Utp Electronic Analogica I PDF

UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DEL PERÚ
Vicerrectorado de Investigación

Electrónica Analógica I

TINS Básicos

Facultad de Ingeniería Electrónica y Mecatrónica

TEXTOS DE INSTRUCCIÓN BÁSICOS (TINS) / UTP

Lima ‐ Perú

© Electrónica Analógica I
Desarrollo y Edición: Vicerrectorado de Investigación
Elaboración del TINS: • Ing. Moisés Leureyros Pérez
• Ing. José Andres Sandoval Valencia
Diseño y Diagramación: Julia Saldaña Balandra
Soporte académico: Instituto de Investigación
Producción: Imprenta Grupo IDAT
Queda prohibida cualquier forma de reproducción, venta, comunicación pública y transformación de
esta obra.

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“El presente material contiene una compilación de obras de Electrónica
Analógica I, publicadas lícitamente, resúmenes de los temas a cargo del
profesor; constituye un material auxiliar de enseñanza para ser empleado en
el desarrollo de las clases en nuestra institución.

Éste material es de uso exclusivo de los alumnos y docentes de la Universidad
Tecnológica del Perú, preparado para fines didácticos en aplicación del
Artículo 41 inc. C y el Art. 43 inc. A., del Decreto Legislativo 822, Ley sobre
Derechos de Autor”.
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Presentación

El presente texto elaborado en el marco de desarrollo de la Ingeniería, es un material de
ayuda instruccional, en las carreras de Ingeniería Electrónica y Mecatrónica para la
Asignatura de Electrónica Analógica I correspondiente al sexto y quinto ciclo de estudios
respectivamente.

Plasma la iniciativa institucional de innovación del aprendizaje educativo universitario que
en acelerada continuidad promueve la producción de materiales educativos, actualizados
en concordancia a las exigencias de estos tiempos.

Esta edición apropiadamente recopilada, de diversas fuentes bibliográficas, de uso
frecuente en la enseñanza de la Electrónica Analógica I, está ordenada en función del
sillabus de la asignatura arriba mencionada.

La conformación del texto ha sido posible gracias al esfuerzo y dedicación académica de los
Profesores: Ing. Moisés Leureyros Pérez y José Andrés Sandoval Valencia; ellos basados en
su reconocida labor profesional – académica han hecho posible la presente estructura
capitular:

El primer capitulo: Diodos; esboza la teoría del diodo semiconductor, características,
parámetros eléctricos y aplicaciones.

En el segundo capítulo: Filtros; estudia los filtros pasivos, los diferentes tipos de filtros y
familias de tal manera que se entienda su aplicación.

En el tercer capítulo: Transistor de juntura bipolar; se presenta el funcionamiento del
transistor, su curva característica, punto de operación, polarización y análisis en pequeña
señal.

En el cuarto capítulo: Transistor de efecto de campo; se estudia otro tipo de transistor
diferenciándolo con el BJT en cuanto a estructura interna y modo de trabajo o
funcionamiento. En este capítulo también se estudia el Mosfet.

En el quinto capítulo: Amplificadores; se estudia las características del los amplificadores,
culminando con amplificadores operacionales.

En el sexto capítulo: Reguladores; los reguladores de tensión son importantes porque
suministran adecuadamente la energía al sistema (circuito eléctrico/electrónico) a ser
controlado, se estudian diferentes tipos de reguladores.

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En el séptimo capítulo: Respuesta en frecuencia; se estudia la respuesta en estado
estacionario (régimen permanente) de un amplificador ante una entrada sinusoidal. Para el
estudio del amplificador, se varía la frecuencia de la sinusoide de entrada dentro de un
determinado rango de frecuencias y se obtiene la respuesta resultante.

Al cerrar estas líneas de presentación, el reconocimiento institucional a los Ing. Moisés
Leureyros Pérez y José Andrés Sandoval Valencia por su constancia en la compilación del
presente texto.

Ing. Lucio H. Huamán Ureta
Vicerrectorado de Investigación
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Índice

Unidad Temática No.I
Diodo semiconductor ........................................................................................................ 11
Diodo con polarización inversa ......................................................................................... 12
Característica tensión‐corriente........................................................................................ 12
Dependencia con la temperatura ..................................................................................... 13
Resistencia del diodo......................................................................................................... 14
Modelos circuitales del diodo ........................................................................................... 15
Capacidades internas en el diodo semiconductor ............................................................ 16
Diodos especiales .............................................................................................................. 22
Especificaciones de los diodos .......................................................................................... 24
Circuitos enclavadores de fijación..................................................................................... 38

Unidad Temática No.2
Filtros ............................................................................................................................. 43
Tipos de filtros................................................................................................................... 43

El transistor bipolar (BJT) .................................................................................................. 59
Representación del transistor bipolar............................................................................... 60
Regiones de trabajo en el transistor bipolar..................................................................... 61
Técnicas de compensación................................................................................................ 70
Parámetros K ..................................................................................................................... 83
Parámetros admitancia ..................................................................................................... 85
Modelos de parámetros π–hibridos.................................................................................. 93
Tecnología del transitor .................................................................................................... 94
Formas de construcción del transitor ............................................................................... 95

El transistor unipolar(FET)................................................................................................. 99
Principio de funcionamiento ............................................................................................. 99

Ganancias del amplificador ............................................................................................... 127
Configuraciones de transistores........................................................................................ 134

Reguladores....................................................................................................................... 189
Tipos de reguladores ......................................................................................................... 191
Ejemplos de reguladores lineales...................................................................................... 193
7
Reguladores con circuitos integrados ............................................................................... 198
Respuesta en frecuencia ................................................................................................... 217
Respuesta en frecuencia de los amplificadores ................................................................ 218
Puntos de media potencia y ancho de banda ................................................................... 219
Respuesta en frecuencia del transistor............................................................................. 221
Métodos de respuesta en frecuencia ............................................................................... 223
Respuesta en baja frecuencia ........................................................................................... 233
Calculo de la respuesta en frecuencia usando MATLAB ................................................... 241
Diseño de filtros activos mediante amplificadores operacionales ................................... 242
Acoplo con transformadores en banda ancha .................................................................. 246
Redes lineales de segundo orden ..................................................................................... 250
Series de problemas .......................................................................................................... 256

Bibliografía ........................................................................................................................ 263

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Distribución Temática

Clase
Tema Semana Horas
N°
Circuitos con diodos. Estabilidad térmica. Circuitos de
1 1 2
conmutación, limitadores, enclavadores.
Circuitos equivalentes, curvas V‐I. Diodos especiales.
2 2 2
Amplificaciones.
Circuitos de rectificación con diodos Rectificación de
3 media onda y onda completa. Factor de rizado. 3 2
Aplicaciones.
FILTROS Y REGULADORES. Filtro a condensador. Filtro a
4 4 2
inductancia. Filtro L‐C.
Filtro de varias etapas. Reguladores con Zener y C.I.
5 5 2
Aplicaciones
El transistor Bipolar. Métodos de polarización. Comparació
6 6 2
los diferentes métodos.
Factores de estabilidad. Rectas de carga en contínua y
7 7 2
alterna aplicaciones.
El transistor de efecto de campo. Curvas, características
8 8 2
del FET. Zona omisa y activa.
Métodos de Polarización y estabilidad. Aplicaciones
9 9 2
10 E X A M E N P A R C I A L 10 2

Análisis en pequeñas señales del amplificador de audio –
11 frecuencia. Modelo de parámetros híbridos. Cálculo de 11 2
ganancia.
Forma de Acoplo de los Amplificadores.
12 12 2
Amplificador Multietapas y configuraciones notables. El
13 13 2
amplificador cascode y amplificador darlington.
El Amplificador Diferencial. Amplificador Operacional.
14 14 2
Aplicaciones.
Respuesta en frecuencia de amplificadores de una o más
15 etapas. Funciones de transferencias. Ceros y Polos 15 2
diagrama de Bode.
Frecuencias de corte inferior y superior.
16 16 2
9
Clase
Tema Semana Horas
N°
Respuesta en frecuencia del transistor bipolar “BJT”.
17 17 2
Aplicaciones.
Respuesta en frecuencia del transistor de efecto de campo
18 18 2
“FET”. Aplicaciones.
19 E X A M E N F I N A L 19 2
20 E X A M E N S U S T I T U T O R I O 20 2

10
UNIDAD TEMÁTICA
No. 1

DIODO SEMICONDUCTOR:
Es un dispositivo formado por una capa de semiconductor tipo P junto a otra de
tipo N.

Conduce corriente en un solo sentido, según la polaridad de sus terminales. En las
siguientes gráficas se muestran las concentraciones de cargas dentro de sus capas
sin polarización, con polarización directa y con polarización inversa:

Diodo sin polarización
Aquí vemos que las concentraciones de cargas se mantienen constantes en el
cuerpo del material.

- - + +
Ppo - - + + Nno
- - + +
P - - + + N
- - + +
Npo - - + + Pno
- - + +

Donde:
PPO = Concentración de cargas positivas libres (mayoritarias) en la zona P.
NPO = Concentración de cargas negativas libres (minoritarias) en la zona P.
NNO = Concentración de cargas negativas libres (mayoritarias) en la zona N.
PNO = Concentración de cargas positivas libres (minoritarias) en la zona N.

Diodo con polarización directa
Aquí vemos que las concentraciones de cargas de los portadores minoritarios han
aumentado a los costados de la región de transición. Esto quiere decir que hay un
exceso de cargas a ambos lados de la zona de transición.

En esta situación, el dispositivo conduce corriente desde la zona P a la zona N.
Obsérvese que la fuente V tiene su polo positivo en la región P (llamada ANODO) y
el negativo en la región N (llamada CATODO).

11
Ppo Nno
p N
N1
N1 P1
Npo Pno
- (Vo - V) +
V > 0
+ V -

Diodo con polarización inversa
Aquí vemos que las concentraciones de cargas de los portadores minoritarios han
disminuido a los costados de la región de transición. Esto quiere decir que hay una
escasez de cargas minoritarias a ambos lados de la zona de transición.

En esta situación, el dispositivo no conduce corriente.

Obsérvese que la fuente V tiene su polo negativo en la región P y el positivo en la
región N.

PPO NNO
P N
NPO
PNO
- +
V

A continuación se muestra el símbolo que se usa para representarlo:

CARACTERÍSTICA TENSIÓN – CORRIENTE:
La ecuación del diodo semiconductor es:

ID = Io (℮V/ηVT – 1)

12
Donde:
V = tensión en el diodo
ID = corriente del diodo
Io = corriente inversa de saturación
VT = kT / e =Tensión térmica (25.8 mV á T = 300°K)
η = Coeficiente de emisión (1 para el germanio y 1 ó 2 para el silicio)
k = Constante de Boltzman = 8.62x10‐5 eV/°K)
e = Magnitud de la carga del electrón = 1.602x10‐19C
T = Temperatura absoluta en °K

El diodo empieza a conducir con polarización directa si la tensión supera la de codo
o umbral, Vγ. Esta tensión vale: 0.1 ó 0.2 V para el germanio y 0.6V para el silicio.

Es posible simplificar la ecuación del diodo si tenemos en cuenta que, por ejemplo,
un diodo de silicio prácticamente no conduce si su tensión directa es del orden de
0.5 V.

En este caso, con η = 2:

ID = Io (℮V/ηVT – 1) = Io (℮0.5 / 2x0.0258 – 1) = ℮ 9.69 – 1 = 16,154 – 1

Lo anterior significa que cuando el diodo conduce corriente directa, podemos
despreciar el número: – 1, debido a que no introduce error apreciable.

DEPENDENCIA CON LA TEMPERATURA:
Los dispositivos semiconductores dependen mucho de la temperatura. La corriente
inversa de saturación del diodo es dada por la ecuación:

Io = K Tm e‐VGO/VT

Donde:
T es la temperatura absoluta en °K.
K es una constante
VGO = EGO / e: Es el equivalente en tensión del ancho de la banda prohibida á 0 °K
VT = kT / e: Es la tensión térmica.

Se demuestra que:
Io se duplica por cada aumento de la temperatura en 10 °C

La tensión en el diodo disminuye en 2.5 mV por cada grado de aumento de la
temperatura: ∆V /∆T = ‐ 2.5mV / °C
13

Estos datos deben tenerse muy en cuenta cuando el dispositivo eleva su
temperatura

RESISTENCIA DEL DIODO:
Si un diodo tiene aplicada una tensión V y conduce una corriente ID, se presentan
dos tipos de efectos resistivos:

RESISTENCIA ESTÁTICA:
En el gráfico siguiente vemos la curva del diodo y las coordenadas del punto de
trabajo, Q, son: (VQ,IDQ)

La resistencia estática es definida como: RE = VQ / IDQ

ID
IDQ Q
VQ
V

Este concepto es aplicable cuando el diodo está sometido a tensiones y corrientes
constantes.

RESISTENCIA DINÁMICA:
Esta resistencia se emplea cuando el diodo es sometido a corrientes y tensiones
que varían con el tiempo.
14
ID
IDQ + id
Q
IDQ
IDQ - id
VQ + vd
VQ - vd VQ
V

En la gráfica puede verse que la señal montada en el nivel del punto de operación
hace variar la tensión y corriente en ΔV (= vd) y ΔID (= id), alrededor del punto de
trabajo, Q. En este caso es más útil el concepto de resistencia dinámica, definida
como:
rd = dV / dID

La cual es evaluada en el punto de trabajo, Q.

Podemos ver que la resistencia dinámica es la inversa de pendiente de la tangente
en el punto de trabajo, Q, del diodo. Se obtiene la ecuación de la resistencia
dinámica partiendo de la ecuación del diodo. Si derivamos ID respecto de V,
obtenemos inicialmente la conductancia dinámica:

gd = dID/dV = Io [e V/ηVT]/ ηVT = IDQ/ ηVT

Luego la resistencia dinámica es: rd = 1/gd = ηVT / IDQ

MODELOS CIRCUITALES DEL DIODO:
El concepto de resistencia dinámica nos permite hacer un modelo linealizado del
diodo para simplificar los cálculos y evitar el empleo de la ecuación exponencial:

15
ID
1/rd
0 Vγ
V

La tensión de codo o tensión umbral, indica el voltaje directo al cual el diodo
empieza a conducir corriente apreciable.

El gráfico mostrado se puede representar por el siguiente circuito:

Vγ
rd
A + - C
DIODO IDEAL

El diodo ideal es un dispositivo que no existe físicamente, pero que nos sirve para
hacer el modelo circuital. En este dispositivo: rd = 0, Vγ = 0, Io = 0 y puede manejar
cualquier corriente a cualquier frecuencia y puede soportar cualquier tensión
inversa. Su gráfico corresponde a una línea vertical que, con polarización directa,
coincide con el eje de corrientes y con polarización inversa, su gráfica coincide con
el eje de tensiones.

Se debe indicar también que si se quiere lograr más precisión, se pueden emplear
más segmentos, y el modelo circuital se complicará más.

CAPACIDADES INTERNAS EN EL DIODO SEMICONDUCTOR
Otra de las características notables de la unión P‐N es que en la región de
transición se presentan dos tipos de efecto capacitivo. Uno, predomina cuando hay
polarización inversa y el otro predomina cuando hay polarización directa.

Empezaremos estudiando el caso con polarización inversa

Capacidad de transición (CT):
Al establecerse la unión, se produce un flujo inicial de cargas a través de ella debido
a los gradientes de concentración. Los átomos de impurezas a los costados de la
16
juntura se ionizan, formándose dos regiones con cargas opuestas e inmóviles
debido a que los iones están fijos en la red cristalina. Este comportamiento es
similar al de un condensador de placas planas y paralelas. Sin embargo, la
diferencia está en que estas regiones pueden aumentar o reducir su separación en
función del voltaje externo aplicado, dando origen a un efecto capacitivo no lineal.
Por ello, y teniendo en cuenta que CT debe ser un valor positivo, se define la
capacidad de transición en función de la magnitud de la derivada de la carga
respecto al voltaje aplicado: CT = │dQ/dV│

Unión abrupta: Es aquella en la que el material tipo p cambia bruscamente a tipo n
o viceversa.

W = ancho total de la región de transición.
Wp = ancho de la región de transición en la zona P.
Wn = ancho de la región de transición en la zona N.
A = Area (o sección) transversal del diodo.

El primer paso es hallar la distribución de cargas partiendo de la densidad de carga:
Si la concentración de impurezas es uniforme, en estado de equilibrio, las cargas
negativas a un lado de la unión, deben ser iguales a las positivas al otro lado. O sea:

AWp eNd = AWn eNa

De donde: Wp Nd = Wn Na

- V +
W
Wp Wn
- - - + + +
- - - + + +
P - - - + + + N
A - - - + + + C
- - - + + +
- - - + + +
- Vo - V
0 Wp W x

Utilizando las propiedades de las proporciones:
Wp = W ND/(NA + ND)
17
Wn = W NA/(NA + ND)

El ancho de la región de transición se relaciona con el voltaje externo con la
siguiente ecuación:

eNDNAW2
Vo – V = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
2ε(NA + ND)

La capacidad de transición se obtiene con la siguiente ecuación:

εA
CT = ‐‐‐‐‐‐‐‐
W

Despejando W y reemplazando:

εA[eNAND]1/2 CTo
CT = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
[2ε(NA + ND)]1/2 [Vo – VD]1/2 [1 – V / Vo]1/2

Este resultado es válido para unión abrupta.

Se puede deducir en forma análoga para otros tipos de uniones. En este caso:

CTo
CT = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
[1 – V / Vo] m

CTo es la capacidad de transición cuando no hay polarización externa.
m es el coeficiente de gradiente de unión y su valor está comprendido entre
0.33 y 0.5

Capacidad de difusión (CD):
Este comportamiento se presenta principalmente cuando la polarización es directa.
Como ya se ha visto, en este caso las concentraciones de portadores minoritarios
aumentan a los costados de la zona de transición. El aumento de huecos en un lado
se corresponde con la reducción en el otro lado, generándose un efecto capacitivo
por huecos, algo análogo sucede con los electrones. Estas capacidades también son
no lineales, por lo que se define:

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CD = CDp + CDn = │dQp/dV│+ │dQn/dV│

Donde:
Qp representa el exceso de cargas positivas (huecos)
Qn representa el exceso de cargas negativas (electrones)

Estas cargas son proporcionales a la corriente en el diodo y podremos expresarla
como:

Q = Qo ℮V / VT

Luego obtenemos:
CD = gpτp +gn τn

Donde:
gp es la conductancia dinámica de huecos en la zona P.
gn es la conductancia dinámica de electrones en la zona N.
τp es el tiempo de vida medio de los huecos en la zona P.
τn es el tiempo de vida medio de los electrones en la zona N.

En el caso particular que: τp = τn = τ

La ecuación se reduce a: CD = gτ

Donde : g es la conductancia dinámica del diodo.

PROBLEMA 1.1: Un diodo de silicio p+ n, con η = 1, está polarizado con una
corriente directa de 1 mA. Su capacidad de transición es 100 pF. Si el tiempo de
vida medio es τn = τp = 1 μs ¿Cuál es la admitancia del diodo a temperatura
ambiente a una frecuencia de 1 MHz

SOLUCION:
La conductancia dinámica del diodo está dada por:

g = ID/VT = 1 mA/26 mV = 0.04 A/V

La capacidad de difusión es: CD = g τ = 40 nF

Como esta capacidad es mucho mayor que la de transición, la capacidad
equivalente será prácticamente CD
19
La admitancia del diodo a 1 MHz es:

Y = g + jw CD = 0.04 + j 0.025

PROBLEMA 1.2: ¿Para qué tensión inversa la corriente de un diodo de germanio
será el 90% de su valor de saturación (Io) a temperatura ambiente?

SOLUCION:
La corriente del diodo está dada por la ecuación:

ID = Io [℮V/ηVT – 1]

A una tensión de polarización inversa, V, el diodo dejará pasar una corriente
inversa igual a ‐0.9 Io.

Entonces: ‐0.9 Io = Io [℮ V/ηVT – 1]
‐0.9 = ℮ V/ηVT – 1
exp(V/ηVT) = 0.1

De donde: V = (26 mV) ln(0.1) = ‐ 59.87 mV

Tiempos de conmutación del diodo semiconductor:
Cuando el diodo trabaja en conmutación ( o sea, pasando de su estado de
conducción al de no conducción y viceversa), demora para pasar de un estado al
otro.

Al tiempo que demora en pasar del estado de conducción al de no conducción se le
llama: tiempo de recuperación inversa (trr).

Al tiempo que demora en pasar del estado de no conducción al de conducción se le
llama tiempo de recuperación directa (trd).

Es importante tener cuidado con estos tiempos debido a que durante los
transitorios los diodos pueden verse afectados e incluso destruirse, especialmente
cuando trabajan con corrientes altas.

Tiempo de recuperación inversa (trr):
Cuando el diodo conduce, hay un exceso de cargas a ambos lados de la región de
transición. Al invertirse la polaridad este exceso debe ser eliminado para que el
diodo pase a su estado de no conducción. Por ese motivo, el diodo conducirá en
sentido inverso durante unos instantes, como se muestra en la siguiente figura:
20
0.7
ID
ta
I
tb
- 0.2 IR t
t
- IR

ta es el tiempo que pasa desde que la corriente es cero hasta que llega a su pico
inverso (IR)
tb es el tiempo que pasa desde que la corriente esta en su pico inverso hasta que
se reduce al 20% de su valor.

Luego: trr = ta + tb

El área bajo la curva de corriente inversa representa la carga de recuperación
inversa, QR, (ó carga en exceso).

De las gráficas vemos que se cumple aproximadamente:

QR = ½ IR ta + ½ IR tb = ½ IR trr

Luego: IR = 2QR / trr

A la relación entre tb / ta se le da el nombre de factor de suavidad, FS

FS = tb / ta

Tiempo de recuperación directa (trd):
Cuando el diodo no conduce, hay una escasez de cargas a ambos lados de la región
de transición. Al ponerse polarización directa, esta escasez debe pasar a exceso de
cargas y deberá limitarse la velocidad de variación de la corriente (dI/dt) porque el
dispositivo puede dañarse, especialmente cuando está trabajando con corrientes
altas.
21
La variación de la velocidad de la corriente se limita comúnmente poniendo una
bobina de pequeño valor en serie con el diodo.

PROBLEMA 1.3: El tiempo de recuperación inversa de un diodo es trr = 5μs y la
velocidad de reducción de la corriente es dI/dt = 80A/μs. Si el factor de suavidad
es FS = 0.5, halle:

a) La carga de almacenamiento, QR
b) La corriente pico inversa, IR

Solución:
a) Sabemos que: trr = ta + tb = ta ( 1 + FS)
Luego: ta = trr /(1 + FS) = 5μs / (1+0.5) = 10/3 μs

tb = trr ‐ ta = 5/3 μs

Sabemos también que: IR / ta = dI/dt
Además: QR = ½ IR trr
Reemplazando: QR = ½ (ta dI/dt) trr = ½ (5/3 * 80) 5μs = (2000 / 3) μC

DIODOS ESPECIALES:
La unión P‐N es muy importante porque presenta una serie de fenómenos útiles
que determinan la construcción de diodos especiales:

Diodos de schottky: Diodo de alta velocidad formado por unión metal –
semiconductor.

Símbolo:

Diodo zener: Diodo diseñado para trabajar en su región de ruptura. Se le emplea
como regulador de tensión o como limitador.

Diodo varicap: Diodo usado como capacidad variable con la tensión. Se polariza
inversamente.

Diodo de avalancha: Diodo usado como protección contra sobre tensiones. Se usa
su región de ruptura.

Fotodiodo: Diodo usado para convertir luz en electricidad.

Diodo emisor de luz: Diodo usado para emitir luz.
22
Diodo túnel: Diodo con alta concentración de impurezas. Usado como oscilador de
alta frecuencia.

TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA:
Se pueden clasificar en:

Diodos de uso general: Trabajan hasta 1 KHz, con niveles de tensión inversa desde
50V hasta 5KV y niveles de corriente desde 1 A hasta varios miles de amperios.

Diodos de recuperación rápida: Su tiempo de recuperación inversa es del orden de
5μs, con niveles de tensión inversa desde 50V hasta 3KV y niveles de corriente
desde 1 A hasta varios cientos de amperios.

Diodos de schottky: Su tiempo de recuperación inversa es del orden de los nano
segundos, con niveles de tensión inversa de 100V y niveles de corriente desde 10 A
hasta 300 amperios.

RECTIFICADORES DE POTENCIA:
La historia de la Electrónica de Potencia comenzó en 1900 con un dispositivo
denominado rectificador de arco de mercurio. Fue el precursor de los dispositivos
semiconductores, que dio gran impulso a la ingeniería de convertidores. Consistía
en un tubo de acero en el que se hacía el vacío, dotado de un ánodo de grafito
aislado y de un cátodo de mercurio que emitía electrones a través de un arco
excitador. Entre el ánodo y el cátodo se ponía una rejilla. Al aplicar un impulso de
tensión positivo en la rejilla se iniciaba el arco y la conducción entre ánodo y
cátodo. Entre sus ventajas estaban: La elevada resistencia a las sobre‐tensiones y a
las variaciones bruscas de corriente. Posteriormente aparecieron los dispositivos
termoiónicos y a gas, tales como el fanotrón, el tiratrón y el ignitrón.

La primera revolución electrónica se inició con la invención del transistor en los
Laboratorios Bell Telephone por los señores Bardeen, Brattain y Schockley.

En 1956 los mismos laboratorios inventaron el rectificador controlado de silicio
(SCR).

La segunda revolución electrónica ocurrió en 1958 cuando la General Electric
Company desarrolló el primer tiristor (SCR) comercial.

En los últimos tiempos la Electrónica de Potencia ha logrado un gran desarrollo
debido, especialmente, a la evolución de los dispositivos semiconductores de
potencia y de los progresos en microelectrónica.
23
Desde que se construyó el primer SCR, los rectificadores controlados de silicio han
logrado un gran avance y actualmente pueden llegar a manejar niveles de
corrientes del orden de los 10,000 amperios. Otro tanto ha sucedido con los
transistores bipolares que también han logrado un alto nivel de desarrollo y los
conocimientos adquiridos con él han servido para crear nuevos dispositivos que en
la actualidad pueden ser usados en controles de velocidad, UPS, relés de estado
sólido, etc.

PROBLEMA 1.4: Los valores medidos en un diodo a temperatura de 25°C son:

V = 1V con ID = 50 A y V = 1.5V con ID = 600 A. Determine:

a) El coeficiente de emisión, η
b) La corriente inversa, Io.

SOLUCIÓN:
La ecuación del diodo es: ID = Io (℮V/ηVT – 1)

Luego: 50 = Io (℮1/ηVT – 1) = Io ℮1/ηVT

Además: 600 = Io (℮1.5/ηVT – 1) = Io ℮1.5/ηVT

Dividiendo:
600 ℮1.5/ηVT
‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ℮0.5/ηVT
50 ℮1/ηVT

Despejando: 0.5
η = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 7.8
VT ln(12)

ESPECIFICACIONES DE LOS DIODOS:
Para poder seleccionar un diodo los fabricantes dan un conjunto de
especificaciones:

Tensión directa (VD): Es la caída de tensión directa para la corriente promedio
especificada.

Tensión inversa de pico repetitiva (VIP ó PRV): Es el máximo voltaje inverso que
puede soportar el diodo.
24

Tensión inversa de pico no repetitiva (VNR ó PNRV): Cuando el diodo soporta
tensiones inversas que varían con el tiempo, puede haber algún instante que
sobrepase el VIP. Si este tiempo es muy corto, el diodo puede soportar hasta este
nivel máximo.

Estas tensiones son producidas por cargas de tipo inductiva conectadas al diodo o
conectadas a la red de AC.

Corriente directa promedio (IDC ó IF): Es el nivel máximo de corriente continua
directa que puede conducir.

Corriente directa pico repetitiva (IPmax ó IFRM): Cuando el diodo conduce corrientes
que varían con el tiempo, pueden haber instantes que alcance valores pico. El valor
máximo que el diodo puede soportar es el especificado.

Corriente directa pico no repetitiva (IPNR ó IFNR): Cuando el diodo conduce
corrientes directas que varían con el tiempo, puede haber algún instante que
sobrepase el valor IPmax especificado. Si este tiempo es muy corto, el diodo puede
conducir hasta este nivel máximo.

Estas corrientes son producidas comúnmente por cargas de tipo capacitivo
conectadas al diodo.

Tiempo de recuperación inversa (trr): Este parámetro es útil cuando el diodo
trabaja con tensiones y corrientes que varían rápidamente. Este parámetro indica
el tiempo máximo que demora el diodo en bloquearse al sufrir una súbita
polarización inversa. Durante estos instantes el diodo actúa como un condensador
que se descarga.

CIRCUITOS DE RECTIFICACIÓN MONOFÁSICA DE MEDIA ONDA Y DE ONDA
COMPLETA:

Hay dos tipos básicos de rectificador monofásico:
- El rectificador de media onda, y
- El rectificador de onda completa.

El rectificador de onda completa puede ser, a su vez, con toma central y tipo
puente.

25
RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA: En el siguiente gráfico se muestra un rectificador
de media onda con carga resistiva:

Los siguientes gráficos muestran las formas de onda de la tensión de entrada (Vin),
la tensión en la carga (VL)y la corriente en la carga (IL):

La siguiente ecuación da la serie de Fourier de la tensión de salida.

Vm Vm 2Vm ∞ cos (kwt)
VL(t) = ‐‐‐‐‐ + ‐‐‐‐‐‐‐ sen (wt) ‐ ‐‐‐‐‐‐‐‐ ∑ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
π 2 π k = 2, 4, ... (k + 1)(k ‐ 1)

Podemos observar que el nivel de continua que entrega el rectificador es:

VLDC = Vm / π

Y que el primer armónico tiene la misma frecuencia que la entrada.

26
A continuación se muestra un rectificador de media onda con carga inductiva:

Los siguientes gráficos muestran las formas de onda de la tensión de entrada, la
tensión en la carga y la corriente en la carga:

Se observa que la inductancia obligará al diodo a seguir conduciendo a pesar que la
tensión de entrada cambia de polaridad.

RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA:
En el siguiente esquema se muestran los dos tipos de rectificadores monofásicos
de onda completa con carga resistiva:
27
Los siguientes gráficos muestran las formas de onda de la tensión de entrada, (Vin),
la corriente de entrada (Iin), la tensión en la carga (VL)y la corriente en la carga (IL):

Podemos observar que si el puente tiene una carga resistiva, la corriente de
entrada (Iin) es sinusoidal y está en fase con la tensión (Vin). Esto significa factor de
potencia igual á 1.

La siguiente ecuación da la serie de Fourier de la tensión de salida.

2Vm 4Vm ∞ cos (kwt)
VL(t) = ‐‐‐‐‐‐‐ ‐ ‐‐‐‐‐‐‐‐ ∑ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
π π k = 2, 4, ... (k + 1)(k ‐ 1)

Podemos observar que el nivel de continua que entrega el rectificador es el doble
que el de media onda:

VLDC = 2Vm / π

Y que el armónico menor es el segundo y tiene el doble de la frecuencia de la
entrada.

En el siguiente esquema se muestran los dos tipos de rectificadores monofásicos
de onda completa, con carga puramente inductiva:
28
IL
D1 D1 D2 +
VL
LL IL LL
AC
AC -
- VL +
D3 D4
D2
RECTIFICADOR CON TOMA CENTRAL

RECTIFICADOR TIPO PUENTE

Los siguientes gráficos muestran las formas de onda de la tensión de entrada, (Vin),
la corriente de entrada (Iin), la tensión en la carga (VL)y la corriente en la carga (IL):

Se observa que la corriente en la carga inductiva aumentará continuamente; esto
se debe al contenido de continua de la tensión de salida. También la corriente de
entrada (Iin) aumentará, continuamente, tendrá armónicas y no estará en fase con
la entrada. Esto significa que el circuito introduce armónicas a la fuente de AC y el
factor de potencia se deteriora.

ESPECIFICACIONES DE LOS RECTIFICADORES
Los rectificadores pueden ser descritos mediante un conjunto de parámetros que
permiten compararlos y con los cuales podemos determinar al más adecuado para
la aplicación que se desea.

29
Estos parámetros son los siguientes:

1) VOLTAJE PROMEDIO EN LA CARGA (VLDC)
Es el voltaje continuo que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresión:

T 2π
1 1
V LDC = ∫ V L (t )dt =
2π ∫0
V L (φ )dφ
T 0

2) CORRIENTE PROMEDIO EN LA CARGA (ILDC)
Es la corriente continua que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresión:

T 2π
1 1
I LDC = ∫
T 0
I L (t )dt =
2π ∫I
0
L (φ )dφ

3) POTENCIA DC PROMEDIO EN LA CARGA (PLDC)
Es la potencia en DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresión:

PLDC = V LDC I LDC

4) VOLTAJE EFICAZ EN LA CARGA (VLef)
Es la tensión total que llega a la carga, incluyendo los armónicos. Se halla
mediante la siguiente expresión:

T 2π
1 1
= ∫ V L2 (t )dt = ∫V (φ )dφ
2
V Lef
2π
L
T 0 0

5) CORRIENTE EFICAZ EN LA CARGA (ILef)
Incluye la corriente DC y los armónicos que llega a la carga. Se halla
mediante la siguiente expresión:

T 2π
1 2 1
T ∫0 ∫i
I Lef = i L (t )dt = 2
(φ )dφ
2π
L
0

30
6) POTENCIA AC PROMEDIO EN LA CARGA (PLAC)
Es la potencia en la carga producida por todas las corrientes y tensiones (DC
y armónicos. Se halla mediante la siguiente expresión:

PLAC = VLef I Lef

7) EFICIENCIA (η)
Es la relación entre las potencias DC y AC que llegan a la carga. El valor
máximo es 100%.

PLDC
η=
PLAC

8) TENSIÓN EFICAZ DEL RIZADO EN LA CARGA (VLR)
Es la tensión eficaz de todos los armónicos que llegan a la carga. No
incluyen a la tensión continua. Se halla mediante la siguiente expresión:

VLR = VLef
2
− VLDC
2

9) FACTOR DE FORMA (FF)
Es la relación de la tensión eficaz en la carga con la tensión DC en la carga.
Se halla mediante la siguiente expresión:

VLef
FF =
VLDC

10) FACTOR DE RIZADO (r)
Es la relación de la tensión eficaz del rizado, sin incluir la DC y la tensión
continua en la carga. Se halla mediante la siguiente expresión:

V LR
2
V Lef − V LDC
2
r= = = ( FF ) 2 − 1
V LDC V LDC

11) FACTOR DE UTILIZACIÓN DEL TRANSFORMADOR (TUF)
Es la relación de la potencia continua en la carga y la potencia disponible en
el transformador. Se halla mediante la siguiente expresión:

31
PLDC
TUF =
VS I S

VS = Tensión eficaz en el secundario.
IS = Corriente eficaz en el secundario.

12) DISTORSION ARMONICA (THD):
La distorsión nos relaciona el valor eficaz o (la amplitud) de una armónica
respecto al valor eficaz (o amplitud) de la fundamental, expresada en
porcentaje.

Tomando como ejemplo la serie de Fourier del rectificador de media onda
con carga resistiva:

Vm Vm 2V 2V 2V
V L (t ) = + sen(ωt ) − m cos(2ωt ) − m cos(4ωt ) − m cos(6ωt )....
π 2 3π 15π 35π

Vemos que la distorsión de segunda armónica referida a la armónica
fundamental es:

D2a = (4Vm / 3π) / Vm = 4 / 3π = 42.44%

La distorsión de cuarta armónica referida a la armónica fundamental es:

D4a = (4Vm / 15π) / Vm = 4 / 15π = 8.49%

Comúnmente se emplea la distorsión armónica total (THD) como:

THD = [V2m2 + V3m2 + V4m2 + ....] 1/2 / Vm]x 100%

Donde:
Vm = Amplitud de la primera armónica
V2m = Amplitud de la segunda armónica
V3m = Amplitud de la tercera armónica
V4m = Amplitud de la cuarta armónica
....

