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Presentado a:
Bogotá 2012
Octubre
FASE 1: LOS DIODOS
D 1N 4002 D 1N 4002
0V
D 4 D 1
0A 0A 0A
VO FF = 0
V+
VAMPL = 30
FR EQ = 50 R 1
0V 1k
0A
V-
D 3 D 2
0A 0A
D 1N 4002 D 1N 4002
1
2
3
1.2 Agregar un condensador de 1000uF en paralelo con R al circuito de la
figura 1 y volver a simular, anexar nueva grafica. ¿Que cambio ha notado?
Valor de la carga:
IRL = VL / RL
RL = VL / IRL
RL = 4.7 v / 20 mA
RL = 0.235 Ω
1
2
1.6 Describa la utilidad e incluya al menos una imagen de cada uno de los
siguientes tipos de diodos.
LED.
Túnel.
Los diodos de efecto túnel. Son dispositivos muy versátiles que pueden
operar como detectores, amplificadores y osciladores. Poseen una región de
juntura extremadamente delgada que permite a los portadores cruzar con
muy bajos voltajes de polarización directa y tienen una resistencia negativa,
esto es, la corriente disminuye a medida que aumenta el voltaje aplicado.
Laser.
Los Diodos láser, emiten luz por el principio de emisión estimulada, la cual
surge cuando un fotón induce a un electrón que se encuentra en un estado
excitado a pasar al estado de reposo, este proceso esta acompañado con la
emisión de un fotón, con la misma frecuencia y fase del fotón estimulante.
Para que el número de fotones estimulados sea mayor que el de los emitidos
de forma espontánea,
PIN.
Schottky
A diferencia del diodo semiconductor normal que tiene una unión P–N, el
diodo schottky tiene una unión Metal-N. Estos diodos se caracterizan por su
velocidad de conmutación, una baja caída de voltaje cuando están
polarizados en directo (típicamente de 0.25 a 0.4 voltios).el diodo Schottky
está más cerca del diodo ideal que el diodo semiconductor común pero tiene
algunas características que hacen imposible su utilización en aplicaciones de
potencia
FASE 2: EL TRANSISTOR BJT.
2.1 Dadas las formulas:
VCE = VC
Beta = IC / IB
IB= (VBB – VBE) / RB
PD= VCE∙IC
Dado el circuito Transistor BJT NPN en configuración Emisor Común:
VC RC IB RB PD
7.5V 0.15 5000 0.0005 375
VCE = VC
7.5 v =7.5 v
PD = VCE * IC
PD = 7.5 v * 50 mA
PD = 375 w
Beta = IC / IB
IB = IC / Beta
IB = 50 mA / 100
IB = 5000 mA
IB = (VBB – VBE) / RB
RB = (VBB – VBE) / IB
RB = (10 v – 7.5 v) / 5000 mA
RB = 2.5 v / 5000 mA
RB = 0.0005 Ω
IC = (VCC – VCE) / RC
RC = (VCC – VCE) / IC
RC = (15 v – 7.5 v) / 50 mA
RC = (7.5 v) / 50 mA
RC = 0.15 Ω
2.2 Mencionar las zonas de trabajo del Transistor BJT y aplicación.
Referencias
*Aramis, tipos de diodos tomados de http:
//www.monografias.com/trabajos65/tiposdiodos/tipos-diodos2.shtml,
*http://ocw.ehu.es/ensenanzas-tecnicas/electronica-general/teoria/tema-4-
teoria
*http://www.biltek.tubitak.gov.tr/gelisim/elektronik/dosyalar/40/BD140.pdf
*http://www.utc-ic.com/spec/BD136-138-140.pdf
*http://www.fairchildsemi.com/ds/BD/BD135.pdf
*http://www.futurlec.com/Diodes/1N750.shtml
*http://www.monografias.com/trabajos65/tipos-diodos/tipos-diodos2.shtml