LABORATORIO DE ELECTRONICA BASICA

UNIVERSIDAD YACAMBÚ

VICERRECTORADO ACADÉMICO

FACULTAD DE INGENIERÍA

SISTEMAS ELECTRONICOS
PRACTICA Nº3

Alumno:
Luis Papel IEC-171-00308

Profesora:
Ing. Rosa Leal

Cabudare, 21 de Junio de 2020

Ing. Rosa M Leal R

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En esta práctica se abordará el montaje y medida de circuitos con transistores BJT. Para
ello, se hará uso del siguiente instrumental, disponible en el laboratorio de electrónica
básica:
- Fuentes de tensión.
- Multímetros digitales (voltímetro y amperímetro).
- Generador de señal.
- Osciloscopio
En el primer apartado, se abordara la identificación de los pines del transistor, el estudio
de las zonas de trabajo: saturación, corte y activa; así como su función en modo switch.
En el segundo apartado se analizarán dos de los circuitos de polarización más utilizados
en amplificadores (circuito autopolarizado y circuito polarizado con tensión de base),
evaluando las distintas zonas de funcionamiento de los transistores en función de las
tensiones y resistencias del circuito de polarización.
Antes de empezar la práctica, el alumno debe leerse la hoja de características del
transistor que se va a utilizar en la misma (2N2222), especialmente la asignación de pines
del transistor. El datasheet se encuentra en un anexo al final de la práctica.
Material:
El material necesario para el desarrollo de la práctica es el siguiente:
- Placa de inserción.
- Resistencias: 47Ω (2); 180Ω; 150Ω; 330Ω; 820! (2); 1kΩ; 2k2Ω; 5k6Ω.
- Potenciómetro de 500KΩ
- Condensadores: 100μF (3).
- Transistor BJT: NPN P2N2222 o equivalente

1. Reconocimiento de los pines de un transistor NPN

Tome el transistor 2N2222 y utilice el data sheet para identificar los pines

Coloque el multímetro en la escala más baja de ohmios. Mida la resistencia en la unión

base-emisor, base-colector y colector en los dos sentidos de polarización. Compare los
valores con los de la tabla siguiente:

RBC RBE RCE

T1(NPN) BAJA ∞ BAJA ∞ ∞ ∞

T2(PNP) ∞ BAJA ∞ BAJA ∞ ∞

Verifique que el transistor en estudio es NPN, basándose en los valores de resistencia

obtenidos

Ing. Rosa M Leal R

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Para la verificación del Transistor a través de pines, se utilizó el multímetro en su escala

más baja de ohmios, el cual nos iba a proporcionar ciertas resistencias para poder verificar
los pines, a pesar de eso el multímetro no marco en ninguna de las configuraciones
anteriormente mencionadas, a pesar de eso, se procedió en la práctica verificando a través
de los Data Sheet, que el transistor 2N222A era un NPN.

2. Relación entre corrientes (β) y zonas de trabajo del

transistor

Monte el circuito que se presenta a continuación

Ajuste la fuente de alimentación a 12V

Mueva el potenciómetro hasta obtener en la base cada uno de los

valores de corriente IB que se muestran en la tabla, mida la corriente
IC y el voltaje VCE por cada valor de la corriente de base y llene la
tabla.

Link de los cálculos de la tabla: https://youtu.be/rYgaFDXBUzQ

IB (µA) 10 30 50 70 90
IC (mA) 3.2 mA 3.3 mA 3.4 mA 3.5 mA 3.1 mA
hFE (β) 3.125 x 10−3 9.09 x 10−3 14.70 x 10−3 20 x 10−3 29.03 x 10−3
VCE (V) 8.42 V 8.32 V 8.23 V 8.15 V 8.48 V

Besándose en los valores de corriente de base y de colector obtenga la ganancia estática de

corriente hFE dada por:

IB
hFE=
IC

10 μA
hFE= =3.125 x 10−3
3.2 mA

30 μA
hFE= =9.09 x 10−3
3.3 mA

50 μA
hFE= =14.70 x 10−3
3.4 mA

Ing. Rosa M Leal R

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70 μA
hFE= =20 x 10−3
3.5 mA

90 μA
hFE= =29.03 x 10−3
3.1 mA

a. Trazar la curva IC = f(IB), observe que presenta un trecho lineal. Calcule la ganancia
para cada par de valores en la tabla anterior.

b. Trazar la curva característica del transistor V CE = f(IC) e identifique la zona de corte,

activa y de saturación, anote sus observaciones.

c. Elimine del circuito anterior el potenciómetro y coloque un switch (NA), conecte el

pin de base entre el switch y la resistencia de 1KΩ, con el switch abierto, energice el
circuito. Anote el valor del VCE, IB y IC. Repita para el switch cerrado. En qué modo está
trabajando el transistor.

