Instituto Politécnico de Worcester

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Abril de 2012

Inversor DC-AC con PWM de 3 niveles

Oliver S. Rich
Instituto Politécnico de Worcester

WilliamH. Chapman
Instituto Politécnico de Worcester

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Cita del repositorio

Rich, OS y Chapman, WH (2012). Inversor DC-AC con PWM de 3 niveles. Obtenido de https://digitalcommons.wpi.edu/mqp-all/ 3649

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Inversor CC / CA PWM de tres niveles con
Microcontrolador

Oliver Rich

William Chapman

Términos MQP ABC 2011-2012 Asesor:

Profesor Stephen J. Bitar

Patrocinador: NECAMSID
Resumen

Este proyecto propone un diseño de inversor CC a CA único para convertir CC de alto voltaje en

Onda sinusoidal pura 120VAC, potencia 60Hz. Se eligió un diseño de microcontrolador para implementar un 3

técnica de modulación de ancho de pulso de nivel para una mayor eficiencia. Componentes estándar de alto voltaje

fueron elegidos para controladores MOSFET y H-bridge capaces de manejar un máximo de 1000 Watts.

Las pruebas iniciales muestran que la técnica es viable.

Tabla de contenido

Resumen ................................................. .................................................. ........................................ 2

Tabla de contenido............................................... .................................................. ............................ yo

Tabla de Figuras ............................................... .................................................. ............................ iii

Introducción................................................. .................................................. .................................. 1

Planteamiento del problema ................................................ .................................................. ........................ 2

Antecedentes ................................................. .................................................. .................................. 3

Corriente continua versus corriente alterna .............................................. ................................................ 3

Inversores ................................................. .................................................. .................................... 4

Onda sinusoidal modificada ............................................... .................................................. .............. 5

Modulación de ancho de pulso ............................................... .................................................. ........ 5

Puente en H ............................................... .................................................. ..................................... 6

Controlador MOSFET ................................................ .................................................. ........................ 7

Microcontrolador ................................................. .................................................. ......................... 8

Metodología................................................. .................................................. .............................. 10

Diagrama de bloques ................................................ .................................................. ........................ 10

Generación de formas de onda del microcontrolador ............................................... ...................................... 11

Entrada de controladores MOSFET ............................................... .................................................. ............ 12

Controladores MOSFET ................................................ .................................................. .................... 12

Filtro de salida ................................................ .................................................. ............................ 15

yo
Implementación ................................................. .................................................. .......................... dieciséis

Proceso de diseño ................................................ .................................................. ........................ 17

Resultados ................................................. .................................................. ........................................ 19

Recomendaciones ................................................. .................................................. ...................... 22

Conclusión ................................................. .................................................. ................................. 23

Bibliografía ................................................. .................................................. .............................. 24

Apéndices ................................................. .................................................. ................................. 25

Apéndice A: Diagrama de circuito ............................................. .................................................. .... 25

Apéndice B: Código para microcontrolador ............................................ .......................................... 26

Apéndice C: Lista de piezas ............................................. .................................................. ............... 28

ii
Tabla de Figuras

Figura 1: Onda sinusoidal modificada ............................................ .................................................. .......... 5

Figura 2: Señal PWM de 2 niveles (control analógico) ....................................... ..................................... 6

Figura 3: Diagrama de componentes básicos ............................................ ............................................... 10

Figura 4: Salida inicial del MSP430 ............................................ .................................................. .... 11

Figura 5: Entrada de controladores MOSFET ............................................ .................................................. ... 12

Figura 6: Configuración H-Bridge ........................................... .................................................. ... 13

Figura 7: Circuito del controlador MOSFET ............................................ .................................................. ... 13

Figura 8: Filtro LC básico ............................................ .................................................. ................ 15

Figura 9: Diagrama de bloques general ............................................ .................................................. ... dieciséis

Figura 10: Diseño de circuito de prueba inicial ........................................... ............................................ 17

Figura 11: PWM simulado de 3 niveles .......................................... .................................................. 17

Figura 12: Salida inicial del MSP430 ............................................ .................................................. .. 18

Figura 13: Diagrama de circuito final ............................................ .................................................. .... 19

Figura 14: Salida filtrada ............................................. .................................................. ............. 20

Figura 15: Salida filtrada con carga ........................................... ................................................ 20

Figura 16: Salidas de alto voltaje sin filtrar ........................................... ..................................... 21

iii
Introducción

El enfoque de este informe es el diseño y las pruebas de prototipos de un inversor de CC a CA

que transforma eficientemente una fuente de voltaje de CC en una fuente de CA de alto voltaje similar a la

energía entregada a través de una toma de corriente (120 V rms, 60Hz) con una potencia nominal de

aproximadamente 1000W. Los dispositivos electrónicos funcionan con alimentación de CA, sin embargo, las baterías y algunas formas

de generación de energía producen un voltaje de CC, por lo que es necesario convertir el voltaje en una fuente

que pueden usar los dispositivos.

