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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN

MARCOS

FACULTAD DE ING.ELECTRÓNICA,
ELÉCTRICA

Apellido y Nombre: Código:

Usccachi Valencia Darwin 14190110


Darius
Curso: Tema:

Micro/Nano Sistemas “ BASES DEL DISEÑO GEOMÉTRICO DE


ASICs”

Informe: Fechas:
Final Realización: Entrega:

Numero:
Junio del 26 de junio
2020 del 2020
2
Grupo: Profesor:
Numero: L13

Horario: jueves 4:00-6:00 pm Dr. Matutti Alarcón

BASES DEL DISEÑO GEOMÉTRICO DE ASICs


Inversor Fig. A y Fig. B
 Realizar un Inversor CMOS:

1) Presentar el LAYOUT mínimo del inversor realizado por Ud. Considerar para el layout
el esquema de la Fig. A y la Fig. B del diagrama de barras (STICK). Tratar de conseguir
un layout de dimensiones mínimas. Mostrar y describir las vistas de corte 2D y 3D.

LAYOUT DEL CIRCUITO


Vista de corte 2D

Vista de corte en 3D

2) Para el LAYOUT del inversor (muestre el procedimiento empleado):


-Hallar la frecuencia MÁXIMA de operación.

 Frecuencia Máxima de Operación:

1 1
fmáx= = =45.4 Ghz
Tpmáx 22 ps

 Frecuencia de simulación:

fmáx 45.4 Ghz


fsimulacion< =
2 2

fsimulacion<22.72 Ghz

El área ocupada del layout.


Las dimensiones del Layout.

Ancho: 34 λ 

 = 34*0.125µm = 4.25µm.

Alto:  50λ 

 = 50*0.125µm =6.25 µm.

El área seria=26.56µm2.

3) Para el LAYOUT del inversor, extraer la descripción CIR (Spice) y la descripción CIF

(Caltech Intermediate Form) del inversor. En cada caso, establecer las reglas principales

de sintaxis y describir sus contenidos. Buscar en libro y/o Internet la información

necesaria.

-CIR:

1. Describe un circuito en un archivo de texto (extensión ".cir") llamado netlist O dibuja el circuito
utilizando símbolos gráficos en una página de esquema. Hay un montón de archivos de lista de
redes SPICE listos para ejecutarse en la colección de circuitos .

2. Ejecuta una simulación. SPICE lee la lista de redes y luego realiza el análisis solicitado: AC, DC o
RESPUESTA TRANSITORIA. Los resultados se almacenan en un archivo de salida de texto (extensión
".out") o un archivo de datos binarios.

3. Ve los resultados de la simulación en un archivo de salida de texto (".out") usando un editor de


texto. La mayoría de los programas SPICE proporcionan un visor gráfico para trazar las formas de
onda almacenadas en el archivo de datos binarios.
CIRCUIT C:\Users\Darwin\Desktop\Micro y nano laboratorio\semana 2\Labo2.MSK

*
* IC Technology: ST 0.25µm - 6 Metal /tecnologia
*
VDD 1 0 DC 2.50
VVin 7 0 PULSE(0.00 2.50 1.00N 0.05N 0.05N 1.00N 2.10N)
*
* List of nodes // lista de nodas
* "N2" corresponds to n°2
* "Vout" corresponds to n°4
* "Vin" corresponds to n°7
*
* MOS devices //medidas de los Mos
MN1 0 7 4 0 TN W= 1.00U L= 0.25U
MP1 4 7 1 2 TP W= 1.00U L= 0.25U
*
C2 2 0 1.523fF
C3 1 0 0.828fF
C4 4 0 1.551fF //capacidades parasitas
C5 1 0 0.403fF
C7 7 0 0.248fF
*
* n-MOS Model 3 : // tipo de modelo
*
.MODEL TN NMOS LEVEL=3 VTO=0.45 KP=300.000E-6
+LD =0.020U THETA=0.300 GAMMA=0.400
+PHI=0.200 KAPPA=0.010 VMAX=130.00K
+CGSO= 0.0p CGDO= 0.0p
*
* p-MOS Model 3:
*
.MODEL TP PMOS LEVEL=3 VTO=-0.45 KP=120.000E-6
+LD =0.020U THETA=0.300 GAMMA=0.400
+PHI=0.200 KAPPA=0.010 VMAX=100.00K
+CGSO= 0.0p CGDO= 0.0p
*
* Transient analysis
*
.TEMP 27.0
.TRAN 0.80PS 5.00N
.PROBE
.END

Capacidades
Parasitas
C2 2 0 1.523fF
C3 1 0 0.828fF
C4 4 0 1.551fF
C5 1 0 0.403fF
C7 7 0 0.248fF