32
PROBLEMA 1.5: Halle los parámetros del rectificador de media onda con carga
resistiva.

RL VLdc
220 V , 60Hz
-

SOLUCIÓN:
1) Voltaje promedio en la carga (VLDC)
T
VLDC = (1 / T) ∫VL(t)dt = Vm / π Vm = tensión pico de entrada
0

2) Corriente promedio en la carga (ILDC)
T
ILDC = (1 / T)∫iL(t)dt = Vm / (πRL)
0
3) Potencia dc promedio en la carga (PLDC)

PLDC = VLDC ILDC PLDC = V2m /( π 2 RL)

4) Voltaje eficaz en la carga (VLef)

T
VLef = √(1 / T)∫V2L(t)dt = Vm / 2
0

5) Corriente eficaz en la carga (ILef)
Incluye la corriente DC y los armónicos. Se halla mediante la siguiente
expresión:
T
ILef = [(1 / T) ∫i L(t)dt]1/2 = Vm / (2RL)
2
0

33
6) Potencia AC promedio en la carga (PLAC)

PLAC = VLef ILef = V2m / (4RL)

7) Eficiencia (η)
máximo es 100%.

PLDC V2m / π 2 RL 4
η = ‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐ = 40.53%
PLAC V2m / 4RL π 2

8) Tensión eficaz del rizado en la carga (VLR)
VLR = √V2Lef ‐ V2LDC = 0.3856 Vm

9) Factor de forma (FF)
Es la relación de la tensión eficaz en la carga con la tensión DC en la carga.
Se halla mediante la siguiente expresión:

VLef Vm / 2 π
FF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐ = 1.57
VLDC Vm / π 2

10) Factor de rizado (r)

VLR [V2Lef ‐ V2LDC]1/2
r = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = [(1.57)2 ‐ 1]1/2 = 1.21
VLDC VLDC

11) Factor de utilización del transformador (TUF)

PLDC V2m / π 2 RL
TUF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 28.66 %
VS IS (Vm / √2)(Vm /2 RL)

34
PROBLEMA 1.6: Halle los parámetros del rectificador de onda completa con carga
resistiva.
IL
D1 D2 +
VL
RL
AC
-
D3 D4

SOLUCIÓN:
1) Voltaje promedio en la carga (VLDC)
T
VLDC = (1 / T) ∫VL(t)dt = 2Vm / π Vm = tensión pico de entrada
0

2) Corriente promedio en la carga (ILDC)
T
ILDC = (1 / T)∫iL(t)dt = (2Vm) / (π RL)
0
3) Potencia dc promedio en la carga (PLDC)
Es la corriente DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresión:

PLDC = VLDC ILDC PLDC = (4V2m) / (π 2 RL)

4) Voltaje eficaz en la carga (VLef)
Es la tensión DC que llega a la carga. Se halla mediante la siguiente
expresión:

T
VLef = √(1 / T)∫V2L(t)dt = (Vm) / (√2)
0

5) Corriente eficaz en la carga (ILef)
Incluye la corriente DC y los armónicos. Se halla mediante la siguiente
expresión:
35

T
ILef = √(1 / T)∫i2L(t)dt = Vm / (√2 RL)
0

6) Potencia AC promedio en la carga (PLAC)

PLAC = VLef ILef = (V2m) / (2RL)

7) Eficiencia (η)
máximo es 100%.

PLDC 4V2m / π 2 RL 8
η = ‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐ = 81.06%
2 2
PLAC V m / 2RL π

8) Tensión eficaz del rizado en la carga (VLR)
VLR = [V2Lef ‐ V2LDC]1/2 = [V2m / 2 ‐ 4 V2m / π2]1/2 = 0.095 Vm

9) Factor de forma (FF)
Es la relación de la tensión eficaz en la carga con la tensión en la carga. Se
halla mediante la siguiente expresión:

VLef Vm / √2 π
FF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 1.11
VLDC 2Vm / π 2√2

10) Factor de rizado (r)
[V2Lef ‐ V2LDC]1/2
r = VLR / VLDC = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = [(1.11)2 ‐ 1]1/2 = 0.234
VLDC

11) Factor de utilización del transformador (TUF)
PLDC 4V2m / π 2 RL 8
TUF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐ = 81.06 %
VS IS (Vm / √2)( Vm / √2 RL) π 2

36
CURVA DE REGULACIÓN:
Cuando la resistencia de carga es menor, la tensión DC disminuye debido a la
resistencia que tienen el devanado del transformador y los diodos rectificadores. Si
se hace un gráfico de la tensión DC en la carga vs. la corriente DC en la carga,
tendrá la forma siguiente:

VLDC
0 ILmax
IL

Por ejemplo, la ecuación de la curva de regulación de un rectificador de media
onda es:
Vm
VLDC = ‐‐‐‐‐‐ ‐ ILDC Rf
π

Rf es la suma de la resistencia del devanado del transformador y la resistencia
dinámica del diodo.

Para un rectificador de onda completa, la ecuación de la curva de regulación:

2Vm
VLDC = ‐‐‐‐‐‐‐‐ ‐ ILDC Rf
π

PROBLEMA 1.7: Se requiere un rectificador de onda completa para alimentar una
carga con 400 VDC y 40 A, a partir de la red de 220 VAC. Determine:

a) Las especificaciones de los diodos
b) Las especificaciones del transformador

SOLUCIÓN:
a) La tensión pico del secundario del transformador la hallamos con la
ecuación de la tensión promedio para el rectificador de onda completa:
37
2Vm
VLDC = ‐‐‐‐‐‐ = 400
π

Luego: Vm = 400 π / 2 = 628.32 V

Como en el rectificador de onda completa cada pareja de diodos conduce
en forma alternada con los otros dos, cada pareja entregará la mitad de la
corriente DC a la carga.

Luego: IDC = 20 A

Especificación de los diodos:

Tensión inversa de pico repetitivo> 628.32 V
Corriente promedio > 20 A
Corriente directa de pico repetitivo> 628.32 / 10 = 62.8 A

b) Podemos partir del factor de utilización del transformador en el rectificador
de onda completa:

PLDC 400*40
TUF = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 0.8106
VS IS (Vm / √2)( Vm / √2 RL)

Luego: Vs*Is = 400*40 /0.8106 = 19 378,47 W
La tensión eficaz del secundario es: Vs = Vm / √2 = 444.29 V
La corriente eficaz del secundario es: Is = 19 378,47 / 444.29 = 43.62 A
La potencia del transformador es: Ps = 19 378,47 W

CIRCUITOS ENCLAVADORES O DE FIJACIÓN:
Son circuitos cuyo objetivo es desplazar una onda alterna en un nivel positivo o
negativo de tensión continua.

En la siguiente figura se muestra un ejemplo:
38
C1
Vg
+
D1 R Vo
-

Durante el semiciclo negativo de la entrada, Vg, C1 se carga, prácticamente, al valor
pico de la alterna de entrada.

Si la constante de tiempo (RC1) es mucho mayor que el período de la onda, el
condensador no se descargará apreciablemente durante el semiciclo positivo de Vg
y, en la salida, la alterna se presentará desplazada en un nivel DC prácticamente
igual al valor pico de la tensión Vg.

DOBLADOR DE TENSIÓN:
Es un circuito que recibe una tensión alterna y entrega una tensión continua cuyo
voltaje es el doble del valor pico de la alterna.

Está formado por un circuito fijador y un detector de picos.

Pueden ser:

• De media onda: Podemos observar, en la siguiente figura, que está
formado por un fijador de tensión y un detector de pico. Durante el
semiciclo positivo conduce D1 y el condensador C1 se carga al voltaje pico
de la alterna. Durante el semiciclo negativo conduce D2 y el condensador
C2 se carga al doble del voltaje pico de la alterna.

• De onda completa: Podemos observar, en la siguiente figura, que el de
onda completa está formado por 2 detectores pico. En el doblador de onda
completa, en el semiciclo positivo conduce D1 y el condensador C1 se carga
al pico de la alterna. En el semiciclo negativo conduce D2 y el condensador
C2 se carga al voltaje pico de la alterna. Al sumar las tensiones en C1 y C2
el voltaje se ha duplicado.

39
C1 D2 D1
C2 + C1
Vp Vs RL Vo Vs
D1 - +
RL Vo
-
C2
D2
DOBLADOR DE MEDIA ONDA
DOBLADOR DE ONDA COMPLETA

El voltaje de salida no llega instantáneamente al doble del valor pico, sino que
subirá su valor gradualmente y alcanzará el doble después de unos cuantos ciclos.
El voltaje de salida es una tensión continua.

Es posible obtener voltajes mayores empleando varios circuitos de este tipo en
cascada.

Invirtiendo ambos diodos se obtienen voltajes con polaridad opuesta.

PROBLEMA 1.8: En el circuito de la figura, los diodos son ideales. Halle:

a) La gráfica de la forma de onda de VL.
b) El voltaje pico del rizado en VL.
c) El voltaje promedio de VL.

40 uF
+
50K VL
220V 60Hz 40 uF -

40
Solución:
a) La gráfica de la forma de onda de VL.

700.0 V
A: c2_2
500.0 V
300.0 V
100.0 V
-100.0 V
0.000ms 50.00ms 100.0ms 150.0ms

b) El voltaje pico del rizado en VL.
El voltaje máximo en la salida es: Vm = 2 (220)√2 = 622.25
El período de la onda de entrada es: T = 1 / 60 = 16.67 ms

Despreciando el tiempo de carga y asumiendo que el tiempo de carga es
prácticamente igual al período, hallamos el voltaje al que se descarga el
condensador:

V1 = 622.25 Є ‐ 16.67 / 2000 = 617V
El voltaje pico‐pico del rizado es: Vr = 622.25 – 617 = 5.25V
El voltaje pico de rizado es: Vr / 2 = 2.625 V

c) El voltaje promedio de VL.
El voltaje promedio en la carga es:
VLDC = 622.25 – Vr / 2 VLDC = 619.6 V

LIMITADORES: Son circuitos cuyo objetivo es evitar que una señal sobrepase el
nivel de tensión deseado.

Puede limitarse un pico de la señal o ambos.

En la siguiente figura se muestran algunos tipos de limitadores:
41
R R
D
D D
Vi RL Vi
RL
VCC
VCC VCC
LIMITADOR DE PICO POSITIVO LIMITADOR DE PICO POSITIVO Y NEGATIVO

Las fuentes de tensión DC pueden ser reemplazadas por diodos zener o por
resistencias.

42
UNIDAD TEMÁTICA
No.2

FILTROS:
Los filtros son circuitos que dejan pasar frecuencias dentro de un determinado
rango. Fuera de este rango, atenúan las señales o sus armónicas.

TIPOS DE FILTROS:
Podemos clasificarlos según el rango de frecuencias que dejan pasar. Entre ellos
tenemos:

Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que están por debajo de un
determinado valor (fL)

Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que están por encima de un
determinado valor (fH)

Filtro pasa banda: Dejan pasar las frecuencias que están entre un rango de valores
(fL y fH)

Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estén entre un
rango de valores (fL y fH)

Filtro pasa todo (o desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero producen
desfasaje. Se le emplea como desfasador.

FAMILIAS DE FILTROS:
La función de transferencia de un filtro pasa bajo tiene la forma siguiente:

H(s) = N(s) / D(s)

N(s) y D(s) son polinomios en s

Hay muchas familias de filtros. Cada filtro de una familia posee una función de
transferencia única. La localización y complejidad de los polos y ceros de la función
de transferencia definen por completo la respuesta del filtro. La mayor parte de los
requisitos que debe cumplir un filtro se satisfacen eligiendo cualquiera de las
siguientes familias:

43
1) Butterworth: Sus polos caen dentro de una circunferencia de radio 1 dentro
del plano complejo. El filtro pasa bajo no tiene ceros. Poseen características
transitorias relativamente buenas. Su respuesta en frecuencia es bastante
plana y su atenuación es con pendiente relativamente acentuada. Se pueden
diseñar con componentes de valores prácticos con tolerancias poco críticas

2) Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuación más aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; además su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa
bajo no tiene ceros. La mayor amplitud del rizo hace que la atenuación sea
más aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se
localizan en una elipse en el plano complejo.

3) Bessel: Se emplean para la reproducción fiel de la onda de entrada. Ofrecen,
para ello, un retardo constante en la banda pasante. El filtro pasa bajo no
tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las
familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo hacen
muy útil.

4) Función elíptica: Su función de transferencia posee polos y ceros; esto
permite que su pendiente de atenuación sea incluso más aguda que la de la
familia Chebyshev, pero presenta rizado tanto en la banda pasante como en
la rechazada. Sus circuitos son más complejos, pero requieren menos
secciones para una atenuación dada.

Para construir una fuente de alimentación necesitamos quedarnos sólo con la
componente DC que produce el rectificador y debemos eliminar todos los
armónicos.

Por esta razón, estas fuentes requieren filtros pasa bajo. La frecuencia de corte de
estos filtros debe ser menor que la del armónico más bajo.

FILTROS PASA BAJO:
Los filtros pasabajo más usados en las fuentes de alimentación son:

44
FILTRO POR CONDENSADOR
Es el más usado para corrientes pequeñas o medianas debido a su sencillez y bajo
costo. Su funcionamiento se basa en que el condensador almacena energía cuando
el diodo conduce y luego la entrega a la carga cuando el diodo no conduce. Si la
capacidad es grande, no se descarga demasiado y tiende a mantener la tensión
constante en la salida. Uno de sus principales inconvenientes es que hace conducir
corrientes muy intensas a los diodos durante pequeños intervalos de tiempo. Si la
capacidad aumenta o la resistencia de carga disminuye, el diodo conduce una
corriente pico más alta. Las corrientes de entrada tipo impulso que genera, pasan a
la red AC haciendo aumentar su contenido de armónicos y afectan al factor de
potencia.

En el caso de un rectificador de onda completa:

D1 D2
VAC + RL
C
60 Hz
D3 D4

En la siguiente gráfica se ve la forma de onda de corriente que entrega la fuente AC
(de 17 voltios pico), para una capacidad de 2200μF y una carga de 100Ω:

45
Puede observarse que la corriente de entrada no es sinusoidal y posee un alto
contenido de armónicas.

Análisis aproximado del filtro por condensador:
Como el condensador entrega energía a la carga cuando los diodos no conducen,
una forma práctica de hacer que la tensión en la carga sea más constante y
disminuya el rizado es hacer: RLC >> T/2 para el rectificador de onda completa ó
RLC >> T para el rectificador de media onda

En el gráfico anterior se muestra la forma de variación del rizado en la carga y se ve
que podemos representar el rizado como segmentos debido a que la constante de
tiempo es grande. El flanco de subida corresponde a los instantes que el
condensador carga y los diodos conducen; el flanco de bajada corresponde a los
instantes en que el condensador se descarga y los diodos no conducen. :

VL
T1 T2
Vm
Vr
Vldc
0 t

Los diodos conducen y el condensador se carga durante el tiempo T1 y los diodos
no conducen y el condensador se descarga durante el tiempo T2.

Hallaremos inicialmente el factor de rizado y luego la curva de regulación:
Como el circuito es un rectificador de onda completa, Se cumple:
46
T/2 = T1 + T2

Vr es el voltaje pico ‐ pico del rizado.
Vm es el voltaje pico de la tensión de entrada.

La tensión DC en la carga se puede expresar como: VLDC = Vm – Vr/2

El voltaje eficaz de la onda triangular del rizado es dado por: VLr = Vr/(2√3)

Durante el tiempo T2, el condensador se descarga en forma prácticamente lineal:

Usando la ecuación del condensador: ∆Q = C ∆V = C Vr

Entonces: ∆Q/T2 = C Vr/T2 = ILDC
ILDC es la corriente continua en la carga.

Podemos despejar Vr de esta ecuación: Vr = ILDC T2 / C
Reemplazando en el voltaje eficaz: VLr = ILDC T2 /(2√3)C
Comúnmente se cumple: T2 >> T1 Entonces: T2 = T/2

Además: VLDC = ILDC RL

Reemplazando: 1
r = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
(4√3)f C RL

Podemos hallar también la ecuación de la curva de regulación:

VLDC = Vm – ILDC /(4 f C)

Estas ecuaciones nos sirven para hacer el diseño del filtro.

PROBLEMA 2.1: Se quiere diseñar un rectificador con filtro por capacidad para
alimentar una carga con 12Vdc y 1 A con rizado no mayor del 5%, empleando un
rectificador de onda completa con toma central. Determine la capacidad necesaria,
la especificación del rectificador y la tensión de entrada AC.

SOLUCIÓN:
Como nos indican el rizado: 1
0.05 = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
(4√3)f C RL
47
La frecuencia AC es 60 Hz

RL = 12V / 1A = 12Ω 1
Hallamos C: C = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 4009 μF
(4√3)(0.05)f RL

El valor comercial más cercano es 4700μF. También podemos poner 2 capacidades
de 2200μF en paralelo. Adoptaremos esta última solución.

De la curva de regulación hallamos la tensión pico AC necesaria:
VLDC = Vm – ILDC /(4 f C)
Vm = VLDC + ILDC /(4 f C) = 12 + (1) / (4)(60)(4400*10‐6) = 12.95V

El valor eficaz de la tensión de entrada es: Vs = 12.95/√2 = 9.16V

El diodo rectificador necesario deberá ser capaz de conducir la mitad de la
corriente promedio de la carga: 0.5 A. Su tensión inversa es el doble del voltaje pico
de entrada: 26V

La capacidad debe soportar una tensión máxima igual al voltaje pico de entrada:
12.95V

Los componentes elegidos deberán soportar más que los valores calculados para
que puedan tener un mayor tiempo de vida útil.

FILTRO POR INDUCTANCIA
Este tipo de filtro se usa mucho en equipos cargadores de baterías para corrientes
medias y altas.

Partimos de la serie de Fourier de la salida del rectificador de onda completa:

2Vm 4Vm 4Vm 4Vm
VL(t) = ‐‐‐‐‐‐‐ ‐ ‐‐‐‐‐‐‐ cos (2wt) ‐ ‐‐‐‐‐‐‐‐ cos (4wt) ‐ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐ cos (6wt) ‐ ..........
π 3π 15π 35π
48
L
D1 D2
VAC
RL
D5
60 Hz
D3
D4

En este caso, observamos que el armónico de frecuencia más baja es el segundo.
Los armónicos superiores tienen menor amplitud.

La corriente en la carga se puede expresar como:

2Vm 4Vm 4Vm 4Vm
iL(t) = ‐‐‐‐‐‐‐ ‐ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ cos (2wt) ‐ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ ‐ cos (4wt) ‐ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ cos (6wt) ‐ .....
πZ(0) 3 πZ(2w) 15 πZ(4w) 35 πZ(6w)

Z(0) es la impedancia de carga del rectificador en DC = RL
Z(2w) es la impedancia de carga del rectificador a la frecuencia 2w = RL + j2wL

Vemos que la bobina aumenta su reactancia conforme aumenta la frecuencia del
armónico. Además el armónico disminuye su amplitud conforme aumenta su
frecuencia.

Por ello, podemos tomar sólo los dos primeros términos de la serie y despreciar los
demás para hacer un análisis aproximado.

Un criterio práctico es elegir L de manera que cumpla: L >> RL/2w

Podemos hallar, a continuación, el factor de rizado:
49
D5
(4Vm/3π) cos(2wt) RL
+
2Vm/π
-

El voltaje eficaz del rizado en la carga se puede hallar con la expresión:

4Vm 2VLDC
VLr = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
(3√2)π√(1 + (2wL/RL)2) (3√2)√(1 + (2wL/RL)2)

Luego, el factor de rizado es:
2
r = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
(3√2)√(1 + (2wL/RL)2)

Podemos hallar también la ecuación de la curva de regulación:

2Vm
π

Rf es la resistencia total formada por la resistencia del transformador, de los diodos
y de la bobina.

Estas ecuaciones nos sirven para hacer el diseño del filtro.

El diodo D5 es un diodo volante. Se emplea para protección del rectificador.
Cuando hay una variación brusca de la corriente en la bobina, se produce en ella un
pico de tensión que puede ser excesivo para los diodos del rectificador y dañarlos.
El diodo volante evita este pico de tensión. Su tensión inversa es la tensión pico del
voltaje AC y su corriente promedio se puede especificar como 1/3 de la corriente
promedio de salida.

50
FILTRO L‐C
Es otro filtro muy usado para corrientes medias y altas, especialmente en
reguladores de tensión con SCR. La inductancia evita el paso de los armónicos y
deja pasar la continua. El condensador evita que los armónicos lleguen a la carga,
actuando ante ellos como una reactancia pequeña y como circuito abierto para la
continua..

A continuación se muestra un circuito de estos con rectificador de onda completa
con toma central.

D1 L
n:1
Vs D3 C +
RD RL VL
VAC Vs -
D2

Análisis aproximado del filtro L‐C
Al igual que en el filtro por inductancia podemos considerar sólo la DC y el segundo
armónico, despreciando los demás. De esta manera, llegamos al siguiente circuito
equivalente:
L
-
(4Vm / 3pi)cos(2wt)
D3
+ C RD RL
+
2Vm / pi

Un criterio práctico para diseñar el filtro es hacer: XC << RL // RD y XL >> XC

51
La curva de regulación puede obtenerse para DC como:

2Vm
π

Rf representa la resistencia del transformador (RT) más la resistencia dinámica de
los diodos (rd) y la resistencia DC de la bobina (rL): Rf = RT + n rd + rL

n = 1, para el rectificador de onda completa con toma central.
n = 2, para el rectificador de onda completa tipo puente.

Para hallar una expresión del factor de rizado, primero hallamos la tensión eficaz
del rizado en la carga y luego la tensión DC en la carga.

4Vm XC (√2)VLDC XC
VLr = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
(3√2)π(XL + XC) 3 XL

Luego:
√2
r = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
(3)(2wL)(2wC)

Para: f = 60Hz
0.83x10‐6
r = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
LC L en Henrys y C en Faradios

Inductancia crítica (LC)
Si no hay inductancia, el filtro actúa como por entrada a condensador y los diodos
conducirán corrientes pulsantes sólo unos instantes y el resto del tiempo no
conducirán.

Si se pone una inductancia pequeña, los diodos conducirán un tiempo un poco
mayor, pero aún habrán instantes en que la corriente sea cero en los diodos. Si
seguimos aumentando la inductancia, llegará el momento en que la corriente en
los diodos no será cero en ningún instante y el filtro actuará como un verdadero
filtro L‐C. Al valor de inductancia que hace que la corriente en los diodos no sea
cero, se le llama inductancia crítica. Esta condición se cumple aproximadamente
cuando:
52
VLDC 2Vm 4Vm
‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ ≥ ‐‐‐‐‐‐‐‐
RL//RD π (RL//RD) 3π XL

Luego:
2 (RL//RD)
XL ≥ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
3

Para el segundo armónico: RL//RD
LC ≥ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
3w

Para: f = 60Hz:
RL//RD
LC = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
1131

Debemos elegir una inductancia que cumpla:
RL//RD
L > ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
1131

Resistencia de drenaje
Vemos que la inductancia crítica depende del valor de RL, de manera que si RL
aumenta, la inductancia crítica también; lo que significa que si la carga varía, la
inductancia que habremos puesto puede llegar a no ser suficiente. Para evitar este
inconveniente, se emplea la resistencia de drenaje RD. Esta resistencia queda
conectada y en ningún momento se desconecta o varía. De esta manera, aunque se
desconecte la carga, no hay riesgo que la inductancia crítica aumente. La
resistencia de drenaje debe elegirse de manera que no disipe demasiada potencia
y, a la vez, impida la elevación de la inductancia crítica

PROBLEMA 2.2: Diseñe un rectificador tipo puente con filtro L‐C para obtener una
tensión de 65VDC y 10 A, con factor de rizado de 0.1%. Especifique todos los
componentes y la tensión de entrada al rectificador.

¿Cuál es el voltaje pico de rizado en la carga?
Asuma: Rt = 0.1Ω , Rb = 0.1Ω

53
SOLUCIÓN:
Esquema del circuito:
L
D1 D2
+
RD RL 65 V
C -
220V +/- 10% Vs D5
D3 D4

Hallamos la resistencia de carga: RL = 65V / 10 A = 6.5Ω

Elegimos RD = 10 RL = 65Ω

Hallamos la inductancia crítica: Lc = RD / 1131 = 57.5 mH

Hemos asumido el peor caso, cuando RL es desconectada.

Elegimos L > Lc L = 60mH

Hallamos C de la ecuación del factor de rizado:

0.001 = 0.83x10‐6 / LC

‐6
C = 0.01 = 0.83x10 / (60mH)( 0.001) = 13,800 µF C = 13,800 µF

Tensión de entrada al rectificador:

65 = (2Vm / π) – (10)(0.1 + 0.1)

Despejando Vm: Vm = (65 – 2)(π) / 2 = 98.96V

Le aumentamos la caída directa en 2 diodos: Vp = 100.36V

54
El voltaje eficaz del secundario será: Vs = Vp / (2)1/2 = 71V Vs = 71V

Especificaciones: Condensador: 13,800µF / 65V
Bobina: 60mH / 10 A
Diodos: 5 A / 10.36 V
Diodo volante: 4 A / 65 V
Resistencia de drenaje: 65Ω / 65 W
Transformador: 220V á 71V / 750W

Voltaje pico del rizado en la carga:
Reactancia de la bobina al segundo armónico: XL = (2)(π)(120)(60mH) = 45.24Ω

Reactancia del condensador al segundo armónico: XC = 1 / (2)(π)(120)(0.0138) =
0.1Ω

El voltaje pico del segundo armónico a la salida del rectificador es V2 = 4Vm / 3π El

Luego: V2 = 42V

La tensión pico del rizado en la carga es: Luego: V2L = 42(0.1) / (45.14) = 0.09V

V2L = 0.09V

FILTRO DE L–C DE VARIAS SECCIONES
Cuando se quiere mejorar más el filtrado, se pueden emplear dos o más secciones
de filtro L‐C en cascada. En el siguiente gráfico se ve uno de dos secciones:

D1 L1 L2
T1
Vs C1 C2
D2 RD RL
220Vac
Vs
D2

Para el análisis podemos seguir los mismos criterios que para el filtro L‐C y hallar
una expresión aproximada para el factor de rizado:

55
√2 X C1 X C2 √2
r = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
3 XL1 X L2 3(4w2)2 L1C1L2C2

Con las mismas aproximaciones del filtro L‐C se puede extender para un filtro de n
secciones iguales:

√2
r = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
(3)(4w2)n (LC)n

Para la inductancia crítica basta sólo considerar la bobina L1

FILTRO Π
Este filtro permite obtener un rizado muy pequeño. Como emplea condensador de
entrada, tiene los mismos inconvenientes que el filtro por capacidad. Se usa
cuando se quiere, con el mismo transformador, tener más tensión de salida que la
que puede obtenerse con un filtro L‐C y disminuir el rizado.

A continuación se muestra un circuito:

L1
D1 D2
T1
Vs C1 C2
Vac
RL
D3 D4

El análisis se puede comenzar a partir de la serie de Fourier del rizado diente de
sierra del condensador C1:
56

Vr sen(4wt) sen(6wt)
VC1 = VDC ‐ ‐‐‐‐ [sen(2wt) ‐ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ + ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ ‐ .... ]
π 2 3

Además:

Vr = ILDC T2 / C1 = ILDC / 2f C1

Despreciando los armónicos superiores, la tensión eficaz del segundo armónico es:
Vref = Vr / (π√2) = √2 ILDC XC1

Utilizando los mismos criterios que para el filtro L‐C podemos hallar el factor de
rizado:

X C1X C2
r = √2 ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
RLXL1

57
UNIDAD TEMÁTICA
No. 3

EL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
A los dispositivos que se construyen con combinaciones de bloques formados de
semiconductores N y P se les llama genéricamente transistores (de: Transfer
Resistor).

Durante 1945 a 1949 el grupo de la compañía Bell desarrolló la teoría de los
transistores, la verificó experimentalmente y fueron construidos diodos y triodos.

En el año de 1956 Bardeen, Shockley y Brattain recibieron el Premio Nobel de Física
por el brillante trabajo que desembocó en la invención del transistor.

Hemos de mencionar que Bardeen recibió en 1972 nuevamente el Premio Nobel
de Física, ahora en compañía de J. R. Schrieffer y L. N. Cooper, por haber
desarrollado la teoría de la superconductividad.

Los transistores tienen varias ventajas sobre los tubos al vacío:

• En primer lugar, para que funcione un tubo al vacío su cátodo debe
calentarse, y esto se logra pasando una corriente por un filamento cercano
a él.

El voltaje típico que se requiere para lograr esto es de 250 V. Una vez
conectado este voltaje se necesita esperar determinado tiempo hasta que
se caliente el cátodo.

Por tanto, cualquier aparato que use tubos al vacío no funciona
inmediatamente después de haberse conectado.

El transistor no requiere este calentamiento, por lo que empieza a
funcionar inmediatamente después de su conexión. En consecuencia, el
uso de un transistor en lugar de tubos al vacío ahorra mucha energía, y por
tanto, resulta más económico.

• En segundo lugar, la respuesta del transistor a señales de frecuencias muy
altas es muy efectiva, lo cual no ocurre con los tubos al vacío.

59
Como el tamaño de un transistor es mucho menor que el de los tubos al
vacío, con él se inició la miniaturización de los aparatos electrónicos.

El invento del transistor abrió una nueva era en la civilización moderna, ya
que se le pudo utilizar de manera muy general en una gran variedad de
aparatos. En las décadas de 1950 y 1960 se construyeron radios,
computadoras electrónicas, aparatos de control industrial, etc., que gracias
a los transistores adquirieron un tamaño relativamente pequeño,
portátiles, con necesidades de energía muy reducidos y de larga vida.

En gran medida, en las décadas mencionadas los transistores sustituyeron a
los tubos al vacío. Sin embargo, para ciertas aplicaciones muy específicas
los tubos han tenido ventajas sobre los transistores. Así, se emplean para
transmisores de radio de potencia alta y mediana, para amplificadores de
microondas y osciladores, para tubos de rayos catódicos como los que se
usan en los televisores, monitores, pantallas de diversos aparatos, en
equipos profesionales de audio, etcétera.

REPRESENTACIÓN DEL TRANSISTOR BIPOLAR
Los siguientes esquemas muestran la representación del transistor en su forma de
construcción y símbolo circuital. El transistor PNP se puede interpretar como dos
diodos unidos por su cátodo. El transistor NPN se puede interpretar como dos
diodos unidos por su ánodo. Estas representaciones permiten idear la forma de
probar el buen estado del transistor midiendo las uniones con un multímetro.

Sus terminales son denominados:

E = Emisor (ingresa las cargas al dispositivo)
C = Colector (recibe las cargas que provienen del emisor)
B = base (controla el flujo de cargas al colector)

Para obtener el efecto amplificador del transistor se hace que la base sea angosta
en comparación con las regiones de colector y emisor. Adicionalmente, la
concentración de impurezas es menor en la base para lograr que las regiones de
transición sean mayores en ella, lo cual permite reducir su ancho efectivo y
aumentar la ganancia.

60
P N P N P N
E C E C
B B
E C E C
B B
C C
B PNP B NPN
E E

Esquemas del transistor bipolar

REGIONES DE TRABAJO EN EL TRANSISTOR BIPOLAR:
Como el BJT posee dos uniones P‐N y sabemos que ellas pueden ser polarizadas en
forma directa o inversa, surgen 4 formas posibles de polarización, las cuales se
indican en la siguiente tabla:
Je = Juntura de emisor PD = Polarización directa
Jc = Juntura de colector PI = Polarización inversa

TRANSISTOR PNP
TENSION Je Jc ZONA CARACTERISTICA
Se comporta como
VEB > 0, VCB
PD PD SATURACIÓN interruptor cerrado
> 0
Se comporta como
VEB < 0, VCB
PI PI CORTE interruptor abierto
< 0
Se comporta como
VEB > 0, VCB
PD PI ACTIVA amplificador
< 0
Se comporta como
VEB < 0, VCB ACTIVA
PI PD amplificador con muy
> 0 INVERSA
baja ganancia

61
TRANSISTOR NPN
TENSION Je Jc ZONA CARACTERISTICA
VBE > 0, VBC Se comporta como
PD PD SATURACIÓN
> 0 interruptor cerrado
VBE < 0, VBC Se comporta como
PI PI CORTE
< 0 interruptor abierto
VBE > 0, VBC Se comporta como
PD PI ACTIVA
< 0 amplificador
Se comporta como
VBE < 0, VBC ACTIVA
PI PD amplificador con muy
> 0 INVERSA
baja ganancia

Las zonas de corte y saturación son empleadas comúnmente en los
circuitos digitales.
La zona activa se emplea comúnmente en circuitos analógicos debido a que
ahí el transistor puede amplificar señales.
La zona activa inversa se emplea también en algunos tipos de circuitos
digitales, tales como las compuertas lógicas TTL

Modelo matemático del transistor bipolar:
Uno de los modelos muy usados en el análisis de circuitos es el de Ebers‐Moll.

Como el transistor es formado por dos uniones P‐N, las ecuaciones tienen la forma
de la del diodo, tanto para la unión de emisor como la de colector:

IE = [IEBO / (1 ‐ αNαI)](℮VBE/VT‐ 1) + [αIICBO / (1 ‐ αNαI)](℮VBC/VT‐ 1)
IC = [αNIEBO / (1 ‐ αNαI)](℮VBE/VT‐ 1) ‐ [ICBO / (1 ‐ αNαI)](℮VBC/VT‐ 1)

Además, se tiene mediante las leyes de Kirchhoff:
IE = IB + IC VCE = VCB + VBE

En la zona activa las ecuaciones de Ebers‐Moll se reducen a:
IE = [IEBO / (1 ‐ αNαI)]℮VBE/VT ‐ [αIICBO / (1 ‐ αNαI)]
IC = [αNIEBO / (1 ‐ αNαI)]℮VBE/VT + [ICBO / (1 ‐ αNαI)]

Definiendo:
β = αN / (1 ‐ αN)

62
Se llega a la siguiente ecuación para IC:
IC = β IB + (1 + β)ICBO

Curvas del transistor bipolar:
El transistor posee un conjunto de curvas que representan la relación entre sus
corrientes y tensiones externas.

Curva de transferencia:
Se emplea como entrada la juntura base‐emisor. Por ello, las curvas de entrada
tendrán mucha similitud con la curva del diodo. En realidad son una familia de
curvas que dependen de la tensión colector‐emisor, pero se considera una sola
porque tienden a estar muy juntas.

En la siguiente gráfica se le muestra:

CURVA DE TRANSFERENCIA DEL TRANSISTOR
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
IE
0.04
0.03
0.02
0.01
0
0 5 10 15 20 25
VBE / VT

CURVAS DE SALIDA:
Las curvas más usadas son la que relacionan IC vs VCE usando como parámetro la
corriente de base (IB)
63

Vemos que posee varias zonas de operación:
En la zona de saturación, actúa como interruptor cerrado (tensión pequeña,
corriente alta)

En la zona de corte, actúa como interruptor abierto (tensión alta, corriente
pequeña)

En la zona activa actúa como amplificador, Para señales de entrada pequeña se
comporta linealmente.

En la zona de ruptura maneja tensiones y corrientes altas, con una gran disipación
de potencia. Comúnmente se evita trabajar en esta zona para evitar la destrucción
del transistor.

El punto de operación:
Dado que el BJT posee varias zonas de trabajo, es necesario darle una coordenada
en base a tensiones y corrientes constantes para ubicarlo en una de ellas. A esta
coordenada se le denomina punto de operación (Q).

En nuestro curso estudiamos su uso como amplificador. Por ello, debemos ponerlo
en la zona activa. Sabemos que, en este caso, debe tener su unión base‐emisor
polarizada directamente y su unión base‐colector polarizada inversamente.

A este proceso, de darle un punto de operación, se le llama polarización.

Métodos de polarización. Comparación entre los diferentes métodos:
A continuación veremos diferentes formas de polarizar al transistor.
64
VBC RC VCB
RC
RB RB
NPN PNP
VBE VEB
POLARIZACIÓN BASICA

RB Y RC limitan las corrientes que circulan en el transistor. Este método requiere
dos fuentes y por ello no es práctico.

Los métodos prácticos son los siguientes:

Polarización fija:
Este método es sencillo, fácil de diseñar y utiliza sólo una fuente. Su inconveniente
está en que el punto de operación varía mucho con la temperatura, es decir, no
tiene estabilidad. Esto se debe a la gran sensibilidad de los semiconductores a los
cambios de temperatura.

Para poder hacer buenos amplificadores, un requisito es que el punto de operación
tenga estabilidad térmica.

RB RC RB RC
VCC
VCC
NPN PNP
POLARIZACIÓN FIJA

Polarización Colector‐Base:
Este método es un poco más complejo que el anterior, pero posee mejor
estabilidad. También utiliza una sola fuente.
65
RC RC
RB RB
VCC
VCC
NPN PNP
POLARIZACIÓN COLECTOR-BASE

Autopolarizado:
Este método es muy usado porque posee muy buena estabilidad térmica, aunque
su diseño es más complejo.

