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Tema 3: sensores y circuitos de

acondicionamiento (II): sensores


generadores
Instrumentación Electrónica
Grado en Ingeniería en Tecnologías Industriales
3er curso, 1er cuatrimestre, rev. septiembre 2019

Electrónica Industrial (GIE). Presentación 1


Índice: Sensores generadores
• Introducción
• Termopares
• Piezoeléctricos
• Piroeléctricos
• Semiconductores
• Optoelectrónicos (fotodiodos y fototransistores)
• De Fibra Óptica
• Electromagnéticos (Efecto Hall)

Electrónica Industrial (GIE). Presentación 2


Introducción
• Sensores generadores
– Se pueden modelar por su circuito equivalente. En algunos casos la
respuesta en frecuencia es muy importante.
– La impedancia de entrada del circuito de acondicionamiento debe ser tal que
se minimice la energía generada por el sensor
• Impedancia de entrada infinita si es un generador de tención
• Impedancia de entrada cero si es un generador de corriente

Ej.´: tacogenerador (fuente de tensión casi ideal)

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Termopares
• Dispositivo formado por dos metales únicos con un extremo que
produce una tensión proporcional a la diferencia de temperaturas
en sus extremos
𝑣𝑠 = 𝐾(𝑇 − 𝑇0 )
– 𝑇: temperatura a medir (temp. de la unión caliente)
– 𝑇0 : temperatura de la unión del termopar con el equipo (temp. de la unión
fría)
– 𝐾: cte de Seebeck, depende de los materiales usados en el termopar. En
algunos casos puede no ser constante con la temperatura y se necesita
lineanizar su respuesta.
• Se basa en la combinación de los efectos Seebeck, Peltier y
Thomson

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Efecto de la temperatura en la unión fría
• Efecto físico:
– en un circuito cerrado formado par la unión de dos metales diferentes se
produce una corriente o una fuerza termoelectromotriz (en abierto) si las
uniones está a diferente Tª
• Problema: la unión de los cables del termopar a los del equipo de
medida produce también una ftem que depende de la Tª de dicha
unión

• El circuito de acondicionamiento de COMPENSAR el efecto de 𝑇0


– Compensación: eliminación del efecto de una determinada magnitud en la
medida

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Compensación por medida con temperatura de referencia

• La unión entre los conductores del equipo de medida y los cables


del termopar se realiza garantizando un valor de temperatura
considerando de referencia (ej. 0º C)
• Método difícil de llevar a la práctica

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Circuito acondicionamiento para termopares
• Se utiliza un circuito independiente para medir la temperatura de la
unión fría
– Esta unión se produce en un bloque isotermo (ej. bloque metálico)
• El resultado se suma a la medida del termopar para eliminar la
influencia de Tf en la medida final

+ +

- -

+
-

Alternativas
- Pt100, PtXX
- NTC
- Semiconductor

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Circuito acondicionamiento para termopares

• Ejemplo de circuito de acondicionamieto con compensación de la


temperatura de la unión fría.

𝑣𝑟𝑒𝑓
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇

A
Cu
𝑣𝑜
T AI
Cu
B

Ta 𝑅3

Bloque
Isotérmico

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Circuito acondicionamiento para termopares

𝑣𝑟𝑒𝑓
𝑅1 𝑅2
𝑅𝑇

A
Cu
𝑣𝑜
T AI
Cu
B

Ta 𝑅3

Bloque
Isotérmico

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Compensación digital de temperatura
• Se acondiciona la señal del termopar y la de medida de la
temperatura de la unión fría
• Se digitalizan: se convierten a señal digital mediante un convertidor
analógico-digital (ADC o A/D)
• La compensación se realizar en el dispositivo digital, ej.
microcontrolador.

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Termopares: Tipos

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Termopares: Curva de Calibración
Aproximación de orden 1

Curvas de termopares y sus aproximaciones Error entre la curva original y la aproximación


polinomiales de grado 1 de grado 1
𝑣𝑡ℎ (mV)

𝑣𝑡ℎ (mV)

T (ºC) T (ºC)

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Termopares: Curva de Calibración
Aproximación de orden 5

Curvas de termopares y sus aproximaciones Error entre la curva original y la aproximación


polinomiales de grado 5 de grado 5
𝑣𝑡ℎ (mV)

𝑣𝑡ℎ (mV)

T (ºC) T (ºC)

