El Transistor Mosfet de Potencia

El nombre de MOSFET, viene dado por las

iniciales de los elementos que lo componen:

Una fina película metálica (Metal - M).

Oxido de silicio (Óxido - O);

MOSFET de Región semiconductora (Semiconductor

potencia - S)
El mosfet es un dispositivo unipolar, la conducción sólo es debida a
un tipo de portador.

Canal N: Conducción debida a

electrones

Canal P: Conducción debida a huecos

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 El Transistor Mosfet de Potencia
Las aplicaciones más típicas de los transistores de potencia
MosFet se encuentran en la conmutación a altas frecuencias:
troceadores, fuentes de poder de alta frecuencia, sistemas
inversores para controlar motores, generadores de alta frecuencia
para inducción de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores
de audio, trasmisores de radiofrecuencia, etc.

De los dos tipos existentes de MOSFET

MOSFET de (decremental e incremental), para
potencia aplicaciones de elevada potencia
únicamente se utilizan los MOSFET de
tipo incremental, preferiblemente de
canal N.

Como se puede observar en la figura, el

Mosfet de canal N conduce cuando
VGS>0

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 El Transistor Mosfet de Potencia
MOSFET de
potencia Las características más importantes que distinguen a los MOSFET
de otros dispositivos son las siguientes:

Alta velocidad de conmutación, llegando a MHz.

No presentan el fenómeno de segunda ruptura, por lo que el

área de trabajo seguro (SOA) mejora con respecto del BJT

El control se realiza mediante la tensión aplicada entre los

terminales de puerta y fuente (VGS), lo que reduce
considerablemente tanto la complejidad como la potencia de los
circuitos de disparo.

Las tensiones máximas de bloqueo son relativamente bajas en

los MOSFET de alta tensión (< 1000V) y las corrientes máximas
moderadas (< 500A).

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 El Transistor Mosfet de Potencia
El modo de funcionamiento de un MOSFET de potencia es
MOSFET de análogo al de pequeña señal. Aplicando las tensiones apropiadas
potencia entre la puerta y la fuente (VGS) del dispositivo se controla el ancho
del canal de conducción y en consecuencia se puede modular el
flujo de portadores de carga que atraviesa el semiconductor.

En modo de conmutación, se aplican pulsos de tensión durante el

estado ON y se retiran (o se aplican con polaridad contraria) en el
estado OFF.
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 Aislante (Si O2)
TRANSISTOR MOSFET - canal N

Puerta SECCIÓN
Fuente
Drenador (Gate) (Source) Substrato
(Drain) (Substrate)

N N
P
MOSFET de
potencia Canal
(Channel) VISTA SUPERIOR

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 TRANSISTOR MOSFET - canal N

D G S Substrato

N N
P
NOTAR QUE EN PRINCIPIO ES UN
MOSFET de NOTAR: DISPOSITIVO SIMÉTRICO
potencia D De momento, vamos a
METAL
olvidarnos del
OXIDO
substrato.
SEMICONDUCTOR
Substrato Posteriormente veremos
que hacer con este
G terminal "inevitable" para
que no afecte a la
SÍMBOLO operación del dispositivo.
S
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¡¡Que no moleste!!
 CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET DE CANAL N

IG = f(VGS, VDS) Característica de entrada

En principio necesitamos
ID conocer 3 tensiones y 3
+ + corrientes:
VDG ID, IS, IG
VDS, VDG, VGS
- VDS En la práctica basta con
IG
+ conocer solo 2 corrientes y
MOSFET de VGS dos tensiones.
IS
potencia -
-
Normalmente se trabaja con
ID, IG, VDS y VGS.

Por supuesto las otras dos

pueden obtenerse fácilmente:
ID = f(VDS, VGS) Característica de
salida IS = I D + I G
VDG = VDS - VGS

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 PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N

VGS = 0

D
G S Substrato

MOSFET de
N N
potencia
P

Situación de partida.

No es posible la conducción en ningún sentido

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 PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N

VGS = 5V

D G
+++++ +++++ S Substrato

MOSFET de -----------
N N
potencia
P

Por atracción electrostática la zona bajo la puerta (CANAL)

se enriquece de cargas negativas (minoritarios de la zona
P).

El CANAL, así enriquecido, se comporta como una zona N

(CANAL N)
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 PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N

VGS = 20V

D
G S
+++++ +++++ Substrato

MOSFET de -----------
potencia N ----------- N
P

Al aumentar la tensión de puerta (VGS), aumenta el canal.

La situación es parecida al JFET, solo que ahora vamos

aumentando el canal a medida que polarizamos
positivamente la puerta (G)

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 MOSFET DE CANAL N (Característica real de salida)

ZONA COMPORTAMIENTO
D FUENTE DE CORRIENTE
ID
VGS[V]
Substrato
+15
G +10

S
+5
0

MOSFET de VDS
potencia

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

POR TANTO, LA TENSIÓN DE PUERTA (VGS) EN UN MOSFET JUEGA EL

PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE EN UN TRANSISTOR BIPOLAR.

PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.

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 MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)
D
G S Substrato

canal
N N
P

D
Canal.
MOSFET de Substrato
potencia Aparece entre D y S
en paralelo a los S
diodos iniciales

Se observa que los diodos juegan un papel secundario en la operación del

dispositivo.
Debemos asegurar que nunca entren en operación.

EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo del circuito.

Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S).

En los circuitos integrados se conectará el SUBSTRATO a la alimentación
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negativa
 MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)

Se une con S
D
G S
Substrato

canal
N N
P
MOSFET de D
potencia
D D

G
S S
S
¡¡¡ AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMÉTRICO !!!
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 MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)

COMENTARIO:

Aunque a veces se dibuje el

D D
símbolo con un diodo, tener
en cuenta que NO ES UN
COMPONENTE APARTE.