Una fuente de CC de bajo voltaje se invierte en una fuente de CA de alto voltaje en un proceso de dos pasos.

Primero, el voltaje de CC se incrementa utilizando un convertidor elevador a un voltaje mucho más alto. Esta alto

La fuente de voltaje de CC se transforma luego en una señal de CA utilizando modulación de ancho de pulso. Otro

El método implica primero transformar la fuente de CC en CA a niveles de voltaje bajo y luego

subir la señal de CA mediante un transformador. Sin embargo, un transformador es menos eficiente y se suma a la

tamaño total y costo de un sistema.

Este proyecto se basa en el trabajo de un grupo anterior al que se le asignó la tarea similar de

diseñar un inversor de CC a CA. El grupo anterior adoptó un enfoque exclusivamente analógico en el

implementación de su sistema. Si bien esto tiene algunas ventajas, limita la flexibilidad

del sistema en el sentido de que solo se puede utilizar para un propósito específico y si se necesita un cambio de diseño,

el proceso es difícil y potencialmente laborioso. En este informe, detallamos cómo el inversor

Los controles se implementaron con un enfoque digital utilizando un microprocesador para el sistema de control.

y cuán efectivo y eficiente puede ser un inversor PWM de 3 niveles.

1
Planteamiento del problema

Desafortunadamente, muchos lugares de África carecen de una red eléctrica confiable. Este es un gran problema

por muchas razones, especialmente en el campo médico, donde la energía confiable es esencial para los médicos

que necesitan poder ver y monitorear a sus pacientes durante las operaciones. Una empresa llamada

Waste2Watts está intentando aliviar este problema proporcionando un dispositivo de bajo costo que sirve como

una fuente de alimentación de respaldo cuando falla la red. Si bien ya hay muchos sistemas en el mercado

que hacen esto, Waste2Watts quiere proporcionar un dispositivo que se pueda fabricar de forma económica con

piezas disponibles de componentes de computadoras desechados y baterías de automóviles.

Una pieza importante de la fuente de alimentación de respaldo es el inversor de CC a CA que convierte el

Voltaje CC de una batería a un voltaje CA que es necesario para operar componentes electrónicos,

en este caso equipo médico. Debido a la naturaleza delicada de este equipo, un inversor que

capaz de producir una onda sinusoidal pura es necesario para evitar el ruido y el desgaste en delicados y

equipo caro. Muchos de estos dispositivos son muy caros, por lo que el objetivo de este proyecto es

Diseñe un inversor CC / CA capaz de producir una onda sinusoidal pura para su uso con equipos médicos.

2
Antecedentes

Antes de entrar en los detalles de nuestra implementación, es importante revisar algunos de

los principios básicos y componentes que usaremos.

Corriente continua versus corriente alterna

En el mundo de hoy, existen actualmente dos formas de transmisión eléctrica, corriente continua

(CC) y sistemas de corriente alterna (CA), cada uno con sus propias ventajas y desventajas.

La potencia de CC es simplemente la aplicación de un voltaje constante a través de una carga que resulta en una constante

Actual. Una batería es la fuente de energía más común para CC junto con varias formas de energía

Generacion. Esto se usa ampliamente en circuitos digitales, ya que proporciona valores altos y bajos constantes.

que representan los bits básicos 1 y 0 utilizados por las computadoras.

Thomas Edison, inventor de la bombilla, fue el primero en transmitir electricidad.

comercialmente utilizando líneas de alimentación de CC. No era capaz de transmitirse a largas distancias.

Sin embargo, como no existía la tecnología para aumentar el voltaje a lo largo de la ruta de transmisión

que el poder se disiparía. La siguiente ecuación demuestra qué tan alto fue el voltaje

necesario para disminuir la pérdida de energía.

Cuando aumenta el voltaje, la corriente disminuye y al mismo tiempo la pérdida de energía

Disminuir exponencialmente. Por tanto, la transmisión de alto voltaje reduce la pérdida de potencia. alimentación de CA

resultó ser mucho más eficiente en la transmisión de energía, ya que alterna entre dos voltajes

a una frecuencia específica, lo que facilita el paso hacia arriba o hacia abajo utilizando un transformador. Hoy,

3
La transmisión eléctrica se basa principalmente en la energía de CA, que suministra a los hogares estadounidenses y

empresas con alimentación de 120 V CA a 60 Hz.

Si bien la alimentación de CC se utiliza en muchas aplicaciones digitales, la alimentación de CA también se utiliza en muchas otras

aplicaciones tales como herramientas eléctricas, televisores, radios, dispositivos médicos e iluminación. Por lo tanto,

es necesario tener un medio eficiente para transformar CC en CA y viceversa. Sin esto

capacidad, la gente estaría restringida a usar dispositivos que solo funcionaran con la energía que estaba

suministrado a ellos.

