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Los fundamentos en que Intel se basaba para el desarrollo de esta nueva tecnología
eran:
Funcionamiento
Un elemento de la nueva estructura es un "transistor de sustrato agotado", el cual
es un nuevo tipo de dispositivo CMOS donde los transistores son fabricados en una
capa de silicio ultra-fina, en la parte superior de una capa incrustada de material
aislante. Esta capa de silicio ultra-fina, la cual es diferente del esquema
tradicional silicio-sobre-aislante, está completamente empobrecida para crear un
manejo máximo de la corriente que es conmutada cuando el transistor se enciende,
permitiendo que el transistor tenga un encendido y apagado mucho más rápido.
Enlaces externos
Intel Announces Breakthrough In Chip Transistor Design
Glossary for high-k/metal gate
Intel terahertz transistor breaks speed limits
Control de autoridades
Proyectos WikimediaWd Datos: Q6043552
Categoría: Microprocesadores Intel
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