R1 RC R1 RC
VCC
NPN
PNP VCC
R2
RE R2 RE
AUTOPOLARIZADO

Obsérvese que en el caso de transistores PNP, la fuente de alimentación y las
corrientes están invertidas respecto al NPN.

Los métodos anteriores permiten otras formas basadas en combinaciones entre
ellos:
66
RB RC RB RC RC RC
RB RB
VCC VCC
NPN
PNP VCC VCC
NPN PNP
RE RE
RE RE
METODOS ALTERENATIVOS

Polarización mediante fuentes de corriente:
Estos métodos son muy usados, especialmente en circuitos integrados, porque
permiten economizar espacio, muy buena estabilidad y lograr la máxima
amplificación.

IE
RC RC RB RB
IC
VCC VCC
NPN
PNP VCC VCC
NPN PNP
IE
RE RE
IE
POLARIZACION CON FUENTE DE CORRIENTE

Estabilización del punto de operación:
Como ya se ha mencionado, es necesario que el punto de operación sea constante
y no varíe por efectos de la temperatura, rizado de la fuente de alimentación,
cambio de los parámetros del transistor, etc.

Las técnicas que permiten estabilizar el punto de operación pueden clasificarse en
dos categorías:

1) Técnicas de estabilización: Utilizan circuitos de polarización resistivos que
mantienen IC relativamente constante ante variaciones de ICBO, VBE y β.

2) Técnicas de compensación: Utilizan dispositivos sensibles a la temperatura
como termistores, transistores, diodos, etc. que entregan corrientes y
tensiones de compensación que mantienen al punto de operación
prácticamente constante.
67

Técnicas de estabilización:
El punto de operación de un transistor puede variar por cambios sufridos en la
corriente inversa de la juntura Colector–Base (ICBO), por las variaciones de la
tensión Base‐Emisor (VBE), la ganancia (β), variaciones de la fuente de
alimentación, los componentes del circuito.

La variación de la corriente de colector debido a estos parámetros podemos
expresarla aproximadamente por:

ΔIC = SI ΔICBO + SV ΔVBE + Sβ Δβ + SVCC ΔVCC + SR1ΔR1 + ....

SI = Factor de estabilidad de corriente.
SV = Factor de estabilidad de tensión.
Sβ = Factor de estabilidad de ganancia.
SVCC = Factor de estabilidad de la fuente.
SR1 = Factor de estabilidad de la resistencia R1.
ΔIC = Variación total de la corriente de colector.
ΔICBO= Variación total de la corriente ICBO
ΔVBE = Variación total de la tensión Base‐Emisor
Δβ = Variación total de ganancia de corriente
ΔVCC = Variación total de fuente de alimentación.
ΔR1 = Variación total de resistencia R1

Cada factor de estabilidad puede determinarse asumiendo que las demás variables
Se mantienen constantes.

El factor de estabilidad SI se obtiene con la siguiente ecuación:
SI = ΔIC / ΔICBO , cuando: ΔVBE = 0 y Δβ = 0

Mientras más grande es SI, el punto de operación es más inestable. El mínimo valor
posible de SI es 1.

Los circuitos que estabilizan el punto de operación respecto a variaciones de ICBO,
también se comportan satisfactoriamente ante variaciones de VBE, β, etc. Por ello,
basta obtener un buen factor de estabilidad SI.

La ecuación general que gobierna la corriente de colector del transistor es:

IC = β IB + (1 + β) ICBO

68
Derivando respecto a IC obtenemos:

SI = (1 + β) / (1 – β dIB / dIC)

De esta ecuación concluimos que para valores grandes de β, SI se aproxima a la
unidad.

El término dIB / dIC se obtiene a partir del circuito que utilicemos. Para el cálculo
de SI se considera que VBE, β, etc. no varían.

Tomemos como ejemplo el circuito autopolarizado, cuyo equivalente de thevenin
se encuentra a continuación:

R1 RC RC
RBB
VCC VCC
NPN NPN
R2 VBB
RE RE
RBB = R1//R2
VBB = VCC R2/(R1 + R2) = VCC RBB/R1

En la malla Base‐Emisor podemos plantear la siguiente ecuación:
VBB = IB RB + VBE + (IC + IB) RE

Derivando esta ecuación respecto a IC:
dIB / dIC = ‐ (Re / (Re + RBB))

Reemplazando en la ecuación de SI obtenemos:
SI = (1 + RBB / Re) / (1 + (RBB / (1 + β)Re))

Si hacemos: RBB = (1 + β) Re / 10, tendremos: SI = (11 + β) / 11

Para un valor de β = 50 , se tiene: SI = 5.55; el cual es un buen factor, siendo 3 el
valor óptimo. También observamos que si β es más grande, el factor de estabilidad
empeora. Por ejemplo, si: β = 100, SI = 10.1. En este caso el factor de estabilidad ha
aumentado y tendremos que elegir otra relación de RBB con RE para mantener SI
pequeño.

69
Técnicas de compensación:
Para obtener mejor regulación y compensación de temperatura con la red resistiva,
se puede conectar un diodo entre las base y referencia de los transistores. Estos
diodos deben elegirse cuidadosamente para permitir la exacta caída de voltaje
necesaria. Pero, si esta polarización cambia con la edad del equipo, la polarización
también sufrirá cambios.

Si por cualquier motivo (variación de temperatura ambiente, calentamiento del
transistor, etc.) la temperatura del transistor varía, esto causa una variación de la
tensión base‐emisor (aproximadamente –2.5mV/ºC).

Una forma de evitar estos efectos indeseables es haciendo que la tensión de
polarización varíe de manera similar a la variación de VBE con la temperatura, lo
cual se logra colocando, en paralelo con R2, un termistor NTC (Negative
Temperature Coefficient) de similar coeficiente de temperatura que el diodo base‐
emisor. De esta forma la tensión en el termistor disminuirá del mismo modo como
VBE disminuye manteniendo siempre la corriente de colector (proporcional a la
corriente de base) en un valor casi constante.

A continuación se muestran formas típicas de polarización con compensación de
temperatura. En la figura a se coloca una resistencia en paralelo con el termistor
con el fin de aproximar el coeficiente de temperatura equivalente al del diodo
base‐emisor.

En la figura b es mostrada la polarización por diodo, estos trabajan polarizados en
sentido directo y deben exhibir el mismo coeficiente de temperatura que el
correspondiente al diodo base‐emisor del transistor.

Se aumenta mucho más la estabilidad contra variaciones de temperatura
colocando un resistor en el emisor del transistor (figuras a, b y c).

70
R1 RC R1 RC R1 RC
VCC VCC VCC

NPN NPN NPN
R2
R2
RE RE RE
Q2
t D
(a) (b) (c)

La compensación puede hacerse más efectiva cuando se emplea un transistor
regulador. Dado que el punto de operación es difícil de mantener, podemos usar
un transistor regulador de voltaje y lograr controlar fácilmente al punto de
operación ajustándolo mediante un potenciómetro.

En la figura c el transistor Q2 se encarga de controlar en forma precisa el punto de
operación del transistor principal, actuando como regulador. También compensa
automáticamente contra variaciones de temperatura.

Rectas de carga: Recta de carga DC. Recta de carga AC.
Para el estudio de los circuitos utilizamos las leyes de Kirchhoff y la ley de Ohm.

En el siguiente circuito usado como amplificador:

R1 RC
C
VCC
R2
Vg
RE CE

La corriente de colector está formada por la corriente del punto de operación y la
corriente de señal: IC = ICQ + ic

En forma análoga para la tensión: VCE = VCEQ + vce
71
Planteando la ley de Kirchhoff en la malla colector‐emisor:
VCC + 0 = ICQ RC + VCEQ + IEQ RE + ic RC + vce

Aquí se han considerado muy pequeñas las reactancias de los condensadores a la
frecuencia de la señal.

Los 3 primeros términos de la derecha son DC y se cumple:
VCC = ICQ (RC + (1 + 1 /β)RE) + VCEQ

Y recibe el nombre de Recta de carga estática (o DC)

Los 2 términos siguientes de la derecha son AC y se cumple:
0 = + ic RC + vce

Y recibe el nombre de Recta de carga dinámica (o AC)

Lo anterior indica que podemos estudiar al amplificador sólo en DC y luego sólo
en AC.

Estas ecuaciones pueden ser graficadas en las curvas de salida del transistor y son
un par de rectas.

Configuraciones del transistor: Emisor común, colector común y base común.
El transistor posee 3 terminales y podemos considerarlo como un cuadripolo,
siempre que tomemos un terminal común a la entrada y a la salida, como se
observa en las siguientes figuras.

ic ie ic ie
ib ib
C E C E
B + + B +
+ vce + vcb + vec
vbe - veb - vbc -
- - -
E E B B C C
EMISOR COMUN BASE COMUN COLECTOR COMUN

En cada una de ellas el transistor posee diferentes propiedades, por lo que es
necesario estudiarlas.

En emisor común (EC):
La entrada es la unión base‐emisor y la corriente de base.
La salida es entre colector‐emisor y la corriente de colector.

72
En base común (BC):
La entrada es la unión emisor‐base y la corriente de emisor.
La salida es en la unión colector‐base y la corriente de colector.

En colector común (CC):
La entrada es la unión base‐colector y la corriente de base.
La salida es entre emisor‐colector y la corriente de emisor.

Modelos de baja frecuencia y pequeña señal del transistor:
Cuando trabaja en la zona activa, con señales pequeñas, el transistor puede ser
representado por un modelo de cuadripolo lineal. Esto podemos explicarlo en la
siguiente forma:

IE = [IEBO / (1 ‐ αNαI)]℮VBE/VT = IES℮VBE/VT
IC = αIEs℮VBE/VT

Si: VBE = VBEQ + vbe

VBEQ = Tensión DC del punto de operación
vbe = Tensión de señal

Reemplazando en Ic: Ic = α Ies e(VBEQ + vbe) / VT =α Ies eVBEQ / VT e vbe / VT

Si vbe es pequeña señal: Ic = α IEQ e vbe / VT

El desarrollo de la exponencial en series de potencia es:
℮x = 1 + x/1! + x2/2! + x3/3! + .....

Si se cumple: x = vbe / VT << 1, la exponencial se puede representar por una recta
y el transistor tendrá un comportamiento lineal:
e vbe / VT = 1 + vbe / VT
Reemplazando:
Ic = α IEQ (1 + vbe / VT) = α IEQ + α IEQ vbe / VT = ICQ + gm vbe

Donde: gm = transconductancia para pequeña señal = α IEQ / VT
ICQ = α IEQ

Entonces, para señales pequeñas el transistor se comporta en forma lineal y
podemos usar la teoría de cuadripolos lineales para representarlo.

73
Para tener operación con pequeña señal, debe cumplirse que la amplitud máxima
de la señal sea mucho menor que VT: vbe << VT

A temperatura ambiente: vbe << 25.8 mV

Tomando una relación de 10 á 1: vbe ≤ 2.6 mV

Cuando trabajemos con señales pico menores o iguales a 2.6 mV, estaremos
trabajando con señales pequeñas. Cuando se pueda aceptar un nivel de distorsión
mayor, podremos utilizar más tensión de señal, pero sin sobrepasar los 26 mV a
temperatura ambiente.

Los modelos de cuadripolos más usados para representar al transistor son los de
parámetros híbridos (H), los parámetros admitancia (Y), los parámetros impedancia
(Z) y los parámetros K. De estos 4, los más usados son los parámetros híbridos y los
parámetros admitancia.

MODELO T:
El modelo T se caracteriza porque está basado en la estructura física del transistor
y permite expandirse al modelo π‐híbrido (o de Giacoletto). El modelo se muestra
a continuación, para el caso de un transistor NPN:
C C C
N
B Ib B Ib
Ib Ib Ib
B P B B
N re
E E E
(A) (B) (C)

En la figura (A) se muestra la forma de construcción del transistor. Cuando el
transistor actúa como amplificador, debe ser polarizado en la zona activa. Para ello,
la juntura base‐emisor debe polarizarse directamente y la juntura base‐colector
inversamente.
74
La figura (B) muestra el comportamiento del transistor en El caso indicado
anteriormente. La juntura base‐ emisor actúa como un diodo y presenta
comportamiento no lineal. La juntura base‐colector actúa como una fuente de
corriente controlada por Ib, la corriente de base.

Si el transistor trabaja con pequeña señal, al diodo base emisor podemos
reemplazarlo por su resistencia dinámica, tal como se muestra en la figura (C). Esta
resistencia se puede hallar fácilmente en la misma forma que la del diodo:

re = VT / IEQ

Donde: VT = Tensión térmica (25.8 mV a temperatura ambiente).
IEQ = Corriente de emisor en el punto de operación.

Modelo de parámetros admitancia del transistor. Fórmulas de conversión de los
parámetros de las tres configuraciones del transistor.

Modelo de parámetros híbridos:
Este modelo se usa bastante en baja frecuencia

Las variables independientes son: La corriente de entrada y la tensión de salida.

Modelo de emisor común:
ib ic
+ +
vbe vce
- -

vbe = hie ib + hre vce
ic = hfe ib + hoe vce

notación matricial:
vbe hie hre ib
ic hfe hoe vce

75
El determinante de la matriz cuadrada de parámetros híbridos en emisor
común es: Dhe = hie hoe – hfe hre

Estas ecuaciones pueden ser representadas por un modelo de circuito que emplea
fuentes dependientes, como se muestra a continuación:

ib ic
B C
+ hie + +
vbe 1 / hoe vce
- -
hre vce hfe ib
E - E

Modelo de base común:

ie ic
+ +
veb vcb
- -

veb = hib ie + hrb vcb
ic = hfb ie + hob vcb

veb hib hrb ie
ic hfb hob vcb

El determinante de la matriz cuadrada de parámetros híbridos en base
común es: Dhb = hib hob – hfb hrb

La representación con circuito es la siguiente:
76
ie ic
E C
+ hib + +
veb 1 / hob vcb
- -
hrb vcb hfb ie
B - B

Modelo de colector común:

ib ie
+ +
vbc vec
- -

vbc = hic ib + hrc vec
ie = hfc ib + hoc vec

vbc hic hrc ib

h
ie hfc hoc vec
h

El determinante de la matriz cuadrada de parámetros híbridos en colector
común es: Dhc = hic hoc – hfc hrc

ib ie
B E
+ hic + +
vbc 1 / hoc vec
- -
hrc vec hfc ib
C - C

77
Pueden hacerse conversiones de parámetros de una configuración a otra. Como el
cuadripolo es lineal, sus parámetros no dependen de las variables y podremos
hacer una de las variables cero para calcularlos.

Problema 3.1: Halle Los parámetros híbridos en emisor común en función de los de
base común.

Modelo en base común:

ie ic
E C
+ hib + +
veb 1 / hob vcb
- -
hrb vcb hfb ie
B - B

Lo dibujamos en emisor común:
hfb ie
ib ic
B C
-
+ +
hrb vcb
vbe + 1 / hob vce
- hib -
ie
E E

Las ecuaciones para emisor común son: vbe = hie ib + hre vce
ic = hfe ib + hoe vce
Haciendo vce = 0 podemos hallar:
hie = vbe / ib y hfe = ic / ib

78
Efectuando:
hfb ie
ib ic
B C
-
+ +
hrb vcb
vbe + 1 / hob vce = 0
- hib -
ie
E E

En el circuito resultante observamos: vbe = ‐ veb, vcb = ‐ vbe, ib = ‐ ie ‐ ic

Además: ‐ vbe = hib ie + hrb vcb = hib(‐ib – ic) – hrb vbe
vbe = hib(ib + ic) + hrb vbe
(1 – hrb)vbe = hib ib + hib ic ........(1)

También: ic = hfb ie + hob veb = hfb (‐ ib – ic) – hob vbe
(1 + hfb)ic = ‐ hfb ib – hob vbe ........(2)

Reemplazando 2 en 1:
(1 – hrb)vbe = hib ib + hib [– (hfb / (1 + hfb)) ib – (hob / (1 + hfb)) vbe
[(1 – hrb) – (hibhob / (1 + hfb)] vbe = [hib / (1 + hfb)] ib

hib hib
hie = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐
1 + hfb – hrb + Dhb Hb

Donde:
Hb = 1 + hfb – hrb + Dhb y Dhb = hibhob ‐ hrbhfb

A continuación:
De 2: vbe = ‐ ((1 + hfb) / hob)ic – (hfb / hob) ib ................(3)

[ ‐ ((1 – hrb)(1 + hfb) / hob]ic ‐ (1 – hrb)hib ic = [hfb / hob + hib] ib

79
‐ (hfb + Dhb)
hfe = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
1 + hfb – hrb + Dhb

Haciendo ib = 0 podemos hallar:

hre = vbe / vce y hoe = ic / vce

Efectuando:
1 / hob
ib = 0 ic
B C
-
V3
+ hrb vcb hfb ie +
vbe vce
+
- -
hib
E ie E

Del circuito obtenemos: ie = ‐ ic vbe = ‐ ie hib – hrb vcb vcb = vce – vbe
vce = ic / hob – hfb ie/hob + vbe)

Luego: vbe = ic hib – hrb (vce – vbe) ........(4)
(1 + hfb)ic = hob(vce – vbe) / (1 + hfb)..........(5)

vbe = ‐ hrb vce + hib hob(vce – vbe) ....................................(6)

De 6:
Dhb – hrb
hre = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
Hb

Finalmente,
De 4 y 6:

80
hob
hoe = ‐‐‐‐‐‐‐
Hb

PROBLEMA 3.2: En el circuito mostrado determine:

a) El valor de hi
b) El valor de hf
c) El valor de hr
d) El valor de ho

V1 = hi I1 + hr V2
I2 = hf I1 + ho V2

I1 100K I2
+ +
V1 V2
- 10K gmV1 100K -

gm = 2mS

Solución:
a) El valor de hi:
Modelo para hallar hi y hf:
I1 100K I2
+
V1
- 10K gmV1 100K

Planteamos ecuaciones:
I1 = V1 / 10K + V1 / 100K
hi = V1 / I1 = 10K //100K = 9.09KΩ hi = 9.09KΩ

81
b) El valor de hf:
En el circuito anterior: I2 = gmV1 – V1 / 100K = gm (hi I1) ‐ (hi I1) / 100K

hf = I2/ I1 = gm (9.09K) ‐ (9.09K) / 100K = 9.09K (2mS) – 0.091
hf = 18.09

c) El valor de hr:
Modelo para hallar hr y ho:

I1 = 0 100K I2
+ +
V1 V2
- 10K gmV1 100K -

Planteamos ecuaciones:
V1 = V2 (10K) / (10K + 100K)
hr = V1 / V2 = 10K / (10K + 100K) = 0.091
hr = 0.091

d) El valor de ho:
I2 = V2 / 100K + gm V1 + V2 / (100K + 10K) = V2(1 / 100K + 1/110K) + gmhrV2
ho = I2 / V2 = 1 / 100K + 1 / 110K + 0.091(2mS)
ho = 0.20mS

Valores típicos de los parámetros híbridos:

BASE COMUN EMISOR COMUN COLECTOR COMUN
hib = 21.6 Ω hie = 1100 Ω hic = 1100 Ω
‐4 ‐4
hrb = 2.9x10 hre = 2.5x10 hrc = 1
hfb = ‐ 0.98 hfe = 50 hfc = ‐ 51
‐6 ‐6
Hob = 0.49x10 S hoe = 25x10 S hoc = 25x10‐6S

En la siguiente tabla se muestran las fórmulas de conversión de los parámetros
híbridos, de una configuración a otra:

82

hib hie = hib / Hb hic = hib / Hb
hib = hie / He hie hic = hie
hib = hic / Hc hie = hic hic
hrb hre = (Dhb – hrb) / Hb hrc = (1 + hfb) / Hb
hrb = (Dhe – hre) / He hre hrc = 1 ‐ hre
hrb = (1 + hfc) / Hc hre = 1 ‐ hrc hrc
hfb hfe = ‐ (hfb + Dhb) / Hb hfc = (hrb ‐ 1) / Hb
hfb = ‐ (hfe + Dhe) / He hfe hfc = ‐ (1 + hfe)
hfb = (hrc – 1) / Hc hfe = ‐ (1 + hfc) hfc
hob hoe = hob / Hb hoc = hob / Hb
hob = hoe / He hoe hoc = hoe
hob = hoc / Hc hoe = hoc hoc
Dhb = hib hob – hrb hfb Dhe = hie hoe – hre hfe Dhc = hic hoc – hrc hfc
Hb = 1 + hfb – hrb +Dhb He = 1 + hfe – hre +Dhe Hc = 1 + hfc – hrc +Dhc

La demostración de todas estas ecuaciones es un buen ejercicio para practicar las
leyes de Kirchhoff, la ley de Ohm y el funcionamiento de las fuentes dependientes.

PARAMETROS K:
Este modelo también se usa para representar al transistor. Las variables se definen
en forma opuesta que en parámetros híbridos. Es útil cuando la excitación es con
fuente de corriente y la salida es una conexión serie.

Las variables independientes son: La tensión de entrada y la corriente de salida.

ib = kie vbe + kre ic
vce = kfe vbe + koe ic

ib kie kre vbe
vce ic
kfe koe

El determinante de la matriz cuadrada de parámetros k en emisor común es:
83
Dke = kie koe – kfe kre


ib koe ic
B C
+
+ kre ic kfe vbe +
vbe 1 / kie vce
- -
-
E E

ie = kib veb + krb ic
vcb = kfb veb + kob ic

ie kib krb veb
vcb kfb kob ic

El determinante de la matriz cuadrada de parámetros k en base común es:
Dkb = kib kob – kfb krb

ie kob ic
E C
+
+ krb ic kfb veb +
veb 1 / kib vcb
- -
-
B B

ib = kic vbc + krc ie
vec = kfc vbc + koc ie
84
ib kic krc vbc

h
vec kfc koc ie
h

El determinante de la matriz cuadrada de parámetros k en colector común
es: Dkc = kic koc – kfc krc


ib koc ie
B E
+
+ krc ie kfc vbc +
vbc 1 / kic vec
- -
-
C C

Pueden hacerse conversiones de parámetros de una configuración a otra. Como el
cuadripolo es lineal, sus parámetros no dependen de las variables y se puede hacer
una de las variables independientes cero para calcularlos.

PARAMETROS ADMITANCIA:
Este modelo también se usa bastante en alta frecuencia.

Las variables independientes son: La tensión de entrada y la tensión de salida.


ib = yie vbe + yre vce
ic = yfe vbe + yoe vce
ib yie yre vbe
ic yfe yoe vce

85
El determinante de la matriz cuadrada de parámetros admitancia en emisor
común es: Dye = yie yoe – yfe yre


ib ic
B C
+ +
vbe vce
- yie yoe -
yre vce yfe vbe
E E

ib = yib veb + yrb vcb
ic = yfb veb + yob vcb

ib yib yrb veb
ic yfb yob vcb

El determinante de la matriz cuadrada de parámetros admitancia en base
común es: Dyb = yib yob – yfb yrb


ie ic
E C
+ +
veb vcb
- yib yob -
yrb vcb yfb veb
B B

86
ib = yic vbc + yrc vec
ie = yfc vbc + yoc vec

ib yic yrc vbc

h
ie yfc yoc vec
h

El determinante de la matriz cuadrada de parámetros admitancia en colector
común es: Dyc = yic yoc – yfc yrc


ib ie
B E
+ +
vbc vec
- yic yoc -
yrc vec yfc vec
C C

Tal como en los parámetros híbridos, pueden hacerse conversiones de parámetros
admitancia de una configuración a otra. Podemos hacer una de las variables
independientes cero para poder calcular los parámetros.

Problema 3.3: Halle los parámetros admitancia en base común en función de los de
emisor común.

Modelo en emisor común:
B ic
C
+ ib +
Vbe Vce
- yie -
yoe
yre Vce yfe Vbe
E E
87
Lo dibujamos en base común:
yoe
E ic
C
ie yfe Vbe
+ yie +
Veb yre Vce Vcb
- -
ib
B B

Las ecuaciones para base común son:

ie = yib Veb + yrb Vcb
ic = yfb Veb + yob Vcb

Haciendo Vcb = 0 podemos hallar:
yib = ie / Veb y yfb = ic / Veb

Efectuando:
yoe
E ic
C
ie yfe Vbe
+ yie +
Veb yre Vce Vcb = 0
- -
ib
B B

Vemos que: Vbe = ‐ Veb Vce = ‐ Veb ie + ic + ib = 0

Luego: ib = ‐ yieVeb – yre Veb

Además: ic = ‐ yoeVeb – yfeVeb

Reemplazando:
ie = ‐ ib – ic = yieVeb + yre Veb + yoeVeb + yfeVeb
88
De donde: yib = yie + yre + yoe + yfe

De la ecuación de ic: yfb = ‐ (yfe + yoe)

Haciendo Veb = 0 podemos hallar:

yrb = ie / Vcb y yob = ic / Vcb

Efectuando:
yoe
ie ic
yfe vbe
yie +
yre vce
vcb
-
ib

Vemos que: Vbe = ‐ Veb = 0 Vce = Vcb ie + ic + ib = 0
yfe vbe = 0

Luego: ie = ‐ yoeVcb – yre Vce

Además: ic = ‐ yoeVcb

De la ecuación de ie: yrb = ‐ (yre + yoe)
De la ecuación de ic: yob = ‐ (yoe + yfe)

En la siguiente tabla se muestran las fórmulas de conversión de los parámetros
admitancia, de una configuración a otra:

89

yib yie = ∑yb yic = ∑yb
yib = ∑ye yie yic = yie
yib = yoc yie = yic yic
yrb yre = ‐ (yrb + yob) yrc = ‐ (yib + yfb)
yrb = ‐ (yre + yoe) Yre yrc = ‐ (yie + yre)
yrb = ‐ (yfc + yoc) yre = ‐ (yic + yrc) yrc
yfb yfe = ‐ (yfb + yob) yfc = ‐ (yib + yrb)
yfb = ‐ (yfe + yoe) yfe yfc = ‐ (yie + yfe)
yfb = ‐ (yrc + yoc) yfe = ‐ (yic + yfc) yfc
yob yoe = yob yoc = yib
yob = yoe yoe yoc = ∑ye
yob = ∑yc yoe = ∑yc yoc
Dyb = yib yob – yrb yfb Dye = yie yoe – yre yfe Dyc = yic yoc – yrc yfc
∑yb = yib + yrb +yfb + yob ∑ye = yie + yre +yfe + yoe ∑yc = yic + yrc +yfc + yoc

Matriz de admitancia indefinida:
Para hacer la conversión de parámetros admitancia de una configuración a otra, es
conveniente el empleo de la matriz de admitancia indefinida. Esta matriz se define
teniendo en cuenta que el transistor no tiene ningún terminal de referencia y que
funciona con pequeña señal, como se muestra a continuación:

I3
C
I1
B
E V3
V1
I2
V2

90
Las ecuaciones de parámetros admitancia se pueden resumir con notación
matricial:
B E C
B I1 y11 y12 y13 V1
E I2 y21 y22 y23 V2
C I3 y31 y32 y33 V3

Como: I1 + I2 + I3 = 0 y vbe + vec + vcb = 0

Se cumple: y11 + y21 + y31 = 0

y12 + y22 + y32 = 0
y13 + y23 + y33 = 0
y11 + y12 + y13 = 0
y21 + y22 + y23 = 0
y31 + y32 + y33 = 0

Conociendo 4 de estas 9 admitancias se pueden hallar las 5 restantes, siempre que
no caigan 3 de las 4, en la misma columna o fila.

Problema 3.4: Si se tienen los parámetros admitancia en emisor común de un
transistor, halle los parámetros admitancia en base común y colector común.

yie = (2 + j2)*10‐3 yre = (‐2 ‐ j20)*10‐6
yfe = (20 ‐ j3)*10‐3 yoe = (20 + j60)*10‐6
Solución:

Estos parámetros los ubicamos en la matriz de admitancia indefinida, en las
ubicaciones que quedan al eliminar la columna y la fila de emisor:
91
B E C
B I1 yie y12 yre V1
E I2 y21 y22 y23 V2
C I3 yfe y32 yoe V3

Calculamos las otras admitancias de la matriz:

y12 = ‐ (yie + yre) = (‐ 1.998 – j 1.98)* 10‐3
y32 = ‐ (yfe + yoe) = (‐20.02 + j 2.94)* 10‐3
y22 = ‐ (y12 + y32) = (22.018 ‐ j 0.96)* 10‐3
y21 = ‐ (yie + yfe) = (‐ 22 + j )* 10‐3
y23 = ‐ (yre + yoe) = (‐ 18 – j 40)* 10‐6

La matriz resultante es:

B E C
B (2 + j2)ms (-1.998 - j1.98)ms (-2 - j20)us
E (-22 + j)ms (22.018 - j0.96)ms (-18 - j40)us
C (20 - j3)ms (-20.02 + j2.94)ms (20 + j60)us

Para hallar los parámetros admitancia en base común se eliminan la fila y columna
de base y los que quedan son los buscados:

yib = y22 = (22.018 – j 0.96)* 10‐3 yrb = y23 = (‐ 18 – j 40)* 10‐6
yfb = y32 = (‐ 20.02 + j 2.94)* 10‐3 yob = yoe = (20 + j60)*10‐6

92
Para hallar los parámetros admitancia en colector común se eliminan la fila y
columna de colector y los que quedan son los buscados:

yic = yie = (2 + j2)*10‐3 yrc = (‐ 1.998 – j 1.98)* 10‐3
‐3
yfc = y21 = (‐ 22 + j )* 10 yoc = y22 = (22.018 – j 0.96)* 10‐3

En la siguiente tabla se muestra la ecuaciones de conversión entre parámetros
híbridos, admitancia e impedancia:

TABLA DE CONVERSIÓN ENTRE MODELOS DE PARÁMETROS
Z Y H
zi yo / Dy Dh / ho
zr ‐ yr / Dy hr / ho
zf yf / Dy ‐ hf / ho
zo yi / Dy 1 / ho
zo / Dz yi 1 / hi
‐ zr / Dz yr ‐ hr / hi
‐ zf / Dz yf hf / hi
zi / Dz yo Dh / hi
Dz / zo 1 / yi hi
zr / zo ‐ yr / yi hr
‐ zf / zo yf / yi hf
1 / zo Dy / yi ho
Dzb = zib zob – zrb zfb Dyb = yib yob – yrb yfb Dhb = hib hob – hrb hfb
Dzc = zic zoc – zrc zfc Dyc = yic yoc – yrc yfc Dhc = hic hoc – hrc hfc
Dze = zie zoe – zre zfe Dye = yie yoe – yre yfe Dhe = hie hoe – hre hfe

El empleo de un modelo u otro depende del circuito, su impedancia de entrada (Zi),
su impedancia de salida (Zo), la impedancia de salida del generador (RG) y de la
impedancia de carga (RL).

MODELO DE PARÁMETROS π‐HIBRIDOS:
El modelo de parámetros π‐híbridos (o de Giacoletto) es una extensión del modelo
T. Se caracteriza porque sus valores permanecen prácticamente constantes con la
frecuencia. Es un modelo físico del transistor que incluye los fenómenos capacitivos
internos del transistor y se muestra a continuación:
93
Cμ
rx
B C
rμ
+ gm Vπ
Vπ rc
- rπ Cπ
E E

rx = Es la resistencia de dispersión de base. Su valor es pequeño, del orden de las
decenas de ohmios.

Vπ = Tensión de señal de entrada
rπ = Resistencia de entrada = hfe VT / IEQ
Cπ = Capacidad de la unión de emisor
rμ = Resistencia de realimentación interna
Cμ = Capacidad de realimentación interna
rc = Resistencia de salida
gm = Transconductancia del transistor = α IEQ / VT

TECNOLOGÍA DEL TRANSISTOR:
El germanio fue descubierto por Winkler en 1886, después que Mendeleiev
predijera su existencia y muchas de sus propiedades gracias al sistema periódico de
los elementos, en 1869. Mendeleiev le dio el nombre de elka‐silicium debido a su
analogía con el silicio.

El germanio procede del mineral llamado germanita, en el que se encuentra en una
proporción aproximada de 7%. También se le encuentra en los desperdicios
procedentes de la extracción de zinc y de las cenizas de la hulla.

Los semiconductores a emplear deben tener una gran pureza debido a que una
pequeña cantidad de impurezas cambia completamente sus propiedades
eléctricas. Además, su estructura cristalina debe ser simétrica (monocristal).

Las impurezas pueden incluirse en el semiconductor de diferentes formas:

a) Por fundición: Tiene la ventaja de poderse combinar con la extracción del
monocristal. Las impurezas se añaden en cantidades precisas.

94
b) Por aleación: Consiste en poner una gota de impureza a cada lado de un
disco fino de semiconductor y luego calentarlo para que los átomos de
impureza penetren en el semiconductor, cambiándolo a tipo P o N

c) Por difusión: El semiconductor se coloca en un recipiente donde la sustancia
que actuará de impureza se halla en estado gaseoso y a alta temperatura. Los
átomos de impureza se difunden en el semiconductor formando una delgada
capa de material tipo P o N.

Estos métodos se aplican tanto al germanio como al silicio, con la diferencia
que este último es mucho más activo y puede ser atacado por el material del
crisol, generándose impurezas en forma incontrolable; por ello, requiere el
uso de crisoles especiales.

d) Epitaxial: Se origina el crecimiento del material semiconductor en estado de
cristal sobre otro material semiconductor también en estado cristalino.

FORMAS DE CONSTRUCCIÓN DEL TRANSISTOR:

Transistor de puntas de contacto: Constan de una plaquita de material base tipo N
o P sobre la que están aplicadas dos puntas metálicas. El material del colector y del
emisor se obtiene al soldar las puntas con el material base mediante un impulso de
corriente, haciendo que se introduzcan impurezas de tipo opuesto a la de la base.
Este método fue uno de los primeros en realizarse y actualmente está en desuso.

Transistor de unión: Son formados por capas superpuestas de material
semiconductor. Se aplican dos bolitas de impurezas a ambos lados para formar el
colector y el emisor. La penetración de las impurezas se regula en forma precisa
Debido al grueso de la unión, las capacidades inter.‐electródicas resultan
relativamente elevadas por lo que limita su empleo a frecuencias menores de 20
MHz.

Transistor planar: Se construye mediante una plaqueta de silicio tipo N o P que
constituirá el colector. Uno de sus lados se reviste con una capa de óxido de silicio.
A continuación se hace una ventana por donde se difunden impurezas para formar
la base. Se vuelve a cubrir con una capa de óxido de silicio y se practica otra
ventana sobre la base para difundir el emisor. Se vuelve a cubrir todo con una capa
de óxido de silicio y se practican otras ventanas para poner los terminales de base,
colector y emisor. Con esta técnica pueden construirse los dos tipos de transistores
y pueden soportar tensiones del orden de 100 V y corrientes del orden de 10 A.

95
Transistor homotaxial o de difusión única: Se fabrica a partir de una placa de
material tipo P y, al contrario del planar, no se forma capa de oxido. La impureza
penetra, durante el proceso de difusión, por ambos lados de la placa formando el
colector y el emisor. El material tipo P constituye la base. Estos transistores son
muy robustos y adecuados para trabajar con altas corrientes, por los que se les usa
mucho en etapas de potencia de baja frecuencia. Debido al espesor de la base, su
frecuencia de transición no es muy elevada (1 MHz) y admiten tensiones del orden
de 100 V. Sólo se fabrican de tipo NPN.

Transistor mesa: Es fabricado con el proceso epitaxial. Se hace crecer una delgada
capa de silicio poco dopado (que constituirá la base) sobre un sustrato de silicio
fuertemente dopado (que constituirá el colector). La base se cubre con una capa de
óxido de silicio y luego se practica una ventana donde se difunde el emisor. Debido
a que el proceso de formación de la base es muy lento, puede controlarse su
espesor con mucha exactitud, por lo que se pueden lograr espesores muy
reducidos, permitiendo su empleo en frecuencias altas. Pueden trabajar con
corrientes altas y tensiones del orden de 200 V. Se fabrican en versiones PNP y
NPN.

Transistor mesa semiplanar: La unión base‐colector se obtiene mediante
tecnología mesa y la unión base‐emisor mediante tecnología planar. Se parte de
una plaquita de silicio no oxidado que se expone a un proceso de difusión (parecido
al método homotaxial, con la diferencia que el material intermedio no constituye la
base sino el colector); a continuación se recubre toda la placa con óxido de silicio y
se elimina toda la capa difundida inferior. A continuación se difunde en la capa
superior el emisor mediante la técnica planar. Estos transistores son menos
robustos que los mesa, pero poseen una frecuencia de transición muy elevada y
pueden manejar tensiones muy altas, del orden de 1500 V. Sólo se fabrican en
versión NPN.

