ELECTRONICA I

Universidad Pedagógica y Tecnológica de Colombia Seccional Duitama

Ingeniería Electromecánica – Electrónica I
2020
 OBJETIVOS

Electrónica I
ANALIZAR LOS DESCRIBIR LAS DESCRIBIR LAS ENTENDER EL
AISLANTES, PROPIEDADES DE PROPIEDADES UN IMPACTO DE UN
CONDUCTORES, SEMICONDUCTORES DIODO Y EL CIRCUITO
SEMICONDUCTORES TIPO P Y TIPO N Y COMPORTAMIENTO EQUIVALENTE IDEAL
Y LA ESTRUCTURA CÓMO SE PRODUCE DE SU UNIÓN PN. O PRÁCTICO.
BÁSICA DE SUS LA CORRIENTE EN UN
ÁTOMOS. SEMICONDUCTOR .
1. FÍSICA DE ESTADO
SÓLIDO
Materiales semiconductores (Ge, Si y GaAs)

Enlace covalente y materiales intrínsecos.

Niveles de energía.

Materiales extrínsecos: tipo p y tipo n.

Conocer generalidades de materiales
semiconductores.
Entender conducción según teoría de
electrones y huecos.
Describir diferencias entre tipo n y tipo p.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Átomo

• Átomo: “partícula más pequeña

de un elemento que retiene las
características de éste.” “es
decir presenta una estructura
atómica única”.
• Modelo de Bohr - Tipo
planetario.
• El núcleo – protones –
neutrones.
• Alrededor – electrones.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO

• Materia → Átomos
• Estructura, orbitas y capas.
• Átomos →protones, electrones
y neutrones.
• Electrones de valencia, iones y
materiales semiconductores (Si y
Ge).
“La configuración de ciertos
electrones en un átomo es el
factor clave para determinar
cómo un material dado conduce
corriente eléctrica.”.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO

• Número atómico – protones en

el núcleo.
• Capas y órbitas de los
electrones
• Cerca del núcleo – menos energía.
• Niveles de energía – distancia
discreta – orbita. “las orbitas se
agrupan en bandas de energía
conocidas como capas”.
• Niveles dentro de la capa – poca
diferencia de energía, con
respecto a diferencia entre capas.
• Ne, numero máximo de
electrones. Ne=2n2, donde n es el
numero de la capa.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO

• Electrones de valencia:
describen orbitas alejadas y
están débilmente enlazados al
átomo y están en la capa de
valencia. Contribuyen a las
reacciones químicas, al enlace
dentro de un material,
determinan sus propiedades
eléctricas.
• Ionización: Perder o ganar un
electrón.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO

• Electrones de valencia:
describen orbitas alejadas y
están débilmente enlazados al
átomo y están en la capa de
valencia. Contribuyen a las
reacciones químicas, al enlace
dentro de un material,
determinan sus propiedades
eléctricas.
• Ionización: Perder o ganar un
electrón.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Aislantes, conductores y semiconductores.

En función se sus propiedades

eléctricas:
• Conductores
• Semiconductores
• Aislantes
Átomos combinados – sólido
cristalino – configuración
simétrica (Si).
Enlace covalente – electrones de
valencia.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Aislantes, conductores y semiconductores.
Conductores
• Metales (oro, cobre, plata,
aluminio, etc).
• Un solo electrón de valencia
(libres).
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Aislantes, conductores y semiconductores.

Aislantes
• Hule, plástico, vidrio, mica y
cuarzo.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Aislantes, conductores y semiconductores.

Semiconductores
• Estado puro ni conduce ni aísla
bien.
TAREA:
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Estructura de semiconductores Ge, Si y GaAS.
• Clase especial de elementos.
• Estado puro ni conduce ni aísla
bien.
• Conductividad entre buen
conductor y aislante.
Clases:
• Un solo cristal: Ge y Si.
• Compuesto: GaAs, CdS y GaN.
• 1939, Diodo Ge.
• 1949, transisitor.
• Ge, fácil y abundante, sensible a
cambios de temperatura.
• 1954, transistor Si.
• 1970, trasistor GaAs, 5 veces
mas veloz, circuitos integrados a
gran escala (VLSI - very large
scale integration circuit).
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Estructura de semiconductores Ge, Si y GaAS.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Estructura de semiconductores Ge, Si y GaAS.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Estructura de semiconductores Ge, Si y GaAS.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Teoría de niveles y bandas de energía de ...
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Teoría de niveles y bandas de energía de ...
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Semiconductores dopados n y p.
En estado intrínseco no conducen bien.
Número limitado de e- libres en la banda de conducción.
Número limitado de huecos en la banda de valencia.
El silicio o germanio intrínseco modificado incrementa el número de
electrones libres o huecos.
Aumenta conductividad, útil en dispositivos electrónicos.
Impurezas al material intrínseco.
Dos tipos de materiales semiconductores extrínsecos (impuros).
Tipo n y tipo p: bloques fundamentales en la mayoría de dispositivos
electrónicos.
“La conductividad del silicio y el germanio se incrementa drásticamente
mediante la adición controlada de impurezas al material
semiconductor intrínseco (puro).”
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Semiconductores dopados n.

