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Escuela de Ingenierías Eléctrica,

Ingenierías
Electrónica y de
Físico
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LABORATORIO - Hoja 1 de 4.
FUNDAMENTOS DE CIRCUITOS ANALÓGICOS (23414).

ASIGNATURA: Fundamentos de Circuitos Analógicos –1 Sem 2020 CÓDIGO: 23414

PRÁCTICA DE LABORATORIO: ANÁLISIS Y CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET NO.: 02

ANÁLISIS Y CARACTERIZACIÓN DEL MOSFET

Extracción de los parámetros del modelo

La extracción de los valores de los parámetros de un modelo a partir de medidas realizadas sobre un conjunto
de MOSFETs es un paso crucial para la validez y fiabilidad de dicho modelo. En esta sección se enseñará a
extraer los parámetros del modelo de nivel 1 que intervienen en la intensidad de drenador. Por tratarse de
un modelo sencillo, la extracción de parámetros puede realizarse manualmente a partir de medidas simples
sobre las características de gran señal I-V del transistor. En modelos más complejos o cuando se han de
procesar gran número de datos experimentales, la extracción de parámetros se realiza computacionalmente,
haciendo uso de técnicas de regresión (ajuste) no lineal como por ejemplo ajuste por mínimos cuadrados. En
general se traslada el problema de extracción de parámetros a un problema matemático de minimización de
funciones que es solucionable aplicando optimización. Este tipo de extracción se verá con mayor detalle en
las prácticas de la asignatura.

De los parámetros (básicos o no) que intervienen en ID, consideraremos conocidos aquellos para los cuales
se tiene un mejor control a nivel del proceso tecnológico: TOX *, NSUB, XJ. Asimismo, supondremos conocidas
las dimensiones del transistor. Mediante medidas sencillas y cálculo manual encontraremos los valores de los
siguientes parámetros: VTO, UO, LAMBDA, GAMMA, PHI †.

● Extracción de UO y VTO en óhmica

En óhmica profunda (para un valor pequeño y conocido de V DS), se puede despreciar el término en V DS de
I D , con lo cual para V SB = 0 ,

𝑊
𝐼𝑑 ≈ 𝑈𝑂 𝐶𝑜𝑥 ∗ (𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡𝑜) ∗ 𝑉𝑑𝑠 (1)
𝐿
o bien,
𝑊 𝑊
𝐼𝑑 ≈ (𝑈𝑂 𝐶𝑜𝑥 ∗ 𝑉𝑑𝑠) ∗ 𝑉𝑔𝑠 − (𝑈𝑂 𝐶𝑜𝑥 ∗ 𝑉𝑡𝑜 ∗ 𝑉𝑑𝑠) (2)
𝐿 𝐿

𝑊
donde resulta fácil identificar la ecuación de una recta de pendiente (𝑈𝑂 𝐶𝑜𝑥 ∗ 𝑉𝑑𝑠) y ordenada en el
𝐿
𝑊
origen −(𝑈𝑂 𝐶𝑜𝑥 ∗ 𝑉𝑡𝑜 ∗ 𝑉𝑑𝑠). Se trata pues de medir la intensidad de drenador para diferentes valores
𝐿
de V GS (todos en inversión fuerte) y e realizar una regresión lineal de los puntos obtenidos, para obtener la
recta de mejor ajuste como se muestra en la Fig. 1. Una vez realizado el ajuste, los valores de UO y VTO se
obtienen de las expresiones anteriores.

________________________
*. En particular, TOX se puede medir con precisión mediante un trazador capacidad-tensión. Por ejemplo en
acumulación, CGB = Cox .
†. Recordemos que usualmente se extraen valores independientes para ciertos parámetros (buscando
siempre un mejor ajuste), aun
cuando dichos parámetros pudieran calcularse a partir de otros ya conocidos. Este es el caso de GAMMA y
PHI en este ejemplo. Otro
ejemplo típico lo encontramos en el parámetro KP definido anteriormente.

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Puntos que no pueden

considerse por no estar en
I.F

~UO*Vto
Vgs = 0

Figura 1. Extracción de UO y VTO a partir de medidas en óhmica con V DS pequeño.

Figura 2. Figura 6. Montaje base para graficar Vgs vs Id.

