Tiristores y familia

Tutor:

José Alejandro Martínez Bonetti

Materia:

Electronica Industrial

Integrantes:

Hope Matias 2016-

Kenny Gomez 2016-7345

Cristopher Gonzales 2016-3809

Cristian Ortiz 2016-4148

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CONTENIDO

Introducción ............................................................................................................................... 4

La electrónica de potencia ......................................................................................................... 7

Clasificación de los sistemas de potencia .................................................................................. 9

Definición del tiristor y principios de funcionamiento ............................................................ 11

Algunos tipos de tiristores ....................................................................................................... 15

EL DIODO DE 4 CAPAS ................................................................................................... 16

SIDAC ................................................................................................................................. 17

RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR) ................................................... 19

OPERACIÓN BASICA DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO .................. 19

SBS ...................................................................................................................................... 21

PUT ...................................................................................................................................... 22

Aplicaciones............................................................................................................................. 23

3.5 TRIAC ........................................................................................................................... 23

3.6 GTO ............................................................................................................................... 26

3.7 Transistor UJT ............................................................................................................... 27

3.8 BJT (Transistor) ............................................................................................................. 28

RECTA DE CARGA ............................................................................................................... 31

Diseño del circuito de polarización ......................................................................................... 32

EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR ......................................................................... 34

2
4. Estados del tiristor ............................................................................................................... 36

3.1.- Estado de Bloqueo ....................................................................................................... 36

4.2.- Encendido .................................................................................................................... 36

4.3.- Estado de Conducción ................................................................................................. 39

4.4.- Apagado ....................................................................................................................... 40

5.- Curvas características y datos de manuales ........................................................................ 41

5.- Control de Potencia ............................................................................................................ 42

5.1.- Regulación de Potencia de Corriente Alterna por control de fase............................... 42

5.2.- Regulación de Potencia de Corriente Alterna por conmutación en fase cero ............. 45

6.- Disipación de Potencia ....................................................................................................... 45

6.1 Potencia disipada durante la conmutación ..................................................................... 45

Creación de una zona primaria de conducción. ................................................................... 46

6.2 Potencia disipada en régimen estacionario .................................................................... 47

7.- Límite de frecuencia ........................................................................................................... 51

Conclucion ............................................................................................................................... 52

Bibliografía .............................................................................................................................. 53

3
INTRODUCCIÓN

Los tiristores constituyen una familia de dispositivos que pueden tomar diferentes nombres y

características, pero donde todos los elementos que la componen se basan en el mismo

principio de funcionamiento. Constructivamente son dispositivos de 4 capas semiconductoras

N-P-N-P y cuya principal diferencia con otros dispositivos de potencia es que presentan un

comportamiento biestable. Su construcción se debe en su origen a General Electric en 1957 y

la comercialización general comienza hacia 1960.Los tiristores pueden tener 2, 3 o 4

terminales, y ser de conducción unilateral (un solo sentido) o bilateral (en ambos sentidos).

Ante una señal adecuada pasan de un estado de bloqueo al de conducción, debido a un efecto

de realimentación positiva. El pasaje inverso, de conducción a bloqueo se produce por la

disminución de la corriente principal por debajo de un umbral. Funcionan como llaves,

presentando dos estados posibles de funcionamiento:

No conducción (abierto)

Conducción (cerrado)La estructura base común consistente en múltiples capas P y N

alternadas, puede presentar algunas variaciones en los distintos el miembro de la familia,

particularizando su funcionamiento. La carga es aplicada sobre las múltiples junturas y la

corriente de disparos inyectada en una de ellas. Los tiristores pueden tomar muchas formas y

nombres, pero tienen en común que todos ellos son llaves de estado sólido capaces de

bloquear tensiones directas e inversas hasta el momento que son disparados. Al dispararlos se

convierten en dispositivos de baja impedancia, conduciendo la corriente que fije el circuito

exterior, permaneciendo indefinidamente en conducción mientras la corriente no disminuya

por debajo de un cierto valor. Una vez disparado y establecida la corriente principal, la

corriente de disparo puede ser removida sin alterar el estado de conducción del tiristor.

Análogamente una vez recuperada la capacidad de bloqueo, ésta se mantiene sin otro

4
requisito hasta la ocurrencia de un nuevo disparo. Estas características transforman al tiristor

en un elemento muy útil en aplicaciones de control. Comparado con llaves mecánicas, el

tiristor tiene un elevado ciclo de servicio junto con relativamente muy bajos tiempos de

encendido y apagado. Por ser dispositivos cuyo funcionamiento se basa en dos tipos de

portadores, participan de las excelentes características de conducción, pero cono tiempos de

conmutación considerables. Debido a su acción regenerativa, y baja resistencia una vez

disparado, los tiristores son muy utilizados en aplicaciones de control de potencia, control de

motores e inversores que impliquen muy elevadas corrientes y tensiones (miles de amperes y

voltios) pero a frecuencias bajas. Los dispositivos más conocidos de la familia de los

tiristores para aplicaciones de potencia son:

SRC (Silicon Controled Rectifiers)

TRIACS

GTO (Gate Turn Off) Los primeros son unidireccionales diseñados para conmutar cargas con

corrientes en un solo sentido, cubriendo desde aplicaciones de muy baja potencia hasta las

que requieren el control de miles de voltios y amperes. Los TRIACS en cambio, son

bidireccionales y permiten la circulación de corriente en ambas direcciones para aplicaciones

de baja potencia. Finalmente, los GTO (Gate Turn Off) al igual que los SCR.

conducción unidireccional, pero con la particularidad de poder ser apagados mediante una

señal de compuerta. Su uso se encuentra en aplicaciones de muy elevada potencia En

particular, el SCR (Silicon Controlled Rectifier), si bien es solo uno de los miembros de la

familia de los tiristores es el más caracterizado, por lo que se ha vuelto una costumbre

generalizada denominarlos por el nombre de la familia. En consecuencia, por lo general, al

utilizarse el término tiristor, en realidad se suele hacer referencia a los SCR, y se los conoce

5
inclusive así en el comercio, si bien en los manuales se lo ubica correctamente con el nombre

de SCR. Los tiristores son elementos constructivamente robustos, y al igual que en todo

dispositivo de potencia, en su utilización no deben ser superados los valores máximos

permitidos por el fabricante. Sin embargo, además de las consideraciones habituales, en los

tiristores deben tenerse en cuenta consideraciones particulares al prever su utilización en una

aplicación específica. Existen dos parámetros propios de los tiristores que deben considerarse

al momento de su aplicación, y que no pueden ser excedidos, sin afectar la duración de su

vida útil o directamente destruirlos. Estos parámetros característicos de los tiristores son la

velocidad de crecimiento de la tensión en condiciones de bloqueo (dv/dt) y el crecimiento de

la corriente principal en el momento del encendido (di/dt). Para el encendido de los tiristores,

debe proveerse un pulso de disparo de la energía y rapidez suficiente para lograr su rápida y

completa puesta en conducción. En forma general, la corriente de encendido debe ser al

menos superior a tres veces la mínima especificada con un pulso de tiempo de crecimiento

menor a 1 microsegundo y duración superior a los 10microsegundos.Para su apagado, salvo

los GTO que pueden ser llevados del estado de conducción a corte mediante la inyección de

una corriente negativa de compuerta, todos los restantes dispositivos de la familia solo se

apagan mediante la disminución del su corriente por debajo del valor de mantenimiento. La

excitación puede provenir de distintos circuitos incluyendo circuitos a transistores, circuitos

integrados de familias lógicas, circuitos integrados específicos de control de potencia,

optoacopladores, transformadores de pulsos, u otros miembros de la familia de tristores

destinados a su disparo tales como:

Diac

PUT

SBS

6
Además de los mencionados, otro elemento de encendido de uso habitual es el

Transistor Unijuntura conocido por las siglas UJT de su denominación inglesa, Unijunction

Transistor. Dada que su constitución y funcionamiento no se corresponden a la familia de los

transistores, el UJT se trata como tema aparte.

