ELECTRÓNICA FUNDAMENTAL

NRC​:8710

Nombre: ​CUEVA MORILLO CHRISTIAN EDUARDO

RESUMEN: SEMICONDUCTORES
El desarrollo de la tecnología se ha dado a través de los estudios de los materiales que
presentan ciertas propiedades en distintas circunstancias, y es por eso que estudiamos
estos componentes que manejan el paso de corriente eléctrica a función de las
necesidades, dividiendo estos en medios conductores, semiconductores y aislantes, que
forman la base de estudio para la construcción de circuitos eléctricos

Clasificación de los materiales desde el punto de vista electrónico

En grado de conductividad los que permiten con mayor facilidad el paso de electricidad son
los conductores conteniendo materiales con electrones de valencia débilmente conectados
al átomo como el cobre.
Por el contrario existe su contraparte que son los aislantes los cuales generan una gran
resistencia a dejar pasar la corriente eléctrica como el plástico.
En la zona intermediaria de estos hallamos los semiconductores que son los materiales que
pueden manejar la corriente eléctrica para tener varios usos en los componentes de un
circuito eléctrico, siendo estos los más estudiados

Valores aproximado de la clasificación de materiales

En los materiales las propiedades eléctricas son explicadas por distintos fenómenos que
explican su comportamiento al estar presentes de un campo eléctrico, los materiales
aislantes se presentan fenómenos de polarización formando dipolos eléctricos

En los materiales conductores, los fenómenos predominantes al aplicar un campo eléctrico

son los de conducción, debido al movimiento de electrones libres en el interior del material
arrastrados por el campo eléctrico aplicado.

En los semiconductores se observan fenómenos los cuales pueden variar cu conductividad

cuando se les somete a un con el cambio de temperatura, y añadiendo una cantidad de
impurezas, y así utilizarlos para desarrollar aparatos electrónicos
Estructura electrónica de los materiales sólidos

La explicación de las propiedades de los materiales toma inicio en el estudio de un átomo

aislado. Los electrones cuentan con niveles de energía alrededor del núcleo, siendo una
energía de enlace que es la cantidad necesaria para sacar al átomo de un estado
fundamental y dejar al electrón fuera de la influencia del núcleo, y así mismo una energía de
ionización para regresar al estado fundamental.

Cuando se trata de moléculas formadas por dos o más átomos los electrones de la capa
más externa son los que interactúan con los del otro átomo mientras los demás están
sujetos al núcleo, pero si estas moléculas son diatómicas homopolares los niveles de
energía de los electrones se desdoblan y forma dos niveles separados por una energía, uno
de ellos con energia mas baja o estado fundamental y otro con estado más elevado o
estado excitado. Los electrones se sitúan en los nuevos niveles ocupando primero los de
energía más baja

En moléculas simples formadas por N átomos iguales los electrones de las capas más inter
se mantienen en sus niveles originale mientra que los electrones de enlace se sitúan en
nuevos niveles ocupando primero los de energía más baja debido a un desdoblamiento

El fenómeno del desdoblamiento de los niveles atómicos se presenta también en los sólidos
con enlace covalente como en la mayoría de semiconductores y metales, donde la
interacción de electrones de enlace con N átomos del sólido da lugar a un desdoblamiento
de los niveles atómicos más elevados en nuevos subniveles que se encuentran muy
próximos entre sí.

La continuidad de energía de los subniveles forma una banda de energía de N subniveles y

puede alojar 2N de los electrones de valencia de cada uno de los átomos, y es llamada
banda de valencia ya que solo ocupan los electrones de valencia

Los niveles excitados de los átomos también están sujetos a un desdoblamiento originando
bandas de energía en materiales sólidos con un número elevado de átomos. Los niveles
excitados se convierten en una banda continua de niveles energéticos situados por encima
de la banda de valencia separada por una zona de energía donde no existen niveles, o
también llamada banda prohibida

La curva de energía potencial limita la extensión espacial de del movimiento de los

electrones extendiéndose hasta un valor de energía igual a cero conocida como nivel vacío.
Los electrones de las capas más internas se sitúan en niveles limitados espacialmente por
la curva de energía potencial de cada átomo mientras que los de las capas más externas
que participan en el enlace se distribuyen entre los niveles de la banda de valencia
Por encima de la banda de valencia se forma la banda de conducción que corresponde a
los estados excitados que de la misma forma que la banda de valencia, no están limitadas
espacialmente extendiéndose por toda la cadena de átomos.
Son los electrones pertenecientes a estas bandas de energía (bandas de valencia y de
conducción) los que confieren las propiedades eléctricas características de los materiales

Conductores, Semiconductores y Aislantes

En las proximidades del cero absoluto los electrones de la banda de valencia ocupan los
niveles mås bajos de energía y hasta que la banda no este totalmente ocupada los niveles
de más alta energía permanecen vacíos

A temperaturas más elevadas, una fracción apreciable de los electrones puede ser excitada
a niveles con energía superior, siempre que estos niveles se encuentren vacantes,
permitiendo que los electrones se puedan mover dentro del cristal bajo la acci 6n de un
campo eléctrico.

