobina angosta de radiofrecuencia. En
cualquier caso, el efecto es fundir una porción del lingote y pasar la zona fundida
continuamente a lo largo de la barra, de un extremo al otro, conforme el lingote se
desplaza por la zona caliente. La atmósfera de hidrógeno se usa para evitar la
oxidación del germanio a altas temperaturas. En la figura 11.1 se ilustra un diagrama
de este proceso.
De acuerdo con la ley de distribución de Nernst,Z en el estado de equilibrio
térmico, un soluto diluido se distribuye entre dos fases disolventes, de manera que la
razón de la concentración del soluto en las dos fases es una constante independiente
de las concentraciones del soluto. Si por el momento se considera que las dos fases
están en equilibrio teniendo una cantidad de soluto en exceso sobre la cantidad que
se puede disolver en equilibrio, y si en ambas fases se forman soluciones ideales, es
obvio que la razón constante de las concentraciones debe ser la razón de las solubili-
dades en equilibrio del soluto en las dos fases disolventes. En el caso del proceso de
refinación por zonas, se puede considerar que existe un estado de equilibrio aproxi-
madamente3 entre el germanio sólido y líquido, que se pueden tomar como dos
fases disolventes, y las impurezas del sistemas actúan (o al menos eso se espera)
como solutos ideales. A continuación, cada soluto se distribuye asimismo entre las
fases sólida y líquida en la razón entre su solubilidad en el sólido y su solubilidad
en el líquido. Esta razón se cita frecuentemente como el valor de equilibrio K para
esa impureza específica. Puesto que la mayoría de los elementos de impureza son
mucho más solubles en la fase líquida que en la sólida, los valores de equilibrio K
para casi todas las impurezas son mucho menores que la unidad. En estas circuns-
tancias, conforme la zona líquida pasa lentamente por la barra sólida, la mayoría de
los átomos de impureza en el fundido se ven rechazados por el sólido en la interfaz,
en donde la región fundida se solidifica para formar nuevamente una barra sólida.
Cuando una sola zona fundida pasa por un lingote largo, los átomos de impureza
tienden a recogerse en el líquido y finalmente se precipitan sólo en el mismo
extremo del lingote cuando la última parte de la zona fundida se solidifica final-
mente. Este proceso de segregación se puede acentuar más todavía repitiendo el
proceso y terminando por pasar muchas zonas fundidas por el lingote. En el límite
Concentración Concentración
~=K
Cs
C
¡K- Cz -K*
Figura 11.2. Concentración de impurezas en las fases sólida y líquida cerca de una interfaz
SÓlido-lÍquida dentro de un aparato de refinación por zonas, (a) a una velocidad
baja de interfaz y (b) a una velocidad más alta de interfaz.
e,
K*= K·--. (11.1-1)
ero
(11.1-2)
(11.1-3)
en donde,
A = _c.;;,0=-B_L_ (11.1-4)
e8 I. - 1
y
K*=_!!!__
eBL - 1
(11.1-5)
En este caso, L es la longitud total del lingote. Para mayores datos sobre el
proceso de refinación por zonas, el lector debe consultar el artículo de Pfann4 0
una monografía reciente de Hannai. s Es evidente que el proceso de la retinacion por
zonas se puede aplicar no sólo al germanio, sino también a una gran variedad de
otros materiales. En la tabla 11.1 se da una lista de los valores de equilibrio K para
unpurezas que se encuentran comúnmente en el germanio y el silicio. Debe obser-
varse que el boro es la única impureza común cuyo valor de equilibrio K en el
germanio es mayor que la unidad, es decir, que el líquido la rechaza hacia el sólido.
Esta peculiaridad da como resultado la segregación del boro en el extremo de la
cabeza del lingote más que en su cola.
La preparación de silicio altamente puro principia casi siempre con la reduc-
ción del tetracloruro de silicio (SiCl4 ) o el triclorosilano (SiHCh) por medio del
hidrógeno a aproximadamente 11 00°C. La reacción se desarrolla de acuerdo con la
ecuación
SiHC1 3 + H 2 -+ St + 3HCI.
TABLA 11.1
Coeficiente de segregación de Ge y Si6 •7
p 0.12 0.04
As 0.04 0.07
Sb 0.003 0.002
8 20. 0.68
Al 0.1 0.0016
Ga 0.1 0.004
In 0.001 0.0003
Silicio
sólido
Zona generador de rf
fundida
Figura 11.3. Representación esquemática del proceso de zona flotante para la purificación d.:-:
silicio.
Horno de cuarzo
Soporte --r-E----1
Semilla Cristal
Atmósfera inerte
o vacío --"""""~
Figura 11.4. Representación esquemática del proceso de Czochralski para h·¡cer crecer monocristales
a partir de una fase fundida.
408 Tecnología de materiales y medición de propiedades volumétricas
éste se humedece o reacciona con todos los materiales que pueden utilizarse para
fabricar el bote. Sin embargo, se pueden obtener monocristales de silicio de alta
calidad utilizando una modificación adecuada del proceso de zona flotante.
Otro método que se usa con mucha frecuencia para el crecimiento de mono-
cristales, es la llamada técnica de Czochralski, en el que una semilla monocristalina
con la orientación deseada se sumerge en un fundido preparado a partir de un
material refinado por zonas y con una impurificación apropiada. El suministro de
calor al fundido se reduce y el cristal semilla se extrae lentamente haciéndolo girar
al mismo tiempo, como se indica en la figura 11.4. El diámetro del cristal óbtenido
puede controlarse regulando la velocidad de extracción y el suministro de potencia al
fundido. Un crisol de grafito puede ser satisfactorio para hacer crecer cristales de
germanio; pero se requiere un recubrimiento de cuarzo para el silicio. Aunque el
silicio fundido se humedece y reacciona con el cuarzo, el recubrimiento es atacado
con mucha lentitud y el crecimiento del cristal no se perturba gravemente. Parte del
oxígeno del recubrimiento de cuarzo se puede introducir a los cristales de silicio
obtenidos por esta técnica; pero no es una impureza eléctricamente activa y no
afecta seriamente la calidad del cristal para la mayoría de los fines experimentales o
técnicos. La técnica de Czochralski también se puede usar para hacer crecer mono-
cristales de los compuestos intermetálicos 111-V; pero para estas substancias se re-
quiere casi siempre un sistema cerrado para minimizar las pérdidas de los compuestos
volátiles. La extracción del cristal y la rotación con frecuencia se logran por medio
del sistema sobre armaduras ferromagnéticas del interior.
La posibilidad de hacer crecer epitaxialrnente regiones monocristalinas de silicio
ya se mencionó en conexión con la preparación de dicho elemento mediante la
reducción de fase de vapor de los cloruros. Este proceso es valioso, sobre todo para
hacer crecer regiones planas paralelas de tipos opuestos de conductividad o conden-
sidades de impureza abruptamente variables debido a que estas impurezas se pueden
incorporar (por ejemplo, como, PC1 3 o BC13 gaseosos) en la corriente de gas de
entrada. También se han desarrrollado procesos para adaptar esta técnica al uso del
germanio.
Además, se ha usado el crecimiento dendrítico del cristal para producir cris-
tales apropiados para utilizarlos en la tecnología de dispositivos semiconductores. El
crecimiento dendrítico se produce cuando un cristal semilla se inserta en un fundidc
superenfriado. En estas condiciones se inicia un crecimiento rápido semiforme CU) a
velocidad se determina de la razón a la que se puede alejar el calor latente de fusión
en la interfaz de solidificación. Si el cristal en crecimiento se estira hacia arrriba con
gran rapidez sac:\ndolo del fundido, se puede formar una tira dendrítica de semi-
conductor. Las v'elocidades de crecimiento del orden de 5cm/seg son típicas (er.
comparación con 1o- 3 cm/seg del proceso de Czochralski en el que el fundido nc
está superenfriado). La anchura y el espesor del cristal dendrítico se pueden con-
trolar dentro de ciertos límites, variando el superenfriamiento del fundido y la velo-
cidad con que se extrae la tira del fundido. También es muy posible, en el caso de:
germanio, producir tiras dendríticas de 1 a 5 mm de ancho y de 0.1 a 0.5 mm de
grueso. La longitud está limitada sólo por los arreglos que se puedan hacer pan
extraer la dendrita. Las superficies de los cristales dendríticos son ópticamente planas
y, si se toman ciertas precauciones en su crecimiento, pueden ser fundamentalmente
perfectos desde el punto de vista estructural. La ventaja más evidente del procese
dendrítico es que produce cristales que se pueden emplear directamente como mate-
rial inicial para dispositivos semiconductores, sin necesidad de recurrir a operacione1
de corte, pulido, grabado o ataque con ácidos que, de otra manera, son necesariu.
El espesor de las tiras dendríticamente crecidas se puede controlar de tal modo qut
sea muy uniforme, lo cual tiene gran importancia en muchos procesos de fabricación
de dispositivos. Se pueden producír con facilidad cristales dendríticos muy buenos de
Medición de la resistividad volumétrica 409
(11.3-1)
representa la resistividad del material que queda entre x y x + Ax. Si se hace una
serie completa de mediciones que incluyen incrementos constantes en el espaciamien-
Al potenciómetro (- l
Micrómetro para
r-.-.,.-,¡vuw11l\ proporcionar el
,...L_ __L_L:.::.:..::::__:=::::.:_:_:.:..:::.::::::~=L!-c.....I4Mt.IJJI movimiento
Base calibrado
de la muestra
Figura 11.5. Diagrama del aparato para determinar la resistividad volumétrica por el método del
potencial transversal.
410 Tecnología de materiales y medición de propiedades volumétricas
1
V=- (11.3-3)
2nua
en donde 1 es la corriente uniforme que fluye por las puntas probadoras externas y
a el espaciamiento entre las puntas adyacentes. Por tanto, la resistividad de la mues-
tra es
1 2naV
p=-=--. (11.3-4)
(1 1
Muestra
Figura 11.6. Diagrama esquemático del aparato de cuatro puntas para medir la resistividad.
Medición del contenido de impurezas 411
Terminal de voltaje
1
---1 Error de alineación
1
Io-
Figura 11.7. Geometría de las muestras usadas para las mediciones del efecto de Hall, mostran-
do el origen de las caídas óhmicas de voltaje debidas a una alineación deficiente
de los con tactos.
412 Tecnología de materiales y medición de propiedades volumétricas
(11.4-1)
~
Fuente de
alimentación
de alto
voltaje
Osciloscopio
t----..._--11---o
Figura 11.8. Representación esquemática para la determinación de los tiempos de vida de los
portadores en exceso a través de las mediciones de fotoconductividad transitoria.
Dislocaciones y otras imperfecciones 413
e - Vector de deslizamiento
,'
..1/
, A
Figura 11.9. Diagrama esquemático de un cristal que contiene una di~locación tipo borde. La
dislocación se puede considerar como producida por un deslizamiento que repre-
senta un espaciamiento de red en la dirección BC. Puede pensarse que el cristal
contiene el "plano adicional" de átomos, ABEF.
414 Tecnología de materiales y medición de propiedades volumétricas
Vector de
deslizamiento
fTornillo
/Vector de
deslizamiento
¡..___,,__.
Figura 11.11. Cristal que contiene una región de deslizamiento que origina una dislocación que
tiene, en parte, una orientación de tornillo y, en otra, una orientación de tipo
borde.
Dislocaciones y otras imperfecciones 415
8 Por supuesto, para ser observables incluso al microscopio electrónico, el vector de desliza-
miento de la dislocación de tornillo asociada con estas "espirales de crecimiento" deben exten-
derse muchas veces sobre la dimensión de la célula unitaria.
416 Tecnología de materiales y medición de propiedades volumétricas
Figura 11.12. Resolución de un desajuste atómico de una frontera de grano con ángulo
pequeño, mediante la formación de una hilera de dislocaciones tipo borde.
Figura 11.13. Dislocaciones tipo borde en una frontera de grano con un ángulo pequeño en un
cristal de germanio, tal como las descubren un ataque químico. La amplificación
es aproximadamente 600X ..[Fotografía del autor.]
•
• • • • •• • • • • • • •
• • • • • • • • • • •
• • • • • • • • • • • •
• • • • • • • • • • •
• • • • • • • • • • • •
• • • • • • • • • • • •
(a) ( b)
Figura 11.14. Defecto (a) de Frenkel y (b) de Schottky en una red cristalina.
o o o o o o o o o o o o
o o o o o o o o o o o
• • • • • • • o • • •
• • • • • • • • • • • •
• • •(a)• • • • • • • • •
( b)
o o o o o o o o o o o o
o o o • o o o
•o o o o
• • • •
o
• • • • •o
• • • • • • • • • • •
• • • • • • • • • • • •
(e) ( d)
o o o o o o
oooeoo
• • • • •
• • o • • •
• • • • • •
(e)
Figura 11.15. Interdifusión en una interfaz entre dos substancias diferentes, originada por el
movimiento de una vacante de red. Etapas sucesivas en el proceso de difusión.
de (a) a (e).
Dislocaciones y otras imperfecciones 419
EJERCICIOS
l. Derive las ecuaciones (11.1-2) a (1 1.1-5) a partir de las consideraciones fundamentales.
2. Se desea hacer crecer un monocristal de germanio tipo p con una resistividad de 2 a 5
ohms-cm mediante la técnica de Czochralski. Como material inicial se utilizarán 500 g de
germanio intrínseco refinado por zonas. ¿Qué cantidad de aleación de impurificación compuesta
de germanio que contiene 0.1 por ciento de galio atómico debe agregarse al fundente para que
la resistividad a la temperatura ambiente de la parte del cristal que crece iniciahnente sea 5
ohms-cm? Se puede suponer que el coeficiente de segregación apropiado es el de equilibrio que
se da en la tabla 11.1. ¿Cómo variará la resistividad del cristal así obtenida en función de su
longitud?