LA ELECTRÓNICA DE POTENCIA

Cada vez son más los dispositivos y sistemas que en una o varias de sus etapas son

accionados por energía eléctrica. Los accionamientos consisten, en general, en procesos que

transforman la energía eléctrica en otro tipo de energía, o en el mismo tipo, pero con

diferentes características. Los encargados de realizar dichos procesos son los Sistemas de

Potencia.

Las aplicaciones de la electrónica estuvieron limitadas durante mucho tiempo a las técnicas

de alta frecuencia (emisores, receptores, etc.). En la evolución de la electrónica industrial, las

posibilidades estaban limitadas por la falta de fiabilidad de los elementos electrónicos

entonces disponibles (tubos amplificadores, tiratrones, resistencias, condensadores). Esta

fiabilidad era insuficiente para responder a las altas exigencias que se requerían en las nuevas

aplicaciones del campo industrial. Gracias al descubrimiento de los dispositivos

semiconductores (transistores, tiristores, etc.) en la década de los 60, que respondían a las

exigencias industriales (alta fiabilidad, dimensiones reducidas, insensibilidad a las

vibraciones mecánicas, etc.), la electrónica industrial hizo progresos increíbles, permitiendo

la realización de procesos cada vez más complejos, destinados a la automatización de

procesos industriales.

7
En general, cualquier conversión de energía eléctrica se puede realizar por procedimientos

electromecánicos o por procedimientos electrónicos. Los convertidores electrónicos disponen

de las siguientes ventajas frente a los electromecánicos:

Mayor flexibilidad y más posibilidades de control.

Mayor estabilidad y mayor rapidez de respuesta, gracias a las características eléctricas.

Menor mantenimiento al no disponer de partes mecánicas.

Mayor vida media y mayor fiabilidad.

No producción del arco eléctrico.

En la Electrónica de Potencia, el concepto principal es el rendimiento. El elemento de base no

puede trabajar en régimen de amplificación pues las pérdidas serían elevadas, es necesario

trabajar en régimen de conmutación, siendo el componente de base el semiconductor quien

trabaja como interruptor. Este componente trabajando en conmutación deberá cumplir las

siguientes características:

Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja

impedancia (conducción).

Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con pequeña potencia de control.

Ser capaz de soportar altas tensiones cuando está bloqueado y grandes intensidades, con

pequeñas caídas de tensión entre sus extremos, cuando está en conducción.

Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

8
Así podemos definir la Electrónica de Potencia de la siguiente manera:

Electrónica de Potencia es la parte de la Electrónica encargada del estudio de dispositivos,

circuitos, sistemas y procedimientos para el procesamiento, control y conversión de la energía

eléctrica.

Por tanto, la Electrónica de Potencia se ha introducido de lleno en la industria en

aplicaciones tales como las fuentes de alimentación, cargadores de baterías, control de

temperatura, variadores de velocidad de motores, etc. Es la Electrónica Industrial quien

estudia la adaptación de sistemas electrónicos de potencia a procesos industriales. Siendo un

sistema electrónico de potencia aquel circuito electrónico que se encarga de controlar un

proceso industrial, donde interviene un transvase y procesamiento de energía eléctrica entre la

entrada y la carga, estando formado por varios convertidores, transductores y sistemas de

control., los cuales siguiendo hoy en día evolucionando y creciendo constantemente.

CLASIFICACIÓN DE LOS SISTEMAS DE POTENCIA

Existen muchos tipos de clasificaciones, las cuales incluyen como características

determinantes:

• El tipo de semiconductor utilizado.

• El modo de conmutación

• El tipo de aplicación.

Ahora, atendiendo al tipo de conmutación se obtiene la siguiente clasificación de

convertidores de potencia: Conmutación natural: Cuando la fuente de tensión primaria,

presente a uno de los lados del convertidor, facilita el paso a corte de los semiconductores.

9
Además, dichos semiconductores pasan a conducción en fase con la frecuencia de la tensión

de entrada. (Rectificadores, Reguladores de corriente alterna y Ciclo convertidores.

Conmutación forzada: Cuando los conmutadores controlables son llevados a corte y a

conducción a frecuencias mayores que la frecuencia de la red. (Troceadores, Inversores y

Onduladores autónomos). De las clasificaciones anteriores se pueden extraer las

características básicas de cada uno de los convertidores mencionados:

a). - Rectificador no controlado: Transforma la corriente alterna de voltaje constante en

corriente continua de voltaje constante. Formado por diodos, constituyen montajes

irreversibles.

b). - Rectificador controlado: Transforma la corriente alterna de voltaje constante en corriente

continua de voltaje variable. Formado por tiristores. El montaje puede ser reversible,

denominándose inversor no autónomo.

c). - Reguladores de AC: Transforman la corriente alterna de voltaje constante en corriente

alterna de voltaje variable y de la misma frecuencia

d). - Cicloconvertidores: Reguladores de alterna o convertidores directos alterna/alterna de

distinta frecuencia.

e). - Ondulador autónomo o Inversor: Transforman una corriente continua en corriente alterna

de frecuencia fija o variable.

f). - Troceador o "chopper": Transforma corriente continua de voltaje constante en corriente

continua de voltaje variable.

10
DEFINICIÓN DEL TIRISTOR Y PRINCIPIOS DE FUNCIONAMIENTO

El tiristor es un semiconductor de potencia que se utiliza como interruptor, ya sea para

conducir o interrumpir la corriente eléctrica, a este componente se le conoce como de

potencia por que se utilizan para manejar grandes cantidades de corriente y voltaje, a

comparación de los otros semiconductores que manejan cantidades relativamente bajas.

Cuando se habla de tiristores comúnmente se cataloga al tiristor como un SRC (silicon

controlled rectifier), pero esto no es del todo correcto ya que este tipo es el más popular y

conocido, pero no es el único que existe.

La estructura física base de los miembros de la familia de los tiristores está formada por

cuatro capas de semiconductores P y N como se ilustra en la figura que aparece a

continuación:

Un tiristor, o con mayor precisión, un SCR puede conducir solo cuando su ánodo es positivo

respecto al cátodo. Para pasar de la condición de corte a la de conducción, se requiere aplicar

un pulso positivo de energía suficiente en el terminal de compuerta. Mientras no se produzca

11
el disparo, el SCR permanece en condiciones de bloqueo, tanto con tensiones ánodo - cátodo

positivas como negativas. Con el ánodo positivo respecto al cátodo, el SCR, si bien se

encuentra habilitado a cambiar de estado, no conduce y la tensión aplicada es soportada por la

unión J2. Cuando el ánodo es negativo respecto del cátodo, el SCR se encuentra en una

condición inherente de no conducción y se mantiene así aun excitándolo. La tensión inversa

es soportada por las uniones J3 y J1; sin embargo, la tensión de avalancha de J1 es pequeña y

consecuentemente es J3 quien soporta la tensión aplicada y limita la corriente inversa de fuga.

Para explicar el funcionamiento del SCR, se recurre a analizar un “símil” resultante de

desdoblar a las cuatro uniones de la figura 2 en dos transistores interconectados entre sí, en

configuración de par complementario, y presentando en consecuencia una realimentación

positiva. Este modelo, representado en la figura que aparece a continuación, tiene validez con

el SCR bloqueado (antes del disparo) y en el momento del encendido; no vale cuando el SCR

se encuentra conduciendo.

Sin excitación, con IGP = IGN = 0, planteando las ecuaciones de los transistores Q1 y Q2:

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La suma ICO1+ ICO2 es en realidad una sola corriente de saturación inversa ICX que tiene

lugar en la unión central J2. Reemplazando y despejando IA se obtiene:

En estado de bloqueo, el valor de alfa de un transistor es mucho menor que la unidad, en

consecuencia) (α1 + α2) << 1 y en consecuencia, la corriente directa por el tiristor, IA no es

más que una corriente inversa de saturación. Para que se establezca el estado de conducción,

(α1 + α2) -> 1 y entonces IA -> infinito y solamente es limitada por la carga en serie con el

SCR. De igual manera, en términos de la ganancia β se obtiene:

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reemplazando se obtiene la ecuación anterior.

