Centro de Instrucción Técnica de Helicópteros, s.l.

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TEMA 12
QJ ESOS.

..e
•1 '
u
QJ
..e
INDICE.

• l. INTRODUCCIÓN ................................................................................................................................. 3
1.1. EFECTO TRIBOELÉCTRICO ....................................................................................................................... 3
1.2. POLARIZACIÓN ........................................................................................................................................ 4
1.3. TENSIÓN RF ............................................................................................................................................. 4
2. DESCARGA ELECTROSTÁTICA (ESO} ..................................................................................................... S
2.1. DAÑOS PROVOCADOS POR ESO EN COMPONENTES ELECTRÓNICOS.................................................... S
2.2. TI POS DE FALLO DEBIDO A ESO .............................................................................................................. S
2.3. MECANISMOS DE FALLO ESO .................................................................................................................. 6
3. SISTEMA GLOBAL DE PROTECCIÓN FRENTE ESO ................................................................................... 8
3.1. SENSIBILIDAD DEL ELEMENTO ESOS ....................................................................................................... 8
3.2. FUENTES POTENCIALES DE ELECTRICIDAD ESTÁTICA............................................................ ................. 9
3.3. PROCEDIMIENTOS Y NORMAS GENERALES PARA TMA's ........... .......... ........ .......................................... 9
3.4 . HUMEDAD RELATIVA ............................................................................................................................ 11
3.S. CONEXIÓN A MASA............................................................................................................................... 12
3.6. EMBALAJ E DE PROTECCIÓN .................................................................................................................. 12

•
4. SEÑALIZACIÓN V MARCADO.............................................................................................................. 13

u
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QJ
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BLANK

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1. INTRODUCCIÓN.

Los materiales adquieren carga eléctrica principalmente de dos formas:

Á Por efecto triboeléctrico.
Á Por polarización.

1.1. EFECTO TRIBOELÉCTRICO.

El contacto y la separación de dos materiales neutros provoca un intercambio de electrones de uno a otro
con lo que adquieren un cierto nivel de carga electrostática. Dependiendo de si ha perdido o ganado
electrones, adquirirá una ca rga positiva o negativa respectivamente. Si hacemos una selección de los

• materiales según la tendencia que tienen a adquirir carga positiva o negativa, conseguimos una tabla
triboeléctrica:

Aire Seco

+ Baquelita
Vidrio

QJ Nylon
Lana

..e
Cabello Humano
Piel
Papel
Algodón

1
• ' Madera
Ámbar

u
Poliuretano
Polietileno
Níquel
Cobre
Plata

QJ Oro
Goma

..e
PVC
Silicio
Teflón

La fricción entre dos superficies cargadas, cuando mayor sea esta, más intercambio de electrones

• producirá dando lugar a una carga más elevada. El efecto aumentará si la fricción es rápida. La intensidad
de la carga está, además, directamente influenciada por la humedad relativa: cuanto más baja sea ésta,
más alta será la carga.
Cuanto mayor sea la distancia que separa los materiales en la serie triboeléctrica, mayor será el nivel de
carga generado. Los materiales del extremo positivo de la escala tienen tendencia a perder electrones,
resultando positivamente cargados, mientras que la tendencia de los situados en la parte negativa es a
absorber electrones, con lo que se convierten en negativamente cargados.

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1.2. POLARIZACIÓN.

Todo material cargado está rodeado de un campo eléctrico. Un material conductor, bajo la influencia de
este campo, puede adquirir una carga. Es el fenómeno llamado polarización
Si el objeto que emite el campo está cargado positivamente, los electrones de un material conductor
derivarán hacia el área más próxima del objeto, con lo que dejará al extremo opuesto con deficiencia de
electrones (cargado positivamente). Si el área negativamente cargada del conductor entrara en contacto
con masa, el exceso de electrones derivaría, con lo que el conductor quedaría positivamente cargado. La
derivación a masa del material conductor positivamente cargado tendría como consecuencia el flujo
instantáneo de electrones de vuelta al mismo, con lo que se generarían temperaturas elevadas y la casi
segura destrucción del elemento si es un ESOS .