Nomenclatura de los transistores para baja frecuencia:

Nomenclatura americana: Los transistores, sea cual sea su aplicación, se designan
con el prefijo 2N (dos uniones) seguido por un número dado por el fabricante.

Nomenclatura europea antigua: Se utilizaban 2 ó 3 letras seguidas de un número.
La primera letra es una O, que indica que es un semiconductor. La segunda letra es
una A para los transistores.

Nomenclatura europea moderna: Esta nomenclatura es más acertada que las
anteriores debido a que se puede identificar el tipo de semiconductor y deducir
96
parte de sus características. La nomenclatura está compuesta de dos letras
seguidas de un número de serie compuesto de tres cifras, para los dispositivos
semiconductores diseñados para emplearse en aparatos domésticos, o una letra y
dos cifras, si son para uso industrial.

La primera letra puede ser:

A para los dispositivos de germanio
B para los dispositivos de silicio

La segunda letra puede ser:
C para los transistores de baja frecuencia y baja potencia
D para los transistores de baja frecuencia y potencia

97
UNIDAD TEMÁTICA
No. 4

EL TRANSISTOR UNIPOLAR (FET)
Son transistores que funcionan controlando la corriente que circula por el cuerpo
del semiconductor, mediante un campo eléctrico distribuido en toda su extensión.
La magnitud del campo eléctrico es determinada por el voltaje externo de control
aplicado al dispositivo.

La corriente que conducen es fundamentalmente de un solo tipo de carga, por lo
que se les conoce como dispositivos unipolares

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
La diferencia entre un transistor bipolar (BJT) y un transistor unipolar (FET) es el
modo de actuación sobre el terminal de control. En el transistor bipolar se debe
inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que
en el FET el control se hace mediante la aplicación de una tensión entre compuerta
y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos
dispositivos, que son sustancialmente distintas.

Es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que
consume el terminal de control (base o compuerta) es siempre más pequeña que la
potencia manejada en los otros dos terminales.

En resumen, destacamos tres cosas fundamentales:

• En un transistor bipolar IB controla la magnitud de la corriente IC.
• En un FET, la tensión VGS controla la magnitud de la corriente ID.
• En ambos casos, con una potencia pequeña puede controlarse otra bastante
mayor.

TIPOS DE FET
Por su forma de construcción, existen:

• FET de juntura (JFET): Pueden ser canal N ó P
• FET metal‐oxido‐semiconductor (MOSFET): Pueden ser canal N ó P

99
Estos a su vez se dividen en:
MOSFET de acumulación (o enriquecimiento o incremental)
MOSFET de reducción (o de estrangulamiento)
• FET metal‐semiconductor (MESFET): Pueden ser canal N ó P

MOSFET
Es un transistor de efecto de campo de metal‐óxido‐semiconductor.

El control de la corriente lo realiza mediante el campo eléctrico. Poseen
impedancia de entrada muy elevada y su construcción es superficial.

MOSFET DE ACUMULACIÓN:
Es el tipo más sencillo de todos y, en la actualidad, el más usado.

A continuación se muestra su esquema de construcción (para un MOSFET canal N):

W = Ancho del canal
L = Longitud del canal
tox = Espesor de la capa de óxido
D = Drenador (o Drain o sumidero)
S = Fuente (o Source o surtidor)
G = Compuerta (o Gate)
B = Sustrato (o Bulk)
G
S D
tox
N+ N+
L
x
B

100
En los dispositivos discretos, la fuente (S) está comúnmente unida con el sustrato
(B). Cuando no hay esta unión, el voltaje entre fuente y sustrato (VSB) también
afecta al funcionamiento del dispositivo.

La capa de óxido (cuyo espesor se indica con tox) está hecha de óxido de silicio
(SiO2) posee una permitividad eléctrica indicada con εox y la carga eléctrica que
contiene, indicada con Qox, influye mucho en las características del dispositivo. Qox
es en realidad una densidad de carga superficial formada por iones de impurezas,
átomos de silicio ionizados, ambos dentro de la capa de óxido y también por cargas
en los bordes de la unión del óxido con el semiconductor debido a la finalización de
la estructura cristalina del silicio. Estas cargas no se mueven y están muy cerca de
la superficie del semiconductor. Qox no depende del tipo de sustrato, pero sí de su
orientación cristalográfica. Cuando el óxido es formado por medios térmicos, Qox es
formada por carga positiva.

El MOSFET presenta tres tipos de condición eléctrica en las regiones cercanas a la
superficie de unión con la capa de óxido:

ACUMULACIÓN: Si en el esquema mostrado aplicamos una tensión negativa entre
la compuerta y sustrato (VGS), se atraerán más cargas positivas a las regiones
cercanas a la superficie de unión con la capa de óxido. Por ello, la densidad de
carga superficial aumentará en esta zona en una cantidad que podemos indicar con
QA.

DEPLEXIÓN: Si en el esquema mostrado aplicamos una tensión positiva,
relativamente pequeña, esta tensión rechazará las cargas positivas móviles de las
regiones cercanas a la superficie de unión con la capa de óxido. Por ello, la
densidad de carga superficial disminuirá en una cantidad que podemos indicar con
NAS, que es formada por iones negativos, generándose en esta región una zona de
deplexión (o transición). Al igual que en el diodo, se puede hacer la aproximación
de que en esta región, de espesor xd, no hay carga libre y sólo hay iones inmóviles
cuya densidad superficial se puede expresar como:

NAS = NA xd

NA es la concentración de átomos aceptadores en el sustrato

Si, mediante la aproximación indicada, consideramos que está distribuida de
manera uniforme en la zona de deplexión, entonces, el campo eléctrico en esta
región podemos expresarlo por: Eo = e NAS / εox = e NA xd / εox

101
INVERSIÓN: Si en el esquema mostrado hacemos que la tensión positiva respecto
al sustrato sea más alta, aparecerá también una densidad superficial de electrones
libres, ns, que formará un canal de unión entre las regiones n+ del drenador y la
fuente. Para ello se necesitará que la tensión VGS alcance un valor umbral (VTH). El
campo eléctrico producido a través del óxido será ahora:

Eo = e (NAS + ns)/ εox

Despejando ns: ns = (εox Eo / e) ‐ NAS

ECUACIONES DEL MOSFET
Para ello consideraremos tres casos:

1.‐ Cuando el voltaje drenador‐fuente (VDS) es pequeño comparado con (VGS ‐
VTH).
En este caso, las cargas libres estarán distribuidas uniformemente en todo
el canal y podemos hablar de una densidad de corriente lineal a lo largo del
canal, dada por la expresión: Js = ID / W

En esta región, la corriente de drenador tiene la siguiente ecuación:

ID = 2K1 [VGS – VTH] VDS

Se definen:
Tensión umbral:
VTH = e NAS tox /εox = e NAS/Cox

K = (W/L)(εox/tox)(μn/2)

Bajo estas condiciones, se dice que el MOSFET actúa en la región óhmica y
se le puede usar como resistencia controlada por voltaje. La resistencia del
canal es dada por:

Rds = VDS/ID = 1/[2K(VGS – VTH)]

2.‐ Cuando el voltaje drenador‐fuente (VDS) no es despreciable respecto a
(VGS ‐ VTH)
En este caso, el campo eléctrico a lo largo del canal ya no es uniforme y el
potencial VDS ya no es lineal a lo largo del canal. Esto obligará a que el
campo eléctrico en el óxido tampoco sea uniforme y varíe con la distancia.
En este caso la corriente de drenador es dada por la ecuación:
102
ID = 2K [(VGS ‐ VTH)VDS – VDS2/2]

Esta ecuación es válida para valores de: VDS < (VGS ‐ VTH)

Observamos que ya no hay dependencia lineal con VDS

A esta región se le sigue llamando zona óhmica, aunque también recibe el
nombre de región triodo.

3.‐ Cuando el voltaje drenador‐fuente (VDS) es mayor que (VGS ‐ VTH)
En este caso aparece en el canal una zona de agotamiento, de longitud δ,
que reduce el largo del canal, y hace que ID se haga independiente de VDS

Este comportamiento se cumple a partir de: VDS = VGS ‐ VTH

Reemplazando esta ecuación en la anterior de ID, llegamos a:

ID = [W/(L ‐ δ)](μn/2)(εox/tox)](VGS ‐ VTH)2

Aquí vemos que ID se hace independiente de VDS

En las geometrías usadas para el MOSFET, generalmente se cumple que:

δ << L, por lo que se puede hacer la siguiente aproximación:

ID = K (VGS ‐ VT)2 = IDSS (1 ‐ VGS /VTH)2

A la región que empieza cuando se cumple VDS = VGS ‐ VTH se le conoce
como zona de saturación o de corriente constante. Esta región equivale a la
zona activa del transistor bipolar

Símbolos de los Mosfet de acumulación:
En las figuras son mostrados los modelos de los Mosfet de acumulación canal N y
canal P. También se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulación de corriente.
103
ID ID
+ -
VDS VDS
- +
ID ID
+ -
VGS VGS
- +
CANAL N CANAL P

PROBLEMA 4.1.‐ Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensión para valores pequeños de VDS. Suponga: VT = 1V, tox = 500Ǻ, εox =
3.5x10‐13 F/cm, μn = 1500 cm2/Vs. ¿Qué valor de W/L dará un transistor NMOS
cuya resistencia de canal cambia de 1 KΩ á 200Ω para: 3V ≤ VGS ≤ 11V.

Solución:
En la zona óhmica se cumple:


K = (W/L)(εox/tox)(μn/2)

Para: Rds = 1 KΩ = 1/[(W/L)(3. 5x10‐13/500x10‐8)(1500)(3 – 1)]

Despejando: W/L = 100/21 = 4.762

Verificando para Rds = 200 Ω
200Ω = 1/[(W/L)(3. 5x10‐13/500x10‐8)(1500)(11 – 1)]

Despejando: W/L = 100/21 = 4.762

Con lo cual se verifica que la relación W/L hallada satisface las condiciones dadas

Curvas características del Mosfet de acumulación.
Las curvas más importantes que describen en funcionamiento del FET son las de
transferencia y las de salida.
104
Curva de transferencia: Esta curva describe la dependencia de la corriente de
salida (ID) con la tensión de entrada (VGS). En las figuras siguientes se observa para
los transistores de canal N y P respectivamente.

ID - ID
VTH VGS - VTH

- VGS
CANAL N CANAL P

Observamos que para que haya corriente, la magnitud del voltaje de entrada(VGS)
debe superar la de la tensión umbral (VTH). En caso contrario, no habrá corriente
de salida.

Como la ecuación es cuadrática, habrán dos resultados para ID. Esta curva también
es útil para saber cuál de las dos soluciones es la correcta.

Curvas de salida: Estas curvas forman una familia, una para cada valor de VGS y
relacionan la corriente de salida (ID) y versus la tensión de salida (VDS).

Son útiles para ver las zonas de operación del dispositivo y definir los conceptos de
punto de operación y rectas de carga estática y dinámica.

La siguiente figura muestra estas gráficas para canal N. Para canal P son similares,
solo que las polaridades y los sentidos de la corriente se invierten.
105
ID
VDS = VGS - VTH
VGS4
OHMICA VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2
VGS1
CORTE
VDS

MOSFET DE REDUCCIÓN:
Este Mosfet tiene una construcción parecida a la del de acumulación, con la
diferencia que el canal ya ha sido hecho durante el proceso de fabricación.

A continuación se muestra su esquema de construcción (para un MOSFET canal N):

G
D
tox
N
N+ N+
L
B
x 0

x

106
W = Ancho del canal
L = Longitud del canal
tox = Espesor de la capa de óxido
D = Drenador (o Drain o sumidero)
S = Fuente (o Source o surtidor)
G = Compuerta (o Gate)
B = Sustrato (o Bulk)

En los dispositivos discretos, la fuente (S) está comúnmente unida con el sustrato
(B). Cuando no hay esta unión, el voltaje entre fuente y sustrato (VSB) también
afecta al funcionamiento del dispositivo.

La capa de óxido (cuyo espesor se indica con tox) está hecha de óxido de silicio
(SiO2) posee una permitividad eléctrica indicada con εox

El control de la corriente entre drenador y fuente se hace ahora haciendo reducir el
canal ya existente. Para ello, se aplica una tensión entre compuerta y fuente que
induzca cargas de signo opuesto a las que abundan en el canal. Estas, al
recombinarse con las inducidas, hacen disminuir las cargas netas libres y en
consecuencia, también a la corriente.

Las ecuaciones del MOSFET de reducción son las mismas que las del JFET, que se
estudia más adelante.

Símbolos de los Mosfet de reducción:
En las figuras son mostrados los modelos de los Mosfet de reducción canal N y
canal P. También se indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de
circulación de corriente.
107
ID
ID
+ -
VDS VDS
- - + +
VGS ID VGS
+ -
ID
CANAL N CANAL P

Curvas características del Mosfet de reducción.
transferencia y las de salida.


ID
-ID
IDSS
IDSS
VP VGS VP
VGS
CANAL N CANAL P

debe ser menor que la tensión de contracción (VP). En caso contrario, no habrá
corriente de salida.
108

IDSS es la corriente de drenador cuando VGS = 0

VP es la tensión VGS que hace cerrar el canal y, por tanto, la corriente de drenador
se hace cero.

Estos dos parámetros los da el fabricante en la hoja técnica del dispositivo.




ID
VDS = VGS - VP
VGS4
OHMICA VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2
VGS1
CORTE
VDS

JFET
Este tipo de FET se construye mediante un material semiconductor tipo P ó N y a
sus lados se forman uniones con material opuesto y de mucho mayor dopaje que
en el cuerpo. En el siguiente gráfico se muestra un JFET con canal N.
109
Vemos que el cuerpo es tipo N y a los costados hay 2 regiones tipo P con dopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transición
sean mayores en el material tipo N

El principio de funcionamiento se basa en hacer aumentar o disminuir las regiones
de transición para controlar el flujo de corriente entre drenador y fuente (ID). Las
regiones de transición (indicadas con líneas punteadas) se controlan mediante la
tensión VGS.; para ello, es necesario que polarizar inversamente las uniones P‐N.

P+
S a D Id
b
+
VGS
-
G P+
- VDS +

Vemos que el cuerpo es tipo N y a los costados hay 2 regiones tipo P con dopaje
mucho mayor que en el tipo N. Esto se hace para que las regiones de transición
sean mayores en el material tipo N

ECUACIONES DEL JFET
Al igual que en el MOSFET de acumulación, se considerarán los casos

1.‐ Cuando el voltaje drenador fuente (VDS) es pequeño comparado con VGS:
Como VDS es pequeño, podemos aproximar y decir que la región de
transición tendrá una distribución constante a lo largo del canal. Con el
siguiente esquema mostramos este caso:
P+
S a D Id
b
+
VGS
-
G P+
- VDS +
110
En este caso, las cargas libres estarán distribuidas uniformemente en todo
el canal y podremos decir:

Jn = e n μn EDS

No consideramos la difusión porque la distribución es uniforme, ni la
densidad de huecos por ser portadores minoritarios. EDS es el campo
eléctrico entre drenador y fuente.

Si se cumple en el material tipo n: ND >> 2ni, entonces se puede aproximar:
n = ND

Si el ancho del FET es A, entonces la sección transversal del cuerpo es 2bA y
podemos hallar la expresión de la corriente de drenador:

ID = 2 b A e ND μn EDS

Como VDS es pequeño, podemos hacer la siguiente aproximación:
EDS = VDS/L

Donde: L = longitud del canal.

Entonces: ID = 2 b A e ND μn VDS/L

En la unión P‐N abrupta, el potencial en la juntura es dado por:
Vo – VGS = [e ND NA /(2ε(NA +ND)]W2

Como NA >> ND, entonces: Vo – VGS = [e ND / 2ε]W2
Despejando W: W = [2ε / eND] (Vo – VGS )1/2
1/2

Del gráfico vemos también que el ancho de la región de transición (W) se
puede expresar como: W = a ‐ b

Reemplazando y despejando Vo – VGS:
Vo – VGS = [e a2 A ND / 2ε](1 – b/a)2

Si se cumple: VGS >> Vo, Entonces:
VGS = ‐ [e a A ND / 2ε](1 – b/a)2
2

Cuando VGS se hace tan negativo que el canal se cierra: b = 0

111
En este caso, la máxima tensión VGS que cierra el canal es:
Vp = ‐ [e a2 A ND / 2ε]

Este voltaje recibe el nombre de tensión de contracción (o de Pinch Off) y
es un parámetro dado por el fabricante en los manuales técnicos. Este
voltaje es negativo para los JFET de canal N y positivo para los de canal P.

A continuación: VGS = Vp(1 – b/a)2
Despejando b: b = a[1 ‐ (VGS / Vp)1/2]

Reemplazando en la ecuación de ID:
ID = [2 A a e ND μn /L] [1 ‐ (VGS / Vp)1/2] VDS

Vemos que hay una relación lineal entre ID y VDS. Luego, podemos hallar la
resistencia del canal para tensiones VDS pequeñas:

RDS = VDS / ID = 1 / [2 A a e ND μn /L] [1 ‐ (VGS / Vp)1/2]

Definimos: ron = 1 / [2 A a e ND μn /L]

Esta resistencia es la mínima que ofrece el canal cuando VGS = 0

Entonces: RDS = ron / [1 ‐ (VGS / Vp)1/2]

Esta es una resistencia cuyo valor puede ser controlado con la tensión VGS
(también llamada VDR). Esta característica es útil para controlar la ganancia
de los amplificadores.

2.‐ Cuando el voltaje drenador fuente (VDS) es mayor que (VGS – Vp):

Cuando: VDS = VGS – Vp se tiene: ID = Kp VDS2

La ecuación: VDS = VGS – Vp corresponde a la región umbral entre la zona
óhmica y de saturación.

Para valores VDS > VGS – Vp, el JFET llega a la zona de saturación y se hace
prácticamente independiente de VDS. Entonces:

ID = Kp [(VGS – Vp)2

112
Factorizando Vp: ID = IDSS [(1 ‐ VGS / Vp)2

Que es la ecuación típica del JFET en la región de saturación.

Símbolos de los Jfet:
En las figuras son mostrados los modelos de los jfet canal N y canal P. También se
indican las polaridades de los voltajes y los sentidos de circulación de corriente.

ID
ID
+ -
VDS VDS
- +
- +
VGS ID VGS
+ -
ID
CANAL N CANAL P

Curvas características del jfet:
transferencia y las de salida. Son análogas a las del Mosfet de reducción.


ID
-ID
IDSS
IDSS
VP VGS VP
VGS
CANAL N CANAL P

113
debe ser menor que la tensión de contracción (VP). En caso contrario, no habrá
corriente de salida.


IDSS es la corriente de drenador cuando VGS = 0

VP es la tensión VGS que hace cerrar el canal y, por tanto, la corriente de drenador
se hace cero.

Estos dos parámetros los da el fabricante en la hoja técnica del dispositivo.



ID
VDS = VGS - VP
VGS4
OHMICA VGS3
SATURACION O
CORRIENTE CONSTANTE
VGS2
VGS1
CORTE
VDS

Regiones de operación del transistor:
En las curvas de salida se observan las regiones comunes de operación:

Zona óhmica: En esta zona el transistor actúa como interruptor cerrado. Aquí
también, en las zonas cercanas al origen (VDS pequeña) el dispositivo se comporta
114
como resistencia lineal controlada por la tensión VGS. Esta zona es muy útil para

hacer controles automáticos de ganancia e interruptores analógicos pues acepta
voltajes VDS de las dos polaridades.

Zona de corte: En esta región el dispositivo actúa como interruptor abierto.

Junto con la zona óhmica permiten hacer circuitos digitales y también ser usado
como interruptor para circuitos de potencia.

Zona de saturación o de corriente constante: Esta región permite amplificar al
dispositivo y se le emplea para amplificar señales analógicas. Aquí ID es
prácticamente independiente de VDS.

Polarización:
Para que el FET amplifique es necesario ubicar su punto de operación en la zona de
corriente constate. Para ello, necesitamos establecer una tensión y corriente
constante que lo ubiquen dicha zona.

A continuación son mostradas las formas típicas de polarizar al FET:
115
JFET:

VDD VDD VDD - VDD - VDD - VDD
RD RD RD RD RD RD
R1 RF R1 RF
RG RG
RS R2 RG RS R2 RG
RS RS RS RS
CANAL N CANAL N CANAL N CANAL P CANAL P CANAL P

MOSFET DE REDUCCIÓN:

VDD VDD VDD - VDD - VDD - VDD
RD RD RD RD RD RD
R1 RF R1 RF
RG RG
RS RS R2 RG
R2 RS RG RS RS RS
CANAL N CANAL N CANAL N CANAL P CANAL P CANAL P

116
MOSFET DEACUMULACIÓN:
VDD VDD - VDD - VDD
RD RD RD RD
R1 RF R1 RF
R2 RS RG RS R2 RS RG RS
CANAL N CANAL N CANAL P CANAL P

Rectas de carga: Recta de carga DC. Recta de carga AC.
Para el estudio de los circuitos utilizamos las leyes de Kirchhoff y la ley de Ohm.
En el siguiente circuito usado como amplificador:

VDD
RD
R1 C2
C1
+
RL
vg
-
R2 RS CS
117
La corriente de drenador está formada por la corriente del punto de operación y la
corriente de señal: ID = IDQ + id

En forma análoga para la tensión: VDS = VDSQ + vds

Planteando la ley de Kirchhoff en la malla drenador‐fuente:

VDD + 0 = IDQ RD + VDSQ + IDQ RS + id (RD//RL) + vds

Aquí se han considerado muy pequeñas las reactancias de los condensadores a la
frecuencia de la señal.

Los 3 primeros términos de la derecha son DC y se cumple:

VDD = IDQ (RD + RS) + VDSQ

Y recibe el nombre de Recta de carga estática (o DC)

Los 2 términos siguientes de la derecha son AC y se cumple:

0 = + id (RD//RL) + vds

Y recibe el nombre de Recta de carga dinámica (o AC)

Lo anterior indica que podemos estudiar al amplificador sólo en DC y luego sólo
en AC, en forma análoga al BJT.

Estas ecuaciones pueden ser graficadas en las curvas de salida del transistor y son
un par de rectas.

PROBLEMA 4.2.‐ Halle los valores de RD, RS, R1, R2 y R3 para polarizar un MOSFET de
acumulación con VTH = 1V, en el punto de operación:

VDSQ = 15V, IDQ = 4.5mA, VGSQ = 2V. Además: Zi =10MΩ.

Asuma que: Rs = (VGSQ + VTH ) / IDQ

Para minimizar las variaciones por temperatura.

118
0.1 mA
+ 24 V
RD
R1
R3
C1
+
vg R2 RS CS
-

Solución:
Recta DC: 24 = ID(RD + RS) + VDS

Reemplazando valores: 24 = (4.5)(RD + RS) + 15

Obtenemos: (RD + RS) = 2KΩ

En la red de polarización de compuerta: 24 = (0.1mA)(R1 + R2)

Obtenemos: (R1 + R2) = 240KΩ

Hallamos RS: Rs = (VGSQ + VTH ) / IDQ

Reemplazando valores: Rs = (2 + 1)V / 4.5mA = 667Ω Rs = 667Ω

Obtenemos RD: RD = 2KΩ ‐ RS = 1.33KΩ RD = 1.33KΩ

El voltaje en R2 es: VR2 = VGSQ + IDQ Rs

Reemplazando valores: VR2 = 2 + (4.5mA)(667Ω) = 5V

Obtenemos R2. R2 = 5V / 0.1mA = 50KΩ R2 = 50KΩ
119
Obtenemos R1. R1 = 240KΩ – 50KΩ = 190KΩ R1 = 190KΩ

La impedancia de entrada para señal que ofrece el amplificador es:
Zi = R3 + R1//R2 = 1MΩ

Despejando R3: R3 = 1MΩ ‐ R1//R2 = 1MΩ – 39.58KΩ = 960.42KΩ
R3 = 960.42KΩ

Configuraciones de los FET:
Cuando trabaja con señales pequeñas, el Fet puede ser considerado como un
cuadripolo. Como el dispositivo tiene sólo 3 terminales, deberá considerarse uno
común a la entrada y salida, como se muestra a continuación para el Jfet.

Fuente común:
Esta configuración usa el terminal de fuente común a la entrada y salida. Se
caracteriza por amplificar tensión y corriente. La señal de salida está desfasada
180° respecto a la entrada.

El siguiente esquema muestra esta configuración:

id
D
ig = 0
+
G vds
+
-
vgs
-
S S
FUENTE COMUN

Drenador común:
Esta configuración usa el terminal de drenador común a la entrada y salida. Se
caracteriza por amplificar corriente. La señal de salida está en fase con respecto a
la entrada.

120
is
S
ig = 0
+
G vsd
+
-
vgd
-
D D
DRENADOR COMUN

Compuerta común.
Esta configuración usa el terminal de compuerta común a la entrada y salida. Se
caracteriza por amplificar tensión. La señal de salida está en fase con respecto a la
entrada.


Is
id
S D
+ +
vsg vdg
- -
G G
COMPUERTA COMUN

Modelos de baja frecuencia y pequeña señal del FET:
El FET presenta efectos capacitivos internos, los cuales deben ser considerados
cuando trabaja con frecuencias altas. Cuando las frecuencias son bajas estas
capacidades tienen reactancias muy elevadas y se les puede considerar circuitos
abiertos.
121
Hay dos modelos típicos que se usan para todos los FET: El modelo Norton y el
modelo Thevenin. El uso de cada uno de ellos dependerá del tipo de circuito usado.
Se emplea el que facilite más el análisis.

Ambos modelos se emplean para cualquier configuración y cualquier tipo de FET.

Modelo tipo Norton para pequeña señal y alta frecuencia:
Un modelo muy empleado para pequeña señal en todos los FETs es el siguiente,
expresando el circuito de salida por un equivalente Norton:

Cgd
G D
+ gm Vgs rds
Vgs
- Cgs Cds
S S

Cgs, Cgd y Cds se emplean sólo cuando se trabaja con frecuencias altas
Cgs es la capacidad de entrada, entre compuerta y fuente
Cgd es la capacidad de realimentación, entre drenador y fuente
Cds es la capacidad de salida, entre drenador y fuente
gm = transconductancia del FET para pequeña señal.
rds = Resistencia del canal para pequeña señal.

Modelo tipo Norton para baja frecuencia:
En este caso, no se consideran las capacidades y la entrada del FET es un circuito
abierto. Aquí:

El FET se comporta como fuente de corriente controlada por tensión.
ig = 0
id
G D
+ +
rds
vgs vds
- gm vgs -
S S

122
Modelo tipo Thevenin para pequeña señal y alta frecuencia:
Otro modelo muy empleado para pequeña señal en todos los FETs es el expresando
con su circuito de salida por un equivalente Thevenin:
Cgd
ig
rds id
G D
+ - +
Cgs Cds
vgs u vgs vds
- + -
S S

Modelo tipo Thevenin para pequeña señal y baja frecuencia: En este caso, no se
consideran las capacidades y la entrada del fet es un circuito abierto. Aquí:

μ = Factor de amplificación del fet para pequeña señal = gm rds
rds = Resistencia del canal para pequeña señal.

ig = 0 rds
id
G D
+ - +
vgs u vgs vds
- + -
S S

PROBLEMA 4.3.‐ En el siguiente circuito con MOSFET, halle la ganancia de tensión,
la impedancia de entrada y la impedancia de salida.

Datos: gm = 2mS , rds = 15KΩ
123
100K Zo C
+
Zi Vo
RL -
5K C
10K
+
+
Vi
VDD
-
-
C es muy grande

Solución:
Hacemos el modelo para pequeña señal y baja frecuencia:
100K
ig 5K
+ + gm vgs +
15K RL = 10K
vi vgs vo
- - -

Ganancia de tensión: Av = Vo / Vi

Usándole método de nodos: (Vgs – Vi) / 5K = (Vgs – Vo) / 100K

Nudo Vgs: (Vi ‐ Vgs) / 5K = (Vgs – Vo) / 100K

Despejando Vgs: Vgs(1/5K + 1/100K) = Vi / 5K + Vo / 100K
Vgs = (20/21)Vi + Vo/21

Nudo Vo: (Vo ‐ Vi) / 105K + Vo / 10K + Vo / 15K + gm Vgs = 0
124
Ordenando: Vo(1/105K + 1/10K + 1/15K) – Vi / 105K + gmVgs = 0

Reemplazando Vgs:
Vo(1/21 + 1/2 + 1/3 + 10/21) = Vi[1/21 – 200/21]

Despejando Av:
Vo(1/21 + 1/2 + 1/3 + 10/21) = Vi[1/21 – 200/21]

Av = (1/21 ‐ 200/21) / [ 1/21 + 1/2 + 1/3 + 10/21] = ‐ 1.905 / 1.357

Efectuando: Av = ‐ 9.476 / 1.357 = ‐ 6.976 Av = ‐ 6.976

Impedancia de entrada (sin incluir los 5KΩ): Zi = Vgs / Ig

Sabemos que: Ig = (Vgs – Vo)/100K

Además: Vgs = (20/21)Vi + Vo/21 = Vi(20/21 + Av/21) = ‐ 0.15Vi

Dividiendo por Ig: Zi = 0.62(5K + Zi)

Despejando Zi: Zi = 0.62(5K)/(1 – 0.62) = 8.16KΩ Zi = 8.16KΩ
125
UNIDAD TEMÁTICA
No. 5

GANANCIAS DEL AMPLIFICADOR:

Tipos de amplificadores
Antes de iniciar el análisis de circuitos, indicaremos los tipos y características de los
amplificadores.

a) Amplificador de Tensión: Es un amplificador que recibe tensión y entrega
tensión. Su impedancia de entrada debe ser elevada y su impedancia de
salida pequeña. Su circuito de salida es mejor representado por un
equivalente de Thevenin. La salida es una fuente de tensión controlada por
tensión.

Rg Zo << RL
+ + Zo
Vi Zi +
Vg +
- - Av Vi RL VL
- -
Zi >> Rg

Av = VL / Vi = Ganancia de tensión.
Zi = Impedancia de entrada.
Zo = Impedancia de salida.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parámetros z
debido a que éstos reciben tensión y entregan tensión.

b) Amplificador de Corriente: Es un amplificador que recibe corriente y
entrega corriente. Su impedancia de entrada debe ser pequeña y su
impedancia de salida elevada. Su circuito de salida es mejor representado
por un equivalente de Norton. La salida es una fuente de corriente
controlada por corriente.
127
Ii Zo >> RL
IL
Ai Ii
Ig Rg Zi Zo
RL
Zi << Rg

Ai = IL / Ii = Ganancia de corriente.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parámetros h
debido a que éstos reciben corriente y entregan corriente.

c) Amplificador de Transconductancia (o transadmitancia): Es un
amplificador que recibe tensión y entrega corriente. Su impedancia de
entrada debe ser elevada y su impedancia de salida también elevada. Su
circuito de salida es mejor representado por un equivalente de Norton. La
salida es una fuente de corriente controlada por tensión.

Rg Zo >> RL
IL
+ + Gm Vi
Vi
Vg Zi Zo
- - RL
Zi >> Rg

128
Gm = IL / Vi = Transconductancia o transadmitancia.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parámetros y
debido a que éstos reciben tensión y entregan corriente.

d) Amplificador de Transresistencia (o transimpedancia): Es un amplificador
que recibe corriente y entrega tensión. Su impedancia de entrada debe ser
pequeña y su impedancia de salida también pequeña. Su circuito de salida
es mejor representado por un equivalente de Thevenin. La salida es una
fuente de tensión controlada por corriente.

Ii Zo << RL
Zo
+
Ig Rg Zi +
Rm Ii RL
- VL
-
Zi << Rg

Rm = VL / Ii = Transrresistencia o transimpedancia.

Un amplificador de este tipo es mejor representado por parámetros k
debido a que éstos reciben corriente y entregan tensión.

El tipo de amplificador se identifica comparando las impedancias de
entrada con la del generador y la impedancia de salida con la de carga. De
esta manera podemos identificar el modelo de parámetros más
conveniente para el análisis.

129
Impedancia de entrada, Zi:
Es la impedancia que ofrece el amplificador en su entrada. Es importante conocerla
para poder acoplar la señal de entrada e impedir que disminuya la amplificación.
Del gráfico vemos que se puede hallar como: Zi = Vg / Ig

Ig
Vg RL

Impedancia de salida, Zo:
Es la impedancia que ofrece el amplificador, en su salida, a la carga. Es importante
conocerla para poder acoplar la carga al amplificador e impedir que disminuya la
amplificación.

La salida se puede modelar como un circuito Thevenin o un circuito Norton, como
se muestra en el gráfico:

Ig Zo
+ Zi + +
Vg Av Vg RL VL
- - -

Una forma de hallar Zo es, viendo el gráfico:
1) Hacer Vg = 0
2) Sacar la carga y, en su lugar, poner una fuente V
3) Se obtiene: Zo = V / I
130
Ig = 0 I
+
Zo
Zi V

Otra forma de hallar Zo es, viendo el gráfico:

1) Sacar la carga y medir la tensión de salida en vacío: VL1 = Av Vg.
Ig
Zo
+ Zi + +
Vg Av Vg VL1 = Av Vg
- - -

2) Poner la carga y medir nuevamente el voltaje de salida:
Ig IL
Zo
+ Zi + +
Vg Av Vg VL2 = IL RL
- - RL -

131
3) Se obtiene: Zo = (VL1 – VL2) / IL= (VL1 / VL2 – 1)RL

Análisis de un amplificador usando parámetros híbridos:
Haremos el análisis, mediante un problema, representando al transistor
con su modelo:

Problema 5.1: En el siguiente esquema simplificado de un amplificador de pequeña
señal, con parámetros híbridos, halle las expresiones de:

a) La ganancia de tensión (Av)
b) La impedancia de entrada (Zi)
c) La impedancia de salida (Zo)

Rg hi
+
+ i +
RL VL
Vg
hr VL 1 / ho -
- hf i
-

Solución:
a) Obtención de la ganancia de tensión: Av = VL / Vg
Del circuito de entrada: Vg – hr VL
i = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
Rg + hi

Del circuito de salida:
VL = ‐ hf i (RL // (1 / ho))

Reemplazando:
Vg – hr VL
VL = ‐ hf (‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐)(RL // (1 / ho))
Rg + hi

Simplificando: VL ‐ hf RL
Av = ‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
Vg Rg(1 + ho RL) + hi + RL(Dh)
Donde: Dh = hi ho – hf hr

132
b) Obtención de la impedancia de entrada: Zi = Vg / i
Del circuito de entrada: Vg – hr VL
i = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
Rg + hi
Luego:
i (Rg + hi ) = Vg – hr VL

Reemplazando VL:
i (Rg + hi ) = Vg – hr (‐ hf i (RL // (1 / ho))

Finalmente:
Vg hi + Rg(1 + ho RL) + RL Dh
Zi = ‐‐‐‐‐‐ = Rg + hi – hr hf (RL // (1 / ho) = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
I 1 + ho RL

hi + Rg(1 + ho RL) + RL Dh
Zi = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
1 + ho RL

c) Obtención de la impedancia de salida: Zo = V / I cuando Vg = 0

Esquema para hallar Zo:

Rg hi I
+
i +
V
hr V 1 / ho
hf i -
-

Tenemos: I = ho V + hf i
Además, en la entrada:
‐ hr V
i = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
Rg + hi
Reemplazando i:
‐ hr V
I = ho V + hf (‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐)
Rg + hi
133

1 hrhf hoRg + Dh
Yo = ‐‐‐‐‐‐ = ho ‐ ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
Zo hi + Rg hi + Rg

hi + Rg
Zo = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
hoRg + Dh

Estas expresiones son válidas para cualquier configuración del transistor.

Configuraciones de transistores:
Hay ocasiones en las que es necesario hacer combinaciones de transistores para
modificar la ganancia, la capacidad de corriente, de tensión, etc.

A continuación se muestran las más comunes:

Darlington:
En la siguiente figura es mostrada la forma de conexión.

Q1 Q1
Q2 Q2
Q3
DARLINGTON DARLINGTON CON

CON 2 TRANSISTORES TRES TRANSISTORES

Puede observarse que los colectores están unidos y el emisor de uno va a la base
del siguiente.