En estado de bloqueo, β<<1 (zona de corte de un transistor de silicio) y en conducción,

durante la excitación del tiristor, β es un número mayor que la unidad, pero ya con β1β2 --> 1

el tiristor conduce con IA --> infinito.

Ambas ecuaciones demuestran que el tiristor se puede encontrar en uno de sus dos estados

posibles y que para pasar del estado de corte al de conducción, se debe alcanzar la condición

de ganancia igual a uno.

Si ahora se supone que ambas compuertas se encuentran excitadas, es decir con circulación

de corrientes:

ya que es:

14
La ecuación anterior, cuando no hay excitación de compuerta queda reducida a la ecuación ya

deducida cuando esta corriente es nula. La circulación de estas corrientes produce el inicio de

la conducción realimentada positivamente, que, al alcanzar una ganancia igual a uno, lleva al

tiristor a la condición de conducción, aunque desaparezca el pulso inicial.

Un pulso en GP constituye el método más efectivo de encendido, mientras que un pulso en

GN necesita de mayor energía para encender al tiristor, debiendo aplicarse un pulso negativo

entre dicha puerta y ánodo. Normalmente solo se dispone de acceso a la compuerta vinculada

con la capa P1, a excepción de los dispositivos PUT (Programmable Unijuntion Thiristors)

que utilizan la compuerta GN

Cabe aclarar, que, si bien la inyección de portadores en la unión J1 mediante una corriente

positiva en el terminal de compuerta es la forma adecuada de producir el cambio de estado

del tiristor, toda otra circunstancia que produzca un aumento de la corriente Icx o de alfa

hasta alcanzar la condición de ganancia igual a la unidad, puede también producir la

conmutación del tiristor. Estas otras formas, que se analizan mas adelante, son por lo general

destructivas y no deben ser utilizadas como procedimiento de encendido, salvo sea

explícitamente admitido por el fabricante.

Algunos TIPOS DE TIRISTORES

15
EL DIODO DE 4 CAPAS

En la sección, nosotros examinamos el diodo p-n-p-n, el interruptor de silicio controlado, y

las técnicas básicas usadas para el control de potencia con estos dispositivos de estado sólido.

El diodo p-n-p-n cuando esta polarizado con ánodo positivo tiene dos estados estables. Un

estado de muy alta resistencia, típicamente de él orden de 100 MΩ, y el otro estado de muy

baja resistencia, típicamente menos a los 10 Ω. Cuando esta polarizado en reversa, este

dispositivo actúa como un diodo típico P-N, tiene una corriente de fuga muy baja. El

dispositivo consiste en 4 capas de silicio dopadas alternadamente con impurezas tipo P y tipo

N, como se muestra en la figura 18-23. Porque de esta estructura es llamada un diodo pnpn (a

menudo pronunciado pinpin) o interruptor. La terminal de región P es el ánodo, o emisor P, y

la terminal de la región N es el cátodo, o emisor N. Cuando un voltaje externo es aplicado

hace al ánodo positivo con respecto al cátodo, las unionesJ1 y J3 son directamente

polarizadas y la unión central J2 es polarizada en reversa. La tensión externamente impresa

aparece aplicada a través de la unión inversamente polarizada, y la corriente que fluye a

través del dispositivo es pequeña. Como el voltaje impreso es incrementado, la corriente

incrementa lentamente hasta un voltaje llamado disparo, el voltaje VHO es alcanzado donde

la corriente incrementa abruptamente y el voltaje a través del dispositivo decrece

bruscamente. En este punto de ruptura el diodo interruptor pn-p-n conmuta de estado apagado

(bloqueado) ha estado encendido.

16
En la figura 18-23a, el interruptor p-n-p-n ha sido dividido en dos partes que han sido

desplazadas mecánicamente una de la otra, pero están conectadas eléctricamente. Esta

división tiene la intención de ilustrar que el dispositivo se puede ver como dos transistores

espalda con espalda. Un transistor es del tipo p-n-p, mientras que el segundo es del tipo n-p-

n. La región N que es la base de un transistor es el colector del otro y similar para la región P

contigua.

La unión J2 es una unión de colector común para ambos transistores. En la figura 18-24b, la

disposición de la figura 18-24a se ha vuelto a dibujar utilizando símbolos de circuitos de

transistores, y una fuente de tensión ha sido impresa a través de resistencias a través del

interruptor.

SIDAC

El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensión y corriente. Es básicamente un

diodo de cuatro capas con unas características eléctricas simétricas.

En la figura a se describe su estructura física, en la figura b el símbolo de este dispositivo y

en la figura c sus características eléctricas simétricas. El SIDAC se utiliza en aquellas

aplicaciones que se necesitan una tensión de disparo VBO cuyos valores están comprendidos

entre y 270V (típicos).

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El MKP3V120 de Motorola es un ejemplo típico de un SIDAC, con una corriente máxima de

1A y una tensión de ruptura de VBO = 120 V (pertenece a la serie MKP3VXXX en donde las

tres últimas cifras definen la VBO).

En este caso, la tensión ánodo-cátodo es aproximadamente ~1.1V prácticamente

independiente de la corriente. Una de las aplicaciones más típicas del SIDAC es como

generador de diente de sierra en donde se aprovecha las características de disparo y bloqueo

de este dispositivo.

18
RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO (SCR)

Unas cuantas de las áreas más comunes de aplicación para los SCR incluyen los controles de

relevadores, los circuitos de retraso de tiempo, las fuentes de alimentación reguladas, los

interruptores estáticos, los controles de motores, muestreadores (choppers), inversores, ciclos

convertidores, cargadores de baterías, circuitos de protección controles de calefacción y

controles de fase. En los últimos años, los SCR se han diseñado para controlar potencias tan

altas como 10 MW con valores nominales individuales tan elevados como 2000 A a 1800V.

Su intervalo de frecuencia de aplicación se ha extendido también cerca de 50 kHz,

permitiendo algunas aplicaciones de alta frecuencia, tales como calentamiento por inducción

y limpieza ultrasónica.

OPERACIÓN BASICA DEL RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO

Como la terminología indica, el SCR es un rectificador construido de material de silicio con

una tercera terminal para propósitos de control. Se eligió el silicio debido a su elevada

capacidad de temperatura y potencia. La operación básica del SCR es diferente de la del

diodo semiconductor fundamental de dos capas donde una tercera terminal, llamada

compuerta, determina cuándo el rectificador conmuta del estado del circuito abierto al de

corto circuito. No es suficiente con polarizar directamente la región del ánodo al cátodo del

dispositivo. En la región de conducción, la resistencia dinámica del SCR es por lo general de

0.01 a 0.1 Ω. El símbolo gráfico para el SCR se muestra en la Figura 1 con las conexiones

correspondientes a la estructura semiconductora de cuatro capas. Como se indica en la Figura

1(a), si se va a establecer la conducción directa, el ánodo debe ser positivo con respecto al

cátodo. Sin embargo, este no es un criterio suficiente para activar el dispositivo. También

debe aplicarse en la compuerta un pulso de magnitud suficiente para establecer una corriente

de disparo, representada simbólicamente por IGT. SEMICO

19
Las características de un SCR se proporcionan en la Figura 6 para diversos valores de la

corriente de compuerta. Las corrientes y voltajes de interés usual se indican sobre la

característica. A continuación, se presenta una breve descripción de cada una de ellas.

Voltaje de ruptura directo V(BR)F* es el voltaje arriba del cual el SCR entra en la región de

conducción. El asterisco (*) corresponde a una letra que se añadirá y que depende de la

condición de la terminal de la compuerta del modo siguiente: O = circuito abierto de G a K. S

= corto circuito de G a K. R = resistor de G a K. V = polarización (voltaje) fija de G a K.

Corriente de sostenimiento (IH) es el valor de la corriente por debajo del cual el SCR

conmuta del estado de conducción al de la región de bloqueo directa, en condiciones

establecidas.

