I.

TEMA
Interruptores de Estado Sólido
II. OBJETIVOS

a. Objetivo General

 Comprender la definición, clasificación y estructura de los interruptores de estado

sólido.

b. Objetivos Específicos

 Investigar de varias fuentes la definición de interruptores de estado sólido.

 Determinar la clasificación de los interruptores de potencia y sus características y

parámetros importantes que determinan su funcionamiento.

 Indagar aplicaciones especificas de los interruptores de estado sólido.

III. FUNDAMENTACIÓN TEÓRICA

DEFINICIÓN DE INTERRUPTOR DE ESTADO SÓLIDO

 Omron Electronics S.A., Guía Rápida: Relés de Estado sólido, define que:

El interruptor de estado sólido es un elemento que permite aislar eléctricamente el circuito de

entrada o mando y el circuito de salida. [ CITATION Omr18 \l 2058 ]

 Muhammad H. Rashid, Electrónica de Potencia: circuitos, dispositivos y aplicaciones, define

que:
Los interruptores de estado sólido son dispositivos conmutadores normalmente abiertos sin partes
móviles, capaces de realizar millones de ciclos de operaciones. [ CITATION Car18 \l 2058 ]

 Rafael Santana: Interruptores de Estado Sólido, define que:

Se llama interruptor de estado sólido a un circuito híbrido y normalmente compuesto por un opto
acoplador que aísla la entrada y un circuito de disparo que detecta el paso por cero de la corriente
de línea y un TRIAC o dispositivo similar que actúa de interruptor de potencia. [ CITATION Raf18 \l
2058 ]
  Definición Grupal

Los interruptores de estado sólido son aquellos dispositivos que tienen la capacidad de permitir o
bloquear el paso de la corriente, hacia los circuitos de mando o de potencia.

CLASIFICACIÓN DE LOS INTERRUPTORES DE ESTADO SÓLIDO

DIODO DE Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la

POTENCIA corriente en sentido contrario al de conducción.

DIODOS

Es un componente electrónico que está preparado para

DIAC
conducir en los dos sentidos de sus terminales, por ello se
le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su
tensión de cebado o de disparo

Es un dispositivo interruptor electrónico que conmuta el

SSR paso de la electricidad cuando una pequeña corriente es
aplicada en sus terminales de control

TIRISTORES

Es un dispositivo semiconductor de tres terminales

INTERRUPTORES
TRIAC que se usa para controlar el flujo de corriente
DE ESTADO promedio a una carga
SÓLIDO

Son componentes de 3 terminales, y representan la

extensión natural de los diodos, por el hecho que
BJT terminales, y representan la extensión natural de los
diodos, por el hecho que están compuestos por un par de
junturas P-N
TRANSISTORES

MOSFET
Es un dispositivo que utiliza el campo eléctrico para permitir
o negar el paso de la corriente eléctrica.

El IGBT es un dispositivo semiconductor con cuatro capas

IGBT
alternas (P-N-P-N) controladas por una estructura de puerta
semiconductora de óxido metálico (MOS) sin acción
DISPOSITIVOS
regenerativa.
CONTROLADOS
POR COMPUERTA Es un dispositivo de electrónica de potencia que puede ser
encendido por un solo pulso de corriente positiva en la
GTO terminal puerta o gate (G), al igual que el tiristor normal;
pero en cambio puede ser apagado al aplicar un pulso de
corriente negativa en el mismo terminal.

DIODOS
 DIODO DE POTENCIA

 Descripción

Uno de los dispositivos más importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen,
entre otras, las siguientes limitaciones:
• Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de
conducción.
• El único procedimiento de control es invertir el voltaje entre ánodo y cátodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas, tal y
como se muestra en su curva característica. [ CITATION Ele18 \l 2058 ]

 Simbología

 Estructura

 Curva Característica
Donde:
 Tensión inversa de pico repetitivo (VRRM): Tensión inversa máxima que puede ser
soportada en picos de 1ms repetidos cada 10 ms por tiempo indefinido.
IR: Intensidad de Ruptura.
 VAK: Voltaje entre ánodo y cátodo.
 Vd: Voltaje umbral.
 Id: Corriente del diodo.
 VR: Voltaje de ruptura.
 Rd: Resistencia interna del diodo.

 Aplicaciones
 Diodos infrarrojos (IRED)
Se emplean desde mediados del siglo XX en mandos a distancia de televisores, habiéndose
generalizado su uso en otros electrodomésticos como equipos de aire acondicionado, equipos de
música, etc. y en general para aplicaciones de control remoto, así como en dispositivos
detectores. [ CITATION Mon18 \l 2058 ]

 Detector o demodulador de ondas de radiofrecuencia

1.- Onda sonora de baja frecuencia (A.F.) o audiofrecuencia.