•
u
QJ
Cuando se expone a un campo electrostático un dispositivo electrónico no conectado a masa que contiene
semiconductores, se produce de nuevo la polarización moviéndose los electrones hacia el área más positiva
del campo. En el semiconductor aparece una diferencia de potencial y, si la diferencia es lo bastante
grande, se producirá la rotura dieléctrica. En determinadas ocasiones (potenciales elevados) el dieléctrico
se fundirá, con la consiguiente destrucción del dispositivo. En otras situaciones, se producirán pequeños

• orificios quemados, lo que dará lugar a la degradación de la vida útil, a un funcionamiento impreciso, o
ambas cosas.

1.3. TENSIÓN RF .

Cuando un objeto electrostáticamente cargado se descarga, la chispa emitida genera un campo

electromagnético variable: tensión RF. El campo induce corrientes a los conductores estacionarios o
móviles lo que puede dar lugar a averías.
Ej.: Al aproximarse al puesto de trabajo, las personas se cargan negativamente, como consecuencia del
rozamiento de sus ropas entre sí y con el aire ambiente (efecto triboeléctrico). Puesto que está cargado
emite un campo eléctrico. Sobre la mesa imaginemos que hay tres dispositivos electrónicos. A medida que
se acerca, su campo EMI atraviesa los dispositivos, lo que da lugar a que se generen corrientes imprevistas
a su través. Esto puede dar lugar a la degradación de la vida útil o un funcionamiento impreciso de los
componentes. Cuando el técnico llega a su puesto de trabajo, su campo ha polarizado ya los
semiconductores de los dispositivos, lo que podría dar lugar a averías por perforación dieléctrica. Si el
técnico entra en contacto con uno de los dispositivos, descargara sobre éste todo su potencial. El flujo de
e alta tensión correspondiente genera la potencia suficiente para destruir el dispositivo. La chispa generada
en la descarga, transmite tensión RF que se desplaza a través de los restantes dispositivos, induciendo
corrientes no intencionadas que fluyen a su través y que los someten a posibles daños irreparables.

¿Qué hay que saber?

• Distintos medios por los que un elemento adquiere una carga electrostática para distinguir uno de
otro

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2. DESCARGA ELECTROSTÁTICA (ESO}.

La descarga electrostática o ESD (Eiectrostatic Discharge) es el cambio de electrones entre dos elementos
cargados electrostáticamente. Cuando un material cargado electrostáticamente es puesto en contacto con
un objeto conectado a masa se desprende de esta carga eléctrica recuperándose el equilibrio eléctrico. Este
fenómeno es extremadamente rápido: decenas de nanosegundos.
Las descargas electrostáticas pueden ocurrir durante la fabricación, embalaje, verificación, o cualquier otro
momento en que el dispositivo entre en contacto con una persona o una máquina.
Para caracterizar la susceptibilidad de un dispositivo electrónico frente a descargas electrostáticas se
utilizan modelos que simulan los eventos ESO reales. Estos modelos deben estar suficientemente
estandarizados con la finalidad de obtener resultados consistentes y poder definir cuantitativamente la

• fiabilidad de los mismos .

2.1. DAÑOS PROVOCADOS POR ESO EN COMPONENTES ELECTRÓNICOS.

En la industria de la electrónica el problema de electricidad estática se puso en escena hacia la mitad de los
años 70, coincidiendo con la introducción en el mercado de dispositivos basados en tecnología CMOS. No
fue hasta finales de los años 80 cuando se comenzó a asumir la importante repercusión de la descarga
electrostática en todos los ámbitos de la manufactura de componentes electrónicos.
Es frecuente que los fallos provocados por ESD se analicen, erróneamente, como fallos causados por EOS
(Eiectrical Over Stress) debido a corrientes inducidas de origen no electrostático. En otros casos los fallos se
pueden atribuir a defectos de fabricación.
Otro factor muy importante a tener en cuenta es el constante desarrollo de la microelectrónica. Este
desarrollo va dirigido a, cada vez más, reducir el tamaño de los dispositivos, con lo que se necesitan
dispositivos muy costosos (microscopios electrónicos) para observar daños electrostáticos.

2.2. TIPOS DE FALLO DEBIDO A ESO.

e Si se clasifican los fallos debidos a ESD en función del efecto que provocan se pueden definir tres categorías
de fallo:

QJ
..e
DESTRUCC IÓN D !:GRAOAC IÓN VIDA FUNCIONAMIENTO

1 '
•
INMEDIATA ÚTIL IMPRECISO

Destrucción del componente: Como resultado de las altas tensiones y el flujo de corriente de la
descarga, el dispositivo queda inoperativo.
• Daño latente: El dispositivo falla debido a una ESD pero después de haber sido expuesto a la
descarga electrostática. Se pueden observar dos variantes:

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• Degradación de la vida útil del componente: El daño puede que no sea lo

suficientemente fuerte para destruir el dispositivo pero puede dar lugar a fallos en

QJ •
éste. Una parte de la degradación de componentes antes de que finalice su vida útil
es debida a daño provocado por ESD.
Funcionamiento impreciso del componente: las corrientes transitorias inducidas y
la polarización pueden afectar a los parámetros de régimen del dispositivo
hacie ndo que funcione de forma imprevista o fuera de las tolerancias esperadas:
fallo intermitentes

Un daño latente puede implicar que el dispositivo pase los test de calidad y verificación y se remita como
óptimo, se monte y vuelva a fallar ... Generándose un bucle de unas 4 o S repeticiones hasta que salta de

• alarma de alerta de equipo defectuoso (alerta por SN), originando pérdidas de tiempo y dinero .

u SOFT
FAILURE

QJ
..e EAPROH

• 1 '
2.3. MECANISMOS DE FALLO ESO.

los modos en que una descarga electrostática puede dañar un componente electrónico dependerán, por
un lado, del tipo de descarga (niveles de tensión y corriente y tiempo de descarga) y, por otro, del tipo del
componente afectado.
Se pueden diferenciar tres mecanismos de fallo por ESD:

PERFORACIÓN DE ÓXIDO.

Problema común en componentes basados en tecnología MOS: la fina capa de óxido aislante que separa la
puerta y el canal es perforada por una descarga de varios miles de voltios. Esta tendencia ha llegado a
cientos de voltios dado que cada vez se fabrican transistores más pequeños.

Metal

•
1
' óxido
mductor

u Surtidor

Sustrato
Drenador

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Ejemplo observado con un microscopio eléctronico a 3000 X:

..e Vu'\ (PAD)

•1 '
u
QJ
QUEMADURA DE UNIÓN.

Destrucción de una unión P-N debido al calentamiento por efecto Joule que provoca la descarga
electrostática, dando como resultado un cortocircuito en la unión o la falta de conexión. Este mecanismo
de fallo es predominante en dispositivos bipolares .

•
u
QJ Vool fPAD)

..e SICNAL SIC~L

1 '
•
u ~- SUamAJE CEGWED
.uocnoH
~-1/Eu

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FUSIÓN DE METAL.

Cuando se produce una descarga electrostática sobre una zona metálica o una resistencia, si la potencia
disipada por efecto Joule es suficientemente elevada, puede llegar a fundir este componente. Este
fenómeno suele ocurrir en conexiones muy delgadas. Si la potencia es lo suficientemente elevada puede
calentar el metal por encima de su temperatura de fusión . La fusión metálica se observa comúnmente en
circuitos integrados. Si la descarga sólo consiga fundir parcialmente el metal se producirá un fallo latente.

Diodos de protección

•
1
u'
QJ
..e
• 1 '
Metalización fundida Fusión parcial

¿Qué hay que saber?

Tipos de fallo. Definiciones.
Mecanismos de fallo. Definiciones y distinguir unos de otros.

3. SISTEMA GLOBAL DE PROTECCIÓN FRENTE ESO.

Los eventos ESO son procesos que pueden producirse en cualquier fase del proceso: Recepción de
componentes, manipulación de los componentes, procesos automatizados, embalaje del producto, etc. La
protección frente ESO debe acompañar al producto en todo el flujo de proceso. Obviamente, nos vamos a
centrar en la parte que corresponde a un certificador "Bl", aunque es necesario formar a todos los
integrantes para evitar el fracaso de la prevención y el deterioro de los componentes.