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Aplicaciones de los termopares
• Ventajas
– Baratos
– Robustos
– Lineales en amplios rangos de Tª
– Amplio rango de temperaturas: soportan temperatura muy altas
• Inconvenientes
– Poca sensibilidad
– Necesidad de compensar la temp. unión fría

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Ejemplo de termopares

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Piezoeléctricos: Funcionamiento
• Efecto piezoeléctrico: efecto reversible que
consiste en:
– la aparición de una deformación al aplicar una
diferencia de potencial a un material (actuador)
– la aparición de una diferencia de potencial o
carga eléctrica al sufrir una deformación debida
a un esfuerzo (sensor)
• Ecuaciones piezoeléctricas (simplificadas)
– 𝑆: deformación
– 𝑇: esfuerzo
– 𝑠: inverso del módulo de Young “Handbook of Modern Sensors Physics, Designs, and
Applications”, Fraden, Jacob, Third Edition, Springer, 2003
– 𝑑, 𝑑′: constantes piezoeléctricas
– 𝐸: campo eléctrico
– 𝐷: densidad de flujo eléctrico
– 𝜖: permitividad
𝑆 =𝑠·𝑇+𝑑·𝐸

𝐷 = 𝜖 · 𝐸 + 𝑑′ · 𝑇

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Piezoeléctricos: Funcionamiento
𝑆 =𝑠·𝑇+𝑑·𝐸 𝑆 =𝑠·𝑇+𝑑·𝐸
ACTUADOR SENSOR
𝐷 =𝜖·𝐸+𝑑·𝑇 𝐷 =𝜖·𝐸+𝑑·𝑇

F
𝐹
𝑄 = 𝐷𝑙𝑎 = 𝑑 𝑙𝑎
ℎ𝑎

𝑆 =𝑠·𝑇+𝑑·𝐸
𝑆 =𝑠·𝑇+𝑑·𝐸
𝐷 =𝜖·𝐸+𝑑·𝑇
𝐷 =𝜖·𝐸+𝑑·𝑇

𝜖 efectiva cambia

𝑆: deformación
𝑇: esfuerzo
“Sensores y acondicionadores de señal”, Pallás Areny, 𝑠: inverso del módulo de Young
Ramon, 4ª edición, Marcombo, 2003
𝑑, 𝑑′: constantes piezoeléctricas
𝐸: campo eléctrico
𝐷: densidad de flujo eléctrico
𝜖: permitividad

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Piezoeléctricos: Funcionamiento
• Asociado, pero no igual, a la ferroelectricidad (presentar un momento eléctrico
dipolar, espontáneo o inducido)
– Todos los materiales ferroeléctricos son piezoeléctricos, pero no al revés.
• Ejemplos: cuarzo, turmalina, PVDF (polímero), 𝐿𝑖𝑁𝑏𝑂3 , 𝐺𝑎𝐴𝑠, 𝑍𝑛𝑂, 𝐴𝑙𝑁,
𝑃𝑏𝑍𝑟𝑥 𝑇𝑖1−𝑥 𝑂3 (0 < 𝑥 < 1, PZT)
• La magnitud primaria que se mide es fuerza, pero también se pueden medir otras
magnitudes asociadas:
– Presión
– presión acústica (micrófonos, ultrasonidos),
– desplazamiento (fuerza asociada a un elemento elástico, como en las galgas extensométricas)

“Sensores y acondicionadores de señal”, Pallás Areny,


Ramon, 4ª edición, Marcombo, 2003

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Piezoeléctricos: Funcionamiento
• Hipótesis en nuestro análisis:
– El transductor piezoeléctrico está formado por un trozo
material piezoeléctrico con unos electrodos metálicos en
dos caras opuestas
– Se considera que sólo se aplica fuerza en el eje
perpendicular a las caras donde están los electrodos
– Se trabaja a frecuencias muy por debajo de la frecuencia
de resonancia mecánica del transductor y no pueden
llegar a medir en continua

• La magnitud primaria que se mide es fuerza, pero


también se pueden medir otras magnitudes
asociadas:
– Presión
– presión acústica (micrófonos, ultrasonidos),
– desplazamiento (fuerza asociada a un elemento elástico,
como en las galgas extensométricas)

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Piezoeléctricos: circuito equivalente (tensión)

