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SVC PDF
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PERÚ
__________________________________________________________________
INGENIERO ELECTRICISTA
HUANCAYO – PERU
DICIEMBRE DEL 2010
ASESOR:
formación profesional.
INDICE
Págs.
Dedicatoria
Agradecimiento
Indice v
Resumen viii
Introducción 1
CAPÍTULO I
ASPECTOS GENERALES
1.1. INTRODUCCIÓN 4
1.3. OBJETIVOS 9
2.1. INTRODUCCIÓN 12
CAPÍTULO III
3.1. INTRODUCCIÓN 45
CAPÍTULO IV
CONCLUSIONES
RECOMENDACIONES
BIBLIOGRAFÍA
ANEXOS
RESUMEN
la transmisión de energía.
reactivas no deseadas.
Estabilización de tensión,
potencia,
Reducción de armónicos.
tecnológicamente.
referencias bibliográficas.
ASPECTOS GENERALES
1.1 INTRODUCCIÓN
debe ser diseñado de tal modo que absorba los armónicos generados por
las cargas y los generados por las reactancias controladas por tiristor.
transmisión.
los filtros para eliminar los armónicos y los que son adicionados al
amplitud de la tensión
transitorios de tensión?
1.3 OBJETIVOS
de potencia.
la figura 1,2.
disparo.
Por este motivo se suelen colocar filtros pasivos LC. Los filtros junto a
del SVC.
COMPENSADORES ESTÁTICOS DE
ENERGÍA REACTIVA - SVC
2.1 INTRODUCCIÓN
La compensación estática de potencia reactiva es equivalente a un
reactivas adicionales.
Los beneficios del controlador SVC puede verse dentro de las plantas
siguientes efectos:
Estabilización de tensión,
potencia,
Reducción de armónicos.
REACTIVAS
figura 2,2 se muestra un modelo que permite entender las ideas básicas
siguiente:
S R P R jQ V IR R
(2,1)
VV S R
P R
Sen( ) (2,2)
X
2
Q VV V
S R
Cos( ) R
(2,3)
R
X
En forma similar, se tiene para el terminal de transmisión:
VV
S R
P S
Sen( ) P .Sen( )
m ax
(2,4)
X
V 2S V V S R
Cos( )
Q (2,5)
S
X
Donde las magnitudes de las tensiones están en valor eficaz y
recepción.
son iguales por que se asume que en el sistema no hay pérdidas, tal
severa, tal como se puede ver en [27] (VSC -based Facts). Transferencia
Para asegurar la estabilidad del ángulo del estado estacionario del rotor,
voltajes, con flujos desde muy altos voltajes hasta muy bajos voltajes,
mientras la dirección del flujo de potencia activa depende del signo del
ángulo de potencia.
EN SHUNT
potencia reactiva entre varias fuentes, tan bien como otras necesidades
inductiva.
mantenimiento.
controladas (TCR) por tiristores, ya que estos dispositivos son los que
anteriormente mencionados.
cuando éste está en serie con una bobina ideal L, se emplea el circuito
como:
V (t )S
2V RMS .Cos( t ) (2,6)
instante t’ es:
V C
(t ) V a
(t ) V P
(t ) (2,7)
estacionario sinusoidal:
V a
(t ) K 1
Cos O
(t t´) K 2
Sen O
(t t´)
(2,8)
V a
(t ) 2 .V C .Cos( t )
Donde:
1
O
(2,9)
LC
• Vc es el valor de eficaz de la tensión en régimen permanente, tal
que:
1
V C R RMS 2
(2,10)
1 2
O
i C
(t ) i (t ) i
a P
(t ) (2,11)
estacionaria de la intensidad:
i (t )
a O
C K 1 Sen O
(t t´) O
C K 2 .Cos O
(t t´)
(2,12)
i (t )
P
C 2.V C .Sen( t )
condensador:
V (t ) V
C O
(2,13)
i (t´) 0
Donde Vo es la tensión inicial del condensador o tensión residual. Los
K V 1 0
2 .V C .Cos
(2,14)
K 2
. 2.V C Sen
0
K 2
. 2 .V C Sen 0 0ó
0
(2,15)
1
K V 1 0
2 .V C 0 V 0
2V RMS
1
0
permanente.
condensador antes del disparo con una tensión residual determi nada
V 0
2V C . El cumplimiento simultáneo de ambas condiciones no se
obstante, para una tensión residual dada, se asume como aceptable que
K 1
0 V 0
2.V C .Cos 2.V RMS .Cos V (t´) V 0
(2,16)
Por ejemplo en la figura 2,7 se puede ver evolución del valor de pico de
en anti paralelo.
través de la reactancia.
máximo o mínimo.
