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Capitulo 2
Propiedades de los materiales y física del

transporte
En la actualidad, la mayoría de los dispositivos semiconductores de

potencia se fabrican utilizando silicio como material base. Tanto los
dispositivos unipolares como los bipolares se han desarrollado con
éxito a partir de silicio para servir a una amplia gama de aplicaciones.
Como se muestra en el capítulo anterior, la resistencia de la región de
deriva en los dispositivos de potencia se puede reducir drásticamente
reemplazando el silicio con semiconductores de banda ancha. Aunque
en la década de 1980 se emprendieron algunos esfuerzos para
desarrollar dispositivos eléctricos a partir de arseniuro de galio, el
interés en esta tecnología ha disminuido porque es mucho más
prometedor fabricar dispositivos eléctricos a partir de carburo de
silicio. Por esta razón, las propiedades relevantes del carburo de silicio
se incluyen con las del silicio en este capítulo con fines de comparación
y diseño. Se proporcionan expresiones analíticas que pueden modelar
estas propiedades para facilitar el análisis de las estructuras de los
dispositivos de potencia.
Aunque las propiedades fundamentales del material del
semiconductor gobiernan las características operativas de los
dispositivos de potencia, las técnicas de procesamiento utilizadas para
controlar estas propiedades imponen limitaciones tecnológicas que son
igualmente importantes para obtener las características deseadas del
dispositivo. Por esta razón, el capítulo incluye una discusión de la
tecnología actual, como el dopaje por transmutación de neutrones
(DTN) para controlar la resistividad y la irradiación de electrones para
controlar la vida útil de los portadores minoritarios. Estas tecnologías
se han desarrollado específicamente para la fabricación de dispositivos
de potencia y se utilizan casi exclusivamente para este tipo de
estructuras.
2.1 Propiedades fundamentales
Las propiedades fundamentales del silicio 1 y del carburo de silicio 2-4

se resumen y comparan en esta sección. Solo se han incluido aquí las
propiedades del poli-tipo 4H de carburo de silicio porque sus
propiedades son superiores a las del
BJ Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices , doi:

10.1007 / 978-0-387-47314-7_2, © Springer Science + Business Media, LLC 2008
24 FUNDAMENTOS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
otros poli-tipos de carburo de silicio. Las propiedades básicas de

relevancia para los dispositivos de potencia son la banda prohibida de
energía, los coeficientes de ionización por impacto, la constante
dieléctrica, la conductividad térmica, la afinidad electrónica y la
movilidad del portador. Dado que la concentración de portador
intrínseco y el potencial incorporado se pueden extraer utilizando esta
información, también se han proporcionado sus valores para el silicio
y el carburo de silicio en esta sección.
Propiedades
Silicio 4H-SiC

Brecha de banda de energía

1,11 3,26
(eV)

Dieléctrico relativo
11,7 9,7
Constante

Conductividad térmica

1,5 3,7
(Ancho / cm-K)

Afinidad electronica

4.05 3,7
(eV)

Densidad de estados

Banda de conducción 2,80 x 10 19 1,23 x 10 19

-3
(cm )

Densidad de estados

19 18
Banda de valencia 1,04 x 10 4,58 x 10

(cm -3 )

Figura 2.1 Propiedades fundamentales de los materiales
Los parámetros fundamentales del material para el silicio y el

4H-SiC se resumen en la Fig. 2.1 con fines comparativos. Vale la pena
señalar que la banda prohibida de energía del 4H-SiC es tres veces
mayor que la del silicio. Esto da como resultado una concentración de
portador intrínseco mucho más baja a cualquier temperatura dada, así
como coeficientes de ionización de impacto mucho más pequeños en
cualquier campo eléctrico dado, para este semiconductor en
comparación con el silicio, como se analiza con más detalle en la
siguiente sección. La constante dieléctrica y la densidad de estados son
comparables para ambos semiconductores. La conductividad térmica
del carburo de silicio 4H es dos o tres veces mayor que la del silicio, lo
que permite una extracción de calor superior de los dispositivos. La
diferencia en la afinidad electrónica entre los semiconductores parece
pequeña pero es bastante significativa al determinar las características
de los contactos de barrera de Schottky.
Propiedades de los materiales y física del transporte 25
2.1.1 Concentración de portadores intrínsecos
La concentración de portador intrínseco está determinada por la

generación térmica de pares de agujeros de electrones a través de la
banda prohibida de energía de un semiconductor. Su valor se puede
calcular utilizando la banda prohibida de energía ( E G ) y la densidad
de estados en las bandas de conducción ( N C ) y valencia ( N V ):
n = np = N norte e - E G / 2 kT (2,1)
yo C V

donde k es la constante de Boltzmann (1.38 ⋅ 10 −23 JK −1 ) y T es absoluto

la temperatura. Para el silicio, la concentración de portador
intrínseco viene dada por:
( 2,2)
- (7.02⋅10 3 ) / T
n i = 3.87 ⋅10 T 16 3/2
e
tador intrínseco (cm -3
mientras que para 4H-SiC viene dado por: (2,3)

- (2.08⋅10 4 ) / T
n i = 1.70 ⋅10 16 T 3/2 e
Usando estas ecuaciones, la concentración de portador intrínseco se
( Por
puede calcular en función de la temperatura. Las concentraciones de
portador intrínseco para silicio y 4H-SiC se representan en las Figs. 2.2
y 2.3.
(Concentración de portador intrínseco (cm-3
1.E + 17
1.E + 15
13

1.E + 13 10

Si

1.E + 11
1.E + 09
1.E7 + 07
10
1.E + 05
1.E + 03
1
1.E + 01
10
1.E-01
1.E-03
4H-SiC
10-5
.E-05
1.E-07
1.E-09
10
.E- - 11 .5 2 3 4

1.0 1,5 2.0 2.5 3,0 3,5 4.0
(1 / K)

1000 / temperatura (1 / K)
Fig. 2.2 Concentración de portador intrínseco
El método tradicional para hacer esta gráfica se muestra en la

Fig. 2.2 usando una escala de temperatura inversa para el eje x . La
figura adicional (Fig. 2.3) se proporciona aquí porque es más fácil
relacionar el valor de la concentración de portador intrínseco con la
temperatura, con sus valores directamente graficados en el eje x . Es
obvio que la concentración de portador intrínseco para el carburo de
silicio es mucho menor
que el del silicio debido a la gran diferencia en la energía de la banda

prohibida. A temperatura ambiente (300 K), la concentración de
portador intrínseco para el silicio es 1,4 ⋅ 10 10 cm −3 mientras que para
el 4H-SiC es sólo 6,7 ⋅ 10 −11 cm −3 . Esto indica que la corriente de
generación a granel es insignificante para la determinación de la
corriente de fuga en dispositivos de carburo de silicio, pero no para
estructuras de silicio. Las corrientes de generación de superficie
pueden volverse dominantes en los dispositivos 4H-SiC debido a la
presencia de estados dentro de la banda prohibida.
1.E + 17
(Portador Concentración cm)(3- cm -3)
1.E + 15
.E + 13
10

Si

1.E + 11
1.E + 09
.E + 07
10

1.E + 05
1.E + 03

.E +101
entración
10
1.E-01
4H-SiC
1.E-03
dor
P
Conce
Portad
.E - - 5 05
Intrínseco
10
Intrínseco
1.E-07
1.E-09
.MI-
10 - 11 300 350 400 450 500 550 600 650 700
300 350 400 450 500 550 600 650 700
Temperatura (K)

Temperatura (K)
Fig. 2.3 Concentración de portador intrínseco
Para el silicio, la concentración de portador intrínseco se vuelve

igual a una concentración de dopaje típica de 1 ⋅ 10 15 cm −3 a una
temperatura relativamente baja de 540 K o 267 ° C. Por el contrario, la
concentración de portador intrínseco para 4H-SiC es sólo 3,9 ⋅ 10 7 cm −3
incluso a 700 K o 427 ° C. El desarrollo de mesoplasmas se ha asociado
con la concentración de portador intrínseco que se vuelve comparable
a la concentración de dopaje. 5 Los mesoplasmas crean filamentos de
corriente que tienen una densidad de corriente muy alta, lo que
conduce a fallas destructivas en los semiconductores. Obviamente, esto
es mucho menos probable en el carburo de silicio.
2.1.2 Estrechamiento de la brecha de banda
El diagrama de bandas de energía para el silicio a bajas

concentraciones de dopaje toma la forma ilustrada en la figura 2.4 (a),
con la densidad de estados variando como la raíz cuadrada de la
energía lejos de los bordes de la banda. Los niveles de donante y
aceptor están ubicados en posiciones discretas dentro de la banda
prohibida y están claramente separados de los bordes de la banda de
conducción y de valencia. La separación bien definida entre la
conducción y
Los bordes de la banda de valencia se denominan banda prohibida de

energía ( E G ). La banda prohibida de energía para el silicio y el
carburo de silicio 4H se muestra en la figura 2.1.
Energía
Energía

EC EC Banda de donantes
ED
EG

EA
EV EV Banda aceptante

Densidad de estados Densidad de estados

(a) Caso de dopaje bajo (b) Caso de alto dopaje
Fig. 2.4 Diagramas de bandas de energía a (a) concentraciones de dopaje bajas y
(b) altas
A altos niveles de dopaje en el semiconductor, la estructura de

la banda se ve alterada por tres efectos. Primero, a medida que
aumenta la densidad de impurezas, el espacio entre los átomos de
impurezas individuales se vuelve pequeño. La interacción entre
átomos de impurezas adyacentes conduce a una división de los niveles
de impurezas en una banda de impurezas como se ilustra en la figura
2.4 (b). Este fenómeno se observa cuando la concentración de dopaje
supera los 10 18 cm −3 . En segundo lugar, los bordes de las bandas de
conducción y valencia ya no presentan una forma parabólica. La
distribución estadística de los átomos dopantes en la red introduce
diferencias punto por punto en la concentración local de dopaje y el
potencial de la red, lo que conduce al desorden. Esto da como resultado
la formación de colas de bandas, como se ilustra en la figura 2.4 (b)
mediante líneas discontinuas. Este fenómeno se observa cuando la
concentración de dopaje se acerca a 10 21 cm −3 . En tercer lugar, la
interacción entre los portadores libres y más de un átomo de impureza
conduce a una modificación de la densidad de estados en los bordes de
la banda. Este fenómeno se denomina estrechamiento de la banda
prohibida rígida .
La formación de las bandas de impurezas, las colas de las
bandas y el estrechamiento rígido de la banda prohibida son efectos de
portadores mayoritarios relacionados con el espaciado reducido de los
átomos dopantes dentro de la red semiconductora. Además de esto, la
interacción electrostática de los portadores minoritarios y la alta
concentración de portadores mayoritarios conducen a una reducción
de la energía térmica necesaria para crear un par electrón-hueco . Este
fenómeno es también una reducción de la banda prohibida rígida que
no distorsiona la dependencia energética de la densidad de estados. La
reducción rígida de la banda prohibida que surge de la selección de los
portadores minoritarios por la alta concentración de portadores
mayoritarios se puede derivar utilizando la ecuación 6 de Poisson :

1 d⎛ 2 dV⎞ q

⎜ r
⎟= -
∆n ( 2,4

r 2

dr⎝

dr⎠ ε S
donde V es el potencial electrostático de los portadores apantallados a
una distancia radial r . La concentración de electrones en exceso ∆ n
viene dada por la ecuación de Boltzmann:
∆ n = n (e qV / kT −1) (2,5)
0
Para el caso de concentraciones bajas de electrones en exceso:

⎛ qn V ⎞
∆n=⎜ 0 ⎟ (2,6)
⎝ kT ⎠

La solución de (2.4) utilizando el exceso de concentración de electrones dada

por (2.6) produce:
⎛ -r/rS⎞
V ( r ) = q ⎜ mi

⎟ ( 2,7)

4πε S ⎝ r ⎠
donde el radio de apantallamiento r S viene dado por:
ε S kT
rS= q n
2
(2,8)
0
La distribución del campo eléctrico para el potencial de Coulombic

apantallado se puede obtener mediante la integración de (2.7):
q ⎛1 1⎞ -r/r
E ( r ) = ⎜ -
⎟ e S ( 2,9)

4πε S r ⎝ r r S ⎠
En comparación, la distribución del campo eléctrico no apantallado a
bajas concentraciones de dopaje viene dada por:
q
E ( r ) = 4πε S r 2 (2,10)
La reducción de la banda prohibida viene dada por la diferencia en la
energía electrostática entre los casos apantallados y no apantallados:
ε S ∞ 2 ⎤
∆ E G = ∫ ⎣⎡E 0 ( r ) - E ( r ) ⎦ d r
2

(2,11)
2 0
La solución de esta integral produce:

∆ E G = 3 q 2 q 2 n0 (2,12)

16πε S ε S kT
En el caso de niveles de inyección bajos y bajo el supuesto de que todos
los átomos dopantes están ionizados:
n=N+ =N (2,13)
0D re
donde N D es la concentración de dopaje. Por consiguiente,
3q2 q2ND
∆EG=
(2,14)
16πε S ε S kT
Esta expresión, válida para pequeños cambios en la banda prohibida,
indica que el estrechamiento de la banda prohibida es proporcional a
la raíz cuadrada de la concentración de dopaje. Usando los parámetros
apropiados para el silicio:
∆ E = 22,5⋅10 −3
N yo (2,15)
18
GRAMO 10
donde N I es la concentración de impurezas (donante o aceptor)
responsable de la reducción de la banda prohibida. En la figura 2.5 se
muestra la disminución de la brecha de energía para el silicio a
temperatura ambiente debido a las altas concentraciones de dopaje,
según lo predicho por la teoría anterior. Se ha descubierto que esta
curva teórica proporciona un buen ajuste con los datos medidos hasta
una concentración de dopaje de 10 19 cm −3 , lo que indica que la
selección de portadores minoritarios por parte de los portadores
mayoritarios es un efecto dominante responsable del estrechamiento
de la banda prohibida en el silicio. 7-10
1,15
1,10
1.1

(eV)
1.05
de banda
(eV)
Brecha
1. 0
1.0
BandGap
Energy
0,95

Energía
0. 0
0,9

0,85
300 o K

0. 0

0,8 + 15
1,00E 1,00E + 16 1,00E + 17 1,00E + 18 1,00E + 19 1,00E + 20

10 15 10 16 10 17 10 18 10 19 10 20
Concentración de dopaje (cm -3)
Concentración de dopaje (cm -3 )
Fig. 2.5 Reducción de la banda prohibida en silicio a altas concentraciones de

dopaje
El fenómeno de estrechamiento de la banda prohibida tiene un

fuerte impacto sobre el producto de las concentraciones de equilibrio
de electrones y huecos en el material semiconductor fuertemente
dopado. El producto p – n puede representarse mediante una
concentración de portador intrínseco eficaz de una manera similar a la
de los semiconductores ligeramente dopados:
( np ) = n 2 ( 2,16)
es decir
Los valores más altos para el producto p – n que surgen del
estrechamiento de la banda prohibida están relacionados con la banda
prohibida de energía más pequeña por:
nes2decir = nyo2 e
q ∆ E G / kT
(2,17)

donde ∆ E G es la reducción de la banda prohibida debido a los efectos
combinados de la formación de bandas de impurezas, la cola de bandas
y el cribado de portadores minoritarios. Al usar (2.15), la concentración
de portador intrínseco efectivo a temperatura ambiente para el silicio
viene dada por:
10 ⎛ norte yo ⎞
norte = 1.4 ⋅10 exp⎜⎜ 0.433 ⎟⎟ ( 2,18)
es decir 18

⎝ 10 ⎠
−3
donde N I es la concentración de dopaje en cm . La concentración de
portador intrínseco predicha por esta ecuación aumenta en más de un
orden de magnitud cuando la concentración de dopaje excede 3 ⋅ 10 19
cm −3 , como se muestra en la Fig. 2.6. Estas altas concentraciones de
dopaje se encuentran comúnmente en las regiones terminales difusas
de los dispositivos de potencia. El rendimiento de los dispositivos de
potencia bipolar se ve afectado por el fenómeno de estrechamiento de
la banda prohibida porque la inyección de portadores minoritarios en
las regiones terminales se ve reforzada por la mayor concentración de
portadores intrínsecos.
( cm 3)
.E + 12
10

-
Concentración de portadora
300 o K

.E + 11 1
10

(intrínseca (cm3
-Transportadora
Concentración
intrínseca
efectiva

Eficaz
.E + 10
10 1.00E + 15
1. 00E + 16 1. 00E + 17 1. E + 18 1. E + 19 . 0E + 20
10 10 10 10 10 10
-3
Concentración de dopaje (cm )
Fig. 2.6 Concentración efectiva de portador intrínseco en silicio a altos niveles de
dopaje
2.1.3 Potencial incorporado
El potencial incorporado de las uniones P – N puede jugar un papel

importante en la determinación del funcionamiento y diseño de los
dispositivos semiconductores de potencia. Como ejemplo, el
El potencial incorporado determina el ancho de agotamiento de

polarización cero , que es importante para el cálculo de la
resistencia de activación en los D-MOSFET de potencia. La tensión
incorporada viene dada por:

⎛ - +
⎞
V = kT en ⎜ N A N D ⎟ (2,19)
bi q ⎝ n2 ⎠
yo
- +
donde N A y N D son las concentraciones de impurezas ionizadas en
los dos lados de una unión P – N abrupta . Para el silicio, sus valores
son iguales a la concentración de dopaje debido a los pequeños niveles
de energía de ionización del dopante.
do
Potencial incorpora
3,50
3. 3 0 . 0
4H-SiC
2,50
inPotencial- (V)

2.0
2. 0
1,50
Construido

1.0 Si
1,00
0,50
.00
0 250 300 350 400 450 500 550 600 650
250 300 350 400 450 500 550
600
650
Temperatura (K)
Temperatura (K)
Fig. 2.7 Potencial incorporado para una unión PN en Si y 4H-SiC
El potencial incorporado calculado para silicio y 4H-SiC se muestra en la

Fig.
2.7 en función de la temperatura para el rango operativo típico de dispositivos
de potencia.
- + 35
Al hacer las gráficas, se supuso que el producto ( N A N D ) era 10 cm
−6
. Esto sería aplicable para una concentración de dopaje típica de 1 ⋅
10 19 cm −3 en el lado muy dopado de la unión y 1 ⋅ 10 16 cm −3 en el lado
ligeramente dopado de la unión. El potencial incorporado del carburo
de silicio es mucho mayor que el del silicio debido a los valores mucho
más pequeños de la concentración de portador intrínseco. Esto puede
ser una desventaja debido a la mayor anchura de reducción de
polarización cero para el carburo de silicio. Como ejemplo, el ancho de
agotamiento de polarización cero más grande consume espacio dentro
de la estructura de la celda D-MOSFET , lo que aumenta la resistencia
al restringir el área a través de la cual puede fluir la corriente. Por el
contrario, el mayor potencial incorporado para el SiC y su mayor ancho
de reducción de polarización cero asociado se pueden aprovechar para
hacer estructuras de dispositivos innovadoras, como el ACCUFET
(véase el capítulo 6), que se adaptan a las propiedades únicas del SiC. .
2.1.4 Ancho de agotamiento de sesgo cero
Los anchos de reducción de polarización cero calculados para el silicio y el

4H-SiC se muestran en la Fig.
2.8 en función de la concentración de dopaje en el lado ligeramente
dopado de una unión P – N abrupta . Tanto para el silicio como para el
carburo de silicio, se puede ver que el ancho de agotamiento de
polarización cero puede ser sustancial en tamaño a bajas
concentraciones de dopaje, por lo que es importante tener esto en
cuenta durante el diseño y análisis del dispositivo. El ancho de
reducción de polarización cero para el SiC es mucho
(aproximadamente 2⋅) mayor que el del silicio para la misma
concentración de dopaje. Sin embargo, vale la pena señalar que la
concentración de dopaje en SiC es mucho (aproximadamente 100⋅)
mayor para un voltaje de ruptura dado que para el silicio, como se
explica más adelante en el libro. En consecuencia, el ancho de
agotamiento de polarización cero para los dispositivos 4H-SiC es menor
que el de los dispositivos de silicio con el mismo voltaje de ruptura.
1.E + 01

