Informe N°2

ACONDICIONADOR DE SEÑAL
ESTANDARIZADA PARA RTD
FECHA: 03/05/2020

1st Gárate Gárate Juan Sebastián
Carrera de Ingenirı́a Electrónica
Universidad Politécnica Salesiana
Quito, Ecuador
jgarateg@est.ups.edu.ec
2nd Cevallos Illescas Jonathan David
Carrera de Ingenierı́a Electrónica
Universidad Politécnica Salesiana
Quito, Ecuador
jcevallosi@est.ups.edu.ec

Resumen—This report has the instruction to design and indique que la corriente IG tiene un valor nulo. En este caso
calculate the values of nominal voltages that is use in the industry se puede demostrar que se verifica la siguiente relación: [1]
equipment using the amplifier LM741 and the software simulator
Proteus 8.5.
Index Terms—LM741, Amplificador, Voltaje, Multı́metro, In-
dustria

I. R ESUMEN
El siguiente informe aborda los temas referentes al diseño
y cálculos para la elaboración de un circuito eléctrico capaz
de estandarizar las señales provenientes de un sensor RTD,
los datos obtenidos serán mostrados en niveles de voltaje
estandarizados para su uso en equipos industriales.

II. O BJETIVOS
II-A. Objetivo general
Diseñar un circuito acoplador de señal de voltaje utiliza-
do para la normalización de señales provenientes de un
sensor RTD.
II-B. Objetivos especificos
Calcular los valores de Gain y Offset para cada valor de
voltaje nominal.
Simular el diseño planteado con los valores de Gain y
Offset para cada valor de voltaje nominal.
III. M ARCO TE ÓRICO
Puente de Wheatstone
El puente de Wheatstone es un método para medir resistencias
bastante exacto. En la (fig.1) se representa el principio de
funcionamiento de este puente. RX es la resistencia a medir
y R1, R2 y R3 son resistencias de valor conocido. El puente
se alimenta con una fuente de tensión continua y se varı́a el
valor de la resistencia R3 mediante un mando hasta conseguir
que el galvanómetro (que es un amperı́metro muy sensible)
Figura 1. Puente de Wheatstone.
Sensores de temperatura RTD
Los sensores resistivos de temperatura se basan en un con-
ductor o semiconductor donde la variación de la resistencia
eléctrica es proporcional a una variación de la temperatura.
Dependiendo del material y su linealidad con respecto de la
temperatura, los sensores de temperatura resistivos se pueden
agrupar en dos familias: termistores y detectores de tempera-
tura resistivos (RTD) (fig.2).
Un detector de temperatura resistivo (RTD) es una resisten-
cia eléctrica que incrementa su valor proporcionalmente al
incremento de temperatura. Los detectores de temperatura
resistivos son aquellas resistencias dependientes de la tem-
peratura fabricadas con materiales conductores a diferencia de
los materiales semiconductores empleados en los termistores.
Aunque todos los materiales conductores pueden emplearse
para la fabricación de un RTD, el platino es el metal empleado
casi en exclusiva debido a su respuesta lineal, estabilidad
temporal y durabilidad. [2]
 Figura 2. Temperatura RTD segun su fabricación.
IV. P ROCEDIMIENTO
1. Designación del proceso con sus variables
Haciendo uso del puente Wheatstone realizaremos la con-
versión de señales provenientes de un sensor RTD el cual
será en encargado de censar los cambios de temperatura para
la realización de circuito se tomará en cuenta los siguientes
valores para las resistencias, R1 y R2 igual a 1K ohmio y
la resistencia R de 10K ohmios de igual manera el circuito
se divide en etapas las mismas que cumplen un rol en el
acoplamiento de las señal (fig.3).
Figura 3. Circuito normalizador con sus cuatro etapas.
Etapa 1
La primera etapa consta de un puente de Wheatstone el cual
es encargado de transformar la variable de resistencia en una
de voltaje, para esto se tomara un voltaje V1 de referencia
entre las resistencias R1 y R3 el otro voltaje V2 será tomado
de la resistencia R2 y el potenciómetro el cual simulará en
este caso a nuestro sensor RTD (fig.4).
Figura 4. Punte de Winston.
Etapa 2
En la segunda etapa se presenta un circuito comparador
inversor el mismo que toma los voltaje provenientes del puente
de Winston V1 y V2 en este circuito se compara las dos
señales provenientes y se envı́a un valor de voltaje variable
el cual será utilizado para en la etapa tres o de ganancia cabe
menciones que este valor será negativo por el inversor (fig.5).
Figura 5. Comparador inversor.
Etapa 3
En la tercera etapa de hace uso de un inversor el cual toma el
voltaje proveniente del comparador en está etapa se crea una
ganancia necesaria para acoplar nuestra señal a los valores
estándares, la ganancia se variara en un potenciómetro RF
mismo que será calculado mediante la ecuación (1) para
efectos de simulación se acoplara una resistencia fija con
el valor de ganancia respectivo para cada valor de voltaje
estandarizado (fig.6).
 RTD:
Ro = 1kΩ
α = 0,0025
En cuanto a las variaciones de resistencia en el RTD las
calcularemos de la siguiente manera:

RT D = Ro(1 + α ∗ T )

Figura 6. Circuito inversor con ganancia.
Etapa 4
En la ultima etapa se hace uso de un Offset su voltaje de
entrada se toma de la salida de convertidor, en este circuito se
añade un valor de voltaje mismo que es calculado mediante
la ecuación (2) este circuito consta de un seguidor de voltaje
el cual proporciona el voltaje calculado para el Offset y un
circuito no inversor el mismo que no dará el valor de voltaje
ya normalizado (fig.7).
Para 20°C
RT D = 1K(1 + 0,0025 ∗ 20) = 1050Ω
Para 400°C
RT D = 1K(1 + 0,0025 ∗ 400) = 2000Ω
Conociendo estos valores que tomara nuestro RTD con el
cambio de temperatura en necesario conocer los valores de
V1 y V2 de obtendremos en el puente de Winston.
Voltaje V1

R1 ∗ 12 1K ∗ 12
V1= = = 6(V )
R1 + R3 2K
Voltaje V2 a 20°C

RT D ∗ 12 1050 ∗ 12
V2= = = 6,14(V )
RT D + R2 1050 + 1K
Voltaje V2 a 400°C

RT D ∗ 12 2000 ∗ 12
V2= = = 8(V )
RT D + R2 2000 + 1K
Figura 7. Circuito no inversor Offset. La variación a la salida del comparador inversor(fig.5) se la
obtiene de la siguiente manera:

2. Requisitos de diseño
Variación a 20°C
Para implementación de nuestro circuito utilizaremos voltajes
de alimentación de +12 y -12 voltios para los amplificadores 4V = V 1 − V 2 = 6 − 6,14 = −0,14(V )
LM741 y como voltajes nominales se utilizaran los que se
indican en el cuadro [1]. Variación a 400°C

4V = V 1 − V 2 = 6 − 8 = −2(V )
Voltajes Nominales
0 a 10 V. D ISE ÑO
0a5
-5 a 5 Una vez que obtenemos los valores de variación de voltaje
1a5 se realiza los cálculos de Gain y el Offset en donde se
Cuadro I
VOLTAJES NOMINALES SOLICITADOS . implementó las siguientes formulas:
x2 − x1
m= = Gain (1)
y2 − y1
Para el siguiente proceso tendremos variaciones de tempe-
ratura de 20°C a 400°C con los siguientes datos para nuestro b = y1 − m ∗ x1 = Of f set (2)
Como primero cálculo se utilizo el voltaje nominal de 0 a 10
V donde se obtiene los siguientes resultados:

10
m= = −5,37
−2 + 0,14

b = 0 − (−5,37) ∗ −0,14 = −0,75

Realizamos el grafico respectivo de la pendiente en el valor

asignado como ayuda y referencia para el desarrollo de los
cálculos de Gain y Offset (fig.8).

Figura 9. Gráfico de pendientes con los distintos voltaje nominales.

VI. R ESULTADOS
Al realizar la simulación respectiva se obtiene los siguientes
valores que se indican en el cuadro 3 donde se puede apreciar
los voltajes obtenidos respecto a las dos distintas temperaturaS
en el RTD.
Figura 8. Gráfico de pendiente con valores de voltaje nominal de 0 a 10 V. Temperatura 0 a 10 (V) 0 a 5 (V) -5 a 5 (V) 1 a 5 (V)
20° C 0.01 (V) 0.13 (V) -5.03 (V) 1.02 (V)
400° C 9.73 (V) 4.98 (V) 4.69 (V) (V)
En este caso en el lado de eje de coordenadas Y representa Cuadro III
el voltaje nominal que se desea obtener y en el eje de TABLA DE VOLTAJES NOMINALES A DISTINTAS TEMPERATURAS .
coordenadas X representa los valores de voltaje obtenido por
la etapa dos del circuito.
VII. C ONCLUSIONES
Para los otros valores de voltajes nominales sus resultados
de Gain y Offset se presentan en cuadro 2 y sus respectivas
gráficas en la figura 9.

VIII. B IBLIOGRAF ÍA

R EFERENCIAS
[1] M. A. P. Garcia, Instrumentacion Electrócica, Gijón: Ediciones Paraninfo,
S.A., 2014, pp. 267-271.
Vout (V) Gain Offset [2] M. A. P. Garcia, Instrumentacion Electrócica, Gijón: Ediciones Paraninfo,
0 a 10 -5.37 -0.75 S.A., 2014, pp. 253-255..
0a5 -2.68 -0.37
-5 a 5 -5.37 -5.75
1a5 -2.15 0.69
Cuadro II
TABLA DE VALORES DE G AIN Y O FFSET CON LOS DISTINTOS VOLTAJE
NOMINALES .

La pendien de color morado (h) pertenece a los valores

de voltaje nominal de (5 a 1 V).

La pendien de color naranja (f) pertenece a los valores

de voltaje nominal de (0 a 5 V).

La pendien de color azul (g) pertenece a los valores de

voltaje nominal de (-5 a 5 V).