TR1 y TR2.
V 0
(t ) 2.V RMS .Sen( t ) (2,17)
figura 2,11):
´ ´
t´ t´ 0
(2,18)
´ ´ ( )
t´´ t´´ 0
(2,19)
ecuación:
´ a ( t t´)
i(t) K e 1
2ISen( t ) (2,20)
ecuación:
´ a ( t t´´)
i(t) K e 1
2ISen( t ) (2,21)
´
i(t ) 0
Donde:
´ 2 2 2
I V RMS
/ R L
K K 1 K 2
(2,23)
TR1:
2
(2,24)
respectivamente.
Figura No. 2,12: Formas de onda de intensidad en un TCR para α=45º
y α=120º.
i (t ) 2.I .Sen( t
2
) 2.I .Sen(
2
) (2,25)
t´2
(2 )/ .
Entonces, realizando un análisis de Fourier de la intensidad que circula
por la bobina i(t), teniendo en cuenta que tiene simetría de media onda,
2 V RMS Sen(2 )
I 1
(2,26)
L 2
mediante la expresión:
2,14.
Figura No. 2,14: forma de onda y espectro armónico para un TCR con
un ángulo de disparo de 150° y con un 5% de diferencia entre el ángulo
de disparo de TR1 y el TR2.
2.3.2.3 CONFIGURACIÓN TRIFÁSICA DEL TCR
triángulo.
características:
dichas Componentes
5
( )< < (2,29)
2 6
L
L 2( ) Sen(2 )
(2,30)
poner como:
QL V RMS
óQ
2
BE (2,31)
L L
Donde la expresión para la susceptancia Bo del TCR está dada por:
1 2( ) Sen(2 )
B (2,32)
L L
QSVC QC QL (2,33)
1
BSVC C L
(2,34)
3.1 INTRODUCCIÓN
Como se ha indicado en el primer capítulo, los sistemas el éctricos de
potencia, desde hace varios años ya, vienen cambiando en forma
acelerada, como es sabido, debido a la incorporación de sistemas
electrónicos de potencia controlados por microprocesadores, así como
también por el avance tecnológico en los sistem as de comunicación.
Siendo el SVC una de las tecnologías recientes cuyo objetivo principal
es mejorar y flexibilizar la operación del sistema eléctrico.
Tal como se indica en la figura, cada tiristor conduce cada medio ciclo,
en función del ángulo de disparo y el cual es medido desde el cruce por
cero de la tensión. Entonces, el TRC entra en conducción total cuando
el ángulo de disparo es de 90°. La corriente es esencialmente reactiva y
sinusoidal. La conducción parcial de los tiristores se obtiene con
ángulos de disparo entre 90° y 180°. Si se parte desde un ángulo de
disparo de 90° y este ángulo se incrementa se reducirá la componente
fundamental de la corriente. Ello es equivalente a incrementar la
inductancia del reactor, por lo tanto se reduce la potencia reactiva tal
como disminuye la corriente [1], así se tiene en términos de la
susceptancia y es un parámetro variable dependiendo de los ángulos de
disparos. En la presente tesis se considera el ángulo de disparo α y el
ángulo de conducción β. Las ecuaciones importantes a considerar son:
2( ) (3,1)
La corriente instantánea en el TRC está dada por:
2 V rms
Cos Cos .t ,........... < .t < ( )
i X L (3,2)
0 ,.............................................( ) < .t < ( )
V rms Sen
I 1
. , Amperios eficaces. (3,3)
X L
I B .V
1 L rms
( ), (3,4)
Sen
B L( )
, (3,5)
X L
2( ) Sen(2 )
B L( )
, (3,6)
X L
la ecuación 3,7:
4 * 1 Cos( máx )
2
C C 0 EQ:máx 2
*L
; (3,7)
* L0
L EQ
( ) ; (3,8)
2*( ) Sen 2*( )
L EQ
( 0 ) 1,282 * L0 ; (3,9)
1
; (3,10)
L EQ
( 0 ) * C0
0,78
L 0 2
; (3,11)
* C0
Quedando así definidos los parámetros requeridos por el SVC para
lograr la compensación de un sistema, definidos previamente la
inductancia L de la línea de transmisión y el grado de carga máximo del
sistema.
4 * 1 Cos( OP /2
C EQ.OP
( ) 2
*L
; (3,12)
C SVC
( ) C EQ.OP
( ); (3,13)
X Leq
( ) X Co
C SVC
( ) ; (3,14)
X Leq ( ) * X Co *
Donde la reactancia inductiva equivalente variable del reactor
controlado por tiristores TCR es:
X Leq
( ) *L EQ.