10

otamiento
4H-SiC
Ancho de ago
((micrones
.E + 0 0
10

Si
(Ancho de agotamiento de sesgo cero (micrones

Sesgo cero
-1
.E-01

10 1,00E + 13 1,00E + 14 1,00E + 15 1,00E + 16 1,00E + 17
10 13 10 14 10 15 10 16 10 17
Fig. 2.8 Ancho de agotamiento de polarización cero en Si y 4H-SiC
2.1.5 Coeficientes de ionización por impacto
El coeficiente de ionización por impacto para los huecos (α p ) se define

como el número de pares de electrones y huecos creados por un hueco
que atraviesa 1 cm a través de la capa de agotamiento a lo largo de la
dirección del campo eléctrico. De manera similar, el coeficiente de
ionización por impacto de los electrones (α n ) se define como el número
de pares electrón-hueco creados por un electrón que atraviesa 1 cm a
través de la capa de agotamiento a lo largo de la dirección del campo
eléctrico. Los coeficientes de ionización por impacto para
semiconductores están dictados por la Ley 11,12 de Chynoweth :
α = a e -b/E (2,20)
donde E es el componente del campo eléctrico en la dirección del flujo

de corriente. Los medidores apartados a y b son constantes que
dependen del material semiconductor y la temperatura. Para el silicio,
las tasas de ionización por impacto se han medido en función del
campo eléctrico y la temperatura. 13,14 Basado en estas extensas
medidas-
mentos, los parámetros para el silicio se han encontrado para ser un n =
7 ⋅ 10 5 cm -1 y b n = 1,23 ⋅ 10 6 V cm -1 para los electrones; a p = 1,6 ⋅ 10 6
cm −1 y b p = 2 ⋅ 10 6 V cm −1 para huecos para campos eléctricos que
oscilan entre 1,75 ⋅ 10 5 y 6 ⋅ 10 5 V cm −1 .
Los coeficientes de ionización por impacto del carburo de silicio
se han medido recientemente en función de la temperatura utilizando
un método de excitación por haz de electrones. 15 Este método permitió
la extracción de tasas de ionización por impacto en regiones libres de
defectos del material mediante el aislamiento de diodos que contenían
defectos con una imagen EBIC (corriente inducida por haz de
electrones). Esto fue importante porque se descubrieron tasas de
ionización por impacto sustancialmente mejoradas cuando las
mediciones se realizaron en los sitios de defectos. 16 Para material
libre de defectos , se encontró que los valores extraídos para los
parámetros del coeficiente de ionización por impacto para agujeros en
4H-SiC fueron:

a (4H-SiC) = 6,46⋅10 6 −1,07 ⋅10 4 T
con
7

b (4H-SiC) = 1,75⋅10
.E + 04
10
iónCoeficiente (cm/)

αn
Si
Coefficeint (/
. E + 03
10
αp
cto (cm

αp
ción
Ionizaci
de impac
de ionizac
.E + 02 2 Si
10
4H-SiC

Impacto

.E + 01 1
10
1.E- -77 1.E- 6 -6 .E- - 05

10 10 10
1 / Campo eléctrico (cm / V)
1 / (campo eléctrico) (cm / V)

Figura 2.9 Coeficientes de ionización por impacto para silicio y 4H-SiC

Los coeficientes de ionización por impacto para 4H-SiC se

pueden comparar con los del silicio en las Figs. 2.9 y 2.10. Es tradicional
graficar los coeficientes de ionización como el recíproco del campo
eléctrico como se muestra en la figura 2.9. Sin embargo, es más
conveniente utilizar el gráfico que se muestra en la figura 2.10 para
extraer la ionización
coeficientes a valores conocidos para el campo eléctrico. En ambos

semiconductores, existe una fuerte dependencia de los coeficientes de
ionización del campo eléctrico. En consecuencia, la tensión de ruptura
de los dispositivos de potencia puede reducirse considerablemente por
la presencia de un campo eléctrico muy localizado dentro de la
estructura.
1 10 .E + 4

ImpactoIonizaciónCoeficiente (cm/)

αn
1.E +
Si

10 3
(cm/)

αp

αp 4H-SiC
1.E + 22 Si
10

Alfa

.E + 01 1

10 1.E +5 .E + 06 .E + 07
10 10 6 10 7
Campo eléctrico (V / cm)
Fig. 2.10 Coeficientes de ionización por impacto para silicio y 4H-SiC
A partir de las figuras anteriores, se puede ver que el inicio de

una generación significativa de portadores por ionización de impacto
ocurre en campos eléctricos mucho más grandes en 4H-SiC en
comparación con el silicio. Como consecuencia, la ruptura en los
dispositivos de 4H-SiC ocurre cuando los campos eléctricos están en el
rango de 2–3 ⋅ 10 6 V cm −1 , un orden de magnitud mayor que el del
silicio. Esto implica una mucho mayor crítico de campo eléctrico E c
para la descomposición de 4H-SiC, dando como resultado un gran
incremento en la cifra de mérito de Baliga (ver. Cap 1). El campo
eléctrico crítico para la ruptura se analiza con más detalle en el
próximo capítulo. Vale la pena señalar que el coeficiente de ionización
por impacto de los electrones es mucho mayor que el de los agujeros
en el silicio, mientras que lo contrario es cierto para el 4H-SiC.
2.1.6 Movilidad del portador
La resistividad (ρ) de una región semiconductora viene dada por:
1
ρ= (2,23)
qµN
donde ∝ por la movilidad, que es una función del tipo de portador
(electrones o huecos), la concentración de dopaje ( N ) y la temperatura
de la red ( T ). Un buen entendimiento
de la movilidad de los portadores es por tanto necesario modelar el

transporte de corriente en las regiones de semiconductores dentro de
los dispositivos.
En los semiconductores, los portadores se aceleran por la
presencia de un campo eléctrico y alcanzan una velocidad media
determinada por los procesos de dispersión del portador. El silicio es
un semiconductor de banda prohibida indirecta en el que el transporte
de electrones, bajo la influencia de un campo eléctrico aplicado, se
produce en seis mínimos de bandas de conducción equivalentes,
mientras que el transporte de huecos se produce en dos subbandas
degeneradas. La desigualdad entre la movilidad de los electrones y los
huecos en el silicio surge debido a las diferencias entre las formas de la
conducción y los mínimos de la banda de valencia. A medida que los
portadores libres se transportan a lo largo de la dirección del campo
eléctrico, su velocidad aumenta hasta que se dispersan. En general, la
dispersión puede ocurrir por interacción con la red o en átomos
donadores y aceptores ionizados. En consecuencia, la movilidad
depende de la temperatura de la red y de la concentración de
impurezas ionizadas. Cuando los portadores libres se transportan
cerca de la superficie del semiconductor, se observa una dispersión
adicional, que disminuye la movilidad por debajo de los valores
generales. En los dispositivos de potencia bipolar, se puede inyectar
simultáneamente una alta concentración de huecos y electrones en la
región de la base durante el flujo de corriente en estado activo. La
probabilidad de dispersión mutua entre electrones y huecos aumenta
en estas condiciones, reduciendo la movilidad efectiva.
La movilidad (∝) se define como la constante de
proporcionalidad que relaciona la velocidad media de la portadora ( v
D ) con el campo eléctrico ( E ):
vD=∝E (2,24)
Esta expresión es válida para campos eléctricos bajos. Sin embargo,
cuando el campo eléctrico excede de 10 4 V cm -1 , como se encuentra
comúnmente en los dispositivos de potencia, ya no se encuentra que la
velocidad aumente en proporción al campo eléctrico. De hecho, la
velocidad se acerca a un valor constante conocido como velocidad de
deriva saturada . La dependencia de la movilidad de la intensidad del
campo eléctrico debe tenerse en cuenta durante el análisis de las
características eléctricas de los dispositivos de potencia.
Dependencia de la temperatura
A bajas concentraciones de dopaje en la región de los semiconductores,

la dispersión de los portadores libres se produce predominantemente
por interacción con las vibraciones de la red. Este fenómeno de
dispersión reticular puede ocurrir por medio de fonones acústicos o
ópticos. La dispersión de fonones ópticos es importante a altas
temperaturas y campos eléctricos, mientras que la dispersión de
fonones acústicos es dominante en campos eléctricos bajos. Además,
alrededor de la temperatura ambiente, los mecanismos de dispersión a
intervalos se vuelven importantes. Para silicio de alta pureza,
ligeramente dopado, se ha determinado experimentalmente que la
dispersión de fonones acústicos es dominante a temperaturas por
debajo de 50 K y la movilidad varía como T −3/2 , donde T es la
temperatura absoluta. Aproximadamente a temperatura ambiente, se
produce la dispersión a intervalos y la movilidad del silicio viene dada
por:
⎛ T −2,42

∝ n = 1360 ⎜ ⎞⎟

(2,25)
⎝ 300 ⎠
para electrones 17 y:
∝ p = 495 ⎛ T −2,20

⎜ ⎞⎟ (2,26)
⎝ 300 ⎠
para agujeros. 18 Esta variación de la movilidad de los electrones y los

huecos en el silicio se muestra en la figura 2.11 para el caso de bajas
15 −3
concentraciones de dopaje (por debajo de 10 cm ) en el
semiconductor. Hay una rápida reducción de la movilidad al aumentar
la temperatura, con una reducción en un factor de 2 cuando la
temperatura alcanza los 400 K. Dado que la concentración de dopaje en
la región de deriva de los dispositivos de silicio de alto voltaje es
inferior a 10 15 cm −3 , es Es importante incluir el impacto de la
disminución de la movilidad con la temperatura al analizar las
características del dispositivo porque los dispositivos de potencia
operan a una temperatura superior a la ambiente debido a la
disipación de potencia dentro de la estructura.
1600
1600

1400
1400

12000
∝n
/
Movilidad cm) (Vs

10000 Si
Movilidad cm2)
(/ Vs
2
800
800
∝n
600
600 4H-SiC

400

400
∝p
200

200 Si

0 0

300 320 340 360 380 400 420 440 460 480 500
Temperatura (K)
o

Temperatura ( K)
Fig. 2.11 Dependencia de la temperatura de la movilidad de electrones y huecos
en
silicio y 4H-SiC
Para el 4H-SiC, la dependencia de la temperatura de la

movilidad a bajas concentraciones de dopaje se puede modelar por 4 :
⎛ T −2,70
∝ n (4H-SiC) = 1140 ⎜ ⎞⎟ (2,27)
⎝ 300 ⎠

Esta variación también se muestra en la figura 2.11 mediante la línea

discontinua. Aquí solo se analiza la movilidad de los electrones en
4H-SiC porque es preferible fabricar dispositivos unipolares a partir de
carburo de silicio con regiones de deriva de tipo n .
Dependencia del dopaje
La presencia de átomos donadores o aceptores ionizados en la red de

semiconductores contribuye a una reducción de la movilidad debido a
la dispersión Coulombic adicional de los portadores libres. El impacto
de la dispersión de impurezas ionizadas es mayor a bajas temperaturas
debido a la influencia decreciente de la dispersión reticular. A medida
que aumenta la concentración de dopaje, el impacto de la dispersión
de impurezas ionizadas aumenta, lo que resulta en una reducción de la
movilidad.
Para el silicio, los efectos de dispersión de impurezas ionizadas
son pequeños a temperatura ambiente para concentraciones de dopaje
por debajo de 10 16 cm −3 . En estas condiciones, la movilidad de los
electrones y los huecos puede considerarse independiente de la
concentración de dopaje, con una magnitud de 1360 y 495 cm 2 V −1 s −1 ,
respectivamente. A mayores niveles de dopaje, los datos medidos 19
para la movilidad de los electrones en el silicio a temperatura
ambiente en función de la concentración de dopaje pueden modelarse
mediante:
18
∝ n (Si) = 5.10⋅10 + 92 N D 0.91 (2,28)
15 0,91

3,75 ⋅10 + N D
donde N D es la concentración de donantes por centímetro cúbico.
Cuando la concentración de dopaje es superior a 10 19 cm −3 , la
movilidad de los electrones en el silicio se acerca a un valor constante
de aproximadamente 90 cm 2 V −1 s −1 . Este comportamiento se
representa gráficamente en la figura 2.12.
1600
1400
1200 ∝n

Si
Movilidadcm 2 /)
1000
Movilidad cm2 /)
∝n
(Vs
(Vs
8000
4H-SiC

6000
4000 ∝p

Si
2000
00

1.E + 14 1.E + 1.E + 1.E +17
17 .E + 18 .E + 19
10 14

10 15 10 16
Dopaje
Concentración
10
(cm -3)
10 18

10 19

Fig. 2.12 Movilidad en masa para electrones y huecos en silicio y 4H-SiC
De la misma manera, los datos medidos para la movilidad de los

agujeros en el silicio a temperatura ambiente como una función de la
concentración de dopaje pueden modelarse mediante:
15 0,76
∝ p(Si) = 2,90⋅10

+ 47,7 N A
12 0,76 (2,29)

5,86 ⋅10 +NA
donde N A es la concentración de aceptor por centímetro cúbico.
Cuando la concentración de dopaje es superior a 10 19 cm −3 , la
movilidad de los agujeros en el silicio se acerca a un valor constante de
aproximadamente 50 cm 2 V −1 s −1 . Este comportamiento también se
representa gráficamente en la figura 2.12.
Para el carburo de silicio, la movilidad de los electrones a
temperatura ambiente en función de la concentración de dopaje se
puede modelar mediante 3 :
13
∝ n (4H-SiC) = 4.05⋅10 + 20 N D 0.61 (2,30)
10 0,61

3,55 ⋅10 + N D
Este comportamiento de la movilidad de electrones en 4H-SiC a
temperatura ambiente también se representa en la figura 2.12 en
función de la concentración de dopaje. La dependencia de la movilidad
de los electrones de la concentración de dopaje en carburo de silicio se
ha modelado teóricamente teniendo en cuenta la dispersión de
fonones acústica y óptica polar, así como la dispersión de intervalo. 20
Dependencia del campo eléctrico
La movilidad de los electrones y los huecos en el silicio es

independiente de la magnitud del campo eléctrico solo cuando el
3 -1
campo eléctrico está por debajo de 10 V cm . En este régimen de
operación, se puede suponer que la velocidad de los portadores libres
aumenta linealmente al aumentar el campo eléctrico. En campos
eléctricos superiores a 10 3 V cm −1 , se ha descubierto que la velocidad
de los electrones y los huecos en el silicio aumenta de forma sublineal
con el aumento del campo eléctrico, como se muestra en la figura 2.13,
21
hasta que alcanza un valor saturado. La técnica de tiempo de vuelo
se ha utilizado para medir la velocidad de los electrones y los huecos
en el silicio a varios valores del campo eléctrico ya diversas
temperaturas ambientales. Con base en estos datos empíricos, se
pueden derivar expresiones analíticas que relacionen la velocidad de
deriva con el campo eléctrico.
Para el análisis de dispositivos de potencia, es conveniente
definir una movilidad promedio como la relación entre la velocidad de
deriva y el campo eléctrico en el semiconductor. A bajas
concentraciones de dopaje en silicio, la movilidad promedio de los
electrones se puede relacionar con el campo eléctrico utilizando:
∝ av = 9,85⋅10 6 (2,31)
E
norte ( 1.04⋅10 5 + 1.3 ) 0.77

De manera similar, a bajas concentraciones de dopaje en silicio, la
movilidad promedio de los agujeros se puede relacionar con el campo
eléctrico usando:
∝ av = 8,91⋅10 6 (2,32)
pags ( 1,41⋅10 5 + E 1,2 ) 0,83

En campos eléctricos por debajo de 10 3 V cm -1 , la movilidad de los
electrones y huecos tiene un valor constante y se vuelve inversamente
proporcional al campo eléctrico cuando excede los 10 5 V cm -1 .
.E + 07
10

(cm / s)
Electrones

.E + 06
10
Velocidad
velocidad
(cm /
de
(s

Portador
Agujeros

5
10 .E +. 05 . E + 03 1. E + 04 . E + 05 1. E + 06
E + 02
10 10 10 10 10
Fig. 2.13 Velocidad para electrones y huecos en silicio
Cuando el campo eléctrico se vuelve alto, el segundo término en

el denominador de las expresiones anteriores se vuelve dominante y la
movilidad promedio se vuelve inversamente proporcional a la
intensidad del campo eléctrico. Esto implica que la velocidad de los
portadores libres se ha vuelto constante en un valor dado por el
numerador en las expresiones. Este fenómeno se llama saturación de la
velocidad de deriva . Así como la movilidad depende de la temperatura
ambiente, también se ha descubierto que la velocidad de deriva
saturada depende de la temperatura. Para el caso de los electrones
transportados a lo largo del eje 〈111〉 en el silicio:
v = 1,434⋅10 9 T −0,87 (2,33)
sentado, n

donde T es la temperatura absoluta en Kelvin. Del mismo modo, para el
caso de agujeros transportados a lo largo del eje <111> en silicio:
v = 1,624⋅10 8 T −0,52 (2,34)
sentado, p
donde T es la temperatura absoluta en Kelvin. Dado que los

dispositivos de potencia generalmente están clasificados para operar
entre -25 ° C y 150 ° C, la disminución en la deriva saturada
La velocidad con el aumento de temperatura predicha por estas

ecuaciones se representa en la figura 2.14 en un rango de temperaturas
ligeramente más amplio.
14000000
1.4

12000000
1.2
7 (10 cm / s) 100000 0 Electrones

1.0
Saturado DriftVelocity

80 000
((cm / s

0,8
60
Agujeros
000
0,6

40 000
Deriva

Saturado
0.4

20 000
0,2

00 3.E + 02 3.E + 02 4.E + 02 4.E + 02 5.E + 02 5.E + 02
2.E + 02
200 250 300 350
Campo eléctrico(V / cm)
400 450 500

o
Temperatura ( K)
Fig. 2.14 Velocidad de deriva saturada para electrones y huecos en silicio
Vale la pena señalar que la velocidad de deriva saturada de los

electrones es ligeramente mayor que la de los huecos en el silicio. Sin
embargo, la diferencia se reduce a medida que aumenta la
temperatura. Estos resultados son aplicables para silicio ligeramente
dopado. Los cálculos de Monte Carlo del efecto de los átomos de
impurezas ionizados sobre el transporte de alto campo en el silicio
indican que, además de la disminución de la movilidad, la velocidad de
deriva saturada de electrones y huecos también disminuye cuando la
concentración de dopaje excede los 10 18 cm −3 . Dado que las regiones
de deriva en los dispositivos de potencia, donde prevalecen los campos
eléctricos elevados, están dopadas muy por debajo de este nivel, el uso
de la velocidad de deriva saturada como se describió anteriormente es
adecuado para el análisis de sus características.
La discusión anterior se refiere al transporte de portadores
libres a lo largo de la dirección <111> en la red de silicio. La movilidad
de los electrones y los huecos en el silicio en campos eléctricos bajos es
independiente de la orientación del campo eléctrico con respecto a la
red cristalina. Sin embargo, el transporte anisotrópico de los
portadores libres se observa en campos eléctricos elevados. 22 Esta
anisotropía es causada por la forma elipsoidal de los seis valles de la
banda de conducción y la naturaleza deformada de las subbandas de
valencia . Este comportamiento anisotrópico para el transporte de
portadores en silicio generalmente se ha ignorado durante el análisis
de dispositivos de potencia de silicio.
A bajas concentraciones de dopaje en carburo de silicio, la
movilidad promedio de los electrones se puede relacionar con el
campo eléctrico usando 4 :

