UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE

DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELÉCTRICA

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA
2do. Semestre del 2018

Experiencia 2
Diodos Semiconductores
Objetivo general
Conocer e implementar las configuraciones básicas para un diodo semiconductor tanto en corriente
alterna como en corriente continua .

Objetivos especı́ficos
Medir el efecto de la polarización directa e inversa en un diodo.

Determinar de manera experimental las carácterı́sticas de voltaje y corriente de un diodo y graficarlas.

Armar un puente rectificador de media onda y visualizar en el osciloscopio las forma de onda de
voltaje en la entrada y en la carga para el circuito .
Armar un convertidor AC-DC y visualizar en el osciloscopio la forma de onda de voltaje en la carga
para el circuito .

1. Marco conceptual
1.1. Introducción
Los semiconductores son sólidos cuya resistividad está entre la de los conductores eléctricos y la de
los aislantes eléctricos. Los transistores, los diodos de unión, los diodos Zener, los diodos de túnel, los
circuitos integrados y los rectificadores metálicos son ejemplos de semiconductores. Éstos se emplean en
computadoras, receptores de radio, aparatos de televisión, video-grabadoras y otros aparatos electrónicos.
Mediante dispositivos semiconductores se llevan a cabo diversas funciones de control. Pueden utilizarse
como rectificadores, amplificadores,detectores, osciladores y elementos de conmutación. Algunas carac-
terı́sticas propias de los semiconductores que los convierten en uno de los miembros favoritos de la familia
electrónica son las siguientes.

Los semiconductores son sólidos. Por ello, es muy poco probable que vibren.
Los semiconductores consumen poca energı́a e irradian poco calor. No requieren tiempo de calenta-
miento y empiezan a funcionar en cuanto se les suministra energı́a.
Los semiconductores son fuertes y se pueden configurar para que permanezcan herméticos ante las
condiciones del medio externo. Junto con su tamaño reducido (figura 1), estas caracterı́sticas permiten
que grandes circuitos ocupen un espacio mı́nimo.

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 Figura 1: Un Transistor

1.2. Materiales Semiconductores

El silicio y, en menor grado, el germanio, son los materiales con los que actualmente se construyen los
dispositivos semiconductores. Predomina el silicio, por ser menos sensible al calor.
Antes de fabricar con ellos materiales semiconductores eficientes, el germanio y el silicio deben someterse
a un proceso de alta purificación. En su estado original, la conductividad de estos semiconductores es
muy baja; es decir, su resistividad es elevada. Para aumentar la conductividad del germanio y del silicio
se añaden cantidades minúsculas de ciertas impurezas. La adición de diversas cantidades y variedades de
impurezas, o contaminación, modifica la estructura del enlace electrónico de los átomos de estos elementos,
y les proporcionan portadores de corriente que aumentan su conductividad.
Impurezas tales como el arsénico y el antimonio aumentan la conductividad del silicio al incrementar la
cantidad de portadores (electrones libres) de carga negativos (N). Debido a lo anterior, el silicio contamina-
do con arsénico o con antimonio se conoce como tipo N. El silicio tipo N contiene algunas cargas positivas
(huecos), pero son la minorı́a y se les conoce como portadores minoritarios. Se puede considerar que el
flujo de corriente en el silicio tipo N se porta por los electrones libres, que son los portadores mayoritarios.
Impurezas tales como el indio y el galio elevan la conductividad del silicio mediante el incremento del
número de portadores de carga positivos (P, huecos). El silicio contaminado. con indio o on galio se conoce
como tipo P. El silicio tipo P contiene algunos electrones libres, pero se trata de portadores minoritarios,
Se puede considerar que el flujo de la corriente en el silicio tipo P se lleva a cabo mediante huecos, que son
portadores mayoritarios.
Los huecos sienten atracción por los electrones libres. Cuando. se llegan a ’encontrar’ un electrón libre y
un hueco, el primero ’llena’ el hueco y neutraliza su carga. Se dice que el electrón libre se ha combinado
con el hueco. Durante este proceso, tanto el hueco como el electrón libre se pierden como portadores de
corriente. Mientras sucede lo anterior, también se están formando nuevos portadores de corriente en otras
partes del semiconductor.
El movimiento de los portadores de corriente se puede controlar aplicando un voltaje de una baterı́a ex-
terna, VAA en el semiconductor (Figura (2)). La terminal positiva de VAA repele a los huecos del silicio
tipo P que se desplazan hacia la terminal negativa. Los electrones libres entran al silicio procedentes de
la terminal negativa deVAA y se desplazan hacia los huecos. Se llevan a cabo combinaciones de electrones
libres y huecos. Al tiempo que se forman estas combinaciones, se liberan más electrones y huecos móviles
en el silicio, a partir de un par electrón-hueco. Los electrones liberados se desplazan hacia la terminal
positiva de la baterı́a y los huecos hacia la terminal negativa de la baterı́a. Continúan las recombinaciones
y liberaciones; de esta manera se mantiene un flujo. de corriente constante en el circuito externo.