● Extracción de GAMMA y PHI en óhmica

Si se repite el procedimiento a medida que aumenta la tensión VSB, se obtendrán curvas similares desplazadas
a la derecha de la curva obtenida para V SB = 0, lo cual permitirá obtener un conjunto de valores de la tensión
umbral que deberán ajustarse a la expresión (3), donde ya se conoce VTO. Dicha expresión es no lineal en VSB
y además incluye dos parámetros de ajuste, GAMMA y PHI. Para realizar el ajuste manualmente conviene
reducir el problema a una regresión lineal, lo cual se consigue, tomando como variable independiente PHI +
V SB y de nuevo obtendremos la representación gráfica de una recta como la de la Figura. 3. La alineación de
los puntos depende también de PHI, por lo que deberemos en un primer paso buscar por prueba y error el
valor de PHI que genera la máxima alineación y luego realizaremos el ajuste de regresión. La pendiente de la
recta de mejor ajuste coincidirá con GAMMA y el valor de PHI tras la regresión se obtendrá a partir de la
ordenada en el origen. Este es un claro ejemplo de un problema de extracción que se realiza mucho más
eficientemente con un programa de regresión no lineal en un ordenador.

𝑉𝑡 = 𝑉𝑡𝑜 + 𝐺𝐴𝑀𝑀𝐴(√(𝑃𝐻𝐼 + 𝑉𝑠𝑏 − √𝑃𝐻𝐼) (3)

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Vt

m=GAMA

Vto-GAMMA* PHI
PHI + Vsb
Figura 3. Extracción de GAMMA y PHI a partir de medidas de VT frente a VSB .

Figura 4. Montaje base para graficar Vds vs Id.

● Extracción de LAMBDA en saturación

En inversión fuerte saturación para V SB = 0 ,
𝑊
𝐼𝑑 ≈ 𝑈𝑂 𝐶𝑜𝑥 ∗ (𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡𝑜)2 ∗ (1 + 𝐿𝐴𝑀𝐷𝐴 ∗ 𝑉𝑑𝑠) (4)
𝐿
donde el parámetro desconocido es LAMBDA. Por la relación lineal aproximada I D – V DS en saturación, es
posible utilizar la regresión lineal para encontrar la pendiente de la recta de mejor ajuste de los puntos (ID ,
𝑊
V DS ) medidos en saturación, que resulta ser función de VGS .𝑚 ≈ 𝑈𝑂 𝐶𝑜𝑥 ∗ (𝑉𝑔𝑠 − 𝑉𝑡𝑜)2 ∗ 𝐿𝐴𝑀𝐷𝐴 =
𝐿
𝐼𝑑 ∗ 𝐿𝐴𝑀𝐷𝐴

Como muestra la Figura. 5, es prácticamente imposible obtener un único valor de LAMBDA válido para todas
las curvas, esto es para cualquier valor de V GS, lo cual se debe en parte al ajuste y en mayor parte a la propia
ineficacia del modelo λ para describir un fenómeno tan complejo como la modulación de la longitud del canal.
El valor de LAMBDA a incluir en el modelo suele tomarse como el promedio de los obtenidos para cada curva
medida.
La extracción del resto de parámetros requiere medidas específicas, por ejemplo, de tipo dinámico para
obtener los parámetros para el cálculo de capacidades. A modo de ejemplo se recogen a continuación los
parámetros del modelo de nivel 1 extraídos para una tecnología CMOS de 0.5μm.

Cada valor conlleva unas unidades asociadas al parámetro en cuestión. Suelen ser unidades del S.I. con
algunas excepciones (en el modelo anterior, NSUB tiene unidades de cm -3, en lugar de m -3 ). Además, cada
parámetro de un modelo tiene asociado un valor por defecto; esto es, no es necesario especificar aquello
parámetros del modelo cuyo valor no cambie respecto al valor por defecto. Algunos de estos detalles son
específicos de cada simulador por lo que se recomienda consultar el manual de NgSpice en cada caso.
Un ejercicio instructivo sería comparar los valores absolutos de los parámetros para el caso nMOS y pMOS y
relacionarlos con las diferencias entre ambos dispositivos explicadas en temas anteriores.

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Id

m=Id*LAMBD
A

Vds

=1/LAMBDA

Figura 5. Extracción de LAMBDA a partir de parejas de puntos (ID, VDS) medidos exclusivamente en I.F.
saturación

Figura 6. Montaje base para modificación de la tensión en el cuerpo.

1. Preparación del informe

Preste atención a las indicaciones del docente para el desarrollo y entrega del informe de la práctica.

Referencias

1. "Microelectronic Circuits, Sedra, Smith, 5th edition, Oxford University Press, New York, 2004.
2. "The Art of Electronics", Horowitz and Hill, Cambridge University Press.
3. "LM741 Operational Amplifier" Datasheet, Texas Instruments, 2015.

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