-> paginas 61-63.

1.-¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo

de cobre?
a) 1 c) 18
b) 4 d) 29

2. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es.

a) 0 c) -1
b) +1 d) +4

3. Si a un átomo de cobre se le extrae su electrón de Valencia, la carga resultante

vale
a) 0 C) -1
b) +I d) t4

4. La atracción que experimenta hacia el núcleo del Electrón de valencia de un

átomo de cobre es
a) Ninguna
b) Débil
c) Fuerte
d) Imposible de describir

5.¿cuántos electrones de valencia tiene un Átomo de silicio?

a) 0 c) 2
b) 1 d) 4

6. El semiconductor más empleado es

a) Cobre c) Silicio
b) Germanio d) Ninguno de 10s anteriores'

7. ¿Qué número de protones posee un átomo de silicio?

a) 4 c) 29
b) 14 d) 32

8. Los Átomos de silicio se combinan en una estructura Ordenada que recibe el

nombre de
a) Enlace covalente
b) Cristal
c) Semiconductor
d) Orbital de valencia

9. Un semiconductor intrínseco presenta algunos Huecos a temperatura ambiente

causados por
a) El dopaje
b) Electrones libres
c) Energía térmica
d) Electrones de valencia

10. Cada electr6n de valencia en un semiconductor intrínseco establece un

a) Enlace covalente c) Hueco
b) Electrón libre d) Recombinación.

11. La unión de un electrón libre con un hueco recibe el nombre de

a) Enlace covalente c) Recombinaci6n
b) Tiempo de vida d) Energía térmica

12. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como

a) Una batería c) Un aislante
b) Un conductor d) Un hilo de cobre

13. El tiempo que. Transcurre entre la creación de un Hueco y su desaparici6n se

conoce como
a) Dopaje c) Recombinaci6n
b) Tiempo de vida d) Valencia

14. Al electrón de valencia de un conductor se le denomina también por

a) Electrón ligado c) Núcleo

b) Electrón libre d) Protón

15. ¿cuántos tipos de flujo de portadores presenta un Conductor?

a) 1 c) 3
b) 2 d) 4

16. ¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un Semiconductor?

a) 1 c) 3
b) 2 d) 4

17. Cuando se aplica una tensi6n a un semiconductor, 10s huecos circulan

a) Distanciándose del potencial negativo
b) Hacia el potencial positivo
c) En el circuito externo
d) Ninguna de las anteriores

18. ¿Cuántos huecos presenta un conductor?

a) Muchos
b) Ninguno
c) solos los producidos por la energía térmica
d) El mismo número que de electrones libres.
19. En un semiconductor intrínseco, el número de Electrones libres es:

a) Igual a1 número de huecos

b) Mayor que el número de huecos
c) Menor que el número de huecos
d) Ninguna de las anteriores

20. La temperatura de cero absoluto es igual a

a) -273 C c) 25 C
b) 0 C d) 50 C.

21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor

Intrínseco presenta

a) Pocos electrones libres

b) Muchos huecos
c) Muchos electrones libres
d) Ni huecos ni electrones libres

22. A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco

Tiene:

a) Algunos electrones libres y huecos

b) Muchos huecos
c) Muchos electrones libres
d) Ningún hueco

23. El número de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrínseco

aumenta cuando la temperatura:

a) Disminuye

b) Aumenta

c) Se mantiene constante

d) Ninguna de las anteriores

24. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda

Significa que 10s huecos circulan hacia

a) La izquierda
b) La derecha
c) En cualquier dirección
d) Ninguna de las anteriores
25. Los huecos se comportan como

a) átomos c) Cargas negativas

b) Cristales d) Cargas positivas

26. cuantos electrones de valencia tienen 10s átomos

Trivalentes?

a) 1 c) 4
b) 3 d) 5

27 ¿Qué número de electrones de valencia 'tiene un

atom0 donador?
a) 1 c) 4
b) 3 d) 5

28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p,

¿Qué emplearía?
a) átomo aceptador
b) Átomos donadores
c) Impurezas pentavalentes
d) Silicio