3. Use la teoría electrostática y de corriente uniforme, suponiendo una muestra
semünfinita homogénea e isotrópica, para derivar la ecuación (11.3-3) para el aparato de rt>sistividad
de cuatro puntas. Demuestre explícitamente que la solución satisface todas las condiciones necesarias
de frontera. Nota: Principie tomando en cuenta el campo electrostático creado por una carga
positiva puntual y una carga negativa puntual en el espacio libre.
4. Una frontera lineal de Burgers en un cristal cúbico simple crea una línea de pozos
atacados con ácido, con un espaciamiento de 2 X 10-4 cm, cuando el cristal se ataca química-
mente. Suponiendo que la constante de red del cristal es 4 X 10-8 cm, encuentre el ángulo de
desajuste entre las secciones del cristal en los lados opuestos de la frontera lineal.
5. Una punta metálica de prueba establece contacto con un cristal semiconductor semünfi-
nito de una conductividad constante a. Se hace pasar una corriente constante conocida, / 0 , por la
punta hacia el semiconductor. Suponiendo que la interfaz entre la punta de prueba y el semicon-
ductor es una semiesfera de radio a que se extiende dentro del semiconductor, en donde el
centro queda en el plano de la superficie del semiconductor y que no se inyecta un exceso de
portadores a través de la punta, calcule la impedancia (resistencia de dispersión) del contacto.
LECTURAS RECOMENDADAS
W. Bardsley, "The Electrical Effects of Dislocations in Semiconductors," en Progress in Semicon-
ductors, Vol. 4, Heywood and Co., Londres (1960), p. 155.
A. H. Cottrell, Dislocations and Plastic Flow in Crystals, Oxford University Press, Nueva York
(1953).
l. G. Cressel y J. A. Powell, "The Production of High Quality Germanium Single Crystals," en
Progress in Semiconductors, Vol. 2, Heywood and Co., Londres (1957), p. 137.
P. Haasen y A. Seeger, "Plastische Verformung von Halbleitern und ihr Einfluss auf die Elek-
trische Eigenschaften," en Halbleiterprobleme, Vol. 4, Friedrich Vieweg and Sohn, Braun-
schweig (1958), p. 68.
N. B. Hannay, "Semiconductor Chemistry," en Proceedings of the lnternational School of Phy-
sics, "Enrico Fermi" Course 22 (Semiconductors, Academic Press, Inc., Nueva York
(1963), p. 341.
w. G. Pfann, "Techniques of Zone Melting and Crystal Growing," en Salid State Physics, Ad-
vances in Research and Applications, Vol. 4, Academic Press, lnc., Nueva York (1957),
p. 423.
W. G. Pfann, Zone Melting, John Wiley & Sons, Nueva York (1958).
W. T. Read, Dislocations in Crystals, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1953).
W. Schockley, J. Holloman, R. Maurer y F. Seitz (editores), lmperfections in Nearly Perfect
Crystals, John Wiley & Sons, Nueva York (1952).
R. K. Willardson y H. L. Goering (editores), Compound Semiconductors, Vol. 1, Reinhold Pu-
blishing Corporation, Nueva York (1962).
Teoría de las uniones p-n de
los semiconductores
421
422 Teoría de las uniones p-n de los semiconductores
----------~~------------ --x
tipo-n tip01J ti po-n tipo-p
Unión Unión
(a) (b)
Figura 12.1. Concentraciones de átomos de impureza en la cercanía de (a) una unión p-n
abrupta y (b) una unión p-n graduaL
Figura 12.2. Diagrama que ilustra la formación de las capas de carga espacial y el campo
eléctrico interno mediante la difusión de portadores mayoritarios cerca de una
unión hacia la región con un tipo de conductividad opuesta.
(12.1-2)
•, ... 1 •,-x
•rp +++ ++ +++++++ +++ + + 0._--~------,-------
+ ++ + + + + +1 + + -e </>(X)
+ +
+
+ 1
+ : 1
---------:----
+ + +
~-+-1
+ •••
--r--sc- +sc+-
Unión
tip01) ti po-n
(Densidad de receptores N0 ) (Densidad de donadores Nd)
( 12.2-5)
~
y~
V0 (Positivo) e (1(>0 -1{¡)
~ V0 (Negativo) eof>o
- -~,
----!---- -~ ----1---
"'-. Con el potencial
. '' L
'------ aplicado ' ... _ --"'10.
'Aplicando
f ............_____ potencial
eof> ~
____¡~ ___ )~""----- Aplica~d1o
t- potenc1a
Sin aplicar
potencial
(O) (b)
Figura 12.4. Diagrama de la energía potencial que presenta el efecto de (a) un voltaje de
polarización directa y (b) de polarización inversa en la configuración de bandas de
energía en una unión p-n.
426 Teoría de las uniones p-n de los semiconductores
Ahora se verá el modelo general de una unión p-n como la que se ilustra en la
figura 12.5. Como se ha representado en esta figura, existe un voltaje aplicado V 0
(negativo en el dibujo) al igual que un potencial interno t/> 0 . En estas circunstancias.
se tendrán flujos de corrientes eléctricas y el estado del sistema ya no será de
equilibrio térmico. Por esta razón, no se puede definir ya un nivel único de Fenm
para todo el cristal. Sin embargo, se supondrá que lejos de la unión prevalecen las
condiciones de equilibrio y que las densidades de huecos y electrones en esos puntos
se pueden describir mediante las distribuciones de Fermi relacionándolas con los dos
niveles de Fermi E¡no y E¡po· Por supuesto, si no se aplica un voltaje, el sistema
estará en equilibrio y E¡no y E¡po serán equivalentes; pero como están las cosas, es
obvio, de acllerdo con la figura, que deben diferir en eV0 • Cuando se aplica un
voltaje a la unión, resulta que, como se demostrará sin lugar a dudas más adelante.
la concentración de portadores minoritarios en las regiones n y p contiguas a las
capas de carga espacial se ven seriamente perturbadas en sus valores de equilibrio, en
tanto que la concentración de portadores mayoritarios se ven muy afectados en lo
-e4>(x)
.,P(x)
T
'fpo
f~p
-......._:---------"""T"--t---;-+T---f'"'-- -l, ..... ,
Figura 12.5. Diagrama que ilustra los detalles de los potenciales en las bandas de energía y los
niveles casi Fermi de una unión p-n en presencia de un voltaje aplicado.
Potenciales y campos en las cercanías de una unión p-n 427
Pi -Xo_) = e•<<l>o-Vo)/kT
(12.3-2)
P.(xo +)
Para mayor facilidad, se escogerá el origen que se indica en la figura 12.5 tal
que en ese punto el potencial sea cero. 3 Además, la función de potencial ¡j>(x), que
contiene una constante arbitraria adicional, se definirá en relación con los bordes de
la banda de conducción y valencia de tal modo que tenga la posición del nivel
intrínseco de Fermi con respecro a ellos. En estas circunstancias se puede escribir
(1 2.3-4)
(12.3-5}
(1 2.3-6)
(12.3-7)
3 Por ahora se supone que las densidades de donadores y receptores son funciones de la
distancia aunque la figura 12.5 se ha dibujado, para mayor simplicidad, como si fueran constan-
tes.
Modelo matemático simplificado de la unión p-n abrupta 429
(12.3-9)
d 2 </J _ . h erp- N •)
- =4nen¡
-dx2 -K - ( 2 Sll1 --+-
kT n¡
(x < O) (12.3-13)
y otra para el potencial tP+(x) en la región (x > 0), que se puede escribir como sigue
p(x)
eNd 1------r:-,...,
\
\
~------~-~x~o~------1--------~~'------~--.x
''\ Xo+
1
1
1
\ 1
' -eN0 1
1
j---sc -1----+sc -.j
tipo-p Unión tipo-n
Densidad de receptores N.= const. Densidad de donadores Nd =const.
Figura 12.6. Densidad real de carga (curva punteada) y la densidad de carga supuesta en el
modelo aproximado de la sección 12.4 (curva continua) correspondientes a una
unión abrupta p-n para la que <Po ~kT/e.
(O<x<xo+), (12.4-1)
Si se supone que todo el voltaje aplicado a la muestra aparece como una caída
potencial en la región de la unión, entonces, en las regiones que quedan más allá de
las fronteras de las capas de carga espacial el potencial debe ser constante, por lo
cual,
(12.4-6)
en donde E+(x) y E_(x) representan los campos en las regiones (x >O) y (x <O) y
E 0 es el valor común en el origen.
Las ecuaciones (1 2.4- 1) y (1 2.4-2) se pueden integrar para obtener
(O<x<x 0 +) (12.4-8)
y
d<f>_ 4neNa
- = - - x + B = -E_(x) (-x 0 _<x<O) (12.4-9)
dx K
4neNd 4neNa
A = - - x0 + y B=--Xo- (12.4-10)
K K
d<f>_ 4neNa
- - = - - (x 0 +- x) = -E+(x) (0<x<x 0 +) (12.4-1 J)
dx K
432 Teoría de las uniones p-n de los semiconductores
y
d4J_ 4rreNa
- = - - (.x + x 0 _) = -E_(x) (-x 0 _<x<0) (12.4-12)
dx K
4neN.x 0 _
(12.4-14)
K
(O<x<xo+) (12.4-16)
2neN.
4J_(x) = - - (x + x 02 _) +D. (-x 0 _<x<O) (12.4-17)
K
El punto cero del potencial se puede escoger arbitrariamente; para mayor faci-
lidad se seleccionará de tal modo que cf>+(O) = cf>_(O) =O. Si se substituye esto una
vez en (12.4-16) y (12.4-17), se pueden evaluar tanto C, como D. Combinando estos
resultados con (12.4-4) y (12.4-5) se ve claramente que el potencial debe tener la
forma
(0 <X< Xo+)
( 12.4-18)
2neN.
4J_(x) = - - [(x + x 0 _) 2 - x~_J (-x 0 _<x<O)
K
(12.4-19)
_.. (- Xo- ) = _ 2rreN.x~-
= 'l'- . (x < -x 0 _)
K
Modelo 111/ltemiÍtico simplificaclo de 14 unión p-n abrupta 433
(12.4-20)
K((j> 0 - Vo) Na
Xo+ = (12.4-21)
2ne Ni N d + N a)
(12.4-22)
P(x) E(x)
V¡¡=O
eNd 1----rL,------, t
V.> O _j V.o< O -!11
o l 1
1 ! -x
\ /
/ -x
1 ! \
\ /
/
1 !
L--- -L-t-~-==l- - eNo
\
\Ea
\
/
/
/
\ Ea V¡¡<O /
1 \ \.-/
(a) ( b)
' \ /
/
/
Eo
4> ( x)
V¡¡< O
------ ...... ...
''
''
--"------
-v;>_o______\ ,
\
\
\~
\
\
. -------
\
\
\
\
\
\
\
(e) ''
' ... ... ...
Figura 12.7. Representación esquemática de (a) densidad de carga, (b) el campo eléctrico y (e)
el potencial en las cercanías de una unión abrupta p-n en presencia de varios
voltajes aplicados, según se calcularon de acuerdo con los métodos de la sección
12.4.
4> (x)
Figura 12.8. Representación aproximada del potencial cerca de una unión abrupta p-n en
condiciones de intensa polarización directa.
de dicha umon sea diferente del voltaje externamente aplicado. Entonces, el poten-
cial adquiere una forma semejante a la que se ilustra en la figura 12.8. En la
tabla 12.1 se dan algunos valores numéricos para las propiedades de las capas de
carga espacial asociados con uniones p-n típicas del germanio.
Los resultados de la sección anterior sugieren claramente que una unión p-n se
comporta en muchas formas de un modo semejante a un capacitar de placas parale-
las. Se tienen dos capas de carga espacial que contienen cantidades iguales y opues-
tas de carga, y la cantidad de carga perteneciente a las capas aumenta conforme se
incrementa el voltaje inverso. La carga asociada con un área unitaria de la región de
carga espacial positiva en el lado n de la unión, es claramente el producto de la
densidad de carga eNd y el volumen x 0 + de la región de carga espacial correspon-
diente a una unidad de área de la unión. La carga por unidad de área de capa de
carga espacial negativa en el lado p, se puede calcular en la misma forma. En ambos
casos, se ve claramente con la ayuda de (12.4-21) o (12.4-22), que la carga por
unidad de área de unión es
(12.5-1)
(12.5-2)
436 Teoría de las uniones p-n de los semiconductores
De acuerdo con esto, se puede llegar a la conclusión de que las uniones en las
que tanto la región p como, la región n están fuertemente impurificadas, tendrán
una capacitancia muy alta, en tanto que si la región n o la p o bien, ambas, están
levemente impurificadas, la capacitancia será mucho menor. Para voltajes de polariza-
ción inversa que sobrepasan notablemente el potencial de contacto interno <Po, se
encontrará, de acuerdo con (12.5-2), que e varía casi proporcionalmente a
(- V0 ) 1 12 • En efecto, esta variación de capacitancia es característica de las uniones
abruptas que se encuentran en dispositivos fabricados por medio de procesos de
aleación. Las uniones graduales o no abruptas tales como las que se encuentran en
muchos dispositivos elaborados mediante la difusión de impurezas tipo n en un
cristal tipo p, o viceversa, presentan una capacitancia que varía con el voltaje inverso de
un modo más lento que aquélla. Por ejemplo la capacitancia de una unión lineal-
mente gradual con polarización inversa, varía con el voltaje como (- V 0 )- 1 13 •
Para rectificadores de unión abrupta, las mediciones de capacitancia proporcionan
una forma sencilla para determinar el potencial de contacto interno <Po. Con este fin.
la ecuación (12.5-2) se puede reordenar en la siguiente forma
(12.5-3)
Figura 12.9. Una gráfica de 1/C 2 en función del voltaje de polarización, que ilustra la determina-
ción del potencial de contacto interno y las concentraciones de impurezas receptoras
y donadoras a partir de las mediciones de capacitancia.
4 Este es casi siempre el caso en uniones producidas mediante procesos de aleación, como
se verá más adelante.
TABLA 12.1.
