Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Laboratorio de Ingeniería Eléctrica y Electrónica

Gestión Administrativa de las Prácticas de Laboratorios Académicos
Guía de las Prácticas de Laboratorio
Fecha: 30 de Julio de 2020 Código: FOR-GAPLA-GPL Página: 1 de 10 Versión: 1.0

INFORMACIÓN BÁSICA
Periodo
Fecha de
Nombre del Curso Sección(es) académic
diligenciamiento(dd/mm/aaaa)
o
Fundamentos de
28/09/2020 1,2,3,4 2020-2
Electrónica
Práctica
Nombre de la práctica: Transistores en conmutación 3
No.:

Asistente(es)
Profesor(es): Alba Graciela Ávila Bernal Fernel Orlando Zúñiga
Graduado(s):
Hernández
Semana de la práctica (1-16) Versión de la guía Nomenclatura del espacio a utilizar
Semanas 8, 9 y 10 1 Virtual
CONTENIDO DE LA GUÍA
Objetivos

Objetivo General

Comprender y aplicar los diferentes circuitos de polarización para transistores BJT y MOSFET para
diferentes aplicaciones en ingeniería eléctrica y electrónica.

Objetivos específicos

• Identificar y comprender las curvas de I(V) de transistores BJT y MOSFET.

• Comprender los parámetros relevantes para polarización de transistores en simuladores y
hojas técnicas (Datasheet)
• Diseñar y evaluar circuitos de polarización para transistores con diferentes componentes
pasivos y activos para aplicaciones en sistemas digitales.

Procedimiento de la práctica de laboratorio

Materiales de Trabajo y Software:

• Computador con conexión a Internet.

• Altium.
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Introducción

Un transistor es un dispositivo semiconductor que consta de 3 partes, 2 que emiten o reciben

electrones y otra que modula el paso de electrones, una pequeña señal eléctrica aplicada entre la
base y el emisor modula la corriente que circula entre el emisor y el receptor, los transistores se
pueden clasificar en 3 tecnologías: Transistores de unión Bipolar (BJT), transistores de efecto
campo (FET) y transistores de efecto campo metal oxido semiconductor (MOSFET) [7].

Transistores BJT

El transistor de unión bipolar (BJT) es un dispositivo semiconductor conformado por la unión de

dos junturas PN, tiene tres terminales llamadas emisor, base y colector, cada terminal está
conectada a una región dopada por separado. Una unión PN simple (diodo) tiene dos modos de
polarización: Inversa y directa. El transistor bipolar, con dos uniones PN, tiene por consiguiente
cuatro posibles modos de operación, según la condición de polarización de cada unión, lo cual es
una razón para la versatilidad del dispositivo. El principio básico del transistor es que el voltaje
entre dos terminales base (B, Base) y emisor (E, Emitter) controla la corriente a través de la tercera
terminal colector (C, Collector). [1]

Tabla 1 Polarización BJT de Silicio

Modo de
Ecuación Condición Valores (V)
operación
𝐼𝐶 = 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝐼𝐵 > 0 𝑣𝐵𝐸 ≅ 0.7
Activa
𝑣𝐶𝐸 ≅ 0.2
𝐼𝐶 ≠ 𝛽 ∗ 𝐼𝐵 𝑣𝐵𝐸 ≅ 0.7
Saturación 𝐼𝐵 > 0
𝑣𝐶𝐸 < 0.2
𝐼𝐶 = 0,25 𝐼𝐵 = 0 𝑣𝐵𝐸 < 0.7
Corte

A continuación, se presenta la ecuación de voltaje para el transistor BJT

𝑣𝐶𝐸 = 𝑣𝐵𝐸 + 𝑣𝐶𝐵 (1)

A continuación, se presentan las ecuaciones de corriente para el transistor BJT

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵 (2)
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 (3)
𝐼𝐸 = (1 + 𝛽)𝐼𝐵 (4)
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Transistores MOSFET
Los transistores de efecto campo son dispositivos semiconductores de cuatro terminales, llamadas
fuente (S, Source), puerta (G, Gate), drenador (D, Drain) y sustrato (B, Bulk), generalmente el
sustrato está conectado al terminal de la fuente por lo que se tienen MOSFETS de 3 terminales. Se
tienen 2 tecnologías de MOSFETS: de enriquecimiento (Enhancement) y de empobrecimiento
(Depletion). Estos transistores permiten controlar la conductividad entre Drain y Source por medio
de un campo eléctrico en Gate. La terminal Gate funciona como un terminal de control. Este
transistor presenta tres regiones de operación: Región de corte, Región de Saturación del canal y
región óhmica o lineal.

