SIMULACIÓN DE UN DETECTOR DE ARSENURO DE GALIO A BAJA

ENERGÍA.

DAVID ARTURO JARAMILLO

Proyecto de grado presentado como requisito para optar el título de físico.

Director
Dr. CARLOS A. AVILA BERNAL

UNIVERSIDAD DE LOS ANDES

FACULTAD DE CIENCIAS
Departamento de física
Bogotá D.C, Colombia
2003
SIMULACIÓN DE UN DETECTOR DE ARSENURO DE GALIO A BAJA
ENERGÍA.

DAVID ARTURO JARAMILLO

UNIVERSIDAD DE LOS ANDES

FACULTAD DE CIENCIAS
Departamento de física
Bogotá D.C, Colombia
2003
Dedicada especialmente a

Dios.

A mi mamá por su apoyo

incondicional, confianza

y paciencia en todo

momento.

David Arturo Jaramillo.

 AGRADECIMIENTOS

Expreso mi más sincero agradecimiento a Carlos Avila, quien

con certeza asesoró esta monografía, y a Juanita López por su

inmensa ayuda y paciencia.

 ÍNDICE GENERAL

INTRODUCCIÓN................................................................................................................. 1

1 UNIONES P-N ................................................................................................................. 3

1.1 MATERIALES TIPO “N”...................................................................................... 3
1.2 MATERIALES TIPO “P”....................................................................................... 5
1.3 UNIONES P-N........................................................................................................ 6
1.3.1 Uniones P-N en estado de equilibrio.......................................................... 7
1.3.2 Polarización directa e indirecta de una unión P-N. .................................. 20

2 FOTODETECTORES...................................................................................................33

3 ARSENURO DE GALIO, GERMANIO Y OTROS MATERIALES

SEMICONDUCTORES.................................................................................................42

4 INTERACCIONES ENTRE RAYOS “X” Y MATERIA ..........................................49

4.1 EFECTO FOTOELÉCTRICO .............................................................................. 50
4.2 DISPERSIÓN COMPTON .................................................................................. 52
4.3 DISPERSIÓN RAYLEIGH .................................................................................. 56
4.4 FOTO-ELECTRONES.......................................................................................... 57

5 PÉRDIDA DE ENERGÍA DE PARTÍCULAS ATRAVÉS DE MATERIA Y

CREACIÓN DE PARES ELECTRÓN HUECO........................................................64

6 APLICACIONES DE LOS FOTODETECTORES A BAJA ENERGÍA.................73

7 EFICIENCIA Y RESOLUCION ESPACIAL ..............................................................77

7.1 EFICIENCIA......................................................................................................... 77
7.2 RESOLUCION ESPACIAL ................................................................................. 81

CONCLUSIONES..............................................................................................................87

BIBLIOGRAFÍA.................................................................................................................89

ANEXO 1 ............................................................................................................................91

ANEXO 2 ............................................................................................................................99

ANEXO 3 ..........................................................................................................................107

ANEXO 4 ..........................................................................................................................109
 LISTA DE FIGURAS

Figura 1.1.1. Diagrama de bandas de un material tipo n.............................................................. 4

Figura 1.1.2. Enlaces covalentes de Si dopado con Sb, para formar un material tipo n. ..................... 5
Figura 1.2.1. Enlaces covalentes de Si dopado con Al, para formar un material tipo p. ..................... 5
Figura 1.2.2. Diagrama de bandas de un material tipo p.............................................................. 6
Figura 1.3.1. Diagrama de bandas para materiales p y n ........................................................... 7
Figura 1.3.2. Unión p-n abrupta............................................................................................. 7
Figura 1.3.3. Sistema químico del ejemplo. ............................................................................. 8
Figura 1.3.4. Difusión de portadores..................................................................................... 10
Figura 1.3.5. Interpretación del Potencial de contacto en un diagrama de bandas........................... 11
Figura 1.3.6. Diagrama de bandas con nivel de Fermi constante en la unión. ............................... 13
Figura 1.3.7. Dirección de las corrientes circulando en la unión p-n. ........................................... 15
Figura 1.3.8. Distribución de electrones en el lado p de la unión. Aquí n o es igual a n p . .................. 18
Figura 1.3.9. Distribución de huecos en el lado n de la unión. Aquí p o es igual a p n ........................ 19
Figura 1.3.10. Diagrama de bandas de la unión polarizada directamente, indirectamente y sin
polarización ............................................................................................................ 20
Figura 1.3.11. Circuito equivalente de la zona de agotamiento con polarización directa. ................. 21
Figura 1.3.12. Circuito equivalente de la zona de agotamiento con polarización indirecta. .............. 21
Figura 1.3.13. Efecto avalancha en el diodo. .......................................................................... 30
Figura 2.1. Unión p-n iluminada, con circuito de polarización. .................................................. 34
Figura 2.2. Geometría del fotodetector. a)Descripción por capas. b) Corte seccional. c)Vista superior.
............................................................................................................................. 39
Figura 4.1.1. a) Efecto fotoeléctrico en un metal. b) Efecto fotoeléctrico en el átomo. .................... 50
Figura 4.2.1. Dispersión Compton. ...................................................................................... 53
Figura 4.3.1. Dispersión Rayleigh. ....................................................................................... 57
Figura 5.1. Trayectoria seguida por el electrón dentro del detector. ............................................ 69
Figura 5.2. Rango de ocurrencia de θ en GaAs...................................................................... 71
Figura 6.1. (a) Vista transversal y (b) Vista superior de un detector conformado por microcintas...... 75
Figura 6.2. Sistema de lectura. ............................................................................................ 75
 LISTA DE GRÁFICAS

Gráfica 1.3.1. Característica I-V de una unión p-n. .................................................................. 28

Gráfica 1.3.2. Característica I-V de un diodo con efecto avalancha............................................. 31
Gráfica 2.1. Característica I-V con efectos ópticos. ................................................................. 35
Gráfica 3.1. Variación de la movilidad con impurezas (Na+Nd ), para Si, Ge y GaAs, a 300 K. ......... 45
Gráfica 4.1.1. E vs ν . ....................................................................................................... 51
Gráfica 4.2.1. Secciones eficaces del GaAs para los efectos mencionados en la parte superior de la
gráfica, en el eje x está la energía en GeV. .................................................................... 56
Gráfica 4.4.1. Histograma de energía E0 (KeV) de los fotoelectrones en una muestra de Silicio de
300um de espesor y 1000 fotones de 20 KeV. ................................................................ 59
Gráfica 4.4.2. Histograma de energía E0 (KeV) de los fotoelectrones en una muestra de GaAs de
300um de espesor y 1000 fotones de 22 KeV. ................................................................ 60
Gráfica 5.1. Stopping Power para electrones. (a) GaAs, (b) Ge, (c) Si. ....................................... 66
Gráfica 5.2. Histograma de la distribución angular con GaAs, 300um de grosor, 22 KeV. En el eje X
están los ángulos en grados, y en el eje Y la frecuencia. ................................................... 71
Gráfica 7.1.1. Eficiencia del Arsenuro de Galio. ..................................................................... 79
Gráfica 7.1.2. Eficiencia del Germanio. ................................................................................ 79
Gráfica 7.1.3. Eficiencia del Silicio. ..................................................................................... 80
Gráfica 7.1.4. Comparación de eficiencia entre Ge,GaAs y Si. .................................................. 81
Gráfica 7.2.1. Resolución espacial para GaAs, 22KeV. La resolución es igual a 59.05 ± 2.95 um. .. 83
Gráfica 7.2.2. Resolución espacial para Ge, 40KeV. La resolución es igual a 62.37 ± 3.11 um. ....... 84
Gráfica 7.2.3. Resolución espacial para Si, 60KeV. La resolución es igual a 60.7 ± 3.03 um. ......... 84
Gráfica 7.2.4. Resolución espacial contra energía para GaAs, Ge, Si, a un espesor de 300um y campo
5
eléctrico igual a 4 x 10 V/cm. .................................................................................. 86
Gráfica 7.2.5. Distribución de PEH para 50000 fotones en GaAs, Ge, Si. .................................... 86
 LISTA DE TABLAS

Tabla 1.3.1. Dirección de movimiento de portadores en la unión. ............................. 12

Tabla 1.3.2. Direcciones de las corrientes según el portador. ..................................... 15
Tabla 3.1. Propiedades físicas y eléctricas del Arsenuro de Galio, en condiciones de
temperatura ambiente y alta pureza..................................................................... 44
Tabla 3.2. Movilidades y coeficientes de difusión de Si, Ge y GaAs sin impurezas.. 44
Tabla 3.3. Propiedades de algunos otros materiales semiconductores, a 300 K y alta
pureza. ................................................................................................................. 47
Tabla 3.4. Comparación entre materiales antiguos y materiales recientemente
estudiados. ........................................................................................................... 48
Tabla 4.4.1. Energía de las capas para el Silicio. ........................................................ 58
Tabla 4.4.2. Energía de las capas para el GaAs. ......................................................... 61
Tabla 4.4.3. Probabilidad de interacción con las capas K y L1 para el GaAs. ........... 63
Tabla 5.1. Campo eléctrico de rompimiento. .............................................................. 68
Tabla 7.2.1. Resoluciones espaciales obtenidas de simulaciones realizadas para un
ancho de 300um, GaAs, Ge, Si. .......................................................................... 85
 INTRODUCCIÓN

Los fotodetectores son dispositivos que permiten medir niveles de radiación, y

convertirlos en señales eléctricas. Esta peculiar pero importante propiedad, permite
que sean utilizados en una gran variedad de aplicaciones. Por ejemplo, en la
fabricación de celdas solares, y fotodetectores en rangos que abarca todo el espectro,
entre otras.

Por esta razón, estos elementos se están empezando a emplear en el campo de la

medicina, particularmente en la extracción de imágenes por incidencia de rayos X en
fotodetectores. Esto significa energías entre 10 y 100 KeV, consideradas como bajas
energías.

Esta nueva pero potencialmente eficiente forma de tomar imágenes, ofrece ventajas
que lo ubican por encima de los actuales métodos utilizados para obtener radiografías
diagnósticas. Ventajas como la alta resolución, permite determinar la existencia de
tumores con tamaños que virtualmente serían imposibles de detectar con las técnicas
actuales, además de reducir los tiempos de irradiación y de obtención de la imagen,
entre otras, los ubican en serios candidatos a reemplazar las actuales radiografías.

Aunque aún no existen máquinas capaces de obtener imágenes con fotodetección,

este es un tema relativamente reciente sobre el cual falta mucho por recorrer. Desde
que se comenzó hace aproximadamente dos décadas, se han logrado grandes avances
que prometen resultados en los próximos años. Por el momento, la mayor parte de la
1
investigación está centrada en el estudio de los fotodetectores, porque en últimas son
ellos la pieza clave de todo esto.

En la actualidad los fotodetectores son fabricados en su mayoría de Silicio, porque

este es un material altamente estudiado, y sobre el cual se conocen plenamente sus
capacidades. Sin embargo, se han encontrado nuevos y mejores materiales, que
proporcionan propiedades físicas y eléctricas muy superiores al Silicio, por ejemplo
el Arsenuro de Galio (GaAs). Este material brinda ventajas que están siendo
utilizadas en la fabricación de una nueva generación de circuitos integrados (VLSI), y
fotodetectores más óptimos y con niveles de funcionamiento por encima de los
acostumbrados con el Silicio.

Con la motivación de una nueva técnica para la obtención de imágenes radiológicas,

que permita mejorar sustancialmente la calidad de vida de las personas, y la
motivación de un nuevo material que ayude a desarrollar mejores y más eficientes
fotodetectores, es que esta monografía va a centrar su investigación en la simulación
de un fotodetector de Arsenuro de Galio y Germanio, para detección de rayos X
(bajas energías) en aplicaciones médicas.

2
 Capítulo 1
UNIONES P-N

En este capítulo, se va a estudiar la física de las uniones p- n, que son de suprema

importancia en el desarrollo de diodos, lasers y fotodetectores. Siendo estos últimos,
el tema central de la monografía. Para esto, debemos empezar dando una mirada a los
materiales tipo n y tipo p.

1.1 MATERIALES TIPO “N”

Son materiales semiconductores que al ser combinados con elementos u otros

materiales, completan sus enlaces covalentes, y además de eso, dejan electrones libres
de enlace, que con una mínima cantidad de energía pueden ser puestos a conducir una
corriente eléctrica.
Hablando en términos físicos, un material tipo n es aquel al que le fue añadido
electrones creando un nivel de energía de donores Ed (ver figura 1.1.1) en su
estructura de bandas, tal que se encuentra cerca de la banda de conducción.

De manera que el número de electrones n, en el material es igual a:

n = no + Nd (1.1.1)
3
Donde, no es el número de electrones intrínsecos del material, y Nd es el número de
electrones añadidos al material.

El diagrama de bandas, correspondiente a un material de estas características es el

que se muestra a continuación:

Figura 1.1.1. Diagrama de bandas de un material tipo n.

Con una pequeña cantidad de energía, los electrones contenidos en el nivel Ed, saltan
a la banda de conducción (con energía Ec).

Al añadir electrones al semiconductor, se dice que se realizó un dopaje tipo n, al

semiconductor resultante material tipo n, y a los electrones se les dice donores,
porque al ser excitados son donados a la banda de conducción.

La manera de añadir el nivel Ed, y por consiguiente los electrones, es combinando al

semiconductor con elementos u otros compue stos que posean exceso de electrones a
la hora de enlazarse covalentemente.

Por ejemplo, “Si” dopado con “Sb”. El “Si” posee 4 electrones de valencia y el “Sb”
cinco, por lo tanto, para poder cumplir la regla del octeto se necesitan los 4 electrones
del “Si” y 4 del “Sb”, quedando un electrón libre de enlace que puede ser puesto a
conducir fácilmente. Los elementos típicos para dopajes tipo n, son los del grupo
cinco en la tabla periódica.

4
 Figura 1.1.2. Enlaces covalentes de Si dopado con Sb, para formar un material tipo n.

1.2 MATERIALES TIPO “P”

Si ahora combinamos “Si” con un elemento que posea tres electrones en su capa de
valencia ( por ejemplo “Al”), ocurre que no hay suficientes electrones entre los dos
elementos para completar los ocho electrones de la regla del octeto. Es por esto, que
hay una deficiencia de carga presente en los enlaces (ver figura 1.2.1).

Figura 1.2.1. Enlaces covalentes de Si dopado con Al, para formar un material tipo p.

El enlace faltante, es representado por un “ hueco”. Al realizar este tipo de

combinación, se están inyectando huecos al “Si”, por lo que se dice que se realizó un
dopaje tipo p. En un diagrama de bandas, es equivalente a añadir un nivel Ea cerca de
la banda de va lencia, donde con una pequeña cantidad de energía, los electrones
intrínsecos al material, estacionados en la banda de valencia, saltan a Ea dejando

5
como resultado huecos en la misma, significando una deficiencia de carga. El
semiconductor resultante es un material tipo p, llamado así por el exceso de cargas
positivas que posee, y a los huecos se les denomina aceptores, por su capacidad de
aceptar electrones.

Figura 1.2.2. Diagrama de bandas de un material tipo p.

De manera que en este material, el número de huecos p está dado por:

p = po + Na (1.2.1)

Donde, po es el número de huecos intrínsecos del material, y Na es el número de

huecos inyectados por dopaje.

Después de explicar que son estos materiales, es importante dar a conocer la

motivación por la cual los semiconductores son dopados. Pues bien, el dopaje es la
manera más común de variar la conductividad de semiconductores. Por ejemplo, al
dopar tipo n, el material aumenta su conductividad porque se requiere de poca energía
para poner los a electrones en la banda de conducción.

1.3 UNIONES P-N

En esta sección se va dar una mirada a los efectos que hay detrás de las uniones p- n.
6
Antes de entrar de lleno, cabe resaltar la importancia que tienen estas uniones en el
desarrollo de circuitos electrónicos, utilizados en tareas de amplificación,
rectificación, etc, al igual que en el diseño de instrumentos opto-electrónicos tales
como celdas fotoeléctricas, fotodetectores, diodos emisores de luz y comunicaciones
por fibra óptica.

1.3.1 Uniones P-N en estado de equilibrio

Para empezar, supóngase un fragmento de material tipo p, y uno tipo n, tal como se
ve en la figura 1.3.1. Como se sabe, el material tipo p tiene el nivel de Fermi Ef cerca
de la banda de valencia, y el tipo n cerca de la banda de conducción (ver figura 1.3.1).

Figura 1.3.1. Diagrama de bandas para materiales p y n

A continuación se unen los dos fragmentos para formar una unión p-n, como se
muestra en la siguiente figura:

Figura 1.3.2. Unión p-n abrupta.

7
En la realidad, las uniones no se hacen así pero de esta forma se puede ver más claro
lo que ocurre dentro de la unión.

Inmediatamente se crea un gradiente de concentración, debido al exceso de

portadores n (electrones) en el lado n, con respecto a los pocos existentes en el lado p.
Lo mismo ocurre para los portadores p (huecos) del lado p, respecto a los del lado n.
En la naturaleza, cuando un gradiente de concentración está presente en un sistema
cualquie ra, desaparece tiempo después cuando alcanza un estado de equilibrio en el
momento que la concentración final es constante en todo el sistema. Por ejemplo,
imagínese un sistema químico formado por dos sustancias, una ácida y una alcalina,
puestas en un recipiente rectangular y separadas por una lámina como se ve en la
figura 1.3.3.