Propiedades de uniones abruptas p-n en el
germanio (K = 16)
EJERCICIOS
l. Demuestre que existe una discontinuidad en el potencial electrostático de una magnitud
47T A en donde .::l es el momento dipolar por unidad de área, en los lados opuestos de una capa
dipolar eléctrica.
2. Se intenta medir el potencial de contacto interno de una unión p-n conectando un
voltímetro de alta impedancia con conductores de cobre, a contactos que se encuentran en los
lados opuestos del cristal que contiene una unión. El voltímetro indica una lectura de cero. Un
potenciómetro substituye al medidor, pero la lectura sigue siendo cero. Explique físicamente la
falla de estos dos métodos y analice los potenciales de contacto entre el cobre y las regiones
tipo n y tipo p.
3. Utilice el teorema del flujo eléctrico de Gauss para demostrar que el campo eléctrico
debe ser continuo en todas partes excepto en una superficie que tiene una distribución de carga.
4. Explique físicamente por qué el ancho de la región de carga espacial de una unión
abrupta p-n es proporcional a la raíz cuadrada más que a la primera potencia de la caída de
potencial de la unión 1/>o- V0 •
5. Encuentre expresiones aproximadas para los potenciales, los campos y el ancho de las
capas de carga espacial asociadas con una unión linealmente gradual en la que
Nd = O, N. = - cxx (x < 0)
N. = O, Nd = cxx (x >0)
donde a es una constante. Suponga que la caída total de potencial en la región de carga espacial
es 1/Jo- Vo y que 1/Jo- Vo ~kT. Nota: use una extensión de los métodos expuestos en la
sección 12.4.
6. Encuentre la capacitancia diferencial por unidad de área asociada con la unión lineal-
mente gradual del ejercicio 5.
7. Demuestre la forma en que el potencial de contacto interno y Na y Na se pueden
obtener a partir de una gráfica de datos experimentales como la que se muestra en la f¡gu-
ra 12.9. Derive fórmulas explícitas para Na y Na en función de la pendiente de la gráfica
experimental y el potencial interno 1/>o.
LECTURAS RECOMENDADAS
J. D. Jackson, Classical Electrodynamics, John Wiley & Sons, Nueva York (1962), capítulo l.
Allen Nussbaum, Semiconductor Device Physics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs N. J.
(1962), capítulo 4.
W. Shockley, Electrons and Holes in Semiconductors, D. van Nostrand Co., Inc., Nueva York
(1950).
R. A. Smith, Semiconduc10rs, Cambridge University Press, Londres (1961),
E. Spenke, Electronic Semiconductors, McGraw-Hill Book Co., lnc., Nueva York (1958).
CAPITUW 13
Rectificadores de unión p-n
•
.y transiStores
f-ec#>
-- - - -
-- -- - = ~e
.,
+ + + +
+ ++
+ + Vo= O --x
+
+ +
Carga espacial + + +
••
+
+ +
Jp,- -Jp,
tipo-p ti po-n
Figura 13.1. Diagrama de potencial de una unión p-n en condición de equilibrio, en donde
se muestran las distribuciones de portadores de carga y los flujos de generación y
recom binación.
440 Rectificadores de unión p-n y transistores
-eq,
-eq,
V0 <O _ tipo-n
+++++++
++++++
+ + + +
+ + +
-x
+
+ + +
tipo-p +
+
~-----.,.+ <V Jp,---· -Jpg
-Jpg
Unión tipo-p Unión tipo-n
(a) ( b)
Figura 13.2. Diagrama de potencial de una unión p-n (a) con polarización inversa, (b) con
polarización directa, en donde se señala cómo se modifican los flujos de genera-
ción y recombinación.
Teoría del rectificador de unión p-n 441
J pr = J pge•VofkT (13.1-1)
y
J nr = J ng e•VofkT • (13.1-2)
Figura 13.3. Relación corriente-voltaje de una unión p-n, con la región de ruptura inversa.
442 Rectificadores de unión p-n y transistores
(13.1-3}
(13.1-4¡
(13.1-6}
en donde,
y (13.1-9)
(región-p) (13.1-14)
(región-n) (13.1-15)
y
(13.1-18)
Estas ecuaciones permiten ver que para una polarización inversa {V0 <O) la
concentración de electrones en la región p y la concentración de huecos en la región
n son menores que el valor de equilibrio; en este caso, la concentración de porta-
dores minoritarios en exceso es negativa. Se puede afirmar lo contrario cuando el
voltaje de polarización aplicado tiene un sentido directo (V0 > 0). Las ecuaciones
{13.1-19) y {13.1-20) se pueden emplear para encontrar las corrientes de huecos y
electrones que fluyen dentro de las regiones de carga espacial desde el lado n y el
lado p del cristal, respectivamente. Se supondrá que la corriente de electrones que
cruza la unión es la misma que la corriente de electrones minoritarios que fluye
dentro de la región de carga espacial, desde el lado p, y que la corriente de huecos
que cruza la unión es igual a la corriente de huecos minoritarios que fluye dentro
de la región de carga espacial, desde el lado n. Al hacer esto, se está desechando
cualquier generación o recombinación térmica de portadores que pueda ocurrir den-
tro de la capa de carga espacial propiamente dicha. 3 Esto se justifica por el hecho
de que el espesor de la capa de carga espacial es, en la mayoría de los casos, muy
pequeño y los campos muy altos dentro de la capa de carga espacial aceleran casi
siempre a los electrones desde el lado p, y a los huecos desde el lado n, para que
atraviesen la capa en un intervalo muy pequeño en comparación con sus tiempos de
vida. Al hacer esta simplificación, la corriente de unión se puede evaluar determi-
nando las corrientes de difusión de los portadores minoritarios en las fronteras de la
región de carga espacial, lo cual da
JiO}~Jn(-Xo_)=
dndP)
-Dn ( - n 0 D"(eeVo/kT -1}
= _ __f!____L (13.1-21)
X -xo- n
y
J p(O),..,
=
(dp")
J p(x O+ ) = -D p d = PnoDp
L (eeVofkT _ l} . (13.1-22)
X XO+ p
Este resultado tiene la misma forma que el que se obtuvo anteriormente como
(13.1-5); ahora, la corriente de saturación es
(13.1-24)
(13.1-25)
(13.1-26)
Concentración Concentración
Región
tipo-p
np(x) Región
.
tlpO-n -·
de la unión de la unión
(a) Polarización directa (b) Polarización inversa
Figura 13.4. Concentraciones de electrones y huecos en la cercanía de una unión p-n (a) con
polarización directa y (b) con polarización inversa.
(13.1-27)
(13.1-28)
IVc, Potencia
Corriente
1saturación
alta de
Corriente
baja de
Región saturación
de ruptura
Figura 13.5. Disipación de potencia de un rectificador de unión p-n en función del voltaje
aplicado.
mente grave para que se abandone este planteamiento y vuelva a comenzarse desde
el principio. Como se verá, en la mayoría de los casos no sucede esto. Por ahora, la
atención se deberá enfocar en la región n del dispositivo (x > x 0 +)· Obviamente, en
esta sección del dispositivo, los flujos de partículas Jn y JP se pueden expresar
como
dn,.
Jn = -Dn -
dx - nnrn
"E (13.2-1)
y
(13.2-21
op (13.2-3)
--=V·I=O
at
en donde p es la densidad de carga. En el sistema unidimensional que se está
viendo, esto significa que
dl/dx =O, ó l(x) = e(Jp(x)- Jix)) = const. (13.2-4)
de donde,
dn,. dp,.
-=- (13.2-6)
dx dx
E_ kT b
- eLP b + 1
(t + Pno
npo LP)
Ln
(13.2-12)
(13.2-13)
D
Lp e-<x-xa+)/Lp ~ J.lp(l + (eeYo/kT- l)e-<x-xa+)/Lp)
p
(13.2-14)
(13.2-15)
(13.2-16)
S Por supuesto, en algunos casos y debido a las caídas óhmicas dentro de las regiones
volumétricas p y n, ya no se podrá identificar a V0 como el voltaje total aplicado, sino sólo
como la caída que se produce en la región de la unión.
452 Rectificadores de unión p-n y transistores
X+ X 0 _ X+ Xo-
np- npo = A cosh + B senh L (x <O) (13.3-1)
L. n
X- Xo+ X- Xo+
p.- P.o = C cosh + Dsenh L (x > 0). (13.3-2)
LP P
(13.3-3)
(13.3-4)
+
dp 1 dn
1
q,-x +x x
0 0_ 0 d.-x 0+
tipo-p
1
1
Contacto
1 1 metálico 1
-sc +se
1
l "óhmico" metálico
Superficie, 1
"óhmico"
velocidad de 1 1 Superficie, X
0-
_j
recombinación tipor 1 tipo-n
Sp velocidad de
recombinación s. x=O -x
1 Unión
x=O
--x
Unión
(a) (b)
Figura 13.6. (a) Geometría del rectificador fmito p-n que se vio en la sección 13.3. (b)
Geometría de un rectificador fmito típico p-n que se puede producir mediante
procesos de aleación o difusión.
(región-p) (13.3-6)
en donde
(13.3-7)
(13.3-8)
y
/' -
o- e
(npoD. r
L ~P
+ P.oDp r)
L ~• . (13.3-10)
• p
454 Rectificadores de unión p-n y transistores
ló = 10 (13.3-11)
en donde / 0 es la corriente de saturación del diodo infinito, tal y como está dada
en (13.1-24). Si sn >Dp/Lp y sp >Dn/Ln, entonces, ~n y ~P tendrán valores mayores
que la unidad, y la corriente de saturación sobrepasará a la del dispositivo infmito:
si Sn <Dp/Lp y Sp <Dn/Ln, ~n y ~P serán menores que la unidad y la corriente
de saturación será más pequeña que la del dispositivo infinito. En el límite en donde sn
y sp tienden a cero, se puede escribir
Los contactos extremos metálicos y "óhmicos" de área grande que se utilizan con
frecuencia como terminales extremas, como se ilustra en la figura 13.6(b), se com-
portan casi siempre en la misma forma que las superficies con una velocidad de
recombinación extremadamente alta. Es razonable esperar este comportamiento desde
un punto de vista físico, ya que un contacto que es eléctricamente óhmico no
inyectará corrientes de portadores en exceso. En efecto, debe actuar de tal manera
que mantenga la concentración de portadores en equilibrio en la región adyacente del
semiconductor. Sin embargo, así se comporta una superficie con una velocidad de
recombinación muy alta, de acuerdo con la ecuación (10.5-14). Por tanto, la ecua-
ción (13.3-13) puede aplicarse a la estructura del rectificador que aparece en la
figura 13 .6(b ).
Al incrementar el voltaje de polarización inversa en este tipo de dispositivos,
las capas de carga espacial aúyacentes a las uniones se extienden más y más dentro
de las regiones volumétricas p y n. Entonces, las distanciasdp- x 0 _ y dn- x 0 +
varían con el voltaje de acuerdo con (12.4-21) y (12.4-22), y se observa que la
corriente de saturación (13.3-10) depende en parte del voltaje aplicado al igual que
de los otros parámetros que aparecen ahí. Cuando dn y dp son grandes en compara-
ción con el valor más alto que x 0 + o x 0 _ pueden tener antes de llegar a la
condición de ruptura, esta variación de la corriente de saturación con el voltaje de
polarización es insignificante; pero si x 0 + o x 0 _ llegan al orden de dn o dp a un
voltaje aplicado que pueda lograrse en la práctica, entonces el efecto puede ser muy
importante. Si la velocidad de recombinación en la terminal extrema es muy alta,
Rectificadores de unión de tamaño finito 455
la corriente de
saturación aumenta
gradualmente con el
voltaje de polarización inversa
Perforación
Túnel de electrones
a través de una
-e4>(xl t barrera delgada
~~~~·'
~
~Electrones E•O E>O E grande
~libres
~
Metal Vacío Metal Vacío Metal Vacío
(a) (b) (e)
Barrera de potencial
que separa al electrón
en A del estado vacío
de conducción de
igual energía en
·~------..---
B-----...: 1
~,..~
",..
1 ",..
1 ~,..
e:.. 1 ",..B
··w,aÉÍ~~tr'o'~is~A
E=O
-x
Figura 13.9. Diagrama de potencial de un semiconductor volumétrico uniforme que presenta las
etapas sucesivas conforme se incrementa en forma gradual un voltaje aplicado
externamente. (e) La emisión interna de campo se produce y los electrones for·
man un túnel a través de la delgada barrera de potencial, desde la banda de
valencia hasta la de conducción.
458 Rectificadores de unión p-n y transistores
··n:_ !l.
ti po-n
Figura 13.10. Diagrama de potencial de una unión p-n (a) con polarización cero, (b) con una
alta polarización inversa. En (b) se produce la ruptura Zener, cuando los electro-
nes establecen un túnel a través de la delgada barrera, desde la banda de valencia
a la de conducción.
unión en donde tanto la región p como la n tienen una fuerte impurificación, dando
también como resultado (de acuerdo con la ecuación (12.4-24) y las cifras de la
tabla 12.1) regiones de carga espacial de la unión que son muy angostas, en donde
existen campos elevados internos incluso a un voltaje aplicado de cero.
En el mecanismo de avalancha, la ruptura de la unión se produce cuando los
electrones y los huecos adquieren la suficiente energía entre colisiones, proveniente
de un campo eléctrico elevado, en la región espacial de la unión, para crear pares
electrón-hueco, debido a la ionización por impacto de los enlaces covalentes de red.
Este efecto es similar a la ionización de avalancha Townsend para un gas, en donde
los electrones dentro de un medio gaseoso adquieren la suficiente energía, entre
colisiones, a partir de un campo aplicado para ionizar los átomos con los que
chocan. Los electrones y los huecos que se crean de esta manera, pueden a su vez.
adquirir la suficiente energía del campo para crear otros pares por ionización de
impacto, iniciando una reacción en cadena que lleva a corrientes inversas muy ele-
vadas.