29. Los huecos son minoritarios en un semiconductor

tip0
a) Extrínseco c) Tipo n
b) Intrínseco d) Tipo p

30. ¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor

tip0 p?
a) Muchos
b) Ninguno
c) Solo los producidos por la energía térmica
d) El mismo número que de huecos

31. La plata es el mejor conductor. ¿Cuál es el numero

de electrones de valencia que tiene?
a) 1 c) 18
b) 4 d) 29

32. Si un semiconductor intrínseco tiene un billón

de electrones libres a la temperatura ambiente,
¿Cuántos presenta a la temperatura de 75 °C?
a) Menos de un billón
b) Un billón
c) más de un billón
d) Imposible de contestar

33. Una fuente de tensión es aplicada a un semiconductor

tipo p. Si el extremo izquierdo del cristal es positivo, en que sentido circulan 10s
portadores mayoritarios?
a) Hacia la izquierda
b) Hacia la derecha
c) En ninguna diiecci6n
d) Imposible de contestar

34. Cuáles de las siguientes conceptos est6 menos relacionado

con los otros tres?
a) Conductor
b) Semiconductor
c) Cuatro electrones de valencia
d) Estructura cristalina

35. ¿Cuáles de las siguientes temperaturas es aproximadamente

Igual a la temperatura ambiente?
a) 0 °C c) 50 °C
b) 25 °C d) 75 °C

36. Cuantos electrones hay en la orbital de valencia

de un homo de silicio dentro de un cristal?
a) 1 c) 8
b) 4 d) 14

37. Los iones positivos son 6tomos que

a) Han ganado un protón
b) Han perdido un protón
c) Han ganado un electrón
d) Han perdido un electrón

38. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor

tipo n?
a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos huecos
39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y
a) Iones positivos
b) Iones negativos
c) Átomos pentavalentes
d) Átomos donadores

40. ¿cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor

tipo p?

a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos electrones libres

41. ¿Cuál de los siguientes elementos no se puede

Mover?

a) Huecos
b) Electrones libres
c) Iones
d) Portadores mayoritarios

42. La que se debe la zona de deplexión?

a) Al dopaje
b) A la recombinación
c) A la barrera de potencial
d) A 10s iones

43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a

temperatura ambiente es de:

a) 0,3 V c) 1 V
b) 0,7 V d) 2 mV por °C

44. Para producir una gran comente en un diodo de

silicio polarizado en directa, la tensi6n aplicada
debe superar
a) OV c) 0,7 V
b) 0,3 V d) 1 V

45. En un diodo de silicio la corriente inversa es nor- .

malmente:
a) Muy pequeña
b) Muy grande
c) Cero
d) En la región de ruptura
46. La corriente superficial de fugas es parte de
a) La corriente de polarización directa
b) La comente de ruptura en polarización directa
c) La comente inversa
d) La comente de ruptura en polarización inversa.

47. La tensión que provoca el fundamento de avalancha

es
a) La barrera de potencial
b) La zona de deplexión
c) La tensi6n de cod0
d) La tensi6n de ruptura

48. La difusión de electrones libres a través de la

unión de un diodo produce:
a) Polarización directa
b) Polarización inversa
c) Ruptura
d) La zona de deplexión

49. Cuando la tensión inversa crece de 5 V a 10 V, la

zona de deplexión:
a) Se reduce c) No le ocurre nada
b) Crece d) Se rompe

50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinaci6n

de electrones libres y huecos puede
Producir:

a) Calor
b) Luz
c) Radiación
d) Todas las anteriores

51. Si aplicamos una tensi6n inversa de 20 V a un

diodo, la tensi6n en la zona de deplexión serie de
a) 0 V
b) 0,7 V
c) 20 v
d) Ninguna de las anteriores

52. Cada grado de aumento de temperatura en la

unión decrece la barrera de potencial en
a) 1 mV c) 4 mV
b) 2mV d) 10 mV

53. La comente inversa de saturación se duplica

cuando la temperatura de la unión se incrementa

a) 1 °C c) 4 °C
b) 2 °C |d) 10 °C

54. La comente superficial de fugas se duplica cuando

la tensión inversa aumenta:

a) 7 por 100 C) 200 por 100

b) 100 por 100 d) 2mV

-> páginas de 89-90

l. Cuando la representación de la comente en función
de la tensión es una línea recta, el dispositivo
se conoce como
a) Activo
b) Lineal
c) No lineal
d) Pasivo
2. ¿Qué clase de dispositivo es una resistencia?
a) Unilateral
b) Lineal
C) NO lineal
d) Bipolar'

3. ¿Qué clase de dispositivo es un diodo?

a) Bilatera

b) Lineal

c) No lineal

d) Unipolar

4. ¿Cómo está polarizado un diodo que no conduce?

a) Directamente
b) Alreves
c) Insuficientemente
d) Inversamente

5. Cuando la comente por el diodo es grande, la

Polarización es:
a) Directa
b) Alreves
c) Escasa
d) Inversamente

6. La tensión umbral de un diodo es aproximadamente

Igual a:
a) La tensión aplicada
b) La barrera de potencial
c) La tensión de ruptura
d) La tensión con polarización directa

7.- La corriente inversa consiste en la corriente de

Portadores minoritarios y
a) La comente de avalancha
b) La comente con polarizaci6n directa
c) La comente superficial de fugas
d) La comente Zener

8.-En la segunda aproximación, ¿Qué tensión hay en

un diodo de silicio polarizado en directo?
.a) OV
b) 0,3 V
c) 0,7 V
d) 1V

9.-En la segunda aproximaci6n, iquC comente hay

en un diodo de silicio polarizado en inversa?
a) 0
b) 1mA
c) 300 mA
d) Ninguna de las anteriores

10.En la aproximación ideal, ¿cuál es la tensión en

el diodo polarizado en directa?
a) 0 V
b) 0,7 V
c) Mayor que 0,7 V
d) 1 v

11.La resistencia interna de un 1N4001 es

a) 0 homs C) 10 homs
b) 0,23 homs d) 1 homs

12.Si la resistencia interna es nula, la curva por encima

de la tensión umbral es
a) Horizontal
b) Vertical
c) Inclinada 45"
d) Ninguna de las anteriores

13. El diodo ideal es generalmente adecuado para

a) Detección de averías
b) Hacer cálculos precisos
c) Cuando la tensión de la fuente es pequeña
d) Cuando la resistencia de carga es pequeña

14. La segunda aproximación funciona bien para

a) Detecci6n de averías
b) Cuando la resistencia de carga es grande
c) Cuando la tensión de la fuente es grande
d) Todas las anteriores

15. La única ocasión en la que es necesario utilizar la

Tercera aproximaci6n es cuando

a) La resistencia de carga es pequeña

b) La tensi6n de la fuente es muy grande
C) Se detectan averías
d) Ninguna de las anteriores

16. ¿Cuál es la corriente en el circuito de la Figura

3-19 si el diodo es ideal?
a) 0 c) 15 mA
b) 14,3 rnA d) 50mA
. . Figura 3-19

17. ¿Cuál es la corriente en el circuito de la Figu- .

ra 3-19 si se emplea la segunda aproximación?

a) 0 c) 15 mA
b) 14,3 mA d) 50mA

18. ¿Cuál es la corriente por la resistencia de carga

en la Figura 3-19 si se emplea la tercera aproximación?
a) 0 c) 15 mA
b) 14,3 mA d) 50 mA

19. Si el diodo está abierto en la Figura 3-19, la tensión

en la carga es
a) 0 C) 20 v
b) 14,3 V d) -15 V

20. Si la resistencia de la Figura 3-19 no estuviese

Puesta a masa, la tensión medida entre la parte
Superior de la resistencia y la masa sería de
a) OV c) 20 V
b) 14,3 V d) , -15 V