Características:
1) La ganancia del transistor equivalente es muy elevada.
2) La resistencia de entrada equivalente es más elevada.
3) La corriente de entrada es reducida (ofrece menor carga).
4) Mayor inestabilidad térmica, por lo que debe tenerse cuidado de estabilizarlo.
Esta empeora cuando consta de más de dos transistores.
134
Q1
R3
Q2
R1 R2
Darlington con modificaciones

para mejorar la estabilidad térmica.

PNP simulado:
IE
IB
Q1
PNP Q2
NPN
IC

Observamos que hay dos corrientes que salen y una que ingresa, lo que es típico
del transistor PNP.

Características:
2) La resistencia equivalente de entrada es alta.
4) Mayor inestabilidad térmica, por lo que debe tenerse cuidado de
estabilizarlo.
5) Muy usado en amplificadores de potencia de audio porque evita el empleo
de transistores PNP de alta potencia en la etapa de salida.

NPN simulado.
135
IC
IB Q2
PNP
Q1
NPN
IE

Observamos que hay dos corrientes que ingresan y una que sale, lo que es típico
del transistor NPN.

Características:
2) La resistencia de entrada equivalente es alta.

Transistores en paralelo.

Q1 Q2 Q1 Q2 Q3
PARALELO CON PARALELO CON

2 TRANSISTORES 3 TRANSISTORES

Características:
1) La ganancia del transistor equivalente es igual a la de un solo transistor.
2) La resistencia de entrada equivalente es baja.
3) La corriente total de salida es elevada (ofrece menor carga).
4) La corriente total de entrada es más alta (ofrece mayor carga).
6) Debe asegurarse que se repartan la corriente equitativamente.
7) Respuesta en frecuencia menor que la de un solo transistor.
136
R1
Q1
R1 Q2
R2 R2
Modificaciones para igualar las

corrientes y las resistencias de entrada.

Transistores en serie.
Q1
Q2

Características:
1) Muy usada para construir el amplificador cascode.
2) La ganancia de corriente del transistor equivalente es igual a la de un solo
transistor.
3) La resistencia de entrada equivalente es relativamente baja.
4) La corriente total de salida es la misma que de un solo transistor.
5) Se reparten el voltaje de la fuente.
6) Debe tenerse cuidado con la red de polarización.
7) Debe asegurarse que se repartan la tensión equitativamente.
8) Mejor respuesta en frecuencia.

Formas de acoplo de los amplificadores:
Debido a que las impedancias de entrada y salida de los amplificadores
transistorizados en montaje de emisor común, que es el más utilizado, son del
orden de 1 KΩ á 20 KΩ, respectivamente, el acoplamiento directo de dos etapas
137
amplificadoras produce pérdidas considerables de potencia. Para evitarlo,

debemos adaptar las impedancias.

Para adaptar las impedancias de entrada y salida de dos etapas amplificadoras se
utilizan diversos tipos de acoplamiento:

Acoplo por transformador:
Se muestra en el siguiente esquema. Es el que ofrece mayor ganancia de potencia,
pero no es muy utilizado porque su respuesta en frecuencia no es muy amplia.

TR
C1 1 5 Q2
Q1
C2
4 8
R1
R2
VCC

Acoplo por transformador

Si la impedancia de salida de Q1 es 20 KΩ y la de entrada de Q2 es de 1 KΩ, la
relación de transformación (n) deberá ser:

n = (20000/1000)0.5 = 4.47

Acoplo por autotransformador:
Emplea un autotransformador en lugar de transformador. A continuación se
muestran dos formas de uso de este método:

T
C1 R3
Q1
C3
Q2
R1 R2
C2 R4
C4
VCC

138
T
C1
Q1
C3
Q2
R1 R2
C2 R3
R4
C4 VCC

Acoplo por autotransformador

Acoplo por resistencia‐capacidad (R‐C):
Este es uno de los más usados y, aunque no permite acoplar perfectamente las
impedancias y la ganancia es menor, su precio y espacio ocupado es más reducido.
Permite también una buena respuesta en frecuencia si C1 es lo suficientemente
elevado.

C1
Q2
Q1
R1 R2 VCC

Acoplo por resistencia capacidad (R‐C)

Acoplo directo:
Este es también muy usado, especialmente en circuitos integrados. Debe tenerse
cuidado con la estabilidad de los puntos de operación debido a que influyen de una
etapa a otra. Permite una buena respuesta en baja frecuencia (desde DC).

VCC
R1 R4
Q1
Q2
R2 R3
R5 C1
139
VCC
R6
R2 R5
R1
Q2
R4
Q1
R7 C1
R3

Acoplo directo

Acoplo directo complementario:
Esta es otra forma de acoplo muy difundida que permite muy buena respuesta en
baja frecuencia (desde DC) y se caracteriza por emplear transistores NPN y PNP.

Cuando se emplea acoplo directo con un solo tipo de transistor, la tensión continua
de salida tiende a acercarse al valor de la fuente de alimentación, restringiendo el
nivel máximo de amplificación. Este problema se evita empleando los dos tipos de
transistor para que la tensión DC en la salida no se eleve demasiado, como se
muestra a continuación:

VCC
R6
R2 R5
R1
Q2
R4
Q1
R7 C1
R3

Acoplo directo complementario
140

Controles de volumen y de tono
El control de volumen, como su nombre lo indica, consiste en un potenciómetro
que regula el volumen sonoro proporcionado por el amplificador desde cero hasta
su máxima potencia.

Debe ser colocado en una posición tal que no afecte las corrientes de polarización
ni las impedancias de carga de los transistores. Tampoco deben ser causa de ruido,
lo cual puede suceder cuando es colocado a la entrada, porque el ruido será
amplificado y se deteriorará la relación señal / ruido. Si se le coloca en una etapa
intermedia puede ser que no ajuste la salida a un nivel suficientemente bajo. Por
ello, su ubicación deberá elegirse con cuidado para evitar estos efectos
desfavorables. Estos controles son hechos mediante potenciómetros logarítmicos
debido a las características de funcionamiento del oído humano.

Configuraciones de amplificadores con transistores y/o FET.
Veremos aquí la forma de análisis de las configuraciones de amplificadores con BJT
y FET.

Amplificador en emisor común:
Esta configuración se caracteriza por amplificar tensión y corriente. En frecuencias
medias el desfasaje en la salida respecto a la entrada es 180°.

En el siguiente esquema se observa esta configuración:

VCC
R1 RC C2
+
C1
Vg + RL
+
R2 RE CE
1kHz

R1, R2, RC y RE fijan el punto de operación en la zona activa directa.

141
C1 y C2 son condensadores de acoplo. Evitan que varíe el punto de operación al
conectar la señal de entrada y la carga, respectivamente. Además, sus reactancias
deben ser pequeñas de manera que puedan considerarse como cortocircuitos en
las frecuencias de operación.

CE es la capacidad de bypass o desacoplo de emisor. Su misión es conectar, para
señal, el emisor a la referencia para evitar que disminuya la amplificación.

Problema 5.2: En el circuito mostrado con BJT, calcule:

a) El punto de operación del transistor.
b) La ganancia de corriente para pequeña señal. (Ai = Io / Ig)
c) La impedancia de entrada, (Zi = Vi / Ii).
d) La impedancia de salida, (Zo = V / I cuando Vi = 0)

+ 25 V
7K
100K 150K
C3 Zo
Zi
C2
Ii C1
Q
+
5K Vo
+ -
Vi
- 1K C4

Transistor: Silicio, VBE = 0.6V, β = 100, hie = 1KΩ, hfe = 150, hre = 0, hoe = 0

Solución:
a) Punto de operación del transistor:
142
25 V
7K
250K
1K

Recta DC: 25 = 8K IE + VCE = 8K IC + VCE β >> 1
Además: VCE = 250K IEB + VBE = 2.5K IC + 0.6
Resolviendo: ICQ = 2.32 mA VCEQ = 6.4 V

b) Ganancia de corriente para pequeña señal:

Modelo para señal: Usamos el modelo simplificado en emisor común.

ib 1K Io
Ii
Vi
100K 150 ib
150K 7K 5K

Del circuito de entrada: ib = Ii (100K) / (100K + 1K)
Del circuito de salida: Io = ‐ 150 ib (150K // 7K) / [5K + (150K // 7K)]
Reemplazando y efectuando: AI = ‐ 85.04

143
c) Impedancia de entrada, (Zi = Vi / Ii).
Del circuito de entrada obtenemos: Zi = 100K // 1K Zi = 0.99KΩ

Del circuito de salida obtenemos: Zo = 150K // 7K Zo = 6.7 KΩ

Amplificador en colector común (o seguidor de emisor):
Esta configuración se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensión. En
frecuencias medias el desfasaje en la salida respecto a la entrada es 0°.


VCC
R1
C1
Vg + CE
+
R2 RL
1kHz RE


C1 y CE son condensadores de acoplo. Evitan que varíe el punto de operación al

En el esquema no hay resistencia en el colector, aunque hay casos en que también
existe.

144
Problema 5.3: En el circuito mostrado, halle:
a) La ganancia de tensión, AV = VL / Vi
b) La ganancia de corriente, AI
c) La impedancia de entrada, Zi
d) La impedancia de salida, Zo

91K
Zi
C
100K +
B 2N2222 ó Zo
+ 2N3904 12V
10uF
Vg + E
Vin 15K 100uF + -
- 1K RL VL
100 -
-

Solución:
a) La ganancia de tensión, AV = VL / Vi
Modelo para señal:

ib 120 ib
100K 100K
+ 3.5K
+ Vg +
12.88K + 12.88K +
Vi - Vi
- 1K 100 VL - 1K 100 VL
- -

De los datos de la hoja técnica del 2N3904 tenemos:

hfe = 120, hoe = 9uS, hre = 1.3x10‐4, hie = 3.5KΩ

Despreciamos los parámetros hre y hoe por ser pequeños.

Aplicando reflexión de impedancias y sustitución:
145
ib
+ 3.5K
Vi 12.88K
- +
(121)1K (121)100
VL
-

Luego: VL = 121(1K // 100)Vi / [3.5K + 121(1K // 100)] = 0.76Vi

De donde: AV = 0.76

b) La ganancia de corriente, AI = iL / ig

ig ib 121 ib
iL
+ 3.5K
Vi 12.88K
- +
1K 100
VL
-

Del gráfico: iL = 121ib (1K) / (1K + 0.1K) = 110 ib
Además: ib = ig (12.88K) / [12.88K + 3.5K + 121(1K // 0.1K)]

Reemplazando en la ecuación anterior y efectuando:
iL = 47.04 ig

De donde: AI = 47.04

c) La impedancia de entrada, Zi = Vi / ig
Del gráfico vemos: Zi = 12.88K // [3.5K + 121(1K // 0.1K)]
Efectuando: Zi = 6.82KΩ

Circuito equivalente para hallar Zo:
146
ib 120 ib
3.5K I
12.88K +
100K
1K V
-

Aplicando el método de nodos:
‐ I ‐ ib ‐ 120 ib + V / 1K = 0

Además: ib = ‐ V / [100K // 12.88K + 3.5K]
Reemplazando: I = 121V[1 / 1K + 1 / 14.91K]
De donde: Zo = 7.75Ω

Problema 5.4: En el circuito mostrado, halle:
a) La ganancia de tensión, AV
b) La ganancia de corriente, AI
+ 15V
12K
Ig
+ C
220K IL
Vg
C
-
+
2K 2K VL
-

147
Transistor: Silicio, VBE = 0.6V, β = 100, hie = 1KΩ, hfe = 150, hre = 0, hoe = 0

Asuma que todos los condensadores son muy grandes.

Solución:

a) La ganancia de tensión, AV: Modelo para señal
Ig ib 150 ib
1K
+
12K 220K IL
Vg
+
2K 2K VL
-

Aplicando voltaje de nudos en el emisor:

VL / 2K + VL / 2K + (VL + Vg) / (12K // 220K) + ib = ib + hfe ib = 151 ib

Además: ib = Vg / 1K

Reemplazando:

VL [1 / 2K + 1 / 2K + 1 / 11.38K] = Vg [150 / 1K – 1 / 11.38K]

De esta ecuación hallamos la ganancia de tensión:
Av = 137.8
b) Ganancia de corriente, AI
AI = AV ZI / RL = 137.8(Zi) / 2K
Ig = ib + (VL + Vg) / (12K // 220K) = Vg / 1K + Vg (Av + 1) / (12K // 220K)
Zi = Vg / Ig = 0.076K
AI = 5.22
148
Ig = ib + (VL + Vg) / (12K // 220K) = Vg / 1K + Vg (Av + 1) / (12K // 220K)

Zi = Vg / Ig = 0.076K
Zi = 76Ω

Modelo para hallar Zo.

ib 150 ib
1K
12K 220K
I +
2K -

Vemos que: Ib = 0 hfe ib = 0
Luego: Zo = 2K // 12K // 220K = 1.70K
Zo = 1.70K

Amplificador en base común:
Esta configuración se caracteriza por amplificar tensión, pero no corriente. En


149
VCC
R1 RC C2
+
CE RL
+ Vg
+
C1 R2 RE
1kHz


CE y C2 son condensadores de acoplo. Evitan que varíe el punto de operación al

C1 es la capacidad de bypass o desacoplo de base. Su misión es conectar, para
señal, la base a la referencia para evitar que disminuya la amplificación.

Problema 5.5: En el circuito mostrado con BJT, calcule:
a) La ganancia de tensión para pequeña señal. (AV = VL / Vi)
b) La ganancia de corriente para pequeña señal. (AI = IL / Ig)
c) La impedancia de entrada, (Zi = Vi / Ii).
d) La impedancia de salida, (Zo = V / I cuando Vg = 0)

2N2222 ó
1K 2N3904
E C
+ 100uF 5.6K 10uF

+ B 91K
Vg 1K Vin
- +
RL VL
15K 10K -
- 10uF
12V
- +
150
Solución:
a) Ganancia de tensión, AV = VL / Vi

Modelo para señal:
ig ig
ie
+ 1K 1K
Vg + + hfb ib
1K + +
- Vi 10K Vg 1K 10K
- 5.6K VL - hib 5.6K VL
- -

De los datos de la hoja técnica del 2N3904 tenemos:
hfe = 120, hoe = 9uS, hre = 1.3x10‐4, hie = 3.5KΩ

De la tabla de conversión de parámetros:
hib = hie / He, hrb = (Dhe – hre) / He, hfb = ‐ (hfe + Dhe) / He, hob = hoe / He

Donde: He = 1 + hfe – hre +Dhe y Dhe = hie hoe – hre hfe

Efectuando: Dhe = 31.5x10‐3 – 15.6x10‐3 = 15.9x10‐3
He = 1 + 120 – 1.3x10‐4 + 15.9x10‐3 = 121

Luego: hib = hie / He = 29Ω hrb = (Dhe – hre) / He = 1.58x10‐4
hfb = ‐ (hfe + Dhe) / He = ‐ 0.99 hob = hoe / He = 0.074uS

Despreciamos los parámetros hrb y hob por ser pequeños.

Entonces: VL = ‐hfb(5.6K // 10K) ie = 3.55K ie
Además: ie = Vi / (hib) = Vi / 29

Reemplazando: VL = 3.55K(Vi / 29) = 122.4 Vi
De donde: AV = 122.4

b) Ganancia de corriente para pequeña señal. (Ai = IL / Ig)
Del gráfico: iL = ‐hfb ie (5.6K) / (5.6K + 10K) = 0.355 ie
Además: ie = ig (1K) / (1K + hib) = 0.97 ig

Reemplazando: iL = (0.355)(0.97 ig) = 0.345 ig
De donde: AI = 0.345

151
c) Impedancia de entrada, (Zi = Vi / Ig).
Del gráfico: Zi = 1K // hib = 28.2Ω
Zi = 28.2Ω

d) Impedancia de salida, (Zo = V / I cuando Vi = 0)

ig I
ie
1K
hfb ib +
1K V
hib 5.6K -

Del gráfico: ie = 0 hfb ie = 0
Luego: Zo = 5.6KΩ

Características de las configuraciones del BJT:

Configuración Desfasaje Av Ai Zi Zo
Base Común 0° Alta Cerca á 1 Baja Alta
Emisor Común 180° Alta Alta Mediana Alta
Colector
0° Cerca á 1 Alta Alta Baja
Común

Empleo del FET como resistor controlado por voltaje.
Esta es una aplicación del Fet que permite su uso en controles automáticos de
ganancia y en interruptores analógicos.

PROBLEMA 5.6.‐ Un MOSFET puede ser usado como resistencia variable con la
tensión para valores pequeños de VDS. Suponga: VT = 1V, tox = 500Ǻ, εox =
3.5x10‐13 F/cm, µn = 1500 cm2/Vs. ¿Qué valor de W/L dará un transistor NMOS
cuya resistencia de canal cambia de 1 KΩ á 200Ω para: 3V≤VGS≤11V.

Solución:
En la zona óhmica se cumple:
152
K = (W/L)(εox/tox)(µn/2)

Para: Rds = 1 KΩ = 1/[(W/L)(3. 5x10‐13/500x10‐8)(1500)(3 – 1)]

Despejando: W/L = 100/21 = 4.762

Verificando para Rds = 200 Ω
200Ω = 1/[(W/L)(3. 5x10‐13/500x10‐8)(1500)(11 – 1)]

Despejando: W/L = 100/21 = 4.762

Con lo cual se verifica que la relación W/L hallada satisface las condiciones dadas

Amplificador en fuente común:
Esta configuración se caracteriza por amplificar tensión y corriente. En frecuencias
medias el desfasaje en la salida respecto a la entrada es 180°.


VDD
RD
iL
ig
C
+
+ C RL VL
-
Vg Rg
- Rs C

153
Problema 5.7: En el circuito mostrado con FET, calcule:
a) La ganancia de tensión para pequeña señal. (AV = VL / Vg)
b) La ganancia de corriente para pequeña señal. (Ai = IL / Ig)
c) La impedancia de entrada, (Zi = Vg / Ig).

24 V
8K
iL
ig
C
+
C
+ 10K
VL
Vg 500K -
1K C
-

Transistor: Silicio, gm = 5mS, rds = 10KΩ

Solución:
a) Ganancia de tensión para pequeña señal. (AV = VL / Vg)

Modelo para señal: Usamos el modelo Norton.
iL
ig ig iL
+
VL gm Vgs +
+ 8K 10K + +
Vg 500K - Vg 500K 10K 8K 10K
VL
Vgs -
- - -

Del circuito de entrada: Vgs = Vg
Del circuito de salida: VL = ‐ gm Vgs (10K // 8K// 10K)
Reemplazando y efectuando: AV = ‐ 15.38


Del circuito de entrada: Vgs = 500K ig
Del circuito de salida: iL = ‐ gm Vgs (10K // 8K) / (8K // 10K + 10K)
Reemplazando y efectuando: AI = ‐ 769.2

154
c) Impedancia de entrada, (Zi = Vg / Ig).
Del circuito de entrada obtenemos: Zi = 500KΩ

d) La impedancia de salida, (Zo = V / I cuando Vg = 0)
Del circuito de salida obtenemos:
Zo = 4.44 KΩ

Amplificador en drenador común (o seguidor de fuente):
Esta configuración se caracteriza por amplificar corriente, pero no tensión. En


VDD
ig
iL
C
+
Vg Rg C +
Rs RL
- VL
-

24 V
ig
iL
C
+
Vg 500K C +
2K 2K
- VL
-

155
Transistor: Silicio, µ = 50, rds = 10KΩ

Solución:
Modelo para señal: Usamos el modelo Thevenin.
50 Vgs
-
10K
ig ig
iL G iL
Vgs
+
-
+ + S
Vg 500K + Vg 500K +
2K 2K 2K 2K
- VL - VL
- -

Del circuito de entrada: Vgs = Vg – Vs VL = Vs

Del circuito de salida: VL = 50 Vgs (2K // 2K) / (2K // 2K + 10K) = 4.545 Vgs

Reemplazando y efectuando: VL = 4.545 (Vg – VL)
AV = 0.82

Del circuito de entrada: Ig = Vg / 500K iL = VL / 2K

Dividiendo: (Ai = IL / Ig) = (VL / 2K) / (Vg / 500K) = AV(500K / 2K)
Luego: Ai = (0.82)(500K / 2K) = 204.92
Ai = 204.92
Del circuito de entrada obtenemos: Zi = 500KΩ

d) Impedancia de salida, (Zo = V / I cuando Vg = 0)
50 Vgs
+
10K
ig
G I
Vgs
+
S +
500K
2K V
-

156
Del circuito de entrada obtenemos: Vgs = ‐ V
Del circuito de salida obtenemos: I = V / 2K + (V + 50V) / 10K
Despejando y efectuando:
Zo = 178.6Ω

Amplificador en compuerta común:
Esta configuración se caracteriza por amplificar tensión, pero no corriente. En


VDD
RD IL
C2
+
Ce Ig
RL VL
+
C1 -
RG RS Vg
-

24 V
8K
iL
C ig
+
10K
VL
C + -
C 500K
2K Vg
-

Transistor: Silicio, µ = 50, rds = 10KΩ
Solución:
157

Modelo para señal: Usamos el modelo Thevenin.
iL
50 Vgs
ig iL
-
ig S
+ -
+ 10K +
10K VL Vgs
+ - Vg 2K + 10K VL
500K 8K - 8K -
2K Vg G
-

Del circuito de entrada: Vgs = ‐Vg
Del circuito de salida:
VL = ‐ (Vgs + 50Vgs) (8K//10K) / (10K + 8K//10K)

Reemplazando y efectuando:
VL = (51Vg) (8K//10K) / (10K + 8K//10K) = 15.7Vg
AV = 15.7

Del circuito de entrada: Vgs = ‐Vg
Ig = Vg / 2K – 51Vgs / (10K + 8K//10K)

Reemplazando Vgs: Ig = Vg / 2K + 51Vg / 14.44K = Vg / 248.1
Del circuito de salida obtenemos:
iL = (51Vg / 14.44K)(8K) / (10K + 8K) = (22.67)Vg / 14.44K

Reemplazando Vg: iL = (22.67)( 0.2481K ) ig / 14.44K
De donde: AI = 0.39

Del circuito de entrada: Ig = Vg / 2K – 51Vgs / (10K + 8K//10K)
Vgs = ‐Vg

Reemplazando: Ig = Vg / 2K + 51Vg / 14.44K = Vg / 4.03K
Luego: Zi = 4.03KΩ

158
d) Impedancia de salida, (Zo = V / I cuando Vg = 0)
50 Vgs
I
-
S
-
10K
Vgs +
2K + V
8K
G -

Del circuito de entrada obtenemos: Vgs = 0 y 50Vgs = 0
Del circuito de salida obtenemos: Zo = 8K // 10K
Efectuando:
Zo = 4.44KΩ

Características de las configuraciones del FET:

Configuración Desfasaje Av Ai Zi Zo
Compuerta
0° Alta Menor que 1 Baja Alta
Común
Fuente Común 180° Alta Alta Alta Alta
Drenador Común 0° Menor que 1 Alta Alta Baja

Amplificadores en cascada.
Cuando la amplificación de una sola etapa no es suficiente, se pueden conectar dos
o más etapas, una después de la otra.

A esta disposición se le conoce como Amplificadores en cascada. La forma de acolo
puede ser cualquiera de las que ya hemos visto.

En la figura siguiente se muestra un caso con etapas con acoplo R‐C:
159
VDD
R3 R7
RD R5
R1
C5
Ig Ce Q1 C2 C3 Q3
Q2 +
RL VL
+ -
RS R8
Vg R2
- R4 C4
RG
C1 R6
R9 C6

Problema 5.10: En el siguiente amplificador en cascada, halle:
a) Av b) AI c) AP d) Zi e) Zo

+ 9V
2.2K 1.3K
IL
Ig C2
C1 Q2
Q1
+
+ 200 2K VL
1.8K -
Vg
-
600 C3

Q1 y Q2: hfe1 = hfe2 = 100, hie1 = 1KΩ, hie2 = 2KΩ, hre = 0, hoe = 0
Los condensadores son muy grandes.

Solución:

160
a) Av = VL / Vg
Modelo en AC:
IL
Ig Q2
Q1
+
+ 200 1.3K 2K VL
2.2K -
Vg 600 1.8K
-

Reemplazando los transistores por su modelo de cuadripolo:

ib2 IL
Ig ib1
+
+ 200 2.2K
2K 1.3K 2K VL
Vg 600 1.8K 1K 100 ib1 100 ib2 -
-

Del circuito de salida: VL = ‐ 100 i b2 (1.3K // 2K)
Del circuito central: ib2 = ‐ 100 i b1 (2.2K / (2.2K + 2K))
Del circuito de entrada: i b1 = Ig (0.6K // 1.8K) / (0.6K // 1.8K + 1K))
Ig = Vg / (0.2K + 0.6K // 1.8K // 1K)
Finalmente obtenemos:
Av = (VL / ib2)(ib2 / i b1)(i b1 / Ig)(Ig / Vg)

Reemplazando:
Av = [‐ 78.79K][‐ 52.38][0.273)][1 / 0.51K] = 2209.17
Av = 2209.17

b) AI = IL / Ig
Del circuito de entrada: i b1 = Ig (0.6K // 1.8K) / (0.6K // 1.8K + 1K)) = 0.273 Ig
Del circuito central: ib2 = ‐ 100 i b1 (2.2K / (2.2K + 2K)) = ‐ 52.38 i b1
Del circuito de salida: IL = ‐ 100 i b2 (1.3K / (1.3K + 2K) = ‐ 39.4 i b2

161
Finalmente obtenemos:
AI = (IL / ib2)(ib2 / i b1)(i b1 / Ig) = (‐ 39.4)( ‐ 52.38)( 0.273) = 563.4
AI = 563.4

c) AP= PL / Pg = (VL IL) / (Vg Ig) = AV AI = (2209.17)( 563.4) = 1 244 646.38
AP= 1 244 646.38

d) Zi
Del circuito de entrada: Zi = Vg / Ig = 0.2K + 0.6K // 1.8K // 1K = 510Ω
Zi = 510Ω

e) Zo
Del circuito de salida: Zo = 1.3KΩ

Amplficador Darlington.
Cuando la amplificación de una sola etapa no es suficiente, se pueden conectar
también una configuración Darlington para aumentar la ganancia y elevar la
impedancia de entrada. Estos amplificadores tienen el inconveniente de tener una
respuesta en frecuencia más reducida y pueden oscilar, por lo que deben tomarse
las precauciones adecuadas. En la figura siguiente se muestra uno de estos
circuitos en la configuración de emisor común.

+ VCC
RC
R1
Ig IL
Q1 C2
+ C1 Q2 +
RL VL
Vg -
-
R2 R3 RE
C3

162
Problema 5.11: En el siguiente amplificador Darlington, halle:
a) Av b) AI c) Zi d) Zo
Q1: hie1 = 3KΩ, β1 = hfe1 = 50, hre1 = 0, hoe1 = 0.
Q2: hie2 = 1KΩ, β2 = hfe2 = 100, hre2 = 0, hoe2 = 0.
+ 30V
10K
282K
Ig IL
Q1 C2
+ C1 Q2 +
10K VL
Vg -
-
18K 10K 0.3K

C3

Solución:
a) Av:
Modelo para señal:
Ig IL
Q1
+ Q2 +
10K VL
Vg 282K -
- 10K
18K 10K
163
Reemplazando cada transistor por su cuadripolo:
ib1
Ig 50 ib1
IL
+ 3K
Vg 282K +
- ib2 100 ib2 10K VL
-
18K 10K 1K 10K

En el circuito de salida:
VL = ‐ (50 ib1 + 100 ib2)5K
ib2 = (51 ib1)(10K) / (10K + 1K) = (510 / 11) ib1

Reemplazando: VL = ‐ 50( 1 + 1020 / 11)(ib1)5K
En el circuito de entrada:
Vg = 3K ib1 + 51 ib1 (10K // 1K) = [3K + 51 (10K // 1K)] ib1

De estas dos ecuaciones obtenemos la ganancia de tensión:
Av = [50(5)(1 + 1020 / 11)] / [3 + 51(10 // 1)] = ‐ 474.7
Av = ‐ 474.7
b) AI :
IL = ‐ (50 ib1 + 100 ib2)(10K / (10K + 10K)) = ‐ 25(ib1 + 2 ib2)
ib2 = (51 ib1)(10K) / (10K + 1K) = (510 / 11) ib1

Reemplazando: IL = ‐ 25( 1 + 1020 / 11)(ib1)

Ib1 = Ig(18K // 282K) / [18K // 282K + 3K + 51 (10K // 1K)]
Ib1 = 0.2553 Ig

De estas dos ecuaciones obtenemos la ganancia de corriente:
AI = ‐ 25(1 + 1020 / 11)(0.2553) = ‐ 598.2
AI = ‐ 598.2

c) Zi:
Vg = 3K ib1 + 51 ib1 (10K // 1K) = 49.364K ib1
164
Ig = Vg / 18K + Vg / 282K + ib1

Reemplazando ib1:
Ig = Vg(1 / 18K + 1 / 282K + 1 / 49.364K)
Zi = 18K // 282K // 49.364K = 12.6KΩ
Zi = 12.6KΩ

d) Zo:
Modelo para hallar Zo:
ib1
50 ib1
I
3K
282K
ib2 100 ib2 V
18K 10K 1K 10K

Aplicando reflexión de impedancias:
ib1
I
ib2/51
3K
282K
50 ib1 100 ib2 V
18K (51)10K (51)1K 10K

Observamos: ib1 = ib2 = 0
Entonces: Zo = 10KΩ

Amplificador cascode.
Este tipo de amplificador es muy usada, incluso en circuitos integrados.

Está basado en la conexión de transistores en serie.

Se caracteriza por presentar ganancias de tensión y corriente altas. Muy buena
respuesta en frecuencia y estabilidad. Se emplea también en alta frecuencia. En la
figura siguiente se muestra uno de estos circuitos, en su versión con MOSFET:
165
VDD
RL
+
VL
Q2
-
+
VGG2
-
Q1
Vg
-
+
VGG1
-

Problema 5.12: En el siguiente amplificador Cascode:
Q1 = Q2: hfe = 150, hie = 3.5KΩ, hre = 0, hoe = 0. Halle:
12V
3K
12K
100uF
100uF
Q1
+
8K
100uF 10K VL
Q2
-
C
Vg 2.4K
1K 100uF

a) Av b) AI c) Zi d) Zo
166
Solución:
a) Av:
Modelo para señal:

Ig ib ie IL
Vg 10K VL
8K 2.4K 3.5K hib 3K
150 ib - 0.99 ie
-

En el circuito de salida: VL = 0.99 ie (3K // 10K)
En el circuito central: ie = ‐ 150 ib
En el circuito de entrada: Vg = 3.5K ib
De estas tres ecuaciones: Av = [0.99 (3K // 10K)][‐ 150][1 / 3.5K]
Av = ‐ 97.9

b) AI :
En el circuito de salida: IL = 0.99 ie (3K) / (3K + 10K)
En el circuito central: ie = ‐ 150 ib
En el circuito de entrada: ib = Ig (8K // 2.4K) / [3.5K + 8K // 2.4K]
De estas tres ecuaciones: AI = [0.99 (3) / 13][‐
150][(8K//2.4K)/[3.5K+8K//2.4K]]
AI = ‐ 11.83

c) Zi:
Zi = 8K // 2.4K // 3.5K = 1.21K
Zi = 1.21KΩ

d) Zo:
Modelo para hallar Zo:
167
Ig ib ie I
V
8K 2.4K 3.5K hib 3K
150 ib - 0.99 ie
-

Podemos observar:
Ig = 0, ib = 0, 150 ib = 0, ie = 0, ‐0.99ie = 0

Entonces: Zo = 3KΩ

Amplficador bootstrap:
Este amplificador actúa en forma similar al seguidor emisivo, con la diferencia que
evita reducir la impedancia de entrada debido a la red de polarización. Puede
lograrse con él, una impedancia de entrada muy elevada

+ VCC
R1
Ig
C1
R3
+
+
Vg C2 VL
R2 RE -
-

168
Problema 5.13: En el siguiente amplificador Bootstrap, halle:
a) Av b) Zi

Transistor: hie = 2KΩ, hfe = 100, hre = 0, hoe = 0.

+ 12V
4K
Ig
C1
10K
+
+
Vg C2 VL
4K 2K -
-

Solución:
a) Av:
Modelo para señal:
4K
Ig Ig ib
100 ib
10K 10K 2K
+ +
+ +
Vg VL Vg VL
4K 2K - 2K 2K -
- -

En el nudo de salida aplicamos la ley de corrientes:
VL / 2K + VL / 2K = 101 ib + (Vg ‐ VL) / 10K
169
Además: ib = (Vg ‐ VL) / 2K
Reemplazando: VL / 2K + VL / 2K = 101 (Vg ‐ VL) / 2K + (Vg ‐ VL) / 10K

Separando términos:
VL [1 / 2K + 1 / 2K + 101 / 2K + 1 / 10K] = Vg [101 / 2K + 1 / 10K]
De esta ecuación hallamos la ganancia de tensión:
Av = 0.98
b) Zi:
En el circuito de entrada:´

Ig = (Vg ‐ VL) / 10K + ib = (Vg ‐ VL) / 10K + (Vg ‐ VL) / 2K
Ig = (Vg ‐ VL)[1 / 10K + 1 / 2K] = Vg(1 ‐ Av)[1 / 10K + 1 / 2K]
Despejando Zi = Vg / Ig :
Zi = 83.33KΩ

Amplificador diferencial.
Uno de los amplificadores más importantes en Electrónica es el amplificador
diferencial.

Comúnmente recibe dos señales de entrada y su salida puede ser balanceada o
desbalanceada.

Se le denomina amplificador diferencial porque su salida es proporcional a la
diferencia de las señales de entrada.

Es parte fundamental del Amplificador Operacional.

A continuación se muestra un esquema básico empleando transistores bipolares:
170
VCC
Rc Rc
Vs1 Vs2
C C
Q1. Q2
V1 Rb Io Rb V2

Io es una fuente de corriente constante que debe ofrecer una alta impedancia a la
señal.

Salida balanceada y salida desbalanceada.
Si la salida se toma en Vs1 ó Vs2 respecto a tierra, se dice que la salida es
desbalanceada.

Si la salida se toma entre Vs1 y Vs2, se dice que la salida es balanceada.

V1 y V2 son las señales de entrada.

La salida debe ser proporcional a la diferencia de las señales de entrada, es decir:

Vs = Ad (V1 – V2)

Ad es la ganancia en modo diferencial

La ecuación anterior corresponde a la respuesta ideal del A.D., sin embargo, los
A.D. reales presentan una salida dada por la ecuación siguiente:

Vs = Ad (V1 – V2) + Ac (V1 + V2) / 2

Modo diferencial y modo común. Ad es la ganancia en modo diferencial Y Ac es la
ganancia en modo común.
171
Generalmente se busca que Ac sea lo más pequeña posible. Idealmente debería ser
cero.

Se define:

Modo diferencial = Vd = V1 – V2
Modo común = Vc = (V1 + V2) / 2

Debe indicarse que el modo común no está formado solamente por el promedio de
las señales de entrada, sino también por cualquier señal no deseada (ruido,
interferencia, etc.) acoplada a ambas entradas a la vez. Si ello sucede, el
amplificador tenderá a eliminarlas de su salida.

Por lo anterior, podemos decir que este tipo de amplificador tiende a eliminar las
señales no deseadas que se presenten en sus entradas.

Para efectuar el análisis del circuito se expresan las señales de entrada mediante el
modo común y el modo diferencial.

V1 = Vc + Vd / 2
V2 = Vc ‐ Vd / 2

Cuando se analiza con pequeña señal podemos utilizar los modelos de cuadripolo
lineal del transistor.

Cuando se analiza con gran señal, debemos utilizar la característica no lineal del
transistor (por ejemplo, las ecuaciones de Ebers Moll).

Factor de Rechazo al Modo Común (CMRR):
Este es un parámetro muy útil para saber la calidad del A.D. Se le define como:

CMRR = |Ad| / |Ac|
También se acostumbra expresarlo en decibeles:

CMRRdb = 20 log(|Ad| / |Ac|)
Idealmente el CMRR es infinito.

En un A.D. real conviene que sea lo más alto posible.

172
La fuente de corriente constante tiene mucha importancia para conseguir una
ganancia en modo común muy pequeña y, por tanto, un alto factor de rechazo al
modo común.

