AMPLIFICADORES OPERACIONALES

(“Op-amp” u “OpAmp”)
Nota: a menos que se especifique lo contrario, todas las entradas y salidas
en estas notas son funciones del tiempo (t).
Aplicaciones de los OpAmps: Además de amplificar una señal (o en
general, llevar a un intervalo adecuado para procesamiento y análisis), los
Op-amps tienen muchos otros usos:
• Acondicionamiento de señales: aumentar su potencia, además de su
intensidad, para que no sufra distorsión o atenuación por el proceso de
medición, sobre todo si la impedancia de entrada del circuito sensor no es
suficientemente alta; esto se logra garantizando que la señal a medir
tenga un nivel mínimo de potencia entregada; el acondicionamiento
también incluye: paso a escala logarítmica, cambiar offset, polaridad,
modulación, mayor inmunidad a ruido y estabilidad, etc.;
• Acoplamiento de impedancias: aunque puede considerarse parte del
acondicionamiento, es más general; aislamiento de circuitos;
• Filtros activos (pasa altas, pasa bajas, pasa banda, rechaza banda);
• Circuitos osciladores, generadores de pulsos y de formas de onda;
• Procesamiento analógico de señales: comparadores, sumadores,
integradores, derivadores, elementos de retardo, cambios de fase,
rectificadores, etc.;
• Procesamiento lógico de señales: en ciertas aplicaciones se obtiene el
mismo efecto de las compuertas lógicas digitales, entregando ya sea un
valor de voltaje cero (falso) o de saturación (verdadero o "uno logico");
• Simulación analógica de sistemas dinámicos; ventajas de mayor
velocidad y mayor resolución que con circuitos digitales;
• Solución analógica de ecuaciones integro-diferenciales inclusive no
lineales, entre otras.
Método 1: Restricciones de las terminales de entrada para diseño de
circuitos con Op-amps ([Webster], Med. Instrum. )
Regla 1: cuando la salida del Op-amp se encuentra en su intervalo lineal,
las dos terminales de entrada se encuentran al mismo voltaje.
Regla 2: ninguna corriente fluye entre las terminales de entrada del
Op-amp.
La regla 1 es válida porque si las dos terminales no se encontraran al
mismo voltaje, la salida de voltaje diferencial sería multiplicada por la
ganancia infinita.
La regla 2 es válida, porque asumimos que la impedancia de entrada rin (o
Rd en el [Webster]) es infinita, y ninguna corriente fluye. Aún si la
impedancia de entrada fuera finita, la regla 1 dice que no hay caída de
voltaje a través rin, así que ninguna corriente fluye.
Al principio las reglas no parecerían tener sentido o incluso utilidad, pero
deben simplemente seguirse para poder analizar y diseñar circuitos, dado
que son simplificaciones (límite a infinito) y uno debe interpretar que "es
lo que se observa".
Método 2: Tomar el límite a ∞. Alternativamente, se realiza el análisis
considerando A finita, la ecuación (1), y al final se simplifica aplicando la
condición A >>1. Este método, más explícito y formal, permite entender
mejor las propiedades y, en caso de que se desee exactitud, siempre se
pueden usar las ecuaciones con el valor real de A conocido (podrían incluir
también rin y rout), sin aproximaciones o límites. El costo es una mayor
complejidad, sobretodo en circuitos muy elaborados. Para una exposición
detallada del segundo método, ver el capítulo 5 del [Blackburn]. El primer
método, en apariencia empírico, se puede deducir del segundo, más
formal, al aplicar el límite “A → ∞”, o, si se deja A, se aplica la
aproximación A >>1.
DARLINGTON AMPLIFICADOR DIFERENCIAL ETAPA DE
ENTRADA DEL OPAMP
Fig. 1 Amplificador Diferencial Darlington con fuente de corriente
constante
DETERMINACION DEL MODELO DEL TRANSISTOR DARLINGTON
ECUACIONES DE AMPLIFICADOR DIFERENCIAL
En primer lugar analizamos el primer caso. La configuración de amplificador inversor
de ganancia controlada. Para este tenemos la siguiente expresión.