Link de la parte C: https://youtu.be/XCCebEyp8m4

Ing. Rosa M Leal R

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3. El transistor BJT en continua. Polarización

3.1. Circuito autopolarizado

El objetivo de este apartado es el montaje y medida del circuito

mostrado en la figura a continuación. Se trata de un circuito con
transistor BJT autopolarizado.

Monte en el board el circuito autopolarizado de la figura. Antes de

conectar la alimentación del circuito asegúrese de que el transistor
esté bien montado, es decir compruebe la asignación de los pines.

a. Con la ayuda de los amperímetros y los voltímetros de que

dispone en su puesto de trabajo rellene la siguiente tabla.
Recuerde que la tensión se mide en paralelo y la corriente en
serie.
IB IC IE Vce Vbe Vbc β Reg. Oper.
194μA 4mA 4.1mA 7.64V 0.63V 7.01V 48.5x10−3 Zona activa

Esquema del circuito equivalente realizado con múltiples resistencias.

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IB = 194μA

IC = 4mA

IE = 4.1mA

VCE = 7.64V

VBE = 0.63V

VBC = 7.01 V

Ing. Rosa M Leal R

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b. Cambie la resistencia R2 del circuito por los valores que se detallan en la siguiente
tabla y mida el resto de parámetros que le piden en la misma. Justifique los
resultados obtenidos.
R2 Ib Ic Vbe Vce β Reg. Oper.
330Ω 145μA 706μA 0.56V 10.68V 205.38x10 −3
Zona activa
2k2Ω 896μA 6.3mA 0.66V 5.44V 142.22x10 −3
Zona activa
330Ω 2K2Ω

IB
IB

IC IC

VBE

VBE

VCE VCE

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Hago inciso de que debido a que la fuente no entrega los 12V correspondientes y lo
más seguro es que a pesar de que las resistencias no daban un valor exacto, no me
genero alguna zona de corte o saturación al realizar cambios en R2, en el simulador
Proteus si me genera la zona de saturación cuando R2= 2k2Ω.

Ing. Rosa M Leal R

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3.2. Circuito de polarización con tensión de base

Monte en el protoboard el circuito de polarización de transistor con fuente de tensión en la
base que se muestra en la figura siguiente

a. Rellene la siguiente tabla, midiendo los distintos parámetros del transistor para cada
uno de los valores de tensión VB que se indican. Cambie la fuente de continua VB
por una tensión senoidal de 1V de amplitud, frecuencia 1kHz y valor medio no nulo
de 0.7V (ajustar el offset del generador de funciones). Compruebe en vacío
(conectando directamente el generador de funciones al osciloscopio) que la salida
del generador es la correcta.

Ing. Rosa M Leal R

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0.5V
IB IC Vce Vbe Vbc Reg. Oper
0.02μA 2.76μA 4.99V 0.5V 4.49V Zona de corte

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0.7V
IB IC Vce Vbe Vbc Reg. Oper
6.62μA 1.33mA 2.07V 0.66V 1.40V Zona activa

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0.7V
IB IC Vce Vbe Vbc Reg. Oper
56.6μA 2.21mA 0.14V 0.68V -0.54V Zona de saturacion

Ing. Rosa M Leal R

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b. Conecte la señal senoidal al circuito y mida con el osciloscopio la tensión de entrada

(mídala de nuevo, pues será distinta a la obtenida en vacío) y la tensión de salida
(tensión en el colector). Represente ambas señales en una gráfica tensión vs tiempo.
Justifique las formas de onda obtenidas

Ing. Rosa M Leal R

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CONCLUCION

En esta práctica se llevó a cabo el estudio de un transistor NPN, se pudo

analizar las áreas de funcionamiento en la cual se puede encontrar un
transistor, a su vez, realizando los respectivos cálculos de manera manual,
física y simulada.

Conclusiones

AL FINALIZAR LA ACTIVIDAD PRÁCTICA, SE DEBE ENTREGAR:

 Gráficas de las entradas y salidas de todos circuitos.
 Se debe entregar la guía con respuestas e identificada con los integrantes del grupo.
 La redacción debe realizarse en forma clara, hacer uso de un lenguaje técnico y en tercera
persona.
 Las referencias bibliografías y los anexos se colocan de ser necesario.

Ing. Rosa M Leal R