Para que se. produzca una avalancha, un electrón o un hueco debe adquirir la
suficiente energía del campo al recorrer una distancia del orden de la trayectoria
libre media para crear un par electrón·hueco. Entonces, se llega a la condición para
una ruptura de avalancha cuando el campo en la región de la unión alcanza un valor
crítico Eb tal que
o bien,
(13.4-1)
Mecanismos físicos de ruptura en las uniones p-n 459
( 13.4-2)
cSb' ~~~
a 200"C
Unión
T= soo•c T = 200"C
(o) (b) (e)
Aleación de In solidificada
T = 20"C
(d)
Figura 13.11. Etapas sucesivas de la fabricación de un rectificador p-n de aleación.
Técnicas de fabricación de la unión p-n 461
(13.5-1)
y también que
lim c(x,t) = O. (13.5-3)
en donde
2cx fx
erfc cxx = l - erf cxx = 1 - J1r. 0
2 •2
e-~ x dx'. (13.5-5)
10 El coeficiente de difusión D que se usa aquí no debe confundrrse con los coeficientes
de difusión Dn y Dp para electrones y ruccos. El coeficiente de difusión que aquí se estudia es
el que se relaciona con la difusión de impurezas de substitución en la red mediante un meca-
nismo de vacantes que se vio en el capítulo 11, y es mucho más pequeño que Dn y Dp: Los
valores típicos de las impurezas comunes de substitución en el Ge están dentro del rango de
10 -12 - 10 -13 cm2fseg a temperaturas de 800°C.
Transistores de unión p-n-p y n-p-n 463
tración, según lo que establece la ecuación anterior, para varios valores distintos de
tiempo de difusión. En esta figura se indican también las posiciones sucesivas de la
unión para cada valor de tiempo de difusión.
Las uniones fabricadas por difusión pueden ser graduales o muy abruptas,
dependiendo del tiempo de difusión, la concentración superficial y la densidad de
impurezas en el cristal original. Aunque la adición de los cables a las capas difun-
didas presenta ciertos problemas técnicos, la facilidad y precisión con que se puede
controlar el espesor de las capas difundidas ha conducido al uso generalizado de la
difusión como técnica de fabricación. En la figura 13.14 se ilustran las etapas de la
producción de un transistor difundido p-n-p.
Material rebajado
mediante el ataque
p- Ge
J c----P----:) l"fmfco ~
(O) (bl (el
~ :~
n
p
n
(d)
en donde leo es la corriente de saturación del emisor. Del mismo modo, se puede
escribir la siguiente relación de corriente-voltaje en el colector
(13.6-2)
(13.6-3)
kT 1,
V,=-ln-, (13.6-5)
e 1,0
dV = kT di, (13.6-6)
' e l, ·
(13.6-8)
(13.6-9)
( 13.6-101
466 Rectificadores de unión p-n y transistores
e 1,0
Esta ecuac10n expresa la ganancia de potencia en c-d con señal pequeña del
dispositivo. En un caso típico, se podría esperar que los valores de los diferentes
parámetros fueran más o menos como sigue: le= 10 maleo= 10 /.lfl, a= 0.99,R 1 =
1000 ohms y kT/e =1/40V a 300°K. Si se substituyen estos valores en la ecuación
anterior, se obtiene una ganancia de potencia de aproximadamente 100.
La ganancia de corriente del dispositivo es la relación dlc/dle. De acuerdo con
(13.6-8), es obvio que esta cantidad es sencillamente a y que, en general, de acuerdo
con (13.6-2), la ganancia de corriente puede representarse como
ex- -(ole)
- oJ, Ve
(13.6-12)
'---.-b.---' Contacto
b
óhmico
de base
(o) ( b)
(13.6-13)
Pn- Pno_ O
2 - (x >O; región de la base) (13.6-14)
LP
13 Además, existe una posibilidad de que la eficiencia del colector no sea la unidad, por
que parte de la corriente de colector se deberá a la emisión de portadores minoritarios que va
desde la región del colector hacia la región de la base. No obstante, en las condiciones normales
de polarización de colector, este efecto es tan pequeño que puede desecharse, en comparación
con los dos efectos antes vistos. Por tanto, aquí sólo se toma cuenta explÍcita de los dos efectos
mayores.
468 Rectificodores de unión p-n y transistores
Por tanto, esto hace suponer que todas las caídas de voltaje aparecen en las
uniones y, en consecuencia, no existen campos en las regiones volumétricas y, tam-
bién, que las densidades de portadores inyectados son pequeñas en todas partes en
comparación con las cantidades de portadores mayoritarios en equilibrio. También se
supondrá que el efecto de la generación y recombinación de portadores dentro de
las regiones de carga espacial asociadas con las uniones, son despreciables y que la
extensión de tales regiones es pequeña en comparación con el espesor de la región
de base. En estas circunstancias, lo único que se requiere es aplicar condiciones de
Unión
del colector
x=O X=d -X
Figura 13.17. Geometría y notación utilizadas en el análisis del transistor planar p-n-p de la
sección 13.6.
(13.6-15)
(13.6-18)
y
X X
Pn - Pno = C cosh - + D senh- (x > 0). (13.6-20)
LP LP
De acuerdo con (13.6-15), se ve que B =O; en este caso, las condiciones de
frontera para electrones y huecos en la unión del emisor están dadas por
(13.6-21)
y
(13.6-22)
Pn- Pno = Pno[(eeV,fkT- 1) cosh ~- {<eeV.JkT- 1) ctnh .!!._ + csch .!!...} senh ~]
LP LP LP LP
(13.6-25)
Las corrientes de electrones y huecos que pasan por las uniones de emisor se
evalúan como se hizo en el caso del rectificador p-n, lo cual da
(13.6-29)
(13.6-31)
Este resultado se obtuvo suponiendo que Ve> kT/e; pero se puede demostrar,
usando un método de cálculo más preciso, que (13.6-31) es correcta, ya sea que se
satisfaga o no esta condición. Los detalles de esta proposición están asignados en el
ejercicio 13.6 al final de este capítulo. Es evidente que, para que a sea tan grande
como sea posible, es necesario que la anchura de la región de base tenga un mínimo
posible, y que la longitud de difusión Lp (y, por ende, el tiempo de vida de los
huecos dentro de la región de base tipo n) sea también lo más grande posible;
además, para proporcionar la máxima eficiencia de inyección de huecos, la densidad
de impurificación del emisor Ppo debe ser mucho mayor que la densidad de impu·
reza nno en la región de base del dispositivo. Esta última condición se satisface
automáticamente, cuando los transistores de germanio p-n-p se fabrican por el pro-
ceso de aleación, utilizando trocitos de indio para formar las regiones de emisor
y colector recristalizadas y germanio tipo n para moderar la densidad de impurezas
de la base.
De acuerdo con las suposiciones que se hicieron en estos cálculos, se encuentra
que la ganancia de corriente es independiente de la corriente de emisor. Para valores
muy grandes de ésta, la densidad de portadores en exceso en la región de la base.
cerca del emisor, puede ser igual o sobrepasar a la densidad de portadores mayori-
tarios en equilibrio en ese punto. Cuando esto sucede, ya no se puede utilizar la
forma simple de las condiciones de frontera en la unión, tal como lo indican
(13.1-12) y (13.1-13), y es necesario adoptar la forma más general (que se describe
en la nota al calce 1 de la sección 13.1). Entonces, se puede demostrar que la
eficiencia de inyección de huecos de la unión de emisor desciende por debajo del
valor dado por (13.6-29), existiendo en la unión una corriente mayor de electrones
Transistores de unión p-n-p y n-p-n 4 71
que la que podría esperarse de acuerdo con la teoría de nivel bajo. Esta reducción
en la eficiencia del emisor lleva a una reducción en la ganancia de corriente a
grandes valores de corriente de emisor. La disminución en la eficiencia de emisión se
sugiere de acuerdo con la forma de (13.6-29), en donde se obtiene una reducción en
el valor de T/p para grandes corrientes de emisor, si la relación real (nn(O)/pp(O)) se
usa en lugar de la relación de equilibrio nno/Ppo, siendo la relación verdadera mu-
cho mayor que la relación de equilibrio en condiciones de una gran polarización
directa, debido a que la condición de casi neutralidad requiere que cuando se inyec-
tan grandes concentraciones de huecos en exceso en la región n, deben ir acompaña-
das de concentraciones equivalentes de electrones excedentes.
El análisis anterior se ha concretado a la determinación de la ganancia de
corriente en función de los parámetros del dispositivo en una condición de estado
estacionario y, por ende, para una frecuencia cero. Para señales sinusoidales, se
observa que la ganancia de corriente decrece al aumentar la frecuencia. La razón de
este efecto se basa en la naturaleza del proceso de difusión. Si se aplica una señal
sinusoidal al emisor de un transistor, en la región de base se genera una concentra·
ción de densidad de portadores en exceso que varía de un modo también sinusoidal.
En estas condiciones, los portadores se difunden saliendo de las regiones de alta
concentración para "llenar" las de baja concentración, reduciendo la amplitud de la
señal incluso si el tiempo de vida en la región de la base es infmito, como se ilustra
en la figura 13.18. Cuanto más alta es la frecuencia, tanto más pronunciados son los
P-P0
+- -x
Figura 13.18. Perfiles de exceso de portadores dentro de la región de base de un transistor
p-n-p asociados con señales en c-a de alta y baja frecuencia, mostrando los
efectos más drásticos de la difusión para atenuar las señales de alta frecuencia.
Si se supone que
p.(x,t)- Pno = u(x)eiwr (13.6-33)
y se substituye esto en (13.6-32), se obtiene la siguiente ecuación diferencial
d2 u 1
-2- -(1
dx L 2p
+ iwr P )u(x) =0 (13.6-34)
472 Rectificadores de unión p-n y transistores
en donde
(13.6-37)
(13.6-38)
En las expresiones anteriores se debe escoger el signo más del radical, ya que
en el límite, conforme w tiende a cero, se debe obtener (32 = 1 y '}' 2 =O. Si L~
representa la constante de decaimiento exponencial asociada con la solucion (13.6-25),
entonces, al usar (13.6-37), es evidente que
(13.6-39)
siendo
1 p J
1
-- 2 2
J.: =
P
LP= J- +
2LP
1 ./1 +w 't" P' (13.6-40)
J.:
P-
~ LPJWtp
2 = J2D
W
P (13.6-42)
In Lp(w)
a
Lp~------------ ~----------::e'-----~---
.. , 1
Valor
de d·c
1
\1 1
\
a __.j1
Pendiente- 1/2 ~ 1-a 1\
1 '
11 ' ..... _ ......1
-lnw
"'O
(a) (b)
Figura 13.19. (a) Gráfica de L~(W) tal como lo indica (13.6-40) en función de w. (b) Gráfica
de la ganancia de corriente en función de la frecuencia, de acuerdo con los
resultadvs de la sección 13.6, en donde se muestran las frecuencias de corte de
a y de (3, Wo y w~.
(13.6-44)
2jDPJDPrP-
wo=-d- --;¡r--1. (13.6-45)
(13.6-46)
de donde,
(13.6-47)
ex
di = - - dib = f3dlb (13.6-48)
e 1 -ex
La cantidad
y colector deben ser iguales y, por tanto, a condición de que la magnitud del voltaje
de batería sea mucho mayor que kT/e, se debe tener, de acuerdo con {13.6-2),
(13.6-50)
en donde,
1=~
e 1 - OC (13.6-51)
~-~-c-=-4--------------~ ~
Figura 13.21. Autoamplificación de una corriente de colector en un circuito de base abierta.
EJERCICIOS
Se puede suponer que la razón de movilidades b es muy cercana a la unidad y que los
perfiles de concentración (13.1-14) y (13.1-15) no se ven gravemente afectados por los fenó-
menos de transporte ambipolar. Observe que esta ecuación predice que J ~oo conforme V0 ~%
lo cual significa que la barrera de potencial interno de unión nunca se "allana" por completo, ni
en corrientes muy grandes. Evidentemente, la expresión se reduce a los resultados previos para
voltajes inversos y directos que son pequeños en comparación con (/>o.
Desde el punto de vista experimental y en condiciones de alta corriente, en lugar de
comportarse como se predice, la desviación de la curva corriente-voltaje de la forma ideal tal
como la da (13.1-23), está en dirección opuesta, como lo indica el diagrama adjunto. La razón
se basa no tanto en el hecho de que la expresión anterior no representa correctamente la
relación existente entre la caída del voltaje de unión y la corriente, sino más bien en que (a) a
altas corrientes, se producen grandes caídas Óhmicas de voltaje adicionales en las regiones volu-
métricas a ambos lados de la unión y (b) en condiciones de corriente elevada, una estructura de
rectificador por aleación de tamaño finito puede actuar como una estructura de tres regiones
p-(intrínseca)-n, en donde todos los portadores inyectados a la región n cuya impurificación es
moderada están obligados a permanecer ahí hasta que se recombinan. Esta región se inunda con
pares electrón-hueco, la concentración de estos pares aumenta a un valor que sobrepasa enor-
memente a la concentración normal de portadores mayoritarios de equilibrio, por lo cual, la
región se comporta de un modo muy semejante a un capa intrínseca semiconductora. El con-
tacto metálico del lado opuesto de esta capa, que casi siempre se hace con una soldadura que
contiene una concentración bastante grande de impurezas donadoras, forma una capa tipo n
1
Ecuación (13.1-23)
1
1
1
¡
L- Experimental
(~e•Vo/ ur¡
Teórica
1
delgada, recristalizada y con fuerte impurificación, que termina al otro lado del disposibvo. Una
investigación de las características de un dispositivo de esta Índole (como el que se presenta en
el siguente capítulo) da como resultado una relación corriente-voltaje que concuerda muy bien
con los que se obtuvieron en rectificadores reales de este tipo en las mismas condiciones.