Regiones de bloqueo directa e inversa son aquellas que corresponden a la condición de

circuito abierto para el rectificador controlado que bloquea el flujo de carga (corriente) del

ánodo al cátodo.

20
Voltaje de ruptura inverso es equivalente a la región Zener o de avalancha del diodo

semiconductor fundamental de dos capas.

SBS

Un Interruptor bilateral de silicio o SBS por sus siglas en inglés (Silicon Bilateral Switch) es

un tiristor del tipo bidireccional, que está compuesto por dos tiristores unidireccionales o SUS

conectados en antiparalelo. Al igual que los tiristores PUT y SUS, el SBS es utilizado en

circuitos osciladores de relajación para el control de disparo de dispositivos que entregan

potencia eléctrica a una carga, como los SCR y los TRIAC; la diferencia consiste en que

pueden dispararse tanto en el semiciclo positivo como en el negativo de una fuente de voltaje

de corriente alterna, debido a que pueden polarizarse directa e inversamente.

Un SBS puede dispararse con la compuerta conectada o desconectada; esta terminal

solamente proporciona mayor flexibilidad en el disparo y por tanto altera sus características

de voltaje corriente. Si se comparara esta curva característica con la de un DIAC, se podría

observar que son muy similares; sin embargo, la curva del SBS tiene una región de

resistencia negativa más pronunciada, lo que significa que su caída de voltaje es mucho más

drástica después de llegar a su estado de conducción. Usualmente, el voltaje de ruptura de un

SBS se encuentra entre los 7 y 9 voltios, cuyo voltaje es

mucho menor que el de un DIAC.

Uso de la compuerta del SBS para modificar la curva característica de un SBS

La compuerta de un SBS es usada para alterar el comportamiento mostrado en la curva

característica Voltaje-Corriente; por ejemplo, si se desea tener ángulos de disparo diferentes

21
en los semiciclos positivos y negativos, se puede conectar un diodo Zener entre la compuerta

G y la terminal T1, con la finalidad de que el voltaje de ruptura directo llegue hasta el valor

de voltaje del diodo Zener, mientras que el voltaje de ruptura inverso no se modifica. Con

esto, se logra modificar el voltaje de ruptura original a uno determinado por el "usuario" para

una aplicación cualquiera, aunque no es común tener diferentes ángulos de ruptura.

PUT

El PUT es un semiconductor de cuatro capas (pnpn) cuyo funcionamiento es similar al del

UJT. Es un tipo de tiristor y a veces se le llama “tiristor disparado por ánodo” debido a su

configuración. Al igual que el UJT, se utiliza como oscilador y base de tiempos, pero es más

flexible, ya que la compuerta se conecta a un divisor de tensión que permita variar la

frecuencia del oscilador sin modificar la constante de tiempo RC.

Si el PUT está polarizado directamente y aplicamos Vag= 0.7 V, entra en conducción. El

PUT permanece encendido hasta que el voltaje anódico es insuficiente, entonces, se apaga. El

apagado se debe a que la corriente anódica llega un valor ligeramente menor a la corriente de

sostenimiento.

Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (ánodo-compuerta) puesto que su disparo se realiza

cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la conducción del

22
PUT se realiza por control de las tensiones en sus terminales. Si el PUT es utilizado como

oscilador de relajación, el voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación

mediante el divisor resistivo del voltaje RB1 y RB2, y determina el voltaje de disparo Vp. En

el caso del UJT, Vp está fijado por el voltaje de alimentación, pero en un PUT puede variar al

modificar el valor del divisor resistivo RB1 y RB2. Si el voltaje del ánodo Va es menor que

el voltaje de compuerta Vg, se conservará en su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo

excede al de compuerta más el voltaje de diodo Vag, se alcanzará el punto de disparo y el

dispositivo se activará. La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la

impedancia equivalente en la compuerta y del voltaje de alimentación en VBB. En general Rk

está limitado a un valor por debajo de 100 ohm.

APLICACIONES

El uso del PUT se encuentra casi limitado a su utilización en osciladores de relajación para

disparo de tiristores de potencia en aplicaciones de control de fase. Su alta sensibilidad, les

permite trabajar con elevados valores de resistencia de temporización o pequeños valores de

capacitancia, en aplicaciones de baja corriente, tales como temporizaciones muy largas o en

circuitos alimentadas con baterías. Adicionalmente, por su conmutación debido a un proceso

de realimentación positiva de elementos activos, presentan menores tiempos de conmutación

que los UJT donde este proceso se debe a un cambio en la conductividad de la barra de silicio

por inyección de portadores. En consecuencia, menores valores de capacitancia producen

pulsos de disparos de la potencia adecuada.

3.5 TRIAC

23
Triodo de corriente alterna. Es un componente que realiza una función análoga al tiristor,

pero para corriente alterna. Se puede considerar como dos tiristores en antiparalelo,

pudiéndose cebar en impulsos de puerta en cualquier polaridad. Al igual que el tiristor, el

paso de bloqueo al de conducción se realiza por aplicación de un impulso de corriente en la

puerta, y el paso del estado de conducción al de bloqueo por la disminución de la corriente

por debajo de la IH Está formado por 6 capas de material semiconductor y su estructura

interna es la de la figura Las curvas del triac son iguales que las del tiristor, pero ahora

tenemos dos cuadrantes, el positivo y el negativo.

La relación en el circuito entre la fuente de voltaje, el triac y la carga se representa en la

figura siguiente. La corriente promedio entregada a la carga puede variarse alterando la

cantidad de tiempo por ciclo que el triac permanece en el estado encendido. Si permanece una

parte pequeña del tiempo en el estado encendido, el flujo de corriente promedio a través de

muchos ciclos será pequeño, en cambio si permanece durante una parte grande del ciclo de

tiempo encendido, la corriente promedio será alta.

Un triac no está limitado a 180 de conducción por ciclo. Con un arreglo adecuado del

disparador, puede conducir durante el total de los 360 del ciclo. Por tanto proporciona control

de corriente de onda completa, en lugar del control de media onda que se logra con un SCR.

24
Las formas de onda de los triacs son muy parecidas a las formas de onda de los SCR, a

excepción de que pueden dispararse durante el semiciclo negativo. En la FIG.8 se muestran

las formas de onda tanto para el voltaje de carga como para el voltaje del triac ( a través de

los terminales principales) para dos condiciones diferentes.

En la FIG.8 (a), las formas de onda muestran apagado el triac durante los primeros 30 de cada

semiciclo, durante estos 30 el triac se comporta como un interruptor abierto, durante este

tiempo el voltaje completo de línea se cae a través de las terminales principales del triac, sin

aplicar ningún voltaje a la carga. Por tanto, no hay flujo de corriente a través del triac y la

carga.

La parte del semiciclo durante la cual existe esta situación se llama ángulo de retardo de

disparo.

Después de transcurrido los 30, el triac dispara y se vuelve como un interruptor cerrado y

comienza a conducir corriente a la carga, esto lo realiza durante el resto del semiciclo. La

parte del semiciclo durante la cual el triac este encendido se llama ángulo de conducción.

La figura siguiente muestran las mismas formas de ondas pero con ángulo de retardo de

disparo mayor.

25
3.6 GTO

TIRISTOR APAGADO POR COMPUERTA (GTO). El GTO es el resultado de una

modificación parcial del tiristor rápido, que permite apagarlo cuando se extrae corriente por

la compuerta en cantidad suficiente para romper el lazo de realimentación positiva que

mantiene encendido a un tiristor convencional hasta que la corriente AK pasa por debajo del

valor de sostenimiento; las demás características de operación del GTO son similares a las de

tiristores rápidos no controlados en apagado. Actualmente los GTOs son los conmutadores

electrónicos de potencia completamente controlados que presentan los mayores valores de

tensión de bloqueo y capacidad de corriente; se ofrecieron también en potencias baja y media,

pero han sido reemplazados por los IGBTs.