• Impureza pentavalente.
• Átomos donadores.
• Electrones: portadores
mayoritarios.
• Huecos: portadores
minoritarios.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Semiconductores dopados n.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Semiconductores dopados p.

• Impureza trivalente.
• Átomos aceptores.
• Huecos: portadores
mayoritarios.
• Electrones: portadores
minoritarios.
• El vacío resultante (hueco).
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Conducción intrínseca y extrínseca.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Conducción intrínseca y extrínseca.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Conducción intrínseca y extrínseca.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Conducción intrínseca y extrínseca.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Técnicas de dopado “durante
eñ crecimiento”.
• Para dopar regiones extensas de silicio de forma
homogénea (obleas enteras)
• Es el mismo sistema utilizado para el crecimiento
de silicio intrínseco: horno Czochralski
Descripción del proceso:
• Se añaden pequeñas cantidades del dopante a la
carga fundida, que se incorporarán
progresivamente al lingote durante el
crecimiento.
• Problema: la segregación. Los dopantes no se
incorporan homogéneamente desde la fase
líquida a la fase sólida.
1. FÍSICA DE ESTADO SÓLIDO
Técnicas dopado de “difusión”.
• La difusión es uno de los métodos más importantes usados para
formar uniones pn.
• Se utiliza para fabricar diodos, transistores bipolares y circuitos
integrados.
• En combinación con la litografía, permite definir regiones de dopado
muy precisas.
• El dopante puede ser: sólido/líquido/gas.
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR

Un bloque de silicio dopado, una parte de él con una

impureza trivalente y la otra con una impureza pentavalente,
se una unión pn entre las partes tipo p y tipo n resultantes
creando un diodo básico.

Diodo: dispositivo que conduce corriente en una dirección.

La unión pn es la característica que permite funcionar a

diodos, ciertos transistores y otros dispositivos.
 2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
La juntura P-N
P: muchos huecos (portadores mayoritarios)
por lo átomos de impureza y unos cuantos
electrones libres térmicamente generados
(portadores minoritarios).
n: muchos electrones libres
(portadores mayoritarios) por
los átomos de impureza y unos
huecos térmicamente
generados (portadores
minoritarios).
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
La juntura P-N
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR

• Un material tipo n a un material tipo p.

• Simplicidad básica de su construcción refuerza la importancia del
desarrollo de esta área de estado sólido.
• Se conectan cables conductores a los extremos de cada material, se
produce un dispositivo de dos terminales.
• Se dispone entonces de tres opciones:
• sin polarización
• polarización en directa
• Y polarización en inversa.
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Sin polarización aplicada (VD = 0V)
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Sin polarización aplicada (VD < 0V)
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Sin polarización aplicada (VD > 0V)
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V - I
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V - I
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V - I
VT: Voltaje Térmico:
• K: Cte. Boltzman = 1,38x10-23 J/K
• T: Temperatura absoluta en
gados Kelvin = 273 +
temperatura en °C.
• q:magnitud de la carga del
electrón = 1,6x10-19 C.
Ecuación de Shockley:
• IS: corriente de saturación en
inversa.
• VD: voltaje de polarización en
directa a través del diodo.
• n: factor de idealidad, entre 1 y
2 (n=1, a menos que se indique
de otra manera).
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V - I
Ej: A una temperatura de 27°C, determine el voltaje térmico VT.
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V - I
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V - I
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V - I
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V - I
Como utilizar las curvas:
• Determine el voltaje a través de cada diodo con una corriente de 1
mA.
• Repita con una corriente de 4 mA.
• Repita con una corriente de 30 mA.
• Determine el valor promedio del voltaje en el diodo para el intervalo
de corrientes antes dadas.
• ¿Cómo se comparan los valores promedio con los voltajes de rodilla
que aparecen en la tabla?
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V – I / Efectos de la °T
2. EL DIODO SEMICONDUCTOR
Características V - I