3. A 600°C, el contenido de germanio en fase líquida indio-germanio en equilibrio con
germanio SÓlido, es aproximadamente un 20 por ciento atómico, como se determina mediante el
diagrama de fase binaria de In-Ge. Si se utiliza el valor K de equilibrio que se indica en la
tabla 11.1, calcule la concentración de receptores en la capa p recristalizada de un rectificador
de aleación p-n fabricado fusionando un trozo de indio sobre germanio tipo n, aumentando la
temperatura a 600°C y enfriando gradualmente. Efectúe el mismo cálculo para un rectificador
Transistores de unión p-n-p y n-p-n 477
hecho en la misma forma, utilizando una aleación de indio que contiene S por ciento de galio
atómico. ¿Qué aleación se preferirá para formar el emisor de un transistor de unión p-n-p?
4. Suponga que se superpone un pequeño voltaje en c-a V1 eiwr al voltaje uniforme en
c-d Vo que se aplica al rectificador p-n de la sección 13.1. Suponiendo que V 1 ~kT/e, encuentre
una solución de la ecuación de continuidad dependiente del tiempo para huecos en la región n que se
reduzca al valor correcto de c-d para W= O y que tienda a cero en ellúnite en donde x ~oo. Para
mayor facilidad, deberá despreciarse el espesor de la región de carga espacial de la unión en com·
paración con la longitud de difusión.
S. Use la solución obtenida en el problema 4 para encontrar la característica corriente-vol-
taje en c-a de la unión p-n de la sección 13.1. Demuestre que la impedancia en c-a del dis-
positivo es similar a la de una resistencia y un capacitor conectados en paralelo. Encuentre
expresiones para la capacitancia equivalente en los límites de baja y alta frecuencia, y observe
que, aunque la capacitancia equivalente es casi siempre una función de la frecuencia, en el límite
de baja frecuencia se hace independiente de ésta, al igual que un condensador ordinario. La
capacitancia obtenida de esta manera se asocia con el almacenamiento y la difusión de porta-
dores de carga en exceso en las regiones volumétricas p y n del dispositivo, y es muy distinta de
la capacitancia de carga espacial que se vio en la sección 12.S. Esta componente de la capac!tan-
cia del dispositivo se conoce a veces como capacitancia de inyección o capacitancia de difusión.
6. Utilice las expresiones exactas (13.6-26), (13.6-27) y (13.6-28) para escribir las corrien-
tes de emisor y colector y, calculando directamente a partir de la definición (13.6-12) la can-
tidad
LECTURAS RECOMENDADAS
J. K. Jonscher, Principies of Semiconductor Device Operation, G. Bell and Sons, Ltd., Londres
(1960).
Allen Nussbaum, Semiconductor Device Physics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N. J.
(1964), capítulo 4.
W. Shockley, "The Theory of p-n Junction Semiconductors and Junction Transistor," en Bel/
System Technical Journal 28, 43S-489 (1949).
A. van der Ziel, Salid State Physical E/ectronics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N. J.
(19S7), capítulos 13 y 14.
Proc. lnst. Radio Engrs., "Transistor Issues," 30 (diciembre 19S2) y 46 Uunio 19S8).
Uniones p-n a niveles altos de
corriente; El rectificador p-i-n
479
480 Uniones p-n a niveles altos de co"iente; el rectificador p-i-n
Terminal
de Cobre
Región n+ delgada
recristalizada
·~--~~--~~~~--.
Ge
que se describirán en breve, tienen tal importancia, que el resultado obtenido en esa
forma difícilmente puede aplicarse por sí solo, para explicar la relación corriente-
voltaje de dispositivos reales, en la región de polarización directa.
Además de estos tres efectos, las características de nivel de corriente elevada
de muchos rectificadores reales p-n (sobre todo los que se fabrican mediante
procesos de aleación), difieren de las que se esperan, basándose en la teoría de la
unión p-n de corriente baja, debido a que en la región de altos niveles de corrien-
te, esos dispositivos actúan como estructuras que tienen tres regiones distintas, una
tipo p, intrínseca, y tipo n, separadas por dos uniones (p-intrínseca e intrínseca-n).
Por lo común, esta estructura se conoce como rectificador p-i-n. La razón de este
estado de cosas se puede entender, consultando la figura 14.1, que en un corte
transversal muestra la construcción de un rectificador de unión p-n de aleación. Se ha
formado una región p sumamente impurificada, mediante la aleación de un trozo de
indio sobre una oblea de germanio tipo n, con un contenido moderado de impurezas
donadoras, 1 casi siempre del orden de 10 15 donadores por cm 3 • Con frecuencia la
región fuertemente impurificada se identificaba como región p+. Aquí, se adoptará
esta notación y se usará en forma sistemática. Durante el mismo ciclo de calenta-
miento, en el que se forma la unión p+ -n, se acostumbra soldar la oblea de
germanio a una base de níquel con una soldadura de estaño, que lleva impurezas
donadoras tales como el antimonio. El objetivo es establecer un contacto "óhmico"
entre el germanio y el níquel. Evidentemente, una soldadura que contenga impurezas
receptoras tenderá a disolver parte del germanio y a depositar una capa recristali-
zada p+, cuando se enfría, para formar la segunda unión n-p+, cuya naturaleza sería
indeseablemente, no óhmica. Por tanto, se acostumbra utilizar una soldadura que
contenga una pequeiia concentración de impurezas donadoras. En este caso, se forma
una capa recristalizada de n+, en la misma forma, entre el germanio y la soldadura,
y se tiene una unión n-n+ en la interfaz entre esta capa y el cristal original. La
estructura resultante es un dispositivo p+-n-n+; pero, a densidades de corriente baja,
tales como las que se encuentran en la condición de polarización inversa o una
pequeiia polarización directa, la unión n-n+ actúa en forma algo semejante a una
unión p-n que tiene una corriente de saturación extremadamente grande y, por
tanto, características de rectificación muy deficientes (vea la ecuación (13.1-24)),
1 Mayores concentraciones de donadores darían como resultado valores e_xcesivos del carn·
po eléctrico dentro de la región de carga espacial y, por tanto, menores voltajes de ruptura de
avalancha. (Véase la tabla 12.1.)
El análisis del rectificador p+·i-n+ a niveles altos de corriente 481
Concentraciones equilibrad~
de portad ores: Ppo, nP• n,o, Pno
Figura 14.2. Geometría y notaciones del rectificador planar p-i-n, que se vio en la sección 14.2.
.. ------....
(Un voltaje de polarización directa reduce la - ---- ---
., ___ - ----------------------------
•• ++++++ + ++ ++
+ + + ++ +
altura de las dos barreras) --
+ + r
+ +
+
+ +
+
+ + + +
+ + + +
+ +
Regi6n-p+ Tipo-n impurificado moderadamente Regi6n-n+
(14.2-1)
en donde
2 * 2b
L-=D-r=--Dr. (14.2-2)
1 1 b+1 p
X X
{Jp = p- Po = n - n 0 = A senh- + B cosh L·. (14.2-3)
L; 1
(14.2-5)
(14.2-6)
(a x =d). (14.2-7)
positivo en condiciones de corriente y polarización directa tales que lip sea mucho
mayor que n 0 o p 0 • En esas condiciones, pfn:::!. nfp:::!. 1 y (14.2-7) y (14.2-8) se
convierten en
(14.2-9)
A= _ IL1(b - 1)
y
B = IL1(b + 1) (14.2-10)
d d'
4ebD, cos L. 4ebD, sen-
L;
'
por lo cual, (14.2-3) se puede expresar como
IL1
senh-
L· X
cosh-
L. X]
[
~p(x) = - - (b + 1) - - ' - (b - 1) - - ·
4ebD, cosh -d se nh -d
L1 L1
JL. [ X d
--.....;'-2-d (b + 1) cosh L· cosh L.
2ebD,senh- ' '
L;
X
- (b- 1)senh -senh- . d] (14.2-11)
L1 L1
(14.2-13)
en donde V 1 y V 2 son los voltajes aplicados que aparecen en las uniones izquierda
y derecha, en la figura 14.3, respectivamente. Al substituir estos valores en (14.2-11)
y al simplificar, se puede ver claramente que
IL1( b + cosh ~)
~p(d) = noeeY /kT =1 • (14.2-15)
2d
2ebDPsenh-
L¡
Si se multiplican entre sí las ecuaciones (14.2-14) y (14.2-15), al resolver para
I y recordando que n0 p 0 = nl , se encuentra que
(14.2-16)
1000.--------------,
'O 10 T = 296"K
..S A • 1 50 x I0-2cm 2
0 A/0 • O 013mo
..!?
+ 0
Espesor de la base= 0026 cm
.... o
0.01 L--L----''----'----'---1.----L-~
o 0.1 o 2 0.3 0.4 0.5 0.6
Voltaje
Figura 14.4. Relación de corriente y voltaje de un rectificador de aleación real, ilustrando las
regiones separadas de pendientes e/kT y e/2kT, correspondientes a las regiones de
nivel de corriente baja y de corriente alta. (Figura por cortesía del Dr. H. F.
John, Westinghouse Research Laboratories.)
486 Uniones p-n a niveles altos de corriente; el rectificador p-i-n
1
E(x)=-- [-I - kT dp]
- (b-1)-. (14.2-17)
nb + p eJLp e dx
(14.2-19)
o bien,
4b kT L;
V¡= -1-+-b-e . _ _....:..___
1[
senh -2d tan- senh-d
L;
J
b+1
(b- 1) 2
1 - - - tanh -d]
L;
J=:==,;,~=,;,..,-=2=d..:..__ _~
2
l + b 2 + 2b cosh -
L;
(14.2-22)
V0 2kT
=- IL1
- [ In--*+ lf)b(d/L;) ] (14.2-23)
e en 1D1
en donde
_ [J (1 + b cosh+ l)senh
lf)h(~) -In
2~)( b + cosh 2~)]
(b 2~
(14.2-24)
e(b
I
+ 1)
J- •
Di ~ no.
(14.2-25)
(14.2-26)
en donde
~ = d/L¡. (14.2-27)
\ ~
Caída en sentido directo de un
rectificador p-i·n 100 Amps/cm 2
--300"K (27"C) __
1.5 1--
----400" K (127" C)
-.orn•\
..
o
1.0
···=\
~
r\
~
1\..
~.... ....
-- ---
---::::::::::-: - -
~
~ d=00025cm -- - -- ---
d• 001 cm
05
o
0001 001 01
L,cm-
4 Este comportamiento se predice también mediante la teoría de unión p-n a nivel bajo de
la sección 13.1; esto está claramente ilustrado por la ecuación (13.1-23), en .la que, para una
densidad de corriente dada, el voltaje de unión requerido se hace evidentemente grande cuando
se permite que tanto Ln como Lp se acerquen al irümito.
490 Uniones p-n a niveles altos de corriente; el rectificador p-i-n
mucho mayores ni mucho menores que L¡. Este resultado ilustra la importancia de
mantener en este tipo de estructuras, cuando menos un control aproximado del
tiempo de vida de los portadores en exceso. No obstante, se debe observar que el valor
de 7 que se necesita en las ecuacione3 de esta sección, no es necesariamente el que
se puede obtener en una medición del decaimiento fotoconductivo transitorio que
implica sólo una pequeña concentración de portadores en exceso, sino el valor efec-
tivo que prevalece en las condiciones supuestas, dentro de la región central del
dispositivo, donde están presentes concentraciones muy grandes de portadores en
exceso. Los dos valores pueden ser muy diferentes, en vista de la dependencia de 7 en
relación con la concentración, predicha por (10.8-24) y (10.8-25).
kT ( 1 +-
V0 =-In
e
1)
/0
(14.3-1)
(14.3-2)
(14.3-4)
(14.3-5)
d d ( T )!::....!.
L¡ = L¡o T 0 2 (14.3-7)
en donde
(14.3-8)
492 Uniones p-n a niveles altos de corriente; el rectificador p-i-n
Ae lcT l 2 1: kT
V0 = - + - In - (4 - n) - In T
e e e 2D;~CT 0 - 1 e
+2kT { d- -
--$b
e L;o T0
(T)"- 1
2 }
'
(14.3-9)
Ae kT / 2 1: 5 kT 2kT { d 114 }
V0 =-+-In 2 * 112 -- -In T + - <Pb- (T/T0 )
e e e D;oCT0 2 e e L;o
(n = 3/2) (14.3-10)
Ae kT / 2 1: 3 kT 2kT { d 3 4}
V0 = - + - I n 2 D* CT 312 - -2 -In T + - <Pb -L (T/T0 ) 1 •
e e e ;o 0 e e ;o
(n = 5/2) (14.3-11)
Los resultados que predicen estas ecuaciones para un conjunto típico de pará-
metros del dispositivo y para una densidad de corriente de 100 amp/cm 2 , se ilustran
en la figura 14.7. Es evidente que la tendencia de V0 puede ser ascendente o bien
descendente con la temperatura, de acuerdo con el valor de d/L. Una vez más, es
obvio que la magnitud de la caída de voltaje directo es muy sensible al tiempo de
vida de los portadores en exceso de la región central y que aumenta rápidamente al
reducirse este tiempo, después de pasar un punto mínimo. Estas conclusiones se
verifican casi siempre mediante las características de dispositivo que se han observado
de un modo experimental. Se debe observar que la dependencia en función de la
temperatura de la movilidad de arrastre, desempeña un papel importante para deter-
minar este mismo tipo de dependencia de la caída de voltaje directo. Las estructuras
Rectificadores p-i-n; la caída de voltaje en sentido directo 493
24
~
1
22 1
1
1
~
20
1T=0625~s 1 Variaci6n de Vf en
función de T en un
18 1 1 rectificador p-i-n
1
1 1
16 1 1
L 1
.. /
/~
o
> 14
o
> /
/
12 / /
,........ ......... '\
10 - --- T=l56~s
- - - - ~- r -'12
- - - ~-r-Stz I = lOO amp 1 cm 2
d=OOicm
04~------~------~------~------~--------~
o 50 100 150 200
r, •e
EJERCICIOS
l. Para el rectificador de germanio p+-i-n+ que se vio en relación con la figura 14.4,
encuentre la longitud de difusión a corriente baja Lp en la región central, de acuerdo con la
corriente de saturación dada, suponiendo que la capa central es material de tipo n, con una
resistividad de equilibrio de 1 ohm-cm a 300°K, que toda la corriente de saturación es de
huecos, dehido a la generación térmica en la región n. Si L¡ a niveles altos de corriente es del
orden de Le, ¿se tratará de un dispositivo con pérdidas internas casi óptimas a niveles altos de
corriente? Compare la disipación de potencia interna de este dispositivo en la región de polariza-
ción directa, a un nivel de corriente de 50 amp/cm2, tal como lo indican los datos experimen-
tales de la figura 14.4, con la disipación de potencia en sentido inverso a un voltaje de V0 =
- 500 V, como se calculó mediante la teoría de nivel bajo de la sección 13.1.