Problema 5.14: En el circuito mostrado, determine:
a) Los puntos de operación.
b) La ganancia en modo diferencial.
c) La ganancia en modo común.
d) El CMRR.
+ 15V
2K 4K
C
Q1 Q2
+
C C 12K
VL
V1 V2 -
50K 4mA 50K

Q1 = Q2: β = 100, hie = 1K, hfe = 150, hre = 0, hoe = 0, VBE = 0.7V, Z = 2MΩ

SOLUCION:
a) Los puntos de operación.
Como los transistores son iguales y sus redes de polarización también, el A.D.
está balanceado y se cumple: IEQ1 = IEQ2 = 2mA

Como β es grande se cumple: ICQ1 = ICQ2 = 2mA

El voltaje DC en los emisores es: VE = ‐ 0.7 – 50K(2mA / 100) = ‐1.7V

A continuación:
VCE1 = 15 – (2mA)(2K) – VE = 15 – (2mA)(2K) – (‐1.7) = 12.7V
VCE2 = 15 – (2mA)(4K) – VE = 15 – (2mA)(4K) – (‐1.7) = 8.7V
VCE1 = 12.7V VCE2 = 8.7V

b) La ganancia en modo diferencial.
Modelo equivalente para señal:
173
ib1 ib2
1K 1K
+
V1 V2 12K
150 ib2 4K VL
50K 302M 50K -

Representamos V1 y V2 en función del modo diferencial y el modo común:
V1 = Vc + Vd / 2 V2 = Vc ‐ Vd / 2

Modo diferencial: Hacemos Vc = 0

Entonces:
En la entrada y aplicando simetría: Ib2 = ‐ Vd / 2K
En la salida: VL = ‐ 150 ib2 (4K // 12K)

Reemplazando ib2: VL = ‐ 150 (‐ Vd / 2K) (4K // 12K)
Finalmente: Avd = VL / Vd = ‐ 150 (‐ 1 / 2K) (4K // 12K) = 150 (1 / 2K) (3K)
Avd = 225

c) La ganancia en modo común.
Modo común: Hacemos Vd = 0

Entonces:
En la entrada y aplicando simetría: Ib2 = Vc / (1K + 604M)
En la salida: VL = ‐ 150 ib2 (4K // 12K)

Reemplazando ib2: VL = ‐ 150 Vc / (1K + 604M) (4K // 12K)
Finalmente:
Avc = VL / Vc = ‐ 150 (1 / (1K + 604000K)) (4K // 12K) = ‐150 (1 / 604001K) (3K)
Avc = ‐ 0.0007

d) El CMRR.
CMRR = │Ad│ / │Ac│ = 225 / 0.0007 = 321 428.6
En db: CMRRdb = 20 log[321 428.6] = 110.1db

174
Amplificador operacional (OPAMP).
La designación ‘’OPAMP’’ originalmente fue adoptada para una serie de
amplificadores de gran rendimiento usados en computadoras analógicas. Estos
amplificadores fueron diseñados para realizar operaciones matemáticas aplicables
a computación analógica (sumatoria, escalamiento, sustracción, integración, etc.)

En la actualidad, la disponibilidad de amplificadores operacionales en circuitos
integrados lo hacen útil como reemplazo de cualquier amplificador, especialmente
en baja frecuencia. Incluso, se les usa formando parte de circuitos integrados más
complejos.

SIMBOLO DE UN OPAMP
El símbolo aceptado para un opamp es un triángulo y la salida, Vo, está relacionada
con las entradas V+ y V‐ como se muestra en la figura siguiente
Vo
+ SATURACION
V+ Voffset
+
Vo
-
V- V+ - V-
- SATURACION

V se aplica a la entrada no inversora y V‐ a la entrada inversora.
+

EJEMPLO DEL OPAMP LM741

Fuentes de corriente
de polarización
Entrada inversora
-
Salida
+
Entrada no inversora
A = 200 A = 1000 A = 1

175
Como se puede ver, un IC‐OPAMP usa varias etapas en cascada, generalmente
amplificadores diferenciales, para suministrar un alto rechazo al modo común y
gran ganancia.

Amplificador inversor:
En este caso la señal de entrada se aplica por la entrada inversora.
If
R2
R1
V-
-
+ Av
I1 ideal
Ve V+ + +
- Vs
R3
-

Tenemos: I1 = (Ve – V‐)/R1 If = (V‐ – Vs)/R2
Además: Vs = Av(V+ ‐ V‐)

Como no hay señal aplicada a la entrada no inversora y la impedancia de entrada
del operacional es muy alta: V+ = 0

Entonces: Vs = ‐ Av V‐
De donde: V‐ = Vs / Av

Como la ganancia de un amplificador operaconal ideal es muy alta: Av → ∞

Se deduce: V‐ → 0

Y la entrada inversora se comporta en este caso como tierra virtual.

A continuación podemos obtener la ganancia con realimentación:

Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador operacional, debe
cumplirse: I1 = If

Entonces: (Ve)/R1 = (– Vs)/R2

Finalmente: Avf = ‐ R2 / R1
176
Adicionalmente podemos obtener la impedancia de entrada del circuito:
Zinf = Ve / I1 = R1

NOTA: El resultado anterior puede ser generalizado si tomamos en cuenta que R1 y
R2 pueden ser reemplazadas por cualquier impedancia (Z1 y Z2 respectivamente):

Avf = ‐ Z2 / Z1
Zinf = Z1

Problema 5.15: En el siguiente circuito, halle:
a) El voltaje V.
b) El voltaje de salida.
4K V
6K 8K
2K
-
1V + +
VL
-

SOLUCION:

a) El voltaje V.
Como está realimentado negativamente, el amplificador actúa linealmente

Y se cumple: V+ = V‐
La corriente que entrega el generador es: I = Vg / 2K = 0.5mA

Esta corriente circula por la resistencia de 4K y se cumple:
V = ‐ 4K I = ‐ 4K (0.5mA) = ‐ 2V
V = ‐ 2V

b) El voltaje de salida.
Aplicando la ley de corrientes en el nudo V:
0.5mA = V / 6K + (V ‐ VL) / 8K
177
Reemplazando V y despejando VL:
12V = 4(‐2V) + 3(‐2 ‐ VL)
VL = (26 / 3)V = ‐ 8.67V

Amplificador no inversor:
En este caso la señal de entrada se aplica por la entrada no inversora.

If R2
R1
V-
-
Av
I1 ideal
V+ + +
+ Vs
R3
Ve -
-

‐ ‐
Tenemos: I1 = (V )/R1 If = (Vs ‐ V )/R2
Además: Ve = V+ y Vs = Av(V+ ‐ V‐)
De donde: V+ ‐ V‐ = Vs / Av

Pero como la ganancia de un amplificador operaconal ideal es muy alta:
Av → ∞
Se deduce: V+ ‐ V‐ → 0
Y se cumple: V+ = V‐

La entrada diferencial se comporta en este caso como cortocircuito virtual.

A continuación podemos obtener la ganancia con realimentación:

Debido a la alta impedancia de entrada del amplificador operacional, debe
cumplirse: I1 = If
Entonces: (Ve)/R1 = (Vs – Ve)/R2
Finalmente: Avf = 1 + R2 / R1

Adicionalmente podemos obtener la impedancia de entrada del circuito:
Zinf = R3

178
Problema 5.16: En el circuito con OPAMP mostrado, halle el voltaje de salida, VL, si;
V1 = 0.2V, V2 = 0.1V y V3 = ‐ 0.15V. Asuma que el OPAMP es ideal.

3K 6K
-
V1
+
1K +
V2 VL
-
1K 100
V3
1K

SOLUCION:
La tensión de entrada ingresa por el tertminal no inversor y la denominamos: V+
Hallamos V+ en función de las tensiones de entrada, aplivcando superposición:

V+ = [V1(1K//1K//0.1K) + V2(1K//1K//0.1K) + V3(1K//1K//0.1K)] / (1K + 1K//1K//0.1K)
V+ = [V1 + V2 + V3]]1K//1K//0.1K] / (1K + 1K//1K//0.1K)

Reemplazando valores:
V+ = [0.2 + 0.1 ‐ 0.15][1K//1K//0.1K] / (1K + 1K//1K//0.1K)
V+ = [0.15][83.3] / (1083.3) = 11.5 mV

La tensión de salida se puede hallar mediante la ecuación del amplificador no
inversor:

VL = (1 + 6K / 3K) V+ = 3 V+ = 34.6 mV
VL = 34.6 mV

Análisis con gran señal con la ecuación de transferencia del transistor.
Cuando el BJT está en la zona activa, su corriente de colector puede expresarse con
VBE
la ecuación: I C (t ) = αI ES ε VT

Si en la entrada del transistor aplicamos la tensión:
VBE = VBEQ + Vbe
Reemplazando:
179
VBEQ Vbe
I C (t ) = αI ES ε VT
εV
T

Vm
Si: Vbe = Vm cos(wo t ) y x =
VT

Desarrollando la exponencial, con señal, en serie de Fourier:
Vbe Vm cos ( wo t )
∞
ε VT
=ε VT
= ε x cos (wot ) = I o ( x ) + 2∑ I n ( x ) cos(nwo t )
1

In(x) son las funciones modificadas de Bessel de primera clase, orden n y
argumento x.

Estas funciones pueden hallarse, para cada valor de n, resolviendo la integral:
π
I n (x ) = ε z cos (φ ) cos(nφ )dφ
1
∫
2π −ο

Reemplazando en Ic(t):
⎡ VBEQ ⎤ ⎡ ∞
⎤
I c (t ) = αI ES ⎢ε VT ⎥ ⎢ I 0 ( x ) + 2∑ I n ( x ) cos(nwo t )⎥
⎢⎣ ⎥⎦ ⎣ 1 ⎦

⎡ VBEQ ⎤
Se cumple: I CQ = αI ES ⎢ε VT ⎥
⎢⎣ ⎥⎦

Reemplazando:
⎡ ∞
⎤
I c (t ) = I CQ ⎢ I 0 ( x ) + 2∑ I n ( x ) cos(nwo t )⎥
⎣ 1 ⎦

Factorizando Io(x):
∞
⎡ ∞
I (x ) ⎤
I c (t ) = I CQ I 0 (x )⎢1 + 2∑ n cos(nwo t )⎥
⎣ 1 I 0 (x ) ⎦

Llamando: I DC = I CQ I 0 ( x )

180
ICQ = Corriente de bias (polarización) del transistor.

IDC = Corriente promedio del transistor. Para señales pequeñas, IDC es
prácticamente igual a ICQ. Para señales grandes, IDC es mayor que ICQ.

Desarrollando ic(t):
I (x ) I (x ) I (x )
I C (t ) = I DC + 2 I DC 1 cos(wo t ) + 2 I DC 2 cos(2 wo t ) + 2 I DC 3 cos(3wo t ) + K
I 0 (x ) I 0 (x ) I 0 (x )

Para señales grandes vemos que, además de la armónica fundamental, aparecen
2da. Armónica, 3ra. Armónica, 4ta. Armónica, etc.

Si la entrada es una señal sinusoidal, debido a las armónicas, la señal de salida no
será sinusoidal y tendrá distorsión

A continuación se muestran tablas con valores de las funciones de bessel:

x Io(x) I1(x) I2(x) I3(x)
0.0 1.0000 0.00000 0.00000 0.00000
0.5 1.0635 0.25789 0.03191 0.00265
1.0 1.2661 0.56516 0.13575 0.02217
1.5 1.6467 0.98167 0.33783 0.08077
2.0 2.2796 1.59060 0.68895 0.21274
2.5 3.2898 2.51670 1.27650 0.47437
3.0 4.8808 3.9534 2.2452 0.95975
3.5 7.3782 6.2058 3.8320 1.82640
4.0 11.3020 9.7595 6.4222 3.33730
4.5 17.4810 15.3890 10.6420 5.93010
5.0 27.2400 24.3360 17.5060 10.33100
5.5 42.695 38.588 28.663 17.743
6.0 67.234 61.342 46.787 30.150
6.5 106.290 97.735 76.220 50.830
7.0 168.590 156.040 124.010 85.175
7.5 268.16 249.580 201.610 142.060
8.0 427.56 399.87 327.59 236.07
8.5 683.16 641.62 532.19 391.17
9.0 1093.6 1030.9 864.49 646.69
9.5 1753.5 1658.4 1404.30 1067.20
10.0 2815.7 2671.0 2281.50 1758.40
181

Si la carga (RL) está en el colector, la tensión de salida será:
I1 (x ) I (x ) I (x )
VL (t ) = I c (t )RL = I DC RL + 2 I DC RL cos(wo t ) + 2 I DC 2 cos(2wo t ) + 2 I DC 2 cos(3wo (t )) + K
I 0 (x ) I 0 (x ) I 0 (x )

La armónica fundamental será:
I 1 (x )
V L1 (t ) = I c1 (t )R L = 2 I DC R L cos(wo t )
I 0 (x )

Definimos la transconductancia para gran señal como:
I c1 pico ⎡ 2 I (x ) ⎤
Gm (x ) = = I DC ⎢ 1 ⎥
Vm ⎣Vm I 0 ( x ) ⎦

Dividiendo numerador y denominador por VT obtenemos:
Gm (x ) ⎡ 2 I1 (x ) ⎤
=⎢ ⎥
gm ⎣ xI 0 ( x ) ⎦

Tabla con valores de Gm(x)/ gm:

Gm (x ) Gm (x ) Gm (x ) Gm (x ) Gm (x )
x x x x x
gm gm gm gm gm
0 1.0000 1.0 0.8926 2.0 0.6976 3.0 0.5399 4.0 0.4317
0.1 0.9987 1.1 0.8738 2.1 0.6794 3.1 0.5270 4.1 0.4230
0.2 0.9950 1.2 0.8544 2.2 0.6617 3.2 0.5147 4.2 0.4146
0.3 0.9888 1.3 0.8347 2.3 0.6445 3.3 0.5029 4.3 0.4065
0.4 0.9804 1.4 0.8147 2.4 0.6279 3.4 0.4915 4.4 0.3987
0.5 0.9699 1.5 0.7946 2.5 0.6118 3.5 0.4805 4.5 0.3912
0.6 0.9574 1.6 0.7747 2.6 0.5963 3.6 0.4700 4.6 0.3839
0.7 0.9432 1.7 0.7549 2.7 0.5814 3.7 0.4598 4.7 0.3769
0.8 0.9275 1.8 0.7354 2.8 0.5670 3.8 0.4501 4.8 0.3702
0.9 0.9106 1.9 0.7163 2.9 0.5532 3.9 0.4407 4.9 0.3636

182
Gm (x ) Gm (x ) Gm ( x ) Gm ( x ) Gm (x )
x x x x x
gm gm gm gm gm
5.0 0.3573 6.0 0.3041 7.0 0.2644 8.0 0.2338 9.0 0.2095
5.1 0.3512 6.1 0.2996 7.1 0.2610 8.1 0.2311 9.1 0.2073
5.2 0.3453 6.2 0.2952 7.2 0.2577 8.2 0.2285 9.2 0.2052
5.3 0.3395 6.3 0.2910 7.3 0.2544 8.3 0.2259 9.3 0.2031
5.4 0.3340 6.4 0.2869 7.4 0.2513 8.4 0.2234 9.4 0.2011
5.5 0.3286 6.5 0.2829 7.5 0.2482 8.5 0.2210 9.5 0.1991
5.6 0.3286 6.6 0.2790 7.6 0.2451 8.6 0.2186 9.6 0.1971
5.7 0.3183 6.7 0.2752 7.7 0.2422 8.7 0.2162 9.7 0.1952
5.8 0.3134 6.8 0.2715 7.8 0.2393 8.8 0.2139 9.8 0.1934
5.9 0.3087 6.9 0.2679 7.9 0.2365 8.9 0.2117 9.9 0.1915

Problema 5.17: Si un transistor recibe una señal de entrada de 26 mV, halle la
distorsión de segundo armónico en la salida. Asuma: VT = 26Mv

SOLUCION:
La distorsión de segundo armónico se define como el valor eficaz del segundo
armónico dividido por el valor eficaz de la armónica fundamental. Esta división se
expresa en porcentaje:

D2 = [2IDC[I2(x) / Io(x)]/√2] / 2IDC[I1(x) / Io(x)]/√2] = [I2(x)] / [I1(x)]

Reemplazando valores y efectuando para x = 26mV / 26mV = 1:
D2 = I2(1) / I1(1) = 0.13575 / 0.56516 = 0.24 = 24%
D2 = 24%

Esto significa que la amplitud de la segunda armónica es el 24% de la amplitud de la
fundamental

Teorema de Miller.
Este teorema es útil para simplificar circuitos y en cálculos de respuesta en alta
frecuencia.

Sea el caso de una impedancia Z colocada entre los nudos A y B de una red:

La corriente que sale del nudo A hacia B es:
IA = (VA – VB) / Z = VA (1 – K) / Z

183
Donde : K = VB / VA

Es decir, que si conocemos el valor de K podemos poner una impedancia entre el
nudo A y tierra con valor: ZA = Z / (1‐K) y la corriente que salga del nudo A será la
misma IA.

En forma similar, la corriente que sale del nudo B hacia A es:
IB = (VB – VA) / Z = VB (1 – 1/K) / Z
Donde : K = VB / VA

Es decir, que si conocemos el valor de K podemos poner una impedancia entre el
nudo B y tierra con valor: ZB = Z K / (K‐1) y la corriente que salga del nudo B será la
misma IB.

Z
B
A B
A
RED
Z / (1-K) Z K / (K-1)

Para poder usar el Teorema de Miller debemos conocer previamente la relación de
tensiones entre los nudos B y A. Este teorema es útil para determinar el polo
dominante en circuitos con realimentación capacitiva.

Problema 5.18: En el circuito mostrado, halle el circuito equivalente Miller

1pF
0.5K 2K
+ + ib +
Vb 150 ib 40K 4K VL
Vg
- - -

184
SOLUCION:
Si se cumple que la reactancia de 1pF es mucho mayor que: 40K // 4K, podemos
hallar fácilmente K: K = VL / Vb

VL = ‐ 150ib (40K//4K) ib = Vb / 2K

Luego: VL = ‐ 150(Vb / 2K)(40K//4K) = ‐ 75Vb(40//4)

Finalmente: K = VL / Vb = ‐ 272.7

Entonces: ZA = Z / (1‐K) = 1 / jwC(273.7) = 1 / jw(273.7pF)
ZB = Z K / (K‐1) = 1 / jw(1pF)

Modelo equivalente de Miller:
0.5K 2K
+ + ib +
Vb 150 ib 40K 4K VL
Vg 273.7pF 1pF
- - -

Teorema de sustitución.
Este teorema es muy útil para hacer modelos simplificados de los circuitos
electrónicos. Este teorema establece lo siguiente:

Un voltaje conocido en un circuito puede ser reemplazado por una fuente de
voltaje ideal.

Una corriente conocida en un circuito puede ser reemplazada por una fuente de
corriente ideal.

Problema 5.19: En el circuito mostrado:
a) Calcule las tensiones y corrientes en cada componente
b) Reemplace la resistencia R3 por una fuente de tensión ideal con la tensión V3 y
calcule las tensiones y corrientes en cada componente
c) Reemplace la resistencia R3 por una fuente de corriente ideal con la corriente
I3 y calcule las tensiones y corrientes en cada componente
185
I1 R1 = 2K
+ V1 - + +
V2 R2 = 6K V3 R3 = 3K
12V
- -
I2 I3

a) Tensiones y corrientes en cada componente
Hallamos I1: I1 = 12V / (2K + 6K // 3K) = 3mA
Luego: V1 = (3mA)(2K) = 6V
Entonces: V2 = V3 = 12V – 6V = 6V
Finalmente: I2 = V2 / 6K = 1mA I3 = V3 / 3K = 2mA

b) Reemplace la resistencia R3 por una fuente de tensión ideal con la tensión V3 y
calcule las tensiones y corrientes en cada componente

I1 R1 = 2K
+ V1 - + +
V2 R2 = 6K V3=6V
12V
- -
I2 I3

Hallamos I1: I1 = (12V – 6V)/ 2K = 3mA
Del circuito: V2 = V3 = 6V
Finalmente: I2 = V2 / 6K = 1mA I3 = I1 – I2 = 2mA
Vemos que ninguna tensión ni corriente ha variado al sustituir V3 por una
fuente de tensión ideal.
186
c) Reemplace la resistencia R3 por una fuente de corriente ideal con la
corriente I3 y calcule las tensiones y corrientes en cada componente

I1 R1 = 2K
+ V1 - + +
V2 R2 = 6K V3
12V
- - I3=2mA
I2 I3

Empleando el método de nodos:
(12 – V2) 2K = V2 / 6K + 2mA
Resolviendo: V2 = 6V = V3
Luego: V1 = 12V – 6V = 6V
Finalmente: I1 = 6V / 2K = 3mA I2 = 6V / 6K = 1mA
I3 = 2mA
Vemos que ninguna tensión ni corriente ha variado al sustituir I3 por una
fuente de corriente ideal.

187
UNIDAD TEMÁTICA
No. 6

REGULADORES

REFERENCIAS DE VOLTAJE: Hay 2 tipos de referencia de voltaje comúnmente usada
en los reguladores.

1) La referencia band‐gap o ∆VBE: Este método consiste en el hecho que dos
transistores trabajando a dos densidades de corriente diferentes, desarrollan
una diferencia de voltaje base.‐ emisor predecible. Es usado en los
reguladores integrados de mayor corriente (0.5A á 3A).

Un circuito básico se muestra a continuación:

+
+ Vref
I2 +
R3 R2 V2
I1 -
Q3
+
Q2 VBE
-
Q1
+
R1 V1
-

Se demuestra que: V1 = ∆VBE = VT ln(I1/I2)

189
Además:
V2 = (R2/R1)∆VBE
Luego:
Vref = VBE3 + (R2/R1)∆VBE

Si se elige adecuadamente la ganancia, (R2/R1), el coeficiente negativo de
temperatura de VBE3 se puede compensar con el positivo de ∆VBE, haciendo
que el coeficiente total esté cercano a cero.

Ventajas:
Bajo ruido
Mejor estabilidad a largo plazo.

Desventajas:
Dificultad para controlar la tolerancia inicial de voltaje debido a que el voltaje
base‐emisor varía con el ancho de la base.
Mayor deriva térmica
Los efectos de los gradientes térmicos son más severos.

2) La referencia con diodo zener: Este método consiste en un diodo zener
trabajando en su zona de ruptura. Es usado en los reguladores integrados de
baja corriente (0.1A á 0.25A).

Ventajas:
Pocos componentes.
Buen control de voltaje inicial.

Desventajas:
Mala estabilidad a largo plazo.
Alto ruido.
Puede ser mejorado si se hace un implante iónico de una región altamente
contaminada por debajo de la superficie.

REGULADORES DE TENSIÓN.
Son circuitos que se conectan entre la fuente primaria y la carga. Debe adaptarse a
las características de la fuente primaria y a la carga.

Es un circuito activo que reacciona ante cualquier cambio de la entrada o de la
carga para que la salida se mantenga estable.

190
TIPOS DE REGULADORES DE TENSIÓN:
Podemos clasificarlos, por su forma de operación, en:

1. Reguladores lineales.
2. Reguladores no lineales o de conmutación.

REGULADORES LINEALES:
Operan siempre con un nivel de tensión de entrada superior al de salida. Equivalen
a una resistencia cuyo valor se ajusta automáticamente para que la salida se
mantenga constante.

Disipan energía y no tienen muy buena eficiencia.

Producen menos ruido en la carga y en la red AC.

A su vez, se pueden clasificar como:

1. Regulador paralelo: Cuando el dispositivo de regulación está en paralelo con
la carga. Un ejemplo de ello es el regulador con diodo zener. Es el menos
eficiente y comúnmente se le emplea para corrientes bajas o como circuito
de referencia de tensión.

R
Reg. RL
VCC

Regulador con diodo zener: Es un tipo de regulador paralelo muy usado
comúnmente para corrientes bajas. A continuación se muestra un ejemplo.

Problema 6.1: En el circuito mostrado se tiene:
20mA ≤ILDC ≤ 200mA y 20V ≤ VCC ≤ 30V
Halle:
191
a) El valor más adecuado y la potencia máxima de R.
R ILDC
15V +
VCC RL VDC
Izk = 5mA -

b) La potencia máxima que disipará el zener.

Solución:
a) Valor más adecuado y la potencia máxima de R:
R = (VCC ‐ 15) / (5 + ILDC)

El peor caso se presenta cuando VCC es mínima e ILDC es máxima.
Entonces:

R = (20 ‐ 15) / (5 + 200) = 24.39Ω R = 24.39Ω

La potencia será ,máxima en R cuando VCC sea máxima:
Pmáx = (30 ‐ 15)2 / (24.39) =9.23W Pmáx = 9.23W

b) Potencia máxima que disipará el zener:
El zener disipará máxima potencia cuando la tensión de entrada sea
máxima y la corriente en la carga, mínima:.

Pzmáx = (15V)[(15 / 24.39) ‐ 20mA] = 8.93W Pzmáx= 8.93W

2. Regulador serie: Cuando el dispositivo de regulación está en serie con la
carga. Son los más usados y tienen más eficiencia que el regulador paralelo.
192
Reg.
RL
VCC

Tipos de reguladores serie:
Hay diversos tipos de reguladores serie y que pueden tener protecciones
para evitar exceso de corriente y / o tensión en la carga o de disipación de
potencia de los dispositivos de regulación. Un diagramas de bloque típico
es el siguiente:

Dispositivo
Regulador
Idc
I
RL
Comparador Referencia
de Voltaje
FUENTE NO REGULADA Salida

EJEMPLOS DE REGULADORES LINEALES:
A continuación son mostrados algunos ejemplos de reguladores discretos.

Fuente regulada con protección contra corto circuito:
Este regulador incluye protección contra cortocircuito. Q2 hace el papel de
comparador. Vz produce la tensión de referencia. El potenciómetro sirve para
ajustar el voltaje de salida. R1 sirve para dar el arranque inicial a la fuente.

193
R1
Q1
R3
VZ
POT RL
Q2
FUENTE NO REGULADA
Salida
R2 R4

Fuente regulada con BJT:
En este regulador la fuente de corriente es representada por Q1. Q2 es el
dispositivo regulador. Obsérvese que está en la configuración de seguidor emisivo
para reducir la impedancia de salida. Vz1 produce la tensión de referencia. El
potenciómetro sirve para ajustar el voltaje de salida.

Q2
R2 R3 R4
VZ1
Q1
VCC RL
POT.
Q3
R1
R5
VZ2
SALIDA

REGULADORES NO LINEALES O DE CONMUTACIÓN (SWITCHING).
Su funcionamiento es completamente diferente al regulador lineal, con el objetivo
de no desperdiciar energía en forma de calor.

Debido a que evitan el desperdicio de energía, su eficiencia puede ser cercana a la
unidad.

194
A su vez, se pueden clasificar como:

1. Regulador conmutado a frecuencia de la red: Emplea interruptores que se
bloquean cuando la tensión de la red AC cambia de polaridad.
Comúnmente los interruptores son realizados mediante SCR. Requieren un
circuito de control que detecte los pasos por cero de la tensión AC.

L
T1 T2 D1
C RD RL
220Vac
CONTROL
D1 D1
SALIDA

2. Regulador conmutado a frecuencia propia: Emplea interruptores que se
bloquean cuando el control lo dispone. El control incluye un oscilador
interno cuya frecuencia es fijada en el orden de los KHz y es la que define la
velocidad con la que los interruptores abrirán y cerrarán. El tiempo que el
interruptor está abierto o cerrado se controla con técnicas de modulación,
entre las cuales se usa más la PWM (modulación de ancho de pulsos).

La siguiente figura muestra el esquema simplificado de un regulador
reductor (Buck). Q1 hace el papel de interruptor. D1 es un diodo volante. El
filtro L‐C elimina los armónicos y deja pasar la continua a la carga. El control
detecta el voltaje de salida y controla el tiempo de encendido del
interruptor, además de definir la frecuencia de conmutación.

Q1 L
D1
VCC C RD RL
CONTROL
SALIDA

195
Diseño de un regulador discreto:
A continuación, se muestra el diseño de un regulador típico en el que se emplea un
transistor como comprador. En su lugar también se puede emplear un amplificador
diferencial o un operacional.

Problema 6.2: Diseñe el siguiente regulador discreto para obtener una tensión de
salida de 12 Vdc y 1 A.

Q2
R2 R3 R4
VZ1
Q1
VCC RL
POT.
Q3
R1
R5
VZ2
SALIDA

Solución:
Elegimos un transistor Q2 con ganancia β = 50

Para que el diodo zener, Z2, esté en su zona de ruptura lo polarizaremos con 10mA.
Por la red de muestreo del voltaje de salida, haremos pasar una corriente mucho
mayor que la de base de Q2. Elegimos: IR4 = 5mA

La corriente de emisor de Q2 será: IE2 = 1 A + 10 mA + 5 mA = 1.015 A
La corriente de base de Q2 será: IB2 = 1.015 A / 51 = 19.9 mA

La corriente de colector de Q1 debe ser mayor que IB2 para que Q3 se mantenga
en la zona activa. La fijamos en: IC1 = 25 mA

Para lograr estabilidad térmica, elegimos Z1 y Z2 de 6.2V. esto nos permite hallar
R2

R2 = (6.2 – 0.7) / 25 mA = 220Ω
R2 = 220Ω Z1 = Z2 = Zener de 6.2V

196
Luego: R3 = (12 – 6.2) / 10 mA = 560Ω
R3 = 560Ω

Además: R4 + Pot + R5 = 12V / 5mA = 2.4KΩ

También debe cumplirse: (5mA)R5 < 6.2V + 0.7V = 6.9V
R5 < 6.9V / 5 mA = 1.38K R5 = 1KΩ

Entonces: R4 + Pot = 1.4 KΩ

Además: (5mA) (R5 + Pot) > 6.9V (R5 + Pot) > 1.38KΩ
Pot > 380Ω Pot = 500Ω

Finalmente, R4 = 2.4K – 1K – 0.5K = 0.9KΩ
R4 = 910Ω

Para que Q2 siempre esté en la zona activa, haremos que el voltaje colector –
emisor de Q2 no sea menor que 12V. Esto asegura que Q1 también esté en la zona
activa.

Entonces, la tensión de entrada deberá ser:
VCC = 12V + 12V = 24V VCC = 24V

Haremos que la corriente en Z1 sea 10mA
De aquí: R1 = (24 – 6.2) / 10mA = 1.78K
R1 = 1.8KΩ

A continuación se muestra el circuito con sus valores:
Q2
2N3055
R2 R4
Z1 220 910
6V2 R3
Q1 560
2N2905
+ VCC RL
24V 12
Q3 Pot
2N2222 500 86%
R1 R5
1.8k Z2
1k
6V2
197
Tensión de salida en vacío = 12.07V
Tensión a plena carga = 11.84V
Regulación = 1.9%

REGULADORES CON CIRCUITOS INTEGRADOS:
A continuación veremos los reguladores más comunes así como sus características
y aplicaciones:

Regulador paralelo programable TL431:
Actúa en forma similar a un diodo zener, con la diferencia que su voltaje puede ser
ajustado en un rango de 2.5V á 36V. Puede recibir corrientes entre 1 y 100 mA. Su
resistencia dinámica es de 0.2Ω.

En la gráfica siguiente se muestran sus tipos de encapsulados y terminales.

Top view = Vista superior Bottom view = Vista inferior Front view = Vista frontal
Cathode = Cátodo Anode = Anodo REF = Referencia

Diagrama de bloques y símbolo:
CATODO
REF. CATODO
REF.
2.5 Vref.
ANODO
ANODO

198

CIRCUITO EQUIVALENTE DEL TL431:

CATODO
800 800
20pF
REF.
150
3.28K 10K
4K
2.4K 7.2K
20pF
1K
900
ANODO

Características de operación recomendadas:

CARACTERISTICA MINIMO MAXIMO
Voltaje de cátodo Vref = 2.5V 36V
Corriente de cátodo 1mA 100mA

199
Aplicaciones:
1.‐ Regulador paralelo:
R
+
R1
Vz = Vref(1+ R1/R2)
VCC +
Vref -
R2
-

La resistencia R define la máxima corriente del regulador.
La corriente que circula por R2 es: I = Vref / R2
La tensión en R1 es prácticamente: V = I R2 = Vref (R1/ R2)
Finalmente: Vz = V + Vref = Vref (1 + R1/ R2)

2.‐ Regulador paralelo de alta corriente:

R
R3 +
R1 Vz = Vref(1+ R1/R2)
VCC + -
R2
Vref
-

La resistencia R3 define la máxima corriente por el transistor.

200
Problema 6.3: En el regulador mostrado se quiere obtener: VL = 15V é IL = 0.5 A.
a) Calcule los valores de R1 y R2.
b) Calcule el valor de R si VCC = 30V.
c) ¿Qué corriente maneja el transistor cuando: IL = 0.5 A?
d) ¿Qué valor debe tener R3?

R
R3 +
R1
Vz = Vref(1+ R1/R2)
RL
VCC + -
TL 431
R2 Vref
-

Datos:
TL431: Vz = 2.5(1 + R1/ R2) corriente mínima: Izmín = 2 mA
Asuma: IR1 = 1 mA
Transistor: VEB = 0.7V, β = 50 Icmín = 10mA

SOLUCION:
a) Valores de R1 y R2.
El voltaje en la carga es 15V. Entonces: 15 = 2.5(1 + R1/ R2)
De donde: R1/ R2 = (15 / 2.5) ‐ 1 = 5
Elegimos: R2 = 1.5KΩ luego: R1 = 7.5KΩ
R2 = 1.5KΩ R1 = 7.5KΩ

b) Valor de R si VCC = 30V.
Considerando la máxima corriente en la carga:
30 = R(500mA + 30V / (7.5K + 1.5K) + 2 mA + 10mA / 50 + 10mA) + 15
Despejando R: R = 15 / (515.53mA) = 29.1Ω
R = 29.1Ω

201
c) ¿Qué corriente maneja el transistor cuando: IL = 0.5 A?
Según datos, debe manejar Icmín = 10mA
Icmín = 10mA

d) ¿Qué valor debe tener R3?
Para asegurar Izmín = 2 mA en el regulador: R3 = 0.7V / 2mA = 350Ω
R3 = 350Ω

Regulador variable LM317:
Es un circuito cuyo voltaje puede ser variado entre 1.2V y 37V, con corriente
máxima de 1.5 Amperios. Posee también limitación de corriente y protección
térmica.

Estos reguladores forman una familia y así, el LM337 es la versión de tensión
negativa de 1.5 A, el LM338 es la versión de 5 A,

A continuación se muestra el encapsulado TO‐220 del LM417 y terminales:

LM317T
1 2 3

Pin 1 = Adj. = Ajuste Pin 2 = Out = Salida Pin 3 = In. = Entrada

202
Diagrama de bloques:

3 = Input
+
-
Circuito de
Protección
1.25 Vref.
R lim.
2 = Out
1 = Adj.

CIRCUITO EQUIVALENTE DEL LM338:

3 Vin
R1 R2 R3 R4
330 330 190 82 R5 Q22
5.6K
R19
Q10 370
Q23 Q25 D2
R16 R17
Q18 6.7K 12K 6.3V
Q2 Q4 Q8 Q14 Q26
Q1 Q16 R18
Q27 Q20 130 R23
R6 R27 5pF C3 R21 18K
47K Q13 400
R22
200K R8 160
12.4K Q15 Q19 Q21 D3
R7 R20 Q24
130 Q17 13K 6.3V
Q9
Q6 Q11
Q7 Q12 R15
C1 2.4K R24
Q3 Q5 C2 160
D1 R11 R13 30pF
R10 5.8K R12 5.1K 30pF
6.3V 4.1K 72 R14
12K
R26 R25
0.03 3
R7 6V R27
130 50
D4
2 Vout
1 Adj

Características de operación:

CARACTERISTICA MINIMO MAXIMO
Iadj ‐‐ 100mA
Vin ‐ Vout 3V 40V
Vref 1.2V 1.3V
Iout 12mA 1.5A

203
Aplicaciones:
1.‐ Regulador variable:
Entrada Salida
1 3
VIN LM317 VOUT
ADJ
R1
2
0.1uF
1uF
R2

Vsalida = 1.25V (1 + R2 / R1)

2.‐ Regulador variable con protección contra descarga capacitiva:
D1
1N4002
Entrada Salida
1 3
VIN LM317 VOUT
ADJ
R1
2
C > 25uF
0.1uF
D2 1uF
R2 1N4002
204
3.‐ Regulador variable con salida de 0 – 30V:

D1
1N4002
Entrada Salida
1 3
VIN LM317 VOUT
ADJ
R1
2
0.1uF C > 25uF
10uF
D2 1uF
R2 1N4002
-12 a -18V
470
LM329C

205
4.‐ Cargador de batería de 12V con LM317:
500
Vin > 18V Salida 0.5

1 3
VIN LM317 VOUT
LED
ADJ 15
2
1K 230
0.1uF BATERIA
U9 12V
7
3
+
6
15K 2
-
1N4148 LM741
1uF 2N2905
3K
4

Regulador variable LM723:
Es un circuito muy versátil, con el cual se pueden hacer reguladores fijos y
variables, positivos o negativos e incluso de alto voltaje y alta corriente.