Figura 1.3.3. Sistema químico del ejemplo.

Cada sustancia tiene su Ph propio, y entre las dos hay un gradiente de Ph producto de
la diferencia que existe entre ellas. Si se retira la lámina, inmediatamente después la
sustancia alcalina se difunde a la zona del ácido, y viceversa. Un tiempo después, el
sistema llega al equilibrio, cuando su Ph se hace constante en todo el sistema, y
entonces el gradiente de concentración desaparece. El Ph final queda en algún valor
entre los dos iniciales.
De igual manera ocurre en las uniones p-n, el gradiente de concentración de
portadores produce una difusión de estos al lado n si son huecos, y al lado p si son
electrones.

8
Sin embargo, la difusión de portadores no es homogénea en toda la unión p- n. El
caso más crítico es en la región cerca a la unión, en donde debido al intenso gradiente
de concentración hay una avalancha de portadores difundiéndose a cada lado, lo que
en últimas crea un exceso de carga, que en el lado p es de electrones, y en el lado n es
de huecos. Estas zonas de carga tienen una longitud dentro del elemento p-n (Xno y
Xpo ), que varían dependiendo de la intensidad del gradiente de concentración, que a
su vez cambia con el dopaje que se haga a los semiconductores. Si el dopaje se
incrementa, entonces el gradiente aumenta, si eso ocurre entonces habrá más difusión
de portadores cerca a la unión, lo que incrementa aún más el exceso de carga,
provocando que utilicen más espacio y por consiguiente se incremente la longitud
ocupada para la difusión, Xno o Xpo según sea el tipo de portador.

A la suma de las regiones delimitadas por Xno y Xpo , se le denomina la región de

transición, y a su longitud se le define como W= Xno + Xpo . En algunos casos, a la
región de transición se le llama zona de agotamiento, porque debido a los excesos de
carga la zona es agotada de sus portadores mayoritarios, es decir, para el lado n en la
región de Xno los electrones son extinguidos por recombinación con el gran número
de huecos que llegan por difusión, y viceversa para el lado p.
Más allá de las distancias Xno y Xpo, los portadores difundidos llegan a ser
minoritarios ( electrones en el lado p, y huecos en lado n ) y entonces se recombinan
con los mayoritarios ( huecos en el lado p y electrones en el lado n ). En la figura
1.3.4 se resume lo explicado hasta este momento.

9
 Figura 1.3.4. Difusión de portadores.

Pero las cosas no terminan ahí.

Como ya se mencionó, existen excesos de carga en ambos lados de la unión (figura
1.3.4), que generan un campo eléctrico E(x) del lado n al p. Esto es de esperarse
porque E(x) es producido por la atracción de Coulomb ( fuerza de Coulomb ) entre
cargas positivas y negativas según la relación:

F
E(x) = (1.3.1)
q
En la unión p-n, la creación de un campo eléctrico intrínseco (intrínseco porque se
forma automáticamente al unir los materiales) implica que debe existir un potencial
eléctrico Vo, creado a partir de E(x), como se muestra a continuación:

V(x) = - ∫ E( x) dx (1.3.2)

Para este caso, en la unión:

10
 Xno
Vo = - ∫ E (x )dx (1.3.3)
− Xpo

Vo es comúnmente llamado potencial de contacto y es intrínseco a la unión. En la

figura 1.3.5 se muestra el significado de Vo en un diagrama de bandas.

Figura 1.3.5. Interpretación del Potencial de contacto en un diagrama de bandas.

Por otro lado, el efecto más importante producido por el campo eléctrico es el
conocido efecto de arrastre.

El efecto de arrastre, se produce cuando los portadores minoritarios de cada lado

( electrones en el lado p, y huecos en el lado n ) son transportados al otro lado de la
unión por causa del campo eléctrico, por lo tanto los electrones son arrastrados de la
región p a la n, y los huecos de la región n a la p.

Viendo esto último con más detalle, se sabe que la fuerza eléctrica es igual a la carga
por el campo eléctrico. Para huecos la carga es positiva, por lo tanto, la fuerza va en
la misma dirección que el campo, es por esto que los huecos viajan en la dirección de
11
n a p. Ahora para los electrones, la carga es negativa por lo tanto la fuerza va en
dirección opuesta al campo, entonces estos se mueven de p a n.
En la siguiente tabla, se muestran las direcciones de movimiento de los portadores
para los efectos de difusión y arrastre.

HUECOS ELECTRONES
DIFUSIÓN → ←
ARRASTRE ← →

Tabla 1.3.1. Dirección de movimiento de portadores en la unión.

En consecuencia a todo lo anterior, los dos efectos más importantes en una unión p- n,
son las difusión y arrastre de portadores. Esto, sin tomar en consideración otros
efectos como los ópticos o de polarización, los cuales se estudiarán más adelante.

Ahora, volviendo al ejemplo del sistema químico, como ya se dijo, la difusión de

sustancias ocurre hasta un tiempo después, cuando el sistema finalmente llega al
equilibrio, es decir Ph constante. De igual manera, para la unión p-n se llega a una
situación de equilibrio donde los niveles de Fermi de cada lado se igualan a un valor
constante a través de toda la unión, y entonces deja de haber transporte de cargas, lo
que no necesariamente es cierto mientras el elemento llega al equilibrio, porque allí
hay continuamente cargas en movimiento de un lado de la unión a otro.

Cuando se igualan los niveles de Fermi de cada lado de la unión, para cumplir con la
condición de equilibrio; en un diagrama de bandas se ve que un potencial Vo es
formado (ver figura 1.3.6). Pues bien, este es el mismo potencial de contacto que se
discutió anteriormente.

12
En este momento es donde el potencial de contacto Vo toma importancia, porque es el
potencial necesario para que la unión mantenga su equilibrio, es decir, mantenga
constante el nivel de Fermi a lo largo de toda la unión (ver figura 1.3.6).

Figura 1.3.6. Diagrama de bandas con nivel de Fermi constante en la unión.

Por consiguiente, qVo es la energía necesaria para lograr igualar los niveles de Fermi
de cada lado. Es por esto que Vo es una cantidad de equilibrio, de la que no puede
resultar una corriente eléctrica neta, porque no hay movimiento de cargas en la unión.
Antes de seguir adelante, hay que recordar dos hechos importantes de los que se
deriva todo lo que sigue a continuación. El primero de ellos es como se sabe, el
movimiento de cargas genera corriente eléctrica que lleva asociada una densidad de
corriente. El segundo punto es, que en una unión p- n en estado de equilibrio, no hay
corrientes netas fluyendo por ella, porque en ese momento deja de haber movimiento
de cargas.
Como ya se vio, en la unión hay movimiento de huecos y de electrones, por difusión
y arrastre, entonces hay asociadas a esos movimientos densidades de corriente como
sigue:

Jp (dif): Densidad de corriente de huecos por difusión.

Jp (arr): Densidad de corriente de huecos por arrastre.

Jn (dif): Densidad de corriente de electrones por difusión.

13
Jn (arr): Densidad de corriente de electrones por arrastre.

Ahora, tomando el elemento en equilibrio se tiene que la corriente neta es cero, por lo
tanto se cumple que:

Jp (dif) + Jp (arr) = 0 (1.3.4)

Jn (dif) + Jn (arr) = 0 (1.3.5)

Como es de esperarse, la densidad de corriente de difusión debe ser proporcional al

gradiente de concentración, y la densidad de corriente de arrastre debe ser
proporcional al campo eléctrico. Por esto se tiene que:

dp( x)
Jp (dif) = − qD p (1.3.6)
dx
Jp (arr) = qµ p p( x)ε ( x) (1.3.7)

dn( x )
Jn (dif) = qDn (1.3.8)
dx
Jn (arr) = qµ n n( x)ε ( x) (1.3.9)

donde:

µ p : Movilidad de huecos. Depende del material.

µ n : Movilidad de electrones. Depende del material.

D p : Coeficiente de difusión para huecos. Depende del material.

Dn : Coeficiente de difusión para electrones. Depende del material.

14
A continuación se resumen las corrientes y sus direcciones:

Figura 1.3.7. Dirección de las corrientes circulando en la unión p-n.

DIFUSIÓN ARRASTRE
ELECTRONES → ←
HUECOS → ←

Tabla 1.3.2. Direcciones de las corrientes según el portador.

Resolviendo las ecuaciones 1.3.4 y 1.3.5 con la ayuda de las relaciones:

E(x) = - ∇V (x) (1.3.10)

D kT
= (∗)
(1.3.11)
µ q
se puede demostrar que:

qVo
pp nn
= = e kT (1.3.12)
pn n p

(*)
Esta ecuación es conocida como la relación de Einstein.
15
Donde :

pp = po : concentración intrínseca de huecos en el lado p.

pn = po : concentración intrínseca de huecos en el lado n.
nn = no : concentración intrínseca de electrones en el lado n.
np = no : concentración intrínseca de electrones en el lado p.

Por otro lado, a partir de la densidad de carga en la zona de transición, podemos

encontrar otra expresión útil que relacione el ancho W, con las concentraciones de
donores (electrones) y aceptores (huecos):

1
 2εV o  1 1  2
W =  +  (**)
(1.3.13)
 q  N a N d 

donde W = Xno + Xpo , y ε es la permitividad del material.

Nótese que W depende de las concentraciones de donores y aceptores con que fue
dopado el material. Esto es de esperarse porque de ellos depende el gradiente de
concentración.

Hasta este momento se ha estudiado la física en la zona de transición W, que se

resume en los efectos de difusión y arrastre. Pero más allá de W, aún queda material p
y n que no puede ser ignorado. Por esta razón, en lo que sigue se va a estudiar la
física fuera de la zona de agotamiento.

Como ya se vio, la zona de agotamiento está cargada de electrones en el lado p, y

huecos en el lado n, esto por la difusión de portadores. En últimas, este efecto puede

(**)
Expresión tomada de “Solid State Electronic Devices”, Ben Streetman.
16
ser visto como una inyección de portadores minoritarios en cada lado de la unión, es
decir, inyección de electrones en el lado p, y huecos en el lado n.

Cabe anotar que los portadores minoritarios son los de menor presencia en un
semiconductor, por ejemplo, los portadores minoritarios en un material tipo p son los
electrones, ya que a este material se le dopó con huecos. Por supue sto que los
minoritarios en un material tipo n son los huecos.

Entonces en el lado p tenemos entre X = 0 y X = Xpo una gran cantidad de electrones

∆n que se difundieron, para X > Xpo una cantidad no de electrones intrínsecos al
material, y un número δn (x ) inyectados por difusión.

Si se denota a la concentración de electrones para X > Xpo como n (x), entonces:

n (x) = no + δn (x ) (1.3.14)

Lo que significa la ecuación anterior es que:

(Número total de electrones) =

 Número total de electrones   Número total de electrones 
  +  
 intrínseco s al material   inyectados por difusión 

Pero los electrones inyectados disminuyen a medida que X aumenta, debido

exclusivamente a la recombinación que sufren con los huecos. Esta recombinación
ocurre de la forma:

−x

δn ( x ) = ∆n * e Ln
(1.3.15)

17
donde Ln es la longitud de difusión para electrones.

Esto se ve más claro en la siguiente figura:

Figura 1.3.8. Distribución de electrones en el lado p de la unión. Aquí n o es igual a n p .

Nótese que δn (x ) es un exceso de electrones inyectados por difusión, que se van

recombinando cuando salen de Xpo . También hay que notar que en X=0,
−x

n(x) = n o + ∆n * e Ln
(1.3.16)
es igual a:

n(x=0) = no + ∆n (1.3.17)

como es de esperarse, porque en X=0 ninguno de los electrones inyectados ha

alcanzado a recombinarse. La recombinación empieza cuando X > Xpo , es decir, en el
momento que se sale de la zona de agotamiento, y es ahí cuando δn (x ) decae
exponencialmente, debido a este efecto.

18
Por último, la longitud de difusión Ln es la distancia promedio que un electrón
recorre antes de recombinarse. Esta se puede calcular mediante la expresión:

Ln = D n τ n (1.3.18)

donde Dn es el coeficiente de difusión, y τ n es el tiempo de recombinación. Ambos

parámetros dependen del material.

De igual manera, se puede hacer para los huecos en el lado n de la unión, obteniendo
que:

−x

p(x) = p o + ∆p * e
Lp
(1.3.19)

L p = D pτ p (1.3.20)

donde Lp es la longitud de difusión de huecos, Dp es el coeficiente de difusión de

huecos y τ p es el tiempo de recombinación de huecos, que también dependen del

material.

Figura 1.3.9. Distribución de huecos en el lado n de la unión. Aquí p o es igual a p n .

19
Hasta este punto se ha revisado la física que trae consigo el simple hecho de unir dos
materiales tipo n y tipo p para formar la unión p-n. A continuación, se verá lo que
ocurre cuando a la unión p- n se le aplica un voltaje externo

1.3.2 Polarización directa e indirecta de una unión P-N.

En esta parte se va a estudiar la polarización de una unión p- n, y sus efectos.

Cuando se polariza una unión añadiendo un voltaje externo, el efecto resultante es un
aumento o disminución del potencial de contacto, según si la polarización es indirecta
o directa respectivamente. En la siguiente figura se muestra el diagrama de bandas de
la unión polarizada directamente, inversamente y sin polarización.

Figura 1.3.10. Diagrama de bandas de la unión polarizada directamente, indirectamente y sin

polarización

Nótese que el campo eléctrico, W y Vo se ven afectados en magnitud cuando se aplica

un voltaje. Esto es porque las tres cantidades están cercanamente relacionadas como
ya se vio anteriormente.
20
Si la unión no fuera polarizada (V = 0), entonces esta se encontraría en estado de
equilibrio tal como se estudió anteriormente. Este equilibrio se rompe en el momento
que la unión se polariza, y sus variables de equilibrio inmediatamente sufren cambios,
los cuales serán revisados a continuación.

Cuando se polariza directamente con V = Vf, el potencial de contacto disminuye a

un valor Vo – Vf, esto es porque la zona de agotamiento puede ser vista como una
fuente de voltaje que se encuentra en serie con la fuente externa tal como se muestra a
continuación:

Figura 1.3.11. Circuito equivalente de la zona de agotamiento con polarización directa.

La suma de estas dos fuentes da como resultado una equivalente con voltaje igual a
Vo – Vf.

En cambio, si ahora la polarización es indirecta V = -Vr , entonces el circuito

equivalente es:

Figura 1.3.12. Circuito equivalente de la zona de agotamiento con polarización indirecta.

21
Sumando voltajes se obtiene uno equivalente con valor Vo + Vf.

Ahora, el campo eléctrico dentro de la región de agotamiento se puede deducir de la

diferencia de potencial en la unión. El campo decrece con polarización directa,
porque el campo externo producido por el voltaje externo, se opone al campo
producido por el potencial de contacto.

Con polarización indirecta, los dos campos van en la misma dirección, por lo tanto se
suman y producen uno con mayor magnitud.

Por otro lado, W aumenta con polarización indirecta y disminuye con polarización
directa. Esto es fácil de ver en la ecuación calculada para W (ecuación 1.3.13), al
cambiar Vo por Vo ± Vf.

También es importante explicar que en equilibrio, el nivel de Fermi es constante en

toda la unión, sin embargo, bajo polarización el nivel se divide para cada lado de la
unión (ver figura 1.3.10) por un valor numéricamente igual a qV, donde V es el
voltaje externo aplicado.

De esta manera, se dio una mirada a la manera como afecta la polarización de una
unión p- n, que se encontraba en equilibrio, a las variables de equilibrio: Vo , E y W.
Ahora se busca ver como se ven afectadas las corrientes de difusión y arrastre, bajo
polarización.

Como ya se mencionó, en equilibrio no pueden fluir corrientes en la unión, sin

embargo en esta parte se rompió el equilibrio al polarizar la unión, por lo tanto, sin
la presencia de este último pueden existir corrientes fluyendo a lo largo de la unión.

22
Como se sabe, la corriente de difusión está compuesta de los portadores mayoritarios
(electrones en el lado n y huecos en el lado p) que logran atravesar la barrera de
potencial impuesta por Vo , para poder llegar al otro lado de la unión, es decir los
electrones del lado n que cruzan Vo y llegan al lado p; de la misma forma, los huecos
del lado p que logran arribar al lado n. Todo esto lógicamente por difusión.

Con polarización directa, la barrera de potencial se hace más pequeña como ya se

mencionó, y por lo tanto los portadores mayoritarios pueden difundirse más
fácilmente. Al disminuir Vo , más portadores mayoritarios llegan a tener la energía
suficiente para cruzar la barrera. Consecuentemente, la corriente por difusión
aumenta tanto de electrones como de huecos.

Ahora, con polarización indirecta, la barrera de potencial aumenta y entonces pocos

portadores mayoritarios son capaces de atravesar la barrera, porque la energía que
tienen no es la suficiente para poder cruzar. Por esto, la corriente se ve disminuida
para ambos portadores, huecos y electrones, por consiguiente, la corriente de difusión
es usualmente depreciada bajo polarización indirecta.