La presencia de electrones en una banda, de valencia o de conducción, en la cual existen

niveles o estados vacantes los cuales el electrón se pueda trasladar, es una de las
condiciones que se exige para que los electrones de esa banda puedan participar en los
procesos de conducción al aplicar un campo eléctrico.

Representación de las bandas en cada tipo de material

En el caso de los metales la banda de conducción solapa en energía con la banda de

valencia de forma que no existe banda de energía prohibida
Los electrones se encuentran dentro de una banda de conducción del metal, en la cual
existen numerosos niveles vacantes
Cuando se aplica un campo eléctrico los electrones se desplazan saltando entre niveles
vacantes, participando asf en la conducción.

En el cero absoluto todos los electrones de esta banda se hallan ocupando los niveles
energéticos mås bajos hasta un cierto valor de la energía, y por encima de este valor el
resto de los niveles se encuentra vacante.

En los semiconductores A temperaturas próximas a las del cero absoluto todos los
electrones de valencia participan en el enlace de unos átomos con otros y la banda de
valencia se halla completamente Ilena, sin estados vacantes, mientras que la de conducción
estå completamente vacía, por lo que en estas condiciones no puede haber conducción

A temperaturas ordinarias (300 K) una fracción apreciable de electrones puede romper el

enlace y pasar a la banda de conducción donde existe un gran número de estados vacantes
junto con las de la banda de valencia, hacen que los electrones puedan participar en los
procesos de conducción cuando se aplica un campo eléctrico.

En los materiales aislantes con enlace covalente, los electrones de enlace estån
compartidos por cada pareja de åtomos, formando un enlace muy fuerte y ocupando
completamente los estados de la banda de valencia.La banda de conducci6n esta
separada en varios eV de la banda de valencia, por lo que a temperaturas ordinarias todos
los niveles de la banda de valencia estån ocupados, mientras que los de la banda de
conducción se encuentran pråcticamente vacíos de electrones.

Todo ello hace que a la temperatura ambiente la conductividad de los aislantes sea muy
baja

En algunos casos la existencia de conducción se debe a factores externos, tales como la

presencia de impurezas u otros defectos del material.

Semiconductores intrínsecos

Son semiconductores en estado puro y perfectamente cristalizados. Los átomos de este

material ocupan posiciones tetraédricas compartiendo cuatro electrones con sus átomos
vecinos en un enlace de tipo covalente de valencia 4, como el silicio o el germanio

A temperaturas bajas, próximas al cero absoluto, todos los enlaces de los átomos se
encuentran saturados con los electrones correspondientes, por lo que la banda de valencia
se encuentra totalmente ocupada.Sin embargo, la energía necesaria para romper el enlace
es relativamente pequefia pudiendo obtenerla mediante excitación térmica

Portadores de carga concepto de hueco

La excitación de un electrón a la banda de conducción implica la ruptura de un enlace en
algún punto del cristal, donde a su vez se origina un estado vacante que ademås presenta
una deficiencia de carga negativa,da lugar a un desplazamiento de la vacante en sentido
opuesto al del electrón que efectúa el salto
Estas características de los niveles o estados vacantes, denominados también huecos,
permite considerarlos como partículas inmersas en un mar de electrones de enlace dentro
de la banda de valencia

Interpretación del esquema de bandas de energía

La escala vertical representa la energía total, E, de los niveles electrónicos en la banda de
valencia o de conducción. En este esquema, el valor de Eg corresponde a la energía
mínima necesaria para romper un enlace en el cristal,el fondo de la banda de conducción,
Ec, y al tope de la banda de valencia, Ev.
Si E representa la energía final del electr 6n una vez que pasa a la banda de conducción la
diferencia E-Ec se interpreta como la energía cinética asociada al movimiento del electrón
en la banda de conducci 6n.
Del mismo modo, si el hueco generado en la banda de valencia se encuentra en un nivel de
energía E (por supuesto diferente a la del electrón), la diferencia Ev-E representa la energía
cinética del hueco
En uno y otro caso, puesto que E representa la energía total de la partícula, esto es la suma
de las energías cinética y potencial, E = E + E los valores de E y Ev representan a su vez la
energía potencial asociada al enlace