21. La tensión en la carga es cero en la Figura 3-19.

El problema puede deberse a

a) Un diodo en cortocircuito
b) Un diodo abierto
c) Una resistencia de carga abierta
d) Demasiada tensión de la fuente de alimentación
-> paginas 146- 147

1. Si N,IN, = 2 y la tensión en el primario es de

120 V, ¿Cuál es el valor de la tensi6n en el secundario?
a) 0 V c) 40 V
b) 36 V d) 60 V

2. En un transformador reductor, magnitud es

Mayor?

a) Tensi6n en el primario
b) Tensión en el secundario
c) Ninguno de 10s dos
d) No hay respuesta posible

3. Un transformador tiene una relaci6n de espiras

De 4 : 1. ¿cuál es la tensión de pico en el secundario
si se aplican 115 V más a1 arrollamiento
Primario?
a) 40,7 V c) 163 V
b) 64,6 V d) 650 V

4. Con una tensi6n rectificada en media onda en la

resistencia de carga, ¿durante que parte de un ciclo
Circula comente por la carga?
a) 0° c) 180°
, b) 90° d) 360°

5. Suponga que en un rectificador de media onda la

tensi6n de red puede fluctuar entre 105 y 125 V
rms. Con un transformador reductor 5 : 1, la tensi6n
de pico en la carga es aproximadamente de
a) 21 V c) 29,6V
b) 25 V d) 35,4V

6. La tensi6n que se obtiene de un puente rectificador

Es:
a) Una señal de media onda
b) Una señal de onda completa
c) Una señal de puente rectificador
d) Una onda sinusoidal
7. Si la tensi6n de red es de 115 V rms, una relaci6n
de espiras de 5 : 1 significa que la tensión en el
secundario es aproximadamente
a) 15 V c) 30 V ,
b) 23 V d) 35 V

8. ¿Cuál es la tensi6n de pic0 en la carga en un rectificador

de onda completa si la tensi6n del secundario es de 20 V rms?
a) OV c) 14,l V
b) 0,7 V d) 28,3 V

9. Se desea que un puente rectificador proporcione

una tensión de pic0 en la carga de 40 V. ¿ cuál es el valor rms aproximado de la
tensión en el secundario?

a) OV c) 28,3 V
b) 14,4 V d) 56,6 V

10. Si a una resistencia de carga se le aplica una tensi6n

Rectificada de onda completa, ¿Durante que
Parte de un ciclo circula comente por la carga?
a) 0° c) 180°
b) 90° d) 360°

11 tensi6n de pic0 en la-carga se obtiene de un

Puente rectificador si la tensión en el secundario
es de 15 V rms? (Emplee la segunda aproximación.)

a) 9,2 V c) 193 V
b) 15 V d) 24,3 V

12. Si la frecuencia de red es de 50 Hz, la frecuencia

de salida de un rectificador de media onda es:
a) 25 Hz c) lOO Hz,
b) 50 Hz d) 200 Hz

13. Si la frecuencia de red es de 50 Hz, la frecuencia’

de salida de un puente rectificador es
a) 25 Hz c) 100 Hz
b) 50 Hz d) 200 Hz

14. Con la misma tensi6n en el secundario y el mismo

filtro, jcu6l de 10s siguientes elementos produce
más rizado?
a) Un rectificador de media onda
b) Un rectificador de onda completa
c) Un puente rectificador
d) Imposible saberlo

15. Con la misma tensi6n del secundario y el mismo

filtro, ¿Cuál de 10s siguientes factores produce la
Menor tensión en la carga?
a) Un rectificador de media onda
b) Un rectificador de onda completa
c) Un puente rectificador
d) Imposible saberlo

16. Si la comente por la carga, filtrada, es de 10 rnA,

¿Cuál de 10s siguientes rectificadores tiene una
Corriente de diodo de 10 mA?
a) Un rectificador de media onda
b) Un rectificador de onda completa
c) Un puente rectificador
d) Imposible saberlo
17. ¿Cuál es la tensión pico a pico del rizado que se
obtiene de un puente rectificador, ¿si la corriente
Por la carga es de 5 mA y la capacidad del filtro
vale 1.000 pF?