Por otro lado, la corriente de arrastre es relativamente insensible a la barrera de

potencial. Esto se debe a que esta corriente depende exclusivamente del número de
portadores minoritarios (que son los que participan del arrastre) que son arrastrados
por el campo eléctrico, y por consiguiente del número de portadores minoritarios
disponibles para ser arrastrados. Al polarizar se está cambiando la magnitud del
campo eléctrico, ya sea directa o indirectamente; pero este cambio de magnitud solo
afecta la velocidad de arrastre de los portadores más no al número de portadores que
están siendo arrastrados. El campo no genera portadores, solo los arrastra a través de
la unión, es así que es independiente del campo y por consiguiente, de la barrera de
potencial.

23
Como los portadores disponibles para el arrastre en cada lado de la unión no son
producidos por el campo, son generados por excitación térmica de pares electrón
hueco (PEH) en las zonas externas a la de agotamiento. Esto quiere decir que por
simples efectos de temperatura, se pueden generar PEH en ambos lados de la unión,
lo que incrementa el número de huecos en el lado n, y el de electrones en el lado p.
Cada uno de estos, se difunde a la zona de agotamiento y entonces es arrastrado por el
campo eléctrico. De esta manera aumenta el número de portadores minoritarios que
contribuyen a la corriente de arrastre, y por consiguiente se incrementa la corriente
por este efecto.

Como se verá más adelante, la temperatura no es el único camino de crear PEH que
aumenten el número de portadores arrastrados, sino que también es posible hacer esto
con efectos ópticos iluminando la unión.
A la corriente de arrastre generada por efectos térmicos, se le denomina corriente de
generación, desde que su magnitud depende enteramente de la rata de generación de
PEH, por efectos de temperatura. Como se vio al principio de la sección, esta circula
en dirección opuesta a la difusión.

Por otro lado, sin polarización (V = 0) se tiene que:

~p ~
nn qVo

= = e kT
p
~ (1.3.21)
p n n~p

donde:

~
p p : Concentración de huecos en el lado p sin polarización.
~
pn : Concentración de huecos en el lado n sin polarización.

n~n : Concentración de electrones en el lado n sin polarización.

24
n~p : Concentración de electrones en el lado p sin polarización.

Con polarización directa (Vo + V) se tiene que:

q (Vo −V )
pp nn
= = e kT (1.3.22)
pn np

Para bajo nivel de inyección, se pueden despreciar los cambios en la concentración

de portadores mayoritarios, quedando prácticamente iguales antes y después de
polarizar. Esto quiere decir que:

p p = ~p p

nn = ~
nn

Dividiendo la ecuación 1.3.22 entre la 1.3.21 se llega a que:

qV

pn = ~
p n e kT (1.3.23)
qV

np = ~
n p e kT (1.3.24)

Además, el incremento de portadores ∆p n y ∆n p son iguales al número de

portadores finales menos el número de portadores iniciales. Esto es:

qV

∆p n = ∆p = p n − ~
pn = ~
p n (e kT − 1) (1.3.25)
qV

∆n p = ∆n = n p − ~
np = ~
n p ( e kT −1) (1.3.26)

25
Entonces:

−x qV −x

δp ( x ) = ∆p n e =~
p n ( e kT − 1)e p
Lp L
(1.3.27)
−x qV −x

δn ( x ) = ∆n p e =~
n p ( e kT −1) e n
Ln L
(1.3.28)

Por consiguiente, la corriente de difusión de huecos en el lado n es:

−x
dδp( x) Dp ~ qV
I p ( dif ) = J p ( dif ) A = −qADp = qA pn ( e kT − 1) e L p (1.3.29)
dx Lp

y la corriente de difusión de electrones en el lado p es:

−x
dδn( x )
qV
D
I n (dif ) = J n ( dif ) A = qADn = − qA n n~p (e kT − 1)e Ln (1.3.30)
dx Ln

donde A, es el área seccional de la unión, n~p es la concentración de electrones en el

lado p sin polarización, y ~

p n es la concentración de huecos en el lado n también sin
polarización.

Nótese que en la derivación de las corrientes, no se excluye la posibilidad de que el

voltaje sea negativo para el caso de polarización indirecta, por lo tanto, estas
expresiones para la corriente de difusión son validas para ambos tipos de
polarización.

Finalmente, la corriente total en la unión es la resta de las corrientes anteriores en

X=0, debido esto último a la inyección de portadores en cada lado por difusión.
Recuérdese que estas corrientes dependen del número de portadores difundidos en la
zona de agotamiento. Además este número constante entre X=0 y X=Xno en el caso
26
de huecos, y X=Xpo para los electrones. Por esto se evalúan en X=0 las corrientes,
para tener en cuenta los portadores difundidos que aún no se han recombinado fuera
de W.

De esta manera se tiene que:

qV qV
Dp ~ Dn ~
I = I p ( dif ) − I n ( dif ) = qA( pn + np )( e kT − 1) = I o (e kT − 1) (1.3.31)
Lp Ln

La ecuación (1.3.31) es conocida como la ecuación del diodo. Nótese que la ecuación
está compuesta por dos términos. Cuando se polariza indirectamente V = -Vr con Vr
más grande que kT/q = 0.0259 V, el término exponencial se hace despreciable,
quedando:

I = −I o (componente por generación)

Lo que significa que la corriente resultante va en dirección opuesta a la difusión, con

valor constante I o .

Esto es de esperarse porque en este tipo de polarización, la corriente de difusión es

despreciable como se mencionó anteriormente. Por lo tanto, la corriente de
polarización inversa es igual a la de generación.

Sin embargo, bajo polarización directa V = Vf, el término exponencial es mucho más
grande que uno. Así que:

qVf

I = Ioe kT
(componente por difusión)

27
También, como se explicó, en esta polarización la corriente de difusión es la que
predomina, por consiguiente, la corriente de polarización directa es igual a la de
difusión.

De nuevo se ve que la ecuación (1.3.31), es la resta de las corrientes de difusión y

generación, de manera que en equilibrio son iguales.

En la siguiente gráfica se muestra la característica I-V de un diodo, extraída de la

ecuación (1.3.31).

Gráfica 1.3.1. Característica I-V de una unión p-n.

Para voltajes positivos, la curva exponencial puede ser aproximada a una recta, y
como se sabe de estas gráficas, la pendiente es 1/R donde R es la resistencia del diodo
(Ley de Ohm). Por esto para voltajes mayores a cero, el diodo disipa energía.
Además, la corriente depende del voltaje aplicado, de manera que a voltajes grandes
la corriente también es grande; si el voltaje es excesivamente alto, el diodo puede
verse seriamente dañado por la excesiva corriente que circula por él.

Ahora, para voltajes negativos, la corriente del diodo es la corriente de generación, y

esta a su vez depende de la rata de generación de PEH por efectos térmicos, que
28
determina el valor de n~p y ~
p n . Además, la corriente es independiente del voltaje

aplicado hasta que un cierto valor crítico es alcanzado. A este valor crítico se le llama
voltaje de rompimiento Vbr, y una vez alcanzado la corriente sufre un dramático
incremento que puede llegar a dañar severamente al diodo. Por esta razón, es
recomendable polarizarlo con voltajes inferiores a Vbr.

El motivo por el cual la corriente se dispara en el voltaje de rompimiento, es el

conocido efecto avalancha, que se ve presente cuando el voltaje de polarización es
alto. Este efecto puede ser visto como una especie de reacción en cadena, que se
produce cuando un electrón que es arrastrado desde el lado p hasta el n, interactúa
con la red dentro de la zona de agotamiento colisionando con ella, para crear un PEH.
En este momento, se tienen dos electrones, uno creado por el PEH y el inicial. Cada
uno de estos portadores tiene la oportunidad de colisionar con la red para crear dos
nuevos PEH, los portadores resultantes de estas nuevas colisiones pueden crear
nuevos PEH, y así sucesivamente.

Este efecto recibe el nombre de avalancha, porque de un portador arrastrado se

pueden crear un gran número de nuevos portadores. De igual manera, al crear un gran
número de PEH, se están generando igual número de huecos, por lo que este efecto
no es exclusivo de electrones sino que también es para huecos.

Como se ha venido mencionando, la corriente de polarización indirecta depende del

número de portadores disponibles para el arrastre. Pues bien, gracias al efecto
avalancha este número se eleva considerable mente, lo que hace que la corriente
también suba.

Como el efecto avalancha se produce dentro de la zona de agotamiento, es lógico

pensar que entre más grande es W, más considerable es el efecto. Además, como W
aumenta al incrementar Vr, cuando este llega a un valor crítico Vbr, el ancho W es lo
29
suficientemente grande como para que el efecto sea incontrolable, y la corriente se
dispare.

Ahora, si se denomina a M como el factor de multiplicación, entonces:

1
M= n
(1.3.32)
V 
1 −  
 Vbr 

donde n varía dependiendo del material. En general, Vbr crece con el gap del material
porque una mayor cantidad de energía se requiere para que las colisiones produzcan
PEH.

Figura 1.3.13. Efecto avalancha en el diodo.

De esta manera, la gráfica de I-V para el diodo, se ve afectada por la avalancha de la

siguiente forma:

30
 Gráfica 1.3.2. Característica I-V de un diodo con efecto avalancha.

Para finalizar este capítulo, hay que añadir que en las uniones p-n existen asociadas
dos clases de capacitancias: la capacitancia de unión debida al dipolo en la región de
agotamiento, y la capacitancia de carga almacenada.

La de unión es dominante bajo polarización indirecta, por el contrario, la carga

almacenada domina en polarización directa.

Como se verá más adelante, los fotodiodos (tema de la monografía) son polarizados
indirectamente, por cuanto la capacitancia de carga almacenada es despreciada,
centrándose exclusivamente en la capacitancia de unión Cj.

Ahora sabiendo que:

1
Nd N a  Nd N a  2
Q = qAX no N d = qAX po N a = qA W = A2qε (Vo − V )
Nd + Na  N d + N a 
(1.3.33)

31
se llega a:

1
dQ dQ A  2 qε Nd Na 2
Cj = = = 
d (Vo − V ) 2  (Vo − V ) N d + N a 
(1.3.34)
dV

De esta manera se finaliza este capítulo, recalcando que todos los conceptos
estudiados en el mismo y su buen entendimiento, son indispensables para un correcto
manejo de los temas tratados en los capítulos venideros.

32
 Capítulo 2
FOTODETECTORES

En el capítulo anterior, se repasó intensivamente las uniones p-n, y los efectos que se
producen por la temperatura. En este capítulo, se van a incluir los efectos producidos
por iluminación de la unión, a los que se les llama efectos ópticos.

Estos efectos son claves en la fabricación de dispositivos como lasers, rectificadores,

varactores y fotodetectores, siendo estos últimos el centro de atención de la
monografía.

Los fotodetectores son construidos a partir de uniones p-n, y se constituyen en los

dispositivos más importantes en áreas como la opto-electrónica.

Suponga que una unión p-n abrupta, de área seccional A, es iluminada con fotones de
energía hν mayor a la energía del gap Eg, como se muestra en la figura 2.1.
Inmediatamente se produce una rata de generación óptica g op [PEH /(cm3-s)], que

participa en la generación de PEH en ambos lados de la unión.

33
 Figura 2.1. Unión p-n iluminada, con circuito de polarización.

En ese momento, los PEH generados por los fotones incidentes aumentan el número
de portadores minoritarios en ambos lados de la unión. El número de huecos creados
por segundo en el lado n, dentro de la longitud de difusión Lp es ALp g op . De igual

manera para los electrones en el lado p, el número de electrones creados por segundo
dentro de la longitud de difusión Ln es ALn g op . Hay que recordar que las longitudes

de difusión, son las distancias promedio que recorren los portadores minoritarios
antes de recombinarse.

Pero aún faltan los portadores creados en la zona de agotamiento; estos son AW g op .

Con esto se ha considerado toda la unión, por lo tanto, la corriente resultante por
efectos ópticos en la unión es:

I op = qAg op ( L p + Ln + W ) (2.1)

Como se estudió anteriormente, la generación de portadores minoritarios produce una

corriente de generación que era básicamente debida a los PEH creados por la
temperatura.

34
Ahora, la corriente de generación térmica( o de arrastre) es aumentada por la
corriente I op , causada por los PEH creados por la iluminación de la unión. De

manera que la corriente total de generación es igual a:

I ( gen) = I ( gen.térmica ) + I ( gen.óptica ) = I th + I op (2.2)

Por lo tanto, la corriente total del diodo es:

qV qV qV qV qV

I = I 0 ( e kT − 1) = I 0 e kT − I 0 = I 0 e kT − ( I th + I op ) = I 0 e kT − I th − I op = I 0 (e kT − 1) − I op

(2.3)

finalmente:

qV
Lp ~ L
I = qA( pn + n ~
n p )( e kT − 1) − qAg op ( L p + Ln + W ) (2.4)
τp τn

Por esto, la curva I-V se ve afectada como sigue:

Gráfica 2.1. Característica I-V con efectos ópticos.

35
Si g op es cero, no hay generación óptica de portadores minoritarios, por lo tanto la

corriente es netamente térmica y la curva I-V es igual a la gráfica 1.3.1. Sin embargo,
cuando g op es distinto de cero la corriente de polarización inversa que es igual a la

de generación, aumenta como se ve en la gráfica 2.1. A medida que g op crece, hay

más portadores minoritarios disponibles para el arrastre, y la corriente aumenta.

En general, la rata de generación óptica se define como:

g op = (#portadores generados)/(tiempo de recombinación)

Cuando el fotodiodo es operado en polarización indirecta, la corriente es

esencialmente independiente del voltaje, pero proporcional a la rata de generación
óptica ( ver figura 2.1). Esto ofrece la ventaja de medir niveles de iluminación, y
convertirlos en señales eléctricas. Esta ventaja es la base del funcionamiento de los
fotodetectores.

Por esta razón los fotodetectores son polarizados indirectamente, así la corriente es
por efectos térmicos y ópticos, más no por el voltaje aplicado. Sin embargo, a
temperatura ambiente la corriente térmica representa un problema si lo que se busca
es que la corriente sea óptica para detectar fotones incidiendo en el fotodetector. Para
tratar este problema, los fotodetectores disponen de un sistema de lectura, que
consiste en un circuito electrónico que permite filtrar la corriente óptica, y así
eliminar la componente térmica, pero esto se verá en un capítulo posterior.

De todas formas, la corriente térmica puede ser reducida considerablemente si se

hacen muy pequeñas las longitudes de difusión Ln y Lp . Esto último se logra con W
grande, de manera que la zona de agotamiento abarque la totalidad de la longitud del
fotodiodo. A su vez, W se hace grande polarizando indirectamente con un voltaje

36
alto. Pero se debe tener cuidado con el voltaje que aplica al dispositivo, porque uno
muy alto puede quemarlo si se alcanza el voltaje de rompimiento.

Por esto se requiere un fotodiodo con alto voltaje de rompimiento, para que soporte
altos voltajes de polarización, y así W pueda hacerse grande. Como se estudió en el
efecto avalancha, el voltaje de rompimiento depende del gap del material y por esta
razón son recomendados para la fabricación de fotodetectores.

Otra ventaja de hacer la zona de agotamiento tan grande como el grosor del
dispositivo, es para que los portadores minoritarios sean creados dentro de esta
región, y así el campo eléctrico los arrastre más rápido, eliminando el tiempo que
demoran en difundirse a la zona de agotamiento. Por consiguiente el tiempo de
respuesta disminuye, y el fotodetector responde más rápido.

Sin embargo, existe el problema de la sensitividad óptica del fotodetector, definida

como:

∆σ = qg op (τ n µ n + τ p µ p ) (2.5)

De esta ecuación se ve que la sensitividad depende de los tiempos de recombinación

y las movilidades. Al hacer W grande, los tiempos τ n y τ p se hacen muy pequeños y

la sensitividad disminuye. Por supuesto que esto puede ser compensado en alguna
manera, si las movilidades del material son altas. Altas movilidades se consiguen
dopando el material.

Por esto también se recomienda un material con altas movilidades, además de proveer
altas velocidades de los electrones y huecos a través de la red.
Es claro que en un dispositivo de esta naturaleza, las dos especificaciones de diseño
más importantes como lo son la sensitividad óptica y el tiempo de respuesta, se ve n
37
afectados por la geometría del fotodiodo. Lograr un alto desempeño en alguna de
ellas, compromete el buen funcionamiento de la otra. Encontrar un fotodetector con
alta sensitividad y alto tiempo de respuesta es difícil por no decir imposible.

Por eso es importante definir claramente prioridades, y diseñar el fotodetector para

que responda bien a estas.

En el estudio que se está haciendo en esta monografía, los fotodetectores son

empleados en aplicaciones médicas (radiología) donde el tiempo de respuesta no es
tan importante como lo es la sensitividad. Así que la prioridad de diseño es la
sensitividad óptica, por encima del tiempo de respuesta. Aunque a esta escala, los
tiempos son del orden de nanosegundos y en el peor de los casos llegan a
microsegundos, son mucho menores a los empleados actualmente en la toma de
radiografías.

En lo que resta de este capítulo, se va a dar una mirada al fotodetector que

generalmente se emplea en aplicaciones de detección de rayos X, por ser este el tema
central de estudio.

El detector utilizado es una unión p-n, iluminada por el sustrato p como se muestra en
la figura 2.2. Los símbolos p y n con signo (+) significan fuertemente dopados. Este
dopaje se hace para aumentar el tamaño de la zona de agotamiento (ver capítulo 1) y
modificar la movilidad de los portadores.