Símbolo del GTO (Gate Turn Off), resaltando que se trata de un tiristor, pero con control

bidireccional (control de encendido y de apagado) en la compuerta. Como un miembro de la

familia de los tiristores un GTO está formado por una estructura regenerativa de cuatro capas

(n+pnp+) y tres junturas. En conducción el GTO se comporta como un tiristor clásico: hay

26
una fuerte inyección de electrones desde el cátodo y de huecos desde el ánodo al cuerpo del

dispositivo, lo que mantiene una densidad de plasma extremadamente alta, gracias a la cual la

caída en conducción es baja, similar a la de un diodo de potencia equivalente.

La diferencia fundamental entre los GTOs y los otros tiristores es que los GTO están

diseñados para que se apaguen cuando se les aplica un pulso de corriente negativo al terminal

de compuerta, causando la inversión de la corriente. La posibilidad de apagar por compuerta

elimina la necesidad de emplear los circuitos auxiliares de apagado forzado que son

necesarios para forzar el apagado de tiristores convencionales. Los GTOs son dispositivos

bipolares comandados por corriente que requieren de una corriente de apagado

significativamente alta, ya que la ganancia de apagado (relación entre la corriente AK

controlable y la magnitud del pulso de apagado), en la mayoría de los casos, está en el orden

de 4 a 10.

La necesidad de extraer cantidades significativas de corriente de compuerta durante el

apagado determina otra característica común a todos los GTOs, la estructura de compuerta es

altamente inter-digitada: un GTO de 3000A puede llegar a tener 3000 segmentos de

compuerta.

3.7 TRANSISTOR UJT

Su estructura consiste en una barra de silicio tipo N ligeramente dopada que tiene dos

terminales B1 y B2 llamados bases y una barra de aluminio fundida en la superficie opuesta

formando una juntura PN. La barra de aluminio está más cerca de B2 que a B1. El UJT se usa

como oscilador de relajación (dientes de sierra) y como dispositivo de disparo de SCR.

27
. A) Región de corte B) Región de resistencia negativa C) Región de Saturación Vp = Voltaje

de pico, Vv = Voltaje de valle, Iv = Corriente de valle, Ip = Corriente de pico Vp = η V +

VD, Vv≈0.1V, siendo V la polarización.

3.8 BJT (TRANSISTOR)

Dicen características del BJT las curvas tensión corriente de los distintos terminales del BJT.

Se dice característica de entrada la curva que expresa la tendencia de la corriente de base IB

en función de la tensión de base VBE, tales como la siguiente, que se refiere al transistor NPN

BCW82.

28
Vemos cómo la característica de entrada corresponde a la de un diodo, de hecho, entre la base

y el emisor, el transistor se comporta como un diodo; vemos, de hecho, que la corriente de

base es cero, cuando la VBE es menor que la tensión de umbral, que en nuestro caso coincide

aproximadamente con 0,6 V, sobrepasada la tensión de umbral la corriente de base aumenta

rápidamente.

Se dice características de salida las que expresan la corriente de colector IC como una función

de la tensión VCE, mientras que manteniendo constante la IB; tales como las siguientes, que se

refieren siempre a BCW82

29
Observamos que hay diferentes características de salida, cada obtenida para un valor

predeterminado de la corriente de la base IB; de hecho, la primera característica, a partir de la

parte inferior se ha obtenida para una IB = 5 m A; es decir, el mantenimiento de un IB

constante con el aumento de VCE, al principio la IC es cero; luego aumenta linealmente y

rápidamente a la rodilla; allá de la rodilla, la IC permanece prácticamente constante, incluso si

se aumenta la VCE.

Las características son importantes para la determinación del punto de trabajo; Se dice punto

de trabajo un punto de que se sabe la tensión y la corriente en reposo, es decir, en ausencia de

señal; ejemplo, si tomo el punto P, como en el siguiente diagrama:

30
 podemos observar que se encuentra en la

característica para IB = 15 m A; la corriente de base será IB = 15 m A; la tensión VCE es de 1,0

V; la corriente de colector será aproximadamente IC = 4,6 mA

RECTA DE CARGA

Es dicha recta de carga, la recta que tiene como ecuación la ecuación de la malla de salida, es

decir:

VCC = RC IC + VCE + RE IE

Para representarla sobre las características de salida, es necesario tomar dos puntos.

31
Supongamos que VCC = 2,0 V; cuando IB = 0 y IC = 0 de la ecuación de la línea de carga se

obtiene que VCE = VCC; a continuación, un punto será en el eje horizontal, con coordenadas

(2,0 ; 0).

Suponiendo vez que la VCE es nula, de la ecuación de la recta de carga obtenemos:

VCC = RC IC + RE IE

y descuidando la IB en relación de la IC obtenemos el segundo punto ICMAX = VCC/ (RC +

RE); entonces el segundo punto tiene las coordenadas (0; VCC/ (RC + RE)); uniendo los dos

puntos obtenemos la recta de carga.

DISEÑO DEL CIRCUITO DE POLARIZACIÓN

Durante el diseño del circuito de polarización usamos los siguientes criterios prácticos. Para

la VCE establece un valor aproximadamente igual a VCC/2; para la caída de tension a los

bornes de RE, es decir, VE, se fija a un valor igual a VCC/10; para la corriente del divisor ID se

32
fija una corriente igual a IC/10. Con la ayuda de las características y ecuaciones de la malla de

salida y de la malla de entrada se calculan los valores de todos los resistores.

Ejemplo

Dado el BJT BCW82, de acuerdo a las características de la salida fijamos una VCC = 2,0 V;

fijamos una VCE = VCC/2 = 2/2 = 1 V; fijamos VE = VCC/10 = 2/10 = 0,2 V;

Desde la salida de características escogen una característica que es central, por ejemplo, la de

IB =15 m A; para la lectura de la característica leemos IC = 4,6 mA; a continuación,

IE = IC + IB = 4,6 mA +15 m A = 4,615 mA

Entonces RE = VE/IE = 0,2/0,004615 = 43 W

A partir de la ecuación de la recta de carga se calculamos RC; RC = (VCC - VCE - VE)/IC = (2 -

1 - 0,2) /0,0046 = 0,8/0,0046 = 173 W Comprobamos:

33
ICMAX = VCC/ (RC + RE) = 2/(173 + 43) = 9,25 mA; mientras que en el diagrama de las

características de salida leemos 9 mA; los dos valores, además de los errores gráficos, son

fiables.

Para calcular el divisor, para la característica de entrada se sacamos una VBE = 0,8 V; por lo

que:

R2 I2 = VBE + VE = 0,8 + 0,2 = 1 V Desde I2 = ID = IC/10 = 4,6 /10 mA = 0,46 mA,

obtenemos:

R2 = 1/0,00046 = 2174 W

Parar R1 siendo

R1 I1 = VCC - R2 I2 = 2 - 1 = 1 V y siendo

I1 = ID + IB = 0,46 ma + 15 m A = 0,475 mA

Obtenemos: R1 = 1/ 0,000475 = 2105 W

Por supuesto que usted elija el valor comercial cercano a los teóricos.

EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR

El transistor, adecuadamente polarizado, se puede utilizar como un interruptor que puede ser

abierto o cerrado, mediante el ajuste de la corriente de base. Considere el siguiente circuito:

34
Cuando el interruptor está abajo, la tensión VBE = 0; la corriente de base IB = 0; la IC = 0; el

transistor está prohibido, no conduce y se comporta como un circuito abierto. La tensión de

salida en el colector asume el valor máximo Vs = VCC.

Cuando, en cambio, movemos hacia arriba el interruptor, la base del transistor es

directamente polarizada, el transistor entra en saturación, la IC asume el valor máximo, el

transistor se comporta como un circuito cerrado. La tensión de salida asume el valor Vs = 0.

Si tenemos en cuenta las características de salida del BJT:

Podemos considerar tres zonas:

- Zona de saturación: es la zona en la que el transistor conduce, IC alcanza el valor máximo,

VCE asume valores muy bajos.

35
- Zona activa: es la zona central de las características, en esa zona se utiliza como un

amplificador, que tiene un comportamiento bastante lineal.

