ELECTRONICAC II

CONVERSIÓN ANALOGICA DIGITAL- DIGITAL ANALOGICA

El procesamiento de señales en el dominio digital ofrece ventajas frente al procesamiento analógico: buena
inmunidad frente al ruido y a la distorsión, mayor flexibilidad y modularidad, menores requerimientos de
consumo entre otras... Además de reducir la complejidad de los sistemas, lo que hace posible la aplicación
de complicadas técnicas de procesamiento, difíciles o inviables de implementar en el dominio analógico.

Desde el punto de vista de la industria, el procesamiento digital también supone grandes beneficios, pues
la menor complejidad de los sistemas se traduce en: tiempos menores de desarrollo, reducción de costes
entre otros.

Todo esto no sería posible sin los interfaces que realizan la función de pasar entre el mundo analógico y
digital o viceversa. Es aquí donde se hace relevante la función de los convertidores analógico-digital (ADC)
y digital-analógico (DAC).

CONVERTIDOR DIGITAL ANALOGICO.

Es un dispositivo para convertir un código digital (código binario, compuesto de ceros y unos) a una señal
analógica (corriente, voltaje).

Los principales parámetros que definen un convertidor digital analógico:

• Su resolución, que depende del número de bits de entrada del convertidor.

• Código utilizado en la información de entrada generalmente, los convertidores digitales analógicos
operan con el código binario natural y algunos en decimal codificado en binario (BCD).
• El tiempo de conversión es otra particularidad que define al convertidor necesario para una aplicación
determinada.

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• Tensión de referencia, que puede ser interna o externa (si es externa puede ser variada entre ciertos
márgenes); la tensión de salida vendrá afectada por este factor.

LINEALIDAD.

Es la desviación (error lineal) de la salida ideal. Un caso especial es el error offset (cuando todos los bits están
en cero).

CONVERTIDOR DIGITAL ANALOGICO POR SUMA PONDERADA

1 1 1 7 7
Los cambios suceden entre 0 y 1 − 2n 𝑠𝑖 𝑛 = 3 1 − 23 = 1 − 8 = 8 𝑐𝑎𝑚𝑏𝑖𝑜𝑠 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 0 𝑦 8
1 1 1
El espacio entre los adyacentes es 𝑝𝑜𝑟 𝑒𝑗𝑒𝑚𝑝𝑙𝑜 𝑠𝑖 𝑛 = 3 𝑒𝑛𝑡𝑟𝑒 𝑎𝑑𝑦𝑎𝑐𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠 =
2n 23 8
VREF
La resolución es
2n

Por ejemplo, obtener los voltajes de salida posibles que entrega un DAC de tres bits de resolución, si su
VREF=4V

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1 7
Los cambios suceden entre 0 y 1 − 23 , cambios entre 0 y 8
1 1
El espacio entre los adyacentes es = = 0.125
2n 8
VREF 4
La resolución es = = 0.5 V
2n 23

X Y Z Voltaje Salida
0 0 0 0 0 x 1/8 x 4 = 0 0 x 0.5 = 0
1 0 0 1 1 x 1/8 x 4 =0.5 1 x 0.5 =0.5
2 0 1 0 2 x 1/8 x 4=1 2 x 0.5 =1
3 0 1 1 3 x 1/8 x 4=1.5 3 x 0.5 =1.5
4 1 0 0 4 x 1/8 x 4=2 4 x 0.5 =2
5 1 0 1 5 x 1/8 x 4=2.5 5 x 0.5 =2.5
6 1 1 0 6 x 1/8 x 4=3 6 x 0.5 =3
7 1 1 1 7 x 1/8 x 4=3.5 7 x 0.5 =3.5

CONVERTIDOR DIGITAL ANALOGICO R-2R

Independientemente del número de bits su carga equivalente es siempre la misma y de valor R y lo que
cambia es el voltaje de salida equivalente.

(𝐷5 25 + 𝐷4 24 + 𝐷3 23 + 𝐷2 22 + 𝐷1 21 + 𝐷0 20 ) ∗ 𝑉𝑅𝐸𝐹
𝑉𝑜 =
26
(𝐷5 25 𝐷4 24 𝐷3 23 𝐷2 22 𝐷1 21 𝐷0 20 )
𝑉𝑜 = + + + + 6 + ∗ 𝑉𝑅𝐸𝐹
26 26 26 26 2 26
(𝐷5 𝐷4 𝐷3 𝐷2 𝐷1 𝐷0 )
𝑉𝑜 = + + + + + ∗ 𝑉𝑅𝐸𝐹
2 4 8 16 32 64

Determine la salida Vo de un DAC R2R de 6 bits, con un Voltaje de referencia igual a 5 V, en cuyas entradas
está el código binario 110110.

(1 1 0 1 1 0)
𝑉𝑜 = + + + + + ∗5𝑉
2 4 8 16 32 64
Vo = 4.218V
VREF 5
Resolución es 2n
= 26
= 0.078125 V

110110 = 54
Vo=54 x 0.078125= 4.218

CONVERSION ANALOGICA DIGITAL.