38
 (a)

(b)

(c)
Figura 2.2. Geometría del fotodetector. a)Descripción por capas. b) Corte seccional. c)Vista superior.
Las medidas en micrómetros son típicas en estos detectores.
39
Generalmente se procura que la longitud de la zona de agotamiento, sea
aproximadamente igual al grosor del detector, porque se explicó anteriormente que
haciendo esto la corriente térmica disminuye, y además de esto, lo s electrones de los
PEH creados son arrastrados por el campo, inmediatamente después de generados,
por lo que el tiempo de respuesta es menor. La sensitividad tiende a disminuir, pero
esta se compensa con la alta movilidad del material utilizado, el cual es Arsenuro de
Galio (GaAs) y Germanio para esta monografía.

Al iluminar el sustrato p, los portadores minoritarios son electrones y la corriente de

generación óptica está básicamente constituida por ellos.

En aplicaciones médicas, se utilizan microcintas de fotodetectores donde cada uno

tiene su propio sistema de lectura. Típicamente el tamaño de cada detector oscila
entre los 150 y 300 micrómetros de espesor, 50x50 a 200x200 micrómetros cuadrados
de área. El espesor de la zona p es de aproximadamente 1 micrómetro, y de 25x25 a
50x50 micrómetros cuadrados de área.∗

Para hacer los contactos metálicos, por los cuales circula la corriente desde el
semiconductor al resto del circuito, es necesario colocar una capa delgada de óxido
de silicio (SiO 2 ), el cual es un excelente dieléctrico, para aislar al metal de la parte n
del semiconductor y así evitar que se toquen físicamente, porque ese contacto
corresponde al sustrato p+ donde finalmente termina (ver figura 2.2). Para el contacto
de la parte n+, se puede colocar el metal sin el óxido porque en la parte baja del
sustrato n+ no hay unión con material p. Nótese que en las capas de semiconductor
donde se encuentran los contactos metálicos, los primeros están fuertemente dopados.
Esto se hace para mejorar los contactos entre el metal y el semiconductor como se
verá a continuación.

∗
Números tomados de “X Ray Imaging using a Pixel GaAs Detector”, E. Bertolucci, Mayo 9 de 1995.
40
Cuando se realiza un contacto entre un metal y un semiconductor, se genera una
barrera de potencial debida a la diferencia entre la función de trabajo del metal y del
semicond uctor. Esto impide que los portadores viajen del semiconductor al metal con
facilidad, afectando la corriente que sale al circuito, y por consiguiente el buen
funcionamiento del dispositivo. Como se sabe, es de vital importancia que los
contactos sean de excelente calidad, para que al conectar el dispositivo con el circuito
externo este opere correctamente. Para solucionar un poco este problema, es
necesario dopar fuertemente el semiconductor en la región de contacto con el metal,
de esta manera, si existe una barrera de potencial en la interfaz, esta puede ser
reducida lo suficiente como para que los portadores la atraviesen por tunelaje.
Dependiendo de sí la función de trabajo del metal es mayor o menor a la del
semiconductor, y dependiendo del tipo de semiconductor, sea p o n, entonces al
efecto se le llama técnicamente un contacto ohmico o una barrera de Schottky.

Al unir metal y semiconductor los niveles de Fermi de ambos se igualan, generando

la barrera de potencial por la diferencia en sus niveles. Esta diferencia se puede
reducir, variando la posición del nivel de Fermi del semiconductor, acercándolo al
nivel de Fermi del metal, ya sea subiéndolo o bajándolo según sea el tipo de
semiconductor; esto se logra dopando fuertemente el semiconductor. Como es típico
en un material tipo n, el nivel de Fermi se encuentra cerca a la banda de conducción,
y puede ser acercado más a esta con alto dopaje. De igual manera ocurre con un
material tipo p, solo que el nivel de Fermi está cerca a la banda de valencia.

Nótese que la unión de un metal con un semiconductor, es semejante a una unión

semiconductor con semiconductor, donde el potencial creado en la primera es
análogo al de contacto en la segunda, que puede ser variado cambiando el dopaje (
ver el capítulo anterior).

41
 Capítulo 3
ARSENURO DE GALIO, GERMANIO Y OTROS MATERIALES
SEMICONDUCTORES

Un paso muy importante en el diseño de un fotodetector, es la escogencia acertada del

material sobre el cual se va fabricar. Ese problema está resuelto, porque fue escogido
el Arsenuro de Galio (GaAs) y Germanio como se planteo en el título de la
monografía. Sin embargo, es necesario dedicar un capítulo a este material, para
discutir aspectos como las características físicas y propiedades eléctricas, que lo
hacen una buena alternativa para la implementación de estos dispositivos. Por eso
este capítulo será dedicado al Arsenuro de Galio, y en alguna medida a otros
materiales.

Actualmente los fotodetectores son fabricados en Silicio o Germanio, y su

funcionamiento alcanza a satisfacer las expectativas hasta este momento. Sin
embargo, a medida que el tiempo avanza y la tecnología con él, se hace necesario que
los detectores sean más eficientes. Por esta razón, algunos años atrás se están
investigando nuevos y mejores materiales, que permitan desarrollar detectores más
sensibles y eléctricamente más robustos.

En este momento existen resultados positivos, habiéndose encontrado otras

alternativas además de Silicio y Germanio, como los semiconductores compuestos

42
con elementos de los grupos III y V, ó II y VI, por ejemplo GaAs, AlAs, GaP y GaSb
entre otros.
El Arsenuro de Galio es un semiconductor compuesto por elementos del grupo III y
V, Galio y Arsénico. Es utilizado en la fabricación de diodos, circuitos integrados en
general y de alta frecuencia, celdas solares. Gracias a su habilidad de emitir luz, se
convierte en pieza clave para la fabricación de toda clase Lasers, CD Lasers, DVD y
LEDs. Por sus ventajas físicas y eléctricas sobre el Silicio, se convierte en un muy
importante rival.

A continuación se resumen las propiedades físicas y eléctricas del GaAs.

PROPIEDADES VALOR
o
Energía del Gap “Eg ” a temperatura ambiente (300 K) 1.424 eV
Energía promedio para producir un EHP 4.2 eV
Concentración intrínseca de portadores 2.1*106 cm-3
*
Resistividad 3.3*108 ohm-cm
Densidad de estados en la banda de conducción 4.7*1017 cm-3
Densidad de estados en la banda de valencia 9.0*10-18 cm-3
Movilidad de electrones 8500 cm2 V-1 s-1
Movilidad de huecos 400 cm2 V-1 s-1
**
Masa efectiva de electrones 0.063mo
**
Masa efectiva de huecos 0.51mo
Coeficiente de difusión de electrones 200 cm2 /s
Coeficiente de difusión de huecos 10 cm2 /s
Velocidad térmica de electrones 4.4*105 m/s

*
Este valor de resistividad indica que la corriente térmica es baja a temperatura ambiente.
**
La masa efectiva es la masa que adquieren los portadores dentro del material, debido a que no
pueden ser considerados como libres por las interacciones que tienen con la red. El término mo es la
masa de un electrón libre en reposo.

43
 Velocidad térmica de huecos 1.8*105 m/s
Densidad 5.32 g/cm3
Afinidad electrónica 4.07 eV
Energía óptica de phonon 0.035 eV
Z 31-33
Constante Dieléctrica 13.1

Tabla 3.1. Propiedades físicas y eléctricas del Arsenuro de Galio, en condiciones de temperatura
ambiente y alta pureza.

Analizando estas propiedades, se puede observar que el Arsenuro de Galio ofrece la

gran ventaja de altas movilidades en sus portadores (ver tabla 3.1), las cuales
permiten mayores tiempos de respuesta, y mejor sensitividad óptica.

Si se le compara con otros semiconductores como Silicio o Germanio, cuyos valores

de movilidad se encuentran en la tabla 3.2, es claro que la movilidad de electrones del
GaAs es superior, como los electrones conforman la corriente de generación óptica,
es así que este material proporciona mejores condiciones en cuanto a tiempo de
respuesta y sensitividad. En la gráfica 3.1, se ve que la movilidad de electrones en el
GaAs es superior al Si y Ge, independiente del dopaje del material.

MATERIAL Dn (cm2 /s) Dp (cm2 /s) µ n (cm2 /V-s) µ p (cm2 /V-s)

Ge 100 50 3900 1900

Si 35 12.5 1350 480
GaAs 220 10 8500 400

Tabla 3.2. Movilidades y coeficientes de difusión de Si, Ge y GaAs sin impurezas.

44
 Gráfica 3.1. Variación de la movilidad con impurezas (Na+Nd ), para Si, Ge y GaAs, a 300 K.

Materiales como InAs, e InSb proporcionan movilidades de electrones muy

superiores al GaAs, por esta razón es recomendable tenerlos presentes en aplicaciones
con alta velocidad de respuesta.

También debido a su alta densidad, el Arsenuro de Galio ofrece alta eficiencia de

detección, para rayos X en el rango de 10 a 100 KeV.

Por otro lado, el gap de energía es alto comparado con Silicio y Germanio ( ver tabla
3.1), lo que permite beneficios en el voltaje de rompimiento, y en la corriente de
generación térmica, como se verá a continuación.

45
Como se explicó en el capítulo 1, el voltaje de rompimiento depende del gap, si este
es grande el voltaje de rompimiento es alto, y viceversa. Esto es favorable, porque
permite una alta polarización del detector y así crear una larga zona de agotamiento,
recomendable en un fotodetector.

También, el gap de energía alto ayuda a reducir la corriente de generación térmica,

que es considerada como ruido en la corriente de generación óptica. Los efectos
térmicos son disminuidos, porque al ser grande el gap se necesita más energía, y por
consiguiente más temperatura para generar PEH por este efecto. A temperatura
ambiente son pocos los electrones que tienen la energía térmica suficiente para saltar
a la banda de conducción y crear un PEH, por esto la corriente térmica es baja a 300
ºK.

De esta manera, el Arsenuro de Galio brinda mayor robustez al ruido térmico y a la

alta polarización, con respecto al Silicio y al Germanio. Sin embargo existen otros
materiales con gaps de energía más altos que el GaAs, como el AlP, AlAs, GaP, ZnS
y ZnSe entre otros, por lo que deben ser seriamente considerados como futuras
alternativas si lo que se busca es robustez. Aunque hay que resaltar que gaps muy
altos, implican menos producción de PEH.

Eg DENSIDAD µn µp
MATERIAL (eV) g / cm 3 cm2 /V-s cm2 /V-s
Si 1.11 2.33 1350 480
Ge 0.67 5.32 3900 1900
AlP 2.45 2.40 80 --------
AlAs 2.16 3.6 180 --------
AlSb 1.6 4.26 200 300
GaP 2.26 4.13 300 150

46
 GaAs 1.43 5.31 8500 400
GaSb 0.7 5.61 5000 1000
InP 1.35 4.79 4000 100
InAs 0.36 5.67 22600 200
InSb 0.18 5.78 100000 1700
ZnS 3.6 4.09 110 --------
ZnSe 2.7 5.65 600 --------
ZnTe 2.25 5.51 -------- 100
CdS 2.42 4.82 250 15
CdSe 1.73 5.81 650 --------
CdTe 1.58 6.20 1050 100
PbS 0.37 7.6 575 200
PbSe 0.27 8.73 1000 1000
PbTe 0.29 8.16 1600 700

Tabla 3.3. Propiedades de algunos otros materiales semiconductores, a 300 K y alta pureza.

Generalmente lo que se busca es un material con altas movilidades y medianos gaps

de energía, por este motivo, entre todos los semiconductores propuestos en la tabla
3.3, el Arsenuro de Galio es la alternativa que más se ajusta a estas condiciones. Por
ejemplo, si se toma el InAs se observa que tiene muy altas movilidades, pero su gap
de energía es muy bajo, razón por la cual no es una buena solución para
fotodetección. De la misma manera, el GaP tiene un gap alto pero sus movilidades
son demasiado bajas, así que tampoco es recomendable. Como se dijo hace un
momento, el GaAs ofrece ambos componentes en buen nivel.

A parte del Arsenuro de Galio se están proponiendo materiales con excelentes

características como el CdTe y CdZnTe, para aplicaciones médicas en imágenes de

47
rayos X, aunque no se han fabricado dispositivos con fines comerciales en estos
materiales, parecen prometer buenos resultados.

EHPs creados EHPs creados GAP de DENSIDAD

MATERIAL por KeV en 300 µm energía (eV) g / cm 3
Si 280 32200 1.12 2.33
Ge 350 --------- 0.66 5.33
GaAs 230 53000 1.43 5.32
CdTe 225 50000 1.58 5.85
CdZnTe 200 --------- 1.6 6.0

Tabla 3.4. Comparación entre materiales antiguos y materiales recientemente estudiados.

Resumiendo, el Arsenuro de Galio es un material con buenas características para

fotodetección, por encima de los tradicionales Silicio y Germanio. Aunque también es
cierto que se están explorando otros aparentemente mejores que el GaAs, como el
CdTe y el CdZnTe. De todas formas, el Arsenuro de Galio es relativamente reciente y
falta aún más por explorar. Hasta este momento se puede decir que el GaAs está en
una etapa media de desarrollo, que será completada en los próximos años,
evidenciándose la importancia que tiene, la cual aumentará con el transcurrir del
tiempo.

48
 Capítulo 4
INTERACCIONES ENTRE RAYOS “X” Y MATERIA

Como se vio en el capítulo 2, cuando es iluminado el sustrato p del fotodetector, los

fotones incidentes interactúan con el material para formar PEH, que contribuyen con
la corriente de generación óptica. La manera como son creados estos PEH, es gracias
a una serie de interacciones entre fotones y materia en general, las cuales serán el
tema a tratar en este capítulo.

En la situación donde las radiaciones incidentes son de baja energía, como es el caso
de rayos X, se presentan principalmente tres clases de interacciones: efecto
fotoeléctrico, dispersión Compton y dispersión Rayleigh. Las dos primeras son
responsables de la creación de fotoelectrones (aquí se denominan fotoelectrones a
los electrones creados por cualquier efecto ya sea Compton o fotoeléctrico, el
prefijo foto se refiere a que son generados por interacciones con fotones), y la
tercera cambia la dirección del fotón incidente sin formar fotoelectrones. El estudio
de estos efectos permite mejorar la resolución del detector.

Existe otro tipo de interacción, llamada creación de pares, que se presenta cuando la
energía de la luz incidente es considerablemente alta, en el orden de 1.02 MeV, la
cual es la energía mínima para generar un par e+ -e-. Energías por debajo de esta no
alcanzan a producir e+ - e-. Como los fotodetectores tratados en esta monografía son
irradiados con rayos X, para aplicaciones médicas en radiología, las energías de los
fotones incidentes oscilan entre los 10 KeV y los 100 KeV, casi un orden de
49
magnitud por debajo de la requerida para que este efecto se presente. Por esto, esta
interacción no es relevante en este caso, y por consiguiente no será tenida en cuenta.

A continuación se estudiarán con más detalle cada una de las interacciones

mencionadas al comienzo.

4.1 EFECTO FOTOELÉCTRICO

Suponga que un haz de luz monocromática está incidiendo en la superficie de un

metal, como se muestra en la figura 4.1.1a. Los electrones en el metal absorben
energía de la luz, y entonces algunos electrones reciben suficiente energía para ser
arrancados del metal. Este fenómeno es llamado efecto fotoeléctrico.∗

(a) (b)
Figura 4.1.1. a) Efecto fotoeléctrico en un metal. b) Efecto fotoeléctrico en el átomo.

∗
La explicación de este efecto le representó a Einstein el premio Nobel de Física en 1921, y fue una
de las primeras contribuciones importantes en el desarrollo posterior de la Mecánica Cuántica.
50
Einstein encontró que la energía de los electrones al dejar el metal (E), es igual a la
energía de la luz incidente (Ei) menos la energía mínima requerida para liberar al
electrón del metal (Em), es decir:

E = Ei - Em

Esto quiere decir, que parte de la energía incidente es absorbida y se gasta en liberar
al electrón del átomo en el metal, y la energía restante es con la que abandona el
electrón al metal.

Según Einstein, la energía incidente está cuantizada en fotones de energía Ei= hν , y

la energía necesaria para liberar al electrón Em depende del material y es característica
de cada uno. Em se representa como qΦ , donde q es la carga eléctrica, y Φ es la
función de trabajo del material medida en Voltios, la cual depende del material como
se acaba de mencionar.
Finalmente:

E = hν - qΦ

Al graficar E vs ν se obtiene la recta que se muestra a continuación, donde la

pendiente es la constante de Planck.

Gráfica 4.1.1. E vs ν .
51
Nótese que en este efecto, el fotón incidente es absorbido totalmente, para liberar al
electrón.

Una vez creado el fotoelectrón a través de este efecto, interactúa con el material
perdiendo energía de acuerdo con la ecuación de Bethe-Block, además de ir
golpeando y liberando los electrones de la capa de valencia de los átomos de la red.
Una vez libres los electrones de la capa de valencia y con la suficiente energía (mayor
o igual al gap del material), son puestos a conducir. Se dice de cada electrón que es
liberado y puesto a conducir, que saltó desde la banda de valencia hasta la banda de
conducción, y entonces se ha generado un par electrón hueco (PEH). Cada
fotoelectrón creado por efecto fotoeléctrico genera mucho s PEH en su paso a través
del material porque interactúa con muchas capas de valencia.

