LA FÍSICA DE LOS SEMICONDCTORES DE

CARBURO DE SILICIO (SiC) Y NITRURO DE

GALIO (GaN)
López Diana
Escuela Politécnica Nacional.
Facultad de Ingenierı́a Eléctrica y Electrónica
Departamento de Automatizacioón y Control
Quito, Ecuador
Electrónica de Potencia Gr2
diana.lopez@epn.edu.ec

I. INTRODUCCI ÓN II. C ARBURO DE S ILICIO (S I C)

En el desarrollo de la electrónica de potencia se ha desar-
rollado grandes avances y mejoras respecto a las ya existentes,
tratando siempre de mejorar la eficiencia, rendimiento, entre
otras caracterı́sticas, al momento de usar dispositivos semi-
condctores en diversas aplicaciones. Este es el caso de una
mejora en las aplicaciones cuyo princiál material fue el Silicio
(Si), pues los estudios han demostrado que presenta varias
limitaciones como su capacidad de voltaje de bloqueo, su tem-
peratura de operación es relativamente baja y al momento de
aplicarlo en grandes ciruitos se le debe añadir a este sistemas
de enfriamiento que resultan realmente costosos. Al momento
de compararlo repecto a su frecuencia de conmutación también
presenta bajos valores. Estas deficiencias mencionadas, descar-
tando todas sus ventajas, han sido compardas con innovadores
dispositivos semiconductores como los que se presenta en
este documento, estos son principalmente el carburo de silicio
(SiC) y el Nitruro de Galio (GaN),[1]
Cuando de compara estos dos semiconductores se resalta a
uno de ellos por sus principales caracterı́sticas, GaN tiene un
mejor rendimiento en alta frecuencia y alto voltaje, lo que
le impide ser el protagonista entre ambos semiconductores
es el hecho de que su materia prima de buena calidad y
necesaria para la conducción de electricidad, es muy escasa.[2]
Sus principales aplicaciones influyen en los convertidores
de potencia al momento de la transformación de la energı́a
eléctrica, al ser esta representante del 40% del consumo de
toda la energı́a. Sus aplicaciones se incluyen en la generación,
transmisión y distribución de la misma energı́a.[1]
A pesar de su gran desarrollo aun no se han explotado
todas las ventajas de sus caracterı́sticas propias debido a
varios factores, entre ellos limitación en la tecnologı́a, falta
de confiabilidad, etc.[2]
Como se mencionó con anteroridad, el Carburo de silicio
lleva el protagonismo entre los semiconductores, pues su de-
sarrollo ha sido muy avanzado y su materia prima abundante.
Algunas de sus aplicaciones con mejores usos en la inductria
se especifican a continuación:
A. Rectificadores de energı́a
Al tratar de rendimientos de material, se dice que el SiC
debido a su construcción necesita obleas de muy alta cali-
dad, esto no representa ningún problema comparado con los
grandes beneficios que representa, como son la alta conduc-
tividad térmica, comparada con el material de Si, hace posible
trabajar con densidades de corriente elevadas minimizando la
necesidad de usar costosos sistemas de enfriamiento. Además
su uso no se limita como mucho al ambiente, pues pueden
usarse en misiones aeroespaciales, siempre y cuando se desar-
rolle aún más los empaques confiables a latas temperaturas.
Esto ha permitido el avance de dispositivos importantes en
la electrónica de potencia, como son los diodos de barrera
de Schottky (SBD), logrando un soporte de 3.3[KV]. Además
comercialmente se los puede encontrar desde los 300 [V] / 10
A y 600 v/ 6 a hasta los 600[V] / 20 [A] con capacidad actual
de 50 [A].
Un factor a estudiar es la velocidad de conmutación y al
hablar de los SBD se puede denotar un gran alto valor pues
poseen una baja carga de recuperación inversa, comparada con
los diodos de clavija de silicio. Esto los hace comparables con
los IGBT de silicio, su comparación se muestra en la fig.1.[1]
El desarrollo y fusiones entre dispositivos con excelentes
caracterı́sticas como alta capacidad de voltaje de bloqueo
(PIN) y baja recuperación inversa (SBD) ha dado como
resultado los rectificadores hı́bridos, (unión de estructuras
PIN y SBD). Su estructura se muestra en la fig.1.