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Consiste en la transformación de señales analógicas en señal digital, con la intención de facilitar su

procesamiento, codificación, comprensión, etc. De esta manera obtener una señal digital que son más
inmunes al ruido y otras interferencias a las que son sensibles las señales analógicas.

CONVERTIDOR ANALOGICO DIGITAL DE ESCALERA.

• Es el más simple en su funcionamiento.

• El tiempo de conversión depende del valor de la señal de entrada y de la frecuencia del CLK.
• Se inyecta la señal de inicio y conversión.
• El contador se encera y empieza a contar en dependencia de la frecuencia del CLK.
• El código binario del contador se transforma a una señal analógica en el DAC.
• La señal obtenida de DAC se compara (Opam) con la señal de entrada analógica.
• Si la señal proveniente del DAC es menor que la señal analógica de entrada, la cuenta continua en el
contador.
• Si la señal proveniente del DAC es mayor que la señal analógica de entrada, se envía una señal de STOP al
contador.
• El contador indica el código binario equivalente al valor de la señal de entrada

CONVERTIDOR ANALOGICO DIGITAL SEGUIMIENTO O RASTREO.

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CONVERTIDOR ANALOGICO DIGITAL FLASH O PARALELO.

El método Flash utiliza comparadores que comparan una serie de tensiones de referencia con la tensión de
entrada analógica. Cuando la tensión analógica sobrepasa a la tensión de referencia de un comparador
determinado, se genera un nivel alto y en caso contrario un nivel bajo.

• Tiene 2n niveles de voltaje de referencia.

• 2n-1 comparadores de alta velocidad para comparar el voltaje de la señal de entrada con cada nivel de
referencia.
• Si el VREF < VIN → 1
• Si el VREF > VIN → 0
• Tiene un codificador de prioridad.
• El 1er pulso del reloj sirve para el muestreo y enganche.
• A partir del segundo pulso de reloj conversión y decodificación.
• Es muy rápido y es utilizado en procesamiento de señales.
• Requiere de muchos comparadores.
• Alta disipación, imprácticos para n > 10
• Por ejemplo, un convertidor de 8 bits necesitaría 28-1 = 255 comparadores.

CONVERTIDOR POR APROXIMACIONES SUCESIVAS.

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• Utiliza un Registro de Aproximaciones sucesivas (SAR).

• Encuentra cada bit por prueba y error.
• El SAR inserta un 1 de prueba cada vez e interroga al comparador para saber si:
• VDAC> VIN regresa a 0
• Si VDAC<VIN se deja el 1 que se tomó como prueba.
• Este proceso se repite para cada bit.

Por ejemplo. encuentre la representación digital para un VIN = a 3.48V en un ADC de aproximaciones sucesivas
de 8 bits que tiene 5V como voltaje de referencia.

3.4 5 bits
(1 0 0 0 0)
10000 Vo =+ + + + ∗ 5 = 2.5 < 3.4 → 1
2 4 8 16 32
(1 1 0 0 0)
11000 Vo = + + + + ∗ 5 = 3.75 > 3.4 → 0
2 4 8 16 32
(1 0 1 0 0)
10100 Vo = + + + + ∗ 5 = 3.125 < 3.4 → 1
2 4 8 16 32

(1 0 1 1 0)
10110 Vo = + + + + ∗ 5 = 3.4375 > 3.4 →0
2 4 8 16 32
(1 0 1 0 1)
10101 Vo = + + + + ∗ 5 = 3.28125 < 3.4 →1
2 4 8 16 32

(𝐷5 𝐷4 𝐷3 𝐷2 𝐷1 𝐷0 )
𝑉𝑜 = + + + + + ∗ 𝑉𝑅𝐸𝐹
2 4 8 16 32 64

(1 0 0 0 0 0 0 0)
1000000 Vo = + + + + + + + ∗5= 2.5 < 3.48 →1
2 4 8 16 32 64 128 256
(1 1 0 0 0 0 0 0)
1100000 Vo = + + + + + + + ∗5= 3.75 > 3.48 → 0
2 4 8 16 32 64 128 256
(1 0 1 0 0 0 0 0)
1010000 Vo = + + + + + + + ∗5= 3.125 < 3.48 → 1
2 4 8 16 32 64 128 256
(1 0 1 1 0 0 0 0)
1011000 Vo = + + + + + + + ∗5= 3.4375 < 3.48 → 1
2 4 8 16 32 64 128 256

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(1 0 1 1 1 0 0 0)
10111000 Vo = + + + + + + + ∗5= 3.59 > 3.48 → 0
2 4 8 16 32 64 128 256
(1 0 1 1 0 1 0 0)
10110100 Vo = + + + + + + + ∗5= 3.51 > 3.48 → 0
2 4 8 16 32 64 128 256
(1 0 1 1 0 0 1 0)
10110010 Vo = + + + + + + + ∗5= 3.47 < 3.48 → 1
2 4 8 16 32 64 128 256
(1 0 1 1 0 0 1 1)
10110011 Vo = + + + + + + + ∗5= 3.49 > 3.48 → 0
2 4 8 16 32 64 128 256

3.48 V → 10110010

TEMPORIZADOR 555

OPERACIÓN ASTABLE.

