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Guía para El Desarrollo Del Componente Práctico - Fase 4 - Desarrollar El Componente Práctico (Virtual) PDF
Guía para El Desarrollo Del Componente Práctico - Fase 4 - Desarrollar El Componente Práctico (Virtual) PDF
2. Descripción de la actividad
Circuitos de disparo.
Rectificadores
Convertidores DC-DC
Convertidores DC-AC
Actividades a desarrollar
RV3
2k
R2
37%
100
RV1
2k
R1
48%
100
U1 V2
S8010R 25V
V1
15V
Procedimiento:
4. Una vez haya analizado el SCR en estado de conducción, ahora reduzca lentamente
la corriente de disparo, observando en cada momento tanto el voltaje VAK como la
corriente IAK. Explique: ¿por qué no se vuelve a abrir el SCR (es decir pasar a estado
OFF), si la corriente de excitación de la puerta se volvió a reducir? – Ahora realice
una reconfiguración en el circuito de disparo (circuito del lado izquierdo) de forma
tal que el SCR pase a estado OFF, y explique la forma en que se debe proceder.
RV1
4k
R2 R4
RV2 46%
10k 75 500
R3 R1
43%
1k 75 RV4
RV3 Q1
V1
52%
V2 IRF740
25V
50%
15V
1k
1k
Figura No.2 El MOSFET
Procedimiento:
Características de transferencia
3. Ajuste el divisor de voltaje de la fuente de V2 de forma que VGS inicie en cero voltios.
Posteriormente, con el ajuste del potenciómetro RV3, vaya observando como
disminuye el valor de VDS y aumenta el valor de IDS en la medida que se va
aumentando el valor de alimentación de la puerta VGS, hasta llegar a 5 voltios.
VDS2 = 12V
VDS1 = 15V
Seleccione un incremento gradual del voltaje VGS de forma tal que pueda ir observando
los cambios en IDS.
A partir del análisis de la anterior tabla concluya entonces ¿cuál es la mínima tensión
de disparo de puerta? que asegura la correcta conmutación del Mosfet.
Consulte en las hojas de características de los fabricantes, ¿cuál es el valor típico del
voltaje VGS que asegura un correcto funcionamiento del Mosfet sin riesgo de apertura?
Características de drenaje:
6. Con voltaje VTH entre puerta y surtidor (VGS1), varíe desde cero el voltaje VDS y en
cada paso registre el valor de la corriente IDS, hasta encontrar que la IDS se mantiene
constante, diligenciando estos valores en la tabla dada.
7. Repetir el paso anterior (6.) en variaciones de (VGS2 = VTH +0.5 V), (VGS3 = VTH +1
V), (VGS4 = VTH +1,5 V)
RV1
4k
R2 R5
RV2 50%
10k 75 500
R3 R1
50%
1k 75 RV5
RV3 Q1
V3
100%
V2 IRG4BC20F
60V
0%
15V
1k
1k
Figura No.3
Procedimiento:
Características de transferencia
4. Lentamente varié RV3 (aumentando VGE) y anote VCE e IC en cada 0.5V de cambio
tenga en cuenta que el VGE máximo debe ser 10 voltios.
5. El mínimo voltaje de compuerta VGE, el cual es requerido para que el IGBT conduzca
es llamado VTH. Registre este valor VTH=_______
6. Repita los pasos anteriores 2 – 3 - 4 con diferentes valores de VCE y dibuje la gráfica
de VGE vs IC.
Características de Colector
1. Inicialmente ajuste el valor de V2 hasta que el VGE sea 6V o mayor (en cualquier caso
debe ser mayor a VTH), adicionalmente ajuste el circuito para que VCE = 10V.
3. Repita los pasos anteriores con diferentes valores de VGE y anote los valores de IC vs
VGE. Identifique la relación que existe entre estos parámetros.
Entorno para su desarrollo: Aprendizaje Práctico – simulado
Productos a
El producto esperado es un informe final en formato IEEE que el
entregar por el
estudiante debe entregar a su tutor de prácticas.
estudiante:
Tipo de No se entrega ningún
Individual x Colaborativo
producto: producto
Individual:
Documento escrito: informe de construcción individual que incluya: