UNIVERSIDAD TÉCNICA DE AMBATO

FACULTAD EN INGENÍERÍA EN SISTEMAS ELECTRÓNICA

E INDUSTRIAL

CARRERA EN INGERNÍA ELECTRÓNICA

Y COMUNICACIONES

COMUNICACIÓN ÓPTICA

“DETECTORES ÓPTICOS”

OCTAVO “A”

INTEGRANTES:
 ACOSTA CHRISTIAN
 VILLAVICENCIO PABLO

DOCENTE: PhD. CARLOS GORDÓN

AMBATO – ECUADOR 2020

OBJETIVO GENERAL
 Determinar los aspectos importantes acerca de los
detectores ópticos en las comunicaciones.
OBJETIVOS ESPECÍFICOS
 Investigar acerca de los criterios importantes de los
detectores ópticos.
 Analizar las ecuaciones que están asociadas.
 Realizar ejercicios de aplicación.
El papel principal de los detectores ópticos es convertir señales
ópticas en eléctricas para poder recuperar los datos transmitidos a
través de un sistema óptico. Los requerimientos de un detector óptico
son alta sensibilidad, respuesta rápida, bajo ruido, bajo costo y alta
confiabilidad. En este capítulo se realizará una revisión en los
detectores ópticos fabricados con materiales semiconductores.
1. Alta sensibilidad en las operaciones de longitud de
onda

2. Alta fidelidad

3. Gran respuesta eléctrica a la señal óptica

recibida
4. Tiempo de respuesta corto para obtener un
ancho de banda adecuado

5. Un ruido mínimo introducido por el detector

6. Bajo costo

7. Tamaño pequeño
Para detectar la radiación óptica en la región infrarroja cercana del
espectro, se pueden utilizar fotoemisiones de electrones tanto
externas como internas. Los dispositivos externos de fotoemisión
tipificados por tubos fotomultiplicadores y fotodiodos de vacío
cumplen algunos de los criterios de rendimiento, pero son
demasiado voluminosos y requieren altos voltajes para su
funcionamiento. Sin embargo, los dispositivos internos de
fotoemisión, especialmente los fotodiodos de semiconductores con o
sin ganancia interna, proporcionan un buen rendimiento y
compatibilidad con un costo relativamente bajo.
Operación del fotodiodo p - n:
(a) fotogeneración de un par
electrón-agujero en un
semiconductor intrínseco.
(b) la estructura de la unión p - n
con polarización inversa que
ilustra la deriva del portador en
la región de agotamiento.
(c) el diagrama de banda de
energía de la unión p- n con
polarización inversa que
muestra la fotogeneración y la
separación posterior de un par
electrón-agujero.
r Ip α0 Po
fotocorriente coeficiente
coeficiente producida de
de reflexión potencia
por la luz absorción óptica
de Fresnel incidente de la luz

P𝑜 e(1 − rሻ
I𝑝 = [1 − ex p( − α0 ሻ቉
ℎ𝑓
Curvas de absorción
óptica para algunos
materiales de fotodiodos
semiconductores comunes
(silicio, germanio,
arseniuro de galio,
arseniuro de indio y galio
y fosfuro de arseniuro de
indio y galio).
 Indirecto Directo
Si 1.14 4.10
Ge 0,67 0,81
GaAs - 1,43
InAs - 0,35
InP - 1,35
GaSb - 0,73
𝑰𝒏𝟎.𝟓𝟑 𝑮𝒂𝟎.𝟒𝟕 𝑨𝒔 - 0,75
𝑰𝒏𝟎.𝟏𝟒 𝑮𝒂𝟎.𝟖𝟔 𝑨𝒔 - 1,15
Las aleaciones ternarias como InGaAs y GaAlSb depositadas en
sustratos de InP y GaSb, respectivamente, se han utilizado para
fabricar fotodiodos para la banda de longitud de onda más larga.
En particular, la aleación In0.53 𝐺𝑎0.47 como red reticulada con InP,
que responde a longitudes de onda de hasta alrededor de 1.7 μ m, se
ha utilizado ampliamente en la fabricación de fotodiodos para operar
en 1.3 y 1.55 μ m.
La eficiencia cuántica η se define como la fracción de fotones
incidentes que son absorbidos por el fotodetector y generan
electrones que se recogen en los terminales del detector:

𝑛ú𝑚𝑒𝑟𝑜 𝑑𝑒 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑟𝑒𝑐𝑜𝑔𝑖𝑑𝑜𝑠 𝑟𝑒

𝑛=
𝑐𝑎𝑛𝑡𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑓𝑜𝑡𝑜𝑛𝑒𝑠 𝑖𝑛𝑐𝑖𝑑𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠 n=
𝑟𝑝
 e = 1.6 ∗ 10−19 carga del electrón

c = 3 ∗ 108 m/s velocidad de la luz

Capacidad de 𝜂𝑒𝜆
𝑅=
respuesta ℎ𝑐
𝑟𝑒 número de electrones recogidos
𝑟𝑒
Eficiencia n= 𝑟𝑝 cantidad de fotones incidentes
cuántica 𝑟𝑝

𝐼𝑝 Fotocorriente de salida media

Potencia 𝐼𝑝
𝑅=
óptica 𝑃𝑜
h = 1.6 ∗ 10−19 constante de Planck
Cuando se considera el proceso de absorción intrínseca, es esencial
que la energía de los fotones incidentes sea mayor o igual que la
energía de banda prohibida Eg del material utilizado para fabricar el
fotodetector

ℎ𝑐
𝜆𝑐 ≤
𝐸𝑔
Permite el cálculo de la longitud de onda de ingestión de la luz para dar una
fotodetección para los diversos materiales semiconductores utilizados en la
fabricación de detectores.
Los fotodiodos de semiconductores sin ganancia
interna generan un solo par de electrones por fotón
absorbido
La región de agotamiento está formada por átomos aceptores inmóviles cargados
positivamente en el material de tipo p, cuando los portadores móviles son barridos a sus
lados mayoritarios bajo la influencia del campo eléctrico
Permite la operación a longitudes de onda más largas donde la luz penetra más
profundamente en el material semiconductor, es necesaria una región de agotamiento más
amplia. Para lograr esto, el material de tipo n se dopa tan ligeramente que puede considerarse
intrínseco, y para hacer un contacto de baja resistencia se agrega una capa de tipo n
altamente dopada (n +).
• Tiempo de deriva de los transportistas a través de la región de agotamiento
𝑤
𝑡𝑑𝑟𝑖𝑓𝑡 =
𝑣𝑑
• Tiempo de difusión de portadores generados fuera de la región de
agotamiento
𝑑2
𝑡𝑑𝑟𝑖𝑓𝑡 = 2𝐷𝑐

• Constante de tiempo incurrida por la capacitancia del fotodiodo con su

carga
𝜀𝑠 𝐴
𝐶𝑗 = 𝑊
El segundo tipo principal de detector de comunicaciones ópticas es el fotodiodo de avalancha
(APD). Tiene una estructura más sofisticada que el fotodiodo p – i – n para crear una región de
campo eléctrico extremadamente alta (aproximadamente 3 × 105 V cm − 1
Es activado por la incidencia de la luz en la región de base generando portadores en ella, el
mismo tiene una ventana que permite la entra de luz.
Son detectores fotoconductores o fotoconductores que proporcionan lo que conceptualmente es la
forma más simple de detección óptica de semiconductores y que hasta hace poco no se consideraba un
competidor serio para la fotodetección dentro de las comunicaciones de fibra óptica.