ELECTRÓNICA INDUSTRIAL

INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica
Unidad Profesional: Azcapotzalco

U-III ACTUADORES DE ESTADO SÓLIDO O DISPOSITIVOS DE 4

CAPAS

Tarea UIII-11 IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)

6RV1
Contreras Santamaria Ayrton Alfredo
13/05/2020

12-02-2020
1) Investigar los siguientes puntos para un IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor)
i) Descripción del funcionamiento del elemento
Cuando se le aplica un voltaje VGE a GATE, nuestro IGBT enciende
inmediatamente, la corriente del colector (Ic) es conducida y el voltaje (Vce)
se va desde sui valor de bloqueo hasta 0. Ic se mantiene para el tiempo de
encendido en el que la señal de GATE es aplicada.
Para poder encender nuestro transitor la terminal C debe de ser polarizada
positivamente con respecto a su terminal E. La señal de encendido va a ser
un voltaje positivo Vg que se aplica a la puerta G.
Dicho voltaje será aplicado como un pulso de unos 15 V, puede causar que
el tiempo de encendido sea de un segundo, causando que nuestra corriente
de colector (Id) sea igual a nuestra corriente de carga (IL).
Una vez que tenemos encendido nuestro dispositivo, se va a mantener asi
gracias a una señal de voltaje en nuestro GATE. Sin embargo, tomando en
cuenta el control de voltaje nuestra disipación de potencia en GATE será
muy baja.
ii) Símbolo.
Su estructura microelectornica es un poco compleja.
iii) Curva característica.
Considerando que nuestro transistor se encuentra bloqueado inicialmente,
eso significaría que no existe un voltaje aplicado en el GATE. Si el voltaje
Vgs se aplica a la GATE, el IGBT encenderá automáticamente; la corriente Id
será conducida y el voltaje Vds se irá desde el valor de bloqueo hasta 0

iv) Polarización típica

Al igula que un MOSFET, el IGBT será controlado con tensión. Para el
encendido tendremos una tensión positiva en Gate respecto a su emisor, los
portadores N serán atraídos hacia la región P de GATE, asi es como se
polariza en directo la base del transistor NPN, lo cual nos va a permitir la
circulación de corriente en nuestro colector-emisor.
Para poder apagarlo solo bastara con quitar la tensión de la puerta. Esto va a
requerir de un circuito de control simple con respecto a nuestro IGBT.
 La máxima tensión que va a poder soportar se determina por la unión J2
(polarización directa) y J1 (Polarización inversa). Como J1 nos divide dos
regiones muy dopadas, llegamos a la conclusión de que nuestro IGBT no va
a resisitir tensiones elevadas cuando se polariza inversamente

2) Investigar un circuito de aplicación con IGBT y explicar su funcionamiento

Es posible construir un controlador IGBT a partir de componentes discretos. Se
muestra un circuito BJT el cual fue diseñado para accionar un transistor de potencia.
En este caso utilizaremos un MOSFET mas tradicional pero la configuración se
aplica para un transistor IGBT. Se carece de un buen funcionamiento del controlador
discreto MOSFET de BJT, sin embargo, invierte nuestro voltaje, sufre de disparos y
carece de una protección.

WEBGRAFIA
https://docs.google.com/document/edit?id=1Jn0EmydCZrLzd2KPsog-
j4ej4z88YmiZ62j3OL1g0oo&hl=en
https://www.incb.com.mx/index.php/curso-de-electronica/95-curso-de-electronica-de-
potencia/2647-curso-de-electronica-de-potencia-parte-5-los-igbts-cur2005s
https://sensoricx.com/electronica-de-potencia/transistores-igbt/