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 Figura 2: Movimiento de electrones libres y huecos en un material tipo P.

1.3. Funcionamiento de un Diodo Semiconductor

Cuando se unen silicios tipo P y tipo N como se muestra en la Figura (3), se forma un diodo de unión.
Este dispositivo de dos elementos tiene una caracterı́stica única: la capacidad para permitir el paso de la
corriente sólo en una dirección.
Al conectar la terminal negativa de la baterı́a al silicio tipo N y la terminal positiva al silicio tipo. P el
resultado es un flujo de corriente que se conoce como polarización directa. Los electrones y los huecos
se desplazan, al ser repelidos, en dirección a la unión PN, en donde se recombinan para formar cargas
neutrales y son reemplazados por los electrones libres (cargas negativas) de la baterı́a. Este movimiento de
cargas mantiene una elevada corriente directa a través del diodo en forma de electrones libres que pasan
del material N, por la unión y el material P, a la terminal positiva de la baterı́a. Dado que hay flujo de
corriente a través de esta conexión, se dice que el diodo tiene resistencia directa baja.

Figura 3: Diodo de Unión.

La conexión para la polarización inversa se muestra en la Figura (4). La terminal positiva de la baterı́a
atrae a los electrones libres del silicio tipo N, y los saca de la unión PN. La terminal negativa de la baterı́a
atrae a los huecos del silicio tipo P, Y los saca de la unión PN. Por lo tanto, no existe la combinación de
electrones libres y huecos. Entonces, los portadores de corriente mayoritarios del diodo no producen un
flujo de corriente. En el caso de esta conexión de polarización inversa, existe una corriente minúscula en el
diodo.Es- ta corriente se debe a los portadores minoritarios, es decir, los huecos del tipo N y los electrones
del tipo P. En el caso de los portadores minoritarios, la polaridad de la baterı́a es correcta y permite el flujo
de corriente. Como resultado de los portadores minoritarios, sólo se obtiene un flujo de unos microampers.
Lo anterior se indica mediante las flechas punteadas de la Figura (4) . La conexión de polarización inversa

3
produce una resistencia inversa elevada en el diodo.

Figura 4: Efecto de la polarización inversa en un diodo de unión.

La Figura (5) es el sı́mbolo de circuito de un diodo semiconductor. La terminal marcada como ’ánodo’
(representada por la punta de flecha) está conectada con el material tipo P, y la que está señalada como
’cátodo’ está conectada al material tipo N. Para que haya flujo de corriente en este diodo, la terminal
positiva de la baterı́a debe estar en el ánodo y la terminal negativa en el cátodo en una configuración de
polarización directa.

Figura 5: Sı́mbolo de un diodo Semiconductor.

1.4. Carácterı́sticas de Voltaje y Corriente en Corriente Continua

La caracterı́stica de voltaje y corriente (caracterı́sticas volt-amper) para un Diodo semiconductor se
muestran en la Figura (6). Para determinar lo anterior de manera experimental, se mide la corriente de
diodo correspondiente a una cantidad sucesiva de voltajes cada vez mayores y se traza una gráfica de la
corriente en función del voltaje. Para una polarización directa menor a los 0,7volts(V ), el diodo de silicio
atrae poca corriente. En el caso de voltajes de polarización directa iguales o mayores que 0,7V , el diodo
se activa y permite el flujo de la. corriente. Asimismo, para valores mayores de 0,7V , un pequeño aumento
del voltaje de polarización ’directa’ da por resultado un incremento considerable en la corriente del diodo.
En la figura se muestra la caracterı́stica volt-corriente en polarización directa tı́picas de un diodo de silicio.