2.- Onda de radio de alta frecuencia (A.F.) o radiofrecuencia (R.F.).
 3.- Unión de la onda de alta frecuencia con la de baja frecuencia moduladas en amplitud. Esa es
la onda portadora de los sonidos que emiten las estaciones de radio cuando transmiten en. A.M.
(amplitud. modulada). Dicha onda, que viaja por el éter como "onda herziana", después que
abandona la antena transmisora, contiene los sonidos que capta el. micrófono en el estudio de
radio, así como la música y los efectos sonoros. Sin embargo, dichos sonidos no serán de nuevo
audibles hasta tanto un radiorreceptor capte esa onda y un detector diodo que forma parte de su
circuito electrónico la demodule separando las frecuencias audibles de la onda portadora de alta
frecuencia.
4.- Diodo del tipo “punta de. contacto” en función de detector o. demodulador.
5.- Onda de baja frecuencia (B.F.) o audiofrecuencia después de haber. sido separada de la onda
portadora de radiofrecuencia (demodulada). A continuación. esta señal se amplifica para que se
pueda escuchar a mayor volumen en el altoparlante del radiorreceptor. [ CITATION Jos18 \l 2058 ]

 Estabilizador de tensión:

Lo que se consigue con el diodo Zener, es mantener la tensión constante entre dos puntos, a
pesar de las posibles variaciones de tensión e intensidad en el circuito. Estos tipos de diodos son
muy útiles en el diseño de fuentes de voltaje de corriente directa. [ CITATION edu18 \l 2058 ]

DIAC

 Descripción

Es un componente electrónico que está preparado para conducir en los dos sentidos de sus
terminales, por ello se le denomina bidireccional, siempre que se llegue a su tensión de cebado o de
disparo (30v aproximadamente, dependiendo del modelo).
Un diac es un elemento semiconductor utilizado normalmente en el control de potencia, lo que
significa que servirá para controlar electrónicamente el paso de corriente eléctrica. [ CITATION
Dir18 \l 2058 ]

 Simbología

 Estructura
  Curva Característica

 Aplicaciones

 Controles de relevador.
 Circuitos de retardo de tiempo.
 Fuentes de alimentación regulada.
 Interruptores estáticos.
 Controles de motores. [ CITATION Dir18 \l 2058 ]

TRANSISTORES
BJT

 Descripción

El Transistor Bipolar de Unión (BJT por su denominación en inglés Bipolar Junction Transistor) es un
dispositivo, formado por dos uniones PN. Su estructura y funcionalidad es, por tanto, algo más
compleja que la de un diodo. Este es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de
material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor PNP, o
bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaríamos hablando de un
transistor NPN. La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una fuente
dependiente de corriente: dentro de ciertos márgenes, la corriente en el terminal de colector es
controlada por la corriente en el terminal de base. [8]
  Simbología

Símbolos electricos del transistor BJT tipo NPN (a) y PNP (b)

Los símbolos eléctricos que representan ambos transistores aparecen en la figura anterior, junto con las
referencias de tensión y corriente usadas en el análisis del dispositivo. En ambos símbolos el terminal
de emisor se puede distinguir del de colector por la presencia de una flecha, saliente en el caso del
transistor npn y entrante en el del pnp. Las referencias de tensión de ambas uniones serán, VBE y VCE
para el caso de un npn, y VEB y VEC para el caso de un pnp. Del mismo modo se utilizarán las
referencias de corrientes IC e IB entrantes en el dispositivo para el primero y salientes para el segundo.

Sentidos de tensiones y corrientes en el BJT

  Estructura

Existen dos posibilidades para formar un transistor BJT; la primera aparece representada en la Figura a,
y se corresponde con una estructura NPN, la segunda se muestra en la Figura b y se trata de una
estructura PNP.

Estructura del transistor BJT tipo NPN (a) y PNP (b)

La zona intermedia de la estructura se denomina Base, y las de los extremos Emisor y Colector. Los
terminales metálicos soldados a cada una de las zonas reciben los mismos nombres que éstas. Aunque
no se refleja en el dibujo, la estructura no es simétrica, por lo que los terminales de Emisor y Colector
no son intercambiables.
Las dos uniones PN que aparecen tras la fabricación del transistor se denominan Unión de Emisor (UE)
y Unión de Colector (UC).