Inversores

Un inversor se define como un dispositivo que convierte corriente continua (CC) en corriente alterna

corriente (AC). Los inversores pueden venir en muchas variedades diferentes, que difieren en precio, potencia y eficiencia.

y propósito. El propósito más común de un inversor de energía CC / CA es tomar una batería o

almacenamiento de energía similar, como una batería de automóvil de 12 V, y conviértalo en una fuente de alimentación de CA de 120 V

operando a 60Hz, lo que permite su uso como un tomacorriente doméstico común. Inversores

se han vuelto cada vez más comunes en los últimos años como apoyo para la autosuficiencia

la energía solar ha aumentado. Debido a que la energía solar se presenta como una fuente de CC, requiere un inversor

antes de que pueda utilizarse como potencia general.

Hay dos métodos comunes para los inversores en el mercado actual, cada uno de los cuales tiene su

propios defectos.

4
Onda sinusoidal modificada

Figura 1: Onda sinusoidal modificada

Una onda sinusoidal modificada es similar a una onda cuadrada, pero permanece en cero durante un tiempo establecido antes

potenciando alto o bajo. Para muchos dispositivos simples, esta es la solución más fácil y económica, pero

viene con un costo oculto: armónicos. Los armónicos son múltiplos enteros de la potencia fundamental

frecuencia (en este caso, 60 Hz) que aparece cuando la onda sinusoidal no es completamente pura. Muchos

equipos sensibles, como computadoras o el equipo médico mencionado anteriormente

no puede salir de una onda sinusoidal modificada, ya que el efecto secundario más común de los armónicos es

aumento del flujo de corriente. Cuando se trata de circuitos delicados, esto lleva a quemar componentes.

y fracaso general. Incluso si el dispositivo no es demasiado sensible, muchos otros dispositivos, como motores

y las luces fluorescentes producen mucho más desgaste sobre sí mismas, ya que no están destinadas a lidiar con

aumento de corriente, lo que resulta en una vida útil significativamente reducida.

Modulación de ancho de pulso

El otro método común de generar energía CA en convertidores de energía electrónicos es

modulación de ancho de pulso (PWM). PWM se usa ampliamente como un medio para alimentar dispositivos de CA

con una fuente de alimentación de CC. Se puede hacer que una fuente de voltaje de CC se vea como una señal de CA a través de un

carga alterando el ciclo de trabajo de la señal PWM. El patrón en el que el ciclo de trabajo del

5
La señal PWM varía se puede generar a través de componentes analógicos simples, un digital

microcontrolador, o circuitos integrados específicos PWM.

En los circuitos analógicos, una señal PWM se genera alimentando una referencia y una señal portadora

a través de un comparador que crea la señal de salida basada en la diferencia entre los dos

entradas. La referencia es una onda sinusoidal a la frecuencia de la señal de salida deseada. los

La onda portadora es un triángulo o onda de 'diente de sierra' que opera a una frecuencia significativamente mayor.

que la onda de referencia. Cuando la señal portadora excede la referencia, la salida está en un estado,

y cuando la referencia excede la portadora, la salida está en el estado opuesto. El proceso es

que se muestra a continuación en la Figura A, con el portador en azul, la referencia en rojo y la salida en verde.

Figura 2: Señal PWM de 2 niveles (control analógico)

La señal que se muestra arriba es una señal PWM simple de 2 niveles. Para que la señal mejore

parece una onda sinusoidal, es necesario agregar en otro nivel. Esto generalmente se logra usando

un circuito de puente H que se analiza en la siguiente sección.

Puente H

Un puente en H es un circuito que permite poner voltaje a través de una carga en

dirección. Consta de cuatro conmutadores, normalmente MOSFET, y una carga configurada en forma de

6
una 'H'. Al controlar qué interruptores están cerrados en un momento dado, el voltaje a través del

La carga puede ser positiva, negativa o cero. La siguiente tabla describe las posiciones. Tenga en cuenta que

Se omiten otras posibles posiciones del interruptor porque causarían un corto entre

alimentación y tierra, dañando potencialmente los dispositivos o drenando la fuente de alimentación.

Lado alto izquierdo Lado alto derecho Lado bajo izquierdo Lado bajo derecho Voltaje de carga

En Apagado Apagado En Positivo

Apagado En En Apagado Negativo
En En Apagado Apagado Cero
Apagado Apagado En En Cero

Al elegir qué tipo de interruptores MOSFET usar, hay dos opciones: canal P

dispositivos y dispositivos de canal N. El uso de canal P en los lados altos y canal N en los bajos.

lados es una ruta más fácil de seguir, ya que los interruptores laterales altos no requieren un conductor. Sin embargo, P-

Los dispositivos de canal tienen una mayor resistencia de encendido, por lo que hay una mayor pérdida de potencia. Es posible utilizar

todos los dispositivos de canal N para los lados alto y bajo del dispositivo; sin embargo, el lado alto N-

El dispositivo de canal requerirá un controlador con un capacitor de arranque para generar el voltaje más alto

por encima de la tensión de conmutación de 170 V para encender el dispositivo. El controlador MOSFET se analiza en

la siguiente sección.

