Escuela Politécnica Superior de Elche

Grado en Ingeniería Mecánica

Grado en Ingeniería Electrónica y Automática Industrial
Grado en Ingeniería Eléctrica

ELECTRÓNICA GENERAL

El diodo de unión p-n

v.1.03
 EG: El diodo de unión p-n
TCEF:

Introducción
Un diodo de unión p-n es un dispositivo de dos terminales formado por un cristal
semiconductor con una zona en la que se han introducido impurezas aceptadoras
(zona p) y otra en la que se han introducido impurezas donadoras (zona n). Se
supone que la transición entre la zona p y la n es abrupta.

zona p zona n

Diodo de unión p-n Símbolo

En una primera aproximación se puede pensar en el diodo como en un dispositivo

que permite el paso de corriente en un sentido, pero no en el sentido contrario.
 EG: El diodo de unión p-n
TCEF:

Formación de la unión p-n

En un semiconductor de tipo p los huecos son los portadores de carga mayoritarios
y los electrones son los minoritarios. Las impurezas ionizadas que dan lugar a la
carga fija tienen signo negativo.
En un semiconductor de tipo n, los electrones son los portadores de carga
mayoritarios y los huecos los minoritarios; las impurezas ionizadas tienen signo
positivo.

Concentración de
Concentración de electrones = nno
electrones = npo
EC EC
ED
Densidad de EF
carga fija = Na-
Densidad de
EF carga fija = Nd+
EA
EV EV

Tipo p Concentración Tipo n Concentración

de huecos = ppo de huecos = pno
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TCEF:

Supongamos que ponemos en contacto los dos cristales tipo p y n, y que la

unión entre ambos es perfecta. Ocurren los procesos siguientes:

Los portadores de carga

mayoritarios de cada lado
atraviesan la unión por difusión.

EC
ED
EF

EF
EA
EV

Zona p Zona n
Los portadores que son mayoritarios a
un lado de la unión son minoritarios al
otro lado y tienden a recombinarse
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En un entorno a ambos lados de la unión la densidad de portadores mayoritarios

disminuye y la de minoritarios aumenta. En esta zona la densidad de carga fija
ionizada es mucho mayor que la de portadores mayoritarios (se produce un
vaciamiento de carga libre):

En la zona p : NA p
(en el entorno de la unión)
En la zona n : ND n
En la zona p se forma una región con carga neta negativa Qp y longitud xp, próxima a
la unión, y en la zona n una región con carga neta positiva Qp y longitud xn. Ambas
constituyen la región de deplexión o zona de carga espacial de espesor w.
xn NA
Qp Qn
xp ND
Zona de
carga xp xn Zona
espacial neutra
- +
- +
- +
- +
p - + n
Zona - +
neutra - +
w
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TCEF:

En la zona de carga espacial aparece un campo eléctrico (de la zona n a la p) como

consecuencia de la presencia de carga neta. Tal campo se opone a la corriente de
difusión de portadores de carga que atraviesa la unión.
Las bandas de energía se curvan debido a la presencia del campo eléctrico. En la
situación de equilibrio las energías de los niveles de Fermi de la zona n y la p son
iguales. Los portadores de carga necesitan una energía Ψ0 para atravesar la unión.
Zona Zona de Zona
neutra carga neutra
espacial
EC - +
Ψ0

ED
EF
EA
EV

Zona p Zona n
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TCEF:

Además de las corrientes de difusión de mayoritarios, existe una corriente de

arrastre de minoritarios que atraviesan la unión al aproximarse al campo eléctrico y
ser arrastrados por éste.

Ja,e
EC Zona n
Jd,e Ja,e corriente de arrastre
de electrones de p a n.
Jd,e corriente de difusión
de electrones de n a p.
Jd,h corriente de difusión
EV de huecos de p a n.
Ja,h corriente de arrastre
Jd,h de huecos de n a p.
Zona p
Ja,h

kT NAND 2ε 1 1
En equilibrio Ja = Jd Ψ0 ln w xp xn Ψ0
q ni2 q NA ND
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Unión p-n polarizada en inversa

Supongamos que aplicamos una diferencia de potencial a la unión p-n de tal forma
que el potencial más bajo está aplicado en la zona p.