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 Figura 6: Caracterı́sticas volt-amperes en polarización directa de un diodo semiconductor de silicio.

El voltaje de activación en polarización directa de los diodos de silicio tiene un valor caracterı́stico de
0,7V . En el caso de los diodos de germanio es de 0,3V .
Cuando el diodo tiene polarización inversa, la pequeña corriente producida por los portadores minoritarios
permanece relativamente constante, es decir, independiente del voltaje de polarización, hasta que se llega
a cierto valor de voltaje. Después de este nivel seguro de polarización inversa se produce un fenómeno
conocido como ’ruptura de avalancha’, cuando se presenta una corriente de sobrecarga fuerte, la cual
puede destruir el diodo. Por ello, es necesario que éste funcione dentro de lı́mites seguros, normalmente
especificados por el fabricante como voltaje directo máximo (VF M ) y voltaje inverso máximo (VRM ).
También se especifica la corriente directa pico (IF M ).

1.5. Primera Aproximación

¿Qué hace un diodo? Conduce bien la corriente en dirección directa y mal en la dirección inversa. En
esencia, idealmente un diodo funciona como conductor perfecto (voltaje cero) cuando tiene polarización
directa y como un aislante perfecto (corriente cero) si tiene polarización inversa (Figura (7) b). A esta
primera aproximación de un diodo se le conoce como diodo ideal. Representa una manera sencilla y rápida
de analizar los circuitos de diodos. Por ejemplo, el diodo de la Figura (8) a, tiene polarización directa. En
una primera aproximación actúa como un corto circuito. Por lo tanto, la corriente que pasa por el diodo
es:
10V
I= = 5mA (1)
2KΩ

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 Figura 7: Diodo ideal: a) gráfica; b) polarización directa; c) polarización inversa.

Figura 8: Diodo ideal: a) gráfica; b) polarización directa; c) polarización inversa.

Por otra parte, el diodo de la Figura (8) b, tiene polarización inversa. Idealmente se trata de un circuito
abierto, por lo que la corriente que circula por él es de O[A].

1.6. Segunda Aproximación

Para que un diodo de silicio conduzca realmente bien es necesario que haya por lo menos 0,7V . Cuando
la fuente de voltaje es grande, 0,7V es una cantidad muy pequeña como para tener algún efecto. Pero si
la fuente de voltaje no es tan grande, entonces hay que tomar en cuenta los 0,7V .
En la Figura (9) (a), se muestra la gráfica correspondiente a la segunda aproximación. Se puede observar
que la corriente no fluye sino hasta que aparecen 0,7V en el diodo. A partir de este momento el diodo se
activa. Sin importar la corriente directa, sólo se permite una caı́da de voltaje de 0,7V en el diodo de silicio.
(Para los diodos de germanio, utilice un valor de 0,3V .) Por cierto, el valor de 0,7V se conoce como voltaje
de barrera o de ’codo’.
La Figura (9) (b) es el circuito equivalente de la segunda aproximación. En este caso el diodo debe
considerarse como un interruptor conectado en serie con una baterı́a de 0,7V . Si el voltaje fuente que
alimenta al diodo rebasa al voltaje de contratensión, se cierra el interruptor y el voltaje del diodo es igual
a 0,7V .
Como ejemplo se utilizará la segunda aproximación para el caso del diodo de la Figura (9) (a) . El voltaje
de la fuente es suficiente para rebasar el voltaje de codo. Por lo tanto, el diodo tiene polarización directa
y la corriente es igual a:
10V − 0, 7V
I= = 4, 65mA (2)
2KΩ
Si la polarización del diodo es inversa, como en la figura l-9b), la segunda aproximación sigue dando un
valor de corriente igual a cero.

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 Figura 9: Segunda aproximación: a) gráfica; b) circuito equivalente de la polarización directa.