Su tensión de entrada máxima es 40V y su corriente máxima con salida en
cortocircuito es 65 mA

En el siguiente esquema se muestra su encapsulado DIL 14 y terminales de
conexión:
LM723
1 14
NC NC
2 13
CL FC
3 12
CS V+
4 11
IN- VC
5 10
IN+ Vout
6 9
Vref VZ
7 8
V- NC

206
Pin 1: NC = No conectado Pin 8: NC = No conectado
Pin 2: CL = Límite de corriente Pin 9: Vz = Zener
Pin 3: CS = Sensado de corriente Pin 10: Vout = Salida
Pin 4: IN‐ = Entrada inversora Pin 11: Vc = Tensión de control
Pin 5: IN+ = Entrada no inversora Pin 12: V+ = Tensión de alimentación
Pin 6: Vref = Tensión de referencia Pin 13: FC = Compensación de frecuencia
Pin 7: V‐ = Tierra Pin 14 NC = No conectado

Diagrama de bloques:

12 11
V+
Vc
13
FC
7
VZ2
6 5
+
Vref 13
4 Vout-10
-
4
VZ - 9
V-
7 CL - 2
CS - 3

207
REGULADOR DE 35 V – 20 A CON LM723:

D1
6A / 600V
R13
2N3055
+VDC Q1 R7 0.47 / 5W + 35 VDC

47
R1
470
R14
2N3055
Q2 R8 0.47 / 5W
47
R2
470
R15
2N3055
Q3 R9 0.47 / 5W
47
R3
470
R16
2N3055
Q4 R10 0.47 / 5W
47
R4
470
R17
2N3055
Q5 R11 0.47 / 5W
47
R5
470
R18
2N3055
Q6 R12 0.47 / 5W
47
R6
470 R19
R20 100
5.6K
GND - VDC
TIP31C
R21 C1 Q7 R22
470 0.1uF
R23 470 3K3 P1

100K
Z1
3V 9
D2 D3
18
16
14
U1 D6
1N4004 1N4004 3
VC
VCC+
OUT
CL
LM723 1N4148
17 VAC C2
VREF
VCC-
IN+
2200uF / 25V 4
FC
IN-
D4 D5 CS
19
10
1N4004 1N4004 C3 R29

6
100K
R28
680pF
100K
R25 R30
3K3 R27 3K3
C4 680
100uF / 16V
R26 D7 P2
R24 3K3 100K
1K 1N4148 C5 REGULADOR DE 35 V / 20 A
10uF / 63V

208
REGULADOR DE 5V / 1.5 A
1N4005
LM317
1 3
VIN VOUT
+ + 5 VDC / 1.5A
ADJ
121
1N4005
0.1uF/50V
2
1000uF/50V
100uF/25V
365
- 100uF/50V

REGULADOR DE 20V / 5 A
1N4005
LM338K
1 3
VIN VOUT
+ + 20 VDC / 5A
ADJ
0.1uF/50V 0.1uF/50V
22000uF/50V 121
2
100uF/25V 0.1uF/50V
22uF/50V
1.82K
- 100uF/50V

REGULADOR DE ‐ 20V / 1.5 A
1N4005
LM337
1 3
VIN VOUT
- - 20 VDC / 1.5A
ADJ
1N4005
121
1000uF/50V
0.1uF/50V
2
100uF/25V
100uF/50V
1.82K
+

209
REGULADOR DE 25V / 6 A

0.1uF
MJ3000
0.1uF 0.2/5W
+ 8A 220
0.2/5W
13
12
11
10
9
VARISTOR 47K 27V +
VZ
VC
OUT
VCC+
- 2.2/10W 10K
FRQCOMP
1nF MJ3000 0.2/5W
LM723 0.2/5W -
10 1K
VREF
GND
IN+
CS
IN-
CL
2
3
4
5
6
30V
390pF 50pF
+ 20V 5.1K 1K
47K
Q3
SCR 1N4148 3.3V 3.3V 390pF 390pF
5K
1K 1uF/50V
33K
1K 1nF 560
100

Limitación de corriente:
Una protección muy común en los reguladores es el límite de corriente.

Al limitar la corriente en la carga podemos evitar que el regulador se destruya al
exceder su capacidad de corriente y de consumo de potencia.

En el diagrama de bloques del LM723 se tiene ese tipo de protección:
210
12 11
V+
Vc
13
FC
7
VZ2
6 5
+
Vref 13
4 Vout-10
-
4
VZ - 9
V-
7 CL - 2
CS - 3

Los terminales CL y CS permiten activar esta protección en el regulador. Cuando el
voltaje VCL‐CS es igual a 0.6V, el transistor comienza a conducir y quita corriente
de base al transistor de salida, impidiendo que su corriente exceda un límite
prefijado. Entre CL y CS se pone una resistencia shunt de bajo valor, la cual detecta
la corriente de carga.

En los esquemas anteriores de las fuentes de 24V – 20 A y 25V – 6 A mostrados
anteriormente, se ve el uso de esta protección.

A continuación es mostrada la gráfica de respuesta típica en un regulador:
VL
IL
ILmáx Icc

211
Icc es la corriente de cortocirciuito (con RL = 0).

Vemos que al activarse la protección, la tensión de salida empieza a reducirse para
evitar que la corriente suba excesivamente.

El transistor regulador debe diseñarse para soportar la potencia que disipará con la
corriente Icc.

Limitación tipo foldback:
Esta protección es una versión mejorada del límite de corriente. Hace que la
corriente de cortocircuito sea menor que ILmáx. Esto permite que ante un
cortocircuito el transistor regulador no disipe una potencia muy elevada.

A continuación es mostrada la gráfica de respuesta típica de un regulador con este
tipo de protección:

VL
IL
Icc ILmáx

Protección contra corto circuito:
Es otro tipo de protección en los reguladores que impide la circulación de corriente
cuando se presenta un corto circuito en la salida.

212
Un ejemplo es el siguiente:
R1
Q1
R3
VZ
POT RL
Q2
FUENTE NO REGULADA
Salida
R2 R4

El transistor Q2 entrega corriente al transistor regulador Q1. Ante un cortocircuito
en la salida, Q2 pasa a la zona de corte y deja de darle corriente a Q1, con lo que él
también pasa a la zona de corte y ya no hay corriente de salida.

Limitación de potencia:
Esta protección consiste en detectar tanto la tensión como la corriente del
transistor de potencia y conectarlas a un circuito multiplicador para obtener una
señal proporcional a la potencia que disipa. Esta se compara con el nivel de
referencia que establece la máxima potencia que debe disipar. Cuando se produce
un exceso, el control lo obligará a disminuir su consumo de potencia.

Es una protección costosa porque requiere el uso de componentes especiales para
la protección.

Protección crowbar:
Este tipo de protección es usado para evitar que se prduzca una sobretensión en la
salida que pueda dañar la carga. Esto puede producirse cuando se cruzan los
transistores de potencia de salida.

Un ejemplo es el siguiente: Regulador de 25V / 6 A
213
0.1uF
MJ3000
0.1uF 0.2/5W
+ 8A 220
0.2/5W
13
12
11
10
9
VARISTOR 47K 27V +
VZ
VC
OUT
VCC+
- 2.2/10W 10K
FRQCOMP
1nF MJ3000 0.2/5W
LM723 0.2/5W -
10 1K
VREF
GND
IN+
CS
IN-
CL
2
3
4
5
6
7
30V
390pF 50pF
+ 20V 5.1K 1K
47K
Q3
SCR 1N4148 3.3V 3.3V 390pF 390pF
5K
1K 1uF/50V
33K
1K 1nF 560
100

Ante una falla de los transistores MJ3000, aparecerá una tensión mayor de 25V en
la salida. Al superar los 30V, el zener de 30V conducirá y hará disparar al SCR Q3, el
cual hará un cortocircuito a la entrada obligando a quemarse el fusible de 8 A, con
o cual la fuente quedará desconectada. La resistencia en serie con el SCR se emplea
para evitar que este dispositivo conduzca demasiada corriente y se destruya.

Reguladores fijos con circuito integrado:
Son reguladores lineales cuya salida no puede variarse. Son muy populares porque
facilitan mucho el diseño de fuentes de alimentación.

Hay modelos que entregan tensión positiva y otros que entregan tensión negativa.
Se tienen 2 familias muy conocidas:

La serie LM78xx es una familia de reguladores positivos. El número xx indica la
tensión. Ejemplo: LM7812 = Regulador positivo de 12 voltios.

La siguiente figura muestra un encapsulado típico con su disposición de pines:
214

Vemos que los terminales se numeran de izquierda a derecha. El encapsulado
mostrado corresponde al código TO220. El terminal 1 (Input) es la entrada
proveniente de la tensión rectificada y filtrada. El terminal 2 (Ground) es el de
referencia (Tierra) el terminal 3 (Output) es la salida del voltaje regulado, respecto
al de referencia. El terminal 2 está también conectado a la lámina metálica, la cual
se emplea para montaje en un disipador.

La serie LM79xx es una familia de reguladores negativos. Igualmente, el número xx
indica la tensión. Ejemplo: LM7905 = Regulador negativo de ‐12 voltios.

La siguiente figura muestra un encapsulado típico con su disposición de pines:

En este caso vemos que los terminales se numeran empezando del pin marcado
con el círculo, el cual indica al terminal 1. El encapsulado mostrado corresponde
también al código TO220. El terminal 1 (Ground) es el de referencia (Tierra). El
terminal 2 (Input) es la entrada proveniente de la tensión rectificada y filtrada. El
terminal 3 (Output) es la salida del voltaje regulado, respecto al de referencia. El
terminal 2 está también conectado a la lámina metálica, la cual se emplea para
montaje en un disipador.

215
UNIDAD TEMÁTICA
No. 7

RESPUESTA EN FRECUENCIA
Hasta ahora hemos considerado que los parámetros de los transistores son
constantes. Sin embargo, en la práctica, esto no es cierto. Dichos parámetros
dependen de los puntos de operación, de la temperatura, de la frecuencia, etc.

A la respuesta en frecuencia se le entiende como la respuesta en estado
estacionario (régimen permanente) de un amplificador ante una entrada
sinusoidal. Para el estudio del amplificador, se varía la frecuencia de la sinusoide de
entrada dentro de un determinado rango de frecuencias y se obtiene la respuesta
resultante. Este método nos permite hacer el análisis y diseño del circuito. Además
es muy sencillo de realizar en el laboratorio, donde los instrumentos básicos que se
necesitan son un generador sinusoidal de frecuencia variable y un osciloscopio.
La teoría de control, junto con los modelos del transistor nos dan todas las
herramientas necesarias para estudiar el comportamiento de los circuitos al variar
la frecuencia.

Actualmente, para un estudio más detallado, contamos con programas de cálculo
(como MATLAB y MATHEMATICA) y de simulación (como SPICE, EMTP, CIRCUIT
MAKER, WORKBENCH, SIMCAD, MULTISIM, etc.).

MATLAB es un programa de cálculo, muy popular, basado en matrices, que además
permite efectuar programaciones y cuenta con paquetes especializados.

En el campo de los programas de descripción de hardware analógico y de
simulación, los más populares son SPICE (Simulation Program with Integrated
Circuits Emphasis), que es un programa de uso general orientado a circuitos y
EMTP (Electro Magnetic Transients Program), desarrollado para la industria de
Electrónica de Potencia.

Los programas de simulación son muy útiles para analizar el comportamiento de un
circuito y permiten tener un laboratorio virtual con el cual podemos hacer rápidos
ajustes hasta lograr la respuesta deseada, para luego pasar a la prueba del circuito
en el laboratorio. También nos sirven como herramienta de estudio pues podemos
verificar nuestros cálculos teóricos y explorar lo que podría suceder sI se varían
determinados parámetros.
217
Uno de los métodos más utilizados para estudiar la respuesta en frecuencia de un
amplificador son los Diagramas de Bode (diagramas logarítmicos de la ganancia y la
fase en función de la frecuencia). La frecuencia se representa en escala logarítmica
y la fase y ganancia en escala decimal (en grados y decibeles, respectivamente).

Al rango de frecuencias comprendida entre una frecuencia cualquiera f1 y 2f1
recibe el nombre de octava de frecuencias. Las pendientes de las rectas en este
rango se expresan en db/octava.

Al rango de frecuencias comprendida entre una frecuencia cualquiera f1 y 10f1
recibe el nombre de década de frecuencias. Las pendientes de las rectas en este
rango se expresan en db/década.

Una pendiente de 20 db/década es prácticamente equivalente a una pendiente de
6 db/octava.

5.1.‐ RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES:
La respuesta en frecuencia se refiere al comportamiento de los dispositivos
y amplificadores al cambiar la frecuencia.

En líneas generales, el estudio de los amplificadores en el dominio de la
frecuencia (al excitar al amplificador con señales sinusoidales) se divide en
tres partes:

1) RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA: Un amplificador puede variar su
ganancia en frecuencias bajas (desde frecuencia 0 (ó DC) hasta una
frecuencia fL) debido principalmente a las reactancias externas del
circuito (por ejemplo, capacidades de acoplo y bypass). La frecuencia
fL (ó wL) recibe el nombre de frecuencia de corte inferior. Aquí, para
realizar el análisis, se utilizan los modelos de baja frecuencia del
transistor junto con las reactancias externas de acoplo y bypass que,
en este caso, no deben despreciarse.

Una excepción es el amplificador operacional, que puede responder
con su máxima ganancia desde DC.

2) RESPUESTA EN FRECUENCIAS MEDIAS: En esta región el amplificador
actúa con su máxima ganancia y sus parámetros pueden considerarse
como números reales. Aquí se utilizan los modelos de baja frecuencia
del transistor. Las reactancias externas pequeñas pueden ser
218
consideradas como cortocircuitos y las reactancias grandes como

circuitos abiertos.

3) RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA: En esta región el amplificador
disminuye su ganancia al aumentar la frecuencia (desde el valor fH).
La frecuencia fH (ó wH) recibe el nombre de frecuencia de corte
superior. Este fenómeno se debe a las reactancias internas de los
transistores. En general, el amplificador no puede aumentar o
mantener constante su ganancia indefinidamente al aumentar la
frecuencia. Siempre habrá alguna frecuencia alta a la cual la ganancia
empieza a disminuir. Esto nos indica que siempre habrán más polos
que ceros en su función de transferencia

PUNTOS DE MEDIA POTENCIA Y ANCHO DE BANDA:
Comúnmente las frecuencias fL (ó wL) y fH (ó wH), anteriormente
mencionadas, se determinan en los puntos en que la señal de salida posee
la mitad de la potencia que tiene en frecuencias medias. Cuando la
ganancia se expresa en decibeles, los puntos de media potencia se
determinan restando 3 db a la ganancia en frecuencias medias.

El ancho de banda de un amplificador se define como la diferencia entre las
frecuencias de corte superior y de corte inferior:

BW = fH – fL (usando la frecuencia cíclica)
ó
BW (rad/s) = wH ‐ wL (usando la frecuencia angular)

Hay casos en los cuales el ancho de banda se define con diferente criterio,
como es el caso de los amplificadores de vídeo, donde se determina
restando sólo 1 db a la ganancia en la región de frecuencias medias debido
a que la vista puede detectar variaciones más pequeñas en los niveles de
iluminación

Actividad. Pasividad.
Un transistor es pasivo cuando la potencia promedio total en pequeña
señal que ingresa por todos sus puertos es cero o positiva. (Si es cero, el
circuito no tiene pérdidas. Si es positivo, el circuito tiene pérdidas).

En el caso contrario, el transistor es activo.

219
Modelo de parámetros π ‐ híbridos del transistor
Este modelo de alta frecuencia y pequeña señal del transistor es muy usado
porque sus parámetros se mantienen casi constantes con la frecuencia.
Pueden ser usados hasta la frecuencia de corte alfa (fα) del transistor.

A continuación se muestra el modelo:

Cμ
ib ic
rx rμ
B C
+ + +
vbe rπ Cπ ro vce
Vπ
- - gm Vπ -
E E

rx = resistencia de dispersión de base
rπ = resistencia de entrada
rμ = resistencia de realimentación
ro = resistencia de salida
Cπ = capacidad de centrada
Cμ = capacidad de realimentación

Este modelo puede ser simplificado según la frecuencia de operación,
teniendo en cuenta las redes en paralelo: rπ‐Cπ y rμ‐Cμ
1
rπ y la reactancia de Cπ son iguales a la frecuencia: f1 =
2πrπ Cπ

A frecuencias mucho menores que f1 se puede despreciar Cπ y sólo queda
rπ

A frecuencias mucho mayores que f1 se puede despreciar rπ y sólo queda
Cπ

1
rμ y la reactancia de Cμ son iguales a la frecuencia: f 2 =
2πrμ C μ

220
A frecuencias mucho menores que f2 se puede despreciar Cμ y sólo queda
rμ

A frecuencias mucho mayores que f2 se puede despreciar rμ y sólo queda
Cμ

Comúnmente se cumple que: Cπ >> Cμ y rμ >> rπ >> rx

Según los valores de estos parámetros, podremos simplificar más al circuito
equivalente.

A frecuencias de audio, el modelo puede reducirse a:

B C
+
Vπ
rπ
- gm V π
E E

Mediante estos parámetros podemos hallar la máxima frecuencia hasta la
cual el transistor se comporta como dispositivo activo:

1 gm
f max =
2π 4rx Cπ C μ

A frecuencias mayores que fmáx, el transistor se comporta como
dispositivo pasivo.

RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL TRANSISTOR.
Los parámetros del transistor también varían con la frecuencia.

Respuesta en frecuencia en emisor común: Aquí graficamos la magnitud asintótica
de la ganancia, hfe, en db vs frecuencia:
221
h fe
db
h feo
0 fβ fT
f

fβ = Frecuencia de corte β. Es la frecuencia del punto de media potencia de hfe.

fT = Frecuencia de transición. Es la frecuencia a a cual la magnitud de hfe se hace
igual á 1. También se le llama producto ganancia – ancho de banda.

Producto ganancia‐ancho de banda.
La frecuencia de transición (fT)es dada por:
g
fT = m
2πCπ

Esta frecuencia también recibe el nombre de producto ganancia‐ancho de banda
La ganancia de corriente en baja frecuencia es: h fe = g m rπ

Frecuencias de corte.
La frecuencia de corte β (fβ)es dada por:
fT 1
fβ = =
h fe 2πrπ Cπ

Respuesta en frecuencia en base común: Aquí graficamos la magnitud asintótica
de la ganancia, hfe, en db vs frecuencia:

α
db
αo
0 fα
f

222
fα = Frecuencia de corte α. Es la frecuencia del punto de media potencia de α. Su
valor es muy cercano a fT.

METODOS DE RESPUESTA EN FRECUENCIA
Hay tres métodos de representación de funciones de transferencia sinusoidales, los
cuales son:

‐ Diagramas de Bode (diagramas logarítmicos)
‐ Diagrama polar o de Nyquist
‐ Diagrama del logaritmo de la amplitud en función de la fase.

DIAGRAMAS DE BODE:
Son diagramas logarítmicos que representan la función de transferencia en el
estado estacionario con excitación sinusoidal. Debido a que la función de
transferencia en el dominio de la frecuencia y en estado estacionario con pequeña
señal, es un número complejo, tendrá magnitud y fase, por lo general, ambas
dependientes de la frecuencia.

La magnitud se expresa en decibeles (db, que es la décima parte del Bel, una
unidad de potencia sonora), la fase en grados sexagesimales; ambas se grafican en
escala decimal y la frecuencia se representa en un eje logarítmico. El uso de los
decibeles para la ganancia facilita la obtención de los diagramas de sistemas más
complejos debido a que los productos se convierten en sumas y las divisiones en
restas. Esto a su vez permite tener la representación de magnitud y fase de
factores elementales para, en base a ellos, obtener las gráficas de sistemas más
complejos.

Por ese motivo estudiaremos primero los cuatro factores básicos que pueden
intervenir en la función de transferencia:

Factor ganancia (Ao): El factor ganancia es un número real. Cuando es expresado
en db, será positivo si Ao es mayor que 1 y será negativo cuando Ao es menor que
1. Las ecuaciones para su diagrama de Bode son:

La magnitud en db es: Ao(db) = 20log(Ao)

Si tiene signo positivo, la fase será 0° y, si es negativo, la fase será 180°.

Tanto la magnitud como la fase son constantes con la frecuencia.
223
F a c t o r G a n a n c ia
30
25
20
Ao(db)
15
10
0
-1 0 1
10 10 10
f (H z )

Factores integrales y derivativos: Son de la forma: G(jw) = 1/jw ó G(jw) = jw

1) Para el factor integral:
La magnitud en db es: |G(jw)|db = 20log(1/w) = ‐20log(w)
La fase es constante: Φ(jw) = ‐90°

F a c t o r In t e g r a l
20
10
p e n d ie n t e = -2 0 d b / d e c
0
|G(jw)|db
-1 0
-2 0
-3 0
-4 0
-1 0 1 2
10 10 10 10
w ( fr e c u e n c i a a n g u l a r )

224
F a s e d e l F a c t o r In t e g r a l
-8 9
-8 9 .2
-8 9 .4
-8 9 .6
-8 9 .8
F a s e c o n s ta n te = - 9 0 g ra d o s
-9 0
-9 0 .2
-9 0 .4
-9 0 .6
-9 0 .8
-9 1
-1 0 1 2
1 0 1 0 1 0 1 0

2) Para el factor derivativo:
La magnitud en db es: |G(jw)|db = 20log(w) = 20log(w)

La fase es constante: Φ(jw) = 90°

F a c t o r D e riva t ivo
4 0
3 0
p e n d ie n t e = + 2 0 d b /d e c
2 0
|G(jw)|db
1 0
-1 0
-2 0
-1 0 1 2
1 0 1 0 1 0 1 0
w ( fr e c u e n c ia a n g u la r)

F a s e d e l F a c t o r D e r i va t i vo
91
9 0 .8
9 0 .6
9 0 .4
9 0 .2
F a s e c o n s t a n t e = 9 0 g ra d o s
Fase
90
8 9 .8
8 9 .6
8 9 .4
8 9 .2
89
-1 0 1 2
10 10 10 10

225
Factores de primer orden: Son de la forma:
G(jw). = (1 + jwT) ó G(jw) = 1 / (1 + jwT)

1) Cero de primer orden: G(jw) = 1 + jwT

La magnitud en db es: |G(jw)|db = 10log(1 + (wT)2)

La fase es: Φ(jw) = arctan(wT)

Estas gráficas se representan muchas veces por sus asíntotas, las que la
describen en forma bastante aproximada, pudiéndose llegar con bastante
precisión a la gráfica real haciendo algunas correcciones. Estas asíntotas se
obtienen para wT << 1 y para wT >> 1:

Para: wT << 1, la magnitud se aproxima a 0db; por lo tanto, la primera
asíntota está representada por una recta horizontal en 0db.

Para: wT >> 1, la magnitud se aproxima a 20log(wT); por lo tanto, la segunda
asíntota será una recta con pendiente = 20 db/dec (similar al factor
derivativo).

Ambas asíntotas se encuentran en el punto wT = 1, completando la
representación asintótica.

El máximo error entre la representación real y la asintótica se presenta en
wT = 1. En este caso el error es de: 3.03db.
Este punto equivale al punto de media potencia.
Una octava antes, el error es: 0.97db
Una octava después el error también es: 0.97db
Una década antes, el error es: 0.0432db
Una década después el error también es: 0.0432db

226
C e ro d e P rim e r O r d e n
4 5
4 0
3 5
p e n d ie n t e = + 2 0 d b / d e c
3 0
2 5
|G(jw)|db
2 0
1 5
1 0
5 C u r v a re a l
G r a fic a a s in t o t ic a
0
- 1 0 1 2
1 0 1 0 1 0 1 0
w ( fr e c u e n c ia a n g u la r )

2) Polo de primer orden: G(jw) = 1/(1 + jwT)
La magnitud en db es: |G(jw)|db = ‐10log(1 + (wT)2)
La fase es: Φ(jw) = ‐arctan(wT)

Estas gráficas también se representan sus asíntotas.
Estas asíntotas se obtienen para wT << 1 y para wT >> 1:

Para: wT << 1, la magnitud se aproxima a 0db; por lo tanto, la primera
asíntota está representada por una recta horizontal en 0db.

Para: wT >> 1, la magnitud se aproxima a ‐20log(wT); por lo tanto, la
segunda asíntota será una recta con pendiente = ‐20 db/dec (similar al
factor integral).

Ambas asíntotas se encuentran en el punto wT = 1, completando la
representación asintótica.
227
El máximo error entre la representación real y la asintótica se presenta en
wT = 1. En este caso, el error es de: ‐3.03db. Este punto equivale al punto
de media potencia.

Una octava antes, el error es: ‐0.97db
Una octava después el error también es: ‐0.97db
Una década antes, el error es: ‐0.0432db
Una década después el error también es: ‐0.0432db

P o lo d e P rim e r O rd e n
0
G r á fi c a a s i n t ó t i c a
-5 C u rva re a l
-1 0
-1 5
|G(jw)|db
-2 0
-2 5
-3 0
-3 5
-4 0
-2 -1 0 1 2
10 10 10 10 10

228
A continuación damos la tabla con los factores de corrección para magnitud y fase:

wT 0.1 0.5 1 2 10
|G(jw)|db +/‐ 0.0432 +/‐ 0.97 +/‐ 3.03 +/‐ 0.97 +/‐ 0.0432
Fase +/‐ 5.7° +/‐ 26.6° +/‐ 45° +/‐ 63.4° +/‐ 84.3°

Factores cuadráticos:
Son de la forma:
G(jw). = [1 + 2ζ(jw/wn) + (jw/wn)2] ó G(jw) = 1 / [1 + 2ζ(jw/wn) + (jw/wn)2]

wn recibe el nombre de frecuencia natural
ζ recibe el nombre de factor de amortiguamiento

Estos factores tienen 3 tipos de respuesta:

Cuando ζ > 1, la respuesta es sobre amortiguada y las raíces son reales.

Cuando ζ = 1, la respuesta es críticamente amortiguada y las raíces son reales e
iguales.

Cuando 0 < ζ > 1, la respuesta es sub amortiguada y las raíces son complejas y
conjugadas.

La respuesta con que actúe depende de los valores de ζ y wn; éstos a su vez
dependen de los valores de los componentes del amplificador.

1) Ceros de segundo orden: G(jw) = [1 + 2ζ(jw/wn) + (jw/wn)2]

La magnitud en db es: |G(jw)|db = 10log{[1 – (w/wn)2]2 + (2ζw/wn)2)}
La fase es: Φ(jw) = arctan{(2ζw/wn)/[1 – (w/wn)2]}

B o d e D ia g ra m s
M a g n it u d
4 0
P e n d ie n t e = 4 0 d b / d e c
2 0
Phase (deg); Magnitude (dB)
F a c t o r d e a m o r t ig u a c ió n = 0 . 1
0
- 2 0
w / w n ( fr e c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )
2 0 0
1 5 0
Fase
1 0 0 F a c t o r d e a m o rt ig u a c ió n = 0 . 1
5 0
0
-1 0 1
1 0 1 0 1 0
w / w n ( fr e c u e n c ia a n g u la r n o r m a liz a d a )
F r e q u e n c y (r a d / s e c )

229

M a g n itu d
50
40
30
20
10 F a c t o r d e a t e n u a c ió n = 1
0
w / w n (fre c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )
200
150
Fase
100
F a c t o r d e a t e n u a c ió n = 1
50
0
1 0 -1 100 101
F re q u e n c y (ra d / s e c )

M a g n itu d
100
80
60
40
20
0
200
150
Fase
100 F a c t o r d e a t e n u a c ió n = 5
50
0
1 0 -2 1 0 -1 100 101 102

Observando las gráficas de cada caso, podemos decir que:
Cuando el sistema es sub amortiguado, aparece un pico de resonancia en el cual la
ganancia disminuye, la pendiente en esa región es más pronunciada (más
selectiva), llegando a una pendiente de 40db/década para frecuencias altas.
230
Cuando el sistema es críticamente amortiguado, ya no hay pico de resonancia, la

pendiente en esa región es menos pronunciada, llegando a una pendiente de
40db/década para frecuencias altas.

Cuando el sistema es sobre amortiguado, tampoco hay pico de resonancia, la
pendiente inicial es la más baja (la menos selectiva), subiendo a 40db/década para
frecuencias altas.

Podemos observar también que los ceros aumentan la magnitud (o ganancia) al
elevar la frecuencia.

2) Para: G(jw) = 1/[1 + 2ζ(jw/wn) + (jw/wn)2]

La magnitud en db es: |G(jw)|db = ‐10log{[1 – (w/wn)2]2 + (2ζw/wn)2)}
La fase es: Φ(jw) = ‐arctan{(2ζw/wn)/[1 – (w/wn)2]}

Observando las gráficas siguientes de cada caso, podemos decir que:
Cuando el sistema es sub amortiguado, aparece un pico de resonancia en el
cual la ganancia aumenta, la pendiente en esa región es más inclinada (más
selectiva), llegando a una pendiente de ‐40db/década para frecuencias
altas.

El pico de resonancia se presenta a la frecuencia de resonancia
ω r = ω n 1 − 2ξ 2

Podemos observar que ωr existe sólo para valores de: 0 < ξ < 0.707

1
El valor del pico de resonancia es dado por: M r =
2 1−ξ 2
válido para valores de la relación de amortiguación (ξ): 0 < ξ < 0.707

Para valores de: ξ > 0.707 entonces: Mr = 1
Para valores de ξ que se acercan a cero : Mr = tiende a infinito

Cuando el sistema es críticamente amortiguado, ya no hay pico de
resonancia, la pendiente en esa región es menos pronunciada, llegando a
una pendiente de ‐40db/década para frecuencias altas.

231
Cuando el sistema es sobre amortiguado, tampoco hay pico de resonancia,
la pendiente inicial es la más baja (la menos selectiva), cayendo a ‐
40db/década para frecuencias altas.

Podemos observar también que los polos disminuyen la magnitud (o
ganancia) al elevar la frecuencia.

P o lo s d e S e g u n d o O rd e n
2 0
F a c to r d e a t e e n u a c ió n = 0 . 1
-2 0
P e n d ie n t e = -4 0 d b /d e c
-4 0
w /w n ( fr e c u e n c i a a n g u la r n o rm a liz a d a )
0
-5 0
F a c to r d e a t e e n u a c ió n = 0 . 1
Fase
-1 0 0
-1 5 0
-2 0 0
-1 0 1
1 0 1 0 1 0
w /w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
F re q u e n c y (ra d /s e c )

P o lo s d e S e g u n d o O r d e n
0
- 1 0
- 2 0
- 3 0
P e n d ie n t e = -4 0 d b / d e c
- 4 0
w / w n ( fr e c u e n c ia a n g u la r n o rm a liz a d a )
0
- 5 0
Fase
- 1 0 0
- 1 5 0
- 2 0 0
-1 0 1
1 0 1 0 1 0
w / w n ( fr e c u e n c ia a n g u la r n o r m a liz a d a )

232
P o lo s d e S e g u n d o O r d e n
0
-20
-40 F a c t o r d e a t e n u a c ió n = 5
-60
-80
P e n d ie n t e = -4 0 d b / d e c
-100
w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )
0
-50
Fase
-100
-150
-200
1 0 -2 1 0 -1 100 101 102
w / w n ( fr e c u e n c i a a n g u l a r n o r m a l i z a d a )

RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA
Estudiaremos el caso de un amplificador en emisor común como el mostrado a
continuación:

+VCC
R1
RC
C2
C1
+
RL Vo
-
Vg
R2 RE
CE

Para estudiar la respuesta en baja frecuencia hallaremos la función de
transferencia (ganancia de tensión) considerando sólo las capacidades externas y
asumiremos que las capacidades internas del transistor son circuitos abiertos a
estas frecuencias.

A continuación representamos al circuito con su modelo para señal:
233
C2
C1
Q
+
Rb RC RL Vo
Vg -
RE CE

Rb = R1//R2

A continuación reemplazamos al transistor por su modelo simplificado para
pequeña señal y baja frecuencia. Vemos que en este caso las capacidades de
desacoplo y bypass no se desprecian.

C2
ib
C1
hfe ib
hie
+
Rb RC RL Vo
Vg -
RE CE

Planteamos las ecuaciones de Kirchoff para obtener la función de transferencia:

(h fe RC RL C2 s )(ib )
Vo = −
1 + (RC + RL )C 2 s


ib (Rb C1 s )(1 + RE C E s )
=
V g (1 + h fe RE )(1 + Rb C1 s ) + (1 + RE C E s )(1 + Rb C1 s )hie + (1 + RE C E s )Rb

234
Finalmente:
⎛ h fe RC RLC2 ⎞ 2
− ⎜⎜ ( )
⎟⎟ s (1 + RE CE s)
Vo (s) ⎝ ie E E ⎠
h R C
Av (s) = =
Vg (s) ⎡ 2 ⎛ 1 1 + h fe ⎞ ⎡ Rb + hie + (1 + h fe )RE ⎤⎤
[1 + (RL + RC )s]⎢s + s⎜⎜ +
1
+
1
+ ⎟⎟ + ⎢ ⎥⎥
⎢⎣ ⎝ RE CE hieC1 RbC1 hieCE ⎠ ⎣ hie Rb R E C1C2 ⎦⎥⎦

Hacer el cálculo manual de una función como la mostrada (o de otras más
complejas) es un trabajo largo y tedioso. Sin embargo, podemos observar la función
de transferencia y sacar algunas conclusiones que nos permitan obtener una idea de
la forma de la respuesta en baja frecuencia con cálculos más sencillos aunque
aproximados.

Observamos que esta función de transferencia tiene 3 ceros:

‐ Dos en el origen: s = 0 y
‐ Uno en: s = ‐1/ RECE

Podemos decir que el cero producido por CE se obtiene multiplicándolo por la
resistencia que tiene en paralelo. Este producto es la constante de tiempo en el
emisor.

Observamos también que la función de transferencia en baja frecuencia tiene 3
polos:

- Uno en: s = ‐1/(RC+ RL)C2

En este caso podemos decir que el polo de salida se obtiene con la resistencia que
``ve´´ C2 cuando los demás condensadores se comportan como cortocircuitos y no
hay señal de entrada.

- Los otros dos polos corresponden a un factor de segundo orden. Sin
embargo, si queremos que estos polos sean reales, podemos aplicar el
criterio anterior para determinar aproximadamente los otros dos polos:

Podemos hallar aproximadamente el polo introducido por C1 determinando la
resistencia que ``ve´´ dicho condensador cuando los demás se comportan como
cortocircuito (o circuito abierto, según la frecuencia empleada) y no hay señal de
entrada:

235
Según esto, la resistencia que ``ve´´ C1 es: Rb//hie

−1
Luego, el polo aproximado producido por C1 es: s =
C1 (Rb // hie )

Al polo introducido por CE también podemos determinarlo aproximadamente
mediante la resistencia que ``ve´´ dicho condensador cuando los demás se
comportan como cortocircuito y no hay señal de entrada:

⎛ h ⎞
Según esto, la resistencia que ``ve´´ CE es: R E // ⎜ ie ⎟ = RE // hib
⎜1+ h ⎟
⎝ fe ⎠

1
Luego, el polo aproximado producido por CE es: s = −
⎛ hie ⎞
C E RE // ⎜ ⎟
⎜1+ h ⎟
⎝ fe ⎠

Donde hib es la resistencia de entrada del transistor en base común.