ID UGS[V]
MOSFET de
potencia G G =+15 V
S =+10 V
S =+5 V
=0V
Diodo parásito VDS
(Substrato - Drenador)

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 MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)
D

La puerta (G) es muy sensible.

Puede perforarse con tensiones

bastante pequeñas (valores ID
típicos de 30 V).

No debe dejarse nunca al aire y

debe protegerse
G
- 30 V + 30 V VGS
adecuadamente.
MOSFET de S
potencia
CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!

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 El Transistor Mosfet de Potencia
La curva característica aporta información acerca de cómo varía la
corriente del Dreno, ID para una tensión dreno - fuente, VDS que se
mantiene fija, variando la tensión aplicada entre puerta y fuente
Vgs. .
Región Óhmica
Esta región se utiliza cuando actúa el
Mosfet como una resistencia
dependiente de VGS en estado
encendido. En esta región el valor de
VDS será:
MOSFET de
potencia
Una definición de la región
óhmica, parte de la característica
que satisface la condición que

Esta región tiene una baja resistencia entre el dreno – fuente, RDS(ON) un valor
típico para un Mosfet de potencia trabajando a 500V y 10A es de RDS(ON) =
0.5 Ω 16
 El Transistor Mosfet de Potencia
En funcionamiento como interruptor, las pérdidas de potencia durante
la conducción son:

MOSFET de
potencia

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 El Transistor Mosfet de Potencia

En funcionamiento como
interruptor, las pérdidas
de potencia durante la
conducción son:

MOSFET de
potencia

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 El Transistor Mosfet de Potencia

Región de Corte

Si se cierra el circuito exterior, esto no significa que se cambie el

estado del dispositivo, si la tensión aplicada entre Puerta - fuente
es inferior a VGS(th), el dispositivo continuará en la región de corte.
En esta región la corriente que circula por el dreno es
MOSFET de prácticamente nula. En los Mosfet de potencia VGS(th) suele ser algo
potencia mayor que 2 V.

Para esta región se cumplen las siguientes condiciones:

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 El Transistor Mosfet de Potencia
CIRCUITOS DE EXCITACIÓN PARA MOSFET
El Mosfet es un dispositivo controlado por tensión, que resulta
relativamente simple de activar y desactivar, lo cual es una ventaja
respecto al transistor bipolar de unión.

El estado de conducción se consigue cuando la tensión puerta-fuente

sobrepasa de forma suficiente la tensión umbral, lo que forza al
MOSFET a entrar en la región de trabajo óhmica.
MOSFET de
potencia Normalmente, la tensión puerta-fuente del MOSFET para el estado
activado en circuitos conmutados está entre 10 y 20 V.

El estado desactivado se consigue con una tensión menor que la

tensión umbral.
Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son muy
bajas. Sin embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parásita
para poner al MOSFET en conducción, y descargarla para apagarlo. Las
velocidades de conmutación vienen determinadas básicamente por la rapidez
con que la carga se puede transferir hacia y desde la puerta.
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 El Transistor Mosfet de Potencia
CIRCUITOS DE EXCITACIÓN PARA MOSFET

MOSFET de
potencia PARA BAJAS FRECUENCIAS:
 ON  R1  R2 CGS  OFF  R2CGS
PARA ALTAS FRECUENCIAS:
El circuito de excitación Tótem-Pole de la figura mejora al elemental. El Totem-
Pole consiste en un par de transistores bipolares NPN y PNP acoplados.
Cuando la tensión de excitación de entrada está a nivel alto, T1 conduce y T2
está apagado, haciendo conducir al MOSFET.
Cuando la señal de excitación de entrada está a nivel bajo, T1 está al corte y
T2 conduce, eliminando la carga de la puerta y apagando el MOSFET.
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 El Transistor Mosfet de Potencia

MOSFET de
potencia

22
 El Transistor Mosfet de Potencia
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN

Conmutación del Mosfet ante una carga Resistiva

VGS

R2
200
V2
MOSFET de R1 200
ID IRFP 460
potencia V1 = 0 M1
V2 = 15 V1 10
TD = 45u
TR = 0.5u
TF = 0.5u
PW = 45u
PER = 100u

VDS 0

Frecuencia: 10Khz Vdc: 200V Rl: 200

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 El Transistor Mosfet de Potencia
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN

Conmutación del Mosfet ante una carga Resistiva

VGS

R2
200
V2
MOSFET de R1 200
ID IRFP 460
potencia V1 = 0 M1
V2 = 15 V1 10
TD = 45u
TR = 0.5u
TF = 0.5u
PW = 45u
PER = 100u

VDS 0

Frecuencia: 10Khz Vdc: 200V Rl: 200

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 El Transistor Mosfet de Potencia
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN

VGS
Conmutación del Mosfet ante una carga Resistiva

R2
200
V2
R1 200
MOSFET de IRFP 460
V1 = 0 M1
potencia V2 = 15 V1 10
TD = 45u
TR = 0.5u P
TF = 0.5u d
PW = 45u
PER = 100u
0

Frecuencia: 10Khz Vdc: 200V Rl: 200

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 El Transistor Mosfet de Potencia
TIEMPOS DE CONMUTACIÓN

Conmutación del Mosfet ante una carga RL

L2

VGS 200uH

R2
200
V2
R1 200
IRFP 460
MOSFET de V1 = 0 M1
V2 = 15 V1 10
potencia I
TD D
= 45u
TR = 5u
TF = 5u
PW = 45u
PER = 100u
0

Frecuencia: 10Khz Vdc: 200V Rl: 200

VDS

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