- Zona de interdicción: es la zona en la que el transistor se comporta como un circuito abierto,

IC asume valores muy bajos, VCE valores muy altos.

4. ESTADOS DEL TIRISTOR

Un tiristor puede encontrarse en uno de los siguientes estados:

Bloqueado con polarización inversa Bloqueado con polarización directa.

Conducción.

Se analizan a continuación cada uno de estos estados y sus conmutaciones.

3.1.- ESTADO DE BLOQUEO

Los tiristores permanecen indefinidamente en la condición de bloqueo, a menos que se les

suministre la adecuada energía al terminal de compuerta, estando el tiristor bloqueado con

polarización directa. Excitar a un tiristor con polarización inversa no produce ningún cambio

de estado, con excepción de los TRIACS, donde pulsos de cualquier polaridad pueden

producir el pasaje del estado de conducción al de corte sin importar la polaridad de la tensión

bloqueada.

4.2.- ENCENDIDO

Cabe destacar que, en los tiristores, el pasaje de corte a conducción, es irreversible por su

naturaleza de proceso de realimentación positiva. En ambientes eléctricos ruidosos, por la

presencia de interferencias electromagnéticas o debido a las capacidades parásitas existentes

36
en toda juntura inversamente polarizada, puede producirse la suficiente energía para dar

origen a disparos indeseados. Los cambios de estado debidos a estos disparos indeseados,

generalmente producidos por perturbaciones transitorias, producen el cambio permanente del

estado del tiristor. Cambio de estado, que al producirse en un momento no deseado puede

provocar el malfuncionamiento o fallas totales en el circuito donde se encuentra inserto el

tiristor. Para ello siempre deben tomarse todas las precauciones necesarias para evitarlos.

Deben preverse condiciones de montaje tales como mantener los terminales de compuerta

muy cortos y tomar el retorno común directamente del cátodo. Es de práctica colocar

capacidades del orden de los 0,01 a 0,1 uF entre los terminales de compuerta y cátodo. Este

capacitor adicionalmente aumenta la capacidad de soportar dv/d, tal formar un divisor

capacitivo con la capacidad ánodo compuerta. En casos extremos debe considerarse la

posibilidad de realizar un blindaje Para que un tiristor pase del estado de bloqueo al de

conducción, debe estar polarizado directamente y ser excitado adecuadamente. Según lo visto

en el punto anterior, para que un tiristor conduzca debe satisfacerse

--> 1. Como en un transistor de silicio, su ganancia de corriente crece con el aumento de la

corriente I E., esta condición puede producirse debido a diversas causas, siendo las más

usuales las que se enumeran a continuación.

Por efecto transistor: es el método de uso normal para provocar la conducción de los

tiristores. En la compuerta del tiristor (base G P del modelo de dos transistores) se inyectan

portadores suplementarios a través de una señal adecuada, provocando el fenómeno de

cebado o encendido del tiristor.

37
Por efecto fotoeléctrico: la luz puede cebar al tiristor al crear pares electrón-hueco. En este

caso el tiristor tiene una ventana que deja pasar los rayos de luz en la región de la puerta. Es

un Foto tiristor.

Ambos métodos mencionados son los utilizados normalmente y el cambio de estado en el

tiristor se produce dentro de los límites de operación dados por los fabricantes, garantizando

su vida útil. Sin embargo, existen otras causas que pueden provocar el disparo del tiristor. A

continuación, se enuncian las que pueden producir el disparo, pero provocando generalmente

un daño parcial o permanente en el dispositivo, exceptuando aquellos casos que sea un

método permitido para algún miembro en particular de la familia de los tiristores.

Por Tensión: Cuando aumenta la tensión ánodo-cátodo llega un momento en que la corriente

de pérdida (corriente inversa de saturación I toma un valor suficiente para producir la

avalancha, estableciéndose la conducción del tiristor. El disparo de un tiristor por superar su

tensión de ruptura puede producir una elevada disipación instantánea de potencia de

distribución no uniforme en el área del semiconductor. Esta disipación de potencia produce

una elevación excesiva de la temperatura que puede destruir al transistor. En operación

normal los tiristores no deben ser encendidos por este método. En aquellos miembros de la

familia preparados para este uso como los Diacs, se debe controlar el valor máximo de di/dt

soportado

Por derivada de tensión: Toda juntura tiene una capacidad asociada; en consecuencia, si la

tensión que se aplica entre ánodo y cátodo es de crecimiento brusco, la corriente a través de

este capacitor es: i=C dv /dt. Si esta corriente es suficientemente elevada, provoca la

conducción del tiristor sin señal de compuerta. Un tiristor puede tener un disparo no deseado

si estando bloqueado con polarización directa, el circuito en el cual opera lo somete a una

38
variación rápida en su tensión positiva ánodo cátodo. Como las formas de las tensiones a las

cuales se encuentran sometidos los dispositivos son una responsabilidad del diseñador de la

aplicación, siempre debe verificarse que nunca se supere la dv/dt dada por el fabricante. El

valor de este parámetro no es un máximo absoluto, sino que depende de la temperatura y de

la tensión directa aplicada. Por ej un mismo tiristor que debe bloquear una tensión directa de

500 V presenta una dv/dt de 50 V/n seg, mientras que, si opera a 300 V, el valor de dv/dt se

duplica. Para proteger a los tiristores ante disparos espurios por esta causa, circuitos

denominados “snubbers” suelen ser utilizados. Consisten en circuitos RC o RCD que limitan

la velocidad de variación de la tensión ánodo cátodo. Estos mismos circuitos que protegen

ante dv/dt suelen ser útiles para proteger ante transitorios. También pueden incluirse circuitos

limitadores basados en zeners. En aquellas aplicaciones donde se esperen transitorios deben

elegirse dispositivos de tensión de ruptura y dv/dt adecuados para soportarlos.

Por temperatura: La corriente inversa de saturación de una juntura, aproximadamente se

duplica cada 10º C de aumento de su temperatura. Cuando esta corriente alcanza un cierto

valor, se establece la conducción del tiristor. Adicionalmente, la operación a temperaturas

elevadas reduce la habilidad del tiristor de soportar elevadas dv/dt debido al aumento de la

sensibilidad de disparo.

4.3.- ESTADO DE CONDUCCIÓN

El tiristor es un dispositivo de control de tensión y no de corriente. Una vez en conducción, la

magnitud de corriente a circular por el mismo la fija el circuito exterior. Para que una vez

encendido el tiristor se mantenga en el estado de conducción al eliminarse la corriente de

disparo de compuerta, se requiere que la corriente principal sea lo suficientemente elevada. El

menor valor de corriente de ánodo que debe establecerse antes de eliminar la corriente de

39
compuerta se denomina corriente de cerrojo o de latch. Mantener el valor de la corriente

ánodo por encima de este valor es el único requerimiento para que el tiristor permanezca

conduciendo una vez retirada la corriente de compuerta.

