UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERÍA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
ELECTRÓNICA II

DISEÑO DE AMPLIFICADOR CS CMOS

Laboratorio 1

PROFESOR: ING. JOSÉ RAMOS

Nombres Carné
Alfonso Estanislao López Huezo LH02004
Nestor Paul Reyes Mejia RM15012

Ciudad universitaria, Martes 19 de marzo de 2019

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 RESUMEN

En esta práctica de laboratorio, se diseña un amplificador de fuente común con tecnología CMOS,
mediante un circuito integrado CD4007. Se empieza con la parte de polarización pero usando una carga
activa (un espejo de corriente utilizando PMOS).

INTRODUCCION

El amplificador de fuente común (SC) o configuración de fuente a tierra es el de uso más amplio entre
los circuitos amplificadores MOSFET. En la Figura 1, se muestra un amplificador de fuente común
creado con tecnología CMOS. Observe que, con transistores PMOS (Q3 y Q2) se ha diseñado una
fuente de corriente que polariza el amplificador (Q1).

Para fines académicos por cada resultado experimental, iremos desarrollando el análisis teórico a fin de
observar las aproximaciones y diferencias de los resultados obtenidos.

Figura 1. Amplificador CMOS de fuente común.

Figura 2. Circuito armado en el laboratorio.

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 LISTA DE EQUIPOS Y MATERIALES

Los materiales utilizados son los siguientes:

- Un CD4007.
Un resistor de 15K.
Un resistor de 10 Mohm (utilizado para la retroalimentación negativa).
Dos capacitores de 100 nF.

Y el equipo utilizado es:

Multímetro.
Protoboard.
Generador de señales.
Osciloscopio.
Analizador de espectro

AMPLIFICADOR CON CARGA ACTIVA PMOS

A) Construir el circuito de la figura 2. Por ahora no incluyen la resistencia de carga RL y un

condensador de acoplamiento CC2. Los pines del transistor de la matriz CD4007 se dan en el esquema.
Utilizar los puentes cortos en su protoboard para conectar los terminales de los transistores.

DESCRIPCIÓN DEL CIRCUITO:

Como se ve en la Figura 2, el transistor NMOS es el amplificador. Sin embargo una fuente de corriente
está polarizando el circuito. El resistor RG fija el voltaje en la compuerta y VG se mantiene grande con
el fin de no cargar la fuente de entrada. Los condensadores de la Figura 2, sirven para acoplar la DC y
solamente dejar pasar las señales de AC.

B) Medir la DC voltajes V12, y VD. (Y por tanto VG) ¿Cuál es la corriente I de drenaje
correspondiente?

Los valores obtenidos son experimentalmente son:

V12 = 12.14 V
VD = 2.6 V
VG = 12.46V
ID = 1.18 mA

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Encontrando el valor de la corriente teóricamente:
Como MP2 forma espejo de corriente con MP1 la corriente que circula en el drenaje de MP2
circulara en el drenaje MP1 entonces encontramos el valor teóricamente:

VDD−VDS 15−(15−12.14)
ILoad= = =0.81mA
Rbias 15 kΩ

El resultado medido (ID = 1.18 mA) difiere con respeto al calculado ( I load =0.81mA ). Esta diferencia de
corrientes (en el espejo de corriente) se debe a que VDS1 ≠ VDS2, siendo |VDS1| = 15 – 12.14 = 2.86V y |
VDS2| = 15 – 2.6 = 12.4V

C) Aplique una fuente de entrada sinusoidal Vsig con la amplitud de 50mV (100 mV pp) y la frecuencia
de 5kHz. Mida el voltaje de salida Vd). ¿Cuál es la amplificación de voltaje de circuito abierto Avo?
Los resultados se muestran en la siguiente captura:

Figura 3. Amplificador sin carga

−Vo −424 mV
Avo= = =−21.2 V /V
Vin 20 mV

Encontrando ganancia de circuito abierto teóricamente:

Para poder empezar el análisis nos enfocaremos en el espejo de corriente. La fuente de corriente
equivalente Iload idealmente debería tener una resistencia paralela infinita pero debido a que λ no la
podemos despreciar ocuparemos dicha ecuación y el siguiente modelo:

Siendo para el PMOS λ=0.035, y para el

Para los NMOS λ=0. 004

1 1
r o 1= = =24.2 k Ω
λ p I load 0.035∗1.18
1 1
r o 2= = =211.8 k Ω
λ N I load 0. 004∗1.18

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Figura 4
Despreciando el resistor de 10 Mohm (por ser muy grande no afecta significativamente) el análisis para
el modelo a pequeña señal quedaría de la siguiente forma:

W
√
gm = 2 I D K ' n
gm =1.29 mA /V
L
= √( 2 ) ( 1.18 ) ( 0.7 )

Del circuito equivalente podemos ver

directamente la ganancia sin la carga RL:

A vo=−g m ¿

A vo=−28 V /V
Figura 5

Podemos notar que se nos presentó una anomalía en el osciloscopio debido a que la señal de salida era
muy grande se recortaba una parte de la onda senoidal en la figura 3.

D) Ahora colocamos Cc2 y la resistencia de carga RL=10 kOhm como en la figura 2. Mediremos el
voltaje de salida Vout sobre la resistencia RL. ¿Cuál es la amplificación Av? Note el efecto de la carga
sobre la amplificación

Figura 6. Amplificador con carga

−Vo −880 mV
Av= = =−8.46 V /V
Vin 104 mV

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Encontrando ganancia de circuito teóricamente:

De la figura 5 podeos obtener la ganancia de la siguiente manera:

A v =−gm (r o 1||r 02|| R L )=− (1.29 ) ( 24.2||211.8||10 ) =−8.83 V /V

Viendo el valor teórico y comparándolo con el valor experimental de la figura 6 podemos notar que la
ganancia experimental está muy próxima al valor esperado.

Con la carga conectada hubo una caída drástica en la ganancia del amplificador
Como los transistores están diseñados para poseer una impedancia alta a señales pequeñas evitando una
caída de voltaje considerable, como ocurriría si se utilizaran resistencias de gran valor. Estas grandes
impedancias en corriente alterna pueden ser deseables, por ejemplo, para incrementar la ganancia AC
de algunos tipos de amplificadores. Comúnmente la carga activa se incluye en la salida de un espejo de
corriente y se representa de manera ideal como una fuente de corriente. Usualmente es sólo una
resistencia con corriente constante, parte de una fuente de corriente que incluye una fuente de voltaje
constante.

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 CONCLUSIÓN

 La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-
mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares: Consumo en modo estático muy bajo.
Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra). Gran capacidad de
integración debido a su reducido tamaño. Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por
lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden
de los nA. Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de
superficie que conlleva. La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los ns.

El bajo consumo de potencia estática, gracias a la alta impedancia de entrada de los transistores de tipo
MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS sólo experimentará corrientes parásitas. Esto
es debido a que en ninguno de los dos estados lógicos existe un camino directo entre la fuente de
alimentación y el terminal de tierra, o lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el
inversor CMOS básico se encuentra en la región de corte en estado estacionario.

El nivel de ganancia grande que nos muestran los NMOS, los hace no solamente útiles en aplicaciones
en región de tríodo sino que también para construir amplificadores bastante eficientes, ya que al
presentar una distorsión armónica del 3% y amplificaciones superiores a las teóricas podemos concluir
que son muy eficientes.

Bibliografía:
[1] "Microelectronic Circuits, Sedra, Smith, 5th edition, Oxford University Press, New York, 2004.
[2] "The Art of Electronics", Horowitz and Hill, Cambridge University Press.