2. Muestre explícitamente los pasos algebraicos requeridos para obtener la ecuación
(14.2-21), a partir de (14.2-20). Obsérvese que
4. Demuestre que para una densidad de corriente directa constante dada, en la región de
altos niveles de corriente, la mínima caída de voltaje se obtiene cuando la relación ~ = d/L¡
satisface la condición ~(d<l>b/d~ = l.
5. De acuerdo con los cálculos anteriores de la sección 14.2 demuestre que la teoría de
altos niveles de corriente desarrollada ahí es válida para densidades tan grandes, que permitan
que se satisfaga la desigualdad (14.2-24).
CAPITULO 15
Otros dispositivos semiconductores
Potencial de contacto
cuya suma es- 4> 0
</>.o
Difusión de
exceso de
(a) -
electrones
tipo-p ti po-n
+
Ponteciómetro
( b)
Figura 15.1 (a) Una unión p-n "en corto" en el estado de equilibrio. (b) Una unión p-n
iluminada, que presenta el efecto fotovoltaico.
495
496 Otros dispositivos semiconductores
Exceso de electrones -
!.!:t~+~!.~+.!±.~!.i!.t~!.+_+_+
+ + + +
+
+ -------------
---Bordes de banda (oscuro)
-Exceso de huec~s +: + \ ~ ++ + :
------Bordes de banda (luz)
(15.-1)
Luz,
' longitud
' de' onda1 A
coeficiente de
absorción o: (A)
Parámetros
del material:
~--~r-~--x+d---4
X
x=-d x=O
I
tipo-p tipo-n
!
Figura 15.3. Geometría y notaciones que se usan en la celda fotovoltaica p-n de 1a sec-
ción 15.1.
(15.1-2)
l. Para un estudio completo del efecto fotovoltaico p-n, véase, de R. Wiesner, Halbleiter-
probleme, Vol. III, Friedrich Vieweg u. Sohn, Braunschweig (1956), p.p. 56-71.
498 Otros dispositivos semiconductores
(15.1-3)
(15.1-6)
(15.1-7)
(15.1-8)
2 Obsérvese que la solución que se encontró en esta forma no es general, puesto que no
contiene ninguna constante arbitraria. La solución general es la suma de la solución de la
ecuación homogénea correspondiente (que contiene las dos constantes arbitrarias requeridas) y
esta solución particular.
3. Por lo general, es más conveniente, por razones algebraicas, escribir la solución de la
ecuación homogénea en términos de funciones exponenciales en una región infmita o semiinfmita
y en términos de funciones hiperbólicas en una función de extensión finita.
El efecto fotovoltaico p-n y las celdas fotovoltaicas de unión p-n 499
(15.1-11)
~15.1-12)
s cos - + -
= Ln
d Ln
Dn
sen -
Ln dl + 1a.Notn ( S+ a.Dn l (15.1-13)
B
1
A D d
__!! cos - + s sen -
Ln Ln
d
Ln
- a. 2L 2
"
D
__!!
Ln
cos -
d
Ln
+ s sen -
Ln
d .
La corriente de unión
(15.1-14)
(15.1-15)
en donde
(15.1-16)
es una corriente de saturación que es una función sólo de los parámetros dimensio-
nales y de material del dispositivo, independientes del nivel de iluminación y donde
_ ea.N 0 L!e-ad (_!___a.) ea.N 0 L!
lg- 1-a.2L2p L p +1-a.2L2n
{15.1-17)
4. Al hacer esto, es más sencillo dejar las expresiones para las concentraciones de portado-
res en exceso en la forma de (15.1-7) y (15.1-8), insertando las expresiones (15.1-11, 12 y 13)
para las constantes arbitrarias, sólo al final.
500 Otros dispositivos semiconductores
Voc = -kT
e
In ( l + -lg) .
1
(15.1-18)
0
''Región de la base"
Conector Al amplificador
junction u otro detector
+ -
'-------;1,11---~
muy bajos. Puesto que los pares de electrón-hueco pueden producirse mediante haces
incidentes de rayos X, rayos r, y otras partículas elementales, tales como electrones,
protones o partículas a:, al igual que la luz, los dispositivos que tienen esta estruc-
tura funcionan admirablemente como detectores de partículas nucleares. Puesto que
se crea un número muy grande de pares electrón-hueco cuando una partícula nuclear
con una energía de varios MeV se detiene dentro de un cristal de silicio o germanio
(el número se puede calcular, aproximadamente, observando que se obtiene un par
electrón-hueco por cada tres eV de energía inicial de partícula, tanto en el silicio
como en el germanio), la detección de una sola partícula nuclear se logra con suma
facilidad. La magnitud del pulso de corriente resultante es más o menos proporcional
a la energía de la partícula incidente, que permite la determinación de los espectros
de energía, mediante el análisis de la altura de los pulsos.
Sección p+-n-p
•1 e •z
+
• ...=.. I 01 =I. 2 =Ic Carga
Sección n·p-n+
(15.3-1)
en donde feo es la corriente de saturación del colector. Sin embargo, puesto que
(15.3-2)
(15.3-3)
Ganancia de
corriente
1<:: Punto-J.
1lop
Punto de de
encendido operación del
estado "on"
1 compuerta = O
, ' 11 compuerta> O
'V 1
~~·~--~-~-==~~~~~~============-/
Figura 1 S.S. Relación corriente-voltaje dr un interruptor de cuatro capas.
506 Otros dispositivos semiconductores
portadores en exceso son casi siempre mucho mayores que los valores de equilibrio a
niveles de operación de la corriente de carga, y en este modo de operación, el
dispositivo se parece mucho a un rectificador p-i-n, en el que el papel de la región i
está desempeñado por las dos regiones internas. Los dispositivos de esta naturaleza
han encontrado una aplicación tecnológica muy difundida como conmutadores, dis·
positivos de control de potencia, inversores y convertidores de frecuencia.
<cp
1
<cp----,
Barrera para
el efecto
túnel - -......
" Efecto túnel
con electrones
<en
tipo-p
------•vn \..
(a) equilibrio (b) Polarización inversa
fcp------...
fcp-----
Efecto túnel
con electrones
muy abrupta del material p+ al n+, dentro del cristal y, en consecuencia, la región
de carga espacial de la unión es muy angosta y da origen a campos eléctricos
extremadamente grandes. Esto se ilustra mediante las cifras de la tabla 12.1 ; un
diodo túnel típico puede tener densidades de impurificación de 10 18 ó 10 19 cm- 3 ,
tanto en la región p como en la n. En cristales en los que el contenido de impu-
rezas es tan grande, la aproximación de Boltzmann ya no puede aplicarse, la distri-
bución electrónica se degenera y el nivel de Fermi está, en realidad, dentro de la
banda de conducción o de valencia, según que el semiconductor sea tipo n o p,
respectivamente. Por tanto, el diagrama de las bandas de energía en equilibrio del
diodo túnel es tal como se describe en la figura 15.9(a).
En el diodo túnel es tan abrupta y la región de carga espacial tan delgada, que
la barrera de energía potencial [que aparece en la figura 1S.9(b) ], que separa a los
electrones de la banda de valencia de los estados de igual energía en la banda de
conducción es lo suficientemente angosta, incluso en ausencia de una polarización
inversa, que permite que se produzca la formación de un túnel cuántico de elec-
trones a través de la barrera. En el estado de equilibrio, sin que se aplique ningún
voltaje de polarización, la formación de túnel de los electrones procede con la
misma probabilidad en ambas direcciones, de manera que no se tiene un flujo neto
de corriente.
Si se aplica un voltaje de polarización inversa, como en (b) de la figura 15.9,
las distribuciones electrónicas a ambos lados están desplazadas verticalmente la una
con respecto a la otra, en una cantidad igual al voltaje de polarización. En esta
condición, los estados vacíos del lado n están frente a los estado llenos del lado p y
los electrones de estos estados forman un túnel a través de la barrera potencial para
proporcionar grandes corrientes netas. El dispositivo no soporta ningún voltaje en
absoluto en la dirección inversa; pero puede considerarse que sufre una ruptura
mediante el mecanismo de Zener a valores infinitesimalmente pequeños de voltaje
aplicado.
En sentido directo, la corriente de túnel comienza a fluir al principio por este
mismo mecanismo, como se indica en (e) de la figura 15.9; pero, después de que el
voltaje de polarización directa aumenta más allá de cierto punto, las bandas "se
descruzan" como se muestra en (d) y, entonces, ya no hay más estados finales para
la formación de túneles, de manera que la corriente de túnel desciende bruscamente.
Al aplicar voltajes de polarización directa todavía mayores, la corriente normal de
difusión directa o inyección asociada con cualquier rectificador p-n comienza a fluir
sobre la barrera de potencial en una cantidad importante y la corriente vuelve a
aumentar.
El resultado de tales procesos sucesivos es una curva característica de corriente-
voltaje, como la que se ilustra en la figura 15.10, con una región de resistencia
negativa. La característica de resistencia negativa del dispositivo se puede utilizar
para hacer que la unidad funcione como un amplificador, un oscilador o un dispo-
sitivo de conmutación. Puesto que el proceso de formación de túnel (en contraste
con la difusión) es prácticamente instantáneo, los diodos túnel se pueden usar a
frecuencias muy elevadas (h~sta 10.000 me, en la práctica) como amplificadores u
osciladores. En los diodos túnel de germanio, la relación de las corrientes máxima a
mínima puede ser hasta de 15, siendo las corrientes máximas de una fracción de
miliampere, hasta posiblemente un ampere, que puede obtenerse a través de modifi-
caciones apropiadas en el procedimiento de fabricación. Los diodos túnel se han
fabricado de silicio y GaAs, con excelentes resultados. La densidad de corriente de
túnel observada en el pico de la curva corriente-voltaje, depende enormemente de la
densidad de impurezas en las regiones n y p del dispositivo. Con altas concentra-
ciones de impurezas, la región de carga espacial es muy angosta, la barrera de túnel
extremadamente delgada y la máxima densidad de la corriente de túnel puede ser
508 Otros dispositivos semiconductores
!(mal
5
3
Región con
"exceso de corriente"
2
, ~Corriente de difusión
01 03 04 05 06
Figura 15.10. Relación corriente-voltaje de un diodo túnel típico (curva continua) en compara-
ción con los valores predichos para las corrientes de túnel y difusión (curva'
punteadas).
(15.4-1)
mientras que la corriente de túnel, en dirección opuesta se puede escribir como sigue
(15.4-2)
en esas ecuaciones, fc(e) y fv(e) son las funciones de distribución de energía electró-
nica en la banda de conducción en el lado n y la banda de valencia del lado p,
respectivamente, Z es la probabilidad de formación de túnel asociada con la barrer¡;_
y A es una constante. La probabilidad de formación de túnel se puede obtener
como el coeficiente de transmisión de la barrera de potencial para los electrones,
S. Véase el artículo original sobre el diodo túnel de L. Esaki, Phys. Rev., 109, 603 (1958).
Transistores de efecto de campo o unipolores 509
(15.4-3)
Polarizaci6n
+
=
Figura 15.11. Diagrama esquemático de un transistor de efecto de campo y sus circuitos asociados.
menos, con la región de carga espacial relacionada con una umon p-n. Conforme
varía el voltaje inverso de esta unión, la extensión de la región de carga espacial y,
por tanto, la conductancia del canal, varía en forma correspondiente.
La terminal de entrada de corriente del canal de un transistor de efecto de
campo se denomina casi siempre electrodo de fuente, la terminal de retorno del
canal es el electrodo de drenaje y la terminal de entrada de señal es el electrodo de
compuerta. Aunque no se dará aquí un análisis completo del comportamiento de
estos dispositivos, 7 conviene señalar que sus características eléctricas son bastante
análogas a las del pentodo común al alto vacío. 8 Tanto el transistor de efecto de
campo como el diodo túnel son dispositivos algo especiales entre los semiconducto-
res, en el sentido de que no dependen de la inyección o el transporte de portadores
minoritarios para poder funcionar; más bien utilizan esencialmente sólo el transporte
de portadores mayoritarios para efectuar la función que se requiere del dispositivo.
Este estudio de los dispositivos semiconductores no es, de ninguna manera, lo
suficientemente general; pero ha incluido sólo algunos de los ejemplos más impor-
tantes y algunos otros cuya operación ilustra fenómenos físicos importar1tes que
ponen en claro técnicas analíticas de aplicabilidad general. Un estudio sistemático de
los numerosos dispositivos semiconductores que usa la tecnología actual es imposible
de realizar en un trabajo del alcance de esta obra. Estos dispositivos incluyen detec-
tores de microondas, hlsers de unión p-n, termistores, multiplicadores análogos y pro-
badores para medición de éampo magnético que utlizan el efecto de Hall, refrigera-
dores termoeléctricos y generadores de potencia, así como varios tipos de módulos
de "circuitos integrados". Es de esperarse que los ejemplos que se han visto detalla-
damente en este capítulo, proporcionen los conocimientos suficientes del comporta-
miento de las uniones p-n y que las técnicas matemáticas incluidas, que se requieren
para el análisis de los dispositivos semiconductores, le permitan al lector proceder inde-
pendientemente en el estudio de otras obras. En la lista de referencias que aparece al fmal
de este capítulo se podrán encontrar mayores detalles relacionados con los dispositivos
que se vieron aquí, así como material relacionado con otros semiconductores.