∝ av =
∝0
(2,35)

norte
⎡ 2
0,5
⎤
+ (∝ 0 E / v sat, n ) ⎦
1
⎣
donde ∝ 0 es la movilidad de los electrones en 4H-SiC en campos eléctricos bajos

(1140
cm 2 V −1 s −1 ) y v sat, n es la velocidad de deriva saturada de los
electrones en 4H-SiC, que tiene un valor de 2 ⋅ 10 7 cm s −1 . Este
comportamiento de la movilidad media de los electrones en
El 4H-SiC se representa en la figura 2.15. Como era de esperar, en
campos eléctricos por debajo de 10 3 V cm -1 , la movilidad de los
electrones tiene un valor constante y se vuelve inversamente
proporcional al campo eléctrico cuando excede los 10 5 V cm -1 . Como
en el caso del silicio, cuando el campo eléctrico se vuelve alto, el
segundo término en el denominador de la expresión anterior se vuelve
dominante y la movilidad promedio se vuelve inversamente
proporcional a la intensidad del campo eléctrico.
1000 4

(cm 2 / Vs)
0
10 3
MovilidadMovilidad((cm2 / Vs

Promedio
2

Promedio
100

10
10 1
1.E + 02 1.E + 03 1.E + 04 1.E + 05 1.E + 06

10 2 10 3 10 4 10 5 10 6
Campo eléctrico(V / cm)
Fig. 2.15 Movilidad promedio para electrones en 4H-SiC
Dependencia del nivel de inyección
En regiones altamente dopadas de semiconductores, el transporte de

portadores mayoritarios por deriva es dominante debido a la baja
densidad de portadores minoritarios. Sin embargo, en las regiones
ligeramente dopadas de los dispositivos semiconductores, el transporte
de corriente se produce por una combinación de deriva debido a la
presencia de un campo eléctrico y difusión debido a la presencia de
gradientes de concentración para los portadores libres. Dentro de la
región de deriva de los dispositivos de potencia bipolar, el transporte
de electrones y huecos (es decir, portadores mayoritarios y
minoritarios) contribuye al flujo de corriente.
Si se supone que hay un campo eléctrico bajo, la ecuación de
continuidad que rige el transporte de portadores minoritarios en un
semiconductor de tipo n se puede expresar como:
∂ p ' = - p ' + D ∂2p' (2,36)

2
∂t τa un ∂ x
donde p 'es el exceso de concentración de agujeros, y D a y τ a se

definen como el coeficiente de difusión ambipolar y la vida útil
ambipolar , respectivamente. El coeficiente de difusión ambipolar es
una función de la concentración de portador libre:
(n+p)DnDp
D a = ( nD + pD ) (2,37)
norte pags
donde n y p son las concentraciones de electrones y huecos, y D n y D p

son las constantes de electrones y de difusión de huecos,
respectivamente. Estas constantes de difusión se pueden obtener a
partir de los valores de movilidad respectivos utilizando la relación de
Einstein para semiconductores no degenerados:
kT
D= ∝ (2,38)
q
donde k es la constante de Boltzmann y T es la temperatura absoluta. A
niveles de inyección bajos y para niveles de dopaje de varios órdenes
de magnitud por encima de la concentración de portador intrínseco, el
coeficiente de difusión ambipolar es igual a la constante de difusión de
portador minoritario. Esto no es así en los altos niveles de inyección
que se producen en los dispositivos de potencia bipolar durante el
transporte de corriente con alta densidad de corriente en estado activo.
A niveles de inyección bajos, cuando la densidad de los
portadores minoritarios es mucho menor que la concentración de
portadores mayoritarios, la movilidad responsable del transporte del
portador está controlada por la dispersión de impurezas ionizadas o
fonón, como ya se ha comentado. Sin embargo, a altos niveles de
inyección en las regiones de base ligeramente dopadas de los
dispositivos de potencia bipolar durante el flujo de corriente en estado
activo, la densidad de los electrones y los huecos se vuelve
aproximadamente igual para preservar la neutralidad de la carga.
Dado que la densidad de ambos portadores es simultáneamente
grande, la probabilidad de interacción Coulombic mutua de los
portadores libres alrededor de un centro de masa común se vuelve
significativa, lo que resulta en una disminución en la movilidad de
ambos portadores. El coeficiente de difusión y la movilidad
disminuyen a medida que aumenta la concentración del portador
inyectado debido a este fenómeno de dispersión portador-portador . Si
el fenómeno de dispersión de portador-portador se trata como
dispersión de impurezas ionizadas, se puede demostrar que la
movilidad varía inversamente con la concentración de portador
inyectado cuando el nivel de inyección excede los 10 17 cm −3 . Usando
la regla de Matthiessen:
1
=
1
+
n ln ( 1+ 4.54⋅10 11
n −0.667 ) (2,39)
20
∝ ∝ 0 1.428⋅10
donde ∝ es la movilidad a una densidad de portadores de “ n ” por

centímetro cúbico, y ∝ 0 es la movilidad de portadores mayoritarios (es
decir, ∝ n o ∝ p ). Al derivar esta expresión, se asumió que prevalecen las
condiciones de inyección de alto nivel , de modo que la concentración
de electrones ( n ) es igual a la concentración de huecos ( p ). La
disminución de la movilidad de los electrones y los huecos en el silicio
con el aumento de portador inyectado.
la concentración se representa en la figura 2.16. Esta disminución en la

movilidad debe tenerse en cuenta durante el modelado de la capacidad
de manejo de la caída de voltaje directo y la sobretensión de los
dispositivos de potencia bipolar a altas densidades de corriente.
16000
14000
12000
10000

Electrones

/)
Movilidad cm 2 /
Movilidad (Vs
cm2)
(/ Vs

8000

6000
4000

Agujeros

2000
0 .E0+ 14 .E + 15 .E + 16 .E + 17 .E + 18 .E + 19
10 14 10 15 10 16 10 17 10 18 10 19
Concentración de portadores (cm -3)
-3
Concentración de portadores (cm )
Fig. 2.16 Portador-portador que dispersa la movilidad limitada para electrones y

huecos en el silicio
Dependencia de dispersión superficial
El flujo de corriente en los MOSFET e IGBT de potencia se produce por

el transporte de portadores cerca de la interfaz óxido-semiconductor .
En el caso de un MOSFET de canal n , el flujo de corriente en estado
activado es inducido por la formación de una capa de inversión en la
región de base P mediante la aplicación de un voltaje de puerta para
crear un campo eléctrico fuerte normal a la región del semiconductor.
La conductividad de la capa de inversión depende del número de
portadores libres inducidos por la polarización de la puerta en la capa
de inversión y su movilidad a lo largo de la superficie. El transporte de
corriente a través del canal se logra mediante la aplicación de un
campo eléctrico transversal con la corriente limitada por las
propiedades de transporte cerca de la superficie del semiconductor.
En los campos eléctricos altos requeridos a través del óxido de
la puerta para crear la capa de inversión, los portadores libres en el
canal están confinados a una capa delgada ubicada cerca de la
superficie. A bajas temperaturas, el movimiento de los portadores
dentro de la capa de inversión se cuantifica en una dirección
perpendicular a la superficie. A temperatura ambiente, la energía
cinética de los electrones distribuye su función de onda entre los
niveles cuánticos y el transporte de electrones puede tratarse
utilizando la estadística clásica.
En la figura 2.17 se muestra una representación gráfica de la
interfaz óxido-semiconductor con una interfaz aproximada entre las
capas. En los MOSFET de potencia y los IGBT, se crea una capa de
inversión que consta de electrones cerca del semiconductor.
superficie debido al campo eléctrico aplicado ( E N ) normal a la

superficie del semiconductor. Los electrones en la capa de inversión
tienen una distribución gaussiana, como se ilustra en el lado derecho
de la figura, y están ubicados cerca de la superficie, típicamente en el
rango de 100 Å. Además de la dispersión de Coulombic debido a los
aceptores ionizados, los electrones en la capa de inversión se someten
a varios otros procesos de dispersión: (a) dispersión de fonones de
superficie debido a las vibraciones de la red, (b) dispersión de
Coulombic adicional debido a la carga del estado de la interfaz y la
carga de óxido fija y (c) dispersión de la rugosidad de la superficie
debido a la desviación de la superficie de una interfaz especular. Como
en el caso del transporte de portadores a granel, la dispersión de
fonones es importante a altas temperaturas cuando la energía térmica
en la red se vuelve grande. La influencia de la dispersión de Coulombic
debido a la carga del estado de la interfaz y la carga de óxido fija es
importante en el caso de superficies ligeramente invertidas y cuando
las condiciones de procesamiento producen un estado de interfaz alto
y densidades de carga de óxido fijas. La dispersión de la rugosidad de
la superficie es predominante en condiciones de fuerte inversión
porque el campo eléctrico normal a la superficie debe incrementarse
para producir una alta concentración de la capa de inversión. El campo
eléctrico normal alto aumenta la velocidad de los portadores hacia la
superficie y acerca la distribución de carga de la capa de inversión a la
superficie. Ambos factores mejoran la dispersión del portador en la
interfaz aproximada con el óxido, como se ilustra en la figura. La
dispersión de la rugosidad de la superficie es sensible a procesos que
influyen en la suavidad de la superficie. Una comprensión cuantitativa
de la movilidad de la portadora en las capas de inversión y
acumulación es de importancia para el modelado y diseño adecuados
de los dispositivos de potencia alimentados por MOS .

Electrones libres

Carga de óxido fija +

Aceptores ionizados -
Cargo por estado de interfaz +
Metal

Óxido

+ EN ++ Concentración de portadores

+ + +
+ + 0 Inversión
Capa
ET x yo

Semiconductor - - -
-
Agotamiento
Capa
- -
- -
PAGS

Fig.2.17 Transporte de corriente en la interfaz entre el óxido y el semiconductor en un

Estructura MOSFET
La dependencia de la movilidad de la superficie de varios

parámetros se analiza a continuación. Para facilitar esta discusión, es
útil definir una movilidad efectiva (∝ e ) para los portadores en las capas
de inversión o acumulación:
∫
x yo
∝ ( x ) norte ( x ) d x
∝ e =

0
X (2,40)

∫ i
n(x)dx
0

donde ∝ ( x ) yn ( x ) son la movilidad local y la concentración de

portadores libres en la capa de inversión a una profundidad x desde la
interfaz óxido-semiconductor y x i es el espesor de la capa de inversión.
Definida de esta manera, la movilidad efectiva es una medida de la
conductancia de la capa de inversión y, por lo tanto, es eminentemente
adecuada para el cálculo de la resistencia del canal en dispositivos con
compuerta MOS . De hecho, la determinación de la movilidad efectiva
se suele realizar mediante el uso de MOSFET laterales diseñados
específicamente para extraer este parámetro. Al realizar estas
mediciones, se debe prestar especial atención a la orientación de la
superficie, la dirección del vector de flujo de corriente y la densidad de
carga de la superficie porque influyen en la magnitud de la movilidad
efectiva. Además, se ha descubierto que la captura de carga tiene un
fuerte impacto en la movilidad de la capa de inversión en el carburo de
silicio. Se han utilizado estructuras especiales de movilidad Hall para
extraer la movilidad efectiva en este caso.
La movilidad superficie se ha encontrado que es una fuerte
función del campo eléctrico ( E N ) normal a la superficie en lugar de la
concentración capa de inversión, que es dependiente sobre el nivel de
fondo de dopaje y la polarización de compuerta aplicada. Como se
ilustra en la figura 2.17, la carga de la capa de inversión se distribuye
cerca de la superficie con un perfil gaussiano. El campo eléctrico
experimentado por los portadores libres en la capa de inversión varía
desde el campo eléctrico máximo en la interfaz óxido-semiconductor
hasta el de la interfaz de la capa de agotamiento. Para el mismo campo
eléctrico de superficie máxima, el campo eléctrico promedio en la capa
de inversión variará con el nivel de dopaje de fondo. Para describir el
efecto de la intensidad del campo eléctrico normal a la superficie sobre
la movilidad efectiva, es apropiado usar el campo eléctrico promedio
en lugar del campo eléctrico de superficie pico. Este campo eléctrico
efectivo ( E eff ) viene dado por:
mi = 1 ⎛⎜ 1 Q + Q ⎞
⎟ (2,41)
ef ε S ⎝ 2 inv B
⎠
donde Q inv es la densidad de carga de la capa de inversión por
centímetro cuadrado y Q B es la densidad de carga de la capa de
agotamiento global por centímetro cuadrado. Para el mismo campo
eléctrico de superficie pico, el campo eléctrico efectivo se hará más
pequeño a medida que disminuya el nivel de dopaje de fondo.
La movilidad efectiva en una capa de inversión disminuye al
aumentar el campo eléctrico como se discutió anteriormente. En la
figura 2.18 se muestra una variación típica de la movilidad efectiva con
el aumento del campo eléctrico normal a la superficie. En general, se ha
encontrado que la movilidad efectiva aumenta muy rápidamente al
aumentar la concentración de la capa de inversión en condiciones de
inversión débil como lo indica la línea discontinua en la figura. A
medida que aumenta la concentración de la capa de inversión, la
movilidad efectiva tiene un valor máximo y luego disminuye. El
aumento de la movilidad efectiva a concentraciones bajas de la capa de
inversión se ha relacionado con la dispersión Coulombic en
estados de interfaz cargados. Si la densidad del estado de la superficie

se reduce adecuadamente mediante condiciones de proceso adecuadas,
la movilidad efectiva permanece independiente de la concentración de
la capa de inversión en el régimen de inversión débil. 23 Cuando el
campo eléctrico normal a la superficie excede 10 4 V cm −1 , la
movilidad efectiva comienza a disminuir al aumentar la carga de la
capa de inversión. El aumento de la dispersión superficial por el campo
eléctrico normal más grande es responsable de esta degradación.
Movilidad de superficie efectiva
Movilidad máxima ( ∝ e, max )
Campo eléctrico normal a la superficie
Fig. 2.18 Movilidad efectiva de la capa de inversión
Para electrones en capas de inversión de silicio, la movilidad

efectiva puede describirse como una función del campo eléctrico
efectivo mediante:
⎛ β
∝

=∝

⎜ E C ⎞⎟ (2,42)
mi e, max ⎝ mi ⎠
ef

donde ∝ e, max es la máxima movilidad efectiva para un nivel de dopaje
de fondo dado y una densidad de carga de óxido fija. Los parámetros E
c y β son constantes empíricas que dependen de la densidad de carga
de óxido fijo y el nivel de fondo de dopaje. Estas constantes se han
medido para las técnicas de oxidación comúnmente utilizadas para la
fabricación
24
de dispositivos de silicio empleando vapor u oxígeno seco.
El parámetro β es una medida de la tasa de degradación de la
movilidad efectiva con el aumento del campo eléctrico normal a la
superficie. Tiene una gran influencia en la resistencia de encendido y
la transconductancia de los dispositivos alimentados por MOS de
potencia . Basado en extracción empírica:
β húmedo = 0.341− 5.44⋅10 −3 log ( N A ) (2,43)

para condiciones de oxidación húmeda y
β seco = 0.313 - 6.05⋅10 −3 log ( N A ) (2,44)

para condiciones de oxidación seca. Se cree que la diferencia entre las
condiciones de oxidación húmeda y seca está relacionada con la
velocidad de crecimiento más lenta del óxido seco, lo que da como
resultado una interfaz más suave entre el óxido y el semiconductor.
Dado que la dispersión de la rugosidad de la superficie se vuelve
dominante en campos eléctricos elevados, la oxidación en seco
produce una movilidad eficaz superior en condiciones de fuerte
inversión. En condiciones típicas de procesamiento de dispositivos de
potencia, β = 0,25, es decir, la movilidad efectiva disminuye
inversamente a la cuarta potencia del campo eléctrico efectivo.
La constante E c depende de la densidad de carga fija y el nivel
de fondo de dopaje. Basado en extracción empírica:
E = 2⋅10 −4 N 0,25 A y BQ f (2,45)

C UN

donde N A es la concentración de dopaje de fondo y Q f es la densidad
de carga fija. Los parámetros A y B dependen de las condiciones del
proceso de crecimiento del óxido. Para condiciones de oxidación
húmeda, A = 2,79 ⋅ 10 4 V cm −1 y B = 8,96 ⋅ 10 −2 cm 2 , mientras que para
condiciones de oxidación seca A = 2,61 ⋅ 10 4 V cm −1 y B = 1,3 ⋅ 10 −1 cm 2
. La densidad de carga fija Q f está en unidades de 10 11 cm −2 en esta
expresión. La influencia de la concentración de dopaje del sustrato es
pequeña, mientras que la densidad de carga fija tiene una fuerte
influencia sobre la movilidad efectiva en un amplio rango de
intensidad de campo eléctrico.
16000
(Vs /
14000

cm)
A granel ∝ n

12000
2
Máximo EficazMovilidad

Inversión
10000
Movilidad cm2 /)
Q f = 1 x 10 11 cm -2

(Vs
8000

6000

Inversión
4000
Q f = 3 x 10 11 cm -2

2000
0
0
1.E + 14 1.E + 15 1.E + 16 1.E + 17

10 14 10 15 10 16 10 17

Figura 2.19 Movilidad efectiva de la capa de inversión para electrones en silic

La máxima movilidad efectiva de la capa de inversión para los
electrones en el silicio se ha medido en función de la concentración de
dopaje del sustrato. 24 El comportamiento observado se representa en
la figura 2.19 para dos casos de carga de óxido fija junto con la
movilidad global para comparar. Se puede ver que la movilidad
efectiva disminuye logarítmicamente al aumentar la concentración de
dopaje en el sustrato. Esta disminución no se debe a una mayor
dispersión de impurezas ionizadas. Dado que el espesor de la capa de
inversión es del orden de 100 Å de espesor, el número de impurezas
ionizadas es inferior a 10 10 por centímetro cuadrado para niveles de
dopaje de hasta 10 16 cm −3 . Este es un orden de magnitud más
pequeño que la densidad de carga de óxido fija típica, lo que hace que
la dispersión de impurezas ionizadas sea ineficaz. La disminución
observada en la movilidad efectiva con el aumento de la concentración
de dopaje surge principalmente de los campos eléctricos más altos, que
deben aplicarse de manera normal a la superficie para producir la
inversión de la superficie.
Los datos medidos indican que la máxima movilidad de la capa
de inversión es del 75 al 85% del valor global para el dopaje del
sustrato que varía de 10 14 a 10 17 cm −3 si la carga de óxido fija es
pequeña. Si las condiciones de procesamiento producen una gran
carga de óxido fija, la máxima movilidad efectiva puede degradarse
severamente. Este comportamiento de la movilidad máxima de la capa
de inversión se puede modelar empíricamente mediante:
∝ e , máx. = ∝ 0
(2,4

1+ α Q f
donde los parámetros ∝ 0 y α dependen de la concentración de dopaje
de fondo ( N A ) por centímetro cúbico inverso dado por:
∝ 0 = 3490 −164log ( N A ) (2,47)

y
α = −0,104 + 0,0193 log ( N A ) (2,48)

Los gráficos de la figura 2.19 tienen en cuenta esta dependencia de la
movilidad de la capa de inversión de la concentración de dopaje de
fondo. Si la densidad de carga de la interfaz es significativa, debe
agregarse a la carga fija ( Q f ) al calcular la movilidad de la capa de
inversión utilizando (2.46).
La movilidad efectiva de los huecos en las capas de inversión
25,26
también se ha medido en silicio pero con menos detalle que para
los electrones. La disminución observada en la movilidad efectiva de
los agujeros sobre la carga de la capa de inversión se muestra en la Fig.
2.20. Esta variación se puede describir con (2.42) cuando la
11 −2
concentración de la capa de inversión excede 5 ⋅ 10 cm usando E c =
4 −1
3 ⋅ 10 V cm y β = 0.28. La dependencia de estos parámetros de la
concentración de dopaje y la carga fija no se ha estudiado en detalle.
300
Movilidad(cm 2 / Vs)
250
200
Movilidad cm2 /)
(Vs
150

