Manuel Steven Ballesteros Moreno

Consulta característica de los diodos

1. ¿Cuáles son los tipos de diodos de potencia?

Diodos rectificadores para baja frecuencia

Características

IFAV: 1A – 6000 A

VRRM: 400 – 3600 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 10 µs

Aplicaciones

 Rectificadores de Red.

 Baja frecuencia (50Hz).

Diodos rápidos (fast) y ultrarrápidos (ultrafast)

Características

IFAV: 30A – 200 A

VRRM: 400 – 1500 V

VFmax: 1,2V (a IFAVmax)

trr: 0,1 - 10 µs

Aplicaciones

 Conmutación a alta frecuencia (>20kHz).

 Inversores.
 UPS.
 Accionamiento de motores CA.
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Diodos Schotkky

Características

IFAV: 1A – 120 A

VRRM: 15 – 150 V

VFmax: 0,7V (a IFAVmax)

trr: 5 ns

Aplicaciones

 Fuentes conmutadas.
 Convertidores.
 Diodos de libre circulación.
 Cargadores de baterías.

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensión)

Características

IFAV: 0,45A – 2 A

VR: 7,5kV – 18kV

VRRM: 20V – 100V

trr: 150 ns

Aplicaciones

Aplicaciones de alta tensión.

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Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Características

IFAV: 50A – 7000 A

VRRM: 400V – 2500V

VF: 2V

trr:10 µs

Aplicaciones

Aplicaciones de alta corriente.

2. ¿Qué es la corriente de fuga de los diodos?

Si la tensión aplicada externamente al diodo es del mismo signo que la barrera de

potencial interna se dice que el diodo está polarizado inversamente. El terminal positivo de
la pila atrae a los electrones del material N apartándolos de la unión, mientras que el
negativo a trae a las cargas positivas del material P, apartándolos también de la unión. Se
crea, por tanto, en la unión, una ausencia de carga, formándose una corriente que recibe el
nombre de "corriente inversa de saturación" o "corriente de fuga". Su valor es
prácticamente despreciable, pues es del orden de nA (nanoampaerios).

El ancho de la capa agotada aumenta al polarizar la unión en sentido inverso.

Región
Iones negativos que han  Iones positivos que han 
agotada
"recuperado" sus huecos "recuperado" sus electrones
<--->

o-- --o

zona P barrera interna de zona N

potencial
<---->
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3 y 4 ¿Qué es el tiempo de recuperación inversa de los diodos?

El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no se efectúa

instantáneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad I F, la zona central
de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de
éstos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicación de una tensión inversa forzamos la
anulación de la corriente con cierta velocidad di/dt, resultará que después del paso por
cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de
movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La
tensión inversa entre ánodo y cátodo no se establece hasta después del tiempo t a llamado
tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la
unión la zona de carga espacial. La intensidad todavía tarda un tiempo t b (llamado tiempo
de caída) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van
desapareciendo el exceso de portadores.

 ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero

de la intensidad hasta llegar al pico negativo.
 tb (tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad
hasta que ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión
polarizada en inverso. En la práctica se suele medir desde el valor de pico negativo
de la intensidad hasta el 10 % de éste.
 trr (tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

 Qrr: se define como la carga eléctrica desplazada, y representa el área negativa de

la característica de recuperación inversa del diodo.
 di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
 Irr: es el pico negativo de la intensidad.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

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Si observamos la gráfica podemos considerar Qrr por el área de un triángulo:

De donde:

Para el cálculo de los parámetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes
casos:

 Para ta = tb trr = 2ta

 Para ta = trr tb = 0

En el primer caso obtenemos:

 
Y en el segundo caso:

5. Cuál es la causa del tiempo de recuperación inversa de un diodo de unión PN

Por los portadores de minoría que quedan almacenados en la unión pn y en la

masa del material semiconductor.

6. Cuál es el efecto del tiempo de recuperación inversa

Es necesario establecer una carga espacial dentro de una unión P-N antes de que
la corriente directa pueda fluir. (Si la primera oración te hace preguntar por qué, esa
es realmente una pregunta aparte, tal vez esto puede ayudar. Solo mire la dinámica
de establecer y neutralizar esa carga espacial.)

Desde cero, esta carga espacial se puede establecer bastante rápidamente, ya que
una tensión de polarización directa aplicada externamente puede enrutar electrones
externamente. Los electrones se difunden desde el material de tipo n hacia el borde
del material de tipo p, los agujeros en el material de tipo p se difunden hacia el
borde del material de tipo n, y en las interfaces metálicas, se inyectan nuevos
electrones en el n- El extremo tipo y los orificios se generan en el extremo tipo p
para producir electrones libres que pueden fluir en el circuito externo. Todos estos
flujos son flujos de mayoría de transportistas en sus respectivos materiales, por lo
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que la difusión se realiza rápidamente gracias a gradientes de concentración mucho

más grandes. Una carga espacial se desarrolla rápidamente porque la mayoría de
los portadores fluyen para encender el diodo: los electrones en el material de tipo n
y los orificios en el material de tipo p.

Sin embargo, si la tensión externa se invierte para convertirse en una polarización

inversa, la carga espacial se atrae a sí misma para recombinarse. Pero esta
recombinación solo ocurre a través de la difusión de los minoritarios. Esta difusión
de portadores minoritarios tiene gradientes de concentración mucho más pequeños
y, por lo tanto, difunde los órdenes de magnitud más lentamente. Un circuito
externo que proporcione polarización inversa puede ayudar a acelerar esta
recombinación, ya que puede permitir una neutralización más rápida de los
agujeros en exceso que migraron de nuevo al material de tipo p, y la eliminación del
exceso de electrones que migraron de nuevo al material de tipo n. Se supone que
esta recombinación de agujero-electrón o neutralización de carga ocurre
esencialmente instantáneamente en las interfaces semiconductor-metal, por lo que,
si la corriente externa puede suministrar y eliminar electrones bajo polarización
inversa, lo hará mucho más rápido que la recombinación "normal" de agujero-
electrón. Tasa en el grueso del semiconductor. Es por eso que puede haber
enormes corrientes inversas durante el tiempo de recuperación inversa.
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7. Qué es el tiempo de recuperación directo

Es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensión ánodo-cátodo se

hace positiva y el instante en que dicha tensión se estabiliza en el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperación inversa y no suele producir
pérdidas de potencia apreciables.

8. Cuáles son las diferencias principales entre los diodos de unión PN y los
diodos Schottky?

La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo

equivalente de unión pn. Un diodo de Schottky tiene una caída de voltaje
relativamente baja en sentido directo. La corriente de fuga de un diodo Schottky es
mayor que la de un diodo de unión pn.ç

9. ¿Cuáles son las limitaciones de los diodos Schottky?

La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir

resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite
su operación con un reducido gasto de energía.
El voltaje máximo admisible para este diodo se limita en general a 100 V.

10. ¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa típico de los diodos de

uso general?

Los diodos rectificadores de uso general tienen un tiempo de recuperación inversa

relativamente grande, en el casi típico de unos 25µs, y se usan en aplicaciones de
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baja velocidad donde nos es crítico el tiempo (por ejemplo, rectificadores y

convertidores de diodo).
11. ¿Cuál es el tiempo de recuperación inversa típico de los diodos de
recuperación rápida?

Los diodos de recuperación rápida tienen tiempo de recuperación corto, en el caso

típico menor que 5 µs. Se usan en convertidores de cd a cd y de cd a ca, donde
con frecuencia la velocidad de conmutación tiene importancia crítica.