Controlador MOSFET

Como se indicó en la sección anterior, es beneficioso utilizar MOSFET de canal N como alto

interruptores laterales así como los interruptores del lado bajo porque tienen una resistencia 'ON' más baja y

por lo tanto, menos pérdida de energía. Sin embargo, para hacerlo, el drenaje del dispositivo del lado alto se conecta al

Potencia de 170 V CC que se invertirá en la potencia de CA de 120 C. Este es un problema porque el

170 V es el voltaje más alto en el sistema y para que el interruptor se encienda el voltaje

en el terminal de la puerta debe ser 10 V más alto que el voltaje del terminal de drenaje. Para lograr el

7
voltaje adicional necesario para encender el dispositivo, se utiliza un controlador MOSFET con un bootstrap

condensador.

El controlador MOSFET opera desde una entrada de señal dada desde el microcontrolador y

toma su energía del suministro de voltaje de la batería que usa el sistema. El conductor es capaz de

operando los dispositivos del lado alto y del lado bajo, pero para obtener los 10V adicionales para el

dispositivo lateral, un condensador de arranque externo se carga a través de un diodo de la potencia de 12V

suministro cuando el dispositivo está apagado. Debido a que la energía para el controlador se suministra desde el bajo voltaje

fuente, la energía consumida para impulsar la puerta es pequeña. Cuando el conductor recibe la señal para girar

en el dispositivo del lado alto, la puerta del MOSFET tiene un impulso adicional a cargo del bootstrap

condensador, superando los 10V necesarios para activar el dispositivo y encender el interruptor.

Microcontrolador

Para utilizar correctamente el puente H, hay cuatro MOSFET que deben controlarse.

Esto se puede hacer con circuitos analógicos o con un microcontrolador. En este caso, elegimos el

microcontrolador sobre el sistema analógico por varias razones. Primero, sería más sencillo adaptarse.

Con un sistema analógico, sería difícil realizar cambios para la salida deseada. En muchos

casos, este es un rasgo deseado, ya que estaría diseñado para un solo propósito y, por lo tanto, un solo

salida. Sin embargo, como esto es algo que está diseñado para estar disponible en todo el mundo, necesita

ser ajustable a diferentes estándares de frecuencia y voltaje. Con un circuito analógico, este

requeriría un circuito diferente al que tendría que cambiar, mientras que con un micro-

controlador, simplemente requiere un cambio en el código del programa.

La segunda ventaja de usar un microcontrolador es que puede permitir una fácil retroalimentación a

controlar la potencia que fluye a través de la carga. Uno de los problemas que pueden ocurrir con sistemas como

8
esto es que las variaciones en la carga pueden causar variaciones en la corriente y voltaje suministrados. Con un

microcontrolador, es posible hacer que "mire" la potencia de salida y cambie el ciclo de trabajo

en función de si la carga requiere o no energía adicional o si tiene un exceso de suministro.

9
Metodología

Un inversor de onda sinusoidal pura es un dispositivo complejo ya que hay muchos pasos a lo largo del proceso

de convertir el voltaje de entrada de CC en 120V puro rms Salida AC. Para comprender mejor esto

proceso, lo hemos desglosado en las siguientes secciones donde detallamos la función de cada parte,

cómo se construyó y su interacción de secciones marchitas.

Diagrama de bloques

El diagrama de bloques que se muestra a continuación muestra las diversas partes del proyecto que serán

dirigido. El bloque de control es simplemente el microcontrolador. Genera tanto el PWM como

señales de onda cuadrada necesarias para controlar los controladores MOSFET. Las señales de los conductores son

luego se utiliza para controlar los cuatro MOSFET de canal N en la configuración de puente H. La salida

La señal del puente h se envía luego a través de un filtro LC de paso bajo para que la salida final sea una

onda sinusoidal pura.

VCC

5V

Q1
IRF530
HB2
IO1 IO3
IO1 IO3
IO2 IO4
IO2 IO4

Controlador MOSFET
Q2
IRF530

HB1 HB4
IO1 IO2 IO1 IO3
IO1 IO2 IO1 IO3
IO3 IO2 IO4
IO3 IO2 IO4
IO4
IO4
IO5
IO5
IO6
IO6
Tercer trimestre
V1 Microcontrolador Filtro de salida
IRF530
12V HB3
IO1 IO3
IO1 IO3
IO2 IO4
IO2 IO4

Cuarto trimestre
Controlador MOSFET
IRF530

Figura 3: Diagrama de componentes básicos

10
 Generación de forma de onda del microcontrolador

El microcontrolador tiene la tarea de generar las cuatro señales de control que el MOSFET

los conductores utilizan. Son dos ondas cuadradas de 60Hz, cada una en ángeles de fase de 180 entre sí, y dos

Señales de modulación de ancho de pulso de 2 niveles de 60 Hz que operan a una frecuencia de conmutación de 50 kHz también a

180 ángeles de fase entre sí. Esto se hizo integrando la onda sinusoidal en cada uno de los

puntos de conmutación potenciales, y generar una señal cada vez que la integral general aumenta en la

valor de un pulso completo. La señal del microcontrolador opera a 3V como se ve a continuación en la Figura

4.