EJERCICIOS
l. Verifique algebraicamente que las expresiones (15.1-15), (15.1-16) y (15.1-17) obtenidas
de los resultados anteriores, llenando los detalles formales de la derivación de estas ecuaciones.
2. Demuestre que la corriente de generación de huecos en una celda fotovoltaica p-n, tal
como la indica el primer término de la ecuación (15.1-17), es siempre positiva, sean cuales
fueren las magnitudes relativas de a, Lji 1 y d.
3. ¿A qué valor de voltaje de salida se obtiene la máxima salida de potencia de una celda
fotovoltaica p-n? ¿Cuál es el valor de la resistencia de circuito que se requiere para obtener esta
máxima potencia de salida?
4. En la unión p-n del fototransistor de la figura 15.5 se mantiene un voltaje de polariza-
ción inversa de - 100 V. Un electrón con una energía de 500 keV choca con la superficie
frontal del dispositivo y su energía se ve absorbida totalmente dentro de la región de carga
espacial asociada con la unión. Suponiendo que se disipan, en promedio, 3 eV de energía de la
partícula incidente por cada par electrón-hueco, y que todos los pares electrón-hueco se crean
instantáneamente, encuentre la magnitud del pulso de corriente que se observa en el circuito externo.
5. De acuerdo con la figura 15.2, resulta evidente que el máximo voltaje de circuito
abierto que se obtiene en una celda fotovoltaica p-n, es 1/Jo. Sin embargo, de acuerdo con la
ecuación (15.1-18), el voltaje de circuito abierto puede ser arbitrariamente grande, a condición
de que la intensidad de la luz (y, por ende, lg) sea lo suficientemente grande. ¿Cuál es la
explicación de esta paradoja aparente y cuál de los postulados es el correcto?
'·Un análisis de este tipo de dispositivo fue presentado por W. Shockley, Proc. I.R.E., 40,
1365 (1952).
8 Aunque es capaz de efectuar todas las funciones eléctricas normalmente asociadas con el triado
al vacío, el comportamiento del circuito del transistor con·{m de unión difiere cualitativamente del
tubo al vacío, debido a que depende de la presencia de dos especies de portadores, en lugar de uno.
Por tanto, a veces se conoce con el nombre de dispositivo bipolar.
Transistores de efecto de campo o unipolares 511
LECTURAS RECOMENDADAS
J. K. Jonscher, Principies of Semiconductor Device Operation, G. Bell and Sons, Ltd., Londres
(1960).
M. J. Morant, Introduction to Semiconductor Devices, Addison-Wesley Publishing Co., Reading,
Mass. (1964).
A. Nussbaum, Semiconductor Device Physics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N. J. (1964).
E. Spenke, Electronic Semiconductors, McGraw-Hill Book Co., Inc., Nueva York (1958).
R. Wiesner, p-n Photoeffect, in Halbleiterprobleme, Friedrich Vieweg und Sohn, Braunschweig
(1956), Vol. III, pp. 56-71.
A. van der Ziel, Solid State Physical Electronics, Prentice-Hall, Inc., Englewood Cliffs, N. J. (1957)
"Transistor Issues," Proc. inst. Radio Engrs., 30 (diciembre 1952) y 46 Gunio 1958).
CAPITUwl6
Contactos ~'~letal-semiconductor y
superficies de semiconductores
Cuando dos metales que tienen diferentes funciones de trabajo entran en con-
tacto, se produce un breve flujo de corriente transitoria que transmite electrones del
metal con la mayor energía de Fermi, al que tiene una energía de Fermi menor,
generando una diferencia de potencial de contacto en equilibrio entre ambos. Este
proceso se ilustra esquemáticamente en la figura 16.1. En (a), dos metales que
tienen diferentes funciones de trabajo, están separados por una distancia d, la cual se
-----
T
:-.;::
T
8</>z
8</>¡
Efecto
1
8</>z
túnel
d
•,z
(a)
1----:-
.! o""''""'
=
=
1
2
dol pote•d•
:le contacto =</>z -.¡.,
8</>¡ +
.,~~~~ ~~~~
(el
Figura 16.1. Etapas sucesivas para establecer el equilibrio entre dos metales con diferentes
funciones de trabajo.
513
514 Contactos metal-semiconductor y superficies de semiconductores
------
T
T e.¡, ••
-=--=:k-
- -
-
- -
-
_,.
--.....1.--iEfM
~-------d--------~
Ev + + ++ + +
(a)
•rf---------
(b) (e)
Figura 16.2. Etapas sucesivas para establecer el equilibrio entre un semiconductor tipo n Y un
metal que tiene una función de trabajo mayor.
Carga espacial
1--+--+
1-positiva
.-1--- Región desértica
1 (tipo-n)
1
- 1
__ ¡--
Región de inversión
(tipo-p)
·~---+-··
Se forma una
.------,región de carga
espacial negativa
J Región de acu-
e<#lsc mulación de n+ e(<#IM-+sc)
(Carga ,espacial negativa)
- - -1 - ----- -.-
~~~;_~~L--~
-d-
1-+:-----+.....--+:-- ••
(al (b)
Figura 16.4. Etapas sucesivas para establecer el equilibrio entre un semiconductor tipo n y un
metal que tiene una función de trabajo menor.
materiales que están unidos en contacto íntimo, d es cero y la única barrera que
permanece es la barrera de potencial superficial del semiconductor.
En la figura 16.4 se muestra la situación que se produce en la interfaz de
contacto entre un metal y un semiconductor tipo n, en donde t/Jsc es mayor que
tPM· En este caso, el semiconductor debe adquirir una carga negativa, el metal una
positiva y las bandas se desplazan hacia abajo en la superficie. Como resultado, en
lugar de tener una barrera de potencial, se forma una región de acumulación en la
que la concentración de electrones es mayor que la de los átomos donadores ioni-
zados. Fl exceso de concentración electrónica en la región de acumulación superficial
crea la carga espacial negativa necesaria para sostener la diferencia de potencial de
contacto entre las dos substancias. Los efectos de contacto que se originan entre los
metales y los semiconductores tipo p pueden verse más o menos en la misma forma
que los de los metales con los semiconductores tipo n. Por tanto, se puede demos-
trar que se forma una región de deficiencia o inversión, con la barrera de potencial
correspondiente, en la interfaz entre el semiconductor tipo p y un metal cuya
Rectificación por contacto metal-semiconductor S17
.,~
+ ••
Metal Semiconductor
(a) Equilibrio
{tipo-n)
+
- -
---..;;;,._,.;;;__;::,-___;-:;... ..
>:::-:::--....,..-~.,..-,..---
++ + ++ ++ + + + + + ••
Jp+---+-- '
Jp- Huecos inyectados
(e) Polarización directa (V0 >0)
(16.2-1)
(16.2-2)
y
J p+ = J pO e-e(t/>o-Vo)fkT ' (16.2-3)
en donde lno y lpo son constantes que expresan los flujos de electrones y hue-
cos de cualquier energía que sea, que inicialmente son incidentes en equilibrio
sobre la barrera superficial. Puesto que Jt, y JP deben ser iguales a - Jr¡ y - 1¡,
respectivamente, cuando no se aplica ningún voltaje, estos flujos se pueden repre-
sentar como
(16.2-4)
y
¡-
D
= -J e-et/>o/kT
DO
(16.2-5)
(16.2-6)
y
J
P
= ¡+P + ¡-P = J pO e-etf>o/kT(eeVo/kT _ 1)
' (16.2-7)
Rectificación por contacto metal-semiconductor 519
en donde
(16.2-9)
(16.2-10)
J _ e~o/kT
Pi: _ PoC (16.2-11)
po¡- -4e'
(16.2-12)
Barrera de superficie -x
Figura 16.6. La formación de los estados Tamm localizados dentro de la región de energía
prohibida en la superficie de un cristal unidimensional.
Densidad
del estado
superficial Región de carga -j
espacial positiva 1
1
1
1
1
1
-=.:.,;;-;:.-....-,.;;-;;.-....:-=---•c(X l
- - --------'¡...;-.,_.;;:---.-.:--..:=:..;-=-:-=--::....::-::.;..;--.::.-....
----------
Electrones en los
niveles superficiales ~-¡+-;---.+:.-----+:----:+---+-:- «r(x)
(carga superficial
negativa) Punto intrínseco -x
x•O
Figura 16.7. Formación de una capa superficial de inversión en una superficie libre de un
semiconductor a través de la interacción de los estados superficiales con el interior
del cristal.
ductor. Es evidente que si los estados superficiales son principalmente de tipo dona-
dor (cargados cuando están vacíos y neutros cuando están ocupados por electrones),
se formará una capa de acumulación y no una de deficiencia en un cristal tipo n.
Para comprender el efecto preciso de los estados superficiales; se verán ahora
los efectos que se producen cuando una substancia metálica se acerca a una región
superficial de semiconductor de este tipo. Se verá específicamente el caso en que el
metal tiene una función de trabajo más pequeña que el semiconductor tipo n, en
donde la capa de acumulación rectificadora se formó en ausencia de estados super-
ficiales. Esta situación se ilustra en la figura 16.8. En (a), la distancia d entre el
metal y el semiconductor disminuyó hasta el punto en que se establece un túnel de
electrones. Ahora, los electrones forman un túnel del metal a los estados super-
ficiales, y si la densidad de los niveles superficiales es lo suficientemente grande,
tales estados alojarán a todos los electrones que sean necesarios para establecer un
campo eléc... rico lo suficientemente grande para igualar las energías de potenciales de
los electrones en los niveles de Fermi respectivos y el estado final del sistema se
encuentra en (b). La situación dentro del semiconductor es esencialmente la misma
que en (a), excepto que el nivel de Fermi está un poco más alto con respecto a la
distribución de estados de superficie, y esto da como resultado un cambio en la
altura de la barrera superficial 81/J que, no obstante, puede ser muy pequeña, si la den-
sidad de eSi.~os de superficie es apreciable. La capa de deficiencia y la barrera
de potencial superficial permanecen todavía, y las propiedades de rectificación del
contacto que están gobernadas sobre todo por estas mismas características, son prác-
ticamente inalterables. Es fácil verificar que, dada una situación igual, excepto que la
función de trabajo del metal sobrepasa a la del semiconductor, el cambio de altura
de la barrera 81/J es de signo opuesto y el efecto túnel de los estados superficiales al
metal reduce el nivel de Fermi con respecto a la distribución de estados superfi-
ciales. 7 También en este caso las propiedades de rectificación quedan prácticamente
7 Si todos los estados de superficie tienen la misma energía tes decir, si su distribución es
esencialmente una función 1>), no habrá ningún cambio en absoluto en la altura de la barrera.
Estados superficiales y rectificación independiente 523
Efecto túnel
hacia los
estados
superficiales
1 - - - - d----1 ~+:----+.,... ••
(a) (b)
Figura 16.8. Diagrama que ilustra las etapas sucesivas para establecer el equilibrio entre un
metal y un semiconductor con estados superficiales. Si la densidad de estados
superficiales es bastantes grande, la distribución de carga espacial interna apenas se
verá afectada.
sin cambio. Por tanto, las características de rectificación son prácticamente inde-
pendientes de los valores relativos de las dos funciones de trabajo, lo cual concuerda
con lo que se observa en la práctica.
Otra demostración experimental de la existencia de los estados superficiales se
encuentra en el llamado experimento de efecto de campo, en el que se hace que un
semiconductor funcione como una de las placas de un condensador de placa paralela,
como se indica en la figura 16.9. En este dibujo se utiliza una muestra de germanio
tipo n, como placa de condensador negativo y se induce una carga superficial nega-
tiva tan grande como sea posible, conectando una fuente de alto voltaje entre las
placas. Puesto que la capacitancia de un condensador de placa paralela es A/4rrr, en
donde A es el área de las placas y r su separación, se inducirá una carga de
magnitud
V0 A
q =CV0 = - (16.3-1)
4nr
+ ~r---------------------,1
a~~oenvtoeltdaeJ·e -= +Vo~~~~~~~-L
+++++++++++++,+++++++++++ r
E0 = l{¡¡d
o -----n--G;--- !"---- -- -,-
~~ +
Fuente de h Potenciómetro
corriente J=<rE)
-::!::-
Figura 16.9. Diagrama esquemático del experimento de efecto de campo y circuitos asociados.
524 Contactos metol·semiconductor y superficies de semiconductores
V0 A (16.3-2)
AN=-.