4.4.- APAGADO

La única forma de apagar a cualquier tiristor, con excepción de los GTO, es reducir la

corriente de ánodo por debajo del valor de la corriente de mantenimiento o de hold. Por

debajo de esta corriente se produce una realimentación positiva que lleva a ambos transistores

al corte. Debe recordarse que el modelo es solo válido para el tiristor apagado y en el

momento del encendido o corte. Del modelo parecería que cortocircuitar a la compuerta sería

suficiente para iniciar este proceso, pero en la estructura real de un SCR el área de compuerta

es solo una porción del área de cátodo y solo una muy pequeña porción de la corriente es

derivada por este corto. Solo mediante una reducción de la corriente principal por debajo de

la mencionada corriente de mantenimiento se asegura el comienzo de la acción regenerativa

que lleva a ambos transistores del modelo al corte. Tanto la corriente de mantenimiento o de

hold, como la anteriormente mencionada corriente de cerrojo o de latch, no son tampoco

valores absolutos de los miembros de la familia de los tiristores, sino que se encuentran

afectadas por la temperatura y por la impedancia de compuerta. Tensiones inversas de

compuerta también incrementan marcadamente los valores de ambas corrientes. Por el

contrario, valores positivos reducen estos valores frente a los suministrados en las hojas de

datos ya que los mismos se dan generalmente para el terminal de compuerta abierto

Adicionalmente, en el proceso de fabricación de tiristores reales, se utiliza un diseño

denominado “shorted emitter”, donde una resistencia es agregada entre las zonas de

compuerta y de cátodo. La presencia de esta resistencia, al derivar corriente de la compuerta,

produce un incremento en la corriente necesaria para producir el disparo, así como de la

corriente de latch y de la de mantenimiento. La principal razón para incluir esta resistencia es

40
mejorar la performance dinámica a altas temperaturas. Sin esta resistencia de shunt la

corriente de pérdidas presente en la mayoría de los tiristores de alta corriente iniciaría por si

solo el encendido a altas temperaturas. Tiristores de alta sensibilidad emplean un valor

elevado de resistencia derivadora o bien no la incluyen. En consecuencia, sus características

se ven radicalmente alteradas por la presencia de resistencias exteriores. En cambio, en

tiristores del tipo “shorted emitter” la presencia de una resistencia exterior prácticamente no

tiene efecto. La temperatura de las junturas es el factor que más afecta las características de

los tiristores. Temperaturas elevadas facilitan su disparo y el mantenimiento de la

conducción. En consecuencia, en el diseño de los circuitos de disparo debe preverse su

correcto funcionamiento a la menor temperatura de operación, mientras que los circuitos

relacionados al apagado o a prevenir falsos disparos deben diseñarse para su correcto

funcionamiento a la mayor temperatura esperable. Las especificaciones de los tiristores están

dadas generalmente a una temperatura de cápsula determinada y con condiciones de

operación eléctricas donde la disipación es lo suficientemente baja como para asegurar que la

temperatura de juntura no difiere significativamente de la de la cápsula. Es responsabilidad

del diseñador considerar los cambios en las características causadas por una operación

distinta de la especificada en las características.

5.- CURVAS CARACTERÍSTICAS Y DATOS DE MANUALES

En la figura se representa la curva característica de un tiristor (SCR) en la que se aprecia la

polarización directa e inversa de la tensión ánodo-cátodo VAK, con sus cuatro regiones

respectivas. Para el primer cuadrante se han incluido dos gráficas, las correspondientes a una

baja corriente de gate y a corriente nula. En estado de conducción directa, la característica se

41
asemeja a una resistencia de bajo valor, mientras que, con polarización inversa, una eventual

conducción daría lugar a la destrucción del tiristor en la región de avalancha por tensión

excesiva.

Se incluyen a continuación los parámetros más significativos, respetando los subíndices:

F: (Forward) Directo

R: (Reverse) Inverso

En todos los casos, para asegurar su vida útil y una correcta operación, es indispensable no

superar los valores máximos suministrados por el fabricante.

5.- CONTROL DE POTENCIA

5.1.- REGULACIÓN DE POTENCIA DE CORRIENTE ALTERNA POR

CONTROL DE FASE

42
La forma más común de utilización de los SCR, o genéricamente de los tiristores, para

controlar la potencia entregada a una carga alimentada por CA es el control de fase. En este

modo de operación, el SCR se mantiene apagado durante una porción del semi ciclo positivo

para luego llevarlo a conducción en el instante que el circuito de control satisfaga una

condición determinada. Una vez encendido, la totalidad de la tensión, menos la pequeña caída

directa sobre el tiristor, queda aplicada a la carga, circulando la corriente que ésta fije. Esta

corriente permanece circulando mientras su valor no sea inferior al de la corriente de

mantenimiento. Se incluyen a continuación las gráficas de la tensión de alimentación, tensión

ánodo cátodo y corriente en el siguiente circuito.

Con un valor nulo de inductancia y resistencia de 10 ohms se obtienen las siguientes gráficas,

para tensión de línea y disparo a los 45°.

Puede observarse como con el tiristor bloqueado su tensión ánodo cátodo sigue a la tensión

de alimentación hasta alcanzar los 45°, donde se lo dispara. A partir del disparo su caída

directa presenta el bajo valor propio de un tiristor en el estado de conducción. Al entrar en

conducción a partir del disparo a los 45°, la gráfica de la corriente reproduce la de la entrada,

anulándose al alcanzar los 180°. La corriente de ánodo toma un valor inferior al de la

corriente de mantenimiento y el tiristor se corta, recuperando su capacidad de bloqueo.

Asignando un valor de 10 mH y a la inductancia y manteniendo el valor de resistencia en

10ohms, las gráficas de tensión y corriente se modifican como se reproduce en la figura

siguiente, siempre para tensión de línea y disparo a los 45°.

43
En estas nuevas gráficas se observa que, debido a la acción de la inductancia, en el intervalo

de conducción, la forma de corriente no reproduce más la forma de onda de la tensión de

alimentación. Presenta el característico inicio lento de una corriente inductiva, la que, por

tender a atrasar a la tensión, se extingue pasados los 180°. Se atrasa en consecuencia el

apagado del tiristor, el que se produce cuando la tensión de alimentación ya es negativa.

44
Puede observarse también, como la tensión ánodo cátodo del tiristor sigue a la tensión de

alimentación mientras se encuentra bloqueado, a partir que la corriente se anula pasados los

180°hasta alcanzar los 45°del nuevo ciclo, donde se lo dispara nuevamente. Durante todo el

estado de conducción, a partir del disparo y hasta que la corriente se anula, su caída es el

típico bajo valor de la tensión tiristor en este estado.

5.2.- REGULACIÓN DE POTENCIA DE CORRIENTE ALTERNA POR

CONMUTACIÓN EN FASE CERO

El principal inconveniente del método del control de fase es la generación de interferencia

electromagnética (EMI – Electro-Magnetic Interference). Cada vez que el tiristor es

disparado, la corriente en la carga pasa de cero al valor que ésta fije en un tiempo muy breve.

Esta elevada di/dt genera un ruido de gran contenido armónico que interfiere con la operación

de otros circuitos ubicados en las cercanías o alimentados por la misma red, si no se utiliza un

adecuado filtrado. El método de control de conmutación en fase cero consiste en producir el

disparo del tiristor en el instante que la tensión senoidal de alimentación pasa por cero. De

esta forma se elimina la generación de EMI y la potencia transferida a la carga se controla

mediante el número de semiciclos enteros que es aplicada. Para que este método sea efectivo,

se requiere que el disparo se produzca en el cruce por cero, ya que, si para cargas del orden de

unos pocos centenares de watios el dispositivo es encendido con tensiones sobre la misma tan

pequeñas como 10 volts, suficiente EMI puede ser generado cancelando los beneficios de esta

técnica.

6.- DISIPACIÓN DE POTENCIA

6.1 POTENCIA DISIPADA DURANTE LA CONMUTACIÓN

El encendido de los tiristores se realiza en forma normal por la aplicación a la compuerta de

un pulso de las características adecuadas. Pulso que origina una conducción inicial que tiene

45
lugar en la zona más próxima a los contactos de compuerta y cátodo, denominada “zona

primaria de cebado”. La conducción luego se propaga a toda la superficie del cátodo con una

velocidad aproximada de 0,1 mm/n seg. En consecuencia, se tienen dos etapas diferenciadas

en el proceso de encendido de un tiristor:

CREACIÓN DE UNA ZONA PRIMARIA DE CONDUCCIÓN.