• 3.1. SENSIBILIDAD DEL ELEMENTO ESOS.

Tabla de elementos y sensibilidad a las descargas electrostáticas. Estos niveles de tensión son los que
producen daño en los componentes, cuando son generados por un campo electrostático.

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Tipo de Componente Tensión umbral de daño (V)

QJ vos
MOSFET
30-1800
100-200

..e GAAS FET

EPROM
JFET
OPAMP
100-300
100-2500
140-7000
190-2500

•1 '
CMOS 250-3000

u
SCHOTTY OIOOES 300-2500
FILM RESISTORS 300-3000
BIPOLAR TRANSISTOR 380-7000
SCR 680-1000
SHOTTY TTL 1000-1500

3.2. FUENTES POTENCIALES DE ELECTRICIDAD ESTÁTICA.

Se define como fuente de electricidad estática a todo elemento que pueda almacenarla. Las fuentes de
electricidad estática se pueden dividir en tres grupos principales:
• Entorno: Suelos, paredes, superficies de trabajo, sillas, mesas, etc.
Personas: Cuerpo, ropa, documentos, etc.
Materiales: Materias primas, herramientas, embalajes, etc.

• Área protegida frente ESO (EPA). Se define como Área Protegida frente ESO o EPA (del inglés ESO Protected
Area) el área en que los dispositivos sensibles a descarga electrostática pueden manipularse con un riesgo
mínimo de degradación como resultado de una descarga, o los campos electrostáticos asociados a éstas.
Las EPA's se clasifican en:

Clase o Contiene componentes con tensiones umbral entre o y 199 V

Clase 1 Contiene componentes con tensiones umbral entre 200 y 400 V

Clase 2 Contiene componentes con tensiones umbral entre 500 y 1999 V

Clase 3 Contiene componentes con tensiones umbral superiores a 2000 V
Clase 4 No contiene componentes sensibles a ESO

3.3. PROCEDIMIENTOS Y NORMAS GENERALES PARA TMA's .

• A
A
Mantener limpia el área de trabajo
Retirar los objetos personales innecesarios.
A Manipular los componentes en su embalaje de protección el mayor tiempo posible
A Extraer los componentes de su embalaje solo estando protegidos.
A No entregar un componente a la mano de una persona que no utilice la protección necesaria.
A Manipular sin tocar "patillas" o conectores.

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Á No permitir que los componentes entren en contacto con materiales plásticos comunes y/o tejidos
no protegidos.
Á Evitar las superposiciones de "montones" de dispositivos
Á No se deben depositar dispositivos sensibles sobre otros equipos electrónicos (elementos de
medida)
Á No se deben utilizar equipos de radio, ni móviles a menos de 50 cm. de un dispositivo sensible
cuando está sin protección.
J... Siempre que se desmonte o monte un elemento ESOS debe de desconectarse la alimentación
eléctrica al mismo (según AMM).
Más específicamente, en el avión nos vamos a encontrar con tarjetas (placas de circuitos impresos)
computadores .

• PLACAS DE CIRCUITOS IMPRESOS.

l. Conectarse la muñequera de protección antiestática para su montaje/desmontaje.

2. Transportar la placa en una bolsa especial o en un contenedor de protección.
3. Colocar en la bolsa o el contenedor la pegatina correspondiente.

ATTENTION

QJ OBSERVE PRECAUTIONS
FOR HAHDUNG
ELECTROSTA TIC
SENSITIVE
DEVICES

..e
• 1 '
u
Ettqueta ESOS

ESOS PR!NTED CIRCUIT BOARD - SPEC!AL HANDLI NG

COMPUTADORES.

l. Desmontar/montar el equipo sin tocar los conectores de la parte trasera. No es necesaria la

muñequera anti estática.
2. Quitar los tapones anti estáticos lo más tarde posible y montárselos al equipo desmontado.