1.6.1. Resistencia másica

Para valores superiores al voltaje de codo, la corriente del diodo aumenta con rapidez; un pequeño
aumento del voltaje del diodo provoca un aumento considerable en la corriente del diodo. Una vez superado
el voltaje de contratensión, lo único que se opone a la corriente del diodo es la resistencia de las regiones
P y N, representadas por rP y rN en la Figura (10). La suma de estas resistencias se llama resistencia
másica del diodo. Usando literales
rB = rP + rN (3)
El valor caracterı́stico de rB varı́a entre 1 y 25 ohms (Ω).
El cálculo de la resistencia másica de un diodo de silicio se realiza de la siguiente manera. En la hoja de
especificaciones del fabricante por lo general se indica el valor de la corriente directa IF correspondiente a
1V . En el caso de un diodo de silicio los primeros 0,7V son necesarios para rebasar el voltaje de barrera; los
0,3 volts restantes se consumen en la resistencia másica del diodo. Por lo tanto, para calcular la resistencia
másica se tiene
0, 3V
rB = (4)
IF
Donde IF es la corriente directa para 1V .
Por ejemplo, el 1N456 es un diodo de silicio cuya IF es igual a 40mA a 1V . Su resistencia másica es igual
a
0, 3V
rB = = 7, 5Ω (5)
40mA

Figura 10: a) Resistencia másica; b) Corriente directa correspondiente a 1 V.

1.7. Rectificador de Media Onda

El rectificador de media onda es un circuito que permite que pase únicamente una parte de la señal de
entrada. Este circuito está compuesto por la combinación de un diodo en serie con una resistencia, donde
ésta última actúa como carga (ver Figura (11)) .

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 Figura 11: Diagrama de un rectificador de media onda

La salida del rectificador de media onda se muestra en la Figura (12) . Se puede observar que si el
voltaje de entrada Vin es mayor que cero (correspondiente al semiciclo positivo e la señal sinusoidal), el
diodo se polariza de manera directa.

Figura 12: Gráficos de voltaje de entrada y en la carga para un rectificador de media onda. La lı́nea
punteada corresponde a Vin y la lı́nea continua a Vload
.

Por lo tanto, el efecto del diodo es generar una caida de tensión Vth en la tensión de entrada Vin . Este
efecto puede observarse en la Figura (12). Cuando el diodo se polariza de manera inversa, esto es cuando
el voltaje de entrada Vin se encuentra en el semiciclo negativo de la onda sinusoidal, el diodo se apaga y
queda un circuito abierto y de esta forma la corriente que circula a través del circuito es cero y el voltaje
en la carga, Vcarga = 0.
Esto explica lo que sucede durante el semiciclo negativo de la señal sinusoidal de entrada de la Figura (12).

1.8. Convertidor AC-DC

¿Cuál es el uso del rectificador que se muestra más abajo?. Este rectificador se usa para convertir voltaje
AC en voltaje DC. De hecho la mayorı́a de las fuentes de poder que se usan en la actualidad incorporan
este tipo de circuitos (computadores, electrodomésticos, etc). El esquema de un convertidor AC-DC básico
se muestra en la Figura (13) . Es evidente que los circuitos convertidores que se emplean en los dispoditivos
electrónicos son más complejos, pero el fundamento y principio de operación es el mismo.

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 Figura 13: Convertidor AC-DC
.

Cuando el diodo se polariza de manera directa, el voltaje de entrada Vin cae un valor dado por Vth
luego el condensador se carga y Vout comienza a aumentar. Cuando el diodo se polariza de manera inversa,
(durante el semiciclo negativo de la señal de entrada sinusoidal) éste se abre y el condensador se descarga
a tráves de la resistencia R. El objetivo en este tipo de convertidores es tener una constante de tiempo lo
sificientemente grande (valor RC) comparado con el perı́odo de la señal de entrada sinusoidal.Este hecho
consigue que el condensador o pierda voltaje antes del próximo ciclo de carga.

2. Desarrollo Experimental
2.1. Lista de componentes
Para la implementación de los circuitos propuestos, solicitar los siguientes materiales por grupo de
trabajo:
1. Diodo 1N 4007.
2. Potenciometro 50kΩ.
3. Capacitor 10nF .
4. 2 Multı́metros.
5. Protoboard.
6. Cables de conexión.
7. Alicate de punta.