Figura 4: Salida inicial de MSP430

11
 Entrada de controladores MOSFET

Para probar el funcionamiento del sistema y ahorrar tiempo, se utilizó un microcontrolador MSP430.

prestado de la tienda ECE temporalmente. Las señales del microcontrolador operan a

aproximadamente 3 V, que está por debajo del mínimo de 3,3 V necesarios para operar los controladores MOSFET.

En lugar de usar un dispositivo como un convertidor elevador para aumentar el voltaje, implementamos un

Interruptor lógico simple que podría operar usando la señal de 3V del microcontrolador. Usando un

BJT simple como interruptor y abasteciendo la fuente de alimentación de la batería de 12V, podemos crear una señal de 12V

que tiene la misma forma de onda necesaria para operar los MOSFET. La onda cuadrada de 12V y

Las señales PWM se pueden ver a continuación en la Figura 5.

Figura 5: Entrada de controladores MOSFET

Controladores MOSFET

La salida de onda sinusoidal deseada debe estar centrada alrededor de cero, por lo que significa que la potencia

a lo largo de la carga debe considerarse tanto positivo como negativo. Esto se logra usando cuatro

MOSFET de canal N en una configuración de puente H como se ve a continuación en la Figura 6. Para un controlador, el

12
Se seleccionó el IR2110 porque es más que capaz de manejar los requisitos de alta potencia de nuestro

el proyecto estaría operando en.

Figura 6: Configuración H-Bridge

Sin embargo, la dificultad de este sistema es que en los MOSFET del lado alto, el voltaje de la puerta

(12V) debe ser al menos 10V más alto que el voltaje de drenaje a la fuente (170V). Para cumplir con esto

requisito, se necesita un condensador de arranque para mantener la diferencia de voltaje aproximadamente

10 V por encima del drenaje al voltaje de la fuente. En la configuración de puente completo, dos de estos dispositivos son

necesario, uno para cada MOSFET de lado alto. La siguiente figura detalla la configuración del

condensadores bootstrap.

Figura 7: circuito del controlador MOSFET

13
 Como se indicó anteriormente, el funcionamiento del dispositivo IR2110 se controlará a través de las señales

generado por el microcontrolador. Cada controlador introducirá ambas señales PWM o el

señales de onda cuadrada, que se alimentan a los pines HIN y LIN simultáneamente. Si la lógica interna un

lógica alta, el pin HO se activará y si se detecta una lógica baja, se activará el pin LO. Como ellos

no son necesarios en el funcionamiento del circuito V SS, V DD, y SD se conectará a tierra.

Los componentes de los capacitores de arranque y el diodo están conectados como se muestra arriba y

sus valores se calculan utilizando las notas de aplicación de International Rectifiers AN-978. La formula

para los valores mínimos del condensador bootstrap obtenidos de este documento es:

Utilizando los valores determinados a partir de las hojas de datos de los componentes utilizados como se muestra a continuación,

calculamos que el lado de onda cuadrada del puente es 2µF y el lado PWM del puente es

56nF. El diodo utilizado es un rectificador ultrarrápido IR 8ETu04-ND 8A 400V.

Q gramo = Carga de puerta de FET de lado alto = 110 nC

yo qbs = Corriente de reposo para circuitos del controlador del lado alto = 230uA

Q ls = Carga de cambio de nivel requerida por ciclo = 5nC (dado en la nota de aplicación) = Corriente de fuga

yo cbs del capacitor Bootstrap = 250uA

F = Frecuencia = 60Hz para el lado izquierdo del puente, 50kHz para el lado derecho del puente = Voltaje de

V cc suministro = 12V

VF = Caída de voltaje directo a través del diodo bootstrap = 1.3V = Caída

V ls de voltaje en el lado bajo FET = 1.5V = Voltaje mínimo entre V segundo y

V min VS

14
 Conducir los cuatro MOSFET en una configuración H-Bridge permite +170, -170 o 0 voltios

a través de la carga en cualquier momento. Para lograr esto, el lado izquierdo del puente es impulsado por el PWM

señales para determinar si el voltaje de salida es distinto de cero o cero, mientras que el lado derecho del

El puente es impulsado por las señales de onda cuadrada para determinar la polaridad, ya sea positiva o negativa.

Los MOSFET utilizados en el diseño son MOSFET de potencia IRFB20N50KPbF clasificados para 500 V a

20A con una R ds de 0.21Ω.

Filtro de salida

El componente final necesario para generar una señal de onda sinusoidal pura es un filtro de salida. por

nuestro circuito, necesitamos un filtro de paso bajo LC básico con la siguiente configuración a continuación en la Figura 8.

Figura 8: Filtro LC básico

Esto filtrará todo el exceso de ruido por encima de la frecuencia crítica. . El objetivo de

esto fue para acercar la frecuencia crítica lo más posible a la frecuencia deseada de 60 Hz,

eliminando otros armónicos que surgen dentro del sistema. El problema con el filtro es uno de los

tamaño y disponibilidad del componente. Cuanto más lenta sea la frecuencia de corte, mayor será la capacitancia y

inductancia necesaria para crear correctamente el filtro. Por lo tanto, el diseño de filtros se convierte en una compensación

entre la efectividad del filtro y el costo y tamaño de los componentes.

15
Implementación

Si bien diseñar un inversor puede ser complejo, se vuelve más fácil cuando se descompone

en sus pasos componentes. Las siguientes secciones detallan cada componente dentro del proyecto, como

así como cómo se construye cada sección e interactúa con otros bloques para dar como resultado la producción

de un inversor de potencia de onda sinusoidal pura de 120V.

Figura 9: Diagrama de bloques general

Con esto, se asume que la fuente de CC de alto voltaje ya existe,

ya sea de un transformador o de un convertidor elevador. Hay muchos ejemplos de los que ya

en el mercado, y están fuera del alcance de este proyecto. El diagrama de bloques de esta figura muestra

los tres pasos que necesitamos para generar la señal de salida. La señal se genera dentro del

microcontrolador. Luego, se ingresa a los controladores MOSFET para proporcionar un cierre de seguridad, así como el

capacidad de mantener los MOSFETS activos cuando están altos. Finalmente, pasa a los MOSFETS de

puente en H y extrae energía del suministro de alto voltaje a través del filtro para generar el

señal de salida adecuada.

dieciséis
 Proceso de diseño

Figura 10: Diseño de circuito de prueba inicial

Este fue el diseño inicial del circuito. La primera tarea realizada fue un diseño inicial

para las formas de onda de salida del MSP430. Para diseñar estos, las formas de onda fueron

simulado en MATLAB, para predecir una salida precisa.

Figura 11: PWM simulado de 3 niveles

Este primer diseño de señal se generó integrando la onda sinusoidal en cada potencial

punto de conmutación para la señal y luego agregar un pulso de voltaje positivo o negativo

17
siempre que la integral hubiera aumentado en más de la potencia de un pulso. El primer resultado de este diseño

fue la siguiente salida del microcontrolador:

Figura 12: Salida inicial de MSP430

Las dos señales inferiores fueron la señal base de 60Hz, mientras que las dos superiores fueron la PWM.

activación. Había dos conjuntos de señales invertidas para actuar como controles a ambos lados de los pilares de

El h"; cuando un MOSFET estaba encendido, el otro de ese lado estaría apagado y viceversa.

Casi de inmediato, apareció un problema: a pesar de las especificaciones de la lista de controladores MOSFET

3V como voltaje de entrada mínimo y el MSP430 emitiendo un máximo de 3.3V, las señales fueron

no activa el controlador con éxito. Después de probar para asegurarse de que los controladores sí funcionaron

y que se habían instalado correctamente, parecía que había un paso intermedio

necesario para amplificar la señal hasta el punto en que los conductores la recibirían. Cumplir

esto, una resistencia pull-up y un BJT se conectaron a la salida del microcontrolador, tirando del

en señal hasta el riel de 12V que también alimenta los controladores MOSFET, lo que resulta en suficiente señal para

pasar por los controladores y activar los MOSFET.

18
Resultados

Después de las diversas iteraciones del circuito y las correcciones de errores menores que se tuvieron que hacer, el

El producto final se veía así:

V5
V6

R5

Q5
R9

R1 Q1
U1

C1 D1

V1

R6

C4
Q6
R2 Q2 L1

R10

C5 R13
V2

R7 Q7
R11

U2

R3 Tercer trimestre
C2 D2

V3

R8 C3
Q8

R12
R4 Cuarto trimestre

V4

Figura 13: Diagrama de circuito final

Las primeras pruebas realizadas con esta versión del circuito fueron pruebas de baja tensión con

Variando filtros y cargas, para ver cómo respondía el circuito. Sin carga y sin filtro

componentes a 1 mH y 100 µF, se tomó la siguiente salida a través de la "carga" abierta.

19
 Figura 14: Salida filtrada

Cuando se utilizó una bombilla estándar de 12 V, 25 W como carga, la forma de onda se suavizó para

el seguimiento:

Figura 15: Salida filtrada con carga

Esto llevó a una caída de voltaje significativa en el filtro debido a la muy baja resistencia del

bombilla de luz, en comparación con la fuente de voltaje en uso. El voltaje a través del puente H también

eliminado cuando se agregó esta ruta. Por lo tanto, para calcular la eficiencia de bajo voltaje de este

circuito, la potencia que entra en el puente H se comparó con la potencia que sale del puente H, que

20
resultó en una eficiencia del 62,7%. Esto parecía bajo; sin embargo, como el circuito fue probado con

voltajes más altos, la eficiencia aumentó a medida que las pérdidas estáticas se volvieron menos relevantes.

