TRANSISTORES BJT

REFERENCIA CARACTERISTICAS IMAGEN HOJA DE DATOS FABRICANTE

2SA733 Transistor Bipolar (BJT) PNP https://www.ele MCC
Dispositivo diseñado para operar como amplificador ctronicoscaldas.c
de baja frecuencia o en conmutación de baja om/datasheet/2
velocidad SA733_MCC.pdf
IC: 100 mA
PD: 250 mW
VCEO: 50 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
hFE: 200 a 400 (Ranking P)
FT: 100 MHz mínimo
VCE(sat): 0.3 V max.
Marcado: A733
Encapsulado: TO-92

2N3055 Transistor Bipolar (BJT) NPN https://www.ele NJS, ST

Dispositivo diseñado para circuitos de conmutación ctronicoscaldas.c
de potencia, reguladores en serie y paralelo, etapas om/datasheet/2
de salida y amplificadores de audio N3055-
IC: 15 A max. MJ2955_ST.pdf
IB: 7 A max.
PD: 115 W max.
VCEO: 60 V, VCBO: 100 V, VEBO: 7 V, max.
fT: 3 MHz mínimo
Encapsulado: TO-3 de 2 pines
Producto genuino
 TRANSISTORES BJT
REFERENCIA CARACTERISTICAS IMAGEN HOJA DE DATOS FABRICANTE
2SD882 Media potencia https://www.ele ST
IC: 3 A ctronicoscaldas.c
PTOT: 12.5 W om/datasheet/2
VCEO: 30 V SD882_ST.pdf
VCBO: 60 V VEBO: 5 V
fT: 100 MHz
• Transistor Bipolar (BJT) NPN
• IC max: 3 A
• IC pulso max: 6 A (@ tp < 5 ms)
• FT : 100 MHz típico

• PTOT: 12.5 W
• VCEO: 30 V, VCBO: 60 V, VEBO: 5 V
• hFE: 80 mínimo (@ IC= 1 A, VCE= 2 V)
• Voltaje de saturación VCE(SAT): 0.7 V max. (@ IC = 2
A, IB = 0.1 A)
• Marcado: D882
• Encapsulado: TO-126
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REFERENCIA CARACTERISTICAS IMAGEN HOJA DE DATOS FABRICANTE
A42 Transistor NPN de alto voltaje. https://www.ele Dongguan
IC: 500 mA, ctronicoscaldas.c Nanjing
PD: 625 mW, om/datasheet/A Electronics
VCEO: 300 V, 42_DNE.pdf
VCBO: 300 V,
VEBO: 5 V,
fT: 50 MHz, TO-92
• Transistor Bipolar (BJT) NPN de alto voltaje
• IC: 500 mA max.
• PD: 625 mW max.
• VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, max.
• hFE: 80 min. (@ IC=10 mA, VCE=10 V)
• fT: 50 MHz mínimo
• VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 20 mA)

• Encapsulado: TO-92

A92 • Transistor Bipolar (BJT) PNP de alto voltaje https://www.ele Dongguan

• IC: 200 mA max. continuamente ctronicoscaldas.c Nanjing
om/datasheet/A Electronics
• IC: 500 mA max. pulsada 92_DNE.pdf
• PD: 625 mW max.
• VCEO: 300 V, VCBO: 300 V, VEBO: 5 V, max.
• hFE: 80 min. (@ IC=10 mA, VCE=10 V)
• fT: 50 MHz mínimo
• VCE(sat): 0.2 V max. (@ IC = 20 mA)

• Encapsulado: TO-92

Elaborado por María Fernanda Amado, Referencias tomadas de https://www.electronicoscaldas.com/es/91-Transistores-BJT