Tabla 2 Polarización MOSFET canal N

Modo de
Ecuación Condición (V)
operación
𝑅𝐷𝑆 = 1/(2𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ))
𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇
Óhmica 𝑉𝐷𝑆 = 𝐼𝐷 ∗ 𝑅𝐷𝑆
(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) > 𝑉𝐷𝑆
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 [2(𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )𝑉𝐷𝑆 − 𝑉𝐷𝑆 2 ]
Saturación del
𝐼𝐷 = 𝑘𝑛 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 )2 0 < (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) < 𝑉𝐷𝑆
canal
Corte 𝐼𝐷 = 0 (𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 ) < 0

A continuación, se presenta la ecuación de voltaje para el transistor MOSFET

𝑣𝐺𝑆 = 𝑣𝐷𝑆 + 𝑣𝐺𝐷 (5)

A continuación, se presentan las ecuaciones de corriente para el transistor MOSFET

𝐼𝐺 ≈ 0 𝐴 (6)
𝐼𝐷 = 𝐼𝑆 (7)
Descripción General

El desarrollo de la práctica está dividido en 3 etapas

Semana 1: Se desarrollará la etapa 1 de la guía, se concentra en realizar simulaciones para observar

el funcionamiento y comportamiento de transistores de unión bipolar (BJT) y de efecto de campo
(FET) mediante las curvas características para observar y comprender sus diferentes regiones de
operación.

Semana 2: Se desarrollará la etapa 2 de la guía, se concentra en realizar simulaciones con

configuraciones típicas que se pueden implementar con transistores para lógica discreta.
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Semana 3: Se desarrollará la etapa 3 de la guía, se concentra en realizar simulaciones para

desarrollar y mejorar habilidades de diseño electrónico basado en tecnologías BJT Y FET basado en
especificaciones dadas.
Se sugiere dar cumplimiento a cada etapa de esta guía, en grupo en cada una de las 3 semanas
programadas para su desarrollo

Plan de Trabajo Sugerido:

Se sugiere para el desarrollo de la práctica seguir el siguiente plan de trabajo.

Semana 8: Puntos 1,2
Semana 9: Puntos 3,4
Semana 10: Puntos 5,6,7

ETAPA 1

Usuario:Altium1@uniandes.edu.co
Clave: Est-altium50
1. Curva del transistor BJT:

Figura 1 Circuito para caracterización BJT Tipo N

1.1 Realice el montaje del circuito en simulación que se muestra en la figura 1
1.2 Realicé un barrido DC donde varié 𝐼𝑄𝐵 para obtener 6 curvas en la gráfica 𝐼𝐶 𝑉𝑠 𝑉𝐶𝐸
1.3 Identifique y explique las diferentes regiones de operación para el transistor BJT Tipo N
1.4 Cambie el transistor por un Tipo P 2N3906 y realice los 3 puntos anteriores
1.5 ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas del BJT tipo N y el BJT tipo P?
1.6 ¿Los transistores BJT se activan por corriente o por tensión? Explique
1.7 ¿Qué parámetros de la curva 𝐼𝐶 𝑉𝑠 𝑉𝐶𝐸 se puden extraer?
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2. Curva del transistor MOSFET:

Figura 2 Circuito para caracterización MOSFET canal N

2.1 Realice el montaje del circuito en simulación que se muestra en la figura 2
2.2 Realicé un barrido DC donde varié 𝑉𝐺𝑆 para obtener 6 curvas en la gráfica 𝐼𝐷 𝑉𝑠 𝑉𝐷𝑆
2.3 Identifique y explique las diferentes regiones de operación para el transistor BJT Tipo N
2.4 Cambie el transistor por un canal P y realice los 3 puntos anteriores
2.5 ¿Qué diferencias encuentra entre las gráficas del BJT tipo N y el BJT tipo P?
2.6 ¿Los transistores MOSFET se activan por corriente o por tensión? Explique
2.7 ¿Qué parámetros de la curva 𝐼𝐷 𝑉𝑠 𝑉𝐷𝑆 se puden extraer?

ETAPA 2

3. Lógica Discreta BJT

Figura 3 Lógica Discreta con BJT circuito 1

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3.1 Realice el montaje del circuito en simulación que se muestra en la Figura 3

3.2 ¿Qué pruebas haría para identificar que compuerta representa el circuito?
3.3 Realice una tabla de verdad representando todos los estados y las combinaciones posibles
que se pueden tener a la entrada y el valor que representan en la salida para la función del punto
anterior.
3.4 ¿Qué ocurre si varia las resistencias R1 y R2? ¿Cambie la función lógica? Explique
3.5 Cambie los transistores NPN por transistores PNP 2N3906 y realice los puntos 3.3 y 3.4

Figura 4 Lógica Discreta con BJT circuito 2

3.5 Realice el montaje del circuito en simulación que se muestra en la Figura 4

3.6 ¿Qué pruebas haría para identificar que compuerta representa el circuito?
3.7 Realice una tabla de verdad representando todos los estados y las combinaciones posibles
que se pueden tener a la entrada y el valor que representan en la salida para la función del punto
anterior.
3.8 ¿Qué ocurre si varia las resistencias R1 y R2? ¿Cambie la función lógica? Explique
3.9 Cambie los transistores NPN por transistores PNP 2N3906 y realice los puntos 3.7 y 3.8
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4. Polarización por divisor de voltaje