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−𝑡1
Vcarga = Vcc − (Vcc − Vx)( 1 − 𝑒 (𝑅𝐴+𝑅𝐵)𝐶 )
2 1 −𝑡1
Vcc = Vcc − (Vcc − Vcc) ( 1 − 𝑒 (𝑅𝐴+𝑅𝐵)𝐶 )
3 3
2 2 −𝑡1
Vcc = Vcc − 𝑉𝑐𝑐 ( 1 − 𝑒 (𝑅𝐴+𝑅𝐵)𝐶 )
3 3
2 2 2 −𝑡1
Vcc = Vcc − 𝑉𝑐𝑐 + 𝑉𝑐𝑐 𝑒 (𝑅𝐴+𝑅𝐵)𝐶 )
3 3 3
2 1 2 −𝑡1
= + 𝑒 (𝑅𝐴+𝑅𝐵)𝐶 )
3 3 3
1 2 −𝑡1
= 𝑒 (𝑅𝐴+𝑅𝐵)𝐶 )
3 3
1 −𝑡1
= 𝑒 (𝑅𝐴+𝑅𝐵)𝐶 )
2
1 −𝑡1
𝑙𝑛 = ln 𝑒 (𝑅𝐴+𝑅𝐵)𝐶 )
2
−𝑡1
−0.693 =
(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵)𝐶
𝑡1 = 0.693(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵)𝐶

−𝑡2
𝑉𝑑𝑒𝑠𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = Vy 𝑒 (𝑅𝐵)𝐶 ) 𝑇 = 𝑡1 + 𝑡2 = 0.69(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵)𝐶 + 0.69 𝑅𝐵 𝐶
1 2 −𝑡2
Vcc = Vcc 𝑒 (𝑅𝐵)𝐶 ) 𝑇 = 0.693(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵)𝐶 + 0.69 𝑅𝐵 𝐶
3 3
−𝑡2 𝑇 = 0.693(𝑅𝐴 + 2 𝑅𝐵)𝐶
1
= 𝑒 (𝑅𝐵)𝐶 )
2 1.44
𝑓=
1 −𝑡2 (𝑅𝐴 + 2 𝑅𝐵)𝐶
𝑙𝑛 = 𝑙𝑛 𝑒 (𝑅𝐵)𝐶 )
2
−𝑡2
−0.693 =
(𝑅𝐵)𝐶
𝑡2 = 0.693 (𝑅𝐵) 𝐶

Determine los tiempos de carga y descarga, así como la frecuencia de oscilación del siguiente circuito.

𝑡1 = 0.693(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵)𝐶 = 0.69(7.5𝑥103 + 7.5𝑥103 ) 0.1𝑥10−6 = 1.035 𝑚𝑠

𝑡2 = 0.693(𝑅𝐵)𝐶 = 0.69 𝑥 (7.5𝑥103 ) 0.1𝑥10−6 = 0.5175𝑚𝑠

𝑇 = t1 + t2 = 1.5525 ms
1
𝑓= = 644𝐻𝑧
𝑇

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ASTABLE CON CICLO DE TRABAJO 50%

𝑡1 = 0.693 RA C
𝑡2 = 0.693 (𝑅𝐵)𝐶
𝑇 = 0.693(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵)𝐶
1
𝑓=
𝑇

OPERACIÓN MONOESTABLE

𝑇 = 1.1 R C

OSCILADOR CONTROLADO POR VOLTAJE (VCO)

2K ≤ R1 ≤20K
3
𝑉𝑐𝑐 ≤ 𝑉𝑥 ≤ 𝑉𝑐𝑐
4
fo≤ 1Mhz

10V≤Vcc≤24V
2 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑥
𝑓𝑜 = ( )
𝑅1 𝐶 𝑉𝑐𝑐
LM566
Calcular la frecuencia de oscilación del siguiente circuito:
3
𝑉𝑐𝑐 ≤ 𝑉𝑥 ≤ 𝑉𝑐𝑐
4
3
4
12 ≤ 𝑉𝑥 ≤ 12

9𝑉 ≤ 𝑉𝑥 ≤ 12𝑉
𝑅3 10𝑥103
𝑉𝑥 = 𝑉𝑐𝑐 𝑅2+𝑅3 = 12 1.5𝑥103 +10𝑥103 = 10.43𝑉
2 𝑉𝑐𝑐−𝑉𝑥
𝑓𝑜 = 𝑅1 𝐶 ( 𝑉𝑐𝑐
)
2 12−10.43
𝑓𝑜 = 10𝑥103 𝑥10𝑥10−9 ( 12
) = 2.6𝐾ℎ𝑧

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OPTOELECTRONICA.
Dispositivos capaces de transformar señales eléctricas en ópticas y viceversa, señales opticas en señales
eléctricas.

Por ejemplo un bombillo transforma una señal electrica en luz, es decir existe un cambio de electrones a fotones.
Por el contrario, una celda solar transforma la energía de los fotones en energía eléctrica, flujo de electrones.

La luz está compuesta por paquetes de ondas individuales (dualidad onda partícula) cada una de las cuales tiene
una energía determinada. Cada uno de los fotones es determinado por su energía que es equivalente a su
frecuencia de vibración.