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Piezoeléctricos: circuito equivalente (tensión)
• Carga 𝑄𝑥 al aplicar una fuerza 𝐹𝑥 en la dirección x:
𝑄𝑥 = 𝑑11 𝐹𝑥
– 𝑑11 : coeficiente piezoeléctrico, considerando la geometría del problema
• Capacidad 𝐶 del trozo de material con los electrodos:
𝐴
𝐶𝑝𝑧 = 𝜅 𝜀0 ℎ
– 𝜀0 : permitividad ; 𝜅: constante dieléctrica del material; 𝐴: área; ℎ: espesor
• Tensión en el condensador formado por el material piezoeléctrico y los
electrodos:
𝑄
𝑣𝑝𝑧 = 𝐶 𝑥
𝑝𝑧

• Tensión que aparece al aplicar una fuerza en el eje x 𝐶𝑝𝑧


𝑑11 𝑑11
𝑣𝑝𝑧 = 𝐹𝑥 = ℎ · 𝐹𝑥
𝐶 𝜅 𝜀0 𝐴 𝑣𝑝𝑧
Vpz
𝑅𝑝𝑧

• Circuito equivalente
– 𝑣𝑝𝑧 , 𝐶𝑝𝑧 : efecto piezoeléctrico
– 𝑅𝑝𝑧 : valor muy alto, modela la redistribución de cargas a lo largo del tiempo
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Piezoeléctricos: circuito equivalente (corriente)
• Carga 𝑄𝑥 al aplicar una fuerza 𝐹𝑥 en la dirección x:
𝑄𝑥 = 𝑑11 𝐹𝑥
– 𝑑11 : coeficiente piezoeléctrico, considerando la geometría del problema
• Capacidad 𝐶 del trozo de material con los electrodos:
𝐴
𝐶𝑝𝑧 = 𝜅 𝜀0 ℎ
– 𝜀0 : permitividad ; 𝜅: constante dieléctrica del materia; 𝐴: área; ℎ: espesor
• Corriente generada en el material piezoeléctrico:
𝑑𝑄𝑥 𝑑𝐹𝑥
𝑖𝑝𝑧 = = 𝑑11 ·
𝑑𝑡 𝑑𝑡
• Circuito equivalente
– 𝑖𝑝𝑧 , 𝐶𝑝𝑧 : efecto piezoeléctrico
– 𝑅𝑝𝑧 : valor muy alto, modela la redistribución de cargas a lo largo del
tiempo

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Piezoeléctricos: acondicionamiento
Amplificador de carga
(circuito equivalente en 𝐶𝑓
modo tensión)

𝑅𝑓
𝐶𝑝𝑧
𝑣𝑜
𝑅𝑝𝑧
𝑣𝑝𝑧

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Piezoeléctricos: acondicionamiento
Amplificador de carga
(circuito equivalente en 𝐶𝑓
𝐶𝑝𝑧 𝑅𝑓 𝑠
modo tensión) 𝑣𝑜 = − ·𝑣
𝑅𝑓 𝐶𝑓 𝑠 + 1 𝑝𝑧
𝑅𝑓 𝐶𝑝𝑧 𝑅𝑓 𝑠 𝑑11
𝑣𝑜 = − · 𝑙 · 𝐹𝑥
𝐶𝑝𝑧 𝑅𝑓 𝐶𝑓 𝑠 + 1 𝜅 𝜀0 𝑎
𝑣𝑜
𝑅𝑓 𝑠
𝑅𝑝𝑧 𝑣𝑜 = − ·𝑑 ·𝐹
𝑣𝑝𝑧 𝑅𝑓 𝐶𝑓 𝑠 + 1 11 𝑥

Amplificador de carga 𝐶𝑓 𝑅𝑓
(circuito equivalente en 𝑣𝑜 = − ·𝑖
𝑅𝑓 𝐶𝑓 𝑠 + 1 𝑝𝑧
modo corriente)
𝑅𝑓
𝑅𝑓
𝑣𝑜 = − · 𝑑 · 𝑠 · 𝐹𝑥
𝑅𝑓 𝐶𝑓 𝑠 + 1 11
𝑣𝑜
𝑅𝑓 𝑠
𝑣𝑜 = − ·𝑑 ·𝐹
𝑖𝑝𝑧 𝐶𝑝𝑧 𝑅𝑝𝑧 𝑅𝑓 𝐶𝑓 𝑠 + 1 11 𝑥

Ambos modelos son equivalentes.