( ); (3,15)
1
C SVC
( ) C 0 2
; (3,17)
*L EQ
( )
2 2*( ) Sen 2 * ( )
C( ) C C
0 SVC
( )* * L0 ; (3,18)
Haciendo uso del equivalente delta mostrado en la figura 3,10b, las tres
admitancias pueden ser compensadas separadamente como si fueran
cargas monofásicas. Es decir, por ejemplo, para el caso de las fases a y
b, si la admitancia Y ab está compuesta por una parte real (conductancia)
y una parte imaginaria (susceptancia), es decir:
Y ab G ab jB
ab
( ab ) G ab ( ab ) G ab
B bc
; y B ca
; (3,19)
3 ab 3 ab
2
V * Gab
2
P 3
3V * G ab
; (3,20)
( bc ) G bc ( bc ) G bc
B ca
; B ab
; (3,21a)
3 3
( ca) G ca ( ca) G ca
B ab
; B bc
; (3,21b)
3 3
Figura No. 3,11: Aplicación de los principios de compensación de
carga monofásica a una carga trifásica desbalanceada.
(C ) ( bc ) ( ca)
B ab B ab B ab B ab
(C ) ( ca) ( ab )
B bc B bc B
bc B bc
(3,22)
(C ) ( ab ) ( bc )
B ca B ca B
ca B ca
(C ) 2 * * *
B ab
.(3V ) I V .I
m a a I m V b. I b I m V c . I c (3,23)
Denominándose:
(C ) (t ) 2
Q ab B ab
* 3V ; (3,24)
*
Q incra I V .I
m a a
*
Q incrb I V .I
m b b
; (3,25)
*
Q incrc I V .I
m c c
V V 0
S
: Fasor de voltaje en el extremo emisor
S
0
V V L
: Fasor de voltaje en el extremo receptor
L
0
V V
: Fasor de voltaje en el punto medio
P
P 2
: Ángulo de desfase entre V S y V L llamado
grado de carga.
V X
j *X *I S
: Caída de voltaje en la línea de transmisión.
V V S L
; (3,29)
V P 2
V P
V * Cos(
2
)
2; (3,30)
De la ecuación 3,30 se puede concluir que el voltaje en el punto medio
para el sistema sin compensar está directamente relacionado con la
magnitud del voltaje de los generadores y también con el d esfase
existente entre ambos, es decir, el grado de carga.
2* X Ceq
* 2*V * Cos( ) ; (3,32)
V P 4* X X Ceq
2 2
está determinada por la ecuación 3,36 (voltaje del sistema sin compensar).
V P
Al comparar las ecuaciones del voltaje en el punto medio para los sistemas sin
compensar y compensado, se nota una diferencia en un factor igual a:
1 (3,33)
1
1
X Ceq
4* X
(3,34)
V P V S V L V
Luego usando la ecuación 3,32 se tiene:
2* X Ceq
* 2*V * Cos( ) (3,35)
V P 4* X X Ceq
2 V
4* X Ceq
*Cos(
2
) 1 (3,36)
4* X X Ceq
Donde:
X=ω*L
L= Inductancia total de la línea de transmisión
ω = Frecuencia del sistema en radianes/segundo.
4* 1 Cos.( )
2
C EQ
( ) 2
*L
; (3,38)
Q SVC
; (3,39)
K V
Q SVC
; (3,40)
V V Re f
K
La característica del control de reactivos tiene como primer objetivo
aplicar la ley de control en función del ángulo de conducción dada en la
ecuación 3,6. Es decir, dentro del lazo de control de reactivos está la
curva característica B vs. β. Este control considera que el valor de la
susceptancia variable B (β) en por unidad, dado que la potencia reacti va
en p.u. por el reactor del TRC es igual a la B (β) en p.u. Se tiene por lo
tanto que:
Q p .u
( ) B p .u
( )
Pero, antes de que se entre en esta etapa del lazo de control, debe
existir una compensación de la carga y ello se logra con la
compensación de la potencia reactiva. Las señales del lazo de control
pasan a través de un filtro pasa bajo, para luego generar un tren de
pulsos que activarán o desactivarán a los tiristores bidireccionales del
TRC.
CAPÍTULO IV
Figura No. 4,11: Un ejemplo del uso del SVC basado en la topología
McVey-Weber.
CONCLUSIONES
carga.
tensión.
parámetro “K”.
RECOMENDACIONES
general.
3.- Hacer uso del SVC juntamente con los nuevos sistemas de control
Press, 1999).
Variación del dispositivo y cálculo del transitorio de un esquema que muestra una
simulación dinámica e identifica los parámetros a monitorear y a su vez muestra el
desempeño del sistema.
Esquema de localización de fallas para un sistema dinámico analizado en
cuanto a su desempeño