4.2 DISPERSIÓN COMPTON

Cuando un fotón colisiona con un electrón débilmente ligado al átomo, las leyes de
conservación requieren que el fotón pierda una porción de su energía, por lo tanto es
de esperarse que su frecuencia, y por consiguiente, longitud de onda varíen con
respecto a la inicial antes del choque, y entonces un corrimiento en la longitud de
onda se ve presente. Este corrimiento fue observado primero por Compton, y es
conocido como efecto Compton o dispersión Compton.

52
 Figura 4.2.1. Dispersión Compton.

E0
La energía inicial del fotón es E0 , y su momento , donde c es la velocidad de la
c
luz, además de esto tomamos al electrón inicialmente en reposo. Después de la
r
colisión, el electrón es dispersado un ángulo ψ , y con velocidad v , por otro lado el

fotón es dispersado un ángulo θ , y con una energía E .

Entonces por conservación de energía:

E 0 + m0 c 2 = E + γm0 c 2 (4.2.1)

y por conservación del momento:

E0 E
= cos θ + p cosψ (4.2.2)
c c
E
0= senθ − psenψ (4.2.3)
c

Las ecuaciones 4.2.2 y 4.2.3 se pueden escribir de la siguiente forma:

53
 ( E 0 − E cos θ ) 2 = ( pc) 2 (cos ψ ) 2 (4.2.4)

E 2 ( sen θ ) 2 = ( pc) 2 ( sen ψ ) 2 (4.2.5)

Sumando estas dos ecuaciones se llega a:

( pc) 2 = ( E 0 ) 2 − 2 E 0 E cos θ + E 2 (4.2.6)

Sabiendo que:

( pc) 2 = (γ m 0 c 2 ) 2 − ( m 0 c 2 ) 2 (4.2.7)

reemplazando en la ecuación (4.2.6) y despejando E , se obtiene:

E0
E= (4.2.8)
E0
1+( )(1 − cos θ )
m0 c 2

Nótese que E , es siempre más grande que cero, lo cual significa que un electrón libre
no puede absorber un fotón.
Ahora, de la condición de Einstein vista en el efecto fotoeléctrico, se tiene que
hc hc
E 0 = hν 0 = y E = hν = , donde λ 0 y λ son las longitudes de onda del fotón
λ0 λ
antes y después de la colisión respectivamente. Por lo tanto, la ecuación (4.2.8)
puede ser escrita en términos de las longitudes de onda como sigue:

h
λ = λ0 + (1 − cos θ ) (4.2.9)
m0 c

54
 h
De esta ecuación, el término es conocido como la longitud de onda de Compton
m0 c

del electrón, y su valor es 2. 426 *10 −12 m.

Finalmente, el corrimiento en la longitud de onda es:

h
∆λ = λ − λ 0 = (1 − cos θ ) (4.2.10)
m0 c

Si la energía de ligadura del electrón es comparable a la del fotón, momento y energía

pueden ser transferidos al átomo, y el fotón puede ser absorbido formándose el efecto
fotoeléctrico y no el Compton. Por esto, la energía del fotón incidente debe ser mayor
comparada con la energía del electrón, para que este último pueda ser liberado del
átomo, y la dispersión se presente.

Si se mira con detalle el efecto fotoeléctrico y el efecto Compton, se ve que en ambos

efectos el fotón pierde energía, y el electrón es arrancado del átomo quedando este
último ionizado. Luego, los electrones creados interactúan con el material, chocando
con electrones de la banda de valencia que posteriormente saltan a la banda de
conducción, creando PEH.

En general, para energías grandes del fotón incidente con respecto al electrón,
predomina el efecto Compton sobre el fotoeléctrico. Por el contrario, si la energía es
baja, domina el fotoeléctrico sobre el Compton. Esto se puede ver mejor en la gráfica
4.2.1 donde se muestra la sección eficaz del Arsenuro de Galio para varios efectos.∗

∗
El cálculo de la gráfica 4.2.1 se hizo en GEANT, sin embargo en la monografía de Juanita Lopez
“Diseño de un detector con aplicaciones médicas”, se encuentra información acerca de las secciones
eficaces y el camino libre medio.
55
 Gráfica 4.2.1. Secciones eficaces del GaAs para los efectos mencionados en la parte superior de la
gráfica, en el eje x está la energía en GeV.

4.3 DISPERSIÓN RAYLEIGH

En 1871, Lord Rayleigh publicó un artículo describiendo el fenómeno de interacción

entre radiación y partículas muc ho más pequeñas en diámetro que la longitud de onda
de la radiación, el cual consiste en la dispersión elástica del fotón incidente. Esta
dispersión es inversamente proporcional a la cuarta potencia de la longitud de onda.

56
 Figura 4.3.1. Dispersión Rayleigh.

Como la colisión es elástica, no hay pérdida de energía en el fotón, y por lo tanto, no

se transfiere energía al electrón. Sin embargo, la dirección del fotón cambia
dependiendo de la longitud de onda como se mencionó hace un momento. Debido a
que no hay transferencia de energía al electrón, en esta dispersión el electrón no es
separado del átomo, y por consiguiente no genera electrones. De todas formas, el
fotón dispersado eventualmente puede liberar un electrón al interactuar
fotoeléctricamente o por Compton con otros átomos del material.

La dispersión Rayleigh domina en bajas energías (rayos X) porque implica longitudes

de onda grandes, por eso debe ser tenido en cuenta cuando el fotodetector es
irradiado, al igual que el efecto fotoeléctrico y Compton.

4.4 FOTO-ELECTRONES

Como se vio en las secciones 4.1 a 4.3, existen tres grandes efectos de interacción
entre fotones y materia, que dan lugar a la creación de electrones. Estos electrones
conocidos como foto-electrones (porque se formaron directamente de la colisión

57
fotón-átomo) son generados con una cantidad de energía inicial E0 que es igual a la

capa de energía del átomo de la cual fue extraído el fotoelectrón.

Como se sabe la energía está cuantizada, y por lo tanto, para desprender un electrón
del átomo es necesario bombardearlo con fotones de energía igual o superior a las
capas del mismo, por ejemplo, para liberar un electrón de la capa K es necesario
hacer incidir un fotón con energía igual o superior a la de la capa, así mismo ocurre
con las demás ya sea la capa L1, L2,..., etc. Además cada material tiene una energía
característica en cada capa de sus átomos que lo distingue de otros materiales, por
ejemplo, para el silicio se muestran en la tabla 4.4.1.

Capa Energía (eV)

L3 99.2
L2 99
L1 150
K 1840

Tabla 4.4.1. Energía de las capas para el Silicio.

Para el caso del Silicio los fotoelectrones creados en la capa K salen con energía igual
a 1.84 KeV y los creados en la capa L1 con energía igual a 150 eV. Estos datos de
energía para estas dos capas (K y L1) fueron calculados de un histograma de energía
de los fotoelectrones realizado para este material, simulando en GEANT una muestra
de 300 um de espesor y haciendo incidir un haz de 1000 fotones a 20 KeV; las
energías de estas dos capas son iguales a la diferencia entre la energía incidente y la
energía del fotoelectrón, es decir:
EK , L = Ei − E0 (4.4.1)

58
Para este caso particular la energía incidente es 20 KeV, y la energía del fotoelectrón
es la energía con la se crean los mismos obtenida del histograma. A continuación se
muestra el histograma obtenido de la simulación.

Gráfica 4.4.1. Histograma de energía E0 (KeV) de los fotoelectrones en una muestra de Silicio de
300um de espesor y 1000 fotones de 20 KeV.

Como se puede ver de la gráfica 4.4.1 hay solamente dos energías con las que son
generados los fotoelectrones, estas son 18.2 KeV y 19.85 KeV, que restados a 20
KeV dan las energías de las capas K y L1 respectivamente, y entonces se puede
concluir que son estas dos capas las que aportan los electrones para la creación
posterior de PEH. Es fácil distinguir cual energía corresponde a las capas del
material, porque las capas entre más int ernas más energía de ligadura tienen, además
estas se enumeran del interior al exterior comenzando por la capa K, por lo tanto esta
es la de más energía, continuando con la capa L y así sucesivamente.

59
Ahora, para el Arsenuro de Galio se hizo la misma simulación que para el Silicio del
caso anterior, exceptuando la energía de los fotones que se aumento a 22 KeV, y se
obtuvo el siguiente histograma de energía de fotoelectrones:

Gráfica 4.4.2. Histograma de energía E0 (KeV) de los fotoelectrones en una muestra de GaAs de
300um de espesor y 1000 fotones de 22 KeV.

Como se puede ver hay tres energías posibles correspondientes a: 10.14 KeV, 11.64
KeV, 20.5 KeV, de las cuales se obtienen las siguientes energías de capas:

Capa Energía (KeV)

K (del As) 11.86
K (del Ga) 10.36

60
 L1 (del As) 1.5
L1 (del Ga)∗ 1.29
L2 (del As)∗ 1.35
L2 (del Ga)∗ 1.14

Tabla 4.4.2. Energía de las capas para el GaAs.

Es importante notar que a diferencia del Silicio, el Arsenuro de Galio aporta tres
capas para la creación de fotoelectrones teniendo una más que el Silicio, motivo por
el cual el GaAs provee una mayor cantidad de electrones, y esto como se vera más
adelante le da más eficiencia de absorción de fotones. Además es de resaltar que
estas tres capas corresponden a las capas K del Galio y del Arsénico, y a la capa L1
de este último, por lo que las demás capas no aportan electrones.

Por otro lado, es importante conocer las probabilidades de interacción con las capas
que aportan electrones. Estas se pueden calcular del histograma mirando cuantos
electrones tienen la energía de la capa K, cuantos de la capa L1, y tomando el
cociente con el número total de fotones incidentes. También se pueden obtener a
partir de un cálculo teórico teniendo en cuenta las siguientes parametrizaciones:

125
JK = + 3 .5 (4.4.2)∗
Z
J L1 = 1.2 (4.4.3)

1
PK = 1 − (4.4.4)
JK

∗
Dato tomado de http: // www.webelements.com
∗
Dato tomado de http: // www.webelements.com
∗
Dato tomado de http: // www.webelements.com
∗
Estas parametrizaciones fueron tomadas del manual GEANT, página 225.
61
 1
PL1 = 1 − (4.4.5)
JL1

Las ecuaciones (4.4.2) y (4.4.3) son las ratas de salto de los electrones para las capas
K y L1 respectivamente, las ecuaciones (4.4.4) y (4.4.5) son las probabilidades de
interacción con las respectivas capas, y Z es el número atómico del material.

Ahora, aplicando estas ecuaciones al Arsenuro de Galio con Z = 31 y Z = 33 se

obtiene:
PK = 86.72% para el Galio, PK = 86.27% para el Arsénico, y PL 1 = 16.6% . Es

necesario aplicar el teorema de probabilidad de Bayes∗ para calcular la probabilidad

PK del Arsenuro de Galio, porque hasta el momento se tiene la probabilidad de sus
elementos (Galio y Arsénico), de esta manera se llega a que:

PK = P(K/Ga) P(Ga) + P(K/As) P(As)

donde:
PK es la probabilidad de interacción con la capa K del GaAs.
P(K/Ga) = 0.8672 es la probabilidad de interacción con la capa K del Galio.
P(K/As) = 0.8627 es la probabilidad de interacción con la capa K del Arsénico.
P(Ga) = 0.5 es la probabilidad de interacción con el Galio.∗
P(As) = 0.5 es la probabilidad de interacción con el Arsénico.

Al reemplazar valores se obtiene que PK es el promedio de las probabilidades de

interacción con la capa K de cada uno de sus elementos, por lo tanto PK = 86.49%.

∗
Para saber más del teorema de Bayes, consultar cualquier libro de probabilidad.
∗
Recordar que el GaAs tiene proporciones 0.5 de Galio y 0.5 de Arsénico, es decir igual cantidad de
Galio y de Arsénico.
62
Si se calculan las probabilidades del histograma se obtiene que la probabilidad de
interacción con la capa K del As es 49%, la probabilidad de interacción con la capa K
del Ga es 36%, la probabilidad de interacción con la capa L1 del As es 15%. Como
la capa K del GaAs está conformada por las capas K del Galio y del Arsénico
entonces la probabilidad total de esta capa para este material es la suma de las dos
anteriores quedando que la probabilidad de interacción con la capa K del GaAs es
49+36= 85%. De esta manera por ambas formas las probabilidades son muy
semejantes, quedando resumidas en la tabla 4.4.3.

Capa Probabilidad de Interacción

K 86.49 %
L1 16.6 %

Tabla 4.4.3. Probabilidad de interacción con las capas K y L1 para el GaAs.

Como se vera en el capítulo siguiente, los fotoelectrones creados van a interactuar

con el material para crear los PEH que son pieza fundamental en la resolución
espacial del detector entre otras cosas.

63
 Capítulo 5
PERDIDA DE ENERGÍA DE PARTÍCULAS ATRAVÉS DE MATERIA Y
CREACIÓN DE PARES ELECTRÓN HUECO

Como se explicó anteriormente, electrones creados a partir de efecto fotoeléctrico o

Compton interactúan con el material creando PEH. Pues bien, además de crear PEH
los electrones pierden energía principalmente por ionización en su recorrido por el
material. Esta perdida de energía es modelada por la ecuación de Bethe-Block, de la
dE
cual se calcula la rata promedio energía perdida por unidad de distancia ( ),
dY
algunas veces llamada en inglés “Stopping Power”. A continuación se muestra en
detalle esta ecuación:

dE Z 1  1 2me c 2 β 2γ 2Tmax δ
− = Kz 2 2 
ln − β2 − 
dY A β 2 I 2
2

En este caso se tiene que:

K 4πN A re2 mec 2

=
A A
A = masa atómica el material.
N A = número de Avogadro.

re = radio del electrón.

me = masa del electrón.

Z = número atómico del material.
64
β , γ = factores de Lorentz.
z = carga de la partícula incidente.
I = energía media de excitación.
Tmax = energía cinética máxima que puede ser transferida a un electrón libre en una
colisión.
δ
= corrección del efecto densidad.
2

2mec 2 β 2γ 2
También se encuentra que Tmax = 2
, donde M es la masa de la
2γme  me 
1+ + 
M M 
partícula incidente. Cabe señalar que la ecuación de Bethe no funciona bien a bajas
energías, esto es entre 10KeV y 1MeV.

Es claro que la perdida de energía depende del material y de las partículas incidentes,
para el caso del Arsenuro de Galio la curva de “Stopping Power” para electrones es
la que se muestra a continuación:

(a)
65
 (b)

(c)

Gráfica 5.1. Stopping Power para electrones. (a) GaAs, (b) Ge, (c) Si.∗

∗
Las gráficas de Stopping Power son con datos experimentales, y fueron obtenidas de la página web:
www.physics.nist.gov . El eje vertical debe ser multiplicado por la densidad del material para obtener
unidades de energía por longitud.
66
A medida que los electrones recorren el material pierden energía, y por consiguiente
la producción de PEH disminuye. Para entender mejor esto, supóngase un electrón
creado ya sea por efecto fotoeléctrico o Compton con una cierta energía inicial E0 ,

dirección θ y posición inicial ( x0 , y0 ). Inmediatamente después de ser creado, este

electrón se ve inmerso en un campo eléctrico intrínseco a la unión p-n, y como
consecuencia comienza a recorrer el material siguiendo una trayectoria parabólica
determinada por las ecuaciones cinemáticas del movimiento en dos dimensiones, esto
es porque la aceleración del electrón dentro del campo eléctrico es constante e igual
a:

eE
a=− (5.1)
m

donde E es el campo eléctrico

Como la carga del electrón es negativa entonces la aceleración de este es opuesta a la

dirección del campo eléctrico, de ahí el signo negativo. Sin embargo la dirección del
campo en este caso es negativa por la unión p- n, quedando la aceleración positiva
(ver figura 5.1).
Ahora, de la cinemática en dos dimensiones se tiene que:

x (t ) = x0 + v0x t (5.2)

1
y (t ) = y0 + v0 yt + at 2 (5.3)
2
Reemplazando (5.1) en (5.3) y despejando t de (5.2) y reemplazando en (5.3) se tiene
que:

 v0 y 
( x − x0 ) + ( x − x0 )2
1 eE
y ( x ) = y 0 +  2
(5.4)
 v0 x  2 mv0 x
67
De (5.4) se ve que la trayectoria que sigue el electrón es parabólica y el término
cuadrático es acompañado por el campo, por lo que si E = 0 el electrón seguiría una
trayectoria lineal, es así que el campo es quien determina la trayectoria curva. El
valor máximo de campo eléctrico que soporta el Arsenuro de Galio antes del
rompimiento se encuentra en la siguiente tabla, donde también se encuentra para el
Silicio y el Germanio.

GaAs Ge Si
Campo de Rompimiento (V/cm) 4x 105 1x 105 3x 105

Tabla 5.1. Campo eléctrico de rompimiento.