La marca INFINON ha presentado un gran dispositivo

al mercado llamado ”thinQ” de generación 5G, con
caracterı́sticas tales que ayudan a mejorar la capacidad a
 Fig. 1. Comparación de la capacidad de recuperación de inversa.[1]
soportar corriente de sobretensión y efectos de avalancha.
B. Interruptores de potencia unipolares de SiC
Los interruptores de potencia de SiC compiten contra un
gran opositor muy conocido ya en el mercado por su gran
capacidad de bloque, pero siendo reemplazados aún asi por su
grandes pérdidas de conducción, este es el caso de los MOS-
FET de potencia. Además de los IGBT de silicio, los cuales
presentan pérdidas dinámicas al momento de conmutación
rápida.[1]
Se ha desarrollado, basado en las deficiencias mencionadas
el SiC JFET. Este elemento presenta varias caracterı́sticas
favorables para la industria como su resistencia de encendido
especificada causa una muy buena capacidad de operar en altas
temperaturas y altas frecuencia.[3]
La misma empresa mencionada INFINOS, involucrado en
el tema ha desarrollado un interruptor hı́brido de 1.5kv y 0.5
[ω]. Su principal aplicación es situada en los convertidores
resonantes. Su construcción se hace en base a la unión de un
JFET de SiC y un MOSFET de Si, con canal p.[2]
Un producto comercial muy mencionado del fabricante
COOLSIC, es el interrumptor de 1.2 [KV] y 70[mω], aunque
no es el de mayor voltaje, pues este también ha desarrollado
elementos de hasta 4.5 [KV], presentando deficiencias a latas
temperatura por la presencia del MOSFET.
Otro fabricante conocido nombrado CREE, en competencia al
desarrollo mejorando la eficiencia y confiabilidad sobre los
dispositivos de Si, ha lanzado al mercado un chip presentado
un MOSFET de potencia siendo sus caracterı́sticas de 1.2
[kV], 80[mω], 42A/24Aa25C, [3] con mejoras del encap-
sulado de alta densidad de corriente permitiendo el flujo de
corriente de hasta 300[A]. Este ha demostrado un desarrollo
cuando de voltaje de bloqueo se habla, superando incluso
los 10[KV ], este es el ejemplo del llamado DMOSFET de
potencia a 5[A]. Su estructura se muestra en la fig.2 y fig3.
Fig. 2. Estructra interna del DMOSFET.[1]
Fig. 3. Estructura interna del chip de DMOSFET.[1]
III. N ITRURO DE G ALIO (G A N))
Como se mencionó con antelación el semiconductor de
GaN presenta grandes ventajas al poseer un gran campo
eléctrico crı́tico, presentando una alta conductividad térmica
para la aplicación en altas caracterı́sticas, como voltaje, fre-
cuencia y temperatura. Un área donde se ha desarrollado es la
fotónica.[3]
A. Rectificadores de GaN
De la misma forma estudiada anteriormente y con la misma
importancia los rectificadores dentro del sistema eléctrico,
cobran un papel muy importante en la electrónica de potencia
y su configuración es igualmente importante, los mencionados
en la segunda sección han tenido un estructura lateral o
pseudo-vertical, por la deficiente existencia de los sustratos
de GaN, cuya función representa la conducción misma de la
electricidad, si estos elementos son reemplazados por sustratos
de zafiro, ya se puede hablar de la obtención de elevados
voltajes de ruptura llegando incluso a los 9.7[KV ].[3]
El desarrollo comercial ha sido a través de los ”diodos
Schottky GaN”, de 600 [V], esto para entrar en competencia
con los rectificadores de SiC mencionados anteriormente.
B. HEMTs y MOSFET de potencia
El estudio de sus caracterı́sticas es esencial al moemento
de adquirir e implementarlo en un circuito o sistema de
potencia. Una de estas que sobresalen es la existencia de un
gas de electrones (2D). Esta caracterı́stica representa una alta:
movilidad de electrones, velocidad, y por el contrario bajas
pérdidas como se observa en la fig.4.

Fig. 4. Sección transversal de un GaN HEMT. [1]

C. Concluiones
• La existencia de los JFET y MOSFET han representado
un gran avance en el desarrollo tecnológico y a su vez
industrial en el campo de la electrónica de potencia,
sin embargo gracias al desarrollo de varios fabricantes
mencionados en este documento han presentado varias
ventajas frente a los ya existentes que cubren las lim-
itaciones que los anteriores tenı́an debido a su materia
prima con la que se lo construyó.
• La electrónica de potencia es un campo altamente de-
sarrollo y útil en el sistema eléctrico, por ello su estu-
dio (materiales y comportamiento), debe ser analizado
cuidadosamente para poder obtener ventajas de este, sin
descuidar el disminuir sus desventajas.
• Las pérdidas de conmutación y dinámicas que presentan
varios dispositivos al ser representativas deben ser dis-
minuidas a gran nivel, pues de los contrario su función
quedarı́a relegada, como se vió en la comparación de los
elementos de Si con los GaN y SiC.

R EFERENCES
[1] P. Godignon y X. Perpi.”Una encuesta sobre el poder de
Wide Bandgap Dispositivos Semiconductores”. Transacciones
en IEEE en Electrónica de Potencia. 2014.
[2] H. Ishida. ”Dispositivos semiconductores basados en GaN para
los futuros sistemas de conmutación de energı́a”. Japón: Deepl.
2016.
[3] K.Li, P. Evans y M.Jhonson. ”Dispositivos semiconductores de
potencia SiC/GaN Comparación Teórica y Evaluación Experi-
mental”. Reino Unido: Deepl. 2016.