𝐸 = ℎ𝑓(ℎ 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑡𝑎𝑛𝑡𝑒 𝑑𝑒 𝑃𝑙𝑎𝑛𝑐𝑘 6.624 𝑥 10 − 34 𝐽 𝑠)

𝑐
Recordemos que la longitud de onda es ʎ = 𝑓 (c= 3x108 m/s en el vacío)

Calcular la energía de un fotón de luz ultravioleta (UV) cuya frecuencia es f=4x1015 hz

E=h f
E=6.624 x 10-34 J x 4x1015 hz =2.656 x 10-18

Cuantos fotones de luz de longitud de onda de 4500 A⁰ se necesitan para proporcionar 5 Ergios de energía?
(1 A⁰= 10x10-10 m, 1 Ergio = 10-7 J)
E=ℎ𝑓
𝑐
ʎ=
𝑓
𝑐
𝑓=
ʎ
m
𝑐 3x108 s
𝐸 = ℎ 𝑓 = ℎ = 6.624 x 10 − 34 J s x = 4.42x10−19 J
ʎ 4500x10−10 𝑚

1 fotón 4.42x10-19J
X 5x10-7 → 1.13x1012 Fotones

Los fotones de luz roja tienen una energía de 1.908 eV, calcule su longitud de onda.
(1eV=1.602x 10-19 J)
E=ℎ𝑓
𝑐
ʎ=
𝑓
𝑐
𝐸=ℎ
ʎ
m
𝑐 3x108 s
ʎ = ℎ = 6.624 x 10−34 J s = 650 𝑛𝑚
𝐸 3.057x10−19 𝐽

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ESPECTRO ELECTROMAGNETICO

f(hz) ʎ(m) E(eV)

21
10 10-13
106
1MeV
ϒ
-10
1 A⁰ 10
Rx
103
-9
1nm 10 1KeV
UV
15
10 10
VISIBLE
100
1um 10-6 10-1 IR

Thz 1012 Microondas

1cm 10-2
Ghz 109 100 10-6 UHF VHF FM

Mhz 106 103 10-11 RF

Khz 103 105

EFECTO FOTOELECTRICO

El efecto fotoeléctrico fue descubierto por el Físico alemán Heinrich Hertz en 1887, durante sus experimentos
sobre generación y recepción de ondas electromagnéticas. Fue en 1905 cuando Albert Einstein formuló un
modelo que lograba explicar, adecuadamente, este fenómeno. Einstein propuso que los electrones eran
liberados cuando recibían cuantos o paquetes de radiación electromagnética (fotones), emitidos por una
fuente, con la frecuencia adecuada para vencer el umbral de energía que mantenía a los electrones, ligados
al material del cual eran arrancados. Si la energía de los fotones era lo suficientemente alta, dicha energía
era absorbida por los electrones y éstos eran arrancados del metal o del material semiconductor. Si la energía
de los fotones era inferior al umbral de energía de ligadura de los electrones, éstos no eran arrancados del
material y permanecían en él. El número de electrones emitidos (intensidad de la corriente eléctrica)
aumentaba al incrementarse la intensidad de la radiación electromagnética emitida por la fuente. Este
fenómeno recibió el nombre de efecto fotoeléctrico. Por la formulación del modelo que permitía explicar
este fenómeno, Einstein recibió el Premio Nobel de Física en 1921.

• En los electrones arrancados la energía cinética es independiente de la intensidad de luz (todos los
electrones arrancados salen con la misma velocidad) y dependiente de la frecuencia de radiación
incidente.
• Cada metal tiene una frecuencia mínima de radiación llamada frecuencia de umbral (fo) por debajo de la
cual no se produce el efecto fotoeléctrico.
• Los fotones transfieren energía a los electrones
• La energía del fotón la determina la frecuencia de la onda de luz.

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• Si un átomo absorbe energía de un fotón, un electrón puede ser arrancado del material.
• El número de electrones arrancados no depende de la intensidad de la luz, si no de su frecuencia.
• Los electrones que son expulsados son los que necesitan menor energía.
• En semiconductores tipo N los electrones de la banda de conducción son los más energéticos.
• La energía que hay que dar un electrón para ser arrancado, depende del material.

Sobre la superficie de potasio incide luz de 0.2X10-6 m de longitud de onda, indique si dicha longitud de
onda es suficiente para arrancar electrones de su superficie, de ser así calcule la velocidad con que es
desprendido el electrón. Tómese en cuenta que la energía de umbral para arrancar un electrón de dicha
superficie es 2.29eV. Además, calcule la longitud de onda (6.624 x10-34 J; 1eV=1.602x 10-19 J, me=9,1 × 10-
31
kg)

El efecto fotoeléctrico se producirá si:

E incidente > Eo (E umbral)
f incidente > fo (f umbral. - frecuencia mínima a la que se produce el efecto fotoeléctrico)
ʎ incidente < ʎo
𝑐
𝐸 =ℎ𝑓 ʎ=
𝑓
𝑐 3𝑥108 𝑚
Ei = ℎ 𝑓𝑖 = ℎ = 6.624 𝑥 10−34 𝐽𝑠 𝑥 −6
= 9.936𝑥10−19 𝐽
ʎi 0.2 𝑥10 𝑠𝑚
1.602𝑥10−19
Eo = 2.29 𝑒𝑉 𝑥 = 3.66𝑥10−19 𝐽
1𝑒𝑉
Ei > Eo (se produce el efecto fotoeléctrico)
Ei = Eo + Ec
1
Ec = Ei − Eo = 𝑚 𝑉 2 = 9.936𝑥10−19 𝐽 − 3.66𝑥10−19 𝐽 = 6.276 𝑥 10−19 𝐽
2 𝑒 𝑒
1/2
2 𝑥 6.276 𝑥 10−19 𝐽 𝑚
V𝑒 = ( ) = 1.17 𝑥 106
9.1 𝑥 10−31 kg 𝑠

ℎ 6.624 𝑥 10−34
ʎ∗ = = = 0.622 𝑛𝑚
𝑚𝑣 9.1 𝑥 10−31 𝑥 1.17 𝑥 106

La longitud de onda umbral de un material conductor es 750nm, determine su frecuencia de umbral y su

energía de umbral.
𝑐
E=ℎ𝑓 ʎ=𝑓
𝑐 3𝑥108
𝑓𝑜 = = = 4 𝑥 1014 𝐻𝑧
ʎo 750 𝑥 10−9
E = ℎ 𝑓𝑜 = 6.624 𝑥 10−34 𝑥 4 𝑥 1014 = 2.649 𝑥 10−19 𝐽

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El cátodo de una celda fotoeléctrica es iluminado con una radiación electromagnética de longitud de onda
ʎ. La energía de umbral de dicha placa es 2.2eV y se establece entre el ánodo y el cátodo una diferencia
de potencial igual a 0.4 V para anular la corriente fotoeléctrica. Calcular las longitudes de onda incidente
y de umbral. (carga de electrón = 1.602x10-19 C)

𝑐
ʎ=𝑓

1.602𝑥10−19
Eo = 2.2 𝑒𝑉 𝑥 = 3.52𝑥10−19 𝐽
1𝑒𝑉
𝑐
Eo = ℎ 𝑓𝑜 = ℎ = 3.52𝑥10−19 𝐽
ʎ

𝑐 −34
3𝑥108
ʎo = ℎ = 6.624 𝑥 10 = 564.54 𝑛𝑚
3.52𝑥10−19 3.52𝑥10−19

Ec = 𝑞 𝛥𝑉 = 1.602 𝑥 10−19 x 0.4 = 6.408 𝑥 10−20 𝐽

Ei = Eo + Ec = 3.52𝑥10−19 + 6.408 𝑥 10−20 = 4.16 𝑥10−19 𝐽

𝑐 3𝑥108
ʎi = ℎ = 6.624 𝑥 10−34 = 477.6 𝑛𝑚
Ei 4.16 𝑥10−19

FOTO RESISTENCIA

• Componente electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz.

• La variación esta entre los M𝞨 (poca luz) y 50𝞨 (con luz).
• Sulfuro de Cadnio (SCd)
• Cuando la luz incide en el material transfieren a los electrones la energía suficiente para saltar a la banda
de conducción.
• El electrón libre y el hueco creado provocan una corriente eléctrica.
• SCd reacciona a un amplio rango de frecuencias, incluso IR, UV.
• Tienen retardo en el cambio de resistencia décimas de segundo.
• STa, SCa, SPb, SeCa.

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FOTO DIODO

• Es un diodo construido con una unión PN sensible a la luz visible/IR.

• Se polariza inversamente.
• Cuando un fotón incide en el diodo arranca un electrón y crea un hueco.
• Si ʎ=(190–1100) nm, Ge ʎ=(800–1900) nm,
• La velocidad de respuesta es alta.
• Sensores de proximidad, controles remoto IR, lectores código de barra, etc.

FOTO TRANSISTOR.

• Se logra combinando un foto diodo y un transistor, colocado entre la base y el colector.

• Cuando la luz incide en la base, se genera portadores lo que conlleva a que el transistor entre en estado
de conducción.
• Es más sensible que el foto diodo.

DIODO LED

FUNCIONAMIENTO

Cuando aplicamos a los terminales del LED una tensión que permita polarizarlo directamente, los
electrones provenientes de la fuente de suministro de corriente directa (CD) comienzan a fluir a través
del diodo. Bajo esas condiciones, cada vez que un electrón presente en la región “N” adquiere la suficiente
energía como para poder vencer la resistencia que le ofrece la barrera de potencial, la atraviesa y se
combina con un hueco positivo en exceso en la región “P”. En el mismo instante que ocurre esa
combinación, la energía en exceso que adquirió dicho electrón para poder atravesar la barrera de
potencial, se transforma en energía electromagnética, que libera, en ese preciso momento, en forma de
fotón de luz.

En los diodos comunes de Germanio o de Silicio se producen fonones o vibraciones de la estructura

cristalina del semiconductor que contribuyen, simplemente, a su calentamiento.