En el caso del detector, la dirección del electrón es medida con respecto a la vertical y
no a la horizontal como se acostumbra, quedando las componentes de la velocidad
inicial así:

v0 x = v0sen θ (5.5)

v0 y = v0 cos θ (5.6)

Ahora, para calcular la velocidad inicial ( v0 ) hay que recurrir a la mecánica

relativista, para lo cual se tiene que:

v0 = βc (5.7)
1
 ( me c2 ) 2  2
β = 1 − 2 2
(5.8)
 ( E0 + mec ) 

68
 Figura 5.1. Trayectoria seguida por el electrón dentro del detector.

Como ya se demostró, el electrón comienza a recorrer una trayectoria parabólica y a

medida que se desplaza por el material pierde energía, de manera que el decremento
 ∆E 
en la energía en un intervalo de distancia  −  es igual a:
 ∆Y 

 ∆E  dE
− =−
 ∆Y  dY

donde –dE/dY se calcula a partir de la ecuación de Bethe-Block. Despejando ∆E se

obtiene:

dE
∆E = ∆Y
dY

El delta E es la energía que pierde el electrón en los choques con los electrones de la
banda de valencia para liberarlos, en un delta de Y. Como los electrones de la banda
de valencia son los que producen PEH si su energía es igual o superior a la del gap
69
del material, entonces el número de PEH creados por el electrón en un intervalo delta
Y es:

∆E
# PEH=
Egap

donde Egap es la energía del gap del material, que en el caso de GaAs es 1.43 eV.
A medida que se recorre Y siguiendo la trayectoria descrita anteriormente, se van
creando nuevos PEH.

En los detectores ocurre todo esto para cada uno de los electrones creados por los
fotones incidentes pero además la dirección inicial de cada uno varia. Es importante
resaltar que no es relevante incluir la coordenada Z, ya que el campo eléctrico no
afecta a esta coordenada, y los electrones no tienen componente de velocidad en este
eje, por lo tanto el estudio se puede reducir a dos dimensiones, además, gracias a esto
mismo existe simetría azimutal y por consiguiente solo el ángulo theta tiene
relevancia.

Simulaciones hechas con la ayuda de GEANT∗ para el Arsenuro de Galio, mostraron

que la distribución angular de los fotoelectrones creados por efecto fotoeléctrico o
Compton es la mostrada en la gráfica 5.2.

En el anexo 1 se encuentran los códigos en GEANT, para todas las simulaciones

hechas.

∗
GEANT es un paquete especializado en la simulación completa y rápida de Montecarlo, para
detectores a altas energías con aplicaciones en física nuclear y física médica.
70
 Gráfica 5.2. Histograma de la distribución angular con GaAs, 300um de grosor, 22 KeV. En el eje X
están los ángulos en grados, y en el eje Y la frecuencia.

Nótese que ningún electrón salió con dirección 90º o –90º , porque estos ángulos son
físicamente imposibles de alcanzar para las colisiones porque no hay conservación
del momento lineal. Sin embargo los ángulos más comunes están entre -40º y 20º con
alta probabilidad de que salga a 0º y el rango de ocurrencia es de –80º y 80º.

Figura 5.2. Rango de ocurrencia de θ en GaAs.

71
Cuando el ángulo de salida es cero, la trayectoria seguida por el electrón es
unidimensional , es decir recorre una línea recta paralela al eje Y , en la posición X
donde fue creado, porque su dirección es paralela al campo eléctrico.

72
 Capítulo 6
APLICACIONES DE LOS FOTODETECTORES A BAJA ENERGÍA

Como es bien sabido los fotodetectores en general tienen múltiples aplicaciones en

diferentes áreas. También como se ha mencionado anteriormente, aquí se van a tratar
particularmente los detectores de bajas energías, es decir, energías que oscilan entre
10 y 100 KeV típicas de los rayos X. Estos detectores son muy utilizados en la
fabricación de sistemas digitales de imagenología de rayos X aplicados en medicina,
odontología, inspección de materiales, investigación y seguridad.

De todas las mencionadas anteriormente, tal vez la más importante aplicación es en

medicina, más específicamente en imágenes diagnósticas para determinar la
existencia de lesiones internas como tumores, fracturas,...,etc.

Actualmente la placa fotográfica es el método de diagnostico más utilizado, pero su

principal desventaja es su baja sensitividad debida a la pobre absorción de rayos X,
aproximadamente el 1% de la radiación incidente es absorbida por la placa. Además
de esto la placa fotográfica debe pasar por un proceso de revelado antes de poder ser
vista. Sin embargo, su mayor ventaja es que el área de la placa puede ser grande para
fotografiar grandes zonas.

73
Los prospectos de sistemas de imagenología digital de rayos X, comparados con la
placa fotográfica son la mucho más alta sensitividad, debida al aumento en la
absorción del material, y el dramático descenso en el tiempo de acceso a la imagen,
por que está inmediatamente disponible en el monitor lo cual permite una operación
en tiempo real. También permite la aplicación de un software para el procesamiento
digital de la imagen que ayude al análisis de la misma.

El más común de estos detectores es el de carga acoplada basado en Silicio (CCD).

Sin embargo, como ya se ha visto existen mejores materiales para estas aplicaciones,
como el Arsenuro de Galio que es el centro de esta monografía, el Telurio de Cadmio,
etc, que están siendo blanco de estudio. La ventaja del Arsenuro de Galio frente al
Silicio es su alto coeficiente de absorción y sensitividad como se vera en el siguiente
capítulo.

Arreglos de detectores para sistemas de imagenología digital de rayos X consisten de

una o más filas de pixe les como el de la figura 2.2 b, formando una o más microcintas
y polarizadas inversamente con un voltaje cercano al de rompimiento. Cada
microcinta está acompañada de un simple circuito de lectura de salida o “Readout”
que consiste de un filtro y un amplificador de corriente. Algunas veces es necesario
utilizar pantallas fluorescentes, acompañadas de intensificadores de imagen para
mejorarla. También es posible encontrar detectores hechos de pixeles como el de la
figura 2.2 a, puestos en fila y columna fo rmando una matriz que varían entre 50x50 y
200x200 µ m2 .

(a)
74
 (b)
Figura 6.1. (a) Vista transversal y (b) Vista superior de un detector conformado por microcintas.

El circuito de lectura está conformado por filtros y amplificadores para eliminar

corrientes térmicas y parásitas, y amplificar la señal de salida del detector. A
continuación se muestra una posibilidad para un circuito de Readout, sin embargo
este no es el único, y además se encuentran sistemas de lectura de mayor complejidad
que el presentado aquí.

Figura 6.2. Sistema de lectura.

Este sistema consta de dos amplificadores y dos filtros paso de bajas. Cuando la señal
sale del detector, se preamplifica y pasa por un filtro paso de bajas, constituido por un
75
circuito RC. Luego la señal resultante se vuelve a amplificar y filtrar por el otro
circuito RC, para eliminar los remanentes de ruido que quedaron del primer filtraje.

Los valores de las resistencias y condensadores dependen básicamente de la

frecuencia de corte de los filtros y los factores de amplificación que se desean, y estos
por supuesto dependen de la señal que sale del detector.

76
 Capítulo 7
EFICIENCIA Y RESOLUCION ESPACIAL

Dos de las características más importantes de un fotodetector, son la eficiencia y la

resolución espacial. En este capítulo se va a tratar cada una de estas propiedades en
detalle.

7.1 EFICIENCIA

La eficiencia de un detector es muy importante, porque permite conocer el porcentaje

de absorción de rayos X, una alta eficiencia es lo que se busca de un detector. Esta a
su vez depende directamente del material y la energía incidente, y se define como el
número de fotones que interactúan por Compton o fotoeléctrico, dividido por el
número de fotones incidentes. Para el calculo de eficiencia del GaAs, Si y Ge, se
utilizo GEANT, con el cual se simulo una muestra de cada material de diferentes
anchos y energías. El programa en GEANT, calcula el número de electrones creados
cuando se hacen incidir 1000 fotones entrando a 950 um en una muestra de 2000 um
de largo, teniendo en cuenta todos los procesos físicos descritos en capítulos
anteriores. De esta manera la eficiencia se calcula así:

77
 # fotones − que − actuan
E= (7.1.1)
# fotones − incidentes

Por ejemplo, si 500 electrones fueron creados, entonces de los mil fotones 500 fueron
absorbidos dando una eficiencia del 50%. Por obvias razones se quiere que un
detector absorba la mayor cantidad de fotones, y como se vera a continuación hay
materiales que son aptos para esto más que otros, por ejemplo el GaAs y el Ge. En
las gráficas 7.1 a 7.3 se muestran las eficiencias del GaAs, Ge y Si para diferentes
grosores y energías.

Como se ve en estas gráficas, la eficiencia mejora con el aumento del grosor del
detector, además se observa que el Germanio y el Arsenuro de Galio tienen
eficiencias altas, cercanas al 100% cuando la energía es 22 KeV. ∗

∗
En el anexo 3 se encuentran las tablas de eficiencia. Estas gráficas comienzan a partir de 22KeV
porque GEANT toma la capa K del GaAs como la suma de las capas K del Ga y del As, por lo
que la capa K es tomada con un valor de 22 KeV. Fotones con energía inferior no producen
electrones en esa capa, y por esta razón la eficiencia es de 12% correspondientes a los electrones
creados en la capa L1. Como esto no es cierto, las eficiencias de energías menores a 22KeV no se
tienen en cuenta.

78
 Eficiencia del GaAs (%)

100
80
60
40
20
0
22 32 42 52 62 72 82 92 102

KeV

300 um 400 um 500 um

600 um 700 um

Gráfica 7.1.1. Eficiencia del Arsenuro de Galio.

Eficiencia del Ge (%)

100
80
60
40
20
0
22 42 62 82 102
KeV
300 um 400 um 500 um
600 um 700 um

Gráfica 7.1.2. Eficiencia del Germanio.

79
 Eficiencia del Si (%)

100
80
60
40
20
0
12 32 52 72 92

KeV

300 um 400 um 500 um 600 um 700 um

Gráfica 7.1.3. Eficiencia del Silicio.

Si se hace una comparación de eficiencia entre estos materiales (ver gráfica 7.1.4), se
aprecia una alta superioridad del Ge y el GaAs frente al Silicio, con esto queda claro
que el Silicio no es un buen material para este tipo de aplicaciones, siendo por el
contrario, el Germanio y el GaAs excelentes opciones para fotodetección con
eficiencias muy similares.

80
 Eficiencia de Si,Ge y GaAs a 300um
100
80
60
40
20
0
22 42 62 82 102
KeV

Si GaAs Ge

Gráfica 7.1.4. Comparación de eficiencia entre Ge,GaAs y Si.

7.2 RESOLUCION ESPACIAL

Otro parámetro de vital importancia en la detección es la resolución espacial. Un

buen detector debe tener una buena resolución además de eficiencia. Para determinar
la resolución espacial miramos el número de electrones (de los PEH creados por él o
los fotoelectrones generados por fotón) colectados en cada microcinta, luego se
calcula el centro de gravedad, y así se obtiene la posición donde incidió el fotón.
Ahora, definiendo el centro de gravedad por fotón como:

CM =
∑X P i i
(7.2.1)
P

donde:
81
X i es la coordenada X de la microcinta i.

Pi es el número de PEH creados en la microcinta i por cada fotón.

P es el número total de PEH creados por cada fotón.

El subíndice i, varia entre 1 y el número total de microcintas. Ahora, el centro de

gravedad se calcula para cada fotón, y luego se hace un histograma de los diferentes
centros de gravedad, con el fin de obtener la resolución espacial de la desviación
estándar. Es importante resaltar que el histograma debe ser o acercarse a una función
normal o Gaussiana.

El programa en GEANT que calcula la eficiencia también calcula la energía con la

que crean los electrones, el ángulo y las coordenadas del vértice. Con estos datos y
otro programa realizado en Visual Basic, que simula la creación de PEH para 20
microcintas de 100um, repartidas en un ancho de 2000um y un grosor de 300um, se
calculo el centro de gravedad para cada fotón (en total se hicieron incidir 5000
fotones), y se hizo el histograma para diferentes energías. Luego se calcularon las
desviaciones estándar y por consiguiente las resoluciones espaciales.∗

Las coordenada X de cada microcinta se ubico en la mitad de cada una de estas, por
ejemplo a 50um, 150um, 250um,..., etc, y el campo eléctrico se puso cerca al de
rompimiento, por lo que el voltaje de polarización también está cerca al de
rompimiento. Esto último es ventajoso para la resolución, porque los electrones son
arrastrados con mayor aceleración por lo que la parábola que describen es más
cerrada, y así se logra que tengan poca dispersión, esta es una ventaja del GaAs
sobre el Si y el Ge que tienen campos de rompimiento menores.

∗
Recordar que la desviación estándar es la distancia medida desde la media hasta el punto de inflexión
de la Gaussiana. Criterio obtenido de la primera referencia bibliográfica.
82
Cabe anotar que el campo de rompimiento y el voltaje de rompimiento están
relacionados de la forma:
Vb
Eb = (7.2.2)
w
donde w es el ancho de la zona de agotamiento, que aquí es igual al grosor del
detector.
Otra relación importante es:

Vb = a + bw (7.2.3)(∗ )

con a = 3.74 V y b = 2.81e5 V/cm para el Arsenuro de Galio.

A continuación se muestran algunos histogramas obtenidos para GaAs, Ge y Si a
diferentes energías.**

Gráfica 7.2.1. Resolución espacial para GaAs, 22KeV. La resolución es igual a 59.05 ± 2.95 um.
∗
Las ecuaciones (7.2.2) y (7.2.3) fueron extraídas de: Breakdown Voltage in Thin III-V Avalanche
Photodiodes, Applied Physics Letters, Volume 79, Number 24, December 2001.
**
Solo se muestran los resultados gráficos porque las tablas con las que se hicieron los histogramas
son muy extensas.
83
 Gráfica 7.2.2. Resolución espacial para Ge, 40KeV. La resolución es igual a 62.37 ± 3.11 um.

Gráfica 7.2.3. Resolución espacial para Si, 60KeV. La resolución es igual a 60.7 ± 3.03 um.

La siguiente tabla resume las resoluciones obtenidas de la simulación:

84
 RESOLUCIÓN ESPACIAL (um)
ENERGÍA (KeV)
GaAs Ge Si
22 59,05 61,47 57,54
40 59,9 62,37 58,74
60 63,1 64,7 60,7
80 72,18 73,2 67,4
100 73,85 74,8 69
Tabla 7.2.1. Resoluciones espaciales obtenidas de simulaciones realizadas para un ancho de 300um,
GaAs, Ge, Si, y a diferentes energías. El margen de error es del 5%.

Si ahora se gráfica la resolución espacial contra la energía con los datos de la tabla se
encuentra que la resolución se va perdiendo a medida que la energía aumenta (ver
gráfica 7.2.4), porque el efecto Compton se hace considerable frente al fotoeléctrico,
y entonces es bastante probable que los fotones interactúen de manera Compton,
desviándose de su posición inicial X antes de ser absorbidos fotoeléctricamente.
Cuando los fotones son absorbidos fotoeléctricamente, empiezan a producir PEH
desde una distancia diferente a su punto de entrada (X ± ∆ X), resultando una mayor
dispersión, y por consiguiente una no muy buena resolución. Por el contrario a baja
energía el efecto dominante es el fotoeléctrico (ver gráfica de secciones eficaces), y
entonces los fotones incidentes son absorbidos sin ser desviados de su posición inicial
X, resultando una menor dispersión y mejor resolución. Sin embargo, la perdida de
resolución no es tan dramática si la aplicación del detector no exige una alta
resolución.

85
 Resolución Espacial

80
75

RE (um)
70
65
60
55
50
20 40 60 80 100
KeV

GaAs Ge Si

Gráfica 7.2.4. Resolución espacial contra energía para GaAs, Ge, Si, a un espesor de 300um y campo
eléctrico igual a 4 x 105 V/cm.

También es importante ver como es la distribución de PEH, para lo cual se hicieron

incidir 50000 fotones a X = 950um, donde se obtuvo la siguiente distribución:

PEH vs Distancia

6,0E+09
5,0E+09
4,0E+09
PEH

3,0E+09
2,0E+09
1,0E+09
0,0E+00
550 700 850 1000 1150
um

GaAs Si Ge

Gráfica 7.2.5. Distribución de PEH para 50000 fotones en GaAs, Ge, Si.

86
 CONCLUSIONES

Al ver la gráfica de secciones eficaces para el Arsenuro de Galio, es fácilmente

apreciable que el efecto fotoeléctrico domina a bajas energías, a medida que aumenta
la energía el efecto Compton aumenta y el fotoeléctrico disminuye. Esto hace que la
probabilidad de una interacción fotoeléctrica sea alta a bajas energías (10 KeV-40
KeV), y la probabilidad de una interacción Compton sea comparable con la
fotoeléctrica a energías entre 60 KeV y 100 KeV. Como consecuencia de las
secciones eficaces, a energías entre 60 KeV y 100 KeV los fotones se dispersan por
interacciones Compton antes de ser absorbidos, y por lo tanto el detector tiene
menos resolución. Caso contrario a energías entre 10 KeV y 40 KeV, donde la
resolución es alta por el dominio del efecto fotoeléctrico.

Tanto el Arsenuro de Galio como el Germanio, tienen eficiencias de absorción de

rayos X aproximadas del 100% a una energía de 22KeV, hecho que los cataloga
como excelentes candidatos para aplicaciones de fotodetección, en comparación con
el Silicio que definitivamente no es adecuado, por su muy bajo nivel de absorción.

Por su estructura física y química, el Arsenuro de Galio aporta una capa de

electrones más que el Silicio, dos capas K y una L1, que a su vez contribuyen con una
mayor cantidad de electrones que pueden interactuar, para la absorción de fotones o
la generación de PEH; esto por supuesto ayuda a la eficiencia de absorción.
87
La distribución angular que siguen los electrones creados, ya sea por efecto
fotoeléctrico o Compton es normal (Gaussiana), con un rango que no sobrepasa los
90º y los –90º (por razones de conservación de momento).