-CIF
Los archivos CIF se almacenan en el formato de texto ASCII. Cada línea comienza con un
comando de uno o dos caracteres.
El formato de archivo CIF solo almacena nombres de capa. El número de capa como se usa en
GDSII u OASIS no se usa. Al abrir un archivo CIF, LayoutEditor analizó los nombres de capa
utilizados. Si ya existe un nombre de capa en la configuración actual, se utiliza este número de
capa. De lo contrario, se cambia el nombre de la primera capa no utilizada.
L 2;
P 3375,-1875 4125,-1875 4125,-1625 3375,-1625;
( File : "C:\Users\Darwin\Desktop\Micro y nano P 3250,-625 4250,-625 4250,125 3250,125;
laboratorio\semana 2\Labo2.CIF") P 3250,-1625 4250,-1625 4250,-875 3250,-875;
( Conversion from Microwind 2b - 17.01.2000 to P 3250,-875 4250,-875 4250,-625 3250,-625;
CIF) P 3375,125 4125,125 4125,375 3375,375;
( Version 24/06/2020,18:46:35) P 3375,3250 4125,3250 4125,3625 3375,3625;
P 3375,1500 4125,1500 4125,1875 3375,1875;
P 3250,2750 4250,2750 4250,3250 3250,3250;
DS 1 1 1; P 3250,1875 4250,1875 4250,2500 3250,2500;
9 topcell; P 2500,3625 3250,3625 3250,4375 2500,4375;
L 1; P 3250,2500 4250,2500 4250,2750 3250,2750;
P 2500,1125 5000,1125 5000,4375 2500,4375; L 16;
L 19; P 3125,-2125 4375,-2125 4375,-1375 3125,-1375;
P 2725,3850 3025,3850 3025,4150 2725,4150; P 3000,-875 4500,-875 4500,375 3000,375;
P 3600,3100 3900,3100 3900,3400 3600,3400; P 3000,-1875 4500,-1875 4500,-625 3000,-625;
P 3600,1725 3900,1725 3900,2025 3600,2025; P 3000,-1125 4500,-1125 4500,-375 3000,-375;
P 3600,-150 3900,-150 3900,150 3600,150; P 3125,-125 4375,-125 4375,625 3125,625;
P 3600,-1650 3900,-1650 3900,-1350 3600,-1350; L 17;
L 13; P 3125,3000 4375,3000 4375,3875 3125,3875;
P 1875,2500 4500,2500 4500,2750 1875,2750; P 3125,1250 4375,1250 4375,2125 3125,2125;
P 1375,-875 1875,-875 1875,2750 1375,2750; P 3000,2500 4500,2500 4500,3500 3000,3500;
P 1875,-875 4375,-875 4375,-625 1875,-625; P 3000,1625 4500,1625 4500,2750 3000,2750;
L 23; P 2250,3375 3500,3375 3500,4625 2250,4625;
P 3250,-1625 5375,-1625 5375,-1375 3250,-1375; P 3000,2250 4500,2250 4500,3000 3000,3000;
P 3375,-1375 4125,-1375 4125,-1125 3375,-1125; L 60;
P 3375,3250 4125,3250 4125,3625 3375,3625; 94 Vdd 2875,4000;
P 3375,2875 4125,2875 4125,3000 3375,3000; 94 Vdd 5375,3125;
P 3375,-1875 4125,-1875 4125,-1625 3375,-1625; 94 Vss 5250,-1500;
P 3375,-375 4125,-375 4125,625 3375,625; 94 Vin 1500,875;
P 3375,1000 4125,1000 4125,2250 3375,2250; 94 Vout 5125,750;
P 2500,3625 3250,3625 3250,4375 2500,4375; DF;
P 3250,3000 5625,3000 5625,3250 3250,3250; C 1;
P 3375,625 5625,625 5625,1000 3375,1000; E
4) Presentar el LAYOUT del circuito mostrado en la Fig. C, revisar la teoría de su
funcionamiento y explique en detalle, página 165 del libro texto.

Schmitt trigger
En electrónica , un disparador de Schmitt es un comparador
de circuito con histéresis implementado mediante la aplicación
de retroalimentación positiva a la entrada no inversora de un
amplificador comparador o diferencial. Se trata de un circuito activo que
convierte un análogo de la señal de entrada a una digital de señal de
salida. El circuito se denomina un "disparador" porque la salida
conserva su valor hasta que la entrada cambia lo suficiente como para
provocar un cambio. En la configuración no inversora, cuando la
entrada es superior a un umbral elegido, la salida es alta. Cuando la
entrada está por debajo de un umbral diferente (inferior) elegido la salida es baja, y cuando la
entrada está entre los dos niveles de la salida conserva su valor. Esta acción dual se llama
umbral de histéresis e implica que el disparador de Schmitt posee memoria y puede actuar
como un multivibrador biestable (pestillo o flip-flop ). Existe una estrecha relación entre los dos
tipos de circuitos: un disparador Schmitt se puede transformar en un pestillo y un cerrojo se
puede convertir en un disparador Schmitt.
Dispositivos de disparo Schmitt se utilizan típicamente en acondicionamiento de
señal aplicaciones para eliminar el ruido de las señales utilizadas en circuitos digitales, en
particular mecánica rebote de contacto en interruptores . También se utilizan en el circuito
cerrado de retroalimentación negativa configuraciones para implementar los osciladores de
relajación , usados en generadores de funciones y fuentes de alimentación conmutadas .

La salida del comparador es A y la salida del disparador Schmitt es B

Layout del Disparador de Schmitt


Simulacion del Disparador de Schmitt

Area de Layout
Area de layout
Area=62lambdaX68lambda
Area=702lambda=438.75um2
5) Para circuito digital MOS mostrado en las Figura 1 Analizar y determinar la función
lógica de salida del circuito. Presentar completo el LAYOUT (manual y de menor área) y
corroborar su función lógica mediante simulación.
Medir el ÁREA del layout y hallar la frecuencia MÁXIMA de operación.

Tabla de Verdad
S In2 In F
0 0 0 1
0 0 1 0
0 1 0 1
0 1 1 0
1 0 0 1
1 0 1 1
1 1 0 0
1 1 1 0

F=Sx¿´1 + Śx¿´2

Layout del Circuito

Area de Layout
Area de Layout
Area=55lambaX75lambda
Area=4.125lambda=2.758mm2

Simulacion del Circuito


 Frecuencia Máxima de Operación:

1 1
fmáx= = =13. 8 Ghz
Tpmáx 72 ps

 Frecuencia de simulación:

fmáx 13.8
fsimulacion< =
2 2

fsimulacion<6.9 Ghz

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