Unidad 3.

Semiconductores y teoría de diodos DTE - UPCT

3.1. Conceptos básicos sobre semiconductores

¾ Estructura interna de los dispositivos electrónicos

¾ La mayoría de los sistemas electrónicos se basan en dispositivos semiconductores
¾ Resistencia: R=ρL/S
¾ Materiales sólidos:
ƒ Conductores: 10-4 < ρ Ωmm2/m
• Tienen una nube de electrones libres (electrones de valencia)
ƒ Aislantes: ρ > 104 Ωmm2/m
• Electrones de vvalencia ligados firmemente al núcleo de los átomos
ƒ Semiconductores: 10-4 < ρ < 104 Ωmm2/m
• A muy bajas temperaturas aislante. A temperaturas normales = conductor pobre
¾ En electrónica sólo importa el orbital exterior: orbital de valencia

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3.1. Conceptos básicos sobre semiconductores

¾ Mejores conductores (Ag, Cu, Au): 1 electrón de valencia

¾ Mejores aislantes: 8 electrones de valencia
¾ Mejores semiconductores: 4 electrones de valencia
¾ Germanio (Ge), Silicio (Si), Arseniuro de Galio
¾ Enlace covalente. Cristales de silicio
¾ Los átomos de un cristal vibran a temperaturas mayores al 0 absoluto
¾ A más altas temperaturas aparecen electrones y huecos
¾ Recombinación: Electrón y hueco se unen
¾ Tiempo de vida: Entre creación y desaparición de un electrón libre

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3.1. Conceptos básicos sobre semiconductores

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3.1. Conceptos básicos sobre semiconductores

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3.1. Conceptos básicos sobre semiconductores

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3.1. Conceptos básicos sobre semiconductores

¾ Semiconductor intrínseco: Semiconductor puro

¾ Dos tipos de flujo:
ƒ Flujo de electrones
ƒ Flujo de huecos

+ -
+ -
+ -
+ -

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3.1. Conceptos básicos sobre semiconductores

¾ Dopado o Dopaje: Añadir deliberadamente átomos de impurezas

a un cristal intrínseco para modificar su conductividad eléctrica
¾ Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrínseco
¾ Hay dos tipos de semiconductores extrínsecos:

ƒ Tipo n: se le añaden impurezas donadoras (electrones), p.ejem., P(5

e- valencia) al Si
• Los electrones (portadores mayoritarios) superan a los huecos
(portadores minoritarios)
• Todos los átomos de aceptador ionizados (-)
ƒ Tipo p: se le añaden impurezas receptoras (huecos), p.ejm., B (3e-
valencia) al Si
• Los huecos (mayoritarios) superan a los electrones (minoritarios)
• Todos los átomos de donador ionizados (+)

¾ Conductividad extrínseca: Estos semiconductores dopados

presentan algo más de conductividad

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3.1. Conceptos básicos sobre semiconductores

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3.1. Conceptos básicos sobre semiconductores

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3.2. La unión pn. Polarización directa e inversa

¾ Por sí mismo un semiconductor tipo n tiene la misma utilidad que una resistencia de
carbón.
¾ Pero ocurre algo distingo cuando se dopa un cristal mitad n y mitad p
¾ Representación:
ƒ Signo + con círculo: átomo pentavalente
ƒ Signo - electrón con el que contribuye

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3.2. La unión pn. Polarización directa e inversa

¾ Zona de deplexión y barrera de potencial

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3.2. La unión pn. Polarización directa e inversa

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3.2. La unión pn. Polarización directa e inversa

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3.2. La unión pn. Polarización directa e inversa

¾ Polarización directa
ƒ Flujo de electrones libres

¾ Polarización inversa
ƒ Ensanchamiento de la zona de deplexión
ƒ Corriente de portadores minoritarios. La producción térmica de electrones libres y
huecos en la zona de deplexión produce una corriente inversa de saturación minoritaria
ƒ Corriente superficial de fugas. Producida por impurezas en la superficie del cristal e
imperfecciones en su estructura interna

¾ Ruptura
ƒ Si se aumenta la tensión inversa se producirá la ruptura del diodo (aprox. 50 V)
ƒ Efecto avalancha. Los minoritarios chocan y hacen saltar electrones de valencia

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3.3. Características del diodo de unión

