CARACTERISTICAS DEL DIODO DE JUNTURA

LABORATORIO 2: ELECTRONICA 1
OBJETIVOS

• Estudiar el comportamiento eléctrico de los diodos de Silicio y Germanio

• Determinar la curva característica de V- I asociada a los diodos de Silicio y Germanio
• Simular el comportamiento de ambos dispositivos.
• Mediante diferentes valores de voltaje de entrada, calcular la corriente que circula
por el diodo y hacer la respectiva gráfica.
• Calcular el porcentaje de error de la corriente que circula por el diodo y el voltaje en
sus terminales entre los valores teóricos y prácticos.

MATERIALES:

• Fuente de corriente directa (Suministrada por el Laboratorio)

• Multímetro (Suministrado por el Laboratorio)
• Un diodo de silicio 1N4007, led rojo (difuso y chorro), azul (chorro), verde (difuso y
chorro) e infrarrojo
• Protoboard

PROCEDIMIENTO
1. Identificación de diodos
Antes de realizar un circuito con diodos se debe conocer las especificaciones dadas por los
fabricantes de los diferentes diodos semiconductores. Completar la siguiente tabla:
Tabla 1. Identificación de diodos

Código 1N4007 1N5408 BAT54C BZX55C5V1 TEFD4300

Material
(Ge/Si/GaAs)
Tipo de diodo
Continuous
Forward
Current
𝐼𝐼𝐹𝐹 (𝑚𝑚𝑚𝑚)
Reverse
Voltage 𝑉𝑉𝑅𝑅 (𝑉𝑉)
Forward
Voltage
𝑉𝑉𝐹𝐹𝐹𝐹 (𝑉𝑉)
 Power
Dissipation at
25°C 𝑃𝑃𝑑𝑑 (𝑚𝑚𝑚𝑚)
Operating and
Storage
Temperature
Range 𝑇𝑇𝑗𝑗 (°𝐶𝐶)
Reverse
Voltage (V)
Junction
Capacitance
𝐶𝐶𝑗𝑗 (𝑝𝑝𝑝𝑝)

2. Gráfica de la curva del diodo

Para llevar a cabo la práctica, primero se debe realizar la simulación del circuito propuesto
completando con cada uno de sus ítems para luego corroborar esto en la práctica presencial

Figura 2. Circuito básico del diodo

Parte I – Etapa de Simulación

1. Implementar en PROTEUS el circuito presentado en la figura 1. Variar el voltaje de la
fuente desde 0.1V hasta 10V en pasos de 0.5V y anotar los valores de corriente y de
voltaje en el diodo. Generar las curvas características de ambos circuitos y llamarlas
“Respuesta de Simulación”.

2. Obtener en simulación la curva característica de V-I cuando se emplea el diodo de Silicio

(1N4007) y el diodo de Germanio. Apóyese utilizando la herramienta de Graph Mode
que posee Proteus o mediante la herramienta Multisim para visualizar todo tipo de
señales.
3. Modificar la fuente de voltaje por un pulso de tensión (-5v / 5v) y mediante la
herramienta Graph Mode visualice la corriente que atraviesa el diodo de silicio para
identificar el tiempo de almacenamiento y el tiempo de caída. Verifique el valor de la
corriente 𝐼𝐼𝐹𝐹 .
Parte II – Etapa de Implementación
4. Con el uso del multímetro en la escala de ohmios, identifique los terminales Ánodo y
Cátodo del respectivo diodo.

5. Determine experimentalmente el valor del voltaje de umbral (voltaje de barrera) de los

siguientes diodos aplicando el montaje de la figura 2.

a. Diodo Led Rojo (difuso - chorro)

b. Diodo Led Azul (chorro)
c. Diodo Led Verde (difuso y chorro)
d. Diodo infrarrojo.

6. En el circuito físico repetir el procedimiento mencionado en el ítem 1. Generar ambas

gráficas y llamarlas “Respuesta Experimental”

7. Calcular el porcentaje de error entre los valores simulados y reales.

8. Calcular la resistencia interna del diodo 𝑟𝑟𝐵𝐵 . Para ello mediante dos valores de voltaje y
corriente extraídos de la curva característica podemos expresar lo siguiente:

𝑉𝑉2 − 𝑉𝑉1
𝑟𝑟𝐵𝐵 =
𝐼𝐼2 − 𝐼𝐼1

Calcule 5 valores distintos de resistencia mediante dos puntos consecutivos.

9. Elija 5 valores distintos de voltaje de la fuente 𝑉𝑉𝑆𝑆 dentro del rango de trabajo (0 – 5V) y
mediante la ecuación matemática que rige el comportamiento del diodo encuentre los
valores de corriente y voltaje a través de diodo. Use análisis de mallas para obtener una
de las ecuaciones de análisis. El modelo matemático del diodo es:

𝐼𝐼 = 𝐼𝐼𝑆𝑆 (𝑒𝑒 𝑞𝑞𝑉𝑉𝑗𝑗 ⁄𝑘𝑘𝑘𝑘 − 1)

Donde
𝑘𝑘𝑘𝑘
= 25.87𝑚𝑚𝑚𝑚 → 𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅𝑅ó𝑛𝑛 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸𝐸
𝑞𝑞
 𝐼𝐼𝑆𝑆 → 𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶𝐶 𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖𝑖 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠𝑠ó𝑛𝑛
𝑉𝑉𝑗𝑗 → 𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉𝑉 𝑑𝑑𝑑𝑑 𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗𝑗

Utilice el método de tanteo para hallar los valores de voltaje y corriente debido que
tenemos una ecuación transcendente. Escriba un programa en C/C++ o Matlab que le
permita calcular estos dos parámetros usando el método de tanteo.

Compare este resultado con los valores obtenidos en la práctica.

Tensión de umbral 𝑉𝑉𝑗𝑗 :

• Diodo de silicio: 0.7𝑉𝑉
• Diodo de Germanio: 0.3𝑉𝑉

10. Calcule la potencia disipada por el diodo, por la resistencia para cada uno de los valores
de corriente y voltaje (Prácticos) obtenidos en el punto anterior. Agregue la potencia
total de circuito en cada caso.

FECHAS DE TRABAJO
Nombre de la Práctica Duración Fechas
Práctica Informe Sustentación
Caracterización de 1 sesión Semana 3 Semana 4 Semana 3
diodos semiconductores