Al probar los voltajes más altos, debido al límite de la velocidad de conmutación, no pudimos

para encontrar componentes de filtro lo suficientemente grandes como para probar adecuadamente un circuito filtrado de alto voltaje. Sin embargo,

obtuvimos la siguiente salida a través de una bombilla estándar de 100 W, 120 V:

Figura 16: Salidas de alto voltaje sin filtrar

Cuando medimos la pérdida de potencia entre la fuente de CC y la carga, obtuvimos un

mucho mejor rendimiento que en las pruebas de baja tensión: 82,6%.

21
Recomendaciones

Se cumplieron los objetivos generales de este proyecto; sin embargo, todavía hay mucho espacio para

mejora que se puede hacer. La recomendación principal sería encontrar y utilizar un

microcontrolador que es capaz de enviar a los controladores MOSFET directamente sin la necesidad

para un paso intermedio para aumentar la potencia de la señal de entrada. El MSP430 solo podía

generar señales hasta una cierta frecuencia antes de que se vuelvan inestables y los BJT solían

Aumentar la potencia de la señal bajó aún más el límite de la velocidad de conmutación. Con un mas poderoso

microprocesador que emite una señal más rápida, también sería más fácil implementar el diseño de filtro de

el sistema. Con una velocidad de conmutación más rápida, la frecuencia de corte del filtro también podría ser mayor

y no requieren componentes tan voluminosos o difíciles de encontrar.

Otra mejora que se puede hacer es un sistema de retroalimentación que le daría

microcontrolador una vista de la salida a través de la carga de modo que las señales que controlan el sistema

podría ajustarse de acuerdo con ciertos parámetros en la programación. Como diferentes cargas son

conectado y desconectado, la eficiencia y la salida del sistema cambiarán. A fin de que

mantener el sistema funcionando a 120 V rms y 60Hz, tiene que poder adaptarse a los cambios en su carga.

La implementación de un optoacoplador es un método recomendado, ya que tendría un efecto mínimo en

la salida y proyectar el microcontrolador de la alta potencia del sistema.

22
Conclusión

Los objetivos de este proyecto eran crear un inversor de onda sinusoidal CC-CA funcional que pudiera

proporcione de manera eficiente un kilovatio de potencia utilizando PWM de 3 niveles y comparándolo con otros métodos

actualmente en el mercado. Mirando este objetivo, lo logramos, aunque hay espacio para

mejora. Nuestro inversor tuvo una eficiencia de más del 80%, una mejora significativa con respecto a

sistemas PWM de 2 niveles similares. En comparación con los sistemas sinusoidales modificados, los armónicos fueron

significativamente más pequeño, lo que permite un uso más eficaz con circuitos delicados.

Si bien no probamos la potencia máxima proporcionada por este circuito, estamos seguros de que

el inversor que construimos puede soportar esta potencia. Todas las piezas están dentro de los límites de las especificaciones con un

margen de seguridad adicional del 30%, por lo que podemos decir con seguridad que proporcionará el

poder.

Este proyecto proporciona un buen bloque de construcción que se puede agregar a muchas aplicaciones de uso general.

aplicaciones de alta potencia, así como una base para trabajar para una fuente de alimentación autorregulable,

especialmente si el microcontrolador controla tanto el convertidor DC / DC como el inversor DC / AC.

23
Bibliografía

Doucet, J., Eggleston, D. y Shaw, J. (2007). Onda sinusoidal pura DC / AC. Worcester: WPI.

Fairchild Semiconductor. (2011, octubre). Amplificador de propósito general 2N3904 NPN. Fairchild

Semiconductor Corporation.

Rectificador internacional. (2005, 23 de marzo). R2110 (-1-2) (S) PbF / IR2113 (-1-2) (S) PbF Alto y

Conductor de lado bajo. El Segundo, California, EE.UU .: Sede mundial de IR.

Rectificador internacional. (2007, 23 de marzo). Nota de aplicación AN-978. El Segundo, California,

EE.UU .: Sede mundial de IR.

STMicroelectronics. (2007, 11 de marzo). Diodo de recuperación ultrarrápida STTH8R04.

STMicroelectronics.

Vishay. (2010, 5 de abril). IRFB20N50K, SiHFB20N50K MOSFET de potencia. Vishay Siliconix.