En el caso de los diodos led, los materiales semiconductores son diferentes de los anteriores, por ejemplo,
de aleaciones varias como son el arseniuro de galio (AsGa), el fosfuro de galio (PGa) o el fosfoarseniuro
de galio (PAsGa ).

El color de la luz emitida depende directamente de su longitud de onda y es característico de cada

aleación.

Actualmente se fabrican aleaciones que producen fotones luminosos con longitudes de onda en un amplio
rango del espectro electromagnético dentro del visible, infrarrojo cercano y ultravioleta cercano.

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𝑐 𝑐
LED ʎ=𝑓 𝑓=ʎ 𝐸=ℎ𝑓
(Hz) (J)
(nm)
UV-C [100-280] [30- 10.7] x1014 [19.8- 7.08] x 10 -19
UV-B [280-315] [10.71-9.52] x1014 [7.09-6.3] x 10 -19
UV-A [315-400] [9.52-7.5] x1014 [6.3-4.96] x 10 -19
Rojo [610 – 790] [4.91-3.79]x1014 [3.25-2.5]x 10 -19
Naranja [590 – 610] [5.08-4.91] x1014 [3.36-3.25] x 10 -19
Amarillo [570 – 590] [5.26-5.08] x1014 [3.48-3.36] x 10 -19
Verde [500 – 570] [6-5.26] x1014 [3.97-3.48] x 10 -19
Azul [450 – 500] [6.6-6] x1014 [4.37-3.97] x 10 -19
IR-A 780-1400 [3.8-2.14] x1014 [2.51-1.41] 10 -19
IR-B 1400-3000 [2.14-1] x1014 [1.41-0.66] 10 -19
IR-C 3000-1mm [1-3] x1014 [0.66-0.2] 10 -19

V I R (Si conecto a 5V) MATERIAL

(10-20) mA 5−𝑉
𝑅=
𝐼
Rojo 1.62-2.03 15 211 Arseniuro de galio-aluminio (AlGaAs)
Fosfuro de galio y arsénico (GaAsP)
Naranja 2.03-2.1 15 137 Fosfuro de galio y arsénico (GaAsP)
Fosfuro de aluminio-galio-indio (AlGaInP)
Amarillo 2.1-2.2 15 143 Fosfuro de aluminio-galio-indio (AlGaInP)
Fosfato de galio (GaP)
Verde 1.9-4 15 196 Fosfato de galio (GaP)
Fosfuro de galio-aluminio (AlGaP)
Azul 2.48-3.7 15 206 Carburo de silicio (Si C)
Seleniuro de zinc (ZnSe)
UV 3-4.1 15 236 Nitruro de boro (BN) (215 nm)
Nitruro de aluminio (AlN) (210 nm)
Blanco 2.8-4.2 15 233 Blanco puro: Led azul o UV con fósforo amarillo
Blanco cálido: Led azul con fósforo naranja.

VENTAJAS.

El 80% de la energía que consume un led se transforma en luz. Las lámparas convencionales solo
transforman en luz el 20% de lo que consumen, lo demás se vuelve calor.

Eficiencia: los leds emiten más lúmenes por vatio que las lámparas incandescentes.
La eficiencia de los dispositivos de iluminación led no se ve afectada por la forma y el tamaño de estos a
diferencia de las bombillas o tubos fluorescentes.

Color: los leds pueden emitir luz de cualquier color, sin usar ningún filtro de color como los utilizados en
los métodos de iluminación tradicional.

Tamaño: los ledes pueden ser muy pequeños (menos de 2 mm).

Ciclos: los leds son ideales en las aplicaciones sujetas a frecuentes ciclos de encendido y apagados.

Oscurecimiento: los ledes pueden oscurecerse fácilmente por PWM o por disminución de la corriente
directa.

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Luz fría: los ledes irradian muy poco calor en forma de radiación infrarroja, esta puede dañar objetos o
tejidos sensibles. La energía perdida desaparece en forma de calor en la base del led.

Desgaste lento: la mayoría de los ledes se van dañando lentamente con el tiempo, a diferencia de las
lámparas incandescentes que se deterioran de forma abrupta.

Vida útil: los ledes pueden tener una vida útil relativamente larga. Se estima que, entre 35.000 y 100.000
horas de vida útil. Los tubos fluorescentes tienen una vida útil estimada de 10.000 a 15.000 horas, y las
lámparas incandescentes de 1000 a 2000 horas.

Resistencia a los golpes: los ledes son componentes de estado sólido y, por tanto, son difíciles de dañar
con golpes externos, a diferencia de las lámparas fluorescentes e incandescentes, que son frágiles.

Enfoque: un sistema de ledes se puede diseñar para poder enfocar la luz.

DESVENTAJAS.

Dependencia de la temperatura: el rendimiento del led depende en gran medida de la temperatura

ambiente del entorno. Es necesario utilizar un disipador de calor para asegurar una vida útil larga.

Sensibilidad con la tensión: los leds deben ser suministrados para trabajar con una tensión superior a su
voltaje umbral y con una corriente por debajo de su valor nominal. Tanto la corriente como la vida útil
cambian de manera importante con un pequeño cambio en la tensión aplicada. Por lo tanto, requieren
una corriente de suministro regulada (por lo general basta con una resistencia en serie para los
indicadores con ledes).