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Piezoeléctricos: Sensores de Ultrasonido

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Piroeléctricos: Funcionamiento
• Piroelectricidad es la capacidad de cambiar la
polarización de algunos materiales sometidos a cambios
de temperatura, por lo cual se genera un potencial
eléctrico causado por movimiento de cargas positivas y
negativas en los extremos opuestos de la superficie
mediante migración.
• Este tipo de fenómenos ocurre en materiales dieléctricos
que contienen polarizaciones espontáneas producidas
por dipolos orientados.
• La piroelectricidad está estrechamente relacionada con
la piezoelectricidad, de tal modo que todos los
materiales piroeléctricos son también piezoeléctricos.
• Circuito de acondicionamiento similar a los de los
sensores piezoeléctricos.

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Sensores de semiconductores para temperatura
• Los semiconductores varían su comportamiento frente a la
temperatura
• Se utilizan componentes que cambian alguno de sus parámetros
característicos (diodos, diodos zener, etc)
• Aunque en realidad son más complejos se pueden representar con
un modelo sencillo

Voutpu
t

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Sensores de semiconductores: micrófono electret
• Basado en la modificación de una capacidad C creada por un 𝐶=
𝜖𝑟 𝜖0 𝑆
diafragma sensible a las vibraciones acústicas y un material 𝑑

metálico 𝑄
𝑉= 𝑑 = 𝐾𝑑
• C está conectado a la puerta de un transistor JFET su carga es 𝜖𝑟 𝜖0 𝑆
constante, produciendo una variación de tensión en el terminal
de control del transistor

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Sensores de semiconductores: micrófono electret
• Modelo eléctrico

Vo1

• Amplificador de audio:
filtro paso-banda
adaptado a las
frecuencias audibles

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Recordatorio de conceptos ópticos
• Naturaleza ondulatoria de la luz
– λ (longitud de onda): Distancia espacial entre dos máximos consecutivos de
la onda en la dirección de propagación (1 µm=1000 nm)
– ν(frecuencia): Oscilaciones completas por segundo cuando la radiación
atraviesa un punto fijo en el espacio (Hz=s-1 )
– Propagación luz medio, cuantifica a través del índice de refracción “ n”;
v=c/n
• Medidas en sistemas ópticos
– Fotometría energética (radiometría): “Sólo contenido energético de la
radiación luminosa y no su impresión sensorial”. Julio, vatio
– Fotometría visual “Pondera la magnitud de energía radiante en el espectro
visible”. Candela, lumen, lux
– “1 W de potencia energética a 550nm son 680 lumen ”

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Fotodiodos: Funcionamiento
• Diodo semiconductor, expuesto a la luz a través de una cobertura cristalina, a veces en forma
de lente, especialmente sensible a la incidencia de la luz visible, infrarroja o de otra longitud de
onda.

• En el fotodiodo la corriente significativa, que varía con los cambios de la luz, es la que circula
en sentido inverso (con polarización inversa del diodo):
• El fotodiodo es polarizado con tensión ánodo-cátodo negativa.
• Se producirá un aumento de la circulación de corriente cuando el diodo es excitado por la
luz.

• El material constructivo define las propiedades de sensibilidad


al espectro de un fotodiodo:
• Los fotodiodos están construidos de:
• Silicio, sensible a la luz visible (longitud de onda
de hasta 1,1 µm),
• Germanio para luz infrarroja (longitud de onda
hasta aproximadamente 1,9 µm),
• Otros materiales.

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Efecto fotoeléctrico
• Constituye el principio de funcionamiento de los sensores ópticos
• Consiste en la liberación de cargas al incidir un haz de luz
– Efecto fotoeléctrico Wp>Wl ( W p=energía fotón, Wl=energía unión e- a los
átomos )
• Según la naturaleza del dispositivo iluminado se manifiesta:
– Fotoconducción “Variación de la conductividad del material al incidir la luz”
(fotorresistencias, fotodiodos..)
– Efecto fotovoltaico “Generación de un voltaje al incidir la radiación (célula
solar)
– Efecto fotoemisivo “Emisión electrones al incidir la luz (fotomultiplicadores)
– Otros: sensores de fibra óptica (distintas clasificaciones )

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Fotodiodos: Modelo Eléctrico de un Fotodiodo
• Los fotodiodos generan una corriente inversa cuando sobre ellos
incide luz y están en la zona de polarización inversa
• Responsividad: sensibilidad del fotodiodo a la incidencia de luz
𝑖𝑓 = 𝑅 · 𝑃𝑜𝑝𝑡
– 𝑖𝑓 corriente inversa generada en el fotodiodo (A)
– 𝑅: responsividad (A/W)
– 𝑃𝑜𝑝𝑡 potencia óptica incidente (W)