Figura 5 Circuito de Polarización con divisor de voltaje

4.1 Realice el montaje del circuito en simulación que se muestra en la Figura 5
4.2 ¿Qué ocurre con 𝑉𝐺 al cambiar R2 y R3? Explique los posibles casos que puede obtener al
variar las resistencias y el voltaje que llega al gate del MOSFET
4.3 Realice un análisis de barrido DC donde varié VCC entre 0 V y 5 V y un barrido en
temperatura como se muestra en la figura 6, donde pueda observar 𝐼𝐷 𝑉𝑆 𝑉𝐶𝐶

Figura 6 Parámetros de barrido en temperatura

4.4 Investigue que otros circuitos de polarización existen (Mínimo 2). Explique cada uno y
compárelos
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ETAPA 3

5. Diseño: Lógica Discreta con BJT

5.1 Diseñe e implemente en simulación un circuito basado en transistores BJT que representa la
función F= (𝐴+C) OR 𝐴𝐵𝐶̅̅̅̅̅̅
5.2 Realice una tabla de verdad representando todos los estados y las combinaciones posibles que
se pueden tener a la entrada y el valor que representan en la salida para la función del punto
anterior.

6. Diseño: Lógica Discreta con MOSFET

6.1 Diseñe e implemente en simulación un circuito basado en transistores MOSFET canal N que
representa la función F= AB
6.2 Realice una tabla de verdad representando todos los estados y las combinaciones posibles que
se pueden tener a la entrada y el valor que representan en la salida para la función del punto
anterior.

7. Diseño: Fuente

Figura 7 Diagrama de bloques de una fuente lineal [8]

7.1 En la figura 7 se presenta el diagrama de bloques de una fuente lineal, como ingeniero/ra le
solicitan diseñar una fuente de 5 V DC, 500 mA y un rizado inferior al 5%, teniendo en cuenta
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solamente las etapas de rectificación, filtrado y regulación, para una carga de 10 Ω y una entrada
sinusoidal 20 Vp y 60 Hz, realice el diseño e implemente en simulación el circuito para la fuente lineal.
7.2 ¿Qué tipo de pruebas realizaría para comprobar el buen funcionamiento de su fuente?
Realícelas en simulación y explíquelas
7.3 ¿Cómo podría disminuir el rizado de la señal de salida? Explique al menos 2 maneras y
muéstrelo en simulación
7.4 En el diseño se deben especificar los parámetros del circuito como potencia máxima
consumida, potencia de salida, especificar cada una de las etapas de la fuente

Informe, observaciones y análisis de resultados.

• El informe se debe realizar de acuerdo a los lineamientos presentados en el programa del
laboratorio, dando respuesta a todas las preguntas formuladas en la guía de la práctica. Adjunte
imágenes, gráficos y tablas que evidencien el proceso, los cálculos, resultados y las conclusiones
obtenidas.
• Debe ser entregado en las fechas estipuladas.
• Cada Imagen, gráfico y tabla debe estar numerada, con una etiqueta y una breve descripción.
• Deben responder cada pregunta soportado con medidas, datos, gráficos, pantallazos,
información tanto de la simulación como de su propia argumentación, material del curso e
investigación de cada tema.

Nota: Los resultados y desarrollo de la práctica deben entregarse al finalizar el laboratorio.

Bibliografía recomendada

[1] D. Neamen. Microelectronics Circuit Analysis and Design, 4th edition 2009. McGraw Hill.
[2] R. Jaeger, T. Blalock. Microelectronic circuit design, 4th edition 2010.
[3] Sedra Smith. Microelectronic Circuits, 5th edition 2004.
[4] A. Sadiku, Fundamentals of Electric Circuits, 3rd Ed., 2006. McGraw Hill.
[5] Página Web: http://www.alldatasheet.com
[6] Formato IEEE para realizar reportes de laboratorio, Disponible en el aplicativo Sicuaplus del curso.
[7] Página Web: https://www.ecured.cu/Transistor
[8] Página Web: http://bibing.us.es/proyectos/abreproy/12231/fichero/01-CAPITULO1.pdf

CRITERIOS DE EVALUACIÓN (SI APLICA)

En el laboratorio
Criterio % nota de
Criterio Descripción
no. la práctica
Incluida su participación activa, comportamiento y actitud
trabajo en frente al desarrollo de las actividades de la guía,
1. 20%
clase aprovechamiento eficiente del tiempo para desarrollo de la
práctica.
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En el informe
Criterio % nota de
Criterio Descripción
No. la práctica
Entrega del informe con los requerimientos especificados en la
2. Informe presentación “TipsparainformeIEEE” disponible en el curso en 80%
la plataforma Sicuaplus