Es necesario hacer un tratamiento de la señal que sale del detector, porque esta sale
con componentes de corriente por generació n térmica y óptica, siendo la primera una
parte que no interesa, y que por el contrario es una corriente parásita que se debe
eliminar. La componente que interesa es la óptica, y por eso se utilizan circuitos
análogos y digitales que filtren y amplifiquen la señal.

Como el Arsenuro de Galio tiene un campo eléctrico de rompimiento más alto que el
Germanio y el Silicio, se puede polarizar inversamente más fuerte para ayudar al
arrastre de los portadores. Esto mejora el tiempo de respuesta del detector, y su
resolución espacial, parámetros que son de gran relevancia en aplicaciones médicas,
donde se requiere nitidez en la imagen, revelado inmediato, y mínimo tiempo de
irradiación.

Al hacer incidir fotones en una distancia X, se obtiene que los PEH creados siguen
una distribución normal con media en X. La medida de dispersión o desviación
estándar, depende del campo eléctrico aplicado y la distribución angular. De igual
manera que los PEH, la distribución del centro de gravedad tiene la media en el
punto donde ingresan los fotones, y disminuyen a medida que se alejan de esta. Esto
es de esperarse por la distribución angular y el campo eléctrico.

Gracias a la alta energía del Gap del Arsenuro de Galio, este material es más robusto
al ruido térmico que el Silicio y el Germanio, porque se necesita más cantidad de
energía para producir PEH, dando otra razón más para ser seleccionado como
material para diseñar fotodetectores.

88
 BIBLIOGRAFÍA

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Thomson editores, 1998.

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High Energy Physics, World Scientific, 1993.

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1996.

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Juanita Lopez, Simulación de un Detector de Silicio con Aplicaciones Médicas,

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89
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Crystal for X – Ray Detection in the Diagnostic Energy Range, Física Medica, Vol
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Stephen J. Gowgy, Position Sensitive Detectors in GaAs, thesis for the degree of
Ph.D, University of Glasgow, Junio 1997.

E. Bertolucci, X – Ray Imaging Using a Pixel GaAs Detector, Dipartimento di Fisica

dell’Universita and Sezione I.N.F.N., Pisa Italia, May 1995.

M.E. Fantacci, Pixels GaAs detectors for Digital Radiography, Dipartimento di

Fisica dell’Universita and Sezione I.N.F.N., Pisa Italia y European Laboratory for
Particle Physics (CERN).

Passage of Particles Through Matter, European Physical Journal, disponible en:

http:// pdg.lbl.gov/, October 1998.

90
 ANEXO 1

CÓDIGOS EN GEANT

Los códigos de compilación, la documentación y las subrutinas pueden ser consultados en: “Simulación
de un Detector de Silicio con Aplicaciones médicas”, Juanita Lopez, Universidad de los Andes,
Colombia, anexos.

Sin embargo para esta monografía se tuvo que modificar la subrutina “Gustep.f”, con el fin de simular las
direcciones de los fotoelectrones. Además se añadieron dos materiales nuevos: GaAs y Ge, por obvias
razones, para lo cual se modificó la subrutina “Ugeom2.f”.

Para el calculo de la dirección en Gustep.f , se utilizó la siguiente expresión de GEANT en el caso de

efecto Compton:

me
E f = Ei
me + Ei (1 − cosθ )

E f = Ei − Ee

donde:

E f = Energía del fotón después de la colisión (final).

Ei =Energía del fotón incidente (inicial).
Ee =Energía del electrón después de la colisión.
Despejando θ se obtiene:

  1 1 
θ = a cos 1 − me  − 
  Ei − Ee Ei 

Para el caso de efecto fotoeléctrico se utiliza la función GPHAL1(beta), donde beta es el factor relativista
de Lorentz que se calcula como en la ecuación 5.8, con Ei=Eo.
A continuación se anexan los códigos modificados de estas dos subrutinas.

GUSTEP.F
*KEEP,GCTMED.
COMMON/GCTMED/NUMED,NATMED(5),ISVOL,IFIELD,FIELDM,TMAXFD,STEMAX
+ ,DEEMAX,EPSIL,STMIN,CFIELD,PREC,IUPD,ISTPAR,NUMOLD
COMMON/GCTLIT/THRIND,PMIN,DP,DNDL,JMIN,ITCKOV,IMCKOV,NPCKOV
C
INTEGER NUMED,NATMED,ISVOL,IFIELD,IUPD,ISTPAR,NUMOLD
REAL FIELDM,TMAXFD,STEMAX,DEEMAX,EPSIL,STMIN,CFIELD,PREC
INTEGER JMIN,NPCKOV,IMCKOV,ITCKOV
REAL THRIND,PMIN,DP,DNDL
C
*KEEP,GCFLAG.
COMMON/GCFLAG/IDEBUG,IDEMIN,IDEMAX,ITEST,IDRUN,IDEVT,IEORUN
 + ,IEOTRI,IEVENT,ISWIT(10),IFINIT(20),NEVENT,NRNDM(2)
COMMON/GCFLAX/BATCH, NOLOG
LOGICAL BATCH, NOLOG
C
INTEGER IDEBUG,IDEMIN,IDEMAX,ITEST,IDRUN,IDEVT,IEORUN
+ ,IEOTRI,IEVENT,ISWIT,IFINIT,NEVENT,NRNDM
C
*KEEP,GCKINE.
COMMON/GCKINE/IKINE,PKINE(10),ITRA,ISTAK,IVERT,IPART,ITRTYP
+ ,NAPART(5),AMASS,CHARGE,TLIFE,VERT(3),PVERT(4),IPAOLD
C
INTEGER IKINE,ITRA,ISTAK,IVERT,IPART,ITRTYP,NAPART,IPAOLD
REAL PKINE,AMASS,CHARGE,TLIFE,VERT,PVERT
C
*KEEP,GCKING.
INTEGER MXGKIN
PARAMETER (MXGKIN=100)
COMMON/GCKING/KCASE,NGKINE,GKIN(5,MXGKIN),
+ TOFD(MXGKIN),IFLGK(MXGKIN)
INTEGER KCASE,NGKINE ,IFLGK,MXPHOT,NGPHOT
REAL GKIN,TOFD,XPHOT
C
PARAMETER (MXPHOT=800)
COMMON/GCKIN2/NGPHOT,XPHOT(11,MXPHOT)
C
COMMON/GCKIN3/GPOS(3,MXGKIN)
REAL GPOS
C
*KEEP,GCTRAK.
INTEGER NMEC,LMEC,NAMEC,NSTEP ,MAXNST,IGNEXT,INWVOL,ISTOP,MAXMEC
+ ,IGAUTO,IEKBIN,ILOSL, IMULL,INGOTO,NLDOWN,NLEVIN,NLVSAV,ISTORY
+ ,MAXME1,NAMEC1
REAL VECT,GETOT,GEKIN,VOUT,DESTEP,DESTEL,SAFETY,SLENG ,STEP
+ ,SNEXT,SFIELD,TOFG ,GEKRAT,UPWGHT
REAL POLAR
PARAMETER (MAXMEC=30)
COMMON/GCTRAK/VECT(7),GETOT,GEKIN,VOUT(7),NMEC,LMEC(MAXMEC)
+ ,NAMEC(MAXMEC),NSTEP ,MAXNST,DESTEP,DESTEL,SAFETY,SLENG
+ ,STEP ,SNEXT ,SFIELD,TOFG ,GEKRAT,UPWGHT,IGNEXT,INWVOL
+ ,ISTOP ,IGAUTO,IEKBIN, ILOSL, IMULL,INGOTO,NLDOWN,NLEVIN
+ ,NLVSAV,ISTORY
PARAMETER (MAXME1=30)
COMMON/GCTPOL/POLAR(3), NAMEC1(MAXME1)
*KEEP,GCVOLU.
COMMON/GCVOLU/NLEVEL,NAMES(15),NUMBER(15),
+LVOLUM(15),LINDEX(15),INFROM,NLEVMX,NLDEV(15),LINMX(15),
+GTRAN(3,15),GRMAT(10,15),GONLY(15),GLX(3)
C
INTEGER NLEVEL,NAMES,NUMBER,LVOLUM,LINDEX,INFROM,NLEVMX,
+ NLDEV,LINMX
REAL GTRAN,GRMAT,GONLY,GLX
*KEEP,CELOSS.
COMMON/CELOSS/SEL1(40),SEL1C(40),SER1(40),SER1C(40),SNPAT1(40,4),
* SEL2(40),SEL2C(40),SER2(40),SER2C(40),SNPAT2(40,4),
* EINTOT,DEDL(40),DEDR(40),FNPAT(40,4)
*KEEP,EDEPO.
PARAMETER ( NLX=200 , NPX=201 )
COMMON/EDEPO/EDEP(NLX)
+ ,SEDEP(NLX)
+ ,SEDEP2(NLX)
+ ,EFLO(NPX)
+ ,SEFLO(NPX)
+ ,SEFLO2(NPX)
+ ,SIGDET,CUTDET
+ ,SUMH,SUMH2,EKEV1(2),EKEV2(2),DIVST
COMMON/GEOMAT/DZLG(NLX),IMATZ(NLX),ZCORS(NPX)
+ ,NLAYZ,NPLAN
COMMON/SPCUTS/SPGAM(NLX),SPELE(NLX),SPHAD(NLX)
*KEND.
COMMON/CONTAR/NFOT,NELE,INDI
INTEGER NFOT, NELE, INDI
REAL COSENO

REAL BETA
REAL THETA
 CHARACTER*4 NAME
C Ngkin is > 0 if secondary particle have been generated,
C store them to the particle stak
C
NROLD= 1
C nombre del archivo

OPEN(25, NAME='tesisgaasa300e100.dat' , TYPE='UNKNOWN')

IF (NGKINE.GT.0) THEN
CALL GSKING(0)
ENDIF
C
C In the case of the first example and that the medium is BGO Numed = 2
C
IF (NUMED.EQ.2) THEN
NRIN = NUMBER(NLEVEL)
C
C Store the deposited energy in the arry DEDL and DEDR
C
IF (DESTEP.NE.0.)THEN
NTUB = NUMBER(NLEVEL-1)
DEDL(NRIN) = DEDL(NRIN) + DESTEP
DEDR(NTUB) = DEDR(NTUB) + DESTEP
END IF
C Compute the particle flux in the BGOC
IF (SLENG.LE.0.) NROLD = NRIN
IF (NRIN.NE.NROLD) THEN
NPL = (NRIN + NROLD)/2 + 1
C
C Store the particle flux for the differen particles seperatly
C gamma, positron, electron
C
FNPAT(NPL,IPART) = FNPAT(NPL,IPART) + 1.
NROLD = NRIN
END IF
END IF
C
C in case of the third example, the third medium is the one
C which is sensitive
C
IF(NUMED.EQ.3) THEN
DO JJ = 1,NLEVEL
CALL UHTOC(NAMES(JJ),4,NAME,4)
IF (NAME.EQ.'SECT') THEN
IC = JJ
END IF
END DO
EDEP(IC)=EDEP(IC)+DESTEP
END IF
C
C Store the current step position in the JXYZ data structure
C if the DEBUG data card has been set to ON
C
IF (IDEBUG.NE.0) THEN
CALL GSXYZ
IF (ISWIT(2).EQ.1) THEN
CALL GPCXYZ
CALL GPGKIN
ENDIF
CALL GDEBUG
CALL GSXYZ
CALL GPCXYZ
IF(INDI.EQ.1) THEN
IF(IPART.EQ.1) THEN
NFOT=NFOT+1
INDI =0
ENDIF
ENDIF
IF(INDI.EQ.0) THEN
IF(IPART.EQ.3) THEN
NELE=NELE+1
INDI=5
WRITE(6,*)'Se creó un electrón'
IF(KCASE.EQ.1414482000) THEN Si es efecto Fotoeléctrico
 BETA=(1-(0.511/(1000*GEKIN+0.511))**2)**0.5 calcula el ángulo para este efecto
COSENO=GPHAL1(BETA)
THETA=ACOS(COSENO)
ELSE IF(KCASE.EQ.1347243843) THEN Si es efecto compton

COSENO=1-0.000511*((1/(0.000100-GEKIN))-(1/0.000100))) calcula el ángulo para

THETA=ACOS(COSENO) este efecto
ENDIF
WRITE(25,10)NELE,KCASE,PKINE(4),VERT(1),VERT(2),GEKIN,THETA
10 FORMAT(' ',I5,1x,I10,1x,E12.6,1x,E12.6,1x,E12.6,1x,E8.3,1x,F4.2)
ENDIF
ENDIF
ENDIF
WRITE(6,*)'NFOT', NFOT
WRITE(6,*)'NELE', NELE
WRITE(6,*)'THETA',THETA
WRITE(6,*)'EFECTO',KCASE

END

UGEOM2.F

SUBROUTINE ugeom2
* *** Define experimental setup
COMMON/CUSER/IMAT1,THICK1,IMAT2,THICK2
COMMON/CONTAR/NFOT, NELE, INDI
INTEGER NFOT, NELE, INDI
DIMENSION PAR( 3)
DIMENSION A(2)
DIMENSION Z(2)
DIMENSION W(2)
CHARACTER text*41, unt*8
CHARACTER*20 namat(15)
DATA A /74.92, 69.72/
DATA Z /33, 31/
DATA W /.5, .5/
NELE=0
NFOT=0
CALL GIDROP
CALL GPART*
* *** Defines USER perticular materials
namat(1) = 'air'
CALL GSMATE( 1,namat(1), 14.61,7.3,0.001205,30423.,6750.,0,0)
namat(2) = 'H2 liquid'
CALL GSMATE( 2,namat(2), 1.01, 1.,0.0708,865.,790.,0,0)
namat(3) = 'Ar liquid'
CALL GSMATE( 3,namat(3), 40. ,18., 1.40 , 14., 84.,0,0)
namat(4) = 'carbon'
CALL GSMATE( 4,namat(4), 12.01, 6.,2.265 ,18.8,49.9,0,0)
namat(5) = 'Aluminium'
CALL GSMATE( 5,namat(5), 26.98,13.,2.7 , 8.9,37.2,0,0)
namat(6) = 'Iron'
CALL GSMATE( 6,namat(6), 55.85,26., 7.87 ,1.76,17.1,0,0)
namat(7) = 'Copper'
CALL GSMATE( 7,namat(7), 63.54,29.,8.96 ,1.43,14.8,0,0)
namat(8) = 'Lead'
CALL GSMATE( 8,namat(8),207.19,82.,11.35 ,0.56,18.5,0,0)
namat(9) = 'Silicon'
CALL GSMATE( 9,namat(9),28.09,14.,2.33,9.36,45.49,0,0)
namat(10)= 'Arsenuro de galio'
CALL GSMIXT( 10,namat(10), A, Z, 5.31, -2, W) definición de GaAS
namat(11)= 'Germanio'
CALL GSMATE( 11,namat(11),72.59,32.,5.32,2.29,26.23,0,0) definición de Ge*
* *** Defines tracking media parameters
ISVOL = 0
FIELDM = 50.
TMAXFD = 10.0
STEMAX = 1000.
DEEMAX = 0.200
EPSIL = 0.0001
STMIN = 0.0001
C ISVOL = 0
C FIELDM = 50.
C TMAXFD = 10.0
C STEMAX = 0.000001
C DEEMAX = 0.00001
C EPSIL = 0.0000005
C STMIN = 0.
C parametros de ugeom3.f
C ISVOL = 0
C FIELDM = 0.
C TMAXFD = 10.0
C STEMAX = 1.E+10
C DEEMAX = 0.1
C EPSIL = 0.001
C STMIN = 0.01
IMAT1 = 1
IFIELD = 0
CALL GSTMED( 1,'Frame ',IMAT1,ISVOL ,IFIELD,FIELDM,TMAXFD,
* STEMAX,DEEMAX, EPSIL, STMIN, 0 , 0 )
IMAT2 =11
IFIELD = 0
CALL GSTMED( 2,'Tr. medium',IMAT2,ISVOL ,IFIELD,FIELDM,TMAXFD,
* STEMAX,DEEMAX, EPSIL, STMIN, 0 , 0 )
* *** Geometry description
THICK1 = 0.036
THICK2 = 0.03
SIZE1 = 0.5*THICK1
PAR(1) = SIZE1
PAR(2) = 0.5
PAR(3) = 0.5
CALL GSVOLU( 'VOL1' , 'BOX ' , 1, PAR , 3 , IVOL )
SIZE2 = 0.5*THICK2
PAR(1) = SIZE2
PAR(2) = 0.5
PAR(3) = 0.5
CALL GSVOLU ('VOL2' , 'BOX ' , 2, PAR , 3 , IVOL )
OGX = 0.
CALL GSPOS ('VOL2',1,'VOL1',OGX, 0., 0., 0, 'ONLY')
* *** Close geometry banks.
CALL GGCLOS
CALL GPRINT('VOLU',0)
END
 ANEXO 2

CÓDIGOS EN VISUAL BASIC – MS. EXCEL

Este programa recibe como entrada la energía inicial de los fotoelectrones, la dirección
angular, y las coordenadas del vértice, para simular el recorrido por el material. En la
simulación se tienen en cuenta la perdida de energía, la trayectoria parabólica y se
calculan con base en esto el número de PEH creados por cada electrón en cada
microcinta y el centro de masa para la resolución del detector.