100
ero
M
Aguje
Eficaz
50

0 0
1.E + 10 1.E + 11 1.E + 12
10 10 10 11 Carga de la capa de inversión (cm -2) 10 12

Concentración de la capa de inversión (cm -2 )
Figura 2.20 Movilidad efectiva de la capa de inversión para agujeros en silicio

También se ha encontrado que la movilidad efectiva en las

capas de inversión en silicio es anisotrópica. Su valor depende no solo
de la orientación del plano de la superficie en la que se forma la capa
de inversión, sino también de la dirección del vector de flujo de
corriente dentro de esta superficie. Las mediciones 27,28 de la movilidad
efectiva de los electrones en muchas orientaciones superficiales del
silicio han demostrado que:
∝ e (100)> ∝ e (111)> ∝ e (110) (2,49)

mientras que para agujeros en superficies de silicona
∝ p (110)> ∝ p (111)> ∝ p (100) (2,50)

Esta variación de la movilidad efectiva sobre la orientación del cristal
se ha correlacionado con la anisotropía de la masa efectiva de
conductividad en el silicio. Con base en estas observaciones, es típico
fabricar MOSFET e IGBT de potencia de canal n utilizando silicio
orientado (100) como material de partida.
La anisotropía intraplanaar 24,27 de la movilidad efectiva de los
electrones en las capas de inversión también se ha informado para el
silicio. Para la misma concentración de dopaje de sustrato y densidad
de carga de óxido fija, la movilidad efectiva a lo largo del
Se ha descubierto que la dirección [100] es un 30% mayor que la
dirección [110]. La relación de la movilidad efectiva permanece
constante con el aumento del campo eléctrico efectivo normal a la
superficie, lo que indica que la rugosidad de la superficie es isotrópica
y que la diferencia entre las movilidades surge de la anisotropía de la
masa efectiva de conductividad en el silicio. Se han realizado estudios
similares para
carburo de silicio. 29 Los resultados muestran solo una dependencia

débil de la orientación porque la alta densidad de estados de la interfaz
tiende a enmascarar la dependencia de la orientación.
Los resultados anteriores son aplicables a superficies
preparadas mediante procesos de pulido químico-mecánicos que son
una práctica estándar en la industria. Son relevantes para el diseño y
análisis de estructuras MOSFET e IGBT de potencia de puerta plana. En
los últimos años, se ha logrado una mayor densidad de canales para
estos dispositivos al ubicar el electrodo de puerta MOS dentro de
zanjas grabadas en la superficie de silicio. La movilidad efectiva de los
electrones en las capas de inversión formadas a lo largo de las paredes
laterales de la zanja suele ser menor que en la superficie plana pulida
debido a la rugosidad de la superficie mejorada. La rugosidad de la
superficie depende de la química del grabado y puede reducirse
disminuyendo la velocidad de grabado. Los resultados de las
mediciones 30 de la movilidad efectiva en las paredes laterales de la
zanja han demostrado que las movilidades comparables a los de la
superficie plana se puede obtener si se toman las precauciones
adecuadas para asegurar la suavidad de las paredes laterales de la
zanja, seguido de etapas de oxidación de sacrificio para eliminar el
daño a la superficie creado por el proceso de
grabado con iones reactivos utilizado para fabricar las trincheras.
También se utiliza una capa de acumulación para mejorar el
transporte de corriente en las estructuras MOSFET e IGBT de potencia.
La capa de acumulación se forma cuando el campo eléctrico normal a
la superficie del semiconductor atrae a la mayoría de los portadores a
la superficie. Los portadores ubicados en la capa de acumulación se
distribuyen más lejos de la superficie que en el caso de las capas de
inversión, reduciendo el impacto de la dispersión por rugosidad
superficial. Por lo tanto, se puede esperar que la movilidad efectiva sea
mayor en las capas de acumulación que para el mismo tipo de
portadores en una capa de inversión. Se ha informado que la
movilidad efectiva medida para los electrones en las capas de
acumulación de silicio 24 es aproximadamente el 80% de la movilidad
total. La movilidad de acumulación también disminuye con el aumento
del campo eléctrico normal a la superficie, como se observa en las
capas de inversión, y también muestra anisotropía. La anisotropía de
la movilidad efectiva de los electrones en el silicio se ha atribuido a la
anisotropía de la masa efectiva de los electrones en el silicio.
Como en el caso del transporte de corriente a granel, la
velocidad de los portadores dentro de las capas de inversión también
puede sufrir saturación cuando el campo eléctrico transversal se
vuelve grande. La velocidad de deriva saturada en una capa de
inversión de silicio es función de la orientación de la superficie y se ha
encontrado que es menor que la observada en la masa. En el caso de
los pozos, la mayor velocidad de deriva saturada se observa para la
orientación (100). 31 En el caso de los electrones, la velocidad de deriva
saturada se ha medido en función de la temperatura para diversas
orientaciones de la superficie. 32 Los datos medidos se pueden ajustar
mediante:
v yo =v-δT (2,51)
sentado, n 0
donde v 0 es la velocidad de deriva saturada a 0 K y T es la temperatura

absoluta en Kelvin. Los valores de v 0 para las diferentes orientaciones
6 −1 6
son los siguientes: 8,9 ⋅ 10 cm s para la orientación (100), 7,4 ⋅ 10
−1 6 −1
cm s para la orientación (111) y 6,2 ⋅ 10 cm s para la orientación
3 -1 -1
(110). Un valor de 7 ⋅ 10 cm s K para el δ constante proporciona un
buen ajuste a los datos medidos para todas las tres orientaciones.
2.2 resistividad
En ausencia de los dopantes, la resistividad intrínseca está

determinada por los electrones y los huecos creados por el proceso de
generación térmica. La resistividad de una región semiconductora se
puede controlar mediante la adición de dopantes a la red cristalina. En
el caso del material de partida, la resistividad del silicio de tipo n se
controla habitualmente mediante la adición de fósforo y la resistividad
del silicio de tipo p se controla habitualmente mediante la adición de
boro durante el crecimiento del cristal.
2.2.1 Resistividad intrínseca
Una región semiconductora intrínseca contiene una concentración

igual de electrones y huecos producidos por el proceso de generación
térmica. La resistividad intrínseca (ρ ι ) de la región del semiconductor
se rige entonces por el transporte de ambos portadores según lo dado
por:
1
ρi= (2,52)
qn yo ( ∝ n + ∝ p )
donde ∝ n y ∝ p son la movilidad de los electrones y huecos, y n i es la
concentración intrínseca del portador. A temperatura ambiente, la
resistividad intrínseca del silicio es
5
2,5 ⋅ 10 Ω cm. A temperaturas elevadas, la resistividad intrínseca se
reduce rápidamente por el aumento de la concentración de portador
intrínseco. Al usar (2.2) para la concentración de portador intrínseco:
ρ i = 1,75⋅10 −7 T 0,8 e 7020 / T (2,53)
donde T es la temperatura absoluta en Kelvin.
2.2.2 Resistividad extrínseca
La resistividad de una región semiconductora se puede alterar

mediante la adición de cantidades controladas de impurezas. La
adición de elementos de impurezas de la quinta columna de la tabla
periódica a la red de silicio produce material de tipo n con una
preponderancia de electrones, y la adición de elementos de impurezas
de la tercera columna de la tabla periódica a la red de silicio produce
el tipo p material con preponderancia de agujeros. Los dopantes de
tipo n más utilizados durante la fabricación de dispositivos de potencia
son el fósforo y el arsénico, como en el caso de los circuitos integrados
para el procesamiento de señales. El dopante de tipo p más utilizado
para circuitos integrados es el boro. Aunque el boro también se utiliza
para la fabricación de dispositivos de potencia, como los MOSFET de
potencia e IGBT, el aluminio y el galio se utilizan comúnmente para la
fabricación de tiristores de potencia y GTO debido a sus mayores
coeficientes de difusión.
Los coeficientes de difusión del galio y el aluminio se comparan

con los del boro en la figura 2.21 para el rango de temperatura
utilizado para la fabricación de estructuras de dispositivos eléctricos.
En los MOSFET e IGBT de potencia modernos, los dopantes no son
impulsados por grandes distancias después de la implantación de iones
de los dopantes. Esto favorece el uso de boro para la formación de las
regiones de base P dentro de estas estructuras. Sin embargo, en el caso
de los tiristores de potencia diseñados para soportar voltajes muy altos,
es ventajoso formar regiones de tipo p profundas con un perfil de
dopaje graduado para permitir soportar parte del voltaje en el lado
difuso de la unión. Tales uniones graduadas y profundas también son
favorables para la formación de terminaciones de borde biselado con
voltajes de ruptura que se acercan al voltaje de ruptura ideal
en el plano paralelo . En consecuencia, es común usar galio y aluminio
como dopantes de tipo p para las regiones de base P dentro de
tiristores y GTO. El coeficiente de difusión del aluminio en el silicio es
un factor 5 veces mayor que el del boro a temperaturas típicas. Por lo
tanto, se puede lograr una unión profunda con una profundidad de 100
∝m utilizando difusión de aluminio a 1200 ° C en 98 h (4 días). Por el
contrario, se necesitarían 556 h (23 días) para obtener la misma
profundidad de unión usando difusión de boro a la misma
temperatura. Obviamente, es factible un ahorro considerable en el
tiempo de procesamiento utilizando aluminio en lugar de boro en este
caso. Otra ventaja de usar aluminio en lugar de boro es que su radio
iónico es comparable al del silicio, lo que reduce al mínimo la
deformación por desajuste en la red. Se pueden formar uniones
superiores utilizando la difusión de aluminio en tubos sellados para
obtener una concentración superficial baja con un perfil de dopaje
altamente graduado.
. E - -10
10

-11
. S-11
10
cm)
Aluminio
/ s)

2
. E - -12 Galio

10

Boro

10 -13 . S-13

. E - - 14 14

10 0,65 .70 0,75 0. 0,85 0.
0. 60 0,70 0. 80 0. 9
1000 / [Temperatura (K)]

1000 / [Temperatura ( o K)]
Figura 2.21 Coeficientes de difusión de dopantes en silicio

medidoLa
33 resistividad

extrínseca
sobre un34amplio rango de silicio dopado condefósforo
concentraciones dopaje.se ha

Medidas similares
también se han realizado para silicio de tipo P dopado con boro. Estos
datos de resistividad se muestran en la figura 2.22 en función de la
concentración de dopaje. La resistividad del silicio tipo P es mayor que
la del silicio tipo N en cualquier concentración de dopaje dada debido a
la menor movilidad de los agujeros en el silicio.
1.0E + 03

10
2
1.0E + 02

10
1
1.0E + 01
10
Ohmios-cm))
Tipo P
1.0E + 0 0
(-cm

10

1.0E- - 01 Tipo N

Resistividad
10
1.0E-
10 - 02
-3
1.0E-03

10
1.0E- - 04 4

10 .E + 13 .E + 14 .E + 15 .E + 16 .E + 17 .E + 18 .E + 19 .E + 2 20
10 10 10 10 10 10 10 10
Fig. 2.22 Resistividad de tipo N y de tipo P de silicio
Utilizando la relación entre la concentración de dopaje y la

movilidad de los electrones en el silicio dada por (2.28), la resistividad
del silicio de tipo N puede relacionarse con la concentración de dopaje:
3,75⋅10 15 + N D 0,91
ρ n (Si) = 1,47 ⋅10 −17 N D 1,91 + 8,15⋅10 −1 N D (2,54)
donde N D es la concentración de donante por centímetro cúbico.
15 −3
Cuando la concentración de dopaje es menor de 10 cm , la
movilidad de los electrones en el silicio se acerca a un valor constante
de aproximadamente 1360 cm 2 V −1 s −1 . La resistividad se vuelve
entonces inversamente proporcional a la concentración de dopaje:
ρ n (Si) =4,6⋅10 15 (2,55)

ND
Esta expresión es adecuada para calcular los valores de silicio de alta
resistividad con bajas concentraciones de dopaje, como las regiones de
base N de tiristores de alto voltaje y GTO. Cuando la concentración de
19 −3
dopaje se vuelve superior a 10 cm , la movilidad de los electrones
en el silicio vuelve a acercarse a un valor constante de
aproximadamente
2 −1 −1
90 cm V s . La resistividad también se vuelve inversamente
proporcional a la concentración de dopaje:
ρ n (Si) =6,94⋅10 16 (2,56)

ND
De manera similar, al usar la relación entre la concentración de
dopaje y la movilidad para los agujeros en el silicio dada por (2.29), la
resistividad para el silicio de tipo P puede relacionarse con la
concentración de dopaje:
5,86⋅10 12 + N A 0,76
ρ p (Si) = 7,63⋅10 −18 N A 1,76 + 4,64⋅10 −4 N A (2,57)
donde N A es la concentración de aceptor por centímetro cúbico.
Cuando la concentración de dopaje es inferior a 10 15 cm −3 , la
movilidad de los agujeros en el silicio se acerca a un valor constante de
aproximadamente 495 cm 2 V −1 s −1 . La resistividad se vuelve entonces
inversamente proporcional a la concentración de dopaje:
ρ p (Si) =1,26⋅10 16 (2,58)

NA
Esta expresión es adecuada para calcular los valores de silicio de alta
resistividad con bajas concentraciones de dopaje, como las regiones de
deriva de los MOSFET de potencia de canal p de alto voltaje . Cuando la
19 −3
concentración de dopaje se vuelve superior a 10 cm , la movilidad
de los agujeros en el silicio vuelve a acercarse a un valor constante de
aproximadamente 50 cm 2 V −1 s −1 . La resistividad también se vuelve
inversamente proporcional a la concentración de dopaje:
ρ p (Si) =1,25⋅10 17 (2,59)

NA
La resistividad del material de partida requerida para la
fabricación de dispositivos de potencia con voltajes de ruptura
superiores a 100 V supera 1 Ω cm para el silicio tipo N y 3 Ω cm para el
silicio tipo P. El material de partida utilizado para la fabricación de
dispositivos de potencia es preferiblemente material a granel debido a
su menor densidad de defectos en comparación con el material
epitaxial. Cuando el voltaje de ruptura excede los 2000 V, el espesor de
la región de deriva es suficiente para permitir la utilización de
material a granel con difusión realizada en ambos lados de la oblea
para formar las regiones semiconductoras en tiristores, GTO e IGBT.
Cuando el voltaje de ruptura es inferior a 1500 V, el grosor de la región
de deriva se vuelve demasiado pequeño para permitir la manipulación
de las obleas delgadas a través del proceso de fabricación sin
problemas de rotura. Por lo tanto, se prefiere el material de partida
epitaxial para los MOSFET de potencia y los IGBT clasificados a voltajes
más bajos.
2.2.3 Dopaje por transmutación de neutrones

En el caso de tiristores con capacidad de bloqueo de voltaje superior a
2000 V, se utiliza material de tipo N a granel como material de partida.
Dado que se requiere una baja concentración de oxígeno para evitar la
formación de precipitados que pueden afectar negativamente a las
características de ruptura, se prefiere el silicio de la zona de flotación
(FZ) al silicio de Czochralski (CZ). Estos dispositivos de alto voltaje
también deben ser capaces de manejar corrientes muy altas como se
indica para las aplicaciones discutidas en el Cap. 1. Es típico fabricar
tiristores y GTO a partir de una oblea de silicio completa de 3 o
4 pulgadas de diámetro . Las variaciones en la resistividad a través de
la oblea pueden tener un fuerte impacto en la distribución del voltaje
de ruptura. En los dispositivos que contienen la espalda con espalda
uniones, tales como tiristores, la tensión de ruptura está limitada por
-base abierta ruptura transistor. El voltaje de ruptura del dispositivo
puede entonces verse limitado por efectos de alcance en las regiones
de resistividad más alta y efectos de ruptura de avalancha en las
regiones de resistividad más baja. Las grandes variaciones en la
resistividad requieren compromisos de diseño, que aumentan el grosor
de la región de deriva, lo que lleva a un aumento en la caída de voltaje
en estado activo y pérdidas de potencia.
La resistividad no homogénea en las obleas de silicio cultivadas
mediante el proceso de la zona de flotación se produce en forma de
estrías que se atribuyen a fluctuaciones locales en la tasa de
crecimiento causadas por variaciones de temperatura. Estos cambios
en la tasa de crecimiento inducen variaciones en la incorporación de
dopante en el cristal porque el coeficiente de segregación efectivo está
determinado por la tasa de crecimiento. Los métodos avanzados de
crecimiento de cristales han permitido reducir la variación de
resistividad en el rango de + 15% a -15%. Incluso se puede obtener un
material de mirada superior utilizando el proceso NTD.
El proceso de NTD 35 se basa en la conversión del isótopo Si 30 en

átomos de fósforo mediante la absorción de neutrones térmicos. El
silicio natural consta de tres isótopos: el isótopo Si 28 tiene una
abundancia del 92,27% en la red; el isótopo Si 29 tiene una abundancia
del 4,68% en la red; y el isótopo Si 30 tiene una abundancia del 3,05% en
la red. Estos isótopos se distribuyen uniformemente dentro de la red de
silicio. El proceso de NTD tiene lugar en un reactor nuclear mediante la
absorción de neutrones térmicos. La captura de neutrones térmicos
por los tres isótopos naturales ocurre en proporción a su abundancia
en la red y sus secciones transversales de captura . La absorción de un
neutrón por los isótopos conduce a las siguientes reacciones nucleares:
Si 28 ( n , γ)Si 29 (2,60)
Si 29 ( n , γ)Si 30 (2,61)
Si 30 ( n , γ) Si 31 → P 31 + β (2,62)
Las secciones transversales para la absorción de neutrones térmicos
para estas reacciones son 0.08, 0.28 y 0.13 graneros (un granero
equivale a 10-24 cm 2 ), respectivamente. Las dos primeras reacciones
simplemente alteran las proporciones de isótopos dentro del cristal de
silicio. Desde el dopaje
inducida por el proceso NTD es pequeña en comparación con la

densidad de átomos de silicio, esta alteración puede despreciarse. La
tercera reacción crea los átomos de fósforo que pueden utilizarse para
producir dopaje de tipo n en el cristal de silicio.
Flujo de neutrones Lingote de silicio
Reactor
utrones
re
Núcleo
Φ
Φ0
Flujo de neu
Densidad
0 Distancia x
Fig. 2.23 Dopaje por transmutación de neutrones de un lingote de silicio
Se da la concentración de donante de fósforo creada por el proceso de

NTD
por:
C donante = 2.06⋅10 −4 Φ t (2,63)

donde Φ es la densidad de flujo de neutrones térmicos y t es el tiempo

de irradiación. Basándose en la distribución homogénea del isótopo de
Si 30 en el cristal de silicio, se puede crear una distribución homogénea
de fósforo si se asegura un flujo uniforme de neutrones dentro de
todas las porciones del cristal de silicio durante la irradiación. Sin
embargo, la uniformidad de la resistividad dentro del cristal de silicio
después de la irradiación se ve comprometida por el desprendimiento
de los neutrones a medida que atraviesan el cristal y la presencia de
cualquier dopante distribuido de manera no homogénea en el material
de partida.
Durante el proceso de transmutación de neutrones, el lingote de
silicio se coloca dentro de un reactor nuclear en una ubicación que
contiene un flujo uniforme de neutrones térmicos que emanan del
núcleo del reactor, como se ilustra en la figura 2.23. Si se supone que el
lingote de silicio está rodeado por un medio con las mismas
propiedades de absorción de neutrones térmicos que el silicio, la
influencia de la absorción de los neutrones térmicos por el silicio
puede modelarse mediante
Φ = Φ 0 e -x/b (2,64)
donde Φ es la densidad de flujo de neutrones térmicos en una posición

x en el lingote como se indica en la figura 2.23 y Φ 0 es la densidad de
flujo de neutrones térmicos en x = 0 (en el borde del lingote). La
constante b es la longitud de desintegración (19 cm) para la absorción
de neutrones térmicos en el silicio. Para un lingote de diámetro d , se
crea una concentración de fósforo proporcional a Φ 0 en un borde del
lingote, mientras que se crea una concentración más baja
(proporcional a Φ 0 e - d / b ) en su borde opuesto. Esto produce una
distribución no homogénea de fósforo por el proceso de NTD, lo que
lleva a una variación de resistividad dada por ± tanh ( d / 2 b ).
20 .0