  
En el siguiente caso, tenemos la configuración no inversora, pero en este caso vemos
que la entrada esta en función a Vx, por lo que la ecuación nos quedaría de la siguiente
manera:

  
En donde

  
Sustituyendo, nos queda;

  
En donde, tomamos la consideración para una simplificación de que las relaciones de
las resistencias R4/R3 sea igual a R2/R1. Además también re-acomodamos el termino
del divisor de voltaje (dividimos entre R3) y nos queda de la siguiente forma.

  
Igualando nuestra expresión de simplificación a una variable temporal «a» tenemos que:

  
Sustituyendo las ecuaciones previas en la siguiente expresión, podemos determinar el
valor del voltaje de salida, tenemos entonces que:

  

  
Simplificando nos queda:

  
Y regresando el termino de «a» a su valor en resistencias tenemos que:

  
 DISPOSITIVO DE CUATRO CAPAS

CARACTERÍSTICAS
• Son elaborados con cuatro capas semiconductoras

• Actúan como circuitos abiertos

• Soportan alto voltaje nominal hasta que son disparados

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SRC)

• Presentan 3 conexiones, Ánodo, Cátodo y Gate.

• Funcionan como válvulas de flujo al mismo tiempo que rectifican el paso de la corriente.

• Se des excita cada alternancia o medio ciclo con CA

• En CD necesita un circuito de bloqueo forzado.

• Al inicio presenta una resistencia alta

• Al aplicar corriente ambos diodos se encienden

• Se tiene la opción de encendido sin utilizar a puerta de disparo, incrementando el voltaje a

valores superiores al valor de ruptura.

• Se realiza la conmutación al sobre pasar el voltaje de ruptura y se raliza el disparo.

• El tiempo de ruptura puede alcanzar los 30ms

APLICACIONES
• Circuitos retardadores de tiempo

• Cargadores de baterías

• Fuentes de alimentación reguladas

DIODOS SHOCKLEY
• Básicamente se trata de dispositivos interruptores.

• Inicialmente con corrientes bajas el diodo se encuentra n circuito abierto, cuando se

aumenta la tensión el dispositivo conmuta a fase de conducción.

Si se separan las dos mitades, la primera parte (izquierda) es un transistor

NPN y la segunda mitad tiene una configuración PNP. Su funcionalidad se
muestra en la siguiente figura

ZONA DIRECTIVA (V>0)

• El diodo se encuentra con un voltaje bajo y en posición de circuito abierto.

• Cuando la tensión es suficientemente elevada se vence la región de ruptura, se eleva la

corriente y el diodo se comporta como una resistencia negativa.

• En la región de saturación la caída de voltaje está entre 0.5 y 1.5V, y se mantendrá en este
estado mientras se conserven niveles de voltaje y corriente altos (VH y IH )

ZONA INVERSA
 • El diodo puede soportar tensión máxima inversa, al superar se valor entra en condición de
ruptura.

SIDAC

• El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensión y alta corriente. Físicamente es

un diodo de cuatro patas con características simétricas. El SIDAC es empleado en aplicaciones
donde se necesiten tensiones de disparo iniciales entre los 120 y 127V Símbolo típico en
diagramas:

APLICACIONES…
• El SIDAC puede emplearse como
generador de diente de sierra ya que
aprovecha de las características de disparo y
bloqueo del dispositivo.
• Para el momento en que el SIDAC entra en fase de conducción, descarga rápidamente el
condensador hasta la tensión de mantenimiento, y permanecerá ahí siempre que la corriente
se mantenga en 100mA

SILICON BIDIRECTIONAL SWITCH (SBS)

• Es un dispositivo de baja potencia con arquitectura simétrica.

• Es más versátil que el SIDAC.

• Tiene una terminal adicional (Gate) que permite cambiar sus disparos con corrientes de
algunos mA.

• Este es un circuito integrado compuesto por diodos, transistores y resistencias.

• El símbolo característico de los SBS es:

• Sus parámetros característicos son:

• V=8V

• Is=175mA
• IH=0.7mA

• VH=1.4V

• El disparo característico de este diodo puede lograr se superando los 8V o al aplicar una
corriente de puerta de (IG ) 100mA.