Tiristores

11/11/2015
Daniel Carmona
Objetivos
Electrónica 0319 – Capítulo 6: TIRISTORES
• Entender para que sirve los tiristores y triacs
• Conocer las estructuras, funcionamiento y

características de los elementos para manejar
grandes potencias.
• Ser capaz de explicar las diferencias entre los

tiristores y triacs.
• Conocer los elementos de disparo y algunas

aplicaciones
Presentación por José Quiles Hoyo
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11/11/2015
Daniel Carmona
6.1.- Tiristores
Introducción:
• Los tiristores fueron, durante muchos años, los dispositivos
que dominaban la electrónica de potencia

• Son dispositivos bipolares de más de dos uniones
• Por ser bipolares, son lentos, pero capaces de manejar
grandes corrientes y tensiones
• Los más importantes son:
‐ El Rectificador Controlado de Silicio (Silicon Controlled
Rectifier, SCR), conocido como Tiristor
‐ El GTO (Gate Turn‐Off thyristor) o Tiristor apagado por
puerta
‐ El TRIAC (Triode AC ) o Triodo para Corriente Alterna
‐ El DIAC (Diode AC) Presentación por José Quiles Hoyo
Daniel Carmona
6.1.- Tiristores
Características:
• Volumen reducido
•Fuerte resistencia a los choques y aceleraciones

•Posibilidad de trabajo en todas las posiciones
•Insensibilidad a las sobrecargas
•Fiabilidad
•Vida media muy larga
•Velocidad elevada de conmutación
•Caída de tensión muy baja
•Poca dpendencia de la corriente
•Etc.
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6.1.- Tiristores
Teoría del Tiristor:
• La base de los tiristores es la estructura PNPN
Ánodo (A)
Ánodo
(A) iA
P
+
N
VAK
Puerta (G) P
N -
Cátodo
(K)
Puerta
Cátodo (K) (G)
Daniel Carmona
6.1.- Tiristores
Teoría del Tiristor:
A A
P P
E2
N N N
B2
G P G P P C1
C2
N N B1
E1
K K
Se trata de una estructura realimentada que admite dos

estados estables (es como
Presentación unQuiles“biestable”)
por José Hoyo
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6.1.- Tiristores
¿Cómo se puede conseguir que la estructura de 4
capas conduzca? (I)
- Aumentando mucho VCC: las corrientes inversas de las
uniones base-colector alcanzan valores suficientes para

la saturación mutua de los transistores
iCC VCC/R
+ 0,9 V Esto sólo ocurre

R cuando las  son
iC1 suficientemente
iC2
grandes, lo que se
VCC alcanza cuando las
corrientes inversas
- también lo son
Daniel Carmona
6.1.- Tiristores
¿Cómo se puede conseguir que la estructura de 4
capas conduzca? (II)
- Inyectando corriente en B1
iCC VCC/R
+ 0,9 V
R
VCC
Rg B
1
Vg -
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6.1.- Tiristores
Conducción del Tiristor:
Ahora inyectamos corriente en la
Polarización unión B1-E1 desde una fuente
+ directa externa Vg
E2 ‐ R
C2 B2
+ +
Pol. E2 ‐ R
inversa ‐B 1
C1 C2 B2
+
+ E1 VCC
ig Rg
Polarización ‐ ‐B 1
C1
directa iB1
+ E1 VCC
Vg ‐
La estructura de 4
capas puede
Ahora circula iB1 = ig
soportar tensión sin
por la unión B1-E1
conducir corriente,Presentación por José Quiles Hoyo
Daniel Carmona
6.1.- Tiristores
Conducción del Tiristor:
• iB1 genera iC1 = 1·iB1
iB2 • Pero iC1 = iB2; por tanto:

R
2 • iC2 = 2·iB2 = 2·1·iB1
iC1
ig iC2 ‐ • La corriente iB1 será ahora:
+ 1 VCC
iB1’ = ig + iC2 = ig + 2·1·iB1
Rg iB1 • Es decir, iB1’  2·1·iB1 >> iB1
Vg
iB1’
Conclusiones:
- La corriente de base crece hasta saturar a los dos transistores
- Como consecuencia, el dispositivo se comporta como un
cortocircuito
- La corriente ig puede eliminarse y la situación no cambia
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Daniel Carmona
6.1.- Tiristores
Estados del Tiristor:
• Por tanto, el mismo circuito puede estar en dos
estados, dependiendo de la “historia” anterior:
- Con la estructura - Con la estructura

de 4 capas sin de 4 capas
conducir iCC = 0 A conduciendo i V /R
CC CC
+ +
+ 0V + 0,7 V
‐ R ‐ R
VCC VCC
+ 0,5 V ‐
09 V
‐ +
+ VCC
+ VCC
0V ‐
-
-
‐
Daniel Carmona
6.1.- Tiristores
• Curva característica sin corriente de puerta
Polarización directa
iA [A] cuando está ya disparado

(como un diodo en
polarización directa)
Disparo por sobretensión
ánodo-cátodo
-600 V VAK [V]

0 600 V
Polarización directa a
tensión menor de la de
Polarización disparo por sobretensión
inversa (como un ánodo-cátodo
diodo)
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6.1.- Tiristores
Electrónica 0319 – Capítulo 6: TIRISTORES • Curva característica con corriente de puerta
Polarización directa cuando

iA [A] está ya disparado (como un
diodo en polarización
directa)
Disparo por
Disparo por puerta sobretensión A-K
ig3 ig2 ig1 ig = 0
-600 V ig4
0 600 V VAK [V]
0 < ig1 < ig2 < ig3 < ig4
Daniel Carmona
6.2.- Regulación de Potencia
La regulación de potencia consiste en aprovechar en la

carga todo o parte de cada semi-ciclo de la corriente
alterna. Cuanto mayor sea la parte que se aprovecha,

mayor será la corriente y por tanto la potencia.
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6.3.- El Triac
• Es el equivalente a dos SCRs conectados en antiparalelo
• No se puede apagar por puerta
Terminal 2 T2
(T2) T2
N
P
N‐
P‐
N N
Puerta
Terminal 1 (G) G
G
(T1) T1 T1
Símbolo Equivalente Estructura
interna
Daniel Carmona
6.3.- El Triac
• Curva característica
sin corriente de puerta Polarización directa cuando
iT2 [A] está ya disparado (como un
diodo en polarización directa)
Disparo por
sobretensión
T2-T1
-600 V VT2T1 [V]

0 600 V
Polarización directa a
tensión menor de la
Polarización inversa: se disparo por sobretensión
comporta como en T2-T1
polarización directa
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6.3.- El Triac
• Curva característica iT2 [A]
Electrónica 0319 – Capítulo 6: TIRISTORES con corriente de puerta
Disparo por
Disparo sobretensión
por puerta T2-T1
ig3 ig2 ig1

ig4 ig = 0
-600 V
0 600 V VT2T1 [V]
ig = 0 ig1 ig2 ig3 ig4
Disparo por Facilidad

• Hay 4 modos posibles:
sobretensión
T2-T1 - Modo I+: VT2T1 > 0 y iG > 0 1
• Las corrientes de - Modo I-: VT2T1 > 0 y iG < 0 3

puerta pueden ser
- Modo III+: VT2T1 < 0 y iG > 0 4
positivas o negativas
- Modo III-: VT2T1 < 0 y iG < 0 2
Desaconsejado
Daniel Carmona
6.3.- El Triac
• Regulación de Potencia
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Daniel Carmona
6.4.- Elementos de disparo
El DIAC • No es un componente de potencia, sino que es un
componente auxiliar para el disparo de TRIACs
iA2 A2 • Sólo tiene dos terminales y es simétrico