18 .0

Sin rotación de lingotes
Variación de resistividad (+/-
16 .0

14 .0
Variación de resistividad

12 .0

((+/- porcentaje
10 .0

.0
8
(porcentaje
6 .0
4 .0
2 .0 Con rotación de lingotes

0 .0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

0 20 40 60
de la oblea de silicio (cm) 80 100
Diámetro
Diámetro del lingote de silicio (mm)
Fig. 2.24 variación de la resistividad producido por el proceso de NTD en un
silicio Lingote
En la figura 2.24 se muestra la variación de la resistividad a lo

largo del diámetro del lingote de silicio debido a la absorción de los
neutrones térmicos. Puede observarse que la absorción de los
neutrones térmicos puede provocar una variación significativa de la
resistividad cuando el diámetro del lingote supera los 20 mm. Los
tiristores modernos de alta corriente se fabrican utilizando obleas con
diámetros de hasta 4 pulgadas (100 mm). Una variación de resistividad
de más de ± 20% en estas obleas con el proceso NTD excedería la que se
puede lograr con el proceso FZ, lo que hace que esta tecnología sea
inaceptable. Este problema puede superarse mediante la rotación de
los lingotes de silicio durante la irradiación de neutrones. Si se supone
que el lingote sufre muchas rotaciones completas durante el tiempo de
irradiación en el reactor, la resistividad máxima se producirá en el eje
del lingote, con la resistividad más baja en la periferia. La relación
entre la dosis de neutrones en la periferia y la dosis en el eje del lingote
cilíndrico viene dada por 36 :
2
Φ (periferia) 1 ⎛d⎞
= 1+
⎜⎟ (2,65)
Φ (centro) dieciséis ⎝ b ⎠
Esto produce una variación de resistividad máxima de ± [32 (b / d) 2 - 1]

−1 a
través del cristal. Esta variación también se muestra en la Fig. 2.24
para compararla con el caso de irradiación sin rotación del lingote.
Una mejora significativa en la homogeneidad del dopaje dentro del
cristal se produce con la rotación del lingote, lo que lleva a una
variación de resistividad de menos del 2% incluso para obleas con
diámetros de 4 pulgadas. En la práctica real, el lingote de silicio está
rodeado de agua pesada grafito en el reactor durante la irradiación de
neutrones. Esto tiende a aumentar la duración de la descomposición, lo
que da como resultado una uniformidad del dopaje incluso superior a
la predicha por las expresiones anteriores.
Como se mencionó anteriormente, la presencia de dopantes
distribuidos de manera no homogénea en el material de partida puede
tener un fuerte impacto en la variación de resistividad en la oblea de
silicio después del proceso de NTD. Debido al alto coeficiente de
segregación del boro en el silicio, se puede lograr un dopaje más
homogéneo en el material de partida de tipo P que en el material de
partida de tipo N. Sin embargo, vale la pena señalar que para la misma
resistividad inicial, la concentración de dopaje de fondo para el
material de tipo P es mayor que la del material de partida de tipo N
debido a la menor movilidad de los agujeros en el silicio. Esto se
convierte en una consideración durante la elección del material de
partida porque es preferible una concentración de dopante inicial más
baja. Ambos de tipo P y tipo N obleas se han utilizado para la
fabricación del silicio dopado de neutrones transmutación. En ambos
casos, la concentración de los átomos de fósforo creados por el proceso
de NTD debería ser mucho mayor que la concentración de dopaje
inicial para aprovechar al máximo la variación de resistividad
mejorada inherente al proceso de NTD.
Si el material de partida inicial tiene una variación de
resistividad de ± α%, entonces la variación de resistividad después del
proceso de DTN estará dada por ± α (ρ f / ρ i ) para el material de
partida de tipo N y por ± α (∝ n / ∝ p ) (ρ f / ρ i ) para material de partida
de tipo P. Aquí, ρ f y ρ i son la resistividad final (o posterior) a la
irradiación y la inicial (o pre) irradiación, respectivamente. Los valores
típicos de la variación de resistividad previa a la irradiación son ± 15%.
En este caso, si la variación de resistividad después del proceso de NTD
debe ser menor que
± 3%, el material de partida de tipo N debe tener una resistividad de
más de 5 veces el valor de posirradiación, y el material de partida de
tipo P debe tener una resistividad de más de 15 veces el valor de
posirradiación. El silicio de tipo P se puede cultivar con resistividad
superior a 5.000 Ω cm, lo que permite la producción de silicio dopado
de forma muy homogénea con una resistividad de hasta 200 Ω cm
mediante el uso del proceso NTD.
Cuando se propuso por primera vez, la aceptación del proceso NTD
para la fabricación de material dopado de manera muy homogénea para
aplicaciones de dispositivos de potencia se retrasó debido a la vida útil
relativamente baja de este material en comparación con el material de
partida FZ porque el proceso de transmutación de neutrones se acompaña de
graves daño de la celosía. El daño de la red surge del desplazamiento de los
átomos de silicio debido a (a) retroceso gamma durante la reacción de
transmutación, (b) irradiación de cristales por los electrones energéticos
(partículas β) producidos por la reacción nuclear (ver (2.62)), y ( c)
bombardeo por los neutrones rápidos producidos en los reactores nucleares.
Estos procesos introducen niveles profundos en la banda prohibida del silicio,
que actúan como centros de recombinación. La influencia del daño de
neutrones rápidos, que es más difícil
eliminar por recocido, puede mitigarse ubicando el lingote en partes

del reactor nuclear donde el flujo de neutrones rápidos es bajo.
También es una práctica común revestir el lingote con cadmio, que
puede absorber selectivamente los neutrones rápidos. Además, la
absorción de neutrones térmicos por los átomos de fósforo generados
por el proceso de NTD puede producir azufre, y la absorción de
neutrones rápidos por el silicio puede producir magnesio, lo que da
como resultado niveles profundos adicionales en la banda prohibida.
Afortunadamente, los niveles profundos producidos por el daño del
cristal podrían eliminarse recociendo el lingote de silicio a
temperaturas adecuadas. 37 También se descubrió que las
concentraciones de azufre y magnesio producidas durante la
fabricación de silicio de alta resistividad tienen un impacto
insignificante en la vida útil de los portadores minoritarios.
Debido al daño del cristal producido por los mecanismos
anteriores, la resistividad del silicio después de la irradiación es
superior a 10 5 Ω cm. Se ha encontrado que el recocido del lingote de
silicio entre 750 y 800 ° C es suficiente para eliminar el daño, de modo
que la resistividad está determinada por la concentración de fósforo
producida por el proceso de NTD. 37 La vida útil de la portadora
minoritaria se incrementa hasta el rango de 1 ms, que es suficiente
para la fabricación de tiristores de alta tensión. Estos procesos de
posirradiación han permitido mejorar la calidad de las obleas de silicio
a un nivel en el que el proceso NTD se ha vuelto ampliamente aceptado
como material de partida para la fabricación de tiristores de potencia.
2.3 Vida útil de la recombinación
En los semiconductores que operan en condiciones de equilibrio

térmico se produce un equilibrio continuo entre la generación y
recombinación de pares de electrones y huecos . La creación de
portadores en exceso por un estímulo externo altera este equilibrio.
Cuando se elimina el estímulo externo, el exceso de densidad de
portadores decae y las concentraciones de portadores finalmente
regresan a los valores de equilibrio. La tasa de recuperación se rige por
el tiempo de vida del portador minoritario. La recuperación a las
condiciones de equilibrio se produce debido a varios procesos
simultáneos: (a) recombinación que ocurre debido a que un electrón
cae directamente de la banda de conducción a la banda de valencia; (b)
la recombinación que se produce debido a la caída de un electrón de la
banda de conducción y la caída de un agujero de la banda de valencia
a un nivel de recombinación ubicado dentro de la banda prohibida de
energía; y (c) recombinación que se produce debido a que los
electrones de la banda de conducción y los huecos de la banda de
valencia caen en trampas de superficie.
Las transiciones que ocurren durante los procesos de
recombinación se ilustran esquemáticamente en la figura 2.25. Durante
la recombinación, la energía de los portadores se disipa mediante uno
de varios mecanismos: (1) la emisión de un fotón (denominada
recombinación radiativa ); (2) la distribución de la energía en la red en
forma de fonones (denominada recombinación multifonona ); y (3) la
transmisión de la energía a una tercera partícula, que puede ser un
electrón o un agujero (denominada recombinación Auger ). Todos estos
procesos ayudan simultáneamente en la recuperación de la densidad
del portador a su valor de equilibrio.
60
FUNDAMENTOS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Electrón Electrón Electrón Electrones

Recombinación
Fotón
Centrar
o

Phonon
+
+ + + +
Agujero Agujero Agujeros Agujero
Banda a banda Nivel profundo Barrena

Recombinación Recombinación Recombinación
Fig. 2.25 Procesos de recombinación en un semiconductor
En un semiconductor como el silicio con una estructura de

banda prohibida indirecta, la probabilidad de transiciones directas de
la banda de conducción a la banda de valencia es pequeña. En
consecuencia, la vida útil de la recombinación radiativa del silicio es
del orden de 1 s. En comparación, la densidad de los centros de
recombinación es suficientemente alta, incluso en el silicio de alta
pureza utilizado para fabricar dispositivos de potencia, para reducir la
vida útil asociada con la recombinación a través de los niveles
profundos a menos de 100 ∝s. Este proceso de recombinación, por lo
tanto, avanza mucho más rápidamente y es predominante en la
mayoría de las condiciones de funcionamiento del dispositivo. El
proceso de recombinación Auger se vuelve importante en la
determinación de la vida útil del portador minoritario en regiones muy
dopadas y durante niveles de inyección muy altos en las regiones de
deriva de los dispositivos de potencia bipolar.
2.3.1 Recombinación Shockley-Read-Hall
Las estadísticas de la recombinación de electrones y huecos en

semiconductores fueron tratadas por primera vez de forma
independiente por Shockley y Read 38 y por Hall. 39 Su análisis muestra
que la tasa de recombinación ( U ) en el estado estacionario a través de
un único centro de recombinación de nivel profundo viene dada por:

δ n p 0 + δ pn 0 + δ n δ p
U =τ (n+δn+n)+τ (p+δp+p) (2,66)
p0 0 1 n0 0 1
donde δ n y δ p son las concentraciones en exceso de electrones y

huecos, respectivamente, creadas por el estímulo externo; n 0 y p 0 son
las concentraciones de equilibrio para los electrones y huecos,
respectivamente; τ p0 y τ p0 son los tiempos de vida de los portadores
minoritarios
en gran medida de dopado de tipo N y de tipo P de silicio,

respectivamente; y n 1 y p 1 son el electrón de equilibrio y la densidad
de huecos, respectivamente, cuando la posición del nivel de Fermi
coincide con la posición del nivel de recombinación en la banda
prohibida. Estas concentraciones vienen dadas por:
n = N e ( E r - E C ) / kT= N e ( E r - E i ) / kT (2,67)
1 C yo
y
p = N e ( E V - E r ) / kT = N e ( E i - E r ) / kT (2,68)
1 V yo

donde N C y N V son la densidad de estados en las bandas de conducción
y valencia, respectivamente; E C , E r y E V son la banda de conducción,
el nivel de recombinación y los niveles de energía de la banda de
valencia, respectivamente; k es la constante de Boltzmann; y T es la
temperatura absoluta.
La vida útil de la recombinación se define como:
⎛ ⎞ ⎛ ⎞
n0 δ n ⎟ + τ ⎜ p 0+ p 1 + δ n ⎟
τ = δ n = τ ⎜ + n 1+ (2,69)
U p0 ⎝ n + p + δ n ⎠ n0 ⎝ n + p + δ n ⎠

0 0 0 0
Al derivar esta relación de (2.66), se supone que las concentraciones de

electrones en exceso (δ n ) y huecos (δ p ) son iguales para que
prevalezca la neutralidad de la carga espacial. Dado que los
dispositivos de potencia de silicio generalmente están hechos de
material de partida de tipo N , el resto del tratamiento en esta sección
se limitará al silicio de tipo N. Se pueden derivar ecuaciones análogas
para el silicio de tipo P. En el caso del silicio de tipo N , la densidad de
electrones ( n 0 ) es mucho mayor que la densidad de huecos ( p 0 ).
Teniendo esto en cuenta junto con las expresiones en (2.67) y (2.68) y
asumiendo que la densidad de estados en las bandas de conducción y
de valencia son iguales, se puede demostrar que:
τ ⎡
1
( E - E ) / kT ⎤ ⎡ h
1
( 2 E - E - E ) / kT⎤

= ⎢1 +
mi rF

⎥ + ζ ⎢ +
mi ir F

⎥ (2,70)
τ p0 ⎣ ( 1+ h ) ⎦ ⎣ ( 1+ h ) ( 1+ h ) ⎦

donde E i y E F son las posiciones de nivel de energía intrínseca y de
Fermi, respectivamente. En esta ecuación, ζ es la relación entre la vida
útil del portador minoritario en el tipo P muy dopado y la del silicio
tipo N muy dopado :
τ n0
ζ= τ (2,71)
p0

y h es el nivel de inyección normalizado dado por:
h =δ n (2,72)
norte
0
El tiempo de vida de portadores minoritarios en gran medida de

dopado de tipo N y de tipo P de material depende de la captura
secciones transversales de orificios ( C p ) y electrones ( C n ) en el
centro de recombinación:
1
1

τ n0 = C norte = v σ norte
norte r Tennesse cn r
1 1
τ p0= = (2,74
C norte vσ norte
pags r Tp cp r
donde v Tn y v Tp son las velocidades térmicas para electrones y huecos,
respectivamente; σ cn y σ cp son las secciones transversales de captura
de electrones y huecos, respectivamente, en el centro de
recombinación; y N r es la densidad de los centros de recombinación.
Usando estas expresiones:

τ n0 v σ σ
Tp cp cp
ζ = τ p0 = v σ = 0,827 σ (2,75)

Tennesse cn cn
Se puede ver que el parámetro ζ es independiente de la concentración

del centro de recombinación y es una función débil de la temperatura
porque las secciones transversales de captura no varían
significativamente con la temperatura.
1.0E + 10 3

E r = 0,555 eV; ζ = 1000

E r = 0,3 eV; ζ = 100

p0 (

mi= 0,3 eV; ζ = 10

)
/τ
1.0E + 2
Normalizado Normalizado τ

10 r
E r = 0,555 eV; ζ = 100

1.0E + 1
1 ζ
10 E r = 0,8 eV; = 10

E r = 0,555 eV; ζ = 10

10+ 0
1.0E
.E- - 03 1.E-02 -2 .E- - 01 .E + 0 0 .E + 01 .E + 02
10 10 10 10 10 10
Nivel de inyección normalizado
Nivel de inyección normalizado (h = δ n / n 0 )
Fig. 2.26 Vida útil de los portadores minoritarios en silicio
Se dispone de técnicas bien desarrolladas , como la

espectroscopia transitoria de nivel profundo , para la extracción de la
densidad del centro de recombinación, la captura
secciones transversales y la posición del nivel profundo en la banda

prohibida de energía. Usando estos datos, es posible calcular la vida
útil de la portadora minoritaria pertinente a cualquier condición de
operación en las regiones de semiconductores. Como ejemplo, la
variación de la vida útil del portador minoritario con el nivel de
inyección se muestra en la figura 2.26 para el silicio de tipo N con una
concentración de dopaje de 5 ⋅ 10 13 cm −3 a temperatura ambiente. En
esta figura, se ha considerado un rango de valores para la ubicación
del centro de recombinación ( E r ) y el parámetro ζ.
A niveles de inyección bajos ( h << 1), la vida útil del portador
minoritario asíntota a un valor constante, llamado vida útil de
bajo nivel (τ LL ), que es independiente del nivel de inyección. Usando
esta condición en (2.70), la vida útil normalizada de bajo nivel viene
dada por:
τ LL ⎡ ( E r - E F ) / kT ⎤ ⎡ ( 2 E yo - E r - E F ) / kT ⎤
=1+ e + ζ mi (2,76)
τ p0 ⎣ ⎦ ⎣ ⎦
A partir de esta expresión y la Fig. 2.26, se puede observar que la vida

útil de bajo nivel depende de la posición del nivel de recombinación y
del parámetro ζ. Por ejemplo, la vida útil de bajo nivel aumenta cuando
el centro de recombinación se aleja de cualquier lado de la posición
del espacio medio (0,555 eV). Esto se debe a una reducción en la
probabilidad de capturar electrones cuando el nivel de recombinación
está por debajo del intervalo medio y una reducción en la probabilidad
de capturar huecos cuando el nivel de recombinación está por encima
del intervalo medio. Cuando el centro de recombinación se encuentra
por debajo de la brecha media (caso de E r = 0.3 eV en la figura), la vida
útil de bajo nivel también depende de la magnitud del parámetro ζ.
Cuando el nivel de inyección se vuelve grande ( h >> 1), la vida
útil se acerca asintóticamente a un valor constante denominado vida
útil de alto nivel (τ HL ). Usando esta condición en (2.70), la vida útil
normalizada de alto nivel viene dada por:
τ HL = 1+ ζ (2,77)
τ p0
A partir de esta expresión, se puede ver que la vida útil de alto nivel no
depende de la posición del centro de recombinación, lo que hace que la
vida útil se acerque al mismo valor a niveles de inyección altos en la
figura 2.26 para los casos con el mismo valor para el parámetro ζ. Vale
la pena señalar que la vida útil puede aumentar o disminuir al
aumentar el nivel de inyección. Como se explica más adelante en esta
sección, es preferible tener un aumento en la vida útil al aumentar el
nivel de inyección, junto con un valor grande para el parámetro ζ, para
dispositivos de potencia bipolar.
2.3.2 Vida útil de bajo nivel
La vida útil de bajo nivel depende de la posición del centro de

recombinación en la brecha de energía y las secciones transversales de
captura relativas para huecos y electrones como se describe en (2.76).
Para dilucidar esta dependencia, un ejemplo de la variación de
la vida útil de bajo nivel con la posición del nivel de recombinación se

muestra en la Fig. 2.27 para el caso del silicio de tipo N con una
concentración de dopaje de 5 ⋅ 10 13 cm −3 . La vida útil de bajo nivel
tiene su valor más pequeño cuando el centro de recombinación se
encuentra cerca de la posición del intervalo medio . A medida que la
posición del centro de recombinación se desplaza hacia el borde de la
banda de conducción, la probabilidad de capturar agujeros disminuye,
lo que da como resultado un valor mayor para la vida útil de bajo nivel
. De manera similar, la probabilidad de capturar electrones disminuye
cuando la posición del centro de recombinación se desplaza hacia el
borde de la banda de valencia, lo que da como resultado un valor
mayor para la vida útil de bajo nivel .
.E + 05