Peligro del azul: existe la preocupación de que los leds azules y los leds de color blanco frío sean capaces
de superar los límites de seguridad establecidos mediante el llamado peligro de la luz azul según se define
en las especificaciones de seguridad ocular.

Contaminación lumínica en exteriores: los leds blancos utilizados en las iluminaciones de exteriores
provocan, en visión escotópica, más resplandor nocturno del cielo y con ello generan más contaminación
lumínica. La Asociación Médica Americana advirtió sobre el uso de ledes blancos de alto contenido de
azul en la iluminación pública, debido a su mayor impacto en la salud humana y el medio ambiente, en
comparación con las fuentes de luz de bajo contenido azul (los leds ámbar de los ordenadores y los ledes
de baja temperatura de color.

Disminución de la eficiencia: la eficiencia de los ledes disminuye a medida que aumenta la corriente
eléctrica.

CÉLULA FOTOELÉCTRICA

Una célula fotoeléctrica, también llamada celda solar, célula solar, fotocélula o célula fotovoltaica, es un
dispositivo electrónico que permite transformar la energía fotónica (fotones) en energía eléctrica (flujo
de electrones) mediante el efecto fotoeléctrico.

La eficiencia de conversión media obtenida por las células disponibles comercialmente (producidas a
partir de silicio monocristalino) está alrededor del 16 %, pero según la tecnología utilizada varía desde el
6% de las células de silicio amorfo hasta el 22 % de las células de silicio monocristalino. También existen
las células multicapa, normalmente de arseniuro de galio, que alcanzan eficiencias del 30 %. En laboratorio
se ha superado el 46 % con células experimentales.

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La vida útil media a máximo rendimiento se sitúa en torno a los 25 años, período a partir del cual la
potencia entregada disminuye por debajo de un valor considerable.

Al grupo de células fotoeléctricas para energía solar se le conoce como panel fotovoltaico. Los paneles
fotovoltaicos consisten en una red de células solares conectadas como circuito en serie para aumentar la
tensión de salida hasta el valor deseado (usualmente se utilizan 12 V o 24 V) a la vez que se conectan
varias redes como circuito paralelo para aumentar la corriente eléctrica que es capaz de proporcionar el
dispositivo.

ESTRUCTURA DE UNA CELDA SOLAR.

Una Celda Solar es una combinación de dos capas diferentes de silicio que han sido especialmente
tratadas para que permitan que la electricidad fluya a través de ellas. La capa inferior está dopada
ligeramente con pocos electrones. La capa superior está dopada de manera opuesta para darle electrones
extras.

Cuando colocamos una capa de silicio de tipo negativo sobre una capa de silicio de tipo positivo, se crea
una barrera en la unión de los dos materiales. Ningún electrón puede cruzar la barrera así que, no fluirá
ninguna corriente. Pero si incide luz sobre las capas a medida que los fotones entran en contacto con
estas capas, entregan su energía a los átomos del silicio. La energía entrante golpea a los electrones de la
capa inferior de tipo positiva para que salten a través de la barrera hasta la capa de tipo negativa arriba y
fluyan alrededor del circuito. Cuanta más luz brilla, más electrones saltan y más flujo de corriente. A esto
se le llama efecto fotoeléctrico.

El principio de una célula fotovoltaica es obligar a los electrones y a los huecos a avanzar hacia el lado
opuesto del material en lugar de simplemente recombinarse en él, así se producirá una diferencia de
potencial y por lo tanto tensión entre las dos partes del material, como ocurre en una pila.

LÍMITE DE SHOCKLEY–QUEISSER

En física, el límite Shockley–Queisser designa a la máxima eficiencia teórica de una célula fotoeléctrica
basada en una unión p-n. El cálculo fue desarrollado por William Shockley y Hans Queisser en Shockley
Semiconductor en 1961. Se le considera uno de los fundamentos básicos de la energía solar fotovoltaica
y uno de los principales avances en el campo.

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El límite sitúa la eficiencia máxima en el entorno de 33.7%, asumiendo una única unión p-n con una banda
prohibida de 1.34 eV. Es decir, de la energía solar incidente (típicamente, 1000 W/m²), solo 33,7% se
podría convertir en electricidad (337 W/m²).
El material más usado en células fotovoltaicas, el silicio tiene una banda aún más desfavorable, de 1,1 eV,
lo que rebaja el máximo para células comerciales al 29%. Tecnologías modernas como el silicio
monocristalino han llegado a alcanzar eficiencias del 22%.
El límite Shockley–Queisser aplica únicamente a sistemas monocélulas. Tecnologías con múltiples capas
pueden sobrepasar dicha barrera. Idealmente, dispositivos con un número infinito de capas pueden
alcanzar rendimientos del 86% usando radiación solar concentrada.

CIRCUITO EQUIVALENTE

Una celda solar ideal se puede entender como un diodo en paralelo con una fuente de corriente generada
por la iluminación en sentido contrario (IL). Sin embargo, en la práctica, el comportamiento de la célula
no es ideal y hay que recurrir a la introducción de una resistencia en serie (RS) y una resistencia en paralelo
(RSH ).