+ iA2 [A]
A2
VA2A1
P N
A1 -
-30 V VA2A1 N
[V]
Símbolo 0 30 V
P
N
A1
Estructura
Cápsula
DO-35
Curva característica interna
Ejemplo de DIAC Presentación por José Quiles Hoyo
Daniel Carmona
El UJT
- El transistor uniunión (UJT, unijunction transistor) es un
dispositivo de conmutación del tipo ruptura.
- Cuando el voltaje entre emisor y base1 Veb1, es menor que un
cierto valor denominado voltaje de pico, Vp, el UJT está

CORTADO, y no puede fluir corriente de E a B1 (Ie=0).
- Cuando Veb1 sobrepasa a Vp en una pequeña cantidad, el
UJT se dispara o CONDUCE.
- Cuando esto sucede, el circuito E a B1 es prácticamente un
cortocircuito, y la corriente fluye instantáneamente de un
terminal a otro.
- En la mayoría de los circuitos con UJT, el pulso de corriente de
E a B1 es de corta duración, y el UJT rápidamente regresa al
estado de CORTE.
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Daniel Carmona
El UJT
Electrónica 0319 – Capítulo 6: TIRISTORES • CIRCUITO EQUIVALENTE
VBB : Tensión interbase.

rBB : Resistencia interbase
VE : Tensión de emisor.
IE : Intensidad de emisor.
VB2 : Tensión en B2, (de 5 a 30 V
para el UJT polarizado).
VP : Tensión de disparo
IP : Intensidad de pico (de 20 a 30
µA.).
Vv : Tensión de valle de emisor Iv :
Daniel Carmona
El PUT
El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño tiristor con el

símbolo de la figura.
El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentación mediante el
divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de disparo Vp.
En el caso del UJT, Vp está fijado por el voltaje de alimentación, pero en un
PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo R1 y R2.
Si el voltaje del ánodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, se
conservará en su estado inactivo, pero si el voltaje de ánodo excede al de
compuerta más el voltaje de diodo VD, se alcanzará el punto de disparo y
el dispositivo se activará.
La corriente de pico Ip y la corriente de valle Iv dependen de la impedancia
equivalente en la compuerta RG = R1R2/(R1+R2) y del voltaje de
alimentación en Vs. Presentación por José Quiles Hoyo
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Daniel Carmona
6.5.- Aplicaciones
Daniel Carmona
6.5.- Aplicaciones
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11/11/2015
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6.5.- Aplicaciones
Daniel Carmona
6.5.- Aplicaciones
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• Entender para que sirve los tiristores y triacs

• Conocer las estructuras, funcionamiento y

• Ser capaz de explicar las diferencias entre los

• Conocer los elementos de disparo y algunas

que dominaban la electrónica de potencia

•Fuerte resistencia a los choques y aceleraciones

Se trata de una estructura realimentada que admite dos

uniones base-colector alcanzan valores suficientes para

+ 0,9 V Esto sólo ocurre

Presentación por José Quiles Hoyo

iB2 • Pero iC1 = iB2; por tanto:

- Con la estructura - Con la estructura

iA [A] cuando está ya disparado

-600 V VAK [V]

Polarización directa cuando

La regulación de potencia consiste en aprovechar en la

alterna. Cuanto mayor sea la parte que se aprovecha,

Presentación por José Quiles Hoyo

-600 V VT2T1 [V]

Presentación por José Quiles Hoyo

ig3 ig2 ig1

Disparo por Facilidad

• Las corrientes de - Modo I-: VT2T1 > 0 y iG < 0 3

Presentación por José Quiles Hoyo

iA2 A2 • Sólo tiene dos terminales y es simétrico

cierto valor denominado voltaje de pico, Vp, el UJT está

Presentación por José Quiles Hoyo

VBB : Tensión interbase.

Presentación por José Quiles Hoyo

El transistor monounión programable (PUT) es un pequeño tiristor con el

Presentación por José Quiles Hoyo

Presentación por José Quiles Hoyo

Presentación por José Quiles Hoyo

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