A continuación se anexa el código del programa.

Sub Resolución()

Dim beta As Variant ‘Definición de variables

Dim ener(400) As Variant
Dim deltaE(400) As Variant
Dim numpares(400) As Variant
Dim x1(400) As Variant
Dim x2(400) As Variant
Dim y(400) As Variant
Dim x(400) As Variant
Dim vel(400) As Variant
Dim dir As Variant
Dim dEdY(400) As Variant

De = 5.0989E-19 ‘Definición de Constantes

den = 5.31 ‘Las unidades utilizadas son:
carga = 1.602E-19 'energías en eV
campo = 400000 / 0.01 ‘distancias en metros
m = 9.11E-31 ‘masa en Kg
egap = 1.43
espesor = 0.0003
n1 = 0
n2 = n1 + 1
deltaY = espesor / 300 ‘Definición del tamaño de los intervalos en Y, aqui son de 1um
int1 = n1 * deltaY
int2 = n2 * deltaY

microcinta1 = 0
microcinta2 = 0
microcinta3 = 0
microcinta4 = 0
microcinta5 = 0
microcinta6 = 0
microcinta7 = 0
microcinta8 = 0
microcinta9 = 0
microcinta10 = 0
microcinta11 = 0
microcinta12 = 0
microcinta13 = 0
microcinta14 = 0
microcinta15 = 0
microcinta16 = 0
microcinta17 = 0
microcinta18 = 0
microcinta19 = 0
microcinta20 = 0

numparticulas = 69 'hasta el numero de particulas que se van a simular

temp = 2
For j = 2 To numparticulas
‘Lectura de las variables de entrada
yin = 0.01 * Worksheets("hoja1").Cells(j, 1) + 0.015 * 0.01 ' para 300um
xin = 0.01 * Worksheets("hoja1").Cells(j, 2) + 0.1 * 0.01
enerin = Worksheets("hoja1").Cells(j, 5) * 1000000000
enerfinal = enerin
yfinal = yin
xfinal = xin
beta = (1 - (0.261 / (0.511 + enerin * 0.000001) ^ 2)) ^ 0.5
velin = beta * 300000000

dir = Worksheets("hoja1").Cells(j, 35) - pi/2

vinx = velin * Sin(dir)
viny = velin * Cos(dir)
‘Escribe algunas variables en una hoja de calculo: velocidad inicial, velocidad inicial en X y Y
Worksheets("hoja1").Cells(j, 6) = velin
Worksheets("hoja1").Cells(j, 3) = vinx
Worksheets("hoja1").Cells(j, 4) = viny
For n1 = 0 To 300 ‘Calcula el numero de intervalo en Y donde empieza el electrón
n2 = n1 + 1
int1 = n1 * deltaY
int2 = n2 * deltaY
If yin < int2 And yin >= int1 Then
intervalo = n2
Exit For
End If
Next n1
restantes = 201 - intervalo
ener(intervalo) = enerin
‘Determina la energía que se pierde dependiendo de la energía que tiene en el momento actual el electrón, Bethe-
Block, datos tomados de la gráfica 5.1
If ener(intervalo) > 90000 And ener(intervalo) <= 100000 Then
dEdY(intervalo) = 2.559 * den / 0.01 'Energía perdida por micra
End If
If ener(intervalo) > 80000 And ener(intervalo) <= 90000 Then
dEdY(intervalo) = 2.725 * den / 0.01
End If
If ener(intervalo) > 70000 And ener(intervalo) <= 80000 Then
dEdY(intervalo) = 2.93 * den / 0.01
End If
If ener(intervalo) > 60000 And ener(intervalo) <= 70000 Then
dEdY(intervalo) = 3.187 * den / 0.01
End If
If ener(intervalo) > 50000 And ener(intervalo) <= 60000 Then
dEdY(intervalo) = 3.522 * den / 0.01
End If
If ener(intervalo) > 40000 And ener(intervalo) <= 50000 Then
dEdY(intervalo) = 3.976 * den / 0.01
End If
If ener(intervalo) > 30000 And ener(intervalo) <= 40000 Then
dEdY(intervalo) = 4.627 * den / 0.01
End If
If ener(intervalo) > 20000 And ener(intervalo) <= 30000 Then
dEdY(intervalo) = 5.65 * den / 0.01
End If
If ener(intervalo) > 10000 And ener(intervalo) <= 20000 Then
dEdY(intervalo) = 7.51 * den / 0.01
End If
If ener(intervalo) > 1000 And ener(intervalo) <= 10000 Then
dEdY(intervalo) = 12.15 * den / 0.01
End If

deltaE(intervalo) = dEdY(intervalo)
y(intervalo) = yin
‘Ese electrón recorre desde el intervalo inicial hasta el grosor del detector intervalos de una micra, en este caso el
grosor es de 300um
For i = (intervalo + 1) To 300
If dir=0 then
X(i)=0.00095
Elseif dir<>0 then
y(i) = y(i - 1) + 0.000001
‘Soluciona la ecuación cinemática cuadrática para el electrón: AX^2 + BX + C=0, con el valor de Y correspondiente al
intervalo actual.
A = carga * campo / (2 * m * vinx * vinx)
B = (viny / vinx) - (carga * campo * xin / (m * vinx * vinx))
c = yin - y(i) - (viny / vinx) * xin + (carga * campo * xin * xin / (2 * m * vinx * vinx))
 x1(i) = (-B + (B * B - 4 * A * c) ^ 0.5) / (2 * A)
x2(i) = (-B - (B * B - 4 * A * c) ^ 0.5) / (2 * A)
If vinx > 0 Then ' Escoge la solución adecuada, yéndose por la rama de la
x(i) = x1(i) parábola que conviene según la dirección de la velocidad
Else en X
x(i) = x2(i)
End If
If x(i) >= 0 And x(i) <= 0.002 Then ‘Si la solución está dentro del detector en X
ener(i) = ener(i - 1) - deltaE(i - 1)
If ener(i) > 0 Then ‘Si la energía del electrón es a mayor a cero .
‘Determina la perdida de energía dependiendo de la energía actual del electrón Bethe-Block , datos tomados de
la gráfica 5.1
If ener(i) > 90000 And ener(i) <= 100000 Then
dEdX(i) = 2.559 * den / 0.01 'Energía perdida por micra
End If
If ener(i) > 80000 And ener(i) <= 90000 Then
dEdX(i) = 2.725 * den / 0.01
End If
If ener(i) > 70000 And ener(i) <= 80000 Then
dEdX(i) = 2.93 * den / 0.01
End If
If ener(i) > 60000 And ener(i) <= 70000 Then
dEdX(i) = 3.187 * den / 0.01
End If
If ener(i) > 50000 And ener(i) <= 60000 Then
dEdX(i) = 3.522 * den / 0.01
End If
If ener(i) > 40000 And ener(i) <= 50000 Then
dEdX(i) = 3.976 * den / 0.01
End If
If ener(i) > 30000 And ener(i) <= 40000 Then
dEdX(i) = 4.627 * den / 0.01
End If
If ener(i) > 20000 And ener(i) <= 30000 Then
dEdX(i) = 5.65 * den / 0.01
End If
If ener(i) > 10000 And ener(i) <= 20000 Then
dEdX(i) = 7.51 * den / 0.01
End If
If ener(i) > 1000 And ener(i) <= 10000 Then
dEdX(i) = 12.15 * den / 0.01
End If
‘Calculo de los PEH creados en el intervalo Y (i) de una micra
deltaE(i) = dEdX(i)
numpares(i) = deltaE(i) / egap
numparestotal = numparestotal + numpares(i)
enerfinal = ener(i)
yfinal = y(i)
xfinal = x(i)
'Worksheets("hoja2").Cells(temp, 1) = x(i)
'Worksheets("hoja2").Cells(temp, 2) = y(i)
‘Asigna los PEH creados a la respectiva microcinta dependiendo de la posición X actual y los suma a los
anteriores
If x(i) >= 0 And x(i) < 0.0001 Then
microcinta1 = microcinta1 + numpares(i)
End If

If x(i) >= 0.0001 And x(i) < 0.0002 Then

microcinta2 = microcinta2 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0002 And x(i) < 0.0003 Then
microcinta3 = microcinta3 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0003 And x(i) < 0.0004 Then
microcinta4 = microcinta4 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0004 And x(i) < 0.0005 Then
microcinta5 = microcinta5 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0005 And x(i) < 0.0006 Then
microcinta6 = microcinta6 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0006 And x(i) < 0.0007 Then
microcinta7 = microcinta7 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0007 And x(i) < 0.0008 Then
 microcinta8 = microcinta8 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0008 And x(i) < 0.0009 Then
microcinta9 = microcinta9 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0009 And x(i) < 0.001 Then
microcinta10 = microcinta10 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.001 And x(i) < 0.0011 Then
microcinta11 = microcinta11 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0011 And x(i) < 0.0012 Then
microcinta12 = microcinta12 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0012 And x(i) < 0.0013 Then
microcinta13 = microcinta13 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0013 And x(i) < 0.0014 Then
microcinta14 = microcinta14 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0014 And x(i) < 0.0015 Then
microcinta15 = microcinta15 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0015 And x(i) < 0.0016 Then
microcinta16 = microcinta16 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0016 And x(i) < 0.0017 Then
microcinta17 = microcinta17 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0017 And x(i) < 0.0018 Then
microcinta18 = microcinta18 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0018 And x(i) < 0.0019 Then
microcinta19 = microcinta19 + numpares(i)
End If
If x(i) >= 0.0019 And x(i) < 0.002 Then
microcinta20 = microcinta20 + numpares(i)
End If

Else
Exit For
End If
Else

Exit For
End If
'temp = temp + 1
Next i
‘Escribe en una hoja de calculo los resultados para ese electrón
yrecorrido = (yfinal - yin) * 1000000
xrecorrido = Abs((xfinal - xin) * 1000000)
Worksheets("hoja1").Cells(j, 31) = yfinal * 1000000
Worksheets("hoja1").Cells(j, 32) = yrecorrido
Worksheets("hoja1").Cells(j, 33) = xfinal * 1000000
Worksheets("hoja1").Cells(j, 34) = xrecorrido
Worksheets("hoja1").Cells(j, 7) = numparestotal
Worksheets("hoja1").Cells(j, 8) = microcinta1
Worksheets("hoja1").Cells(j, 9) = microcinta2
Worksheets("hoja1").Cells(j, 10) = microcinta3
Worksheets("hoja1").Cells(j, 11) = microcinta4
Worksheets("hoja1").Cells(j, 12) = microcinta5
Worksheets("hoja1").Cells(j, 13) = microcinta6
Worksheets("hoja1").Cells(j, 14) = microcinta7
Worksheets("hoja1").Cells(j, 15) = microcinta8
Worksheets("hoja1").Cells(j, 16) = microcinta9
Worksheets("hoja1").Cells(j, 17) = microcinta10
Worksheets("hoja1").Cells(j, 18) = microcinta11
Worksheets("hoja1").Cells(j, 19) = microcinta12
Worksheets("hoja1").Cells(j, 20) = microcinta13
Worksheets("hoja1").Cells(j, 21) = microcinta14
Worksheets("hoja1").Cells(j, 22) = microcinta15
Worksheets("hoja1").Cells(j, 23) = microcinta16
Worksheets("hoja1").Cells(j, 24) = microcinta17
Worksheets("hoja1").Cells(j, 25) = microcinta18
Worksheets("hoja1").Cells(j, 26) = microcinta19
Worksheets("hoja1").Cells(j, 27) = microcinta20
 Worksheets("hoja1").Cells(j, 28) = enerfinal
Worksheets("hoja1").Cells(j, 36) = dir * (180 / 3.1415)
‘Reinicia las variables de los PEH creados para el siguiente electrón
numparestotal = 0
microcinta1 = 0
microcinta2 = 0
microcinta3 = 0
microcinta4 = 0
microcinta5 = 0
microcinta6 = 0
microcinta7 = 0
microcinta8 = 0
microcinta9 = 0
microcinta10 = 0
microcinta11 = 0
microcinta12 = 0
microcinta13 = 0
microcinta14 = 0
microcinta15 = 0
microcinta16 = 0
microcinta17 = 0
microcinta18 = 0
microcinta19 = 0
microcinta20 = 0
enerfinal = 0
'Worksheets("hoja2").Cells(temp, 1) = "FIN DE DATOS"
'temp = temp + 1
Next j ‘Pasa al siguiente electrón
‘Lee los resultados de la hoja de calculo para cada electrón y calcula el centro de masa para cada uno y lo escribe en la
hoja de cálculo
For i = 2 To numparticulas
If Worksheets("hoja1").Cells(i, 7) <> 0 Then
Worksheets("hoja1").Cells(i,39)=Worksheets("hoja1").Cells(i,37)/Worksheets("hoja1").Cells(i, 7)
End If
Next i
End Sub ‘Fin del programa

Cabe anotar que este programa solo funciona con un formato especial en la hoja de calculo
sobre la que trabaja. La hoja no se anexa a la monografía pero se puede conseguir
contactando al autor de la misma.
 ANEXO 3
EFICIENCIA GaAs
Ancho Energía Eficiencia
300 22 97,10
300 23 96,30
300 30 83,50
300 40 57,90
300 50 37,00
300 60 23,30
300 80 11,10
300 100 7,70
400 22 98,40
400 23 98,10
400 30 91,10
400 40 67,50
400 50 43,40
400 60 30,80
400 80 13,50
400 100 9,30
500 22 98,60
500 23 98,10
500 30 93,50
500 40 75,80
500 50 54,00
500 60 38,00
500 80 17,70
500 100 12,00
600 22 98,60
600 23 98,30
600 30 95,20
600 40 81,40
600 50 60,00
600 60 41,10
600 80 22,50
600 100 13,40
700 22 98,60
700 23 98,30
700 30 96,20
700 40 83,50
700 50 64,10
700 60 46,40
700 80 25,60
700 100 14,50

EFICIENCIA Ge
Ancho Energía Eficiencia

300 22 98,00
300 40 59,40
300 60 26,30

1
 300 80 12,30
300 100 7,00
400 22 97,40
400 40 69,80
400 60 33,00
400 80 16,70
400 100 8,50
500 22 97,80
500 40 75,00
500 60 34,60
500 80 19,80
500 100 10,60
600 22 97,80
600 40 79,40
600 60 39,60
600 80 23,00
600 100 11,60
700 22 97,80
700 40 84,20
700 60 45,80
700 80 27,80
700 100 16,00

EFICIENCIA Si
Ancho Energía Eficiencia

300 20 24,70
300 40 2,90
300 60 1,00
300 80 0,70
300 100 1,20
400 20 32,70
400 40 4,10
400 60 1,40
400 80 1,10
400 100 1,10
500 20 39,00
500 40 5,00
500 60 2,00
500 80 1,40
500 100 1,10
600 20 41,90
600 40 7,10
600 60 2,20
600 80 1,30
600 100 1,20
700 20 46,70
700 40 7,90
700 60 2,40
700 80 1,50
700 100 1,40

2
 ANEXO 4
TABLAS DE STOPPING POWER
(10 KeV – 100 KeV)

ARSENURO DE GALIO 7.000E-02 4.116E+00

8.000E-02 3.769E+00
Energía Total Stopping 9.000E-02 3.496E+00
Cinética Power 1.000E-01 3.274E+00
(MeV) (MeV cm2 / g)

1.000E-02 1.215E+01
1.250E-02 1.043E+01
1.500E-02 9.187E+00
1.750E-02 8.248E+00
2.000E-02 7.510E+00
2.500E-02 6.420E+00
3.000E-02 5.650E+00
3.500E-02 5.074E+00
4.000E-02 4.627E+00
4.500E-02 4.269E+00
5.000E-02 3.976E+00
5.500E-02 3.730E+00
6.000E-02 3.522E+00
7.000E-02 3.187E+00
8.000E-02 2.930E+00
9.000E-02 2.725E+00
1.000E-01 2.559E+00

SILICIO

Energía Total Stopping

Cinética Power
(MeV) (MeV cm2 / g)

1.000E-02 1.690E+01
1.250E-02 1.433E+01
1.500E-02 1.252E+01
1.750E-02 1.116E+01
2.000E-02 1.011E+01
2.500E-02 8.564E+00
3.000E-02 7.487E+00
3.500E-02 6.690E+00
4.000E-02 6.075E+00
4.500E-02 5.584E+00
5.000E-02 5.183E+00
5.500E-02 4.850E+00
6.000E-02 4.568E+00

3
GERMANIO

Energía Total Stopping

Cinética Power
(MeV) (MeV cm2 / g)

1.000E-02 1.244E+01 ... continuación GERMANIO

1.250E-02 1.066E+01
1.500E-02 9.379E+00 6.000E-02 3.571E+00
1.750E-02 8.412E+00 7.000E-02 3.230E+00
2.000E-02 7.653E+00 8.000E-02 2.967E+00
2.500E-02 6.534E+00 9.000E-02 2.759E+00
3.000E-02 5.745E+00 1.000E-01 2.590E+00
3.500E-02 5.157E+00
4.000E-02 4.700E+00
4.500E-02 4.334E+00
5.000E-02 4.034E+00
5.500E-02 3.784E+00