Para evitar contactos accidentales con los conectores de los equipos, estos van protegidos por tapones anti
estáticos.

u
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Clt.VI TY COO!
" 118" ClPPE~ Plt.RT OF CONNECTOR)

Clt.VI TT CODE
"C"' ( LOWfl PART Of COIINECTCMI)
o
FRONT VIEW

3.4. HUMEDAD RELATIVA.

La presencia de humedad ambiental tiene como resultado la creación de una fina capa de agua en los
objetos que se comporta como un medio conductor. Si esta capa de humedad se crea en un objeto cargado
electrostáticamente el resultado es que las cargas eléctricas pueden distribuirse libremente neutralizando
la carga global del objeto: se acerca al comportamiento de un conductor.

---- ----- -+-+-+-+

+-
•
Objeto cargado
negativamente
la capa de
humedad permite a
la carga distribuirse
la carga se original
se neutraliza
homogéneamente

La siguiente tabla muestra la carga electrostática que un objeto puede almacenar a diferentes niveles de
humedad relativa .

Medios de generación estática Humedad 10-20% Humedad 65-90%

Andar sobre alfombras 35.000 Voltios 1.500 Voltios

Andar sobre piso de vinilo 12.000 Voltios 250 Voltios

Operario en el banco de trabajo 600 Voltios 100 Voltios

Fundas de vinilo porta documentos 7.000 Voltios 600 Voltios

Bolsa de plástico ordinaria 20.000 Voltios 1.200 Voltios

Silla de trabajo tapizada 18.000 Voltios 1.500 Voltios

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3.5. CONEXIÓN A MASA.

En caso de tener que utilizar herramientas para la manipulación de ESOS, deberán ser "antiestáticas": la
norma a seguir consiste en procurar que todo lo que entra en contacto con circuitos sensibles a la estática
esté al mismo potencial que el correspondiente a masa del elemento y lo que le rodea en el avión. Las
herramientas como alicates, pinzas, destornilladores, etc. deben ser disipativas para que proporcionen un
drenaje de las cargas y a su vez seguridad al operario que las utiliza cuando trabaja en equipos alimentados.

MUÑEQUERAS.

Se coloca alrededor de la muñeca haciendo contacto con la piel y con un cable a un punto de conexión a

• masa, punto de conexión a masa debidamente identificado .

Los cables de conexión deben ser lo suficientemente largos para que su colocación y uso resulte cómodo
pero lo bastante cortos para que su longitud no suponga un aumento considerable de la resistencia y la
muñequera debe ajustarse a la muñeca del usuario de forma que asegure el perfecto contacto sin resultar
incómodo.
La resistencia a tierra del conjunto muñequera/ piel debe estar contenida en el rango de valores siguiente:
7
7,5 X 10 5 0~ R ~ 3,5 X 10 0
Para el cable de la muñequera la resistencia de fin a fin debe ser:
7,5 X 10 5 0~ R ~ 5 X 10 6 0
Como medida de seguridad hay que comprobar que la superficie externa de la muñequera no sea
conductiva.

3.6. EMBALAJE DE PROTECCIÓN.

Se considera material de embalaje a todo material en los cuales los ESOS se embalan para su transporte o
almacenamiento incluyendo bolsas, cajas, materiales para envolver, materiales de protección, separadores,
espumas, relleno, contenedores, etc. Hay tres niveles de embalaje en función de su interacción con los
• ESOS:
• Embalaje íntimo: embalaje (o parte del embalaje) que está o puede estar en contacto físico
con el ESOS.
Embalaje próximo: embalaje (o parte del embalaje) que está cerca pero que no es probable
que llegue a entrar en contacto físico con el ESOS.
• Embalaje secundario: embalaje alejado del ESOS y que no está permitido en áreas protegidas
frente ESO.
Las características de un material utilizado como embalaje de ESOS son las siguientes:
• Baja generación de carga: Los materiales de embalaje deben garantizar la minimización de
cualquier generación de carga.
Blindaje frente a descarga electrostática: Los materiales de embalaje deben proteger los
dispositivos sensibles a ESO frente a los campos electrostáticos externos y descargas
electrostáticas.