Se crea un campo eléctrico externo que se suma al interno creado por las
cargas de la región de deplexión.
2ε 1 1
La zona de carga espacial aumenta su extensión: w Ψ -V
q NA ND 0 D

Eint Eint + Eext

- + - - ++
- + - - ++
- + - - ++
- + - - ++
p - + n p - - ++ n
- + - - ++
- + - - ++
w w
Unión p-n en equilibrio
VD < 0

Unión p-n polarizada en inversa

 EG: El diodo de unión p-n
TCEF:

La polarización en inversa conlleva un desplazamiento de las bandas: al potencial

interno, Ψ0, se le añade el externo, VD.
La corriente de difusión de mayoritarios disminuye, dado que la barrera de
potencial que deben superar se ha incrementado. La corriente de arrastre no se
modifica dado que no depende de la altura de la barrera VD.

Existe una componente neta de corriente de n a p, independiente de VD y muy

pequeña (corriente inversa de saturación).
Ja,e
EC

Zona n Ψ0 - VD (VD < 0)

Jd,e

EV

Jd,h
Ja >> Jd
Zona p

Ja,h
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Unión p-n polarizada en directa

Supongamos que aplicamos una diferencia de potencial a la unión p-n de tal forma
que el potencial más alto está aplicado en la zona p.

Se crea un campo eléctrico externo que se resta al interno creado por las
cargas de la región de deplexión.
2ε 1 1
La zona de carga espacial disminuirá su extensión: w Ψ -V
q NA ND 0 D

Eint Eint - Eext

- + -+
- + -+
- + -+
- + -+
p - + n p -+ n
- + -+
- + -+
w w
Unión p-n en equilibrio
VD > 0

Unión p-n polarizada en directa

 EG: El diodo de unión p-n
TCEF:

La polarización en directa conlleva un desplazamiento de las bandas: al potencial

interno, ΔU, se le resta el externo, VD.
La corriente de difusión de mayoritarios aumenta, dado que la barrera de potencial
que deben superar se ha reducido. La corriente de arrastre no se modifica dado que
no depende de la altura de la barrera VD.

Existe una componente neta de corriente de p a n, que aumenta con VD.

Zona n
Ja,e
Jd,e
EC
ΔU - VD (VD > 0)

Ja << Jd
EV

Jd,h
Zona p Ja,h
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Polarización Corriente de arrastre Corriente de difusión Corriente total

Sin Muy pequeña e igual a

Nula
polarización la de arrastre

Mucho más grande que

Muy pequeña e Grande y
la de arrastre y
Directa independiente de la creciente con la
creciente con la
polarización polarización
polarización

Mucho más pequeña que

Inversa Despreciable
la de arrastre
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Mecanismos de ruptura: Ruptura por avalancha

Si la polarización inversa es muy alta ( mayor que Peak Reverse Voltage; PRV≈-50V),
el campo eléctrico interno es tan intenso que los portadores que atraviesan la unión
son acelerados y chocan con los iones del cristal arrancando pares electrón-hueco
que a su vez son acelerados, generando nuevos pares → multiplicación o efecto avalancha.
La corriente inversa a partir del PRV se dispara y el diodo se rompe por
calentamiento si supera la potencia máxima permitida.

Mecanismos de ruptura: Efecto Zener

La ruptura Zener es la rotura de enlaces covalentes por acción directa de un alto
campo eléctrico interno. Si el diodo está muy dopado la zona de carga espacial es
muy estrecha (E=V/w) y se producen campos eléctricos muy altos. La tensión a la
que ocurre este efecto Zener ( VZ tensión Zener) depende del dopaje del diodo. A
mayor dopaje, menor VZ .
En este efecto se basan los diodos Zener, que al estar fuertemente dopados, dejan
pasar una elevada corriente inversa con tensiones VZ habituales entre -5V y -20V.
Son utilizados para funcionar precisamente a VZ ya que el diodo no se estropea a no
ser que se supere la potencia máxima que el diodo puede disipar.
También en este caso existe conducción en inversa, sin embargo:
Efecto Zener ≠ Efecto avalancha
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Característica I-V del diodo. Modelo de Shockley.