Modelo eléctrico de un diodo Modelo simplificado en polarización inversa

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Estrategias de polarización
• Si el fotodiodo funciona con la misma tensión en el ánodo y el
cátodo genera menos corriente que si la polarización es negativa

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Acondicionamiento: convertidor corriente- tensión
• También llamado amplificador de transconductancia
• El diodo puede funcionar con cortocircuito virtual (a) o con polarización
negativa (b)
• En muchos casos se conecta un C en paralelo con Rr para asegurar la estabilidad
debido a la capacidad del fotodiodo y al ancho de banda limitado del AO

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Acondicionamiento: redes de realimentación en T
• Si se quiere una impedancia equivalente en el convertidor V-I muy
grande es recomendable utilizar redes de realimentación en T
• Con valores más pequeños de resistencia se obtienen resistencia
equivalentes muy grandes
• Se puede extender el concepto a otras redes (ej. Redes R-2R)

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Acondicionamiento: redes de realimentación en T

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Fototransistores: Funcionamiento
• Similares a un transistor bipolar “normal”: colector, base y emisor.
• Corriente de base creada por efecto fotoeléctrico
• La corriente de base se amplifica
• Encapsulado:
• 2 terminales
• Ventana para el paso de la luz

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Fototransistores: Circuitos de Acondicionamiento

• Pueden funcionar en modo binario o de forma continua


• La corriente de base es proporcional a la potencia óptica recibida
𝑖𝑏 = 𝑅 · 𝑃𝑜𝑝𝑡 (fototransistor)
𝑖𝐶 = 𝛽 · 𝑖𝑏 (BJT)

http://www.marcombo.com/Descargas/9788426715753/SENSORES/TEMAS/SA%20Tema%2005%20Sensores%20optoelectronicos%20%281%29.pdf

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Ejemplo sensores ópticos (fototransistor)

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Sensores de Fibra Óptica: Tipos
• Guia óptica capaz de confinar un haz de luz (reflexión total, ángulo
límite)
• Poca atenuación con la distancia

Folded Laser Beam


Laserfest: The total internal reflection causes a folded laser beam between the PMMA/air surfaces.
Snell is right. Ulrich Lohmann, University of Hagen, Germany
https://www.osa-opn.org/home/gallery/photo_contests/2010.aspx?page=2
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Sensores de Fibra Óptica: Acondicionamiento
http://www.marcombo.com/Descargas/9788426715753/SENSORES/TEMAS/SA%20Tema%2005%20Sens%20optoelectronicos%20%282%29%202011.pdf

• Estrategias para sensado


– Modificación de la potencia óptica transmitida por efecto de P, Tª, esfuerzo,
etc, directamente sobre la fibra.
– Circuito de acondicionamiento: fotodiodo, fototransistor
– Interferometría: interacción de haces de luz de diferente fase. Gran precisión
en la medida

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Sensores de Fibra Óptica:Modulación de Amplitud 1/2

• Modulación de amplitud por


transmisión (extrínseca)
– Se basa en la reducción de energía
debida a la transmisión de la
radiación óptica a través de un canal
– Se utiliza en la medida de
desplazamientos axiales y radiales
– También se utiliza en la medida de
presión acústica

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Sensores de Fibra Óptica:Modulación de Amplitud 2/2

• Modulación de amplitud por


microdeformación (extrínseca)
– La intensidad de la luz
transmitida depende del valor
de una magnitud que provoca
pequeñas deformaciones en la
fibra óptica, que generan
pérdidas en la transmisión
– Se utiliza para medir presiones y
pequeños desplazamientos

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Electromagnéticos: Efecto Hall
• El efecto Hall (E.H. Hall, 1870) consiste en la aparición de una
diferencia de potencial transversal en un conductor o
semiconductor por el que circula una corriente cuando es
sometido a un campo magnético aplicado en dirección
perpendicular ésta.

http://oretano.iele-ab.uclm.es/~jgarcia/Instrumentacion/4_Sensores%20de%20reactancia%20variable%20y%20electromagneticos.pdf

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Electromagnéticos: Efecto Hall

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Resumen de sensores
Circuito de acondicionamiento
• Resistivos
– Potenciometricos
– RTD
– Galgas extensométricas
– NTC
– LDR
– Sensores de gas
• Capacitivos
– No diferencial
– Diferencial
• Inductivos
– No diferencial
– Diferencial
– LDVT

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Resumen de sensores

Circuito de acondicionamiento

• Termopares
• Piezoeléctricos
• Piroeléctricos
• Fotodiodos
• Fototransistores
• Fibra óptica
• Efecto Hall

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