REQUISITOS DEL EMBAlAJE.

• Un certificador es responsable de los elementos que monta en el avión o de que los elementos que llegan
al mismo están en perfectas condiciones antes de montarlos. Por tal motivo hay que conocer la base
teórica de los embalajes de ESOS. Como regla general todo material generador de cargas electrostáticas tal
como plásticos, material esponjado, fibras sintéticas o cintas adhesivas sin tratar están prohibidas como
materiales de embalaje íntimo o de proximidad.
Asimismo no se debe utilizar como material de embalaje el definido como aislante electrostático.
A continuación se presenta una tabla donde se recogen las características que debe cumplir el embalaje:

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Dentro del EPA

Intimo Próximo

ESOS Sin Baja generación de carga y Baja generación de carga, blindaje

batería conductor (o disipaüvo) frente ESO y conductor (o disipativo)
electrostático electrostático

Con Baja generación de carga y

batería disipativo electrostático
8
(resistencia superficial > 10 Q)

•1 ' No ESOS Embalaje adecuado para ESOS o de baja generación de carga

Fuera del EPA
Intimo Próximo

ESOS Sin Baja generación de carga y Blindaje frente ESO.

batería conductor (o disipaüvo)
electrostático

QJ Con Baja generación de carga y

batería disipativo electrostático
(resistencia superficial > 108 Q)

No ESOS No hay requisitos

Los contenedores y cajas para el transporte y almacenaje de componentes y dispositivos electrónicos

•
tienen que ser de plástico conductor y color negro, esto debido a que su fabricación se realiza mediante
extrusión de plástico con carbón que es el que proporciona las características eléctricas deseadas. Las cajas
son conductoras "antiestáticas", para evitar la acumulación de carga y a su vez apant allar los campos
electromagnéticos externos. Si los elementos vienen en bolsas anti estáticas, se permiten contenedores
normales para su transporte.

¿Qué hay que saber?

• Fuentes potenciales de ESDS.
• EPA. Defin ición y clases.
• Nor mas para TMA's.
• Influencia de la h umedad relat iva.
• Función de la conexión a masa.
• Embalaje de protección: Clases y funciones .

4. SEÑALIZACIÓN Y MARCADO.

Los marcados y señalizaciones son de gran utilidad para reconocer e identificar ESDS, áreas p rotegidas,
e materiales de protección, etc. Hay tres t ipos de símbolos utilizados para señalizar que el equipo o elemento
es sensib le a las descargas electrostáticas:
• Comercial.
• M ilitar.
• Int ernacional.

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..e ~ll' MILITARY COMMERCI AL I NTERNATlONA L

~ -- ~
~

•1 '
1

' ATTENTION
THI$ U!ilf CONUINS STATlC
SENSITJVf OEVICES.
En el avión las zonas donde t enemos elementos CONN(CT GROUNDIHG WRIST
STR.\P TO flfClROSlATJC
ESDS, vienen señalizados con la simbología GROUND JACK LOCA!ED Al lilE
LOWER AHitlf IIAHD SJDE Of
int ernacional y textos definitorios. Los puntos de THI$ UHIT

conexión a masa para la muñequera también están

correctamente identificados:
p (\
OBSE~Vf
10"
PllfCAlJJ JOHS
HAN ~LJ N G

::~~-~

QJ :
1-
LJ:~
\....__
ELECTROSTATIC
SENSITIVE
- - -~::.:.____./
DEVICES

-~
ATTENTI ON
Los Equipos también vienen correctamente ELECTROSTATI C
identificados con las pegatinas correspondientes: --¡ GROUND
l__J_~~K
.. .. @

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ATTENTION
Cont cnts
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ATTENTION
Stlt l c Sc nshlvt
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tlandl t Onl y H
Sht l c Saft IJork
SUt l ont
Rcuulllc Cont.lner
Do Ho t Ou troy

PRIIITED CI RCUIT CARO CARRIER

• ¿Qué hay que saber?

• Símbolos
• Indicación de EPA's en aviación .
...,.iiiiilllll,..• Indicación de ESDS.

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