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3.3.1. Símbolo, curvas y modelos equivalentes

¾ Tipos básicos de diodos semiconductores:

ƒ Diodos rectificadores
• Rectificación de CA/CC
ƒ Diodos de tratamiento de señal (RF)
• Etapas moduladoras, demoduladoras, mezcla y limitación de señales
ƒ Diodos de capacidad variable (varicap)
• Sintonización de equipos de emisión/recepción
ƒ Diodos Zener
• Fuentes de alimentación, reguladores, limitadores y recortadores de tensión
ƒ Fotodiodos
• Sensores, comunicaciones, aislamiento de señal
ƒ Diodos luminiscentes (LED)
• Señalización, comunicaciones infrarrojas
ƒ Diodos de potencia
• Rectificación y tratamiento de señales eléctricas

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3.3.1. Símbolo, curvas y modelos equivalentes

¾ Circuito básico de diodo

I= corriente por la unión

e= carga electrónica
K=Cte de Boltzmann
T= temperatura absoluta
n= 1 para Ge y 1.3 para Si

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3.3.1. Símbolo, curvas y modelos equivalentes

¾ Tensión Umbral Vk

¾ Varía según semiconductor

ƒ Ge= 0.3 V
ƒ Si = 0.7 V
ƒ Schotky= 0.2 V
ƒ Leds = 1.2 - 1.9 V

¾ Resistencia interna. Función del nivel de dopado y del tamaño de las zonas p y n.
ƒ Suele ser menor de 1 Ω
¾ Máxima corriente continua. Según fabricante (unos 135 mA)
¾ Disipación de potencia. PD = VDID

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3.3.2 Cálculo gráfico del punto de

funcionamiento

¾ Ejemplos sencillos
¾ Detección de averías
¾ Cálculo mediante recta de carga

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3.4. Cómo leer una hoja de características

¾ En cualquier hoja de características proporcionada por un fabricante DATABOOK

aparecerán estos apartados:
ƒ Características generales (Features)
ƒ Máximos absolutos (Absolute Maximum Ratings)
ƒ Especificaciones eléctricas (Electrical Specifications)
ƒ Curvas características (Typical Performance Curves)
¾ Por ejemplo, para un diodo nos encontramos, entre otros:
ƒ Voltaje máximo repetitivo inverso (Maximum Peak Repetitive Reverse Voltage)
ƒ Voltaje eficaz máximo de alimentación (Maximum RMS Input supply voltage)
ƒ Corriente máxima directa media (Maximum Average Forward Current)
ƒ Corriente máxima de pico no repetitiva (Maximum Peak Surge Forward Current)

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3.4. ¿Cómo leer una hoja de características?

¾ Buena parte de esa información se utiliza sólo en diseños avanzados de circuitos

¾ La información explicada en este tema se puede encontrar en los parámetros
ƒ Tensión inversa de ruptura (Peak repetitive reverse voltage)
ƒ Corriente máxima de polarización directa (Average rectified current)
ƒ Caída de tensión en polarización directa (Maximum forward voltage)
ƒ Corriente inversa máxima (Maximum reverse current)

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3.5. Diodos Zéner

Diodo Zener

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3.5. Diodos Zéner

I total = I zener + I load

Rizado = 0
Fuente
Fuente de
de tensión
tensión continua
continua regulada
regulada con
con Zener
Zener
Pero menor rendimiento

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3.5. Diodos Zéner

Hoja de características

Tensión zener e
impedancia zener.

Corriente zener de test.

Impedancia zener y
corriente zener en la zona del codo.

Tensión y corriente
zener en la zona inversa.
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Sobrecorriente máxima.
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3.6. Otros tipos de diodos

¾ La rectificación y estabilización de tenisón no es la única aplicación de los

diodos
¾ Otras aplicaciones:
ƒ Indicadores, señalizadores (diodos LED)
ƒ Aislamiento de señales de entrada (optoacopladores)
ƒ Comunicaciones por fibra óptica

¾ Diodos optoelectrónicos
¾ Diodos Schottky
¾ Varicap

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3.6. Otros tipos de diodos

¾ Dispositivos optoelectrónicos
ƒ LEDs
ƒ Fotodiodos
ƒ Optoacopladores
ƒ Diodos láser ( reproductores CD e
impresoras láser)

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