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Alternativas
- Pt100, PtXX
- NTC
- Semiconductor
𝑣𝑟𝑒𝑓
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇
A
Cu
𝑣𝑜
T AI
Cu
B
Ta 𝑅3
Bloque
Isotérmico
𝑣𝑟𝑒𝑓
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇
A
Cu
𝑣𝑜
T AI
Cu
B
Ta 𝑅3
Bloque
Isotérmico
𝑣𝑡ℎ (mV)
T (ºC) T (ºC)
𝑣𝑡ℎ (mV)
T (ºC) T (ºC)
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Piezoeléctricos: Funcionamiento
• Efecto piezoeléctrico: efecto reversible que
consiste en:
– la aparición de una deformación al aplicar una
diferencia de potencial a un material (actuador)
– la aparición de una diferencia de potencial o
carga eléctrica al sufrir una deformación debida
a un esfuerzo (sensor)
• Ecuaciones piezoeléctricas (simplificadas)
– 𝑆: deformación
– 𝑇: esfuerzo
– 𝑠: inverso del módulo de Young “Handbook of Modern Sensors Physics, Designs, and
Applications”, Fraden, Jacob, Third Edition, Springer, 2003
– 𝑑, 𝑑′: constantes piezoeléctricas
– 𝐸: campo eléctrico
– 𝐷: densidad de flujo eléctrico
– 𝜖: permitividad
𝑆 =𝑠·𝑇+𝑑·𝐸
𝐷 = 𝜖 · 𝐸 + 𝑑′ · 𝑇
F
𝐹
𝑄 = 𝐷𝑙𝑎 = 𝑑 𝑙𝑎
ℎ𝑎
𝑆 =𝑠·𝑇+𝑑·𝐸
𝑆 =𝑠·𝑇+𝑑·𝐸
𝐷 =𝜖·𝐸+𝑑·𝑇
𝐷 =𝜖·𝐸+𝑑·𝑇
𝜖 efectiva cambia
𝑆: deformación
𝑇: esfuerzo
“Sensores y acondicionadores de señal”, Pallás Areny, 𝑠: inverso del módulo de Young
Ramon, 4ª edición, Marcombo, 2003
𝑑, 𝑑′: constantes piezoeléctricas
𝐸: campo eléctrico
𝐷: densidad de flujo eléctrico
𝜖: permitividad
• Circuito equivalente
– 𝑣𝑝𝑧 , 𝐶𝑝𝑧 : efecto piezoeléctrico
– 𝑅𝑝𝑧 : valor muy alto, modela la redistribución de cargas a lo largo del tiempo
Instrumentación Electrónica GITI. Universidad Carlos III de Madrid 21
Piezoeléctricos: circuito equivalente (corriente)
• Carga 𝑄𝑥 al aplicar una fuerza 𝐹𝑥 en la dirección x:
𝑄𝑥 = 𝑑11 𝐹𝑥
– 𝑑11 : coeficiente piezoeléctrico, considerando la geometría del problema
• Capacidad 𝐶 del trozo de material con los electrodos:
𝐴
𝐶𝑝𝑧 = 𝜅 𝜀0 ℎ
– 𝜀0 : permitividad ; 𝜅: constante dieléctrica del materia; 𝐴: área; ℎ: espesor
• Corriente generada en el material piezoeléctrico:
𝑑𝑄𝑥 𝑑𝐹𝑥
𝑖𝑝𝑧 = = 𝑑11 ·
𝑑𝑡 𝑑𝑡
• Circuito equivalente
– 𝑖𝑝𝑧 , 𝐶𝑝𝑧 : efecto piezoeléctrico
– 𝑅𝑝𝑧 : valor muy alto, modela la redistribución de cargas a lo largo del
tiempo
𝑅𝑓
𝐶𝑝𝑧
𝑣𝑜
𝑅𝑝𝑧
𝑣𝑝𝑧
Amplificador de carga 𝐶𝑓 𝑅𝑓
(circuito equivalente en 𝑣𝑜 = − ·𝑖
𝑅𝑓 𝐶𝑓 𝑠 + 1 𝑝𝑧
modo corriente)
𝑅𝑓
𝑅𝑓
𝑣𝑜 = − · 𝑑 · 𝑠 · 𝐹𝑥
𝑅𝑓 𝐶𝑓 𝑠 + 1 11
𝑣𝑜
𝑅𝑓 𝑠
𝑣𝑜 = − ·𝑑 ·𝐹
𝑖𝑝𝑧 𝐶𝑝𝑧 𝑅𝑝𝑧 𝑅𝑓 𝐶𝑓 𝑠 + 1 11 𝑥
Voutpu
t
metálico 𝑄
𝑉= 𝑑 = 𝐾𝑑
• C está conectado a la puerta de un transistor JFET su carga es 𝜖𝑟 𝜖0 𝑆
constante, produciendo una variación de tensión en el terminal
de control del transistor
Vo1
• Amplificador de audio:
filtro paso-banda
adaptado a las
frecuencias audibles
• En el fotodiodo la corriente significativa, que varía con los cambios de la luz, es la que circula
en sentido inverso (con polarización inversa del diodo):
• El fotodiodo es polarizado con tensión ánodo-cátodo negativa.
• Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la
luz.
http://www.marcombo.com/Descargas/9788426715753/SENSORES/TEMAS/SA%20Tema%2005%20Sensores%20optoelectronicos%20%281%29.pdf
40
Sensores de Fibra Óptica: Tipos
• Guia óptica capaz de confinar un haz de luz (reflexión total, ángulo
límite)
• Poca atenuación con la distancia
http://oretano.iele-ab.uclm.es/~jgarcia/Instrumentacion/4_Sensores%20de%20reactancia%20variable%20y%20electromagneticos.pdf
47
Resumen de sensores
Circuito de acondicionamiento
• Termopares
• Piezoeléctricos
• Piroeléctricos
• Fotodiodos
• Fototransistores
• Fibra óptica
• Efecto Hall
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