UNIVERSIDAD CATOLICA DE SANTA MARIA

FACULTAD DE CIENCIAS E INGENIERÍAS FISICAS Y

FORMALES
PROGRAMA PROFESIONAL INGENIERÍA MECÁNICA,
MECÁNICA- Jefe de Prácticas:
ELÉCTRICA Y MECATRÓNICA Ing.
LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRÓNICOS I
Código: 2016246701
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO
Semest
re
Grupo: 0 FECH
A:
2
Apellidos y Nombres: Lab. 0 8/07/20
Nº: 1
 LABORATORIO DE CIRCUITOS Página:
5/7
ELECTRÓNICOS I
LAB N° 01 Lab. CE1
CARACTERÍSTICAS DEL DIODO
JP: Ing. Christiam G. Collado
Oporto

PARTE 2: Características del diodo en polarización directa

 Construya el circuito de la figura y registre el valor medido del resistor.

Rmedido =

 Incremente el voltaje de la fuente hasta que VR=0,1V

Mida el VD y calcule ID. Anote en la tabla 3, 4 y 5 según el tipo de diodo.
Obtener datos suficientes para dibujar las curvas características del diodo de silicio y germanio.

DIODO (Si)

VR (V) 0 0.21 0 0 0 0 0 0.71 0 0.82 0 0

, 0.51, 0.53, 0.54, 0.55, 0.56, 0.57, 0.57, 0.58,
1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)
2.2 3.02 4.08 5.04 6.16 7.37 8.47 9.14

VR (V) 0.581 0.612 0.633 0.654 0.665 0.676 0.677 0.688 0.689
VD (V)
Tabla 3.

DIODO (Ge)
VR (V) 0.17 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0.58, 0.58, 0.60 , 0.61 , 0.62 , 0.63 , 0.64 , 0.64 , ,
1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V)
ID = VR/ RMed (mA)

VR (V) 1 2 3 4 5 6 7 8 9
VD (V)
Tabla 4.
Diodo de silicio 1N4007
 VR 0.82 VD 0.57

 VR 2.02 VD 0.61

 VR 8.47 VD 0.68
  VR 9.14 VD 0.68

Diodo 1N4148

 VR 0.17 VD 0.58