10
. E + 04 ζ = 1000

Nivel Toda ) LL / p0(
10

τ
ζ = 100

vida τ
. E + 03
10 ζ = 10
E F = 0,77 eV
la

.E + 02
10 ζ= 1
-Bajo

Toda
vida
Normalizadola
. E + 01
10

Normalizado
.E + 0 0

10
.E- - 01 1

10 0. 2 .3 0. 0 0 .8 .9 0 1
0 0,1 0,2 0,3 0.4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1.0 1.1
Posición del nivel de recombinación (eV)
Fig. 2.27 Vida útil de bajo nivel en silicio
Cuando la posición del centro de recombinación está por

encima de la ubicación del espacio medio , el segundo término entre
corchetes en (2.76) se vuelve pequeño y la vida útil de bajo nivel se
vuelve independiente del parámetro ζ. En este caso, la vida útil del
nivel bajo aumenta rápidamente cuando la posición del nivel de
recombinación excede la posición del nivel de Fermi. Si el centro de
recombinación se encuentra por debajo de la posición del
intervalo medio , el segundo término entre corchetes en (2.76) se
vuelve dominante y la vida útil de bajo nivel se vuelve dependiente del
parámetro ζ. Para lograr una alta velocidad de conmutación en
dispositivos de potencia bipolar, es necesario tener una eliminación
rápida del exceso de portadores inyectados dentro de sus regiones de
deriva mediante el proceso de recombinación. Esto requiere un
pequeño valor para la vida útil de bajo nivel . Puede verse en la figura
2.27 que esto se puede lograr ubicando el centro de recombinación
cerca de la posición del espacio medio. Estos resultados también
indican que en presencia de múltiples centros de recombinación, el
que se encuentra cerca de la brecha media tendrá la mayor influencia
en el proceso de recombinación.
Propiedades de los materiales y física del transportesesenta y cinco
2.3.3 Vida útil de la generación de carga espacial
Los dispositivos de potencia deben diseñarse para soportar altos

voltajes con un pequeño flujo de corriente para minimizar la
disipación de potencia en el modo de operación de bloqueo. Aunque un
dispositivo ideal debería presentar un flujo de corriente cero en este
modo de funcionamiento, en la práctica siempre se observa una
corriente finita, denominada corriente de fuga . La corriente de fuga
surge de la difusión de portadores libres, que se generan dentro de una
longitud de difusión de portadores minoritarios desde el borde de la
región de agotamiento (denominada corriente de difusión ) o de los
portadores generados dentro de la capa de agotamiento (denominada
espacio corriente de generación de carga ). En el caso del silicio, la
corriente de generación es mucho mayor en magnitud que la corriente
de difusión a temperatura ambiente. A altas temperaturas, la corriente
de difusión puede volverse comparable a la corriente de generación.
La corriente de fuga asociada con la generación de portadores
dentro de la región de agotamiento, llamada corriente de generación de
carga espacial ( I SC ), se puede derivar bajo el supuesto de una tasa de
generación uniforme dentro de la región de agotamiento con todos los
portadores generados barridos fuera de la región de agotamiento por
el fuerte campo eléctrico predominante 40 :
I SC = qAW D U G (2,78)
donde q es la carga de un electrón, A es el área de la unión P – N , W D
es el ancho de la región de agotamiento y U G es la tasa de generación
de portadores en la región de agotamiento. La tasa de generación de
los transportistas viene dada por:

n yo
UG=⎛
n1 p
⎞ (2,79)
⎜τ
+ τ 1 ⎟
⎝ p0 norte n0
n ⎠
yo yo
El denominador de esta expresión se denomina vida útil de la

generación de carga espacial (τ SC ). Utilizando (2.67) y (2.68), se puede
demostrar que:
⎡ ( E r - E i ) / kT ( E yo - E r ) / kT ⎤
τ SC = τ p0 ⎣ e +ζe ⎦

La corriente de generación de carga espacial se puede obtener como:

n yo
I SC = qAW D τ CAROLINA DEL SUR

Es deseable un gran valor para la vida útil de la generación de

carga espacial a fin de reducir la corriente de fuga de generación de
carga espacial .
Como en el caso de la vida útil de bajo nivel , la vida útil de la
generación de carga espacial es una función de la posición del centro
de recombinación en la banda prohibida y el parámetro ζ. En la figura
2.28 se muestra un ejemplo de la variación de la vida útil de la
generación de carga espacial con la posición del centro de
recombinación para el caso de una concentración de dopaje de 5 x 10 13
cm −3 en silicio. El valor más bajo para el
La vida útil de la generación de carga espacial y , en consecuencia, las

corrientes de fuga más altas, se producen cuando el centro de
recombinación se encuentra cerca de la posición del
espacio intermedio . Desde este punto de vista, es deseable que el
centro de recombinación esté ubicado lejos del espacio intermedio
hacia uno de los bordes de la banda. Estos resultados también indican
que en presencia de múltiples centros de recombinación, el que se
encuentra cerca de la brecha media tendrá la mayor influencia en la
corriente de fuga debido a la generación de portadores dentro de las
regiones de agotamiento.
1 10 .E + 6

ζ = 1000

1.E +
de espacio normalizado ( Lifetime SC p0 (

10 5 ζ = 100
τ τ Generación de carga de por vida

1.E + 4 ζ = 10

10
ζ=1
1. E + 03

10
1.E +
10 2
1.E +
/
10 1
1 10 .E + 0 .1 .2 0,3 4 .5 .6 .7 0,8 0,9 .0 .1

0.
0 0,1 0,2 0,3 0.4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1.0 1.1
Fig. 2.28 Vida útil de la generación de carga espacial en silicio
El análisis anterior supone que la corriente de fuga es

proporcional al ancho de la capa de agotamiento porque la generación
de portadores ocurre uniformemente a través de la región. Las
mediciones experimentales en dispositivos de silicio indican que la
generación uniforme de portadores ocurre solo en una fracción del
ancho de la región de agotamiento. 41 La desviación es más fuerte
cuando la polarización inversa aplicada es pequeña en la unión P – N y
se vuelve pequeña con voltajes de polarización inversa mayores. Este
fenómeno suele pasarse por alto durante el análisis de dispositivos de
potencia.
2.3.4 Optimización del nivel de recombinación
En el caso de los dispositivos de potencia unipolar, no es necesario

reducir la vida útil debido a la ausencia de inyección de portadores
minoritarios durante la conducción de la corriente. En consecuencia,
es una práctica común mantener un proceso limpio para maximizar la
vida útil a fin de reducir la corriente de fuga. Sin embargo, en el caso
de los dispositivos de potencia bipolar que dependen de la inyección
sustancial de portadores minoritarios para reducir la resistencia al
flujo de corriente en estado activado, se hace necesario reducir la vida
útil para lograr una velocidad de conmutación rápida porque los
portadores inyectados deben ser rápidamente eliminado para
restablecer el modo de bloqueo.
En las secciones anteriores, se demostró que la vida útil de la

generación de carga espacial y de bajo nivel depende de la posición del
centro de recombinación en la banda prohibida, así como del
parámetro ζ, que está determinado por las secciones transversales de
captura para los agujeros. y electrones en el centro. Los estudios
empíricos realizados con la introducción de varios elementos en el
silicio, así como su irradiación con partículas de alta energía, han
revelado una plétora de niveles profundos dentro de la banda
prohibida. En principio, cualquiera de estos niveles profundos podría
utilizarse para reducir la vida útil al valor deseado controlando su
concentración. Sin embargo, se ha observado que algunas impurezas
de nivel profundo proporcionan un rendimiento superior al
dispositivo de potencia. 42 Esto motivó la optimización teórica de las
propiedades de nivel profundo para obtener el mejor rendimiento en
dispositivos de potencia bipolar. 43
Dispositivos de inyección de bajo nivel
En el caso de los dispositivos de potencia bipolar que operan con

condiciones de inyección de bajo nivel durante la conducción de
corriente, la concentración de portadores minoritarios inyectados está
muy por debajo de la concentración de dopaje de la región de deriva.
Aquí, es deseable obtener un pequeño bajo nivel de toda la vida con el
fin de acelerar la eliminación de los portadores minoritarios en exceso
durante el proceso de cambiar el dispositivo del estado en el
estado de desconexión. Al mismo tiempo, es deseable mantener una
larga vida útil de generación de carga espacial para minimizar la
corriente de fuga. Como se demuestra en los gráficos de la figura 2.27,
es necesario ubicar el centro de recombinación cerca de
la brecha media para lograr una vida útil pequeña de bajo nivel .
Desafortunadamente, como se muestra en la figura 2.28, es necesario
ubicar el centro de recombinación lejos del espacio medio para lograr
una gran vida útil de generación de carga espacial . Para resolver este
conflicto, puede obtenerse una ubicación óptima para el centro de
recombinación tomando la relación entre la vida útil de la generación
de carga espacial y la vida útil de bajo nivel . Usando (2.76) y (2.80):
τ SC e ( E r - E i ) / kT + ζ e ( E i - E r ) / kT
= (2,82)
τ LL 1 + e ( E r - E F ) / kT + ζ e (2 E i - E F - E r ) / kT

Para maximizar el rendimiento de los dispositivos de potencia bipolar
que operan en el estado activado con bajos niveles de inyección, es
necesario elegir las propiedades del centro de recombinación de modo
que se maximice la relación anterior.
Para ilustrar el procedimiento de optimización, en la figura 2.29
se muestra un ejemplo de la variación de la relación (τ SC / τ LL ) con la
ubicación del centro de recombinación para el caso de silicio con una
13 −3
concentración de dopaje de 5 ⋅ 10 cm . Se asumió que el parámetro
de sección transversal de captura ζ tenía un valor de 100 al realizar
estas gráficas. Es evidente que la relación tiene su valor más alto
cuando el centro de recombinación se encuentra cerca de los bordes de
la banda de conducción o de valencia. Cuando la temperatura aumenta
de 300 a 400 K, se observa la misma tendencia. Sin embargo, el valor de
la relación se vuelve más pequeño en casi un orden de magnitud, lo
que indica que es más difícil minimizar la corriente de fuga a
temperaturas elevadas cuando se realiza la optimización.
Se puede observar en la Fig. 2.29 que la relación (τ SC / τ LL )

permanece alta en un rango de valores para la ubicación del centro de
recombinación siempre que esté ubicado cerca de los bordes de la
banda. Este rango es una función de la concentración de dopaje en el
silicio y el parámetro de sección transversal de captura ζ. Si el rango se
define para extenderse hasta un 10% por debajo del valor máximo de
la relación de vida útil, como lo indican las flechas en la Fig. 2.29, se
puede establecer una relación entre la posición óptima del centro de
recombinación y la concentración de dopaje.
1.E + 4

10
T = 300 o K

Toda la
vida

1.E +
SpaceCharge Ratio Lifetime /
10 3

T = 400 o K

τ τ ionGenera
Low ( SC /
( - LL evel
1.E +
10 2

ζ = 100
de por
vida

ND = 5 x 10 13 cm -3

1 10 .E + 1 0 0 0 0. 0 0. 0. 0 1
0. 0,7 1.1
0 0,1 0,2 0,3 0.4 0,5 0,6 0,8 0,9 1.0
Fig. 2.29 Optimización del centro de recombinación para dispositivos de silicio que
operan bajo
condiciones de inyección de bajo nivel en el estado
EC

1.0
Nivel Posición(eV)

0,8 ζ = 0.01, 0.1, 1, 10, 100

0,6

E yo
ζ = 100

ζ = 10
ζ=1
0.4 ζ = 0,1
Recombinación

ζ = 0.01
0,2

0 EV

10 13 10 14
10 15 10 16
Fig. 2.30 Ubicaciones preferidas para el centro de recombinación para dispositivos

de silicio
operando bajo condiciones de inyección de bajo nivel en el estado encendido
Para el caso del silicio de tipo N , las ubicaciones preferidas del

centro de recombinación dentro de la banda prohibida se indican en la
figura 2.30 mediante las regiones sombreadas. El área sombreada en la
figura ubicada arriba del espacio medio se aplica a todos los valores
del parámetro de sección transversal de captura ζ. Cuando el centro de
recombinación se encuentra por debajo de la brecha media, se indica
un rango más amplio de posiciones para valores más grandes del
parámetro de sección transversal de captura ζ. Por ejemplo, para una
concentración de dopaje de 1 ⋅ 10 14 cm −3 , el centro de recombinación
debe estar ubicado dentro de 0.15 eV del borde de la banda de valencia
si
ζ = 0.01 pero se puede ubicar hasta 0.4 eV desde el borde de la banda
de valencia si ζ = 100. Además, vale la pena señalar que un rango más
amplio de posiciones para el centro de recombinación está disponible
para silicio ligeramente dopado, proporcionando más latitud durante
la selección de la impureza que controla la vida útil para dispositivos
con voltajes de ruptura mayores.
En la Fig. 2.29, se puede ver que el valor máximo de la relación (τ
SC / τ LL ) ocurre cuando el centro de recombinación está ubicado cerca
de los bordes de la banda de conducción o de valencia. En ambos casos,
el valor máximo es función de la concentración de dopaje, pero no
depende del parámetro de sección transversal de captura ζ.
De (2.82) se puede demostrar que el valor máximo para la relación (τ SC
/ τ LL ) viene dado por:
τ SC = e ( E F - E i ) / kT
=n0 (2,83)
τ norte
LL yo

1.E + 0 6

10
/ LL(Toda la vida
1. 10 E + 0 5

T = 300 o K

1.E + 0
10 4

τ
) -nivel

CAROLINA
/ DEL
SUR

τ
1.E + 3
10
Vida
útil
baja

Proporción

Generacion
1.E + 2 2 o

10 T = 400 K

la espacial
TodaCarga
1.E + 1

vida
10
1.E + 0

10 .E + 1 13
.E + 14 .E + 15 .E + 16
10 10 10 10
-3
Concentración de dopaje (cm )
Fig. 2.31 máximo alcanzable (τ SC / τ LL ) r atio para dispositivos de silicio que operan
bajo
condiciones de inyección de bajo nivel en el estado
La variación del valor máximo alcanzable para la relación (τ SC /

τ LL ) con la concentración de dopaje se muestra en la Fig. 2.31 a 300 y
400 K. Es evidente que el
La relación (τ SC / τ LL ) se vuelve más pequeña al disminuir la

concentración de dopaje y aumentar la temperatura. En consecuencia,
se vuelve más difícil lograr una reducción de la vida útil de bajo nivel
en silicio de alta resistividad, sin un aumento sustancial de la corriente
de fuga, en comparación con el silicio de baja resistividad. Este
problema se agrava a medida que aumenta la temperatura, un
problema común debido al autocalentamiento en los dispositivos
eléctricos.
Dispositivos de inyección de alto nivel
La mayoría de los dispositivos de potencia bipolar están diseñados

para funcionar con condiciones de inyección de alto nivel durante la
conducción de corriente, de modo que la concentración de portadores
minoritarios inyectados esté muy por encima de la concentración de
dopaje de la región de deriva. Esto reduce la resistencia de la región de
deriva, lo que resulta en una más pequeña en estado de caída de
tensión y pérdida de potencia. Aquí, es deseable obtener un valor
grande para la vida útil de alto nivel con el fin de maximizar la
concentración de los portadores minoritarios inyectados y, por lo tanto,
la conductividad de la región de deriva durante el flujo de corriente. Al
mismo tiempo, es deseable minimizar la vida útil de bajo nivel para
facilitar la eliminación rápida de los portadores minoritarios en
exceso, lo que da como resultado el corte de la corriente en poco
tiempo para reducir la disipación de potencia durante los transitorios
de conmutación.
La optimización de las propiedades del centro de
recombinación para dispositivos de potencia que operan en
condiciones de alta inyección durante el flujo de corriente en estado
activo se puede realizar tomando la relación entre la vida útil de
alto nivel y la vida útil de bajo nivel . 43 Al usar (2.76) y (2.77):
τ HL 1+ ζ (2,84)
=
τ LL 1 + e ( E r - E F ) / kT + ζ e (2 E i - E F - E r ) / kT

Esta relación (τ HL / τ LL ) se puede maximizar con respecto a la posición
del nivel de recombinación ( E r ) estableciendo:
⎛ ⎞
re ⎜ τ HL = 0 (2,85)
⎟
d E r ⎝ τ LL ⎠

y resolviendo para E r . Esto produce el primer criterio de optimización
para dispositivos de potencia que operan con inyección de alto nivel :
kT
E=E+ ln ( ζ ) (2,86)
ri
2
Se encuentra que la posición óptima del centro de recombinación es
independiente de la concentración de dopaje en la región de deriva y
es puramente una función del parámetro de sección transversal de
captura ζ y la temperatura. La ubicación óptima para el centro de
recombinación se encuentra por encima del espacio medio cuando el
parámetro de sección transversal ζ es mayor que 1 y por debajo
del espacio medio cuando su valor es menor que 1, como se muestra en
los gráficos de la figura 2.32. Hay un ligero cambio en la posición
óptima con la temperatura.
0. 70

Posición (eV)
0,65 T = 400 o K

T = 500 o K
0. 60
Veneno
((eV

T = 300 o K

0,55
T = 300 o K
recombinación

T = 500 o K
Centro de
0. 50

0,45 T = 400 o K

CentroRecombinación
Óptimo

0. 40 .E-01 - 1.E + 00 .E + 01 .E + 02
.E-0 -2
10 10 10 10 10
Parámetro Zeta
Capturar parámetro de sección transversal ( ζ )
Fig. 2.32 Ubicación óptima para el centro de recombinación en dispositivos de silicio
en funcionamiento
en condiciones de inyección de alto nivel en el estado
1.E + 0 2
10
ζ = 100

T = 300 o K

(
T = 400 o K
/ LL

Nivel ifetime
HL τ

τ

ζ = 10
)
1.E +
10 1
Toda la Relación
útil /
baja
Nivel alto vida

ζ=1
vida

1.E + 0
10 .E + 13
.E + 14 .E + 15 .E + 16
10 10 10 10
Fig. 2.33 Optimización del centro de recombinación en dispositivos de silicio en

funcionamiento
Para lograr el grado más alto de modulación de conductividad
de la región de deriva en dispositivos de potencia que operan con altos
niveles de inyección mientras se mantiene una velocidad de
conmutación rápida, es necesario obtener un gran valor absoluto para
la relación (τ HL / τ LL ). Para el silicio de tipo N , esto ocurre cuando el
parámetro de sección transversal de captura ζ es grande. Se vuelve
más difícil lograr valores grandes para la relación (τ HL / τ LL ) en
concentraciones de dopaje más bajas para la región de deriva y a

temperaturas más altas. Esto se puede ilustrar trazando la relación (τ
HL / τ LL ) en función de la concentración de dopaje como se muestra en
la Fig. 2.33 para varios valores para el parámetro de
sección transversal de captura ζ a 300 y 400 K para el caso de un centro
de recombinación situado a 0,45 eV por encima del borde de la banda
de valencia. La dependencia de la temperatura de la relación (τ HL / τ LL
) surge de la variación de la vida útil de bajo nivel con la temperatura.
Para los dispositivos de potencia que operan con altos niveles
de inyección durante la conducción de corriente, es deseable lograr
una transición rápida durante la vida útil de las condiciones de
inyección de nivel bajo a nivel alto . Esto maximiza el rango de niveles
de inyección en los que la vida útil de alto nivel sigue siendo grande, de
modo que la caída de voltaje en el estado de encendido es baja y, al
mismo tiempo, proporciona una vida útil pequeña a niveles de
inyección bajos para acelerar el proceso de apagado durante el
transitorio de conmutación. La tasa de cambio en la vida útil de niveles
de inyección bajos a altos se puede maximizar eligiendo una posición
del centro de recombinación de manera que:
d ⎛ dτ ⎞

⎜ ⎟= 0 (2,87)
d E r ⎝ d h ⎠
donde τ es la vida útil descrita por (2.70) yh es el nivel de inyección
normalizado. La solución de esta ecuación resulta ser idéntica a la
dada en (2.86). Por lo tanto, se encuentra que las posiciones óptimas
del centro de recombinación se encuentran cerca del centro de la
banda prohibida de energía, como se muestra en la figura 2.32.
Desafortunadamente, tales centros de recombinación también mejoran
la corriente de generación de carga espacial . En consecuencia, la
ubicación óptima del centro de recombinación para la caja de
inyección de alto nivel entra en conflicto con la necesidad de mantener
bajas corrientes de fuga en los dispositivos de potencia.
.E + 02