24
 170 V
R5 V6
V5 12V
100O
10O
Q5
R9
IRF830
R1 Q1
U1
2N3904
1.0kO
2,2 µF D1
C1 MUR1560G
V1
R6
Apéndice A: Diagrama de circuito

100O
0V3V
8.333 milisegundos 16.666 milisegundos
56nF
C4 388,8 µH
Q6
R2 Q2 L1
NET_14 IRF830
2N3904
1.0kO R10
10O

25
C5 R13
V2
181nF 10.0MO
R7 Q7
R1110O
100O IRF830
0V3V
U2
8.333 milisegundos 16.666 milisegundos
R3 Tercer trimestre 2,2 µF D2
2N3904 C2 MUR1560G
1.0kO
V3
R8 56nF
C3
100O Q8
NET_14 IRF830
R12
R4 Cuarto trimestre 10O
Apéndices

2N3904
1.0kO
V4
 Apéndice B: Código para microcontrolador

/ ************* Incluir encabezados *********************** /

# include "msp430x44x.h" // Definiciones, constantes, etc. para msp430F449
# incluye <string.h>
# incluye <stdio.h>
# incluye <stdlib.h>
# incluye <math.h>
# include <in430.h>
/ *********************************************** *** /

temporizador int sin firmar = 0; unsigned int

leap_cnt = 0;

# pragma vector = TIMERB0_VECTOR __interrupt void

Timer_B0 (void)

{
if (temporizador == 243) temporizador = 0;
temporizador ++;

leap_cnt ++;
}
más{
leap_cnt = 0;
}
}
void LEDOff (vacío); // configura el puerto LED verde y apaga los LED
void LEDdisplayHex (número de caracteres sin firmar); // muestra el código hexadecimal para el número de dígitos

void init_sys (vacío); // Rutina de inicialización de MSP430

vacío principal (vacío)

{
En t pos = 1;
char sin firmar lastKey = 0;

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; init_sys (); // Detener el temporizador de vigilancia //

Inicializar el MSP430

int salida [4] = {0x33, 0xC3, 0xCC, 0x3C}; punteros int cortos [244] =

{0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,1,0,0,1,0,1,0,1,0,1 , 1,0,1,0,1,1,1,0,1,1,1,0,1,
1,

1,1,1,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1, 1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,1
,

1,1,1,1,1,1,0,1,1,1,1,0,1,1,0,1,1,0,1,1,0,1,0,1,0, 1,0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,0,1,0
, 0,0,0,0,0,

0,0,0,0,0,0,0,0,0,1,0,0,0,1,0,1,0,0,1,0,1,0,1,0,1, 1,0,1,0,1,1,1,0,1,1,1,0,1,1
,

26
1,1,1,1,0,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1, 1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,1,0,1,1
,

1,1,1,1,1,1,0,1,1,1,1,0,1,1,0,1,1,0,1,1,0,1,0,1,0, 1,0,1,0,0,1,0,0,1,0,0,0,1,0
, 0,0,0,0,0};
para (int i = 0; i <122; i ++) {
punteros [122 + i] = punteros [i] +2;
}
TBCTL = 0x0200 + CNTL_0 + ID_0 + MC_1; TBCCR0 = (70);

TBCCTL0 = CCIE;
_BIS_SR (GIE);

while (1) {
P2DIR | = 0xFF; // Establecer P2.7-2.4 en la dirección de salida
P2SEL & = 0x00;
// if (temporizador% 2 <1) LEDdisplayHex (0xCC); // else if (temporizador% 2> = 1)
LEDdisplayHex (0x33); LEDdisplayHex (salida [punteros [temporizador]]);

void LEDOff (vacío)

{
P2DIR | = (BIT7 | BIT6 | BIT5 | BIT4);
P2SEL & = ~ (BIT7 | BIT6 | BIT5 | BIT4);
P2OUT | = (BIT7 | BIT6 | BIT5 | BIT4);
}
// Establecer P2.7-2.4 en la dirección de salida // Opción de E / S
P2.7-2.4
// Salida P2.7-2.4 = 1 (LED apagados)

void LEDdisplayHex (número de caracteres sin firmar) {

char sin firmar tmp_num;

tmp_num = (~ num);
P2OUT = tmp_num & 0xFF;
}

void init_sys (vacío)

{
// initLCD (); // Configurar la pantalla LCD para el
// clearLCD (); trabajo // Pantalla LCD clara // Configurar
// setupKeypad (); los puertos del teclado
Llevar afuera();
}

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 Apéndice C: Lista de piezas

Costo Coste total Coste total

Cantidad Componente Costo (1) (10000) (soltero) (abultar)

4 MOSFET IRFB20N50k 5.26 2,33 21.04 9.32

2 Diodo STTH8R04D 1,73 0,657 3,46 1.314
4 Resistencia de 100 Ω 0,1 0,005 0.4 0,02
4 Resistencia de 1000 Ω 0,1 0,0005 0.4 0,002
4 Resistencia de 10 Ω 0,1 0,005 0.4 0,02
2 Condensador de 2,2 µF 0.4 0,04 0,8 0,08
2 Condensador de 56 nF 0.4 0,04 0,8 0,08
MOSFET IR2110
2 Conductor 4.68 2.016 9.36 4.032
4 2N3904 PNP BJT 0,19 0.0328 0,76 0.1312
1 MSP430F449 10.1 4.938 10.1 4.938
Coste total
47,52 $ $ 19.94

28