Propagación del estado conductivo al resto del cátodo. Como durante el encendido del

tiristor, la conducción inicial tiene lugar en la zona primaria de cebado, si la corriente

impuesta por el circuito exterior es muy elevada, su crecimiento se manifiesta en un tiempo tr

muy pequeño- Este es el caso de cargas resistivas, donde resulta una densidad de corriente

muy elevada en la zona primaria de cebado, dado que esta zona por donde circula

inicialmente la totalidad de la corriente, es muy pequeña comparada con la zona total

preparada para conducir la corriente máxima nominal. A su vez, la tensión durante la

conmutación presenta un tiempo de caída, que para carga resistiva es también el tiempo de

crecimiento tr. Durante este tiempo, estarán presentes tensión y corriente en forma

simultánea. Esto origina valores de potencia instantánea elevados, y la energía disipada en el

volumen reducido de la zona primaria da lugar a un calentamiento excesivo, que de alcanzar

el “límite térmico crítico”, destruye dicha zona por fusión del elemento. Este fenómeno se

conoce como destrucción por di/dt; dado que el tiempo tr de crecimiento de la corriente es

menor que el tiempo que necesita el tiristor para establecer la conducción en toda la

superficie de su cátodo. Por ejemplo, un tiristor de 8 A – 400 V (GEC12) tiene una pastilla

cuadrada de silicio de aproximadamente 2 mm. de lado. Para el tipo de construcción planar,

con compuerta central, haciendo un cálculo promedio del tiempo que tarda en conducir toda

46
la superficie de la pastilla, se puede suponer que la distancia a la cual debe extenderse la

conducción, partiendo de la zona primaria, es de 1 mm. Entonces, si la velocidad de

propagación de la conducción es de 0,1 mm/nseg., resulta: t= 1 / 0,1=10 nseg.

Tiempo mucho mayor que el tr de este tiristor, que es del orden de 1 nseg en su

funcionamiento más lento. Como el tr es menor cuando el tiristor trabaja con tensiones más

altas, se presenta una situación más desfavorable con el aumento de la tensión, por lo que los

fabricantes establecen un valor de di/dt máximo admisible por el tiristor para la tensión de

trabajo, o bien la que se especifique en cada caso. La di/dt máxima admisible para una

corriente de ánodo y una corriente de compuerta dadas, muestran que la velocidad con que

crece la corriente está limitada en un tiristor y no debe sobrepasarse. Por este motivo, los

circuitos con cargas resistivas requieren de una inductancia adicional, en serie con el tiristor,

cuya función es reducir la velocidad decrecimiento de la corriente de carga.

6.2 POTENCIA DISIPADA EN RÉGIMEN ESTACIONA RIO

La potencia disipada en un tiristor operando en régimen permanente entre sus dos estados de

corte y conducción está originada por las cinco causas siguientes:

Pérdidas durante la conducción.

Pérdidas por conmutación durante el encendido.

Pérdidas por conmutación durante el apagado.

Pérdidas durante el bloqueo (directo e inverso).

Pérdidas en la compuerta.

47
Para bajas frecuencias, hasta unos 400 Hz., la causa principal de potencia perdida es la

primera. Para frecuencias más elevadas, las pérdidas producidas por conmutación se elevan y

el tiristor debe trabajar a corrientes mucho más bajas. Las pérdidas durante la conducción son

las que resultan de la característica V-I del tiristor en conducción, dadas por la caída directa

multiplicada por la corriente directa de ánodo.

La potencia disipada en estado de conducción, fija los límites de circulación de corriente por

el dispositivo como se ve en la figura, donde se observa que, en régimen permanente, para no

superar la temperatura máxima, el valor medio máximo admisible toma diferentes valores

según la forma de la corriente que está circulando por el tiristor. Estas gráficas reflejan el

hecho que no puede superarse el valor eficaz de la corriente que produce la máxima

disipación, o sea la máxima temperatura permitida en la juntura. Estos valores son

determinantes cuando se utiliza un tiristor para realizar el control de potencia entregada a una

carga por control de fase. Para el caso de la figura 7.1, el tiristor admite la circulación de una

48
corriente continua máxima de 39,25A. Valor que coincide con el valor eficaz, por tratarse de

una corriente continua. Si se utiliza este tiristor en un circuito para

control de fase, la corriente circulará durante una parte del semiciclo positivo en función del

ángulo de conducción. En todos los casos el valor de corriente medio, debe ser tal que su

valor eficaz no supere el máximo admitido. El valor medio de una corriente senoidal, entre

los ángulos:

Mientras que el valor eficaz para el mismo entorno y carga resistiva está dado por

Resolviendo las integrales anteriores, se obtienen las siguientes relaciones entre los valores de

las corrientes media y eficaz, para distintos ángulos de disparo θ1 y cargas resistivas

(apagado en θ 2 = 180°)

49
Precisamente para el ángulo de 180, corresponde el valor 1,57 es el factor de forma entre el

valor eficaz y el valor medio de una corriente senoidal. Para la figura que vimos en la sección

6, que corresponde a una serie de tiristores de corriente continua máxima de ICC= 39,25 A y

tensiones desde 500 hasta 1100 V los valores son:

Así es que partiendo del valor eficaz I, que en C.C. coincide con el valor medio y es el que

generalmente indica el manual como “valor máximo admisible”, se obtienen los

correspondientes valores medios para cada ángulo Ø o de conducción, siempre limitado por

los máximos valores de corriente de pico soportados. En forma análoga, también se

suministran los valores medios para formas de onda rectangulares, donde las curvas fijan los

valores de temperatura que como máximo puede tener la cápsula del tiristor. Estas curvas de

temperatura parten de 125 º C en la juntura, y para que este valor no sea superado, a medida

50
que la corriente aumenta (para un mismo valor de Øc o para C.C.) la temperatura de la

cápsula deberá ser menor. Es decir que el gradiente de temperatura entre la juntura y cápsula

es mayor para el máximo admisible de corriente. Este gradiente implica la necesidad de

disipadores adecuados, los que pueden disponerse convenientemente para enfriamiento

mediante corriente de aire por convección o por ventilación forzada, o mediante circulación

de agua, en cuyo caso el tiristor (o par de tiristores) viene construido especialmente para esta

forma de utilización. Así como en otros dispositivos de potencia, la potencia disipada elevará

la temperatura del tiristor según el régimen de trabajo.

7.- LÍMITE DE FRECUENCIA

Existen tiristores rápidos y lentos. Los tiristores lentos son para aplicaciones que operen a

frecuencias industriales y de la red de alimentación. En cambio, los rápidos son para

aplicaciones especiales, pero en general no superan los 20.000 ciclos por segundo; no

solamente debido a los tiempos de conmutación, sino además porque la temperatura toma un

papel preponderante a medida que se eleva la frecuencia, ya que la temperatura producida por

la energía disipada durante la conmutación toma un papel cada vez mayor con frecuencias

más elevadas. Una forma de poder operar a frecuencias más altas es bajando la corriente, para

lo cual el fabricante proporciona curvas indicando la corriente IA directa máxima posible en

función del tiempo At, de conducción en cada semiciclo y la frecuencia como parámetro de

cada curva, siendo la alimentación una onda senoidal. Debe tenerse en cuenta que la corriente

IA es el pico de la onda que circula por el tiristor, no es el valor medio I

51
F(AV) ni el eficaz IF. Por ejemplo, para f=1.000 Hz el ancho del semiciclo de conducción es:

Para este tiempo, mediante la gráfica correspondiente se obtiene la corriente de pico

admisible; que coincide es la conducción máxima para esta frecuencia ya que conduce

durante el semiciclo completo (0 a 180º). Para un tiempo de conducción menor, como por

ejemplo At=100 n seg. Se obtiene un valor diferente. Para At pequeños las curvas no tienden

a valores más altos de corriente, sino que son menores para no superar los máximos

admisibles La apreciación fundamental es que para f = 50 Hz. la corriente admisible es

mucho mayor (unas 10 veces) que para f = 10.000 Hz.

CONCLUCION

Como conclusión del tema se reflejan en una tabla las características más importantes de los

tiristores que se han presentado, en efecto todos los elementos representados en la tabla tienen

un fin especifico en el área que se le aplique, y son vitales en el desarrollo de su uso, los

tiristores son de vital importancia específicamente en las industrias por sus diferentes

aplicaciones, y su versatilidad.

1 2 0
UNIDIRECCIONAL BIDIRECCIONAL ON/OFF
GATE GATE GATE
SHOCKLEY X X

SCR X X

GCS X X X

SCS X X X

DIAC X X

TRIAC X X

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