EJERCICIO 1 (80%)

Diseñar el Amplificador “Folded Cascode” siguiendo la topología de la Fig. 1 (CL = 2 pF). Para ello primero se
propone seguir este flujo de diseño:

1) Obtener todas las ecuaciones de diseño y los trade-offs alcanzados. Para ello tener en cuenta las
siguientes consideraciones:
a. Implementar la fuente de carga a la salida con un solo transistor.
b. Usar conexiones de pozo caliente en los transistores PMOS allá donde sea necesario
c. Polarizar las fuentes de corriente empleando espejos con el mínimo número de referencias
(fuentes ideales idc de la librería analogLib).
d. Conseguir las tensiones de polarización de puerta mediante circuitos con MOSFET en modo
diodo.

2) Realizar un estudio de ruido para localizar los parámetros más influyentes en la respuesta de ruido
y razonar los resultados.

3) Construir una hoja de cálculo para establecer el dimensionamiento y la corriente de polarización de

los transistores según los resultados del punto 1). Emplear para ello la hoja básica “Sizing_MOSFET”
proporcionada en la documentación de la asignatura.
Incluir una tabla con el ruido térmico y Flicker de cada dispositivo visto a la salida y a la entrada del
amplificador para detectar cuales son las contribuciones principales.

4) Medir en simulación los siguientes parámetros insertando una carga CL de 2 pF:

a. RESPUESTA EN FRECUENCIA (Ancho de banda y GBP [Gain Bandwidth Product])
b. Ruido Equivalente en la entrada y tabla resumen con las contribuciones de ruido de cada
transistor ordenadas por importancia.
c. Output Swing: Medida de THD para una salida de 50 mVp
d. Área, y Consumo estático

5) Comparar los resultados de la simulación con los obtenidos en la hoja de cálculo. Razonar las
diferencias y proponer modificaciones para mejorar la respuesta del circuito.

ESPECIFICACIÓN VALOR TIPO

Gain Bandwidth Product (GBP) > 60 MHz PASS / FAIL (FOM*)

Slew Rate (SLR) > 40 V/us PASS / FAIL (FOM*)

Phase Margin (PM) > 55 grados PASS / FAIL

Ganancia (GAINDC) - FOM*

Ruido (Noise) - FOM*

Distorsión Armónica Total (THD) - FOM*

Área (AREA - µm2) - FOM*

Consumo (POWER - µA) - FOM*

Figura 1. N_MOS Folded Cascode configuration

EJERCICIO 2 (20%) (Voluntario)

1) Repetir el diseño anterior empleando una configuración cascodo simple (2x nMOS) para la carga.

2) Optimizar la polarización para maximizar el output swing y la ganancia (DC gain) manteniendo el
GBP en el valor alcanzado en el ejercicio 1.

3) Comparar los resultados obtenidos con los del ejercicio 1

Figure of Merit

𝑆𝐿𝑅 [V/us] 𝐺𝐵𝑃[MHz] 𝐺𝐴𝐼𝑁 [dB]

. .
𝑭𝑶𝑴 = 40 60 55
𝑁𝑂𝐼𝑆𝐸 [uVrms ] 𝑇𝐻𝐷[%] 𝐴𝑅𝐸𝐴 [um2] 𝑃𝑂𝑊𝐸𝑅[uW]
. . .
150 1 400 750