Supongamos ahora que a la función de transferencia anterior podemos factorizarla
y expresarla en la forma siguiente:
⎛ s ⎞
Ao (s 2 )⎜⎜1 + ⎟⎟
V (s ) ⎝ zE ⎠
Av (s ) = o =−
Vi (s ) ⎛ s ⎞⎛ s ⎞⎛ s ⎞
⎜⎜1 + ⎟⎟⎜⎜1 + ⎟⎜1 + ⎟
⎝ p1 ⎠⎝ p E ⎟⎠⎜⎝ p 2 ⎟⎠

p p p
Multiplicando el numerador y el denominador por: 1 E3 2 y desarrollando
s
Obtenemos en el estado estacionario:

⎛ 1 1 ⎞
− Ao ⎜⎜ + ⎟⎟ p1 p 2 p E
Vo (s ) ⎝ jw z ⎠
Av (s ) = = E
Vi (s ) ⎛ 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞ ⎛ 1 ⎞
1 + ⎜⎜ ⎟⎟( p1 + p2 + p E ) + ⎜⎜ 2 ⎟⎟( p1 p2 + p1 p E + p 2 p E ) + ⎜⎜ 3 ⎟⎟ p1 p 2 p E
⎝ jw ⎠ ⎝ jw ⎠ ⎝ jw ⎠

Si queremos determinar la frecuencia de corte inferior (wL), debemos notar que,
por lo general, p1, p2 y pE serán menores que wL; entonces, a frecuencias cercanas
a wL los términos cuadráticos y cúbicos serán más chicos que el término con 1/jw.
236
Cumpliéndose lo anterior, podremos afirmar que la frecuencia de corte inferior
puede ser hallada aproximadamente por la expresión:

ω L = p1 + p 2 + p E

A su vez, p1, p2, y pE se pueden hallar bajo el criterio anterior, determinando la
resistencia que ``ve´´ cada condensador cuando los demás se comportan como
cortocircuito y la señal de entrada se hace cero.

PROBLEMA 7.1: En el circuito mostrado, determine el polo y el cero introducido
por C1 cuando C2 y CE se comportan como cortocircuito

+VCC
R1
RC
C2
C1
+
RL Vo
-
Vg
R2 RE
CE

El modelo para señal, con las condiciones dadas, es el siguiente

ib
C1
hfe ib
hie
+
Rb RC RL Vo
Vg -

Vo = − h fe (RC // RL )ib
(C1 s )(Rb // hie )Vg
ib =
hie (1 + (Rb // hie )C1 s )

Finalmente:
Vo (s ) (− h fe )(RC // RL )(Rb // hie )(C1 s )
Av (s ) = =
V g (s ) hie (1 + (Rb // hie )C1 s )
237
−1
Podemos ver que aparece un cero en el origen y un polo en: s =
(Rb // hie )C1

Rb//hie es justamente la resistencia que ``ve´´ C1 cuando los demás condensadores
se comportan como cortocircuito y no hay señal de entrada.

PROBLEMA 7.2: Repita el problema anterior hallando el polo y el cero introducido
por CE cuando C1 y C2 se comportan como cortocircuito

El modelo para señal en este caso es el mostrado en el siguiente gráfico.
Igualmente:
Vo = − h fe (RC // RL )ib

Además:
Vg (1 + RE C E s )Vg
ib = =
hie + (1 + h fe )RE + hie RE C E s

⎛ ⎛ 1 ⎞⎞
hie + (1 + h fe )⎜⎜ RE // ⎜⎜ ⎟⎟ ⎟
⎟
⎝ ⎝ CE s ⎠⎠

Finalmente:
ib
hfe ib
hie
+
Rb RC RL Vo
Vg -
RE CE

Vo (s ) (− h fe )(RC // RL )(1 + R E C E s )
Av (s ) =
=
V g (s ) hie + (1 + h fe )RE + hie RE C E s

−1
Vemos que hay un cero en: s =
RE C E

− (hie + (1 + h fe )RE ) −1
Y un polo en: s= =
hie RE C E (hib // RE )C E
238
Igualmente, podemos decir que el polo se obtiene por medio de la resistencia que
``ve´´ CE cuando los demás condensadores se comportan como cortocircuito y no
hay señal de entrada. Podemos darnos cuenta fácilmente de ello si usamos el
modelo de base común para el transistor.

Lo anterior también nos da un método de diseño para obtener los valores de los
condensadores de acoplo y bypass.

PROBLEMA 7.3: En el circuito mostrado, determine C1, C2 y CE si se quiere una
ganancia igual a 100 en frecuencias medias y una frecuencia de corte inferior de
100 Hz.

RC
2K
R1
10K C2
Rg
1K C1
Q
2N2222
12Vdc
R2
Vg 3k
RE CE RL
820 10K

Como CE es el capacitor que “ve” la menor resistencia, haremos que sea él el que
determine la frecuencia de corte inferior (100 Hz). Para que los otros dos polos no
afecten apreciablemente, haremos que actúen una década antes (10 Hz).

Bajo estas condiciones, cuando actúan C1 y C2, CE aún no actúa y podemos hacer el
siguiente modelo para pequeña señal:
239
C2
Rg
1K C1
Q
2N2222
RL
Rb RC 10K
Vg 2.3k 2K
RE
820

La resistencia que “ve” C1 es: RC1 = Rg + Rb// [hie + (1 + hfe)RE]

Considerando para el transistor: hfe = 80 y hie = 1.3K, empleando el modelo
simplificado:

Reemplazando valores: RC1 = 2.22K

Entonces: C1 = 1 / 2π(10)(2.22K) = 7.15 uF

Podemos elegir el valor comercial superior más próximo: C1 = 10 uF

La resistencia que “ve” C2 es: RC2 = RC + RL = 12 K

Entonces: C2 = 1 / 2π(10)(12K) = 1.33 uF

Podemos elegir el valor comercial superior más próximo: C2 = 2.2 uF

A la frecuencia que actúa CE, C1 y C2 ya han actuado y podemos considerar que se
comportan como cortocircuitos. Bajo estas condiciones, podemos hacer el
siguiente modelo para pequeña señal:
240
Rg
1K
Q
2N2222
RL
Rb RC 10K
Vg 2.3k 2K
RE
820 CE

La resistencia que “ve” CE es: RCE = RE // [hib + (Rb // Rg)/(1 + hfe)]

Reemplazando valores y efectuando: RCE = 820 // [49.3] = 46.5

Entonces: CE = 1 / 2π(100)(46.5) = 34.2 uF

Podemos elegir el valor comercial superior más próximo: CE = 39 uF

Con estos valores podemos hacer una simulación de la respuesta en frecuencia:

CALCULO DE LA RESPUESTA EN FRECUENCIA USANDO MATLAB:
Usaremos como ejemplo el caso de un filtro activo pasa bajo como el siguiente:

R
10K
+ 12 V
7
R
2 - LM741
6
10K 3 +
+
Vs
4
-
R1
5.6K C - 12 V
0.1uF
Vi
R1
C 5.6K
0.1uF

241
La función de transferencia, obtenida considerando características ideales del

OPAMP para simplificar la expresión es la siguiente:

AV (s) = [2 (1 + 2 R1 C s)]/ [1 + R1 C s + R1 C s2]

Reemplazando los valores de los componentes obtenemos:
AV (s) = [2 + 0.00224 s)]/ [1 + 0.00056 s + 0.0000003136 s2]

Con la función de transferencia ya determinada, ingresamos al programa MATLAB

Cuando aparece el prompt (>>)de MATLAB escribimos:

>>num=[0 0.00224 2] <enter>
>>den=[0.0000003136 0.00056 1] <enter>
>>bode(num,den) <enter>
>>title(‘Respuesta en Frecuencia del Filtro Activo Pasabajo’) <enter>

La respuesta en frecuencia empleando un simulador nos da la gráfica siguiente:

4.500 V
A: u1_6
3.500 V
2.500 V
1.500 V
0.500 V
-0.500 V
0.000 Hz 200.0 Hz 400.0 Hz 600.0 Hz 800.0 Hz

DISEÑO DE FILTROS ACTIVOS MEDIANTE AMPLIFICADORES OPERACIONALES
Entre los tipos de filtros tenemos:

- Filtro pasa bajo: Dejan pasar las frecuencias que están por debajo de un
determinado valor (fL)
- Filtro pasa alto: Dejan pasar las frecuencias que están por encima de un
determinado valor (fH)
- Filtro pasa banda: Dejan pasar las frecuencias que están entre un rango de
valores (fL y fH)
- Filtro de rechazo de banda (Notch): Rechazan las frecuencias que estén
entre un rango de valores (fL y fH)
242
- Filtro pasa todo (desfasador): Dejan pasar todas las frecuencias, pero
producen desfasaje. Se les emplea como desfasador.

La función de transferencia de un filtro pasa bajo tiene la forma siguiente:

H(s) = N(s) / D(s)
N(s) y D(s) son polinomios en s

Hay muchas familias de filtros pasa bajos. Cada filtro de una familia posee una
función de transferencia única. La localización y complejidad de los polos y ceros de
la función de transferencia definen por completo la respuesta del filtro. La mayor
parte de los requisitos que debe cumplir un filtro se satisfacen eligiendo cualquiera
de las siguientes familias:

1) Butterworth: Sus polos caen dentro de una circunferencia de radio 1 dentro
del plano complejo. El filtro pasa bajo no tiene ceros. Poseen características
transitorias relativamente buenas. Su respuesta en frecuencia es bastante
plana y su atenuación es con pendiente relativamente acentuada. Se pueden
diseñar con componentes de valores prácticos con tolerancias poco críticas
2) Chebyshev: Presentan una pendiente de atenuación más aguda que el
Butterworth, pero, su respuesta no es plana y presenta rizado; además su
respuesta transitoria no es tan buena como los Butterworth. El filtro pasa
bajo no tiene ceros. La mayor amplitud del rizo hace que la atenuación sea
más aguda, pero su respuesta a los transitorios empeora. Sus polos se
localizan en una elipse en el plano complejo.
3) Bessel: Se emplean para la reproducción fiel de la onda de entrada. Ofrecen,
para ello, un retardo constante en la banda pasante. El filtro pasa bajo no
tiene ceros. Su respuesta en frecuencia no es tan buena como los de las
familias anteriores, pero sus excelentes propiedades transitorias lo hacen
muy útil.
4) Función elíptica: Su función de transferencia posee polos y ceros; esto
permite que su pendiente de atenuación sea incluso más aguda que la de la
familia Chebyshev, pero presenta rizado tanto en la banda pasante como en
la rechazada. Sus circuitos son más complejos, pero requieren menos
secciones para una atenuación dada.

Para facilitar el diseño se emplean filtros normalizados.

Por ejemplo, para un filtro normalizado Butterworth de segundo orden (n = 2) es:

2
H(s) = 1 / [s + 1.414 s + 1]
243
Los polos son: s1 = ‐ 0.707 + j(0.707) y s2 = ‐ 0.707 ‐ j(0.707)

La atenuación es siempre 3 db á 1 rad/s, excepto en los elípticos en los que la
atenuación a 1 rad/s es igual al rizado de la banda pasante.

Cuando se conoce la respuesta en frecuencia que debe tener el filtro, se le debe
normalizar para compararlo con las curvas de respuesta normalizadas de los filtros,
para seleccionar el tipo. Los valores del filtro escogido deberán desnormalizarse
para el intervalo de frecuencias de operación. Este proceso puede requerir
transformaciones si el requisito central no es sólo el filtro pasa bajo.

Para el diseño se tienen gráficos y tablas normalizados para cada familia, las que
permiten calcular los componentes para la topología seleccionada

PROBLEMA 7.4: Diseñe un filtro activo pasa bajo de segundo orden, tipo Bessel,
con ganancia unitaria y frecuencia de corte de 100Hz.

C1
+
R R
-
+
+ V1 VL
Vi -
C2
-

Solución:
Planteamos las ecuaciones de nudo mediante la transformada de La place
considerando el operacional ideal:

(Vi – V1) / R = (V1 – VL)C1s + (V1 – VL) / R

Luego: Vi = V1 (2 + RC1s) – (1 + RC1s)VL
Además: (VL – V1) / R + VL C2s = 0
Luego: VL (1 + RC2s) = V1

Mediante estas ecuaciones hallamos la función de transferencia:
244
1
H(s) = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐
R2C1C2s2 + 2RC2s + 1

De las tablas para diseño de filtros tipo Bessel de segundo orden, normalizados,
obtenemos:

Polos: ‐1.1030 ± j 0.6368

Las capacidades normalizadas son: C1 = 0.9060 C2 = 0.68

La frecuencia angular de corte es: wc = 2πfc = 628 rad/s

Elegimos un valor arbitrario de R: R = 43KΩ

Hallamos los valores reales de C1 y C2, de manera que se aproximen a valores
comerciales:

0.9060 0.68
C1 = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 33.55nF C2 = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 25.18nF
(628)(43K) (628)(43K)

La atenuación a 500Hz será 20.4db

PROBLEMA 7.5: Diseñe un filtro activo pasa bajo de segundo orden, tipo Bessel,
con ganancia igual a 2 y frecuencia de corte de 100Hz.

C R
R
+
R1 R2
-
+
+ V1 VL
Vi C -
-

Solución:
De las tablas para diseño de filtros tipo Bessel de segundo orden, normalizados,
obtenemos:
245
Polos: α ±j β = ‐1.1030 ± j 0.6368

Elegimos un valor arbitrario de la capacidad, de valor comercial: C = 27nF

La frecuencia de corte es: fc = 100Hz

Luego: 1 α
R1 = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 26.67KΩ R2 = ‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐‐ = 80.16KΩ
4πfc α C π fc C (α2 + β2)

ACOPLO CON TRANSFORMADORES EN BANDA ANCHA:
En el siguiente gráfico mostramos un transformador con dos arrollamientos. Si
utilizamos la transformada de La Place obtenemos las ecuaciones que describen su
funcionamiento. En ellas estamos despreciando las resistencias de los devanados.

V1 = sL p I 1 + sMI 2

V2 = sMI 1 + sLs I 2

En consecuencia, todo circuito que tenga las mismas ecuaciones del transformador
podrá ser reemplazado por él, sin que varíen las tensiones ni corrientes.

Además se cumple que:
M = k L p Ls

k = Factor de acoplo

En forma análoga, utilizando transformadores ideales podemos obtener circuitos
que cumplan con las ecuaciones mostradas y todos ellos serán modelos del
transformador

Uno de sus modelos más utilizados se muestra en la figura siguiente:
246
rp Ldp rs
n:1
Lm
IDEAL
rp = resistencia del primario

rs = resistencia del secundario
Ldp = Inductancia de dispersión del primario
Lm = Inductancia de magnetización
n = relación de transformación

Puede expresarse:

Ldp = (1 – k2)Lp ; Lm = k2Lp y n = k(Lp/Ls)1/2

Cuando el factor de acoplo se acerca a la unidad, se puede hacer la siguiente
aproximación:
n = (Lp/Ls)1/2

Consideremos el caso siguiente, en el cual no tomaremos en cuenta otros efectos
de segundo orden que se presentan en el transformador, tales como las no
linealidades del núcleo y la capacidad de los arrollamientos, como se muestra en la
figura siguiente:

Rg rp Ldp rs
n:1
+
Vg Lm Vo
RL -
ideal

Rg = resistencia de la fuente de señal de entrada
RL = resistencia de carga

247
Podemos obtener la función de transferencia:

⎛ nRL ⎞
⎜ ⎟s
V o (s ) ⎜ L ⎟
H (s ) = = ⎝ dp ⎠

Vi (s ) ⎛ R p Rs R ⎞ R p Rs
s + s⎜
2
+ + s ⎟+
⎜L L L ⎟ L L
⎝ dp m dp ⎠ dp m

Donde: Rp = Rg + rp y Rs = n2(RL + rs)

Observamos que:

• Al bajar la frecuencia, la función de transferencia disminuye debido a que
Ldp y Lm tienden a comportarse como corto circuitos.
• Al elevar la frecuencia, la función de transferencia también disminuye
debido a que Ldp y Lm tienden a comportarse como circuito abierto.
• La función de transferencia tendrá un valor alto sólo en la región de
frecuencias medias; en ella, Ldp tenderá a comportarse como corto circuito
y Lm como circuito abierto.

En la región de frecuencias medias, la función de transferencia se convierte en:

V (s ) R g + rp (nR L )
H (s ) = o =
Vi (s ) R g + rp + n 2 (R L + rs )

Derivando H(s) respecto de n, e igualando a cero, podemos obtener el valor de n
R g + rp
que hace máxima a H(s): nm =
RL + rs

Reemplazando en H(s) obtenemos:
RL
Hm =
2 (R g + rp )(RL + rs )

Lo anterior quiere decir que si queremos que la tensión de salida sea máxima en la
carga, debemos hacer que la relación de transformación sea dada por la ecuación
de nm.
248
Las resistencias rp y rs de los devanados disminuyen la eficiencia del
transformador. El caso ideal se tiene cuando rp y rs valen cero y podemos definir
una eficiencia del transformador (ηT) comparándolo con el caso ideal:

PL
ηT =
PLideal
Donde:
⎛ V g2 ⎞⎛ RL2 ⎞
PL = ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎜ 2 RL ⎟⎜ 4(R g + rp )(R L + rs ) ⎟
y ⎝ ⎠⎝ ⎠

V g2
PLideal =
8Rg

PL ⎛⎜ Rg ⎞⎟⎛ RL ⎞
ηT = = ⎜ ⎟
Reemplazando:
PLideal ⎜⎝ Rg + rp ⎟⎠⎜⎝ RL + rs ⎟⎠

De la expresión anterior concluimos que:

Para elevar la eficiencia debe cumplirse: Rg >> rp y RL >> rs

Comúnmente, los fabricantes de transformadores de audio indican los valores de
Rg y RL necesarios para que se cumpla esta condición y, con la ecuación anterior
podemos hallar la relación de transformación.

La ecuación de H(s) nos muestra que hay un cero en el origen y dos polos.

Dependiendo de los valores de los parámetros, estos polos pueden ser reales o
complejos:

p1 = ‐ (0.5)[Rp/Ldp + Rs/Lm + Rs/Ldp] + 0.5[(Rp/Ldp + Rs/Lm + Rs/Ldp)2 ‐ 4
RpRs/LdpLm]1/2

p2 = ‐ (0.5)[Rp/Ldp + Rs/Lm + Rs/Ldp] ‐ 0.5[(Rp/Ldp + Rs/Lm + Rs/Ldp)2 ‐ 4
RpRs/LdpLm]1/2

Sin embargo, en los transformadores de banda ancha se cumple: Lm >> Ldp

249
Debido a ello, los polos estarán muy alejados uno del otro y podremos obtener
expresiones aproximadas para ellos:

− (R p + Rs )
p1 =
Ldp
− (R p // Rs )

p2 =
Lm

Si se cumple: Rp = Rs y Lm > 10Ldp

Entonces los valores aproximados de los polos tienen un error dentro del 5%

Si se cumple Lm > 100Ldp, el error baja al 1% para cualquier relación entre Rp y Rs

REDES LINEALES DE SEGUNDO ORDEN
Este tipo de redes poseen dos elementos reactivos y responden a la siguiente
ecuación diferencial:

d2y/dt2 +2 α dy/dt + ωo2 y = f(t)

La solución para t > 0 es de la forma:

y(t ) = A1 e + A2 ep2t + yss(t)
p1t

Los términos: A1 ep1t + A2 ep2t constituyen la solución homogénea, llamada
también respuesta natural o estado transitorio. Si los coeficientes p1 y p2 de los
exponentes (denominados polos) son negativos, las exponenciales serán
decrecientes y después de un tiempo habrán desaparecido, quedando sólo yss(t).
Todo sistema estable debe tener un estado transitorio que desaparezca con el
tiempo. En caso contrario, si p1 y p2 son positivos, el estado transitorio nunca
desaparecerá sino que se incrementará permanentemente con el paso del tiempo
y el sistema será inestable

El término: yss(t) constituye la solución particular, llamada también solución
forzada o estado estacionario. Este término siempre tiende a ser del mismo tipo
que f(t). Si f(t) es de forma sinusoidal, yss(t) también tenderá a ser sinusoidal; Si f(t)
es de forma triangular, yss(t) también tenderá a ser triangular, etc.

Todo sistema estable debe siempre llegar al estado estacionario después de un
determinado tiempo.
250

La estado transitorio puede llegar a tener, en este caso, varias formas,
dependiendo de los valores de α y ωo.

Se denomina: α = factor de amortiguación
ωo = frecuencia natural

Se definen:
Q = factor de calidad = ωo/2α
ξ = relación de amortiguación = α/ωo
BW = ancho de banda = 2α

Además: p1 = ‐ α + (α2 ‐ ωo2) ½
p2 = ‐ α ‐ (α2 ‐ ωo2) ½

Cuando:

1. α > ωo se tiene estado transitorio sobre amortiguado
En este caso, si la red sólo tiene energía almacenada y f(t) = 0, la solución
toma la forma: y(t ) = A1 ep1t + A2 ep2t

En el caso que f(t) sea continua: f(t) = B, la solución toma la forma:
y(t ) = A1 ep1t + A2 ep2t + B

2. α = ωo se tiene estado transitorio críticamente amortiguado
toma la forma: y(t ) = e‐αt (A1 + A2 t)

y(t ) = e‐αt (A1 + A2 t) + B

3. α < ωo se tiene estado transitorio sub amortiguado
toma la forma: y(t ) = A e‐αt cos(ωd t + φ)

Donde: ωd = (ωo2‐ α2) ½ ωd es la frecuencia amortiguada

y(t ) = A e‐αt cos(ωd t + φ) + B

251
CIRCUITO R‐L‐C PARALELO
Este circuito se muestra en la figura 5.29 y podemos aplicar los conceptos
anteriores para entender el circuito:

+
I(t) Vo
R C L -

Aplicando el método de tensiones de nodo podemos hallar la ecuación diferencial
para el voltaje Vo:

d2Vo/dt2 + (1/RC)dVo/dt + (1/LC)Vo = (1/C)dI/dt

Esta ecuación se compara con la correspondiente a los sistemas lineales de
segundo orden y obtenemos:

α = 1/2RC
ωo = (1/LC)1/2
Q = ωoRC = R (C/L)1/2

Los polos resultantes en el dominio de la frecuencia resultan ser:

p1 = ‐ α + [α2 ‐ ω2o]1/2 = ‐ α + j α[4Q2 ‐ 1]1/2
p2 = ‐ α ‐ [α2 ‐ ω2o]1/2 = ‐ α ‐ j α[4Q2 ‐ 1]1/2

Podemos ver que para un valor de Q de 5 ó más, los polos se pueden aproximar
con las expresiones:

p1 = ‐ α + j ωo
p2 = ‐ α ‐ j ωo

CIRCUITO L‐C Y BOBINA CON PERDIDAS
Este circuito se muestra en la figura 5.30. Las pérdidas de la bobina se representan
mediante una resistencia, r, en serie con ella:
252
L
I(t)
+
C Vo
-
r

Obteniendo la ecuación diferencial:
para el voltaje Vo:

d2Vo/dt2 ‐ (r/L)dVo/dt + (1/LC)Vo = (r/LC)I + (1/C)dI/dt


α = r/2L
ωo = (1/LC)1/2
Q = ωoL/r = (1/r)(L/C)1/2

La resistencia en serie puede ser representada mediante una resistencia en
paralelo si tomamos en cuenta que la impedancia de la bobina a la frecuencia ωo
es:

ZL = r + j ωoL
Su admitancia será: YL = 1/(r + j ωo L) = r/(r2 + (ωoL)2) ‐ j ωoL/(r2 + (ωoL) 2)

La parte real corresponde a una resistencia equivalente en paralelo cuyo valor es:
Req = (r2 + (ωoL)2)/r = (1 + Q2) r
Para: Q > 10 se puede aproximar: Req = Q2 r

Y podemos usar un circuito equivalente, como se muestra en la figura 5.31:
253
+
L I(t) L C Vo
I(t) Req -
+
C Vo
-
r

CIRCUITO L‐C Y CONDENSADOR CON PERDIDAS
Este circuito se muestra en la figura siguiente. Las pérdidas de la bobina se
representan mediante una resistencia, rc, en serie con ella:

+
C
I(t) Vo
L
r -

Obteniendo la ecuación diferencial:
para el voltaje Vo:

d2Vo/dt2 ‐ (r/L)dVo/dt + (1/LC)Vo = (r/LC)I + (1/C)dI/dt


α = r/2L
ωo = (1/LC)1/2
Q = ωoL/r = (1/r)(L/C)1/2

254
La resistencia en serie puede ser representada mediante una resistencia en
paralelo si tomamos en cuenta que la impedancia de la bobina a la frecuencia ωo
es:
ZL = r + j ωoL

Su admitancia será: YL = 1/(r + j ωo L) = r/(r2 + (ωoL)2) ‐ j ωoL/(r2 + (ωoL) 2)

La parte real corresponde a una resistencia equivalente en paralelo cuyo valor es:
Req = (r2 + (ωoL)2)/r = (1 + Q2) r
Para: Q > 10 se puede aproximar: Req = Q2 r

Y podemos usar un circuito equivalente, como se muestra en la figura 5.31:

+
L I(t) L C Vo
I(t) Req -
+
C Vo
-
r

CONTROL DE GRAVES Y AGUDOS
A continuación se muestra un circuito de control de tonos para audio. Este control
de tonos tiene dos potenciómetros que permiten ajustar la presencia de graves y
agudos en una señal de audio.

3 10K 100K 10K

+
50K 1
2
-
100K NE5532 56nF 56nF
1K5
10nF 4K7
22K 20K 10nF
2K2
100pF
2K2
10uF / 16v / NP 2K2 10K
6 -
7
+
22K 5 +
NE5532 2.2uF
10K

255
Se utiliza un circuito integrado de altas prestaciones para audio que contiene en su
pastilla dos amplificadores operacionales. Se trata del NE5532, el cual se alimenta
con +/‐ 15V. El potenciómetro de 50K a la entrada establece el nivel de entrada o
sensibilidad del sistema. El preset de 20K primeramente debe situarse al centro de
su cursor. Si se presentasen distorsión o deformaciones en el audio disminuir éste
hasta lograr una reproducción fiel. El potenciómetro de 100K ajusta la cantidad de
graves, mientras que el de 10K hace lo mismo con los agudos.

Como la alimentación es simétrica por el terminal 4 del integrado (Marcado GND en
la imagen de arriba) debe ir a ‐15V mientras que el terminal 8 (Marcado como Vcc)
debe ir a +15V. La masa debe cablearse a 0V, que en integrado no se conecta mas
que a la entrada no inversora del segundo operacional (terminal 5).

SERIE DE PROBLEMAS

PROBLEMA 1: Un circuito paralelo R‐L‐C, como el mostrado, se usa como filtro
pasa‐banda.

2
Z(jw) R C L
1

256
a) Halle la expresión de su impedancia en función de la frecuencia.
b) Si: R = 10k, C = 10nf y L = 100µh, determine su impedancia a las frecuencias
de: 50KHz, 100KHz, 160KHz, 200KHz y 250 KHz
c) Haga los diagramas de la magnitud de la impedancia y de la fase en función
de la frecuencia y determine su ancho de banda.

PROBLEMA 2: Un circuito serie R‐L‐C, como el mostrado, se usa como filtro pasa‐
banda.
2
R C
Z(jw) L
1

a) Halle la expresión de su impedancia en función de la frecuencia.
b) Si R = 10k, C = 10nf y L = 100µh, determine su impedancia a las frecuencias
de: 50KHz, 100KHz, 160KHz, 200KHz y 250 khz
c) Haga los diagramas de la magnitud de la impedancia y de la fase en función
de la frecuencia y determine su ancho de banda.

PROBLEMA 3: En el transformador mostrado en la figura 5.28, halle:
a) El valor de Ls necesario para acoplar una carga de 8Ω a una cuente con
3200Ω en el rango de frecuencias medias...
b) Determine ωL y ωH para este caso
c) La eficiencia del transformador

PROBLEMA 4: Se van a transmitir 24 canales telefónicos con anchos de banda
individuales de 300 a 3500 hz.

a) Si estos canales se transmiten como banda lateral única en multiplex por
distribución de frecuencia, ¿cuál es el ancho de banda requerido si se asigna
4 khz a cada canal?
b) ¿Cuál seria el ancho de banda si se transmitiera en AM normal?

PROBLEMA 5: En el circuito del problema 4, halle el voltaje total de salida en el
drenador del FET

Asuma: L = 4 µH, C = 2500 pF, R = 2K, ωo = 10 ** (‐7) y ωm = 10 ** (‐5)

Los parámetros del FET son los mismos.

257
PROBLEMA 6: Un amplificador tiene la siguiente ganancia de voltaje:
Av(s) = (100 s) / [(1 + s/100)(1 + s/1000)]
a) Trace las gráficas de Bode de magnitud y fase en función de la frecuencia.
b) Determine el margen de ganancia, el margen de fase y la frecuencia de
transición cuando la ganancia se hace igual a 1.

PROBLEMA 7: En el circuito mostrado, halle la corriente total de drenador.
El circuito tanque está sintonizado a la frecuencia wo.

¿Cual debe ser la frecuencia wm para que el tanque sólo deje pasar el rango de
frecuencias wo +/‐ wm?

2 +10V
R C L
2K 2uH
2.5nF
C2
Q1
JF1033B
+ 10 uF
1M Idss = 4 mA
cos(wo t) Vp = -4V
2V
+
cos(wm t)

PROBLEMA 8: En el siguiente circuito, , mediante el análisis en el dominio de la
frecuencia, determine:
a) La frecuencia de corte inferior (fL)
b) La frecuencia de corte superior (fH)
c) El ancho de banda
d) La ganancia en frecuencias medias

Rs C1
1K 20 pF
+ + Ri Ci Ro RL +
Vi 25K gm Vi 10K Co Vo
Vs - 10 pF 10 K -
20 pF
-
gm = 15 mA/V

258
PROBLEMA 9: Determine los Diagramas de Bode de la ganancia de bucle de un
amplificador realimentado, si es dada por:

T (jw) = 2 / (1 + jw)3

Determine también el margen de fase y el margen de ganancia.

PROBLEMA 10: Dibuje los Diagramas de Bode asintóticos para la función de
transferencia:

H (s ) =
10

⎛ s ⎞⎛ s ⎞⎛ s ⎞
⎜1 + ⎟⎜1 + ⎟⎜1 + ⎟
⎝ 25 ⎠⎝ 2500 ⎠⎝ 200000 ⎠

PROBLEMA 11: Diseñe un amplificador en emisor común , como el mostrado, con
ganancia en frecuencias medias comprendida entre:
40 ≤ |Ao| ≤ 50

Frecuencia de corte inferior: fL ≤ 1 KHz

VCC
RC
R1
C2
Rs C1
Q
2N2222
RL +
Vs R2 RE1 2K Vo
-
CE
RE2

Utilice el transistor 2N2222 ( silicio, β = 100, VT = 26 mV, ICQ = 2 mA, VCEQ = 5 V)
VCC = 12 Vdc

259
PROBLEMA 12: Diseñe un amplificador de drenaje común, como el mostrado, para
obtener una impedancia de entrada en frecuencias medias: Zi ≥ 1 MΩ, una
frecuencia de corte inferior: fL ≤ 1 KHz y una frecuencia de corte superior: fH = 50
KHz

Datos del MOSFET: Cds = 1 pF, Cgs = 10 pF, Cgd = 10 pF, ro = 50 KΩ, gm = 20 mA/V,
Para el punto de operación: IDQ = 2 mA, VGSQ = 6V y VDSQ = 10 V

15 V
R1
Rg C4
Q
1K C2
CAP NP
R2 RL
Vg Rs 1K

PROBLEMA 13: Determine la respuesta en frecuencia del siguiente circuito. Asuma
que el OPAMP se comporta en forma ideal

R1 R2 + 15V
U7
56.44 K 56.44K
7
V+
3 5
+ OS2
6
C1 C2 uA741 OUT
Vs 47 nF 47 nF 2 1
V-
- OS1
1 Vpico
R3
4
28.22K
RL
C3 100K
CAP NP - 15 V
260
PROBLEMA 14: En el circuito mostrado halle las frecuencias de corte superior e
inferior.

VCC gm = 0.002 s
rds = 50K
Cgs = 2 pF
Cds = 2 pF
10K
Cgd = 0
1uF
1uF RL +
10K Vo
+
1M
1k 100uF -
Vi

PROBLEMA 15: Calcule los condensadores de acoplo y by pass en el siguiente
circuito, empleando la técnica del polo dominante. Se requiere una frecuencia de
corte inferior de 100 Hz.

Dadas las capacidades internas del MOSFET, determine la frecuencia de corte
superior usando el teorema de Miller.

+ 12 V
3K
10 M Co
1M C3 +
Q1 gm = 0.002 s
10 K Vo
rds = 100K
+
- Cgs = 2 pF
Vi 5M Cgd = 3 pF
1K Cs
-
261
PROBLEMA 16: Un cristal, empleado en un oscilador sinusoidal tiene un circuito
equivalente tal como se muestra a continuación:
Ls Cs Rs
2 MHz
A B A B
CRISTAL
Co

Si sus parámetros son: Rs = 100Ω, Cs = 0.014pF Ls = 0.45H Co = 4Pf

a) Halle la impedancia que ofrece entre los terminales A y B, emplendo la
transformada de Laplace
b) Halle la gráfica asintótica de amplitud de Bode.
c) ¿Qué ancho de banda tiene el cristal?.

262
BIBLIOGRAFIA

1) Clsarke, Kenneth – Hess T., Donald; Communication Circuits: Analysis and
Design; 1ra. edición; Addison‐Wesley Publishing Company; 1971; 658p.

2) Ogata, Katsuhiko; Ingeniería de Control Moderna; 1ra. edición; Prentice –
Hall Hispanoamérica S. A.;

3) Ogata, Katsuhiko; Problemas de Ingeniería de Control Utilizando Matlab;
1ra. edición; Prentice – Hall Hispanoamérica S. A.;

4) Williams, Arthur B.; Manual de Circuitos Integrados: Selección, Diseño y
Aplicaciones; Libro 1; 1ra. edición; Mc Graw Hill; Mexico; 1992; 172p.

263

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UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DEL PERÚ

10 E X A M E N P A R C I A L 10 2

20 E X A M E N S U S T I T U T O R I O 20 2

RECTIFICADOR CON TOMA CENTRAL

DOBLADOR DE ONDA COMPLETA

LIMITADOR DE PICO POSITIVO LIMITADOR DE PICO POSITIVO Y NEGATIVO

POLARIZACION CON FUENTE DE CORRIENTE

VCC VCC VCC

(a) (b) (c)

EMISOR COMUN BASE COMUN COLECTOR COMUN

(A) (B) (C)

vbe hie hre ib

ic hfe hoe vce

veb hib hrb ie

ic hfb hob vcb

vbc hic hrc ib

BASE COMUN EMISOR COMUN COLECTOR COMUN

ib kie kre vbe

ie kib krb veb

vcb kfb kob ic

ib kic krc vbc

ib yie yre vbe

ic yfe yoe vce

ib yib yrb veb

ic yfb yob vcb

ib yic yrc vbc

BASE COMUN EMISOR COMUN COLECTOR COMUN

B I1 y11 y12 y13 V1

E I2 y21 y22 y23 V2

C I3 y31 y32 y33 V3

B I1 yie y12 yre V1

E I2 y21 y22 y23 V2

C I3 yfe y32 yoe V3

B (2 + j2)ms (-1.998 - j1.98)ms (-2 - j20)us

E (-22 + j)ms (22.018 - j0.96)ms (-18 - j40)us

C (20 - j3)ms (-20.02 + j2.94)ms (20 + j60)us

VTH VGS - VTH

VDS = VGS - VTH

como resistencia lineal controlada por la tensión VGS. Esta zona es muy útil para

CANAL N CANAL N CANAL N CANAL P CANAL P CANAL P

CANAL N CANAL N CANAL N CANAL P CANAL P CANAL P

CANAL N CANAL N CANAL P CANAL P

Obtenemos R1. R1 = 240KΩ – 50KΩ = 190KΩ R1 = 190KΩ

3) Se obtiene: Zo = (VL1 – VL2) / IL= (VL1 / VL2 – 1)RL

DARLINGTON DARLINGTON CON

Darlington con modificaciones

PARALELO CON PARALELO CON

Modificaciones para igualar las

amplificadoras produce pérdidas considerables de potencia. Para evitarlo,

+ 100uF 5.6K 10uF

18K 10K 0.3K

18K 10K 1K 10K

18K (51)10K (51)1K 10K

FUENTE NO REGULADA Salida

0.1uF C > 25uF

Vin > 18V Salida 0.5

+VDC Q1 R7 0.47 / 5W + 35 VDC

R23 470 3K3 P1

1N4004 1N4004 C3 R29

1nF MJ3000 0.2/5W

consideradas como cortocircuitos y las reactancias grandes como

Cuando el sistema es críticamente amortiguado, ya no hay pico de resonancia, la

La función de transferencia, obtenida considerando características ideales del