Se puede demostrar que la característica I-V del diodo tiene forma exponencial
(modelo de Shockley) sin tener en cuenta los efectos de ruptura:

ID IS eVD nVT 1
Tensión de ruptura ID
Diodo en
directa
IS = corriente inversa de Diodo en
saturación inversa
VT = kT/q tensión
térmica, donde
k = constante de Boltzman VD
T = temperatura Ruptura
q = carga del electrón
1 ‹ n < 2 dependiendo del
Tensión de codo o umbral (Vγ)
material (factor de idealidad)
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Capacidad de transición o de carga espacial

La unión p-n polarizada en inversa se asemeja a un condensador ya que es capaz de
almacenar carga (fija) en la región de deplexión. Esta capacidad no es constante al
depender de la tensión aplicada, por lo que se utiliza una aproximación lineal válida
para pequeñas oscilaciones de la tensión entorno a un valor de polarización, VQ:

ε = permitividad eléctrica
dQ εS
Ct S = sección de la unión p-n
dVD V w
d VQ w = anchura de la zona de
carga espacial

Capacidad de difusión
Con la unión polarizada en directa la concentración de portadores minoritarios a
ambos lados de la unión se incrementa (existe exceso de portadores). Si varía el
valor de la polarización, las concentraciones de portadores minoritarios también
cambian, por lo que de nuevo se produce un efecto capacitativo:
τT = tiempo medio del transitorio
τT VT = tensión térmica
Cd I
VT D ID = corriente que atraviesa la
unión
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Recta de carga. Punto de trabajo.

La característica ID-VD del diodo determina las posibles parejas de corriente y
tensión que puede adoptar el diodo. El valor concreto de corriente y tensión
vendrá fijado por el circuito en que se encuentre.

VD
+ - I = ID

Vi R ID
Característica
Vi Recta de
ID-VD del diodo
carga
R
La recta de carga es la relación I-V
impuesta por el circuito:

V V Punto de
I i D trabajo Q
R IDQ
El punto de corte de la recta de
carga con la característica ID-VD del
diodo determina el punto de trabajo
VDQ Vi VD
del diodo.
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Modelos simplificados del diodo: diodo ideal

Los cálculos de circuitos con diodos se facilitan sustituyendo el diodo por un modelo
simplificado. La aproximación más simple del diodo consiste en un circuito abierto
para VD < 0 y un cortocircuito para VD > 0.
Diodo ideal
Diodo real
+ - VD > 0
=
VD < 0

ID ID

VD VD
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Modelos simplificados del diodo: modelo de tensión de codo

El modelo de tensión de codo supone que el diodo conduce cuando la tensión que cae
entre sus bornes alcanza una tensión umbral o de codo Vγ.

Diodo real Modelo de tensión de codo

Vγ

ID ID

VD Vγ VD
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Modelos simplificados del diodo: modelo lineal

El modelo de tensión de codo supone que el diodo conduce cuando la tensión que cae
entre sus bornes alcanza una tensión Vγ. Por encima de ese valor se comporta como si
tuviera una resistencia interna.

Diodo real Modelo lineal

Vγ Rf

ID ID

Pendiente = 1/Rf

VD Vγ VD
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El diodo en alterna: modelo de pequeña señal

Si a la polarización continua en directa de un diodo se le añade una pequeña señal, la
característica I-V se puede sustituir localmente por una recta, y el diodo puede ser
modelizado mediante una resistencia incremental o dinámica, rD, cuyo valor es la
inversa de la pendiente de la tangente a la característica I-V en el punto de trabajo:

iD(t)
Componentes
vd(t) + vD (t) VD vd (t) continuas
vD(t)
VD - iD (t) ID id (t)

Componentes de
Magnitudes
pequeña señal
totales

ID Circuito equivalente para pequeña señal:

Q
Pendiente = 1/rD
id(t)
Q’
nVT
VD vd(t) rD
ID
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Modelo del diodo en alta frecuencia

Cuando se trabaja con señales de alta frecuencia se debe tener en cuenta las
capacidades asociadas al diodo, de transición y difusión.
En directa el diodo se modeliza por el paralelo de la resistencia incremental y la
capacidad de difusión.
En inversa la resistencia incremental es muy grande y el diodo se modeliza por la
capacidad de transición.

Modelo de alta
frecuencia

rD

VD > 0
Diodo real

Cd

VD < 0
Ct
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TCEF:

Diodo Zener: modelo lineal

Modelo lineal

Vγ Rf
Diodo Zener real
+ -

Rz Vz
ID ID

Pendiente = 1/Rf

Vz

VD Vγ VD
Pendiente = 1/Rz