a) 21,3pV c) 21,3 mV
b) 56,3 nV d) 41,7mV
18. Cada uno de 10s diodos de un puente rectificador
tiene una limitaci6n de máxima corriente continua
igual a 2 A. Esto significa que la comente continua
por la carga puede tener un valor máximo de
a) 1 A c) 4 A
b) 2 A d) 8A

19. ¿cuál l es el VIP en cada uno de 10s diodos de un

Puente rectificador si la tensión en el secundario
Es de 20 V rms?
a) 14,l V c) 28,3 V
b) 20 V d) 34 V

20. Si en un puente rectificador con filtro con condensador

a la entrada la tensión en el secundario
Aumenta, entonces la tensión en la carga
a) Disminuye
b) Se mantiene constante
c) Aumenta
d) Ninguna de las anteriores

21. Si la capacidad del filtro aumenta, entonces el

Rizado
a) Disminuye
b) Se mantiene constante
c) Aumenta
d) Ninguna de las anteriores

Respuestas

Capítulo 2

2-1. -3

2-3. a) Semiconductor. 6) Conductor. c) Semiconductor.

d ) Conductor.
2-5. a) Tipo p. h) Tipo n. c)
Tipo p. d) Tipo n. e) Tipo p.

2-7. 1,77. nA y 320 nA.

2-9. 0.53 FA; 4.47 FA.

Capítulo 3

3-1. 182 mA. 3-3.500 mA. 3-5. I0 mA. 3-7. 16 mA.

3-9. 19,3 mA, 19,3 V. 373 mW. 13,5 mW, 386 mW.
3-11.30,4 mA, 14,3 V, 435 mW, 21,3 mW, 456 mW.
3-13. 15 V, 0 mA. 3-17. l5,2 mA. 3-19. Abierto..3-21.

La resistencia está abierta, el diodo esto en cortocircuito,

etc. 3-23. No hay tensión de alimentación, R, esta
Abierta, R? esto en cortocircuito, conexión abierta entre
la tensión de alimentación y la unidad medida. 3-25.
Banda del cátodo; la flecha del diodo apunta hacia esta
Banda. 3-27. 1 N914: R, = 100 R, R, = 800 MQ;
1N4001:RF= 1.1 Q. R,=S MQ; lNll85: R,=0,095
R. R, = 21,7 kR. 3-29. 23 kR. 3-31. 4,47 PA. 3-33.

Cuando la fuente de 15 V es normal, el diodo superior

conduce produciendo una tensi6n en la carga de 14,3 V.
Durante esta parte del funcionamiento normal, el diodo
inferior está abierto. Si falla la fuente de 15 V, el
diodo superior se abre. Entonces la batería obliga a1
diodo inferior a conducir. 3-35. La fuente de tensi6n
no cambia, pero todas las demás variables decrecen.
3.37- &, V,. VC, 11, 12, PI, P2; como R es tan grande no tiene efecto en el divisor
de tensión; por tanto, las variables asociadas con el divisor de tensión no cambian.

CAPITULO 4

4-1.70,7 V. 22.5 V.
4-3.70,O V. 22.3 V, 22.3 V.
4-5.VAC. 11.3 V pico.
4-7. 21.21 V. 6,74 V.
4-9. 10 V.14.14 V.
4-11. 11.42 V. 7.26 V.
4-13. 19.81 V, 12.60V.
 4-15.0.1 V.
4-17.21,2 mV. 752 mV.
4-19. Reducido
a la mitad.
4-21. 18,85 V, 334 mV.
4-23. 18.85 V.
4.-25. 17.8 V: 17.8 V: no: mayor.
4-27.9.28 mA.
4-29.
18,85 V.
4-31.0.7 V.-5OV.
4-33. 1.4V,-1,4V.
4-35.2.62 V.
4-37. 0.7 V. -89.7 V.
4-39. 3393,6 V.
4-41.4746.4 V.
4-43. 4.51 A.
4-45. 21.21 V. 10,6 V.