10
ζ = 100

.E + 01

10
HL / LL (
ζ = 10

τ

NivelToda
la
vida
10 .E + 00 ζ= 1
Relación )τ

Toda-AltoNivel vida útil
/ baja
.E - 01 1
10

Dopaje = 1 x 10 13 cm -3

.E - 02 o

vida
10 T = 300 K
la

T = 500 o K

10 .E - 030.0 0. .3 0. 0 .7 .8 0,9 .0 .1
0 0,1 0,2 0,3 0.4 0,5 0,6 0,7 0,8 0. 9 1.0 1.1

funcionamiento
.E + 02

10
ζ = 100

.E + 01
10 ζ = 10
LL (

la τ/
Toda
vida

Nivel HL
10 .E + 00 ζ= 1
Relación ) τ

Toda-AltoNivel vida útil
/ baja
.E - 01 1
10
-3
Dopaje = 1 x 10 15 cm

.E - 02 o
vida
10 T = 300 K
la

T = 500 o K

10 .E - 030.0 0. .3 0. 0 .7 .8 0,9 .0 .1
0 0,1 0,2 0,3 0.4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1.0 1.1
funcionamiento
Es posible resolver este conflicto mediante un examen más

detallado de la variación de la relación (τ HL / τ LL ) con la posición del
centro de recombinación. La variación de la relación (τ HL / τ LL ) con la
posición del centro de recombinación se muestra en las Figs. 2.34 y 2.35
para dos ejemplos de concentraciones de dopaje en la región de deriva
de 1 ⋅ 10 13 cm −3 y 1 ⋅ 10 15 cm −3 para el caso de tres valores para el
parámetro de sección transversal de captura ζ. En el caso del nivel de
dopaje más alto en la región de deriva, la relación (τ HL / τ LL ) exhibe un
máximo amplio para los tres valores del parámetro de
sección transversal de captura ζ. En consecuencia, el centro de
recombinación se puede ubicar lejos de la posición del espacio medio
sin sufrir una reducción significativa en el valor de la relación (τ HL / τ
LL ). La corriente de fuga se puede reducir mediante este enfoque sin
un impacto significativo en la caída de voltaje en estado activo. Este
comportamiento también se observa para el caso de la baja
concentración de dopaje a 300 K, pero no se observa un máximo
amplio a 500 K para los valores mayores del parámetro de sección
transversal de captura ζ.
Se puede elegir una posición óptima del centro de
recombinación que proporcionará un valor grande para la relación (τ
HL / τ LL ) mientras se minimiza la corriente de fuga seleccionando una
ubicación donde la relación sea un 10% por debajo de su valor máximo
para aquellos casos en los que un máximo amplio es observado y en el
pico de la relación en aquellos casos en que se observa un máximo
agudo. La posición óptima del centro de recombinación obtenida con
este enfoque se muestra en la Fig. 2.36 en función de la concentración
de dopaje en la región de deriva. Vale la pena señalar que, aunque se
pueden definir dos ubicaciones óptimas para el centro de
recombinación a cada lado de los máximos en las figuras anteriores,
solo se ha elegido la posición por encima de la posición del
espacio medio porque esto produce el aumento deseado en la vida útil
con
nivel de inyección. Las líneas planas a 500 K observadas a

concentraciones de dopaje más bajas están asociadas con casos en los
que hay un pico agudo en la variación de la relación (τ HL / τ LL ). Se
puede observar que la ubicación óptima para el centro de
recombinación se acerca a la posición de la brecha media a medida
que se reduce la concentración de dopaje en la región de deriva. Esto
indica que es más difícil lograr una corriente de fuga baja en
dispositivos diseñados para soportar voltajes más altos.

0,8
Óptimo RecombinaciónNivelPosición (eV)

300 o K

400 o K

0,7

500 o K

ζ = 100

0,6
ζ = 10

ζ=1

0,5
10 13 10 14 10 15 10 16

Fig. 2.36 Ubicación óptima para el centro de recombinación en dispositivos de silicio

en funcionamiento
Limitaciones tecnológicas
La introducción de niveles profundos en la brecha de energía debido a

la presencia de centros de recombinación puede resultar en cambios
en la resistividad de la región de deriva. Cuando la concentración del
centro de recombinación se acerca a la concentración de dopaje, los
electrones se transfieren del donante al nivel profundo en lugar de a la
banda de conducción. La disminución de la concentración neta de
electrones libres produce un aumento de la resistividad, fenómeno
denominado compensación . Los cambios en la resistividad de la región
de deriva pueden producir una reducción en el voltaje de ruptura de
los dispositivos de potencia. Por lo tanto, es deseable minimizar el
efecto de compensación utilizando la concentración más baja de
centros de recombinación que pueda producir la reducción deseada en
la vida útil del portador minoritario. La vida del portador minoritario
está relacionada con la concentración de los centros de recombinación
a través de las relaciones en (2.73) y (2.74). El mismo valor para la vida
útil del portador minoritario se puede lograr con un valor menor para
la concentración del centro de recombinación si su sección transversal
de captura para huecos y electrones es mayor.
Desde un punto de vista práctico de fabricación, también es

deseable que se utilice el mismo proceso para la introducción de los
centros de recombinación para regiones de deriva de silicio en un
amplio rango de resistividad. Esto permite la fabricación de una
variedad de productos de energía con un solo proceso de control de
por vida. Desde este punto de vista, las propiedades del centro de
recombinación deben elegirse de modo que la relación (τ HL / τ LL )
permanezca alta en una amplia gama de niveles de concentración de
dopaje.
1 10 .E + 0 2

E r = 0,7 eV

Toda la Relación ) τHL LL (
E r = 0,555 eV

laτ/
Nivel altovida Nivel Toda
vida

10 1
útil /
baja

E r = 0,4 eV
vida

1.E + 0 1
10 .E + 00 1.E + 01 .E + 02 .E + 03
10 10 10 10
Resistividad (ohmios-cm)
Fig. 2.37 Consideraciones tecnológicas para el centro de recombinación en silicio
dispositivos que operan en condiciones de inyección de alto nivel en el
estado encendido
El cambio en la relación (τ HL / τ LL ) con la variación de la

resistividad para una región de silicio de tipo N se muestra en la figura
2.37 para el caso de un parámetro de sección transversal ζ valor de 100.
En este gráfico, tres casos para la posición del centro de recombinación
se han mostrado para comparación. Es obvio que hay una gran
reducción en la relación (τ HL / τ LL ) cuando el centro de recombinación
está ubicado por debajo de la posición del espacio intermedio . La
menor reducción de la relación (τ HL / τ LL ) se observa cuando el centro
de recombinación está ubicado en la posición del espacio intermedio .
Sin embargo, esto es perjudicial para lograr bajas corrientes de
generación de carga espacial en el modo de bloqueo. Por lo tanto, es
preferible ubicar el centro de recombinación ligeramente por encima
del intervalo medio (como se muestra en el caso con un nivel de
energía de 0,7 eV), de acuerdo con la posición óptima del centro de
recombinación discutida en las secciones anteriores.
2.3.5 Control de por vida
La fabricación de dispositivos semiconductores de potencia se realiza

utilizando condiciones de procesamiento impecables para minimizar
la introducción de centros de recombinación. Los dispositivos
tal como se fabrican tienen una velocidad de desconexión lenta debido
al largo tiempo que se requiere para la eliminación de los portadores
minoritarios mediante el proceso de recombinación. Para satisfacer los
requisitos de rendimiento de varios sistemas electrónicos de potencia,
el apagado
La velocidad de los dispositivos se mejora mediante la introducción de

centros de recombinación en la red de forma controlada. Debe
introducirse una mayor cantidad de centros de recombinación en los
dispositivos utilizados para aplicaciones que operan a frecuencias más
altas para reducir las pérdidas de conmutación.
Se han desarrollado dos enfoques fundamentales para el
control de la vida útil de los dispositivos eléctricos. El primer método
se basa en la difusión térmica de una impureza que presenta niveles
profundos en la banda prohibida de silicio. El segundo método implica
la creación de daños en la red en forma de vacantes y átomos
intersticiales en el cristal de silicio por bombardeo con partículas de
alta energía. Históricamente, el proceso basado en la difusión se
desarrolló mucho antes del proceso de irradiación de partículas. Se ha
descubierto que un gran número de impurezas producen niveles
profundos en la banda prohibida de silicio. 44 Aunque muchas de estas
impurezas son candidatos potenciales para reducir la vida útil de los
dispositivos de potencia de silicio, solo el oro y el platino se han
utilizado ampliamente para dispositivos comerciales. De manera
similar, aunque el daño de la red podría lograrse utilizando cualquier
partícula energética, solo se han utilizado electrones y radiación de haz
de rayos gamma de Co 60 para dispositivos comerciales debido a su
rango óptimo de absorción en silicio, lo que conduce a una reducción
uniforme de la vida útil con la profundidad.
La difusión de oro y platino en el silicio se produce mucho más
rápidamente que los átomos dopantes, como el boro y el fósforo. En
consecuencia, la introducción de las impurezas de nivel profundo se
realiza después de la fabricación de la estructura del dispositivo pero
justo antes de la aplicación de la metalización. Para asegurar una
distribución homogénea de la impureza de nivel profundo dentro de la
oblea, es habitual realizar la difusión a una temperatura entre 800 y
900 ° C. La concentración de la impureza de nivel profundo en la red
de silicio se ajusta eligiendo la temperatura de difusión exacta porque
la solubilidad sólida de la impureza depende de ella. Una temperatura
de difusión más alta produce una mayor concentración de impureza de
nivel profundo, lo que resulta en una menor vida útil. La temperatura
de la oblea debe reducirse rápidamente apagando después del tiempo
de difusión para bloquear las impurezas dentro de la red.
La temperatura de difusión de las impurezas de nivel profundo
excede el punto eutéctico entre el silicio y la metalización del aluminio
utilizado para los dispositivos de potencia. En consecuencia, el metal se
puede aplicar solo después de la introducción de la impureza de nivel
profundo en el método de difusión. Esto implica que los dispositivos no
se pueden probar antes de realizar el proceso de control de por vida.
Además, pequeñas variaciones en la temperatura de difusión pueden
producir una gran variación en las características del dispositivo,
dando como resultado una mala distribución de los parámetros del
dispositivo durante la fabricación. Estos problemas pueden superarse
utilizando el proceso de radiación de partículas de alta energía.
El bombardeo de silicio con partículas de alta energía produce
daños por el desplazamiento de los átomos de silicio de sus sitios
reticulados. El desplazamiento de los átomos de silicio de los sitios de
la red crea una vacante, así como un átomo de silicio en la posición
intersticial. Se ha descubierto que la vacante en la red de silicio es muy
móvil a temperatura ambiente. En consecuencia, los defectos que
quedan después de la irradiación se componen de complejos de la
vacante con átomos de impureza y dos sitios vacantes adyacentes en la
red (llamado divacancy ). En las regiones de alta resistividad de los
dispositivos de potencia bipolar de silicio, donde la recombinación de
portadores minoritarios
procesos determinan la velocidad de conmutación, el defecto

divacancy ha sido identificado para ser el sitio de recombinación
dominante para ambos de tipo p y tipo n regiones. 45,46
Para el control de la vida útil en dispositivos de potencia bipolares,
tanto MeV de electrones irradiación 42 y Co 60 -gamma irradiación 47 han
demostrado ser técnicas ING proceso- prácticos. Existen muchas ventajas en
el uso de estas técnicas de irradiación: (a) la irradiación se puede realizar a
temperatura ambiente después de la fabricación completa del dispositivo
(incluida la metalización), lo que permite la prueba inicial de las
características del dispositivo, así como las características inmediatamente
después de la irradiación; (b) la vida útil puede controlarse con precisión
controlando con precisión la dosis de radiación; (c) se puede lograr una
distribución más ajustada en las características del dispositivo debido a un
mejor control sobre la densidad de los centros de recombinación; (d) las
características del dispositivo se pueden recortar realizando la irradiación en
pasos con pruebas eléctricas después de cada paso; e) el daño por irradiación
puede eliminarse recociendo los dispositivos a 400 ° C, lo que permite la
recuperación de los dispositivos que puedan haber recibido una sobredosis
durante la irradiación; y (f) el proceso de irradiación es más limpio en
comparación con la difusión de impurezas a altas temperaturas, evitando
problemas comunes con la contaminación de equipos con impurezas de nivel
profundo como el oro.
La concentración de los centros de recombinación creados por

la irradiación de electrones es proporcional al flujo total de electrones
de alta energía que bombardean la oblea de silicio por unidad de área.
La vida útil de los portadores minoritarios depende de los centros de
recombinación producidos por la irradiación, así como de la presencia
de cualquier centro de recombinación antes de la radiación. La vida
útil del portador minoritario después de la irradiación con electrones
viene dada por:
1 1
= +Kφ (2,88)
τ F τ yo

donde τ i es la vida útil inicial antes de la irradiación de electrones y φ
es la fluencia total de electrones por centímetro cuadrado. La constante
K depende de la energía de los electrones utilizados para crear el daño
de la red. Para el caso de electrones de 3 MeV, la constante K tiene un
valor de 10 −8 cm 2 s −1 . La dosis de irradiación de electrones se puede
controlar con precisión mediante la medición de la corriente del haz. Si
la vida útil inicial del portador minoritario es grande, la vida útil
posterior a la irradiación puede controlarse con precisión. Además, la
vida útil final se vuelve uniforme en el área de dispositivos grandes,
como tiristores y GTO fabricados con una oblea completa de 100 mm .
Durante la fabricación de estos dispositivos, se emplean métodos de
captación especiales para lograr una larga vida útil en los dispositivos
tal como se fabrican para obtener un mejor control y uniformidad de
la vida útil después de la irradiación de electrones.
Aunque la técnica de irradiación con electrones ofrece muchos
beneficios, el control de por vida usando difusión de oro todavía se usa
porque se observan características superiores de conducción de corriente en
estado para este método. Además, se ha descubierto que los defectos
producidos por la irradiación de electrones se disocian a temperaturas
elevadas, lo que genera preocupaciones con respecto a la estabilidad a
largo plazo de los dispositivos de potencia. Sin embargo, estudios de recocido
45
han demostrado que, aunque la divacabilidad
el defecto se disocia a 300 ° C, la vida útil no cambia apreciablemente

debido a la creación de un nuevo centro de recombinación. Por tanto,
la irradiación de electrones no produce inestabilidad a largo plazo en
las condiciones de funcionamiento típicas de los dispositivos de
potencia.
La introducción de centros de recombinación al dopar silicio
con oro o platino y mediante el proceso de irradiación de electrones
produce múltiples niveles profundos en la banda prohibida de energía.
La posición de los niveles profundos se muestra en la Fig. 2.38 para
estos tres casos. La difusión de oro en silicio produce un nivel de
aceptor y un donante en la brecha de energía. 48 En el caso de platino,
cuatro niveles de profundidad han sido identificados en la brecha de
energía, 49 mientras que tres niveles de profundidad se han observado
en de tipo N de silicio 45 en el caso de irradiación de electrones. Como
se explicó en la sección anterior, el nivel profundo más cercano a la
posición de la brecha media tiene el impacto más fuerte en el proceso
de recombinación de portadores minoritarios. Para calcular la vida
útil, es necesario conocer la sección transversal de captura de huecos y
electrones en estos niveles profundos dominantes. Estos datos se
proporcionan en la figura 2.39 para los tres casos.
Electrón

Oro
Platino

Irradiación
EC 0,91 eV 0,87 eV

0,78 eV
0,71 eV
0,56 eV

E yo

0,42 eV

0,35 eV

0,26 eV 0,27 eV
EV
Fig. 2.38 Niveles profundos producidos por centros de recombinación en
silicio
Utilizando los datos proporcionados en la tabla, se puede

calcular la relación (τ HL / τ LL ) para cada uno de los niveles dominantes
para los tres casos. La variación de la relación (τ HL / τ LL ) se representa
en la figura 2.40 en función de la resistividad del silicio tipo N. Se
puede observar que la variación es mucho menor para el caso del oro y
la irradiación de electrones en comparación con el platino, lo que hace
que estas técnicas sean más atractivas para el control de la vida útil en
productos con una amplia gama de voltajes de ruptura. También se
puede ver que la relación es mucho mayor para el oro en comparación
con la irradiación con electrones, lo que indica que el uso de oro
proporcionará características superiores en estado activo en
dispositivos de potencia bipolar. Esto se ha confirmado
experimentalmente para los rectificadores de silicio PiN . 42

Dominante Capturar Capturar Captura
Nivel de energía Sección transversal Sección transversal Sección tra
Impureza Posición para agujeros para electrones Parám

2 2

(eV) (cm ) (cm ) (ζ)
-15 -17
Oro 0,56 6,08 x 10 7,21 x 10 69,7
-12 -14
Platino 0,42 2,70 x 10 3,20 x 10 69,8
-16 -16
Electrón 0,71 8,66 x 10 1,61 x 10 4.42
Irradiación
Fig. 2.39 Propiedades de los niveles profundos dominantes producidos por centros de
recombinación en silicio
2
1.E + 10 2
Oro

LL (

Platino

τ

HLla/
- Toda
vida

Nivel
τ)

1.E + 1
Proporción
10

De por vida / Nivel bajo-Alto

la
Irradiación de electrones

Toda
vida

1.E + 0 0
10 .E + 00 1.E + 01 .E + 02 .E + 03
10 10 10 10
Resistividad (ohmios- cm)
Resistividad (ohmios-cm)
Fig. 2.40 Relación de vida útil de alto nivel a bajo nivel para centros de
recombinación en silicio
También es importante considerar el impacto del control de

vida útil realizado utilizando los tres casos anteriores sobre la
corriente de fuga producida por la generación de carga espacial . La
relación (τ SC / τ LL ) se representa en la figura 2.41 para los tres casos en
función de la temperatura. A temperatura ambiente, se observa la
proporción más baja para el oro porque el centro de recombinación se
encuentra cerca de la posición del espacio medio . Los valores mayores
para la relación (τ SC / τ LL ) para el caso de irradiación de platino y
electrones indican que los dispositivos fabricados con estos métodos
para el control de la vida útil exhibirán corrientes de fuga más bajas.
De hecho, esto se ha observado en rectificadores de potencia
fabricados utilizando los tres procesos de control de vida útil. 42 Con
base en estas consideraciones teóricas, la irradiación con electrones es
superior al oro para el control de por vida mientras mantiene una baja
corriente de fuga. Además, las ventajas mencionadas anteriormente de
las irradiaciones de electrones desde un punto de vista práctico de
fabricación la convierten en una tecnología atractiva.
.
.E + 04
10

Toda
(
DELτ vida
la
. E + 03
/ LL

10 Platino

CAROLINA
SUR
Electrón
Generación
τ

Cargar)

