Circuitos

Electrónicos
I
LABORATORIO 6: RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL
AMPLIFICADOR CASCODE

ALUMNOS:
• FERNANDEZ TUESTA,
JESSICA VANESSA
PROFESOR: ING. CUZCANO
1523220681 RIVAS, ABILIO BERNARDINO
• YARASCA JARA CRISTIAN GRUPO: 90 G
CLEDER
1523220939 2018 A
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR CASCODE

I. INTRODUCCION
Los amplificadores “cascode” son utilizados para mejorar el rendimiento de los circuitos
análogos y elimina los efectos capacitivos que se generan a altas frecuencias. La palabra
"cascode" es una contracción de la frase "en cascada al cátodo".
El uso de un cascode es una técnica común para mejorar el rendimiento del circuito analógico,
aplicable tanto a los tubos de vacío y los transistores. La palabra "cascode" es una contracción de
la frase "en cascada al cátodo". Que utilizado por primera vez en un artículo de F.V. Hunt y RW
Hickman en 1939 en un debate para su aplicación en los estabilizadores de baja tensión.
Propusieron una cascode de dos triodos como un reemplazo para un pentodo.
II. OBJETIVOS

• Conocer el modo de trabajo de los amplificador cascode.

• Desarrollar una práctica simulada apoyándonos en el software “PROTEUS” para simular
el amplificador cascode.
• Aplicar los conceptos adquiridos acerca del diseño del amplificador multietapa cascode.
• Analizar y comparar la ganancia, el ancho de banda y la frecuencia de corte con
respecto al emisor común de una etapa.
• Conocer los distintos tipos de diseños para el cascode.
• Saber el funcionamiento de cada uno de ellos y sus ventajas y desventajas.

III. MARCO TEORICO

En los circuitos modernos, la cascode a menudo se construye a partir de dos transistores, con uno
que funciona como un emisor común o fuente común y el otro como una base común o puerta
común. El cascode mejora el aislamiento de entrada-salida ya que no hay acoplamiento directo
de la salida a la entrada. Esto elimina el efecto Miller y por lo tanto contribuye a un ancho de
banda mucho mayor.

Figura 1. Configuración cascode JFET

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Características:
• Presenta ganancia de corriente más ganancia de voltaje.
• Mejora el ancho de banda.
• Presenta alta impedancia para la base común.
• Favorece la estabilidad de banda a banda.
• Puede trabajar a altas frecuencias.
Aplicaciones:
Con el auge de los circuitos integrados, transistores son baratos en términos de área del silicio.
En la tecnología MOSFET especialmente, cascode se puede utilizar en espejos de corriente para
aumentar la impedancia de salida de la fuente de corriente de salida.
Una versión modificada de la cascode también se puede utilizar como un modulador, en particular
para la modulación de amplitud. El dispositivo superior suministra la señal de audio, y la inferior
es el dispositivo amplificador de RF.
Estabilidad:

La disposición cascodo también es muy estable. Su salida está efectivamente aislada de la entrada
tanto eléctricamente y físicamente. El transistor inferior tiene tensión casi constante, tanto en
drenaje y la fuente, y por lo tanto no es esencialmente "nada" para alimentar de nuevo a su puerta.
El transistor superior tiene casi una tensión constante en su puerta y la fuente. Por lo tanto, los
únicos nodos con tensión significativa en ellos son la entrada y la salida, y éstas están separadas
por la central de conexión de tensión casi constante y por la distancia física de los dos transistores.
Configuración en Cascode:
Consiste en un amplificador en emisor común acoplado directamente con una configuración en
base común. Dicho circuito posee una impedancia de salida mayor y un ancho de banda más
grande.