Fenómenos de conducción
Supongamos que aplicamos sobre una barra semiconductora uniforme de longitud L una
diferencia de potencial V = V2-VI, con V2>Vl. Este potencial eléctrico se superpone al
potencial al que estån sometidos los electrones en el interior del cristal y hace que su
energía potencial varfe en la cantidad -q V2 para los electrones que se encuentran en un
extremo del semiconductor y en -qVl para los que se encuentran en el extremo contrario. Si
para mayor simplicidad hacemos Vt=0, podemos decir que la energía potencial de los
electrones disminuye uniformemente desde uno de los lados hasta el Otro hasta alcanzar el
valor -q V2 = -qV

Fenómenos de excitación de portadores

Los procesos de excitación estån a su vez compensados por procesos de recombinación
que actúan en sentido opuesto, en los cuales un electrón de la banda de conducción se
desexcita y pasa a ocupar un nivel vacante de la banda de valencia, con lo que desaparece
un hueco. De todo esto se desprende que en un semiconductor intrínseco, en equilibrio
térmico, la concentración de electrones presentes en la banda de conducción, n, debe ser
igual a la de huecos en la banda de valencia, p, es decir: n = p.

Semiconductores extrínsecos

El semiconductor se denomina extrínseco o dopado cuando La conductividad pasa

entonces a estar dominada por la concentración y la naturaleza de los átomos añadidos,
también denominados impurezas,en los semiconductores de valencia +4, como el Ge o el
Si, los átomos añadidos suelen ser de valencia +3, boro o aluminio, por ejemplo, o de
valencia +5, fósforo, arsénico, antimonio, etc.
Semiconductor de tipo n
Los semiconductores extrínsecos tipo N son aquellos obtenidos por la adición de dopantes
con más valencias que el semiconductor intrínseco de partida
Quedando un electrón en completa libertad pudiendo llegar a la banda de conducción
Los electrones asf generados, denomina-dos "extrínsecos", una vez en la banda de
conducción son completamente indistinguibles de los electrones "intrínsecos", y por tanto
participan en pie de igualdad en los procesos de conducción.
La introducción de impurezas de tipo donador en cantidad suficiente hace que a la
temperatura ambiente sea n > p, y el semiconductor se dice entonces que es de tipo n.

Semiconductor de tipo p
Se utilizan elementos con menos valencias que los semiconductores intrínsecos de partida.
Asf pues, mediante la adición de impurezas de valencia inferior, impurezas aceptoras,
aparece en la banda de valencia a la temperatura ambiente un número de huecos
aproximadamente igual al de átomos de impurezas debido a la excitación de electrones
desde la banda de valencia a los niveles de energía correspondientes a los átomos de
impureza
La deficiencia de un electrón para completar el enlace hace que electrones vecinos que
también participan en el enlace puedan ocupar esa vacante si son activados mediante
energía.

 
 
Ley de adición de masas

l tiempo de Vida de estos portadores no es infinito ya que una fracción importante de ellos
estå sometida constantemente a procesos de recombinación, mediante los cuales un
electrón puede pasar a ocupar el nivel correspondiente a un hueco, desapareciendo tanto el
electrón como el hueco y liberando al mismo tiempo una determinada energía. Si el
semiconductor se halla en equilibrio térmico los procesos de recombinación estån
compensados a su vez por los de generación de nuevos pares electrón-hueco debidos a la
excitación térmica.
cuando un semiconductor se encuentra dopado, los procesos de generación y
recombinación alteran profundamente la concentración de portadores (electrones y huecos)
en el interior del semiconductor respecto al caso intrínseco.
la velocidad de recombinación, R, es proporcional al número de electrones presentes en la
banda de conducción, n, y al de huecos en la banda de valencia, p, esto es: R = r · n · p

El producto np ha de ser una constante dependiente de la temperatura, exclusivamente,

para una semiconductor determinado
para un material semiconductor dado, bien sea puro o dopado

ara calcular el valor de esta constante podemos extender al caso intrínseco en el que se
cumple: n = p = ni
Se obtiene entonces: n2i (T ) = cte(T ) resultando la ley de acción de masas: n · p = n2i (T )
indica ademås que en un semiconductor extrínseco de tipo n, por ejemplo, con una
concentración elevada de electrones en la banda de conducción, el número de huecos en la
banda de valencia serå muy pequeño. Se dice entonces que los electrones son los
portadores mayoritarios y los huecos los portadores minoritarios. En semiconductores de
tipo p, en condiciones anålogas, tendremos la situación opuesta.