𝑞(𝑉𝑐−𝑅𝑠𝐼𝑐) 𝑉𝑐 − 𝑅𝑠𝐼𝑐
𝐼𝑐 = 𝐼𝑜 𝑒 [ 𝑛 𝐾𝐵 𝑇
−1]
+ − 𝐼𝐿
𝑅𝑆𝐻

La ecuación muestra la corriente Ic que circula por una celda solar, donde:
kB es la constante de Boltzmann
T es la temperatura absoluta
q es la carga del electrón
n es el factor de idealidad (factor de calidad)
VC es la tensión en los terminales de la célula
Io es la corriente de saturación.

En oscuridad no hay fotones incidentes en el dispositivo, por lo que IL=0, y no existe efecto fotovoltaico.
En esta situación, la célula solar se comporta como un diodo comun. Sin embargo, en iluminación, la
incidencia de fotones genera una inyección de portadores en la unión que contribuyen a la generación de
la corriente IL.

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La corriente del módulo I es igual ala corriente de la célula multiplicada por el número de ellas (M), El
voltaje del modulo V es igual al voltaje de una célula multiplicado por el número de ellas (N), tal que:
I=MIc y V= NVc

𝑉
𝑞( )
቎ 𝑁 −1 ቏
𝑛 𝐾𝐵 𝑇
𝐼 = 𝑀𝐼𝑜 (𝑒 − 𝑀𝐼𝐿)

Células de silicio amorfo

El silicio durante su transformación produce un gas que se proyecta sobre una lámina de vidrio. La celda
es gris muy oscuro. Es la célula de las calculadoras y relojes llamados solares.
fueron las primeras en ser manufacturadas, ya que se podían emplear los mismos métodos de fabricación
de diodos.
Ventajas:
Funciona con una luz difusa baja (incluso en días nublados).
menos costosa que otras tecnologías.
Desventajas:
Rendimiento a pleno sol bajo, del 5 % al 7 %
Rendimiento decreciente con el tiempo.

Célula de silicio monocristalino

Al enfriarse, el silicio fundido se solidifica formando un único cristal de grandes dimensiones, luego se
corta el cristal en delgadas capas que dan lugar a las células, generalmente son de un azul uniforme.
Ventajas:
Rendimiento de 14 % al 16 %12
Buena relación potencia-superficie (~150 Wp/m², lo que ahorra espacio en caso necesario)
Número de fabricantes elevado.
Inconvenientes:
Coste más elevado

Células de silicio policristalino

Durante el enfriamiento del silicio, se forman varios cristales. La fotocélula es de aspecto azulado, pero
no es uniforme, se distinguen diferentes colores creados por los diferentes cristales.
Ventajas:
Células cuadradas (con bordes redondeados en el caso de Si monocristalino) que permite un mejor
funcionamiento en un módulo,
Eficiencia de conversión óptima, alrededor de 100 Wp/m², pero un poco menor que en el monocristalino
Más barato de producir que el monocristalino.
Rendimiento:14%
Inconveniente
Bajo rendimiento en condiciones de iluminación baja.

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Célula tándem
Apilamiento monolítico de dos células individuales. Mediante la combinación de dos células (capa delgada
de silicio amorfo sobre silicio cristalino, por ejemplo) que absorben en el espectro al mismo tiempo se
solapan, mejorando el rendimiento en comparación con las células individuales separadas, sean amorfas,
cristalinas o microcristalinas.
Ventajas
Alta sensibilidad en un amplio rango de longitudes de onda. Excelente rendimiento.
Desventaja
El costo es alto debido a la superposición de dos células.

Primera generación
Tienen gran superficie, alta calidad y se pueden unir fácilmente.
La reducción de los costes de producción está llegando al límite.
Se está cerca del límite de eficacia teórica que es del 31 %14.
Durabilidad efectiva de 5-7 años.

Segunda generación
Los materiales de la segunda generación han sido desarrollados para satisfacer las necesidades de
suministro de energía y el mantenimiento de los costes de producción de las células solares.

Uno de los materiales con más éxito en la segunda generación han sido las películas finas de teluro de
cadmio (CdTe), silicio amorfo y silicio microamorfo (estos últimos consistentes en una capa de silicio
amorfo y microcristalino).
Estos materiales se aplican en una película fina en un sustrato de apoyo como el vidrio o la cerámica, la
reducción de material y por lo tanto de los costos es significativa.
Estas tecnologías pueden tener eficiencias de conversión más altas combinadas con costos de producción
mucho más baratos.

Tercera generación
Se denominan células solares de tercera generación a aquellas que permiten eficiencias de conversión
eléctrica teóricas mucho mayores que las actuales y a un precio de producción mucho menor. La
investigación actual se dirige a la eficiencia de conversión del 30-60 %, manteniendo los materiales y
técnicas de fabricación a un bajo costo.
Existen diversos métodos para lograr esta alta eficiencia incluido el uso de células fotovoltaicas con
multiunión, la concentración del espectro incidente, el uso de la generación térmica por luz ultravioleta
para aumentar la tensión, o el uso del espectro infrarrojo para la actividad nocturna.

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