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BJT CASCODE

Circuito en DC

Circuito en AC

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JFET CASCODE

Circuito en DC

Circuito en AC

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Ventajas:
La disposición cascodo ofrece alta ganancia, de alto ancho de banda, de alta velocidad de
respuesta, alta estabilidad, y la alta impedancia de entrada. El número de componentes es muy
bajo para un circuito de dos transistores.
Desventajas:
El circuito de cascode requiere dos transistores y requiere una tensión relativamente alta de
suministro. Para la cascodo de dos FET, ambos transistores deben estar sesgados con amplia VDS
en funcionamiento, la imposición de un límite inferior a la tensión de alimentación.
Ganancia de tensión:

Donde:

Ganancia de tensión total:

Ganancia de corriente:

Donde:

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Ganancia de corriente total:

IV. APLICATIVOS
CIRCUITO 1

Análisis:
DC

I E 2 = IC 2

(1 +  ) I B 2 =  I B1

20 = 7.5K ( I1 + I B1 ) + 6.2 KI1 + 0.7 + 1K (1 +  ) I B1

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3.9 K ( I1 − I B1 ) = 0.7 + 1K (1 +  ) I B1

Hallando I B 2 , I B1 , I1

I B 2 = 18.053 A

I B1 = 18.143 A

I1 = 1.133mA

VB1 = 3.9K ( I1 − I B1 )
VB1 = 4.347V

VB 2 = 6.2 KI1 + VB1

VB 2 = 11.369V

VC 2 = 20 − 1.5K  I B 2
VC 2 = 14.584V

VC1 = VB 2 − 0.7 = 10.669V

VCE 2 = VC 2 − VC1
VCE 2 = 3.915V

VCE1 = VC1 − 1K (1 +  ) I B1
VCE1 = 7.022V

AC

voNL voNL ib 2 ib1

AVNL = =  
vi ib 2 ib1 vi

voNL
voNL = 1.5K (− ib 2 ) → = −1.5K 
ib 2

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ib 2 
(1 +  )ib 2 =  ib1 → =
ib1 1 + 

vi i 1
ib1 = → b1 =
hie1 vi hie1

VT
hie1 = = 1.433K 
I B1

   1 
AVNL = (−1.5K  )   
 1+    hie1 

AVNL = −208.3

Zi = 3.9 K 6.2 K hie1 = 896.4

Z o = 1.5

Simulación:

A
+20V
B

R1 R3
7.5k 1.5k

C4 C2
Vo
50uF
1uF

R2 Q1
MPSH10
6.2k

C3
Vi
10uF

R4 Q2
+ 3.9k
MPSH10

-
AM FM

R5 C1
1k
100uF

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La señal obtenida:

CIRCUITO 2

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Análisis:
DC

RB 3
VB1   VCC
RB1 + RB 2 + RB 3

4.7 x103
VB1  18  4.95V
6.8 x103 + 5.6 x103 + 4.7 x103

VB1 − VBE
I E1 =
RE
4.95 − 0.7
I E1 =  3.864 mA
1.1x103

AC

Z i =RB 2 RB3 hie

Z o = RC
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hie = re
26mV 26mV
re    6.729 
I E1 3.864mA
 hie  200  6.729  1.346 k
 Z i = 5.6k 4.7k 1.346k  881.5 
 Z o = 1.8 k

Para calcular Av y Ai:

hfb (RC RL ) hfe (hib) RB 2 RB 3 hie

Av =  
hib hie RB 2 RB 3 hie + RS

RC RB 2 RB 3 hie
Ai = (hfb)  (hfe) 
RC + RL RB 2 RB 3 hie + hie

hfe
Av = hfb (RC ) 
hie
RB 2 RB 3 hie
Ai = hfb  (hfe) 
RB 2 RB 3 hie + hie

 200
hfb  − = − =−  −0.995
 +1 201

hfe   = 200
200
Av  −0.995 (1.8 x103 )   −266.12
1.346 x103

881.5
Ai = −0.995  (200)   −78.75
881.5 + 1.346 x103

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Simulación:

A
+18V
B

R1 R3 C2
6.8k 1.8k
Vo
5uF

C4 Q1
MPSH10
10uF

R2
5.6k

C3 Q2
Vi MPSH10
5uF

R4
+ 4.7k

-
AM FM
R5 C1
1.1k
20uF

La señal obtenida:

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CIRCUITO 3

Análisis:
DC

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Entonces:

R3 ( R1 + R 2 ) 9k (18k + 4k )
Rb1 = = 5.86k 
( R1 + R 2 + R3) 9k + 4k + 18k
Vcc.R3 24  9k
Vb1 = = = 6.4v
R1 + R 2 + R3 8k + 4k + 18k
De la malla A:

 Rb1 
Vb1 = ib1.Rb1 + VBE + ie1.Re = ic  + Re  + VBE
  
Vb1 − VBE
ic = = 2.745mA
Rb1
+ Re

Vcc = i1.R1 + i 2 R 2 + i3R3 = i1( R1 + R 2 + R3)
Vcc 24
i1 = = = 0.8mA
R1 + R 2 + R3 8K + 4 K + 18K
TAMBIEN:

VR2 = VCE1 → i2.R2 = VCE1 → VCE1 = 08  4 = 3.2V

DE LA MALLA B:

Vcc = ic( Rc + Re) + VCE1 + VCE 2 → VCE 2 = Vcc − VCE1 − ic( Rc + Re)
VCE1 = 24 − 3.2 − 2.742(2 + 2) = 9.83V

AC

RB = R3 R2

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Vo Vo ie 2 ib
Av = =  
Vi ie 2 ib Vi

Zi = RB ( hie1 + R e2 ( + 1) )
Z o = Rc RL

26mA 75  26
Donde: hie1 =  = = 710.9
ic1 2.743

h fe
= 1
1 + h fe

RB = 8K 4 K = 2.67 K 

→  ib = ie 2
ib
=
ie 2

→ ( I i − ib ) RB = ib (hie1 + R e 2 (  + 1))
 h + R e 2 (  + 1) + RB 
I i = ib  ie1 
 RB 
ib RB
=
I i hie1 + R e 2 (  + 1) + RB

− ( Rc RL ) RB 
→ Ai =
RL ( hie1 + R e 2 (  + 1) + RB )

Por lo tanto, reemplazando los valores respectivos:

Av = −0.0468
Ai = −2.46
Z i = 76.7 K 
Z o = 48.78

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Simulación:

A
+18V
B

R1 R3 C2
18k 2k
Vo
5uF
C4
R7
50
10uF

R2 Q1
MPSH10
4k

C3
Vi
5uF

R4 Q2
+ 4.7k
MPSH10

-
AM FM

R5 C1
1k
0.1uF

R6
1k

La señal obtenida es:

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V. PREGUNTAS

1. ¿En qué consiste la configuración en cascode?

Consiste en un amplificador en emisor común acoplado directamente con una configuración en
base común. Dicho circuito posee una impedancia de salida mayor y un ancho de banda más
grande.
2. Explique porque se utiliza la configuración base común en el Cascode como etapa
de salida.
El amplificador base común es la mejor opción en amplificaciones de altas frecuencias, sin
embargo, su desventaja es su muy baja impedancia de entrada.
El amplificador cascode se encarga de aumentar la impedancia de entrada manteniéndola gran
utilidad de la configuración de base común, siendo desventajoso en el manejo de señales de alta
frecuencia.
3. ¿Por qué se elimina el efecto Miller?
El cascode mejora el aislamiento de entrada-salida ya que no hay acoplamiento directo de la salida
a la entrada. Esto elimina el efecto Miller y por lo tanto contribuye a un ancho de banda mucho
mayor.
4. ¿Cuáles son las ventajas del amplificador cascode?
La disposición cascodo ofrece alta ganancia, de alto ancho de banda, de alta velocidad de
respuesta, alta estabilidad, y la alta impedancia de entrada. El número de componentes es muy
bajo para un circuito de dos transistores.
5. ¿Cuál es la desventaja de su uso?
El circuito de cascode requiere dos transistores y requiere una tensión relativamente alta de
suministro. Para la cascodo de dos FET, ambos transistores deben estar sesgados con amplia VDS
en funcionamiento, la imposición de un límite inferior a la tensión de alimentación.

VI. REFERENCIAS

[1] "Teoria De Circuitos Y Dispositivos Electronicos”, Boylestad, Robert

[2] “Análisis Básico De Circuitos Eléctricos”, D.E. Johnson. Ed. Prentice Hall
Hispanoamericana, 1996.
[3] “Teoría De Circuitos Eléctricos”, R. Sanjurjo, E. Lázaro, P. de Miguel. Ed. McGraw-
Hill, 1997.
[4] https://referencias111.wikispaces.com/file/view/Capitulo3_ce1.pdf
[5] https://electronicaii.files.wordpress.com/2013/06/amplificadores-multietapa.pdf

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