4n:er
(16.3-3)
VoJ.l.n (16.3-4)
!la=--
4nhr
(16.4-1)
(16.4-2)
Ue e -h.;-•tlfkT _
-
ni -
_U e-<•1 -•.;)/kT
v '
(16.4-3)
(16.4-4)
y (16.4-5) se convierte en
d2 u
-d2 = L-r 2 (senh u(x) - Nd-
2n¡
Na) , (16.4-7)
X DI
lim n(x)
JC .. OO
= n0 = n1ee•s/kT =n e"1 8
por lo cual
no
u8 = ln-. (16.4-8)
n;
526 Contactos metal-semiconductor y superficies de semiconductores
En este caso lf>B (y, por ende uB) se relaciona con el potencial electrostático
que queda en lo más profundo del cristal, como se indica en la figura 16.7. Expre-
sando la cantidad uB = 1n(n 0 /n;) en función de Nd -Na por medio de (9.5-23), y
recordando que 1n(x +v'1 +x 2 ) = senh - l x, (16.4-7) se puede expresar como
d2 u 2
- 2 = - 2- (senh u- senh u 8 ). (16.4-9)
dx LD,
También debe observarse que, puesto que n0 p 0 = nl,
n0 n; Po
u 8 = In - = In - = -In - . (16.4-10)
n; Po n;
Se puede integrar una vez (16.4-9), haciendo que
du e dt/J eE
F= - - = - - - = - - - (16.4-11)
dx kT dx kT
d 2u dF dF du dF
-= --= ---=F- (16.4-12)
dx2 dx du dx du ·
que conecta el valor del campo en cualquier punto al valor del potencial. Esto se
puede integrar una vez más, en esta ocasión, entre los límites x =O (correspon-
diendo a la superficie, en donde u= u8 = elf>s/kT) y un punto interior arbitrario, lo
cual da
LDifu du (16.4-14)
x= - T usJcosh u- cosh u 8 - (u- u 8 ) senh Us
du 2J2
F = - - = --senh-.
u
(16.4-16)
dx L 01 2
esto se puede integrar ahora como se indicó antes, en donde la ecuación resultante
como solución para u sea
-x../2
- Us )
u(x)=4tanh- 1 ( e L 01 tanh-¡. (16.4-17)
eE5 2j2 5 u
Fs =- - = - - senh-. (16.4-18)
kT LDi 2
(16.4-20)
(16.4-21)
1
Densidad de carga espacial ~a 1
por unidad de área en los
Eo ~os wperficiales
E, 1
Do o, Gaussiana s2
Superficie
Figura 16.10. Diagrama que ilustra la construcción de las superficies gaussianas y las notaciones
usadas para los cálculos de la sección 16.4.
en donde ~¡
es la carga por unidad de área superficial en la región de carga espacial
interior y ~trepresenta la carga total por unidad de área superficial. Al substituir el
valor dado por (16.4-21) en lugar de ~s en (16.4-22), se ve claramente que la
relación entre la intensidad del campo interior ~s en la superficie y la densidad
total de carga espacial interior ~¡ es
(16.4-23)
(16.4-24)
Potencio/, campo y carga en la capa superficiol de un semiconductor 529
(16.4-25)
(16.4-27)
Distribución de
estados en la
superficie
-x
--:::.---:-.---:.:-----:-+---.-=--- ••(x)
x=O
Superficie
Figura 16.11. Diagrama de potencial y notación utilizada para el cálculo del potencial super-
ficial como función del campo aplicado, que se vio en la sección 16.4.
530 Contactos metal-semiconductor y superficies de semiconductores
f(u,)
'( ) - Eo
u,----
4.,.eN,
2./2n L
Ns
1 01
sen h -u,2
-1
Figura 16.12. Diagrama que ilustra la solución gráfica de la ecuación (16.4-29) y la variación del
potencial superficial en función del campo aplicado y otras variables.
ficial e interior, en función del campo aplicado, derivando los valores correspondien-
tes de Es y u8 en función del campo, e infiriendo de estos datos, la densidad de
los estados de superficie y su distribución de energía. Este problema es mucho más
difícil y la respuesta se puede obtener casi siempre probando varios modelos con
estados de superficie supuestos modificándolos conforme sea necesario para obtener
un ajuste satisfactorio de los datos experimentales, cuando se efectúe el cálculo antes
descrito. Algunas de las sutilezas incluidas en estas mediciones de efecto de campo y
las cohclusibnes que deben obtenerse de los resultados experimentales, se analizarán
en la siguiente sección.
de la dispersión de superficie dentro de las capas de carga espacial fue analizado por
Schrieffer 12 , que adoptó el modelo simple de potencial lineal para hacer la aproxi-
mación de: verdadero potencial de superficie. Se encontró que la movilidad super-
ficial se reducía del valor volumétrico en un factor que dependía del potencial
superficial. En el germanio puro, este factor varía de la unidad correspondiente a
cf>s = O a aproximadamente 0.4 para los valores mayores de cf>s que pueden r 1 can-
zarse experimentalmente. El valor del factor depende también, en parte, de la den-
sidad volumétrica de portadores. 13
En la figura 16.13 se presenta esta gráfica para una muestra de germanio casi
intrínseca.1 4 En el mismo diagrama-se grafica el valor experimentalmente determi-
nado del cambio de conductancia como función de la carga total inducida l:¡.
Primero se verá un valor particular observado del cambio de conductancia. Los
valores correspondientes de l: 1 y l:¡ se pueden leer en las curvas y, puesto que el
cambio de conductancia se produce debido casi totalmente a la región de carga
espacial, el valor de cf>s en la curva computada correspondiente a este valor del
cambio de conductancia es el valor real del potencial de superficie. La distancia
i:lc (J.unho
por cuadro)
10~----r----.,----.-----.-----.----~----------~----~----·
Ge, tipo-p
40 ohm-cm (300"K)
-lO -8 -6 -4 6 8 lO X 10 9
I; or I, (Couls 1 cmZ)
Figura 16.13. Valores observado y computado de la carg~ superficial, en función del potencial de
superficie y el campo aplicado. (Según W. L. Brown, W. H. Brattain, C. G. B. Garrett Y
H. C. Montgomery en Semiconductor Surface Physics, R. H. Kingston, Editor,
University of Pennsylvania Press, 'Filade.lf"Ia [1957], p. 115.)
horizontal entre las dos curvas corresponde a la densidad de carga de los estados
superficiales. La variación de c/Js con la densidad de carga de los estados superficiales
~s se puede obtener en forma directa, y se puede buscar un modelo de estados
superficiales que produzca esta variación observada.
Se ha encontrado experimentalmente que el ambiente gaseoso en que se sumer-
ge la muestra, tiene un efecto profundo en la estructura de los estados superficiales.
En efecto, se puede hacer que en el campo cero el valor del potencial de superficie
varíe a lo largo de una gama amplia, cambiando simplemente la naturaleza de la
atmósfera que rodea a la muestra. Por ejemplo, se ha encontrado 12 que la presencia
del ozono en el ambiente gaseoso produce, en el caso del germanio, un gran valor
negativo de c/Js y, por ende, una superficie de un fuerte tipo p en tanto que un ambiente
de aire húmedo produce un gran valor positivo de c/Js y, por tanto, una superficie
de un fuerte tipo n.
Otro fenómeno que se aprecia con claridad es el relajamiento lento del efecto
de campo. Cuando se aplica un voltaje en el experimento que se ilustra en la
figura 16.9, se observa inmediatamente un cambio en el potencial de superficie y
una variación en la densidad de carga espacial interna; pero el potencial de superficie
decae en forma gradual (durante un periodo que, dependiendo de la superficie y la
temperatura, varía de segundos a horas o días), hasta llegar a un valor muy aproxi-
mado al de campo cero. Este efecto se ha explicado, suponiendo que existen dos
clases distintas de estados superficiales, un grupo de estados ''rápidos" que interac-
túan con gran rapidez con la región de carga espacial interna y un grupo de estados
"lentos", que pueden interactuar sólo con gran lentitud con el interior del cristal.
Por lo general, se considera que los estados rápidos residen en la superficie del
cristal semiconductor, en tanto que los lentos se asocian con la superficie externa de
la capa de óxido que, por lo general, se encuentra presente en las muestras de
germanio o silicio. Este punto de vista de la situación se ve respaldado porque el
tiempo de relajación para los efectos de campo se hace muy grande, cuando están
presentes gruesas capas de óxido. La magnitud de los efectos de campo ''rápidos"
observados y el hecho de que el potencial superficial se relaja casi siempre hasta un
valor no muy distinto del de campo cero, después de un nempo prolongado, sugiere
que la densidad de los estados rápidos del germanio es típicamente del orden de
10 10 ó 10 12 cm-2, en tanto que la densidad de los estados lentos es mucho
mayor, quizá del orden de casi 10 15 cm-2. Se considera que los efectos asociados
con los cambios en el ambiente gaseoso, se relacionan principalmente con los estados
de superficie lentos, dejando a los rápidos casi sin ningún efecto. El hecho de que la
densidad observada de los. estados de superficie rápidos es mucho menor que el valor
que predicen las teorías de Tamm y Shockley, nos llevan a la conclusión de que los
estados rápidos no pueden identificarse con los estados Tamm, por lo menos en la
forma simple en que se representan en estas investigaciones teóricas.
También es evidente, de acuerdo con los resultados precedentes, que los esta-
dos de superficie y la distribución de potencial superficial deben ser los principales
causantes de la determinación de la probabilidad de recombinación para portadores
en exceso incidentes en la superficie y, por ende, para el establecimiento del coefi-
ciente de reflexión superficial y la velocidad de recombinación superficial. Sobre
todo, se puede ver claramente que los valores medidos del coeficiente de reflexión
superficial no representan el coeficiente de reflexión "real" de la superficie, sino que
expresan el efecto combinado de la superficie propiamente dicha y la región de carga
espacial correspondiente en la recombinación de los portadores en exceso, dentro de
la región superficial. Por tanto, es de esperarse que la velocidad de recombinación
superficial se vea afectada por cualquier cosa (por ejemplo, campos aplicados, tem-
peraturas, ambiente gaseoso) que puedan alterar el potencial superficial al igual
que cualquier factor que pueda modificar la densidad y la distribución de los ni-
534 Contactos metol~emiconductor y superficies de semiconductores
EJEROCIOS
l. Utilice la línea de razonamiento desarrollada en la sección 16.1, para analizar detallada-
mente la naturaleza del contacto ideal en el que no se comprenden estados superficiales entre un
metal y un semiconductor tipo p.
2. Derive la relación corriente-voltaje para un contacto rectificador entre un metal y un
semiconductor tipo p (t/>sc>tf>M>· Suponga que no existen estados de superficie.
3. Examine la naturaleza de la capa de carga espacial superficial que se forma cuando los
estados superficiales de tipo donador (neutros cuando están ocupados por electrones y positiva-
mente cargados cuando están vacíos), estlÍJI presentes en la superficie de un semiconductor.
4. Demuestre explícitamente, utilizando el planteamiento adoptado en la sección 16.3, que
las propiedades rectificadoras de un contacto metal-semiconductor tJ>M >tf>sc son prácticamente
<
iguales a las que se observen cuando tf>M tf>sc siempre que esté presente en la superficie del
semiconductor una distribución de estados superficiales originada por una capa de deficiencia.
S. Compute el porcentaje de cambio de conductividad que deba esperarse, si no hay estados
superficiales presentes, cuando se aplica una diferencia de potencial de 1000 V a una distancia
de 0.1 mm, a una muestra de germanio tipo n que contiene 10 14 electrones por cm 3 en
equilibrio, que tiene un espesor de 0.1 mm.
6. Reproduzca los aspectos matemáticos de la derivación del campo eléctrico, el potencial
y la densidad de carga espacial interna integrada, relacionados con el caso del volumen intrín-
seco.
LECTURAS RECOMENDADAS
W. H. Brattain y J. Bardeen, "Surface Properties of Germanium," Bell Syst. Tech. J, 32 1
(19S3).
D. R. Frankl, Electrical Properties of Semiconductor Surfaces, Pergamon Press, Londres (por
publicarse, 1966).
R. H. Kingston (editor), Semiconductor Surface Physics, University of Pennsylvania Press, Fila-
deliJa (19S7).
R. H. Kingston, "Review of Germanium Surface Phenomena," J. Appl. Phys., 21, 101 (1956).
C. G. B. Garrett y W. H. Brattain, "Physical Theory of Semiconductor Surfaces," Phys. Rev., 99,
376 (19S5).
T. B. Watkins, The Electrical Properties of Semiconductor Surfaces, en Progress in Semicon·
ductors, Heywood and Co., Londres (1960), Vol. S, p. 7.
J. N. Zemel (editor), Semiconductor Surfaces, Pergamon Press, Londres (1960).
y
(A2)
f(x)= 8(x-x0 )
-+----..u------x
O Xo
Figura Al. Representación visual aproximada de la función 8 Dirac 8(x- xo) como un "pico"
de altura infinita en el punto x =X o.
(A3)
535
536 Apéndice A: La función 5 Dirac
f xo+•z
.xo-e:t
Ao(x - Xo) dx = A
f"o+12o(x -
xo-et
Xo) dx = A . (A4)
(AS)
VA = (1..,. axa + •,. aya + •z. aza)<·•..A"+ •,. A' + •z. Az)
(Bl)
o bien (82)
537
538 Análisis tensorial
sea un tensor de segundo rango 1 que tiene nueve componentes T.,, que se puede
expresar como
(B3)
y un vector
A= ¿A,.i,.. (B4)
,.
Entonces, de acuerdo con (B2),
Si se suma sobre #J. y, observando que lJ,,. = O, excepto cuando #J.= {3, se
obtiene finalmente
T •A =
-
L L T.,A,i. = (T.x.xA.x + T.x,Ay + TX%A%)i.x
11. ,
(B6)
De acuerdo con estos resultados, es obvio que los dos productos de punto
(BS) y (B6) son iguales sólo si ! es un tensor simétrico para el cual =
También se puede demostrar fácilmente que la operación de producto punto
T., T,•.
equivale a una multiplicación matricial. Por tanto, se supone que las componentes
del tensor se consideran como las componentes de una matriz cuadrada de 3 por 3
y las componentes del vector se escriben como una matriz columna. Por tanto, de
acuerdo con las reglas de multiplicación de matrices2
·...
T.x.xT.x,Tnl [A.xl [T.x.xA.x + T.x7 A1 + T.xzAzl
[ T1.xTyyTyz A, = T,.xA.x + TyyA:v + T,zAz =!·A. (B7)
TuT.,Yzz Az TuA.x + Tz:7 A1 + T,,Az
El producto de punto A·! se puede desarrollar en forma similar, excepto que
ahora el vector A debe escribirse como una matriz renglón para efectuar la multipli-
cación.
(B8)
1 El tensor se denotará mediante una letra en tipo negro con subrayado, es decir: !·
2 Para esto, y una explicación más amplia de los tensores, el lector puede consultar D. H.
Men;r;el, Mathematical Physics, Dover Publications, Nueva York (1961), p. 86 ff.
Análisis tensorial 539
(B9)
en donde
El tensor cuyos elementos están dados por T,.p = li,.p se conoce como tensor
unitario o idemtensor L De donde,
!- [~ ! n
De acuerdo con (BS) y (B6) o (B7) y (B8), es evidente que
A·!=!·A=A, (B12)
Tl = lT=!, (B13)
(BlS)
541
Indice54 2
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