Irradiación
Espacio
relación
de
. E + 02
10
Normalizado

Oro
la

Toda
vida
.E + 01

10 . . . . .
300 350 400 450 500
Temperatura (K)
Temperatura ( o K)
Fig. 2.41 Relación de generación de carga espacial a vida útil de bajo nivel para la
recombinación
centros en silicio
2.3.6 Recombinación de barrena
En la fuertemente dopadas de tipo N y de tipo P regiones dentro de los

dispositivos de potencia, otro mecanismo facilita la recombinación de
los portadores minoritarios inyectados. Este proceso, llamado
recombinación Auger, se produce por la transferencia de la energía y el
momento liberados por la recombinación de un par electrón-agujero a
una tercera partícula móvil: electrones en el caso de material de tipo N
muy dopado y huecos en el caso de material de tipo N muy material de
tipo P dopado . Este mecanismo de recombinación también puede
volverse importante en las regiones de deriva ligeramente dopadas
dentro de los dispositivos de potencia cuando el nivel de inyección se
vuelve muy alto, como durante el flujo de corriente en estado activo en
condiciones de sobretensión. La presencia simultánea de una alta
densidad de electrones y huecos aumenta la probabilidad de
transferencia de energía a una tercera partícula móvil en este caso. Los
análisis teóricos 50,51 del fenómeno de recombinación Auger en
semiconductores de brecha indirecta, como el silicio, indican que el
proceso puede ocurrir con o sin asistencia fonética, y puede involucrar
transiciones directas de banda a banda o transiciones a través de
niveles profundos.
El proceso de recombinación Auger se ha caracterizado
experimentalmente mediante la observación de la desintegración del
exceso de portadores minoritarios a bajos niveles de inyección en
silicio de tipo N y P fuertemente dopado , 52 así como mediante la
observación de la desintegración de los portadores libres en exceso a
niveles de inyección altos silicio dopado. 53 En el caso del silicio de
tipo N muy dopado , dado que el proceso Auger transfiere la energía y
el momento debido a la recombinación a un electrón en la banda de
conducción, la vida útil de la recombinación Auger viene dada por:
τN= 1 = 1 (2,89)
UN C AN n 2

2.8⋅10 −31 n 2
donde n es la concentración de electrones. En el caso del silicio de
tipo P fuertemente dopado , dado que el proceso Auger transfiere la
energía y el momento debido a la recombinación a un agujero en la
banda de valencia, la vida útil de la recombinación Auger viene dada
por:
1 1
τ P =
=
(2,90)
UN
C AP p 2 1.0⋅10 −31 p 2
donde p es la concentración de huecos. En el caso de que la
recombinación Auger se produzca a altos niveles de inyección con una
gran densidad de huecos y electrones, la vida útil de la recombinación
Auger viene dada por:
τ ∆n = 1 = 1 (2,91)
UN C ∆ ∆ n 2 3.4⋅10 −31 ∆ n 2
Un
donde ∆ n es el exceso de concentración de portador. Los coeficientes

de Auger ( C A ) no son los mismos para los tres casos debido a la
diferencia en la estructura de las bandas de conducción y valencia en
el espacio energía-momento .
La vida útil de la recombinación Auger calculada utilizando las
expresiones anteriores se representa en la figura 2.42. Las gráficas se
muestran para niveles de dopaje de hasta 1 x 10 20 cm −3 para el caso de
regiones muy dopadas porque esta es una práctica común al fabricar
dispositivos eléctricos. Los valores extremadamente bajos de vida útil
del sinfín para niveles de dopaje superiores a 1 ⋅ 10 19 cm −3 tienen un
impacto en la longitud de difusión dada por:
L=Dτ (2,92)
donde D es el coeficiente de difusión dado por la relación de Einstein:
kT
D= ∝ (2,93)
q
donde ∝ es la movilidad de los transportistas minoritarios. Una

reducción en la vida útil produce corrientes de recombinación
mejoradas en las regiones finales de los dispositivos de potencia que
pueden degradar el rendimiento, como se explica más adelante en el
libro.
La vida útil de Auger para el caso de inyección de alto nivel en
regiones ligeramente dopadas es incluso menor que en regiones muy
dopadas porque los procesos Auger que requieren dos electrones y un
agujero y dos agujeros y un electrón pueden ocurrir simultáneamente
debido a la gran densidad de ambos. portadores. Este gráfico de la vida
útil de la barrena se muestra para densidades de portadora de hasta 5
x 10 18 cm −3 , que pueden ocurrir a densidades de corriente en
estado muy altas en rectificadores de potencia que operan en
condiciones de sobrecorriente.
10 .E- - 04
.MI-
10 - 05
(segundo)
.MI-
(Segundo)
10 - 06
Inyección de alto nivel
P + Silicio
de la barrena
.E- - 07 7
útil

10
Barrena Vida

-8
10
.E-08

+
N Silicio

.E- - 09 9
10

.E- - 10 10

10 .E + 17 .E + 18 1.E + 19 .E + 20
10 10 10 10
Cocentración del portador (cm -3)
Concentración de portador mayoritario o inyectado (cm -3 )
Fig.2.42 Vida útil de la barrena en silicio
El proceso de recombinación de Auger ocurre simultáneamente
con el proceso de recombinación de Shockley -Read-Hall discutido en
la sección anterior. La vida útil efectiva de la recombinación viene
dada por:

1 = 1 + 1 (2,94)
τ ef τ SRH τ UN

donde τ SRH y τ A son los tiempos de vida debidos a los procesos de

recombinación Shockley-Read-Hall y Auger, respectivamente. En el
caso de tiristores y rectificadores de alto voltaje, los dispositivos se
fabrican con densidades de defectos bajas para reducir la caída de
voltaje en estado encendido. El impacto del proceso de recombinación
Auger puede ser sustancial en este caso debido al gran valor de la vida
útil de Shockley-Read-Hall . Esto tiende a aumentar la caída de voltaje
en estado activo para los rectificadores de potencia y tiristores en
condiciones de sobrecorriente, como se explica más adelante en el
libro.
2.4 Contactos óhmicos
Los contactos con los dispositivos de energía se realizan mediante

películas metálicas depositadas en la superficie de sus capas
semiconductoras. Un requisito común es hacer contactos óhmicos a
N de tipo y de tipo P regiones. La resistencia de los contactos debe ser
lo más pequeña posible para minimizar la caída de voltaje en estado
encendido y la disipación de energía durante la conducción de
corriente. Esto se puede lograr mediante el uso de un contacto
metal-semiconductor con una altura de barrera baja y una alta
concentración de dopaje en el semiconductor.
para promover la corriente de túnel a través del contacto. Para los

contactos metal-semiconductor con alto nivel de dopaje en el
semiconductor, la resistencia de contacto determinada por el proceso
de tunelización 54 depende de la altura de la barrera (φ bn ) y la
concentración de dopaje ( N D ) como se indica por:

⎡2 εS m * ⎛ φ
⎞⎤

RC = exp ⎢ ⎜ bn ⎟⎥
⎟⎥ (2,95)
⎢ h ⎜ norte

⎣ ⎝ D ⎠⎦

donde ε S es la constante dieléctrica del semiconductor, m * es la masa
efectiva de los electrones y h es la constante de Plank. Por lo general, se
deben lograr resistencias de contacto específicas de menos de 1 ⋅ 10 −5 Ω
2
cm en estructuras de dispositivos de potencia.
La resistencia de contacto específica calculada usando la
fórmula anterior se representa en la figura 2.43 como una función de la
concentración de dopaje usando la altura de la barrera como
parámetro. Las alturas de barrera de los contactos de metal al silicio
están en el rango de 0.5–0.7 eV. A partir de la figura, se puede concluir
que se puede obtener una resistencia de contacto específica de 1 5 10 −5
2
Ω cm para una concentración de dopaje de 5 ⋅ 10 19 cm −3 si la altura de
la barrera es de 0,6 eV. Se pueden lograr concentraciones de dopaje de
superficie tan elevadas para el silicio de tipo N utilizando
la implantación de iones de fósforo. Se pueden conseguir valores
similares para contactos con silicio de tipo P utilizando aluminio como
metal y elevando la concentración de dopaje superficial a
aproximadamente 5 x 10 19 cm- 3 mediante implantación de iones de
boro.
10
cm (
.E + 01

2
1.E + 00
hm)
0,8 eV

2
E 01

-Oh
.E-01
(cm
Resistencia
10 -1
ResistenciaContacto

Ohm) -
1.E-02
.E-03
10 -3 0,6 eV

Contacto
10.E-05 0,4 eV

1.E-04
Específico
1.E-06
-5
Concentración
10 17 E1 07
E 19 de dopaje s perficial
fi ( ) (cm 3 ) 1E 20
Concentración
10 1 - . 7 E-07 de dopaje
Concentración
1.E + 19 superficial
de dopaje superficial (cm -3) (cm -3 ) 1.E
10 +2020
Fig.2.43 Resistencia 10 19
específica en contactos metal-semiconductor
2.5 Resumen
.
En este capítulo se han revisado las propiedades del silicio y el carburo
de silicio relevantes para los dispositivos de potencia. Entre las
propiedades de los semiconductores que son particularmente
importantes para el análisis y el funcionamiento de los dispositivos de
potencia se encuentran los coeficientes de ionización por impacto, que
determinan la capacidad de tensión de ruptura. La movilidad del
portador, a granel y en las capas de inversión formadas en la interfaz
del óxido, es otro parámetro importante que se requiere para el
análisis de estructuras unipolares y MOS-bipolares. Para los
dispositivos de potencia bipolar, la vida útil de la portadora
minoritaria es un parámetro crítico que determina la velocidad de
conmutación, así como la caída de voltaje en estado activo. Dado que la
mayoría de los dispositivos eléctricos disponibles en el mercado se
fabrican utilizando silicio como material base, estas propiedades se
han tratado en detalle en este capítulo. En este capítulo también se han
proporcionado las propiedades básicas requeridas para el análisis de
estructuras de dispositivos de potencia de carburo de silicio
unipolares. Para una descripción más detallada de las propiedades del
carburo de silicio relevantes para el análisis de dispositivos de
potencia, se remite al lector a la información disponible en la
literatura. 55
Las propiedades básicas del silicio y el carburo de silicio que se
han descrito en este capítulo se utilizarán ampliamente para el análisis
de las características eléctricas de los transistores y rectificadores de
potencia en las secciones posteriores del libro. Un conocimiento
profundo de estas propiedades, incluido el impacto de altas
concentraciones de dopaje y temperaturas elevadas, es esencial para
predecir las características eléctricas del dispositivo de manera
precisa.
Problemas
2.1 Determine la concentración de portador intrínseco para el silicio a 300,

400 y
500 K.
2.2 Determine la concentración de portador intrínseco para 4H-SiC a 300,

400 y
500 K.
2.3 Calcule el estrechamiento de la banda prohibida en el silicio a una

concentración de dopaje de
1 ⋅ 10 19 cm −3 .
2.4 Calcule la concentración de portador intrínseco en silicio a 300

K para una región con concentración de dopaje de 1 ⋅ 10 19 cm −3
.
2.5 Calcule el potencial incorporado para el silicio a 300, 400 y 500

K usando una concentración de dopaje de 1 ⋅ 10 19 cm −3 en el
lado P y 1 ⋅ 10 16 cm −3 en el lado N de la unión. .

2.6 Calcule el potencial incorporado para 4H-SiC a 300, 400 y 500 K
usando una concentración de dopaje de 1 ⋅ 10 19 cm −3 en el
lado P y 1 ⋅ 10 16 cm −3 en el lado N de la Unión.
2.7 Determine los coeficientes de ionización por impacto para

electrones y huecos en silicio en un campo eléctrico de 2 ⋅ 10 V
5
−1
cm . ¿Cuál es la razón de los valores?
2.8 Determine los coeficientes de ionización por impacto para

agujeros en 4H-SiC en un campo eléctrico de 2 ⋅ 10 6 V cm .
−1
2.9 Determine la movilidad de los electrones y los huecos en el

silicio a 300, 400 y 500 K para una concentración de dopaje de 1
⋅ 10 14
cm −3 . ¿Cuál es la razón de los valores a cada
temperatura?
2.10 Determine la movilidad de los electrones en 4H-SiC a 300, 400 y

500 K para una concentración de dopaje de 1 ⋅ 10 14 cm −3 .
2.11 Determine la movilidad de electrones y huecos en silicio a 300 K para

concentraciones de dopaje de 1 ⋅ 10 15 , 1 ⋅ 10 16 , 1 ⋅ 10 17 , 1 ⋅ 10 18 , y
1 ⋅ 10 19 cm −3 .
2.12 Determine la movilidad de los electrones en 4H-SiC a 300 K para

concentraciones de dopaje de 1 ⋅ 10 15 , 1 ⋅ 10 16 , 1 ⋅ 10 17 , 1 ⋅ 10 18 y 1 ⋅
10 19 cm −3 .
2.13 Calcule la velocidad y la movilidad promedio de los electrones en el

silicio en
300 K para valores de campo eléctrico de 1 ⋅ 10 2 , 1 ⋅ 10 3 , 1 ⋅ 10 4 y
1 ⋅ 10 V cm .
5 −1
2.14 Calcule la velocidad y la movilidad promedio de los electrones en

4H-SiC en
300 K para valores de campo eléctrico de 1 ⋅ 10 2 , 1 ⋅ 10 3 , 1 ⋅ 10 4 , 1 ⋅ 10
5
,y
1 ⋅ 10 6 V cm −1 .
2.15 Determine la movilidad de electrones y huecos en silicio a 300 K para

concentraciones inyectadas de 1 ⋅ 10 15 , 1 ⋅ 10 16 , 1 ⋅ 10 17 , 1 ⋅ 10 18 , y
1 ⋅ 10 19 cm −3 . Suponga que prevalecen condiciones de
inyección de alto nivel en el material.
2.16 Determine la resistividad intrínseca para silicio y 4H-SiC a 300 K.
2.17 Determine la resistividad para silicio de tipo N y P a 300 K

para concentraciones de dopaje de 1 ⋅ 10 13 , 1 ⋅ 10 14 , 1 ⋅ 10 15 , 1 ⋅
10 16 , 1 ⋅ 10 17 , 1 ⋅ 10 18 , y 1 ⋅ 10 19 cm −3 .
2.18 Determine la resistividad para el 4H-SiC tipo N a 300 K para

concentraciones de dopaje de 1 ⋅ 10 13 , 1 ⋅ 10 14 , 1 ⋅ 10 15 , 1 ⋅ 10 16
, 1 ⋅ 10 17 , 1 ⋅ 10 18 y 1 ⋅ 10 cm .
19 −3
2.19 Determine la vida útil de bajo nivel a 300 K en silicio de tipo N

con concentración de dopaje de 1 ⋅ 10 cm para los casos de
14 −3
centros de recombinación ubicados a una energía de 0.3, 0.5, 0.7

y 0.9 eV de la banda de valencia. . Suponga un valor de 1 ∝s para
τ p0 y 10 para el parámetro ζ.
2.20 Determine la vida útil de la generación de carga espacial a 300
K en silicio tipo N con concentración de dopaje de 1 ⋅ 10 14 cm −3
para los casos de centros de recombinación ubicados a una
energía de 0.3, 0.5, 0.7 y 0.9 eV de la banda de valencia. Suponga
un valor de 1 ∝s para τ p0 y 10 para el parámetro ζ.
2.21 Determine la vida útil de alto nivel a 300 K en silicio tipo N con
concentración de dopaje de 1 ⋅ 10 14 cm −3 para los casos de
centros de recombinación ubicados a una energía de 0.3, 0.5, 0.7
y 0.9 eV de la banda de valencia. . Suponga un valor de 1 ∝s para
τ p0 y 10 para el parámetro ζ.
2.22 Determine la vida útil de la recombinación Auger a 300 K en

silicio de tipo N y P con concentración de dopaje de 1 ⋅ 10 19
cm −3 .
Referencias
1 S.M. Sze, "Física de dispositivos semiconductores", Wiley, Nueva York, 1981.

2 G.L. Harris, "Propiedades del carburo de silicio", IEE Inspec, 1995.
3 M. Ruff, H. Mitlehner y R. Helbig, "Dispositivos SiC: física y
simulaciones numéricas", IEEE Transactions on Electron Devices, vol.
ED-41, págs. 1040-1954, 1994.
4 N.G. Wright, et al., “Simulación electrotérmica de dispositivos de
potencia 4H-SiC ”, carburo de silicio, nitruros III y materiales
relacionados - 1997, Foro de ciencia de materiales, vol. 264, págs.
917–920, 1998.
5 S.K. Ghandhi, "Semiconductor Power Devices", Wiley, Nueva York, 1977.
6 H.PD Lanyon y RA Turf, “Bandgap Narrowing in Heavy Doped
Silicon”, IEEE International Electron Devices Meeting, Resumen 13.3,

págs. 316–319, 1978.
7 J.W. Slotboom y HC DeGraf, “Medidas del estrechamiento de la banda
prohibida en transistores bipolares de silicio”, Electrónica de estado

sólido, vol. 19, págs. 857–862, 1976.

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Capitulo 2

Propiedades de los materiales y física del

En la actualidad, la mayoría de los dispositivos semiconductores de

2.1 Propiedades fundamentales

Las propiedades fundamentales del silicio 1 y del carburo de silicio 2-4

BJ Baliga, Fundamentals of Power Semiconductor Devices , doi:

24 FUNDAMENTOS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

otros poli-tipos de carburo de silicio. Las propiedades básicas de

Brecha de banda de energía

Banda de conducción 2,80 x 10 19 1,23 x 10 19

Figura 2.1 Propiedades fundamentales de los materiales

Los parámetros fundamentales del material para el silicio y el

Propiedades de los materiales y física del transporte 25

2.1.1 Concentración de portadores intrínsecos

La concentración de portador intrínseco está determinada por la

donde k es la constante de Boltzmann (1.38 ⋅ 10 −23 JK −1 ) y T es absoluto

mientras que para 4H-SiC viene dado por: (2,3)

El método tradicional para hacer esta gráﬁca se muestra en la

26 FUNDAMENTOS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

que el del silicio debido a la gran diferencia en la energía de la banda

Para el silicio, la concentración de portador intrínseco se vuelve

2.1.2 Estrechamiento de la brecha de banda

El diagrama de bandas de energía para el silicio a bajas

Propiedades de los materiales y física del transporte 27

Los bordes de la banda de valencia se denominan banda prohibida de

Densidad de estados Densidad de estados

A altos niveles de dopaje en el semiconductor, la estructura de

28 FUNDAMENTOS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Para el caso de concentraciones bajas de electrones en exceso:

La solución de (2.4) utilizando el exceso de concentración de electrones dada

La distribución del campo eléctrico para el potencial de Coulombic

La solución de esta integral produce:

Propiedades de los materiales y física del transporte 29

donde N D es la concentración de dopaje. Por consiguiente,

Fig. 2.5 Reducción de la banda prohibida en silicio a altas concentraciones de

El fenómeno de estrechamiento de la banda prohibida tiene un

30 FUNDAMENTOS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.1.3 Potencial incorporado

El potencial incorporado de las uniones P – N puede jugar un papel

Propiedades de los materiales y física del transporte 31

El potencial incorporado determina el ancho de agotamiento de

Fig. 2.7 Potencial incorporado para una unión PN en Si y 4H-SiC

El potencial incorporado calculado para silicio y 4H-SiC se muestra en la

32 FUNDAMENTOS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

2.1.4 Ancho de agotamiento de sesgo cero

Los anchos de reducción de polarización cero calculados para el silicio y el

(Ancho de agotamiento de sesgo cero (micrones

2.1.5 Coeﬁcientes de ionización por impacto

El coeﬁciente de ionización por impacto para los huecos (α p ) se deﬁne

Propiedades de los materiales y física del transporte 33

donde E es el componente del campo eléctrico en la dirección del ﬂujo

Figura 2.9 Coeﬁcientes de ionización por impacto para silicio y 4H-SiC

Los coeﬁcientes de ionización por impacto para 4H-SiC se

34 FUNDAMENTOS DE LOS DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

coeﬁcientes a valores conocidos para el campo eléctrico. En ambos

Fig. 2.10 Coeﬁcientes de ionización por impacto para silicio y 4H-SiC

A partir de las ﬁguras anteriores, se puede ver que el inicio de

2.1.6 Movilidad del portador

La resistividad (ρ) de una región semiconductora viene dada por:

Propiedades de los materiales y física del transporte 35

de la movilidad de los portadores es por tanto necesario modelar el

A bajas concentraciones de dopaje en la región de los semiconductores,

para agujeros. 18 Esta variación de la movilidad de los electrones y los