 Curva Característica

Cuando en el tema 2 hablábamos de la unión pn veíamos que teníamos dos posibilidades de

polarización de la misma, de tal forma que el diodo tenía dos posibles estados o zonas de trabajo: en
directa y en inversa. Ahora estamos ante un dispositivo que tiene dos uniones, una unión entre las
zonas de emisor y base (que denominaremos a partir de ahora unión de emisor JE) y otra unión entre
las zonas de base y colector (de que denominaremos unión de colector JC), cada una de las cuales
puede ser polarizada en las dos formas mencionadas anteriormente. Así, desde el punto de vista global
del dispositivo tenemos cuatro zonas de funcionamiento posibles en función del estado de polarización
de las dos uniones.
Si polarizamos las dos uniones en directa, diremos que el transistor está trabajando en la zona de
saturación. En el caso de que la unión de emisor la polaricemos en directa y la unión de colector en
inversa, estaremos en la zona activa. Cuando las dos uniones se polarizan en inversa, se dice que el
transistor está en la zona de corte. Por último, si la unión de emisor se polariza en inversa y la unión de
colector en directa, el transistor se encuentra en activa inversa. De las cuatro zonas, las 3 mencionadas
en primer lugar son las más interesantes desde el punto de vista del funcionamiento del transistor,
siendo la zona activa inversa una zona puramente teórica y sin interés práctico.

La corriente de colector depende de la corriente presente en el terminal de base, que a su vez depende
principalmente de la tensión aplicada a la unión emisor-base. Con el fin de delimitar las distintas zonas
de funcionamiento del transistor, y en consecuencia conseguir la polarización adecuada según las
distintas aplicaciones que se quiera realizar del mismo, resulta útil representar la corriente IC frente a la
tensión VBE. El resultado obtenido es la gráfica de la figura anterior.
Teniendo en mente el circuito en emisor común que aparece en la figura anterior, para valores
negativos de VBE el transistor se encuentra en corte, por lo que la corriente IC toma un valor muy
pequeño, próximo a IC0. Lo mismo sucede para tensiones positiva que se encuentran por debajo de la
tensión de codo o tensión umbral de la unión emisor base, ya que para esas tensiones la corriente de
base es prácticamente cero, y por lo tanto también lo será IC. Una vez superada la tensión umbral, la
corriente de base crece exponencialmente con la tensión VBE, obteniéndose valores muy altos de la
corriente de colector, hasta que se alcanza la saturación. En la figura anterior se muestran valores
característicos que se obtienen a partir de esta gráfica y que servirán de referencia para desarrollar los
modelos equivalentes del transistor trabajando en gran señal. [7]
 Aplicaciones

Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas,
control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
Detección de radiación luminosa (fototransistores)

IV. CONCLUSIONES

 Los interruptores de estado solido son aquellos que son activados a través de voltajes o
corrientes eléctricas, mas no por acciones mecánicas.
 Estos dispositivos son muy usados en electrónica de potencia, sobre todo en los circuitos de
control puesto que estos dispositivos manejan altas corrientes y voltajes.
 Los transistores BJT son dispositivos que manejan corrientes electricas de cierta cantidad
basándose en otra cantidad de corriente.
 Un transistor se asemeja al papel que le corresponde a un grifo, donde el caudal de agua es
controlado por el giro de la llave de paso.

V. BIBLIOGRAFÍA

O. E. S.A. [En línea]. Available: http://www.reitec.es/Pdf/documentacion6.pdf. [Último acceso: 07

10 2018].
C. Gavazzi, «Omega,» [En línea]. Available:
https://es.omega.com/temperature/pdf/SSRL240_660.pdf. [Último acceso: 07 10 2018].
R. Santana, «Scribd,» [En línea]. Available:
https://es.scribd.com/document/252924233/Interruptores-de-Estado-Solido. [Último acceso:
07 10 2018].
E. Industrial, «Iuma,» [En línea]. Available:
http://www.iuma.ulpgc.es/~roberto/asignaturas/EI/transparencias/EI_Tema_3.1.Diodos_poten
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«Monografías,» [En línea]. Available: https://www.monografias.com/trabajos-pdf/diodos-
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J. García, «Así funciona,» [En línea]. Available:
http://www.asifunciona.com/fisica/ke_diodo/ke_diodo_5.htm. [Último acceso: 07 10 2018].
«e-ducativa,» [En línea]. Available: http://e-
ducativa.catedu.es/44700165/aula/archivos/repositorio//3000/3078/html/312_aplicaciones_de_
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