2.2. Procedimiento
Ahora proceda a generar el circuito de la figura (14) y a continuación efectúe el siguiente procedimiento.

1 Identifique los extremos del ánodo y del cátodo en un diodo de silicio 1N4007 y arme el circuito
mostrado en la Figura (14).
2 Ajuste la salida de la fuente de cd variable de manera que el voltaje del diodo (VAK ) mida 0, 7V .
Mida y anote, en la Tabla 1, la corriente del diodo (ID ).
3 Invierta el diodo y mida (ID ). Anote los resultados en la Tabla 1.
4 Mida (VAK ) con el diodo en polarización inversa. Anote la lectura en la Tabla 1. Calcule y anote la
resistencia del diodo ( VIAK
D
) para configuraciones de un diodo con polarización directa y con polari-
zación inversa.
5 Quite el diodo del circuito y mida su resistencia. Invierta las puntas de conexión y mida de nuevo la
resistencia del diodo. Dado que la baterı́a del medidor empleado para medir la resistencia tiene una
polaridad, las puntas de prueba del medidor también estarán polarizadas. Anote ambas lecturas en
la Tabla 1.

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 Cuadro 1: Mediciones del Diodo
Paso VAK ID Resistencia del Diodo
2 0, 7V
3,4
5 Directa... Inversa...
12 rB

6 Cambie la posición del diodo en el circuito de manera que ahora tenga polarización directa. Ajuste
la fuente de cd variable de acuerdo con los valores de VAK que se muestran en la Tabla 2. Mida y
anote la corriente ID para cada valor de VAK .
7 Invierta la posición del diodo de manera que tenga polarización inversa. De nuevo fije la fuente de
cd variable de acuerdo con los valores indicados en la Tabla 2. Mida y anote el valor de ID .
8 Traze la curva caracterı́stica del diodo; Para ello grafique VAK en el eje x e ID en el eje y. La corriente
de polarización directa que pasa por el diodo se considera de valores positivos dado que la corriente
fluye del cátodo al ánodo. Los valores de la corriente producidos por la polarización inversa del diodo
se deben a corrientes de fuga y fluyen en dirección opuesta a la de los valores de la corriente directa.
Ası́, hay números ’negativos’ en el eje y.

Cuadro 2: Mediciones del Diodo

Paso 6 VAK (V ) Polarización directa ID (mA) Paso 7 VAK (V ) Polarización inversa ID (µA)
0,1 -5
0,2 -10
0,3 -15
0,4 -20
0,5 -25
0,6 -30
0,7 -35
0,8 -40

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 Figura 14: Circuito de pruebas para el experimento 1
.

2.3. Rectificador de Media Onda

1 Arme el rectificador de media onda que se muestra en la Figura (11) . Para ello emplee una señal de
entrada sinusoidal de 2VP P y 50Hz con una reristencia R igual a 1K.
2 Use el multı́metro para medir el valor del voltaje umbral del diodo.
3 Mida el valor del voltaje umbral del diodo en el osciloscopio mediante la diferencia de voltaje entre
el peak de la señal de entrada y el peak de la señal de salida.

4 Obtenga el error en la lectura del voltaje umbral del diodo. comparar la lectura del multı́metro con
la del osciloscopio.

2.4. Convertidor AC-DC

1 Arme el convertidor AC-DC que se muestra en la Figura (13) . Para ello emplee una señal de entrada
sinusoidal de 2VP P y 50Hz con una reristencia R igual a 1M y un condensador con una capacidad
C igual a 22uF .
2 Visualice en el osciloscopio la señal de salida del convertidor VOU T .

3 Calcule la constante de tiempo RC del circuito.

3. Referencias
1. Paul B. Zar, Albert P. Malvino, Michael A. Miller; Prácticas de Electrónica; 7a ed.; Alfaomega Grupo
Editor; 2001.
2. Guı́a de Laboratorio de Diodos ; EECS Department, UC Berkeley ; https://inst.eecs.berkeley.edu/ ee100/su06/lab/
Diodes/diode-guide.pdf

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